JP2018140412A - 静電チャックテーブルの使用方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】加工する際の制限を抑制することができる静電チャックテーブルの使用方法を提供すること。【解決手段】静電チャックテーブルは、被加工物に照射するレーザー光線の波長に対し透過性を備え、第１の面と第１の面と反対側の第２の面を有する板状の基台部と、レーザー光線に対し透過性を有し、基台部の第１の面に積層される静電吸着用の電極部とを備える。静電チャックテーブルの使用方法は、第１の面に積層された電極部に給電して、第２の面側で被加工物を吸着保持する被加工物保持ステップＳＴ１と、電極部が積層された第１の面側からレーザー光線を照射し、基台部を透過したレーザー光線で第２の面で吸着した被加工物の内部に改質層を形成する改質層形成ステップＳＴ２とを備える。【選択図】図８

Description

本発明は、レーザー光線に対し透過性を有する静電チャックテーブルの使用方法に関する。
半導体やＬＥＤ（Light Emitting Diode）等の光デバイスを形成したウエーハの分割にレーザー加工装置を用い、ウエーハ内部に形成した改質層を破断基点に分割する加工方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。
特許文献１等に示された加工方法は、従来行われていた切削水を供給しながら切削ブレードで破砕するダイシングに比較し、カーフ幅（切り代）が非常に細くできるため、挟ストリート化がすすんだウエーハに対し非常に有用である。また、特許文献１等に示された加工方法は、被加工物への機械的衝撃が非常に少ないため、例えばＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）と呼ばれる微細な構造体が形成されたウエーハの分割では、ＭＥＭＳを破壊することなく分割できるため非常に有効である。
しかし、レーザー光線は、ウエーハを透過することが出来ても、デバイスの回路等を構成する金属層を透過することが出来ない波長である。このために、特許文献１等に示された加工方法は、金属層の無いウエーハの裏面からレーザー光線を照射するよう、デバイス面側を保持面で保持したり、分割予定ラインにＴＥＧパターン（テストエレメントパターン）を形成しない特殊な設計にしたり、ＴＥＧパターンを事前に除去するステップを設けたりする必要があった。
そこで、レーザー光線に対して透過性を有するチャックテーブルを用いてチャックテーブル越しにウエーハの裏面側（パターンの無い面）から加工するレーザー加工装置が、考案された（例えば、特許文献２参照）。
特許第３４０８８０５号公報 特許第５８６０２１９号公報
しかしながら、特許文献２に示されたレーザー加工装置は、バキューム用の気体を吸引するための回路（通路）をチャックテーブル中に形成する必要がある。特許文献２に示されたレーザー加工装置は、チャックテーブルのバキューム用の回路のレーザー光線の屈折率が他の部分と変化するため、バキューム用の回路を避けてレーザー光線を照射する必要が生じるなどの加工する際に制限が生じるという課題があった。
本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は加工する際の制限を抑制することができる静電チャックテーブルの使用方法を提供することである。
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明の静電チャックテーブルの使用方法は、被加工物に照射するレーザー光線の波長に対し透過性を備え、第１の面と該第１の面と反対側の第２の面とを有する板状の基台部と、該レーザー光線に対し透過性を有し該基台部の該第１の面に積層される静電吸着用の電極部と、を備える静電チャックテーブルの使用方法であって、該第１の面に積層された該電極部に給電して、該第２の面側で被加工物を吸着保持する被加工物保持ステップと、該電極部が積層された該第１の面側から該レーザー光線を照射し、該基台部を透過した該レーザー光線で該第２の面で吸着した該被加工物の内部に改質層を形成する改質層形成ステップと、を備えることを特徴とする。
前記静電チャックテーブルの使用方法において、該レーザー光線の波長は、５００ｎｍ〜１４００ｎｍとすることができる。
前記静電チャックテーブルの使用方法において、該被加工物は、表面側にＭＥＭＳデバイスが形成され、裏面側が該第２の面側で保持されるウエーハとすることができる。
本願発明の静電チャックテーブルの使用方法は、加工する際の制限を抑制することができるという効果を奏する。
図１は、実施形態１に係る静電チャックテーブルの使用方法の静電チャックテーブルに保持される被加工物を示す斜視図である。 図２は、図１に示された被加工物を環状フレームで支持した状態を示す斜視図である。 図３は、実施形態１に係る静電チャックテーブルの使用方法を実施するレーザー加工装置の構成例を示す斜視図である。 図４は、図３中のＩＶ−ＩＶ線に沿う断面図である。 図５は、図３に示されたレーザー加工装置の静電チャックテーブルの構成例を示す平面図である。 図６は、図５中のＶＩ−ＶＩ線に沿う断面図である。 図７は、図５に示された静電チャックテーブルの要部の断面を模式的に示す断面図である。 図８は、実施形態１に係る静電チャックテーブルの使用方法を示すフローチャートである。 図９は、実施形態１に係る静電チャックテーブルの使用方法の被加工物保持ステップを示す断面図である。 図１０は、実施形態１に係る静電チャックテーブルの使用方法の改質層形成ステップを示す断面図である。
本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。
〔実施形態１〕
本発明の実施形態１に係る静電チャックテーブルの使用方法を図面に基いて説明する。図１は、実施形態１に係る静電チャックテーブルの使用方法の静電チャックテーブルに保持される被加工物を示す斜視図である。図２は、図１に示された被加工物を環状フレームで支持した状態を示す斜視図である。
実施形態１に係る静電チャックテーブルの使用方法は、図１に示す被加工物２０１の加工方法でもある。図１に示す被加工物２０１は、本実施形態ではシリコン、サファイア、ガリウムなどを母材とする円板状の半導体ウエーハや光デバイスウエーハである。被加工物２０１は、図１に示すように、表面２０２の交差する複数の分割予定ライン２０３によって区画された各領域にデバイス２０４が形成された板状物である。デバイス２０４として、ＩＣ（Integrated Circuit）、ＬＳＩ（Large Scale Integration）、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems：微少電気機械システム）デバイスが各領域に形成される。即ち、被加工物２０１は、表面２０２側にデバイス２０４として、ＩＣ、ＬＳＩ又はＭＥＭＳデバイスが形成される。
被加工物２０１は、図２に示すように、デバイス２０４が複数形成されている表面２０２の裏側の裏面２０５にレーザー加工装置１０が照射するレーザー光線３００（図１０に示す）を透過する粘着テープ２０６が貼着され、粘着テープ２０６の外縁が環状フレーム２０７に貼着されることで、環状フレーム２０７の開口に粘着テープ２０６で支持される。実施形態１において、被加工物２０１は、環状フレーム２０７の開口に粘着テープ２０６で支持された状態で、被加工物２０１の加工方法が実行されることにより、個々のデバイス２０４に分割される。実施形態１において、被加工物２０１は、デバイス２０４としてＭＥＭＳデバイスが表面２０２に形成されているが、デバイス２０４はＭＥＭＳデバイスに限定されない。また、実施形態１において、デバイス２０４がＩＣ又はＬＳＩである場合に、表面にバンプ又はチップが搭載されているものが好ましく、表面が凹凸なデバイス２０４が好適である。
実施形態１に係る静電チャックテーブルの使用方法即ち被加工物２０１の加工方法は、図３に示されたレーザー加工装置１０により実施される。レーザー加工装置１０の構成を、図面に基いて説明する。図３は、実施形態１に係る静電チャックテーブルの使用方法を実施するレーザー加工装置の構成例を示す斜視図である。図４は、図３中のＩＶ−ＩＶ線に沿う断面図である。図５は、図３に示されたレーザー加工装置の静電チャックテーブルの構成例を示す平面図である。図６は、図５中のＶＩ−ＶＩ線に沿う断面図である。図７は、図５に示された静電チャックテーブルの要部の断面を模式的に示す断面図である。
レーザー加工装置１０は、被加工物２０１に対して透過性を有する波長のレーザー光線３００（図１０に示す）を被加工物２０１の裏面２０５側から分割予定ライン２０３に沿って照射し、レーザー光線３００で被加工物２０１の内部に破断起点となる改質層３０１（図１０に示す）を形成するものである。なお、改質層３０１とは、密度、屈折率、機械的強度やその他の物理的特性が周囲のそれとは異なる状態になった領域のことを意味し、溶融処理領域、クラック領域、絶縁破壊領域、屈折率変化領域、及びこれらの領域が混在した領域等を例示できる。
レーザー加工装置１０は、図３に示すように、被加工物２０１を保持するチャックテーブルである円盤状の静電チャックテーブル１と、加工ユニットであるレーザー光線照射ユニット２０と、静電チャックテーブル１とレーザー光線照射ユニット２０とをＸ軸方向に相対移動させるＸ軸移動ユニット３０と、静電チャックテーブル１とレーザー光線照射ユニット２０とをＹ軸方向に相対移動させるＹ軸移動ユニット４０と、撮像ユニット５０と、制御装置１００とを備えている。
レーザー光線照射ユニット２０は、静電チャックテーブル１に保持された被加工物２０１に裏面２０５側から被加工物２０１が透過性を有する所定波長のレーザー光線３００を照射するユニットである。レーザー光線照射ユニット２０は、レーザー光線３００で被加工物２０１の内部に改質層３０１を形成するユニットである。レーザー光線照射ユニット２０が照射するレーザー光線３００の波長は、５００ｎｍ以上でかつ１４００ｎｍ以下である。レーザー光線照射ユニット２０は、レーザー加工装置１０の装置本体１１から立設した壁部１２に連なった支持柱１３の先端に取り付けられている。レーザー光線照射ユニット２０は、レーザー光線３００を発振する図示しない発振器と、この発振器により発振されたレーザー光線３００を集光する図示しない集光器とを備えている。発振器は、被加工物２０１の種類、加工形態などに応じて、発振するレーザー光線３００の周波数が適宜調整される。集光器は、発振器により発振されたレーザー光線３００の進行方向を変更する全反射ミラーやレーザー光線３００を集光する集光レンズなどを含んで構成され、レーザー光線３００の集光点３０２（図１０等に示す）をＸ軸方向とＹ軸方向との双方に直交する鉛直方向に平行なＺ軸方向に移動させることができる。
Ｘ軸移動ユニット３０は、静電チャックテーブル１をＸ軸方向に移動させることで、静電チャックテーブル１を装置本体１１の幅方向と水平方向との双方と平行なＸ軸方向に加工送りする加工送り手段である。Ｙ軸移動ユニット４０は、静電チャックテーブル１を水平方向と平行でＸ軸方向と直交するＹ軸方向に移動させることで、静電チャックテーブル１を割り出し送りする割り出し送り手段である。Ｘ軸移動ユニット３０及びＹ軸移動ユニット４０は、軸心回りに回転自在に設けられた周知のボールねじ３１，４１、ボールねじ３１，４１を軸心回りに回転させる周知のパルスモータ３２，４２及び静電チャックテーブル１をＸ軸方向又はＹ軸方向に移動自在に支持する周知のガイドレール３３，４３を備える。また、レーザー加工装置１０は、静電チャックテーブル１をＸ軸方向とＹ軸方向との双方と直交するＺ軸方向と平行な中心軸線回りに回転される回転駆動源６０を備える。回転駆動源６０は、Ｘ軸移動ユニット３０によりＸ軸方向に移動される移動テーブル１４上に配置されている。
撮像ユニット５０は、静電チャックテーブル１に保持された被加工物２０１を撮像するものであり、レーザー光線照射ユニット２０とＸ軸方向に並列する位置に配設されている。実施形態１では、撮像ユニット５０は、支持柱１３の先端に取り付けられている。撮像ユニット５０は、静電チャックテーブル１に保持された被加工物２０１を撮像するＣＣＤ（Charge Coupled Device）カメラや赤外線カメラにより構成される。
また、レーザー加工装置１０は、加工前後の被加工物２０１を収容するカセット７０が載置されるカセットエレベータ７５と、カセットエレベータ７５から被加工物２０１を出し入れする搬送ユニット８０と、情報を表示するとともに各種の加工内容情報を入力するためのタッチパネル９０とを備える。
カセット７０は、粘着テープ２０６を介して環状フレーム２０７に貼着された被加工物２０１を複数枚収容するものである。カセットエレベータ７５は、Ｚ軸方向に昇降自在に設けられている。
搬送ユニット８０は、加工前の被加工物２０１をカセット７０から取り出して静電チャックテーブル１に保持させるとともに、加工後の被加工物２０１を静電チャックテーブル１からカセット７０内まで搬送するユニットである。搬送ユニット８０は、複数の関節を有する可動アーム８１と、可動アーム８１の先端に設けられた被加工物２０１を保持する保持部８２とを備える。
保持部８２は、Ｃ字形平板状に形成された保持部本体８３と、保持部本体８３に複数配設されかつ被加工物２０１を囲繞する環状フレーム２０７を吸着する吸着パッド８４とを備える。吸着パッド８４は、保持部本体８３の上面に設けられ、切換弁８５を介して真空吸引源８６が接続されている。搬送ユニット８０は、下側に位置付けた吸着パッド８４で環状フレーム２０７を吸着して、保持部８２の下面に被加工物２０１を保持する。カセット７０内の改質層３０１が形成される前の被加工物２０１は、保持部８２に形成された開口越しに露出し、保持部８２と接触せず保持される。被加工物２０１を静電チャックテーブル１に搬入する際は、保持部８２を上下反転させて被加工物２０１に貼着した粘着テープ２０６を上側にし、粘着テープ２０６側を静電チャックテーブル１の第２の面２２に押し当て、静電チャックテーブル１の第２の面２２で保持させる。改質層３０１が形成された後の被加工物２０１を静電チャックテーブル１から搬出する際、搬送ユニット８０は、保持部８２上に被加工物２０１を保持した後、保持部８２を上下反転させて、カセット７０内に搬送する。
タッチパネル９０は、加工動作の状態や画像などを表示する液晶表示装置と、液晶表示装置に重ねられたタッチスクリーンとを備える。タッチスクリーンは、指、ペン、又はスタイラスペンの接触又は近接を検出する。タッチスクリーンは、指、ペン、又はスタイラスペンが接触又は近接したときの液晶表示装置上の位置を検出する。タッチスクリーンは、静電容量方式、抵抗膜方式、表面弾性波方式、超音波方式、赤外線方式、電磁誘導方式、又は荷重検出方式を検出方式として採用したタッチスクリーンである。
静電チャックテーブル１は、被加工物２０１を保持して、被加工物２０１にレーザー光線３００を照射して、被加工物２０１に改質層３０１を形成するためのものである。静電チャックテーブル１は、図４に示すように、回転駆動源６０に被加工物収容ケース１１０を介して支持されている。被加工物収容ケース１１０は、扁平な箱状に形成されて、回転駆動源６０に取り付けられている。被加工物収容ケース１１０は、回転駆動源６０に取り付けられた底壁部材１１１と、底壁部材１１１の外縁に取り付けられた筒状部材１１２と、筒状部材１１２の上端に取り付けられた天井部材１１３とを備える。筒状部材１１２は、図３に示すように、搬送ユニット８０に保持された被加工物２０１を出し入れ自在とする出入口１１４を設けている。天井部材１１３は、中央に静電チャックテーブル１を取り付けている。実施形態１において、天井部材１１３は、中央に設けられた孔１１５の内周面に静電チャックテーブル１の外縁を取り付けている。また、被加工物収容ケース１１０内には、環状フレーム２０７をクランプするフレームクランプ１１６が設けられている。
静電チャックテーブル１は、図５及び図６に示すように、レーザー光線３００の波長に対し透過性を備える板状の基台部２と、レーザー光線３００に対し透過性を有する静電吸着用の電極部３と、レーザー光線３００に対し透過性を有する樹脂層４とを備える。基台部２は、石英ガラス等により構成され、被加工物収容ケース１１０の外側に設定され露出する第１の面２１と、第１の面２１と反対側の第２の面２２とを有する円盤状に形成されている。実施形態１において、基台部２の厚みは、１ｍｍであるが、１ｍｍに限定されない。
電極部３は、図４及び図６に示すように、基台部２の第１の面２１に積層されている。電極部３は、酸化インジウムスズ（Indium Tin Oxide：ＩＴＯ）等により構成される。
電極部３は、正極電極６と、負極電極７とを備える。正極電極６と負極電極７とは、互いに電気的に絶縁されている。正極電極６は、正極吸着部６１と、正極給電端子部６２とを備え、負極電極７は、負極吸着部７１と、負極給電端子部７２とを備える。正極吸着部６１と負極吸着部７１は、同じ形状で同じ大きさの半円形に形成され、かつ第１の面２１上に積層されている。
正極吸着部６１及び負極吸着部７１の直線状の直線部分６１−１，７１−１は、互いに平行でかつ間隔をあけて配置されている。正極吸着部６１及び負極吸着部７１の円弧状の円弧部分６１−２，７１−２は、基台部２の外縁の近傍に外縁に沿って配置されている。電極部３の正極電極６の正極吸着部６１と負極電極７の負極吸着部７１との双方は、円弧部分６１−２，７１−２が基台部２の外縁の近傍に外縁に沿って配置されて、電極部３は基台部２の第１の面２１の略全面に積層されている。直線部分６１−１，７１−１間、正極吸着部６１及び負極吸着部７１の円弧部分６１−２，７１−２と基台部２の外縁との間には、レーザー光線３００に対し透過性を有するＵＶ接着剤５が充填されている。
正極給電端子部６２は、正極吸着部６１の外縁から基台部２の中心から外側に延びて、基台部２の外縁よりも外側に突出している。負極給電端子部７２は、負極吸着部７１の外縁から外側に延びて、基台部２の外縁よりも外側に突出している。正極給電端子部６２は、被加工物２０１を保持中、常時電源８からプラスの電圧が印加され、負極給電端子部７２は、被加工物２０１を保持中、常時電源８からマイナスの電圧が印加される。
樹脂層４は、電極部３を覆い、かつＵＶ接着剤５により構成される。ＵＶ接着剤５は、紫外線が照射されると硬化するものであり、絶縁性を有するものである。実施形態１において、ＵＶ接着剤５は、米国Ｎｏｒｌａｎｄ Ｐｒｏｄｕｃｔｓ社製のＮＯＲＬＡＮＤ光学接着剤であるが、これに限定されない。また、硬化したＵＶ接着剤５即ち樹脂層４の屈折率は、電極部３を構成する酸化インジウムスズの屈折率と略等しい。屈折率が略等しいとは、屈折率が等しいことと、レーザー光線３００により改質層３０１を所望の位置に形成することができる程度に屈折率が異なることとをいう。
静電チャックテーブル１は、基台部２の第２の面２２に粘着テープ２０６を介して被加工物２０１が重ねられ、正極給電端子部６２から正極吸着部６１にプラスの電圧が印加され、負極給電端子部７２から負極吸着部７１にマイナスの電圧が印加されることにより、吸着部６１，７１間に発生した静電吸着力によって被加工物２０１を第２の面２２に吸着保持する。
制御装置１００は、レーザー加工装置１０の構成要素をそれぞれ制御して、被加工物２０１に改質層３０１を形成する動作をレーザー加工装置１０に実施させるものである。なお、制御装置１００は、コンピュータシステムを含む。制御装置１００は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）のようなマイクロプロセッサを有する演算処理装置と、ＲＯＭ（Read Only Memory）又はＲＡＭ（Random Access Memory）のようなメモリを有する記憶装置と、入出力インターフェース装置とを有する。
制御装置１００の演算処理装置は、記憶装置に記憶されているコンピュータプログラムに従って演算処理を実施して、レーザー加工装置１０を制御するための制御信号を入出力インターフェース装置を介してレーザー加工装置１０の上述した構成要素に出力する。また、制御装置１００は、加工動作の状態や画像などを表示するタッチパネル９０や切換弁８５と接続されている。
次に、レーザー光線３００を静電チャックテーブル１越しに被加工物２０１に照射する際の条件選定について説明する。なお、図７は、粘着テープ２０６を省略している。制御装置１００は、レーザー光線照射ユニット２０が照射するレーザー光線３００の集光点３０２を、図７に示すように、被加工物２０１内に合わせる。レーザー光線照射ユニット２０がレーザー光線３００を照射する際に、図７に示すように、レーザー光線３００を透過する基台部２及び粘着テープ２０６を総称して一つの透過体２１０で示すと、レーザー光線照射ユニット２０が照射するレーザー光線３００は、基台部２の第１の面２１と、第２の面２２とで屈折するとともに、一部が第２の面２２で反射する。
ここで、制御装置１００がレーザー光線３００（以下、符号３００−１で示す）の集光点３０２（以下、符号３０２−１で示す）を第２の面２２即ち被加工物２０１の裏面２０５寄りに位置付けた時には、レーザー光線３００が、第２の面２２の図７に示す範囲４０１内を通って、被加工物２０１内に侵入し、第２の面２２で反射されるレーザー光線３００が、第１の面２１の図７に示す範囲４０２内を通ることとなる。このとき、静電チャックテーブル１は、範囲４０２のレーザー光線３００のエネルギー密度が、範囲４０１のレーザー光線３００のエネルギー密度よりも小さいために、第１の面２１に電極部３を形成することにより、電極部３がレーザー光線３００により破損されることを抑制することができる。ここで、範囲４０２のエネルギー密度を、第１の面２１に積層される電極部３が破損しないレーザー光線３００のエネルギー密度の最低閾値と規定する。
また、制御装置１００がレーザー光線３００（以下、符号３００−２で示す）の集光点３０２（以下、符号３０２−２で示す）を第２の面２２から離れた位置即ち被加工物２０１の表面２０２寄りに位置付けた時には、第２の面２２で反射されるレーザー光線３００が、第１の面２１の図７に示す範囲４０３内を通ることとなる。このとき、範囲４０３のレーザー光線３００のエネルギー密度が、範囲４０２のレーザー光線３００のエネルギー密度よりも小さくなるように、制御装置１００は、レーザー光線３００の集光点３０２−２の位置又はレーザー光線３００のパワー下げるよう制御する。即ち、実施形態１に係るレーザー加工装置１０の制御装置１００は、範囲４０３のレーザー光線３００のエネルギー密度が、範囲４０２のレーザー光線３００のエネルギー密度よりも小さくなる深さ４０４（被加工物２０１の裏面２０５からの深さ）の範囲内にレーザー光線３００の集光点３０２−２を制御する。
次に、レーザー加工装置１０により実施される実施形態１に係る静電チャックテーブルの使用方法、即ち被加工物２０１の加工方法を図面に基いて説明する。図８は、実施形態１に係る静電チャックテーブルの使用方法を示すフローチャートである。図９は、実施形態１に係る静電チャックテーブルの使用方法の被加工物保持ステップを示す断面図である。図１０は、実施形態１に係る静電チャックテーブルの使用方法の改質層形成ステップを示す断面図である。
静電チャックテーブルの使用方法は、オペレータが加工内容情報をレーザー加工装置１０の制御装置１００に登録し、オペレータから加工動作の開始指示があった場合に、レーザー加工装置１０の制御装置１００により開始される。
静電チャックテーブルの使用方法（以下、単に、使用方法と記す）は、図８に示すように、被加工物保持ステップＳＴ１と、改質層形成ステップＳＴ２と、収容ステップＳＴ３とを備える。被加工物保持ステップＳＴ１では、制御装置１００は、切換弁８５を介して真空吸引源８６の吸引力を搬送ユニット８０の吸着パッド８４に作用させ、カセット７０内の改質層３０１が形成される前の被加工物２０１を保持した環状フレーム２０７を保持部８２に吸着保持する。制御装置１００は、搬送ユニット８０の保持部８２に吸着した被加工物２０１をカセット７０内から取り出して、被加工物収容ケース１１０内に挿入する。制御装置１００は、図９に示すように、被加工物２０１を粘着テープ２０６を介して第２の面２２に重ねて、第１の面２１に積層された電極部３の正極給電端子部６２にプラスの電圧を給電し、負極給電端子部７２にマイナスの電圧を給電して、第２の面２２側で被加工物２０１を吸着保持させ、フレームクランプ１１６に環状フレーム２０７をクランプさせて、切換弁８５を制御して真空吸引源８６の吸引力が吸着パッド８４に作用することを停止する。改質層形成ステップＳＴ２に進む。
改質層形成ステップＳＴ２では、制御装置１００は、撮像ユニット５０が静電チャックテーブル１越しに撮像した被加工物２０１の画像に基いてアライメントを実行し、図１０に示すように、電極部３が積層された第１の面２１側のレーザー光線照射ユニット２０からレーザー光線３００を被加工物２０１の分割予定ライン２０３に向かって照射させながらＸ軸移動ユニット３０、Ｙ軸移動ユニット４０及び回転駆動源６０を制御し、全ての分割予定ライン２０３にレーザー光線３００を照射する。制御装置１００は、基台部２を透過したレーザー光線３００で、第２の面２２で吸着保持した被加工物２０１の全ての分割予定ライン２０３の内部に改質層３０１を形成する。このように、静電チャックテーブル１は、第１の面２１に積層された電極部３に給電されて第２の面２２に被加工物２０１を吸着した状態で、第１の面２１側からレーザー光線３００が照射されて被加工物２０１の内部に改質層３０１を形成する際に用いられる。そして、収容ステップＳＴ３に進む。
収容ステップＳＴ３では、制御装置１００は、全ての分割予定ライン２０３の内部に改質層３０１が形成された被加工物２０１を保持する環状フレーム２０７を吸着パッド８４に吸着保持し、フレームクランプ１１６のクランプを解除して、被加工物２０１を被加工物収容ケース１１０内から取り出す。その後、吸着パッド８４を反転して、被加工物２０１を固定した環状フレーム２０７を吸着パッドの下側に位置付けし、カセット７０内に挿入した後、吸着パッド８４の吸着保持を解除する。全ての分割予定ライン２０３の内部に改質層３０１が形成された被加工物２０１は、次工程において、個々のデバイス２０４に分割される。
実施形態１の静電チャックテーブルの使用方法は、静電チャックテーブル１の基台部２、電極部３、樹脂層４の全てが被加工物２０１を加工するレーザー光線３００に対し透過性を有する。これにより、静電チャックテーブルの使用方法は、金属層及びデバイス２０４の無い被加工物２０１の裏面２０５側を第２の面２２で保持しつつ、静電チャックテーブル１越しにレーザー光線３００を照射できる。その結果、静電チャックテーブルの使用方法は、被加工物２０１の表面２０２を保持する必要がないので、表面が凹凸なデバイス２０４を破損することなく保持でき、被加工物２０１に特殊な設計を施したり事前にＴＥＧパターンを除去することなく、被加工物２０１を加工することができる。したがって、静電チャックテーブルの使用方法は、加工する際の制限を抑制することができる。
また、実施形態１の静電チャックテーブルの使用方法は、静電チャックテーブル１の電極部３の正極電極６の正極吸着部６１と負極電極７の負極吸着部７１との双方が半円形に形成されて、基台部２の第１の面２１の略全面に積層されている。このために、実施形態１の静電チャックテーブルの使用方法は、基台部２の第１の面２１の略全面に積層された正極電極６の正極吸着部６１と負極電極７の負極吸着部７１との間に発生した力によって被加工物２０１を吸着する。その結果、静電チャックテーブルの使用方法は、吸着部６１，７１間に発生した力によって被加工物２０１を第２の面２２の略全面で吸着力を発生させるので、被加工物２０１の外縁部を負圧により吸引する場合に比較して、基台部２の第２の面２２の略全面で被加工物２０１を吸着保持することができる。また、静電チャックテーブルの使用方法は、吸着部６１，７１間に発生した力によって被加工物２０１を第２の面２２の略全面で吸着力を発生させるので、被加工物２０１の外縁部を負圧により吸引する場合のように、基台部２と屈折率の異なるバキューム用の回路の様な領域を静電チャックテーブル１中に形成する必要が無いので、回路を避けてレーザー光線を照射するなどの加工する際の制限を抑制することができる。
また、実施形態１の静電チャックテーブル１は、電極部３の被加工物２０１を保持する第２の面２２の裏側の第１の面２１に積層しているので、電極部３をレーザー光線３００の集光点３０２から離すことができ、レーザー光線３００により電極部３が破損することを抑制することができる。したがって、静電チャックテーブル１は、レーザー光線３００により電極部３が破損することを抑制することを可能としながらも、基台部２の第２の面２２の略全面で被加工物２０１を吸着保持することができる。
また、静電チャックテーブル１は、電極部３を構成する酸化インジウムスズと、直線部分６１−１，７１−１間に充填されかつ樹脂層４を構成するＵＶ接着剤５との屈折率が略等しいので、被加工物２０１の所望の位置に改質層３０１を形成することができる。
なお、実施形態１に係る静電チャックテーブルの使用方法によれば、以下の静電チェックテーブルが得られる。
（付記）
被加工物を保持して、該被加工物に透過性を有するレーザー光線を照射して、該被加工物に改質層を形成するための静電チャックテーブルであって、
該レーザー光線の波長に対し透過性を備え、第１の面と該第１の面と反対側の第２の面とを有する板状の基台部と、
該レーザー光線に対し透過性を有し該基台部の該第１の面に積層される静電吸着用の電極部と、を備え、
該第１の面に積層された該電極部に給電されて該第２の面に該被加工物を吸着した状態で、該第１の面側から該レーザー光線が照射されて該被加工物の内部に改質層を形成することを特徴とする静電チャックテーブル。
付記に記載の静電チャックテーブルは、基台部及び電極部がレーザー光線に対し透過性を有するので、金属層及びデバイスの無い被加工物の面側を保持しつつ静電チャックテーブル越しにレーザー光線を照射できる。このために、静電チャックテーブルは、被加工物の金属層及びデバイスが設けられた面側を保持する必要がないので、表面が凹凸なデバイスを破損することなく保持でき、被加工物に特殊な設計を施したり事前にＴＥＧパターンを除去することなく、被加工物を加工することができる。したがって、静電チャックテーブルは、加工する際の制限を抑制することができる。
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。
１ 静電チャックテーブル
２ 基台部
２１ 第１の面
２２ 第２の面
３ 電極部
２０１ 被加工物（ウエーハ）
２０２ 表面
２０４ デバイス（ＭＥＭＳデバイス）
２０５ 裏面
３００ レーザー光線
３０１ 改質層

Claims (3)

  1. 被加工物に照射するレーザー光線の波長に対し透過性を備え、第１の面と該第１の面と反対側の第２の面とを有する板状の基台部と、該レーザー光線に対し透過性を有し該基台部の該第１の面に積層される静電吸着用の電極部と、を備える静電チャックテーブルの使用方法であって、
    該第１の面に積層された該電極部に給電して、該第２の面側で被加工物を吸着保持する被加工物保持ステップと、
    該電極部が積層された該第１の面側から該レーザー光線を照射し、該基台部を透過した該レーザー光線で該第２の面で吸着した該被加工物の内部に改質層を形成する改質層形成ステップと、
    を備える静電チャックテーブルの使用方法。
  2. 該レーザー光線の波長は、５００ｎｍ〜１４００ｎｍである請求項１に記載の静電チャックテーブルの使用方法。
  3. 該被加工物は、表面側にＭＥＭＳデバイスが形成され、裏面側が該第２の面側で保持されるウエーハである請求項１に記載の静電チャックテーブルの使用方法。

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