DE102021102445A1 - Halbleitervorrichtung und Herstellungsverfahren einer Halbleitervorrichtung - Google Patents

Halbleitervorrichtung und Herstellungsverfahren einer Halbleitervorrichtung Download PDF

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Shohta OH
Toshitaka Sekine
Hiroyuki Nakamura
Kazuhiro Kawahara
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Mitsubishi Electric Corp
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Abstract

Eine Aufgabe besteht darin, eine Technik bereitzustellen, die imstande ist, eine Wärmeableitung zu verbessern, während die Verarbeitbarkeit eines Produkts in einer Halbleitervorrichtung aufrechterhalten wird. Eine Halbleitervorrichtung (100) enthält Leistungs-Chips (2a bis 2f), Steuerungs-Chips (1a, 1b), die dafür konfiguriert sind, die Leistungs-Chips (2a bis 2f) zu steuern, leistungsseitige Anschlüsse (6), die mit den Leistungs-Chips (2a bis 2f) verbunden sind, steuerungsseitige Anschlüsse (5), die mit den Steuerungs-Chips (1a, 1b) verbunden sind, und ein Gussharz (8), das die Leistungs-Chips (2a bis 2f), die Steuerungs-Chips (1a, 1b), eine Seite der einen Enden der leistungsseitigen Anschlüsse (6) und eine Seite der einen Enden der steuerungsseitigen Anschlüsse (5) bedeckt. Eine Seite der anderen Enden der leistungsseitigen Anschlüsse (6) und eine Seite der anderen Enden der steuerungsseitigen Anschlüsse (5) stehen aus einer seitlichen Oberfläche des Gussharzes (8) horizontal vor und biegen sich an deren Mittelteilen nach unten. Von den leistungsseitigen Anschlüssen (6) und den steuerungsseitigen Anschlüssen (5) sind nur auf der Seite der anderen Enden der leistungsseitigen Anschlüsse (6) Teilbereiche (10) zur Wärmeableitung ausgebildet, die von nach unten gebogenen Teilbereichen in einer Richtung auf das Gussharz (8) zu oder von ihm weg vorstehen.

Description

  • Hintergrund der Erfindung
  • Gebiet der Erfindung
  • Die vorliegende Offenbarung bezieht sich auf eine Halbleitervorrichtung und ein Herstellungsverfahren der Halbleitervorrichtung.
  • Beschreibung der Hintergrundtechnik
  • Eine Halbleitervorrichtung enthält einen auf einem Leiterrahmen angeordneten Leistungs-Chip, einen Steuerungs-Chip, der den Leistungs-Chip steuert, ein Form- bzw. Gussharz, das den Leistungs-Chip und den Steuerungs-Chip bedeckt, und einen Anschluss, der aus dem Gussharz vorsteht und mit einem Substrat verbunden ist, auf dem die Halbleitervorrichtung montiert ist. Es bestand ein Problem, bei dem sich die durch den Leistungs-Chip erzeugte Wärme über den Anschluss zum Substrat ausbreitet, was den Temperaturanstieg im Substrat verursachte.
  • Typischerweise hat der Querschnitt des Anschlusses eine rechtwinklige Form; jedoch offenbart die offengelegte japanische Patentanmeldung Nr. 2006-80180 beispielsweise eine Struktur, in der konvexe Teilbereiche auf beiden seitlichen Rändern einer Leitung zum Ausbilden eines aus einem Gussgehäuse freigelegten montierten Anschlusses vorgesehen sind. Mit solchen konvexen Teilbereichen wird die vom montierten Anschluss zum Gussgehäuse übertragene Wärme abgeleitet, sodass der auf die eingebauten elektronischen Komponenten im Gussgehäuse angewandte thermische Schock unterdrückt werden kann.
  • Zusammenfassung
  • In der in der offengelegten japanischen Patentanmeldung Nr. 2006-80180 beschriebenen Technik sind jedoch die konvexen Teilbereiche auf sowohl dem leistungsseitigen Anschluss, der mit dem Leistungs-Chip verbunden ist, als auch dem steuerungsseitigen Anschluss, der mit dem Steuerungs-Chip verbunden ist, vorgesehen. Die Anzahl an Anschlüssen, der Anschlussabstand, die Anschlussbreite und dergleichen auf beiden Seiten unterscheiden sich, was zu einem Problem einer Verschlechterung der Verarbeitbarkeit insbesondere im steuerungsseitigen Anschluss mit einer feineren Anschlussbreite führt.
  • Eine Aufgabe der vorliegenden Offenbarung besteht darin, eine Technik bereitzustellen, die imstande ist, eine Wärmeableitung zu verbessern, während die Verarbeitbarkeit eines Produkts in einer Halbleitervorrichtung aufrechterhalten wird.
  • Die Halbleitervorrichtung gemäß der vorliegenden Offenbarung enthält Leistungs-Chips, Steuerungs-Chips, leistungsseitige Anschlüsse, steuerungsseitige Anschlüsse und ein Gussharz. Der Steuerungs-Chip steuert den Leistungs-Chip. Die leistungsseitigen Anschlüsse sind mit den Leistungs-Chips verbunden. Die steuerungsseitigen Anschlüsse sind mit den Steuerungs-Chips verbunden. Das Gussharz bedeckt die Leistungs-Chips, die Steuerungs-Chips, eine Seite der einen Enden der leistungsseitigen Anschlüsse und eine Seite der einen Enden der steuerungsseitigen Anschlüsse. Eine Seite der anderen Enden der leistungsseitigen Anschlüsse und eine Seite der anderen Enden der steuerungsseitigen Anschlüsse stehen aus einer seitlichen Oberfläche des Gussharzes horizontal vor und biegen sich an deren Mittelteilen nach unten. Von den leistungsseitigen Anschlüssen und den steuerungsseitigen Anschlüssen sind nur auf der Seite der anderen Enden der leistungsseitigen Anschlüsse Teilbereiche zur Wärmeableitung ausgebildet, die von nach unten gebogenen Teilbereichen in einer Richtung auf das Gussharz zu oder von ihm weg vorstehen.
  • Eine Verbesserung der Wärmeableitungseigenschaft wird sichergestellt, während die Verarbeitbarkeit des Produkts in der Halbleitervorrichtung aufrechterhalten wird.
  • Diese und andere Aufgaben, Merkmale, Aspekte und Vorteile der vorliegenden Offenbarung werden aus der folgenden detaillierten Beschreibung der vorliegenden Erfindung ersichtlicher werden, wenn sie in Verbindung mit den beiliegenden Zeichnungen vorgenommen wird.
  • Figurenliste
    • 1 ist ein Diagramm einer internen Konfiguration einer Halbleitervorrichtung gemäß einer Ausführungsform 1;
    • 2 ist eine Seitenansicht, die einen Zustand veranschaulicht, in dem die Halbleitervorrichtung umgedreht ist;
    • 3 ist ein Schaltungsdiagramm der Halbleitervorrichtung;
    • 4 ist eine vergrößerte perspektivische Ansicht eines leistungsseitigen Anschlusses und seiner Umgebung;
    • 5A bis 5C sind vergrößerte perspektivische Ansichten des leistungsseitigen Anschlusses und dessen Umgebung, die ein Verfahren zum Herstellen des leistungsseitigen Anschlusses veranschaulichen;
    • 6A und 6B sind vergrößerte perspektivische Ansichten des steuerungsseitigen Anschlusses und seiner Umgebung, die ein Verfahren zum Herstellen des steuerungsseitigen Anschlusses veranschaulichen;
    • 7 ist eine vergrößerte Vorderansicht eines in einer Halbleitervorrichtung gemäß einer Ausführungsform 2 enthaltenen leistungsseitigen Anschlusses und seiner Umgebung; und
    • 8 ist eine vergrößerte Vorderansicht eines in einer Halbleitervorrichtung gemäß einer Ausführungsform 3 enthaltenen leistungsseitigen Anschlusses und seiner Umgebung.
  • Beschreibung der bevorzugten Ausführungsformen
  • <Ausführungsform 1 >
  • Unter Bezugnahme auf die Zeichnungen wird im Folgenden eine Ausführungsform 1 beschreiben. 1 ist ein Diagramm einer internen Konfiguration einer Halbleitervorrichtung 100 gemäß der Ausführungsform 1. 2 ist eine Seitenansicht, die einen Zustand veranschaulicht, in dem die Halbleitervorrichtung 100 umgedreht ist. 3 ist ein Schaltungsdiagramm der Halbleitervorrichtung 100.
  • Wie in 1 veranschaulicht ist, enthält die Halbleitervorrichtung 100 eine Isolierplatte 3, Leiterrahmen 4a bis 4f, Leistungs-Chips 2a bis 2f, Steuerungs-Chips 1a und 1b und ein Form- bzw. Gussharz 8.
  • Die Isolierplatte 3 ist eine Platte, in der eine Metallfolie oder eine Metallplatte und ein Isolierharz miteinander verklebt sind, und ist aus einem Material mit ausgezeichneter Isolierung und Wärmeleitfähigkeit geschaffen. Die Leiterrahmen 4c bis 4f sind auf der oberen Oberfläche der Isolierplatte 3 angeordnet. Die Leistungs-Chips 2a bis 2c sind auf der oberen Oberfläche des Leiterrahmens 4c montiert. Die Leistungs-Chips 2a bis 2c sind Leistungs-Chips für hohe Spannung, an die eine hohe Spannung angelegt wird. Die Leistungs-Chips 2d bis 2f sind jeweils auf den oberen Oberflächen der Leiterrahmen 4d bis 4f montiert. Die Leistungs-Chips 2d bis 2f sind Leistungs-Chips für niedrige Spannung, an die eine Spannung angelegt wird, die niedriger als die an die Leistungs-Chips für eine hohe Spannung angelegte Spannung ist.
  • Die Leiterrahmen 4a und 4b sind außerhalb der Isolierplatte 3 angeordnet. Die Steuerungs-Chips 1a und 1b sind auf den oberen Oberflächen der Leiterrahmen 4a bzw. 4b montiert. Der Steuerungs-Chip 1a ist eine sogenannte integrierte Schaltung für hohe Spannung (HVIC), die die Leistungs-Chips 2a bis 2c auf der Hochspannungsseite steuert. Der Steuerungs-Chip 1b ist eine sogenannte integrierte Schaltung für niedrige Spannung (LVIC), die die Leistungs-Chips 2d bis 2f auf der Niederspannungsseite steuert.
  • Wie in 1 und 3 veranschaulicht ist, enthält jeder Leistungs-Chip 2a bis 2f einen Bipolartransistor mit isoliertem Gate (IGBT) und eine Freilaufdiode (FWD). Zwischen dem Steuerungs-Chip 1a und den Leistungs-Chips 2a bis 2c, zwischen dem Steuerungs-Chip 1b und den Leistungs-Chips 2d bis 2f und zwischen jedem IGBT und jeder FWD sind Drähte angeschlossen.
  • Die Leiterrahmen 4a und 4b bilden einen Teil der steuerungsseitigen Anschlüsse 5, die jeweils mit den Steuerungs-Chips 1a und 1b verbunden sind, und sind mit dem Rest der steuerungsseitigen Anschlüsse 5 verbunden. Die Leiterrahmen 4c bis 4f bilden einen Teil der leistungsseitigen Anschlüsse 6, die jeweils mit den Leistungs-Chips 2a bis 2f verbunden sind, und sind mit dem Rest der leistungsseitigen Anschlüsse 6 verbunden. Ein leistungsseitiger Anschluss 6 weist eine Vielzahl von Phasen eines Ausgangsanschlusses, eines positiven Elektrodenanschlusses und eines negativen Elektrodenanschlusses auf.
  • Das Gussharz 8 bedeckt die Leistungs-Chips 2a bis 2f, die Steuerungs-Chips 1a und 1b, eine Seite der einen Enden der leistungsseitigen Anschlüsse 6 und eine Seite der einen Enden der steuerungsseitigen Anschlüsse 5. Wie in 1 und 2 veranschaulicht ist, sind ferner die Seite der anderen Enden der leistungsseitigen Anschlüsse 6 und die Seite der anderen Enden der steuerungsseitigen Anschlüsse 5 aus dem Gussharz 8 freigelegt. Eine Halbleitervorrichtung, in der das Gussharz 8 auch als die Isolierplatte 3 dient, ist ein sogenannter Vollgusstyp, und die Halbleitervorrichtung vom Vollgusstyp enthält keine Isolierplatte 3.
  • Als Nächstes wird unter Bezugnahme auf 4 die Struktur eines leistungsseitigen Anschlusses 6 beschrieben, die ein Merkmal der Ausführungsform 1 ist. 4 ist eine vergrößerte perspektivische Ansicht des leistungsseitigen Anschlusses 6 und seiner Umgebung.
  • Wie in 4 veranschaulicht ist, hat die Seite des anderen Endes des leistungsseitigen Anschlusses 6 eine Form, die aus der seitlichen Oberfläche des Gussharzes 8 horizontal vorsteht und sich am Mittelteil nach unten biegt. Das heißt, die Seite des anderen Endes des leistungsseitigen Anschlusses 6 ist in einer Vorderansicht L-förmig. Obgleich nicht veranschaulicht weist auch die Seite des anderen Endes des steuerungsseitigen Anschlusses 5 eine Form auf, die aus der seitlichen Oberfläche des Gussharzes 8 horizontal vorsteht und sich am Mittelteil nach unten biegt. Das heißt, die Seite des anderen Endes des steuerungsseitigen Anschlusses 6 ist in einer Vorderansicht L-förmig.
  • Um die Wärmeableitung zu verbessern, während die Verarbeitbarkeit des Produkts aufrechterhalten wird, ist von dem leistungsseitigen Anschluss 6 und dem steuerungsseitigen Anschluss 5 nur auf der Seite des anderen Endes des leistungsseitigen Anschlusses 6 ein Paar von Teilbereichen 10 zur Wärmeableitung ausgebildet. Das Paar von Teilbereichen 10 zur Wärmeableitung ist in einer Vorderansicht rechteckig und ist auf dem oberen Teilbereich des nach unten gebogenen Teilbereichs der Seite des anderen Endes des leistungsseitigen Anschlusses 6 ausgebildet. Ferner steht das Paar von Teilbereichen 10 zur Wärmeableitung von beiden Enden in der Breitenrichtung des nach unten gebogenen Teilbereichs auf der Seite des anderen Endes des leistungsseitigen Anschlusses 6 in der Breitenrichtung des Gussharzes 8, das heißt in der Richtung weg vom Gussharz 8, vor.
  • Das Paar von Teilbereichen 10 zur Wärmeableitung kann statt vom Gussharz 8 weg in einer Richtung auf das Gussharz 8 zu vorstehen. Überdies ist das Paar von Teilbereichen 10 zur Wärmeableitung auf der Seite des anderen Endes des positiven Elektrodenanschlusses oder auf der Seite des anderen Endes des negativen Elektrodenanschlusses ausgebildet, was insbesondere im Hinblick auf einen Temperaturanstieg von Bedeutung ist, wenn eine mittels einer dreiphasigen Wechselstromleistung betriebene Vorrichtung unter den leistungsseitigen Anschlüssen 6 mit der Halbleitervorrichtung 100 verbunden ist.
  • Als Nächstes wird unter Bezugnahme auf 5A bis 5C ein Verfahren zum Herstellen des leistungsseitigen Anschlusses 6 beschrieben. 5A bis 5C sind vergrößerte perspektivische Ansichten des leistungsseitigen Anschlusses 6 und seiner Umgebung, die ein Verfahren zum Herstellen des leistungsseitigen Anschlusses 6 veranschaulichen.
  • Wie in 5A veranschaulicht ist, ist die Seite des anderen Endes des leistungsseitigen Anschlusses 6 so ausgebildet, dass sie vorstehende Teilbereiche 10a aufweist, die sich in der horizontalen Richtung erstrecken und von beiden Enden in der Breitenrichtung des leistungsseitigen Anschlusses 6 in der Breitenrichtung vorstehen. Zunächst wird das Gussharz 8 so ausgebildet, dass es die Leistungs-Chips 2a bis 2f, die Steuerungs-Chips 1a und 1b, eine Seite der einen Enden der leistungsseitigen Anschlüsse 6 und eine Seite der einen Enden der steuerungsseitigen Anschlüsse 5 bedeckt.
  • Als Nächstes werden, wie in 5B veranschaulicht ist, nachdem das Gussharz 8 ausgebildet ist, die Teilbereiche 10 zur Wärmeableitung gebildet, indem die vorstehenden Teilbereiche 10a des leistungsseitigen Anschlusses 6 nach oben oder unten gebogen werden. Wie in 5C veranschaulicht ist, wird als Nächstes die Seite des anderen Endes des leistungsseitigen Anschlusses 6 am Mittelteil so nach unten gebogen, dass die Seite des anderen Endes des leistungsseitigen Anschlusses 6 in einer Vorderansicht eine L-Form aufweist.
  • Als Nächstes wird ein Verfahren zum Herstellen des steuerungsseitigen Anschlusses 5 unter Bezugnahme auf 6A und 6B beschrieben. 6A und 6B sind vergrößerte perspektivische Ansichten des steuerungsseitigen Anschlusses 5 und seiner Umgebung, die ein Verfahren zum Herstellen des steuerungsseitigen Anschlusses 5 veranschaulichen.
  • Der steuerungsseitige Anschluss 5 wird in gleichen Prozessen wie jenen des leistungsseitigen Anschlusses 6 hergestellt. Das heißt, der in 6A veranschaulichte Prozess wird in dem in 5A veranschaulichten Prozess durchgeführt, und der in 6B veranschaulichte Prozess wird in dem in 5C veranschaulichten Prozess durchgeführt.
  • Wie oben beschrieben wurde, enthält die Halbleitervorrichtung 100 gemäß der Ausführungsform 1 die Leistungs-Chips 2a bis 2f, die Steuerungs-Chips 1a und 1b, die die Leistungs-Chips 2a bis 2f steuern, die leistungsseitigen Anschlüsse 6, die mit den Leistungs-Chips 2a bis 2f verbunden sind, die steuerungsseitigen Anschlüsse 5, die mit den Steuerungs-Chips 1a und 1b verbunden sind, und das Gussharz 8, das die Leistungs-Chips 2a bis 2f, die Steuerungs-Chips 1a und 1b, eine Seite der einen Enden der leistungsseitigen Anschlüsse 6 und eine Seite der einen Enden der steuerungsseitigen Anschlüsse 5 bedeckt. Die Seite der anderen Enden der leistungsseitigen Anschlüsse 6 und die Seite der anderen Enden der leistungsseitigen Anschlüsse 5 stehen aus der seitlichen Oberfläche des Gussharzes 8 horizontal vor und biegen sich an den Mittelteilen nach unten, und von den leistungsseitigen Anschlüssen 6 und den steuerungsseitigen Anschlüssen 5 sind nur auf der Seite der anderen Enden der leistungsseitigen Anschlüsse 6 die Teilbereiche 10 zur Wärmeableitung ausgebildet, die von nach unten gebogenen Teilbereichen in einer Richtung auf das Gussharz 8 zu oder von ihm weg vorstehen.
  • Die Seite des anderen Endes des leistungsseitigen Anschlusses 6 weist ferner vorstehende Teilbereiche 10a auf, die von beiden Enden in der Breitenrichtung des leistungsseitigen Anschlusses 6 aus in der Breitenrichtung vorstehen. Das Verfahren zum Herstellen der Halbleitervorrichtung 100 umfasst einen Schritt (a), um die Teilbereiche 10 zur Wärmeableitung auszubilden, indem nach einem Ausbilden des Gussharzes 8 die vorstehenden Teilbereiche 10a des leistungsseitigen Anschlusses 6 gebogen werden, und einen Schritt (b), um die Seite des anderen Endes des leistungsseitigen Anschlusses 6 an seinem Mittelteil zu biegen.
  • Die Teilbereiche 10 zur Wärmeableitung sind von den leistungsseitigen Anschlüssen 6 und den steuerungsseitigen Anschlüssen 5 nur auf der Seite der anderen Enden der leistungsseitigen Anschlüsse 6 ausgebildet; daher wird die Wärmeableitungseigenschaft der Halbleitervorrichtung 100 verbessert. Die Teilbereiche 10 zur Wärmeableitung sind auf den steuerungsseitigen Anschlüssen 5 mit einer feinen Anschlussbreite nicht ausgebildet; daher wird in der Halbleitervorrichtung 100 sichergestellt, dass die Verarbeitbarkeit des Produkts aufrechterhalten wird.
  • Der leistungsseitige Anschluss 6 umfasst einen positiven Elektrodenanschluss und einen negativen Elektrodenanschluss, und die Teilbereiche 10 zur Wärmeableitung sind auf der Seite des anderen Endes des positiven Elektrodenanschlusses oder der Seite des anderen Endes des negativen Elektrodenanschlusses ausgebildet. Falls eine mittels einer dreiphasigen Wechselstromleistung betriebene Vorrichtung mit der Halbleitervorrichtung 100 verbunden ist, sind die Teilbereiche 10 zur Wärmeableitung auf der Seite des anderen Endes des positiven Elektrodenanschlusses oder auf der Seite des anderen Endes des negativen Elektrodenanschlusses am anderen Ende ausgebildet; daher sind in der Halbleitervorrichtung 100 sowohl die Aufrechterhaltung der Verarbeitbarkeit als auch eine Verbesserung der Wärmeableitung des Produkts erreichbar.
  • <Ausführungsform 2>
  • Anschließend wird eine Halbleitervorrichtung 100 gemäß einer Ausführungsform 2 beschrieben. 7 ist eine vergrößerte Vorderansicht eines leistungsseitigen Anschlusses 6, der in der Halbleitervorrichtung 100 gemäß der Ausführungsform 2 enthalten ist, und seiner Umgebung. In der Ausführungsform 2 sind die gleichen Komponenten wie jene, die in der Ausführungsform 1 beschrieben sind, mit den gleichen Bezugsziffern bezeichnet, und deren Beschreibung wird unterlassen.
  • Wie in 7 veranschaulicht ist, sind in der Ausführungsform 2 drei Durchgangslöcher 11 in jedem Teilbereich 10 zur Wärmeableitung ausgebildet, um die Oberfläche eines Paars von Teilbereichen 10 zur Wärmeableitung zu vergrößern. Die drei Durchgangslöcher 11 sind so ausgebildet, dass sie sich in der vertikalen Richtung ausgerichtet in jedem Teilbereich 10 zur Wärmeableitung in der Dickenrichtung erstrecken. Die drei Durchgangslöcher 11 werden zu der Zeit gebildet, zu der der leistungsseitige Anschluss 6 hergestellt wird.
  • In 7 kann, obgleich das Paar von Teilbereichen 10 zur Wärmeableitung in einer Richtung auf das Gussharz 8 zu vorsteht, das Paar von Teilbereichen 10 zur Wärmeableitung in einer Richtung weg vom Gussharz 8 ausgebildet sein. Überdies ist die Anzahl an Durchgangslöchern 11 nicht auf drei beschränkt und muss nur eins oder mehr betragen.
  • Wie oben beschrieben wurde, sind die Durchgangslöcher 11 in der Halbleitervorrichtung 100 gemäß der Ausführungsform 2 ausgebildet. Dementsprechend wird die Oberfläche des Teilbereichs 10 zur Wärmeableitung vergrößert; daher wird die Eigenschaft einer Wärmeableitung der Halbleitervorrichtung 100 weiter verbessert.
  • <Ausführungsform 3>
  • Anschließend wird eine Halbleitervorrichtung 100 gemäß einer Ausführungsform 3 beschrieben. 8 ist eine vergrößerte Vorderansicht eines leistungsseitigen Anschlusses, der in der Halbleitervorrichtung 100 gemäß der Ausführungsform 3 enthalten ist, und seiner Umgebung. In der Ausführungsform 3 sind die gleichen Komponenten wie jene, die in den Ausführungsformen 1 und 2 beschrieben sind, mit den gleichen Bezugsziffern bezeichnet, und deren Beschreibung wird unterlassen.
  • Wie in 8 veranschaulicht ist, ist in der Ausführungsform 3 jeder Teilbereich 10 zur Wärmeableitung an dem Teilbereich am Spitzenende auf der Seite des anderen Endes des leistungsseitigen Anschlusses 6 ausgebildet. Konkret ist jeder Teilbereich 10 zur Wärmeableitung vom unteren Ende des nach unten gebogenen Teilbereichs bis zu einem den oberen Endteilbereich des leistungsseitigen Anschlusses 6 ausschließenden Teilbereich ausgebildet. Der Teilbereich am Spitzenende (unterer Endteilbereich) jedes Teilbereichs 10 zur Wärmeableitung ist zur Verbesserung der Einsetzbarkeit des leistungsseitigen Anschlusses 6 zu der Zeit, zu der die Halbleitervorrichtung 100 auf das Substrat montiert wird, in einer spitz zulaufenden Form ausgebildet. Die spitz zulaufende Form wird zu der Zeit gebildet, zu der der leistungsseitige Anschluss 6 hergestellt wird.
  • Obgleich das Paar von Teilbereichen 10 zur Wärmeableitung in 8 in einer Richtung auf das Gussharz 8 zu vorsteht, kann das Paar von Teilbereichen 10 zur Wärmeableitung in einer Richtung weg vom Gussharz 8 ausgebildet sein.
  • Wie oben beschrieben wurde, ist in der Halbleitervorrichtung 100 gemäß der Ausführungsform 3 der Teilbereich 10 zur Wärmeableitung am Teilbereich am Spitzenende der Seite des anderen Endes des leistungsseitigen Anschlusses 6 ausgebildet, und der Endteilbereich am Spitzenende des wärmeabstrahlenden Teilbereichs 10 hat eine spitz zulaufende Form. Folglich wird die Einsetzbarkeit des leistungsseitigen Anschlusses 6 zu der Zeit, zu der die Halbleitervorrichtung 100 auf das Substrat montiert wird, verbessert.
  • Ausführungsformen können beliebig kombiniert werden und können geeignet modifiziert oder weggelassen werden.
  • Obgleich die Erfindung im Detail dargestellt und beschrieben wurde, ist die vorgehende Beschreibung in allen Aspekten veranschaulichend und nicht einschränkend. Es versteht sich daher, dass zahlreiche Modifikationen und Variationen konzipiert werden können, ohne vom Umfang der Erfindung abzuweichen.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • JP 2006080180 [0003, 0004]

Claims (5)

  1. Halbleitervorrichtung (100), aufweisend: Leistungs-Chips (2a bis 2f); Steuerungs-Chips (1a, 1b), die dafür konfiguriert sind, die Leistungs-Chips (2a bis 2f) zu steuern; leistungsseitige Anschlüsse (6), die mit den Leistungs-Chips (2a bis 2f) verbunden sind; steuerungsseitige Anschlüsse (5), die mit den Steuerungs-Chips (1a, 1b) verbunden sind; und ein Gussharz (8), das die Leistungs-Chips (2a bis 2f), die Steuerungs-Chips (1a, 1b) eine Seite der einen Enden der leistungsseitigen Anschlüsse (6) und eine Seite der einen Enden der steuerungsseitigen Anschlüsse (5) bedeckt, wobei eine Seite der anderen Enden der leistungsseitigen Anschlüsse (6) und eine Seite der anderen Enden der steuerungsseitigen Anschlüsse (5) aus einer seitlichen Oberfläche des Gussharzes (8) horizontal vorstehen und sich an deren Mittelteilen nach unten biegen und von den leistungsseitigen Anschlüssen (6) und den steuerungsseitigen Anschlüssen (5) nur auf der Seite der anderen Enden der leistungsseitigen Anschlüsse (6) Teilbereiche (10) zur Wärmeableitung ausgebildet sind, die von nach unten gebogenen Teilbereichen in einer Richtung auf das Gussharz (8) zu oder von ihm weg vorstehen.
  2. Halbleitervorrichtung (100) nach Anspruch 1, wobei die leistungsseitigen Anschlüsse (6) einen positiven Elektrodenanschluss und einen negativen Elektrodenanschluss umfassen und die Teilbereiche (10) zur Wärmeableitung auf einer Seite des anderen Endes des positiven Elektrodenanschlusses oder einer Seite des anderen Endes des negativen Elektrodenanschlusses ausgebildet sind.
  3. Halbleitervorrichtung (100) nach Ansprüchen 1 oder 2, wobei ein Durchgangsloch (11) auf den Teilbereichen (10) zur Wärmeableitung ausgebildet ist.
  4. Halbleitervorrichtung (100) nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei die Teilbereiche (10) zur Wärmeableitung an Teilbereichen am Spitzenende der Seite der anderen Enden der leistungsseitigen Anschlüsse (6) ausgebildet sind und Teilbereiche am Spitzenende der Teilbereiche (10) zur Wärmeableitung in einer spitz zulaufenden Form ausgebildet sind.
  5. Herstellungsverfahren einer Halbleitervorrichtung (100), das die Halbleitervorrichtung (100) nach einem der Ansprüche 1 bis 4 herstellt, wobei die Seite der anderen Enden der leistungsseitigen Anschlüsse (6) vorstehende Teilbereiche (10a) aufweist, die von beiden Enden in einer Breitenrichtung der leistungsseitigen Anschlüsse (6) in einer Breitenrichtung vorstehen, wobei das Verfahren aufweist: (a) ein Ausbilden der Teilbereiche (10) zur Wärmeableitung, indem die vorstehenden Teilbereiche (10a) der leistungsseitigen Anschlüsse (6) gebogen werden, nachdem das Gussharz (8) ausgebildet ist; und (b) ein Biegen der Seite der anderen Enden der leistungsseitigen Anschlüsse (6) an deren Mittelteilen.
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116705748B (zh) * 2023-08-08 2023-10-17 山东隽宇电子科技有限公司 一种半导体大面积冷却引线框架

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006080180A (ja) 2004-09-08 2006-03-23 Seiko Epson Corp 電子部品、圧電発振器および電子機器

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH073848B2 (ja) * 1984-09-28 1995-01-18 株式会社日立製作所 半導体装置
JPH01183840A (ja) * 1988-01-19 1989-07-21 Hitachi Ltd 半導体装置
US5157480A (en) * 1991-02-06 1992-10-20 Motorola, Inc. Semiconductor device having dual electrical contact sites
JP4833795B2 (ja) * 2006-10-31 2011-12-07 新日本製鐵株式会社 半導体素子の接続リード
JP5145596B2 (ja) 2008-04-15 2013-02-20 三菱電機株式会社 半導体装置
JP6345583B2 (ja) * 2014-12-03 2018-06-20 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
JP6633859B2 (ja) * 2015-07-31 2020-01-22 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006080180A (ja) 2004-09-08 2006-03-23 Seiko Epson Corp 電子部品、圧電発振器および電子機器

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