TW201832276A - 靜電卡盤台的使用方法 - Google Patents

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Abstract

[課題]提供一種靜電卡盤台的使用方法，可抑制加工時的限制。[解決手段]靜電卡盤台，包含：板狀的基台部，對照射工件的雷射光線的波長具有穿透性，且具有第1面、和第1面的相反側之第2面；以及靜電吸附用的電極部，對雷射光線具有穿透性，且層積於基台部的該第1面。靜電卡盤台的使用方法，則包含：工件保持步驟ST1，對層積於該第1面的該電極部供電，在該第2面側吸附並保持工件；以及改質層形成步驟ST2，從層積有電極部的第1面側照射該雷射光線，藉由穿透該基台部的雷射光線在吸附於第2面的工件的內部形成改質層。

Description

靜電卡盤台的使用方法
本發明係關於一種對雷射光線具有穿透性之靜電卡盤台的使用方法。
在形成半導體及LED（Light Emitting Diode；發光二極體）等光元件的晶圓的分割上，過去已知有一種加工方法，使用雷射加工裝置將形成在晶圓內部的改質層於斷裂基點進行分割（例如，參照專利文獻1）。
專利文獻1所示的加工方法，和習知所用的一邊供給切割水一邊以切割刀片進行破碎的切割技術相比，切口寬（切割預留材）能夠設得非常細，因此對切割道窄化的晶圓來說非常有用。此外，由於此加工方法對工件的機械衝擊非常少，例如在形成有被稱作MEMS（Micro Electro Mechanical Systems；微機電系統）的微小構造體之晶圓的分割上，能夠不破壞MEMS進行分割故非常有效。
然而，雷射光線的波長即使能夠穿透晶圓，也無法穿透構成元件電路等的金屬層。因此，專利文獻1等所示的加工方法，必須以保持面來對元件面側進行保持，設置在分割預定線上不形成TEG圖案（測試元件圖案）的特殊設計，並設置事先去除TEG圖案的步驟，以便從沒有金屬層的晶圓背面照射雷射光線。
因此，有人想出了使用對雷射光線具有穿透性的卡盤台，穿越卡盤台從晶圓的背面側（沒有圖案的面）進行加工之雷射加工裝置（例如，參照專利文獻2）。 [習知技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特許第3408805號公報 [專利文獻2]日本特許第5860219號公報
[發明所欲解決的課題] 然而，專利文獻2所示的雷射加工裝置，必須在卡盤台中形成用來吸引真空用氣體的線路（通路）。進而，卡盤台的真空用線路的雷射光線的折射率和其他部分不同，因此存在以下課題：在必須避開真空用線路來照射雷射光線等之加工時，產生了限制。
因此，本發明的目的是提供一種靜電卡盤台的使用方法，可抑制對工件進行加工時的限制。 [解決課題的技術手段]
根據本發明，提供一種靜電卡盤台的使用方法，該靜電卡盤台包括：板狀的基台部，對照射工件的雷射光線的波長具有穿透性，且具有第1面、和該第1面的相反側之第2面；以及靜電吸附用的電極部，對該雷射光線具有穿透性，且層積於該基台部的該第1面，該靜電卡盤台的使用方法包括：工件保持步驟，對層積於該第1面的該電極部供電，在該第2面側吸附並保持工件；以及改質層形成步驟，從層積有該電極部的該第1面照射該雷射光線，藉由穿透該基台部的該雷射光線在吸附於該第2面的該工件的內部形成改質層。
較佳地，該雷射光線的波長在500nm~1400nm的範圍內。
較佳地，該工件為晶圓，其在正面側形成有MEMS元件，背面側由靜電卡盤台的該第2面側所保持。 [發明功效]
根據本發明之靜電卡盤台的使用方法，能夠達到抑制對工件進行加工時的限制。
以下參照圖式來對實施本發明的型態（實施方式）進行詳細說明。本發明並非限定於以下實施方式所記載的內容。再者，以下所記載的構成要素中，包含本領域習知技術者能輕易思及之實質上相同的技術特徵。進而，以下所記載的構成可為適當組合。此外，在不脫離本發明主旨的範圍內，可進行構成的各種省略、置換或變更。
以下基於圖式對本發明實施方式的靜電卡盤台的使用方法進行說明。圖1表示實施方式的靜電卡盤台的使用方法之保持於靜電卡盤台的工件的立體圖。圖2表示以環狀框架支撐圖1所示的工件之狀態的立體圖。
實施方式的靜電卡盤台的使用方法係圖1所示的工件201的加工方法。圖1所示的工件201，在本實施方式中是將矽、藍寶石、鎵等作為母材料之圓板狀的半導體晶圓或光元件晶圓。工件201如圖1所示，係在藉由正面202的交叉的多條分割預定線203所劃分的各區域上形成元件204的板狀物。IC（Integrated Circuit；積體電路）、LSI（Large Scale Integration；大型積體電路）、及MEMS（Micro Electro Mechanical Systems；微機電系統）元件係作為元件204而形成於各區域。亦即，工件201在表面側201形成IC、LSI及MEMS元件來作為元件204。
工件201如圖2所示，藉由在形成多個元件204的正面202的背側的背面205，黏貼可穿透雷射加工裝置10所照射的雷射光線300（如圖10所示）之黏著膠帶206，並將黏著膠帶206的外緣黏貼至環狀框架207，使環狀框架207的開口藉由黏著膠帶206而被支撐。在實施方式中，藉由在利用黏著膠帶206支撐環狀框架207的開口的狀態下實行工件201的加工方法，工件201被分割成各個元件204。在實施方式中，工件201係在正面202形成MEMS元件以作為元件204，但元件204並不限於MEMS元件。此外，在實施方式中，在元件204為IC或LSI的情況下，表面凹凸的元件204較為適合，其較佳為在表面搭載凸塊或晶片。
實施方式的靜電卡盤台的使用方法（即工件201的加工方法）係藉由圖3所示的雷射加工裝置10來實施。以下基於圖式來對雷射加工裝置10的構成進行說明。圖3表示將實施方式的靜電卡盤台的使用方法加以實施之雷射加工裝置的構成例的立體圖。圖4是沿著圖3中的IV-IV線的剖面圖。圖5表示圖3所示的雷射加工裝置的靜電卡盤台的構成例的俯視圖。圖6是沿著圖5中的IV-IV線的剖面圖。圖7示意性表示圖5所示的靜電卡盤台的主要部分之剖面的剖面圖。
雷射加工裝置10係將對工件201具有穿透性的波長之雷射光線300（圖10所示）從工件201的背面205側沿著分割預定線進行照射，利用雷射光線300在工件201的內部形成變成破裂起點的改質層301（圖10所示）之裝置。此外，改質層301意指密度、折射率、機械強度及其他物理特性和周圍變成不同狀態之區域，可示例為熔融處理區域、裂痕區域、絕緣破壞區域、折射率變化區域、及混合該些區域之區域等。
雷射加工裝置10如圖3所示，包括：圓盤狀的靜電卡盤台1，其係保持工件201的卡盤台；作為加工單元的雷射光線照射單元20；X軸移動單元30，使靜電卡盤台1和雷射光線照射單元20在X軸方向上相對移動；Y軸移動單元40，使靜電卡盤台1和雷射光線照射單元20在Y軸方向上相對移動；攝像單元50；以及控制裝置100。
雷射光線照射單元20係對保持於靜電卡盤台1之工件201從背面205側照射對工件201具有穿透性的預定波長之雷射光線300的單元。雷射光線照射單元20係利用雷射光線300在工件201的內部形成改質層301的單元。雷射光線照射單元20所照射的雷射光線300的波長係500nm以上至1400nm以下。雷射光線照射單元20安裝於支撐柱13的前端，支撐柱13連接於從雷射加工裝置10的裝置本體11豎立設置的壁部12。雷射光線照射單元20包括：未圖示的震盪器，對雷射光線300進行震盪；以及未圖示的聚光器，將藉由此震盪器所震盪的雷射光線300進行聚光。震盪器對應工件201的種類、加工型態等，適當調整震盪的雷射光線300的頻率。聚光器係包含全反射鏡及聚光透鏡等所構成，全反射鏡係改變由震盪器所震盪之雷射光線300的行進方向，聚光透鏡則將雷射光線300進行聚光，且聚光器能夠使雷射光線300的聚光點302（圖10等所示）在與正交於X軸方向和Y軸方向兩者的鉛直方向平行之Z軸方向上移動。
X軸移動單元30係一種加工進給手段，藉由使靜電卡盤台1在X軸方向上移動，而在和裝置本體11的寬度方向與水平方向兩者平行之X軸方向上將靜電卡盤台1進行加工進給。Y軸移動單元40係一種分度進給手段，藉由使靜電卡盤台1在與水平方向平行並與X軸方向正交的Y軸方向上移動，而對靜電卡盤台1進行分度進給。X軸移動單元30以及Y軸移動單元40包括：習知的滾珠螺桿31、41，設置成繞著軸心旋轉自如；習知的脈衝馬達32、42，使滾珠螺桿31、41繞著軸心旋轉；以及習知的導軌33、43，使靜電卡盤台1在X軸方向或Y軸方向上移動自如地被支撐。此外，雷射加工裝置10包括旋轉驅動源60，使靜電卡盤台1繞著與正交於X軸方向和Y軸方向兩者的Z軸方向平行之中心軸線而旋轉。旋轉驅動源60配置於藉由X軸移動單元30而在X軸方向上移動的移動台14上。
攝像單元50係對保持在靜電卡盤台1的工件201進行攝像，配設於和雷射光線照射單元20在X軸方向上並列的位置。在實施方式中，攝像單元50安裝於支撐柱13的前端。攝像單元50由對保持在靜電卡盤台1的工件201進行攝像的CCD（Charge Coupled Device；電荷耦合元件）照相機和紅外線照相機所構成。
此外，雷射加工裝置10包括：卡匣升降機75，載置有卡匣70，其容納加工前後的工件201；搬送單元80，從卡匣升降機75將工件201取出或放入；以及觸碰面板90，用以顯示資訊並輸入各種加工內容資訊。
卡匣70係容納多片透過黏著膠帶206而黏貼在環狀框架207上之工件201之物。卡匣升降機75設置成在Z軸方向上昇降自如。
搬送單元80將加工前的工件201從卡匣70取出並保持在靜電卡盤台1上，且將加工後的工件201從靜電卡盤台搬送到卡匣70內為止。搬送單元80包括：可動臂81，具有多個關節；以及保持部82，保持設於可動臂81前端的工件201。
保持部82包括：保持部本體83，形成為C字形平板狀；以及吸附墊84，在保持部本體83配設有多個，且吸附環繞工件201的環狀框架207。吸附墊84設於保持部本體83的上表面，透過切換閥85連結於真空吸引源86。搬送單元80藉由定位於下側的吸附墊84來吸附環狀框架207，在保持部82的下表面保持工件201。在卡匣70內的形成改質層301前的工件201係穿越形成於保持部82的開口而暴露出，以未接觸保持部82的方式被保持。將工件201搬入靜電卡盤台1時，使保持部82上下反轉而將黏貼工件201的黏著膠帶206作為上側，將黏著膠帶206側按壓於靜電卡盤台1的第2面22，藉由靜電卡盤台1的第2面22進行保持。將形成改質層301後的工件201從靜電卡盤台1搬出時，搬送單元80在保持部82上保持工件201後，使保持部82上下反轉，搬送至卡匣70內。
觸碰面板90包括：液晶顯示裝置，顯示加工動作的狀態及圖像等；以及觸碰螢幕，和液晶顯示裝置重疊。觸碰螢幕檢測手指、筆、或觸控筆的接觸或接近。觸碰螢幕檢測手指、筆、或觸控筆的接觸或接近時在液晶顯示裝置上的位置。觸碰螢幕係採用電容方式、電阻膜方式、表面音波方式、超音波方式、紅外線方式、電磁感應方式、或負載檢測方式來作為檢測方式之觸碰螢幕。
靜電卡盤台1係用以保持工件201，對工件201照射雷射光線300，並在工件201形成改質層301。靜電卡盤台1如圖4所示，透過工件容納殼體110而支撐於旋轉驅動源60。工件容納殼體110形成為扁平的箱狀且安裝於旋轉驅動源60。工件容納殼體110包括：底壁構件111，安裝於旋轉驅動源60上；筒狀構件112，安裝於底壁構件111的外緣；以及頂棚構件113，安裝於筒狀構件112的上端。筒狀構件112如圖3所示設有出入口114，使保持於搬送單元80的工件201出入自如。頂棚構件113在中央安裝有靜電卡盤台1。在實施方式中，頂棚構件113係在設置於中央的孔115的內周面安裝於靜電卡盤台1的外緣。此外，工件容納殼體110內設有框架夾具116，對環狀框架2017進行夾持。
靜電卡盤台1如圖5及圖6所示，包括：板狀的基台部2，對雷射光線300的波長具備穿透性；靜電吸附用的電極部3，對雷射光線300具備穿透性；以及樹脂層4，對雷射光線300具備穿透性。基台部2由石英玻璃等構成，形成為圓盤狀且具有：第1面21，設定於工件容納殼體110的外側並暴露出；以及第2面22，和第1面21為相反側。在實施方式中，基台部2的厚度為1mm，但並不限於1mm。
電極部3如圖4及圖6所示，層積於基台部2的第1面21上。電極部3由氧化銦錫（Indium Tin Oxide，ITO）等所構成。
電極部3包括正極電極6和負極電極7。正極電極6和負極電極7互相電絕緣。正極電極6包括正極吸附部61、和正極供電端子部62，負極電極7包括負極吸附部71、和負極供電端子部72。正極吸附部61和負極吸附部71為相同形狀且形成為相同大小的半圓形，並層積在第1面21上。
正極吸附部61及負極吸附部71的直線狀的直線部分61-1、71-1互為平行且空開間隔而配置。正極吸附部61及負極吸附部71的圓弧狀的圓弧部分61-2、71-2沿著基台部2的外緣的附近而配置。電極部3之正極電極6的正極吸附部61和負極電極7的負極吸附部71兩者，其圓弧部分61-2、71-2沿著基台部2的外緣的附近而配置，且電極部3層積於基台部2的第1面21的大致全部表面上。在直線部分61-1、71-1之間和正極吸附部61及負極吸附部71的圓弧狀的圓弧部分61-2、71-2和基台部2的外緣之間，填充著對雷射光線300具有透光性的UV接著劑5。
正極供電端子部62從正極吸附部61的外緣並從基台部2的中心延伸至外側，於基台部2的外緣更向外側突出。負極供電端子部72從負極吸附部71的外緣延伸至外側，於基台部2的外緣更向外側突出。正極供電端子部62在工件201的保持中，從連續電源8施加正電壓，負極供電端子部72在工件201的保持中，從連續電源8施加負電壓。
樹脂層4覆蓋電極部3，且是由UV接著劑5所構成。UV接著劑5照射紫外線後會硬化，且具有絕緣性。在實施方式中，UV接著劑5是美國諾蘭產品公司（Norland Products, Inc.）製的NORLAND光學接著劑，但不限於此。此外，硬化後的UV接著劑5（即樹脂層4）的折射率和構成電極部3的氧化銦錫的折射率大致相同。折射率大致相同是指，相同折射率、及能夠藉由雷射光線300將改質層301形成於期望位置的程度之不同折射率。
靜電卡盤台1係在基台部2的第2面22上透過黏著膠帶206與工件201重疊，從正極供電端子部62對正極吸附部61施加正電壓，並從負極供電端子部72對負極吸附部71施加負電壓，以藉由在吸附部61、71間產生的靜電吸附力來將工件201吸附並保持於第2面22。
控制裝置100分別控制雷射加工裝置10的構成要素，使雷射加工裝置10實施將改質層301形成於工件201的動作。此外，控制裝置100包含電腦系統。控制裝置100具有：運算處理裝置，具有如CPU（Central Processing Unit；中央處理器）的微處理器；記憶裝置，具有如ROM（Read Only Memory；唯讀記憶體）或RAM（Random Access Memory；隨機存取記憶體）的記憶體；以及輸入輸出界面裝置。
控制裝置100的運算處理裝置根據記憶於記憶裝置的電腦程式來實施運算處理，透過輸入輸出界面裝置將用以控制雷射加工裝置10的控制信號輸出至雷射加工裝置10的上述構成要素。此外，控制裝置100連接於：觸碰面板90，顯示加工動作的狀態、圖像等；以及切換閥85。
接著，針對將雷射光線300穿越靜電卡盤台1來照射工件1時的條件選定進行說明。此外，圖7省略黏著膠帶206。控制裝置100將雷射光線照射單元20照射的雷射光線300的聚光點302，如圖7所示般對準於工件201內。雷射光線照射單元20照射雷射光線300時，如圖7所示，將穿透雷射光線300的基台部2以及黏著膠帶206統稱為一個穿透體210來表示，則雷射光線照射單元20照射的雷射光線300藉由基台部2的第1面21和第2面22來折射，且一部分藉由第2面22來反射。
在此，控制裝置100將雷射光線300（以下，以符號300-1表示）的聚光點302（以下，以符號302-1表示）定位於第2面（即工件201的背面205）附近時，雷射光線300通過第2面22的圖7所示的範圍401內，侵入工件201內，由第2面22所反射的雷射光線300通過第1面21的圖7所示的範圍402內。此時，由於範圍402的雷射光線300的能量密度較範圍401的雷射光線300的能量密度小，靜電卡盤台1藉由在第1面21形成電極部3，而使電極部3能夠抑制雷射光線300導致的損壞。在此，將範圍402的能量密度規定為層積於第1面21之電極部3不會損壞的雷射光線300的能量密度的最低閾值。
此外，控制裝置100將雷射光線300（以下，以符號300-2表示）的聚光點302（以下，以符號302-2表示）離開第2面的位置（即工件201的正面202）附近的位置時，由第2面22所反射的雷射光線300通過第1面21的圖7所示的範圍403內。此時，控制裝置100控制雷射光線300的聚光點302-2的位置或雷射光線300的功率使其下降，以使範圍403的雷射光線300的能量密度小於範圍402的雷射光線300的能量密度。亦即，實施方式的雷射加工裝置10的控制裝置100，在範圍403的雷射光線300的能量密度成為小於範圍402的雷射光線300的能量密度的深度404之範圍內，控制雷射光線300的聚光點302-2。
接著，基於圖式來對由雷射加工裝置10所實施之實施方式的靜電卡盤台的使用方法（即工件201的加工方法）進行說明。圖8表示實施方式的靜電卡盤台的使用方法的流程圖。圖9表示實施方式的靜電卡盤台的使用方法之工件保持步驟的剖面圖。圖10表示實施方式的靜電卡盤台的使用方法之改質層形成步驟的剖面圖。
在操作員將加工內容資訊登錄於雷射加工裝置10的控制裝置100，收到來自操作員的加工動作的開始指示時，藉由雷射加工裝置10的控制裝置100而開始靜電卡盤台的使用方法。
靜電卡盤台的使用方法（以下僅稱為使用方法），如圖8所示，包括：工件保持步驟ST1；改質層形成步驟ST2；以及容納步驟ST3。在工件保持步驟ST1中，控制裝置100透過切換閥85使真空吸引源86的吸引力作用於搬送單元80的吸附墊84上，將卡匣70內的對改質層301形成前的工件201進行保持的環狀框架207吸附並保持在保持部82上。控制裝置100將吸附於搬送單元80的保持部82之工件201從卡匣70內取出，插入工件容納殼體110內。控制裝置100如圖9所示，將工件201透過黏著膠帶206和第2面22重疊，對層積於第1面21的電極部3的正極供電端子部62供給正電壓，並對負極供電端子部72供給負電壓，使工件201吸附並保持於第2面22側，使框架夾具116夾持環狀框架207，並控制切換閥85使真空吸引源86的吸引力停止作用於吸附墊84。接著進行改質層形成步驟ST2。
在改質層形成步驟ST2中，控制裝置100基於攝像單元50穿越靜電卡盤台1所攝像的工件201之圖像來實行對準（Alignment），並如圖10所示，一邊從層積電極部3的第1面21側的雷射光線照射單元20向分割預定線203照射雷射光線300，一邊控制X軸移動單元30、Y軸移動單元40以及旋轉驅動源60，並對全部的分割預定線203照射雷射光線300。控制裝置100藉由穿透基台部2的雷射光線300，在第2面22所保持的工件201的全部分割預定線203之內部形成改質層301。藉此，靜電卡盤台1用於在供電至層積於第1面21上的電極部3且將工件201吸附於第2面22之狀態下，從第1面21側照射雷射光線300並在工件201的內部形成改質層301的時候。接著，進行容納步驟ST3。
在容納步驟ST3中，控制裝置100將保持工件201（已在全部分割預定線203的內部形成改質層301）的環狀框架207吸附並保持於吸附墊84，並解除框架夾具116的夾持，從工件容納殼體110內取出工件201。之後，反轉吸附墊84，將固定工件201的環狀框架207定位於吸附墊84的下側，插入卡匣70內後，解除吸附墊84的吸附保持。已在全部分割預定線203的內部形成改質層301的工件201，在下一步驟中被分割成各個元件204。
實施方式的靜電卡盤台的使用方法，係靜電卡盤台1的基台部2、電極部3、樹脂層4全部對加工工件201的雷射光線300具有穿透性。藉此，靜電卡盤台的使用方法能夠藉由第2面22來保持沒有金屬層以及元件204之工件201的背面205側，同時穿越靜電卡盤台1照射雷射光線300。其結果為，靜電卡盤台的使用方法由於不需保持工件201的正面202，故能夠不損壞表面凹凸的元件204地進行保持，並能夠不用對工件201施以特殊設計且事先去除TEG圖案就對工件201進行加工。因此，靜電卡盤台的使用方法，能夠抑制對工件進行加工時的限制。
此外，實施方式的靜電卡盤台的使用方法，靜電卡盤台1的電極部3之正極電極6的正極吸附部61和負極電極7的負極吸附部71兩者形成為半圓形，且層積於基台部2的第1面21的大致全部表面上。因此，實施方式的靜電卡盤台的使用方法，係藉由層積於基台部2的第1面21的大致全部表面上的正極電極6的正極吸附部61和負極電極7的負極吸附部71之間產生的力，來吸附工件201。其結果為，靜電卡盤台的使用方法係藉由在吸附部61、71間產生之力而使工件201在第2面22的大致全部表面產生吸附力，因此相較於藉由負壓來吸引工件201的外緣部之情況，能夠藉由基台部2的第2面22的大致全部表面來吸附並保持工件201。此外，靜電卡盤台的使用方法係藉由在吸附部61、71間產生之力而使工件201在第2面22的大致全部表面產生吸附力，因此相較於藉由負壓來吸引工件201的外緣部之情況，不需在靜電卡盤台1中形成和基台部2不同折射率之真空用線路的各種區域，故能夠抑制避開線路照射雷射光線等之加工時的限制。
此外，實施方式的靜電卡盤台1，因電極部3層積於保持工件201的第2面22的背側之第1面21，故能夠使電極部3遠離雷射光線300的聚光點302，並能夠抑制雷射光線300導致電極部3損壞。因此，靜電卡盤台1能夠抑制雷射光線300導致電極部3損壞，還能藉由基台部2的第2面22的大致全部表面來吸附並保持工件201。
此外，靜電卡盤台1和構成電極部3的氧化銦錫、及填充於直線部分61-1、71-1間且構成樹脂層4的UV接著劑5之折射率大致相同，故能夠在工件201之預期位置形成改質層301。
此外，根據實施方式的靜電卡盤台的使用方法，可得到以下的靜電卡盤台。 （附記） 一種靜電卡盤台，用以保持工件，對該工件照射具有穿透性的雷射光線，並在該工件形成改質層，其包括： 板狀的基台部，對該雷射光線的波長具備穿透性，且具有第1面、和該第1面的相反側之第2面；以及 靜電吸附用的電極部，對該雷射光線具有穿透性，且層積於該基台部的該第1面， 該靜電卡盤台在供電至層積於該第1面上的電極部且將該工件吸附於該第2面之狀態下，從該第1面側照射該雷射光線並在該工件的內部形成改質層。
附記所記載之靜電卡盤台，由於基台部以及電極部對雷射光線具有穿透性，能夠保持沒有金屬層以及元件之工件的面側，同時穿越靜電卡盤台地照射雷射光線。因此，靜電卡盤台由於不需保持工件的設有金屬層以及元件的面側，故能夠不損壞表面凹凸的元件地進行保持，並能夠不用對工件施以特殊設計且事先去除TEG圖案就對工件進行加工。因此，靜電卡盤台，能夠抑制對工件進行加工時的限制。
此外，本發明不限於上述實施方式。亦即，在不脫離本發明精神的範圍內，可進行各種變形並予以實施。
1‧‧‧靜電卡盤台
2‧‧‧基台部
21‧‧‧第1面
22‧‧‧第2面
3‧‧‧電極部
201‧‧‧工件（晶圓）
202‧‧‧正面
204‧‧‧元件（MEMS元件）
205‧‧‧背面
300‧‧‧雷射光線
301‧‧‧改質層
圖1表示實施方式的靜電卡盤台的使用方法之保持於靜電卡盤台的工件的立體圖。 圖2表示以環狀框架支撐圖1所示的工件之狀態的立體圖。 圖3表示將實施方式的靜電卡盤台的使用方法加以實施之雷射加工裝置的構成例的立體圖。 圖4是沿著圖3中的IV-IV線的剖面圖。 圖5表示圖3所示的雷射加工裝置的靜電卡盤台的構成例的俯視圖。 圖6是沿著圖5中的IV-IV線的剖面圖。 圖7示意性表示圖5所示的靜電卡盤台的主要部分之剖面的剖面圖。 圖8表示實施方式的靜電卡盤台的使用方法的流程圖。 圖9表示實施方式的靜電卡盤台的使用方法之工件保持步驟的剖面圖。 圖10表示實施方式的靜電卡盤台的使用方法之改質層形成步驟的剖面圖。

Claims (3)

  1. 一種靜電卡盤台的使用方法，該靜電卡盤台包含： 板狀的基台部，對照射工件的雷射光線的波長具有穿透性，且具有第1面、和該第1面的相反側之第2面；以及 靜電吸附用的電極部，對該雷射光線具有穿透性，且層積於該基台部的該第1面， 該靜電卡盤台的使用方法包括： 工件保持步驟，對層積於該第1面的該電極部供電，在該第2面側吸附並保持工件；以及 改質層形成步驟，從層積有該電極部的該第1面側照射該雷射光線，藉由穿透該基台部的該雷射光線在吸附於該第2面的該工件的內部形成改質層。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之靜電卡盤台的使用方法，其中該雷射光線的波長在500nm~1400nm的範圍內。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之靜電卡盤台的使用方法，其中該工件為晶圓，其在正面側形成有MEMS元件，背面側由靜電卡盤台的該第2面側所保持。
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