DE102016102955A1 - Chalkogenidglas-Zusammensetzung und Chalkogenid-Schaltervorrichtungen - Google Patents

Chalkogenidglas-Zusammensetzung und Chalkogenid-Schaltervorrichtungen Download PDF

Info

Publication number
DE102016102955A1
DE102016102955A1 DE102016102955.6A DE102016102955A DE102016102955A1 DE 102016102955 A1 DE102016102955 A1 DE 102016102955A1 DE 102016102955 A DE102016102955 A DE 102016102955A DE 102016102955 A1 DE102016102955 A1 DE 102016102955A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
composition
total weight
percent
weight
range
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE102016102955.6A
Other languages
English (en)
Other versions
DE102016102955B4 (de
Inventor
Kuo-Wei Chang
Paolo Fantini
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Intel Corp
Original Assignee
Intel Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Intel Corp filed Critical Intel Corp
Publication of DE102016102955A1 publication Critical patent/DE102016102955A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE102016102955B4 publication Critical patent/DE102016102955B4/de
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C3/00—Glass compositions
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C3/00—Glass compositions
    • C03C3/04—Glass compositions containing silica
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C3/00—Glass compositions
    • C03C3/04—Glass compositions containing silica
    • C03C3/062—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C3/00—Glass compositions
    • C03C3/32—Non-oxide glass compositions, e.g. binary or ternary halides, sulfides or nitrides of germanium, selenium or tellurium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C3/00—Glass compositions
    • C03C3/32—Non-oxide glass compositions, e.g. binary or ternary halides, sulfides or nitrides of germanium, selenium or tellurium
    • C03C3/321—Chalcogenide glasses, e.g. containing S, Se, Te
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B63/00—Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices
    • H10B63/20—Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices comprising selection components having two electrodes, e.g. diodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B63/00—Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices
    • H10B63/20—Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices comprising selection components having two electrodes, e.g. diodes
    • H10B63/24—Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices comprising selection components having two electrodes, e.g. diodes of the Ovonic threshold switching type
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N70/00—Solid-state devices without a potential-jump barrier or surface barrier, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N70/00—Solid-state devices without a potential-jump barrier or surface barrier, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
    • H10N70/20—Multistable switching devices, e.g. memristors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N70/00—Solid-state devices without a potential-jump barrier or surface barrier, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
    • H10N70/20—Multistable switching devices, e.g. memristors
    • H10N70/231—Multistable switching devices, e.g. memristors based on solid-state phase change, e.g. between amorphous and crystalline phases, Ovshinsky effect
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N70/00—Solid-state devices without a potential-jump barrier or surface barrier, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
    • H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
    • H10N70/881—Switching materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N70/00—Solid-state devices without a potential-jump barrier or surface barrier, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
    • H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
    • H10N70/881—Switching materials
    • H10N70/882—Compounds of sulfur, selenium or tellurium, e.g. chalcogenides
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N70/00—Solid-state devices without a potential-jump barrier or surface barrier, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
    • H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
    • H10N70/881—Switching materials
    • H10N70/882—Compounds of sulfur, selenium or tellurium, e.g. chalcogenides
    • H10N70/8825—Selenides, e.g. GeSe

Abstract

Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung beschreiben Chalkogenidglas-Zusammensetzungen und Chalkogenid-Schaltervorrichtungen (CSD). Die Zusammensetzungen können im Allgemeinen 3 bis 15 Gewichtsprozent Silicium, 8 bis 16 Gewichtsprozent Germanium, mehr als 45 Gewichtsprozent Selen und 20 bis 35 Gewichtsprozent Arsen aufweisen. Die Menge an Silicium und Germanium in einer Zusammensetzung kann im Allgemeinen mehr als 10 Gewichtsprozent betragen. Zu CSDs können verschiedene Zusammensetzungen aus Chalkogenidglas zählen, und mehrere von ihnen können in einer Speichervorrichtung verwendet werden, beispielsweise einem Die mit einer Speicherkomponente, und können in verschiedenen elektronischen Komponenten und Systemen verwendet werden. Andere Ausführungsformen können beschrieben und/oder beansprucht sein.

Description

  • Gebiet
  • Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung betreffen allgemein das Gebiet integrierter Schaltungen und insbesondere Chalkogenidglas-Zusammensetzungen für Schwellwertschalter.
  • HINTERGRUND
  • Chalkogenidglas-Zusammensetzungen werden in Chalkogenid-Schaltervorrichtungen, darunter Halbleiterspeichervorrichtungen, verwendet. Diese Zusammensetzungen weisen im Allgemeinen eine Schwellenspannung auf, bei der sie leitend werden, d.h., sie schalten ein, um zu ermöglichen, dass ein Strom durch einen Schalter fließt. Die Schwellenspannung kann sich im Laufe der Zeit ändern. Diese Änderung wird als Drift bezeichnet. Eine hohe Drift von Zusammensetzungen kann die Nützlichkeit und Leistung von Vorrichtungen einschränken, bei denen Chalkogenid-Schalter verwendet werden.
  • Kurzbeschreibung der Zeichnungen
  • Ausführungsformen sind mithilfe der nachfolgenden ausführlichen Beschreibung in Verbindung mit den begleitenden Zeichnungen leicht zu verstehen. Um diese Beschreibung zu vereinfachen, bezeichnen gleiche Bezugszeichen gleiche strukturelle Elemente. Ausführungsformen werden in den Figuren der begleitenden Zeichnungen beispielhaft und nicht einschränkend veranschaulicht.
  • 1 ist eine Kurvendarstellung eines Vergleichs einer Chalkogenidglas-Zusammensetzung der vorliegenden Offenbarung gemäß einigen Ausführungsformen mit einer anderen Chalkogenidglas-Zusammensetzung, die eine niedrigere Spannungsdrift der Zusammensetzung der vorliegenden Offenbarung veranschaulicht.
  • 2 veranschaulicht gemäß einigen Ausführungsformen schematisch einen Schnitt in Seitenansicht einer beispielhaften Schwellwertschaltervorrichtung.
  • 3 veranschaulicht gemäß einigen Ausführungsformen schematisch eine Draufsicht einer beispielhaften Speichervorrichtung.
  • 4 veranschaulicht gemäß einigen Ausführungsformen schematisch einen Schnitt in Seitenansicht einer integrierten Schaltungsanordnung (IC-Anordnung).
  • 5 veranschaulicht schematisch ein beispielhaftes System, das eine Chalkogenidglas-Zusammensetzung in einer Schaltervorrichtung gemäß verschiedenen hier beschriebenen Ausführungsformen aufweist.
  • Ausführliche Beschreibung
  • Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung beschreiben Chalkogenidglas-Zusammensetzungen und Chalkogenid-Schaltervorrichtungen (chalcogenide switch devices, CSD.) In der folgenden ausführlichen Beschreibung wird auf die begleitenden Zeichnungen Bezug genommen, die einen Teil von ihr bilden, wobei gleiche Bezugszeichen durchgehend gleiche Teile bezeichnen, und worin veranschaulichend Ausführungsformen gezeigt werden, bei denen der Gegenstand der vorliegenden Offenbarung praktisch angewendet werden kann. Es versteht sich, dass andere Ausführungsformen verwendet und strukturelle oder logische Änderungen vorgenommen werden können, ohne vom Schutzbereich der vorliegenden Offenbarung abzuweichen. Daher soll die folgende ausführliche Beschreibung nicht als einschränkend aufgefasst werden, und der Schutzbereich von Ausführungsformen ist durch die angefügten Ansprüche und deren Äquivalente definiert.
  • Im Rahmen der vorliegenden Offenbarung bedeutet die Formulierung „A und/oder B“ (A), (B) oder (A und B). Im Rahmen der vorliegenden Offenbarung bedeutet die Formulierung „A, B und/oder C“ (A), (B), (C), (A und B), (A und C), (B und C) oder (A, B und C).
  • In der Beschreibung können die Formulierungen „bei einer Ausführungsform“ oder „bei Ausführungsformen“ verwendet werden, die sich jeweils auf eine oder mehrere derselben oder unterschiedliche Ausführungsformen beziehen können. Darüber hinaus sind die Begriffe „umfassend“, „beinhaltend“, „aufweisend“ und dergleichen, die in Bezug auf Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung verwendet werden, synonym. Der Begriff „gekoppelt“ kann sich auf eine direkte Verbindung, eine indirekte Verbindung oder eine indirekte Datenübertragung beziehen.
  • Der Begriff „Modul“ wird hier derart verwendet, dass er sich auf eine anwendungsspezifische integrierte Schaltung (application specific integrated circuit, ASIC), eine elektronische Schaltung, einen Prozessor (gemeinsam genutzt, dediziert oder Gruppe) und/oder Speicher (gemeinsam genutzt, dediziert oder Gruppe), die/der ein oder mehrere Software- oder Firmware-Programme ausführt, eine kombinatorische Logikschaltung, einen Zustandsautomaten und/oder andere geeignete Komponenten, die die beschriebene Funktionalität bereitstellen, beziehen kann, ein Teil davon sein oder diese aufweisen kann.
  • Eine Chalkogenidglas-Zusammensetzung mit einer niedrigen Spannungsdrift, die nützlich für Schalter auf Grundlage von Chalkogenid ist, kann die Elemente Silicium (Si), Germanium (Ge), Selen (Se) und Arsen (As) aufweisen. Chalkogenidglas-Zusammensetzungen können aus den Zusammensetzungen bestehen, die in TABELLE 1 bezeichnet sind, die Zusammensetzungsbereiche von Si, Ge, Se und As in Gewichtsprozent wie auch eine als die dritte Zusammensetzung bezeichnete spezielle Zusammensetzung auflistet. TABELLE 1
    Si Ge Se As
    Erste (%) 3–15 8–16 > 45 20–35
    Zweite (%) 8–12 9–12 > 50 29–31
    Dritte (%) 10 10 50 30
  • Bei den Chalkogenidglas-Zusammensetzungen aus TABELLE 1 können das Silicium plus das Germanium größer oder gleich 10 Gewichtsprozent relativ zu dem Gesamtgewicht einer bestimmten Zusammensetzung betragen. Bei den Chalkogenidglas-Zusammensetzungen aus TABELLE 1 können das Silicium plus das Germanium größer oder gleich 15 Gewichtsprozent relativ zu dem Gesamtgewicht einer bestimmten Zusammensetzung betragen. Bei den Chalkogenidglas-Zusammensetzungen aus TABELLE 1 können das Silicium plus das Germanium größer oder gleich 20 Gewichtsprozent relativ zu dem Gesamtgewicht einer bestimmten Zusammensetzung betragen. Bei den Chalkogenidglas-Zusammensetzungen aus TABELLE 1 kann die Glasübergangstemperatur in Abhängigkeit von dem Halbleiterprozess, der zum Herstellen einer Vorrichtung mit einer Chalkogenid-Schaltervorrichtung (CSD) verwendet wird, größer oder gleich 300 Grad Celsius sein. Die Glasübergangstemperatur einer Zusammensetzung kann abgesenkt sein, während die Temperatur eines Halbleiterprozesses auf unter 300 Grad Celsius abgesenkt ist.
  • 1 ist eine Kurvendarstellung eines Vergleichs einer Chalkogenidglas-Zusammensetzung der vorliegenden Offenbarung gemäß einigen Ausführungsformen mit einer anderen Chalkogenidglas-Zusammensetzung, die eine niedrigere Spannungsdrift der Zusammensetzung der vorliegenden Offenbarung veranschaulicht. Die in 1 gezeigte Chalkogenidglas-Zusammensetzung der vorliegenden Offenbarung ist die in Tabelle 1 gezeigte dritte Zusammensetzung. Die dritte Zusammensetzung kann in einer halblogarithmischen Darstellung der Änderung der Schwellenspannung gegen den Logarithmus zur Basis 10 der Wartezeit in Nanosekunden eine Spannungsdrift von etwa 12 Millivolt pro Zeitdekade in Nanosekunden (mV/Dekade nsec) aufweisen, wie in 1 veranschaulicht. Zur Erläuterung: Eine Dekade ist 1 × 101, und zwei Dekaden sind 1 × 102. Zur Erläuterung: Nach einer Dekade (101 × 1 Nanosekunde) würde die Änderung der Driftspannung 0,12 mV betragen. Nach zwei Dekaden (102 × 1 Nanosekunde) würde die Änderung 0,24 Millivolt betragen. Eine Spannungsdrift von 12 mV/Dekade nsec kann in etwa 5- bis 6-mal niedriger sein als bei der Chalkogenid-Zusammensetzung nach dem Stand der Technik mit 72 mV/Dekade nsec. Eine niedrigere Spannungsdrift kann für eine CSD mit besserer Leistung sorgen, da eine geringere Gesamtspannungsdrift über eine Zeitperiode stattfindet. Glasübergangstemperatur und Glasverarbeitungsbedingungen wirken sich auf eine Auswahl einer Zusammensetzung innerhalb der in Tabelle 1 angeführten Bereiche aus.
  • 2 veranschaulicht schematisch einen Schnitt in Seitenansicht einer beispielhaften Schwellwertschaltervorrichtung 200 gemäß einigen Ausführungsformen. Die Vorrichtung 200 kann eine erste Elektrode 202 und eine zweite Elektrode 204 aufweisen. Zwischen die erste Elektrode 202 und die zweite Elektrode 204 können ein Chalkogenid-Schalterelement 208 und ein Halbleiterelement 206 gekoppelt sein. Das Chalkogenid-Schalterelement 208 kann eine Zusammensetzung umfassen, wie sie in Tabelle 1 veranschaulicht ist. Das elektronische Element 206 kann ein Halbleiterspeicherelement sein, bei dem es sich um ein nichtflüchtiges Speicherelement oder ein flüchtiges Speicherelement handeln kann. Das elektronische Element 206 kann ein Halbleiter-Phasenänderungsspeicherelement sein. Das Element 206 kann sich in einem ersten Zustand befinden. Das Element kann, indem eine Spannung, die größer als die Schwellenspannung des Chalkogenid-Schalterelements 208 ist, für eine Zeitperiode an die zweite Elektrode angelegt wird, in einen zweiten Zustand versetzt werden. Das Halbleiterelement kann, indem eine Spannung, die größer als die Schwellenspannung des Chalkogenid-Schalterelements 208 ist, für eine andere Zeitperiode an die zweite Elektrode angelegt wird, in einen dritten oder vierten Zustand versetzt werden. Die Schwellwertschaltervorrichtung 200 kann sich als ein Array in zwei Dimensionen oder in drei Dimensionen in einer Speichervorrichtung mit mehreren Schwellwertschaltervorrichtungen 200 befinden. Die erste Elektrode 202 kann eine Bitleitung, die zweite Elektrode eine Wortleitung einer Speichervorrichtung sein. Die zweite Elektrode 204 kann eine Bitleitung, die erste Elektrode eine Wortleitung einer Speichervorrichtung sein. Verschiedene dieelektrische Schichten können zwischen Bitleitungen, Wortleitungen, dem Chalkogenid-Schalterelement 208 und dem elektronischen Element 206 ausgebildet sein, wie Fachleuten für Halbleiterspeichergestaltung allgemein bekannt ist.
  • 3 veranschaulicht schematisch eine Draufsicht einer beispielhaften Speichervorrichtung 300 gemäß einigen Ausführungsformen. Die Speichervorrichtung 300 kann mehrere Bitleitungen 302 und mehrere Wortleitungen 304 aufweisen. An der Kreuzung 306 der Bitleitungen und der Wortleitungen kann ein Speicherelement 308 mit einer Bitleitung 302 und einer Wortleitung 304 gekoppelt sein. Das Speicherelement 308 kann mithilfe leitender Bahnen 308.1, 308.2, beispielsweise einer Brücke, oder direkt mit einer Bitleitung und einer Wortleitung gekoppelt sein. Das Speicherelement 308 kann ein Halbleiterspeicherelement 206 aus 2 und das Chalkogenid-Schalterelement 208 aus 2 aufweisen und kann die Chalkogenidglas-Zusammensetzungen aus Tabelle 1 aufweisen.
  • 4 veranschaulicht schematisch einen Schnitt in Seitenansicht einer integrierten Schaltungsanordnung (IC-Anordnung) 400 gemäß einigen Ausführungsformen. Bei einigen Ausführungsformen kann die IC-Anordnung 400 einen oder mehrere Dies (im Folgenden „Die 402“) aufweisen, die elektrisch und/oder physisch mit einem Package-Substrat 421 gekoppelt sind. Der Die 402 kann Schaltungen (z.B. Schaltungen einer Speichervorrichtung 300 aus 3) wie beispielsweise eine CSD oder eine Speichervorrichtung mit einer CSD aufweisen, wie hier beschrieben. Bei einigen Ausführungsformen kann das Package-Substrat 421 mit einer Platine 422 gekoppelt sein, wie gezeigt.
  • Der Die 402 kann ein diskretes Produkt darstellen, das aus einem Halbleitermaterial (z.B. Silicium) unter Verwendung von Halbleiter-Herstellungstechniken wie beispielsweise Dünnschichtabscheidung, Lithographie, Ätzen und dergleichen hergestellt ist, die in Verbindung mit einem Ausbilden von CSDs eingesetzt werden. Bei einigen Ausführungsformen kann der Die 402 ein Prozessor, ein Speicher, ein System-on-Chip (SoC) oder eine ASIC sein, eine(n) solche(n) aufweisen oder ein Teil davon sein. Bei einigen Ausführungsformen kann ein elektrisch isolierendes Material wie beispielsweise Formmasse oder Unterfüllmaterial (nicht gezeigt) mindestens einen Abschnitt des Die 402 und/oder von Verbindungsstrukturen 406 auf Die-Ebene einkapseln.
  • Der Die 402 kann an dem Package-Substrat 421 in Übereinstimmung mit einer Vielzahl geeigneter Konfigurationen befestigt sein, kann zum Beispiel unter anderem wie dargestellt direkt mit dem Package-Substrat 421 in einer Flip-Chip-Konfiguration gekoppelt sein. Bei der Flip-Chip-Konfiguration wird eine aktive Seite S1 des Die 402 mit aktiven Schaltungen an einer Oberfläche des Package-Substrats 421 unter Verwendung von Verbindungsstrukturen 406 auf Die-Ebene wie beispielsweise Höckern, Säulen (pillars) oder anderen geeigneten Strukturen befestigt, die außerdem den Die 402 elektrisch mit dem Package-Substrat 421 koppeln können. Die aktive Seite S1 des Die 402 kann Schaltungen wie beispielsweise CSD-Schaltungen aufweisen. Eine inaktive Seite S2 kann der aktiven Seite S1 gegenüberliegend angeordnet sein, wie gezeigt. Bei anderen Ausführungsformen kann der Die 402 auf einem anderen Die angeordnet sein, der mit dem Package-Substrat 421 in einer von verschiedenen geeigneten gestapelten Die-Konfigurationen gekoppelt ist. Zum Beispiel kann ein Prozessor-Die mit dem Package-Substrat 421 in einer Flip-Chip-Konfiguration gekoppelt sein, und der Die 402 kann auf dem Prozessor-Die in einer Flip-Chip-Konfiguration angebracht und mit dem Package-Substrat unter Verwendung von Through-Silicon-Vias (TSVs) elektrisch gekoppelt sein, die durch den Prozessor-Die hindurch ausgebildet sind. Bei noch anderen Ausführungsformen kann der Die 402 in das Package-Substrat 421 eingebettet oder mit einem Die gekoppelt sein, der in das Package-Substrat 421 eingebettet ist. Andere Dies können bei anderen Ausführungsformen mit dem Package-Substrat 421 in einer Seite-an-Seite-Konfiguration mit dem Die 402 gekoppelt sein.
  • Bei einigen Ausführungsformen können die Verbindungsstrukturen 406 auf Die-Ebene dafür konfiguriert sein, elektrische Signale zwischen dem Die 402 und dem Package-Substrat 421 zu leiten. Zu den elektrischen Signalen können zum Beispiel Eingangs/Ausgangssignale (E/A-Signale) und/oder Spannungs/Masse-Signale zählen, die in Verbindung mit einem Betrieb des Die verwendet werden. Die Verbindungsstrukturen 406 auf Die-Ebene können mit entsprechenden Die-Kontakten, die auf der aktiven Seite S1 des Die 402 angeordnet sind, und mit entsprechenden Package-Kontakten, die auf dem Package-Substrat 421 angeordnet sind, gekoppelt sein. Zu den Die-Kontakten und/oder Package-Kontakten können zum Beispiel Anschlussflächen (pads), Vias, Gräben, Leiterbahnen und/oder andere geeignete Kontaktstrukturen zählen.
  • Bei einigen Ausführungsformen kann das Package-Substrat 421 ein Laminatsubstrat auf Grundlage von Epoxid mit einem Kern und/oder Aufbauschichten sein, wie beispielsweise ein Ajinomoto-Build-up-Film-Substrat (ABF-Substrat). Das Package-Substrat 421 kann bei anderen Ausführungsformen andere geeignete Substrattypen beinhalten, darunter beispielsweise aus Glas, Keramik oder Halbleitermaterialien ausgebildete Substrate.
  • Das Package-Substrat 421 kann elektrische Leitmerkmale (electrical routing features) aufweisen, die dafür konfiguriert sind, elektrische Signale zu dem Die 402 oder von diesem weg zu leiten. Zu den elektrischen Leitmerkmalen können zum Beispiel Package-Kontakte (z.B. die Anschlussflächen 410), die auf einer oder mehreren Oberflächen des Package-Substrats 421 angeordnet sind, und/oder interne Leitmerkmale (nicht gezeigt) wie beispielsweise Gräben, Vias oder andere Verbindungsstrukturen zum Leiten elektrischer Signale durch das Package-Substrat 421 zählen.
  • Die Platine 422 kann eine gedruckte Schaltung (printed circuit board, PCB) sein, die aus einem elektrisch isolierenden Material wie beispielsweise einem Epoxid-Laminat besteht. Zum Beispiel kann die Platine 422 elektrisch isolierende Schichten aufweisen, die aus Materialien bestehen wie beispielsweise Polytetrafluorethylen, Phenolbaumwollpapier-Materialien wie beispielsweise Flame Retardant 4 (FR-4), FR-1, Baumwollpapier- und Epoxid-Materialien, wie beispielsweise CEM-1 oder CEM-3, oder Glasgewebematerialien, die unter Verwendung eines Epoxidharz-Prepreg-Materials zusammenlaminiert sind. Verbindungsstrukturen (nicht gezeigt), wie beispielsweise Leiterbahnen, Gräben, Vias, können durch die elektrisch isolierenden Schichten hindurch ausgebildet werden, um die elektrischen Signale des Die 402 durch die Platine 422 zu leiten. Die Platine 422 kann bei anderen Ausführungsformen aus anderen geeigneten Materialien bestehen. Bei einigen Ausführungsformen ist die Platine 422 eine Hauptplatine (z.B. die Hauptplatine 502 aus 5).
  • Verbindungen auf Package-Ebene wie zum Beispiel Lotkugeln 412 können mit Anschlussflächen 410 auf dem Package-Substrat 421 und/oder der Platine 422 gekoppelt sein, um entsprechende Lötstellen zu bilden, die dafür konfiguriert sind, die elektrischen Signale weiter zwischen dem Package-Substrat 421 und der Platine 422 zu leiten. Die Anschlussflächen 410 können aus einem beliebigen elektrisch leitenden Material wie zum Beispiel Metall, einschließlich beispielsweise Nickel (Ni), Palladium (Pd), Gold (Au), Silber (Ag), Kupfer (Cu) sowie deren Kombinationen bestehen. Zu den Verbindungen auf Package-Ebene können andere Strukturen und/oder Konfigurationen zählen, darunter beispielsweise Land-Grid-Array-Strukturen (LGA-Strukturen) und dergleichen.
  • Die IC-Anordnung 400 kann bei anderen Ausführungsformen eine Vielzahl anderer geeigneter Konfigurationen aufweisen, darunter beispielsweise geeignete Kombinationen von Flip-Chip- und/oder Drahtbond-Konfigurationen, Interposer, Multi-Chip-Package-Konfigurationen, darunter System-in-Package(SiP)- und/oder Package-on-Package-Konfigurationen (PoP-Konfigurationen). Andere geeignete Techniken zum Leiten elektrischer Signale zwischen dem Die 402 und anderen Komponenten der IC-Anordnung 400 können bei einigen Ausführungsformen verwendet werden.
  • Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung können in einem System unter Verwendung beliebiger geeigneter Hardware und/oder Software für eine wunschgemäße Konfiguration realisiert werden. 5 veranschaulicht schematisch ein beispielhaftes System (z.B. eine Datenverarbeitungsvorrichtung 500), das eine Speichervorrichtung mit einer CSD gemäß verschiedenen hier beschriebenen Ausführungsformen aufweist. Die Datenverarbeitungsvorrichtung 500 kann eine Platine wie beispielsweise die Hauptplatine 502 beherbergen Die Hauptplatine 502 kann eine Anzahl von Komponenten aufweisen, einschließlich, aber ohne darauf beschränkt zu sein, einen Prozessor 504 und mindestens einen Datenübertragungschip 506. Der Prozessor 504 kann physisch und elektrisch mit der Hauptplatine 502 verbunden sein. Bei einigen Realisierungen kann der mindestens eine Datenübertragungschip 506 ebenfalls physisch und elektrisch mit der Hauptplatine 502 verbunden sein. Bei weiteren Realisierungen kann der Datenübertragungschip 506 Teil des Prozessors 504 sein.
  • In Abhängigkeit von ihren Anwendungen kann die Datenverarbeitungsvorrichtung 500 andere Komponenten aufweisen, die physisch und elektrisch mit der Hauptplatine 502 verbunden sein können. Zu diesen anderen Komponenten können zählen, aber ohne einschränkend zu wirken: flüchtiger Speicher (z.B. DRAM), nichtflüchtiger Speicher (z.B. ROM), Flash-Speicher, ein Grafikprozessor, ein digitaler Signalprozessor, ein Kryptoprozessor, ein Chipsatz, eine Antenne, eine Anzeige, eine Touchscreen-Anzeige, ein Touchscreen-Controller, eine Batterie, ein Audio-Codec, ein Video-Codec, ein Leistungsverstärker, eine GPS(global positioning system)-Vorrichtung, ein Kompass, ein Geigerzähler, ein Beschleunigungsmesser, ein Gyroskop, ein Lautsprecher, eine Kamera und eine Massenspeichervorrichtung (wie beispielsweise ein Festplattenlaufwerk, eine Compact Disk (CD), eine DVD (digital versatile disk) und so weiter.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die CSD 508 mit hier beschriebenen Ausführungsformen übereinstimmen. Zum Beispiel kann es sich bei der CSD 508 um eine CSD handeln, wie sie in 2 und 3 beschrieben wird, wie hier ferner beschrieben wird.
  • Der Datenübertragungschip 506 kann drahtlose Übermittlungen zum Übertragen von Daten zu der Datenverarbeitungsvorrichtung 500 und von dieser weg ermöglichen. Der Begriff „drahtlos“ und seine Ableitungen können verwendet werden, um Schaltungen, Vorrichtungen, Systeme, Verfahren, Techniken, Datenübertragungskanäle usw. zu beschreiben, die möglicherweise Daten durch die Verwendung modulierter elektromagnetischer Strahlung durch ein nicht festes Medium übermitteln. Der Begriff beinhaltet nicht, dass die ihm zugeordneten Vorrichtungen keine Drähte enthalten, obwohl dies bei einigen Ausführungsformen zutreffen kann. Der Datenübertragungschip 506 kann beliebige aus einer Anzahl von Drahtlosstandards oder -protokollen realisieren, einschließlich, aber ohne darauf beschränkt zu sein: Standards des Institute for Electrical and Electronic Engineers (IEEE), darunter WLAN (IEEE 802.11-Gruppe), IEEE 802.16-Standards (z.B. IEEE 802.16-2005, Änderung), das Long-Term-Evolution-Projekt (LTE-Projekt) zusammen mit sämtlichen Änderungen, Aktualisierungen und/oder Überarbeitungen (z.B. das Advanced-LTE-Projekt, Ultra-Mobile-Broadband-Projekt (UMB-Projekt) (auch als „3GPP2“ bezeichnet) usw.). Mit IEEE 802.16 kompatible Breitband-Netzwerke mit drahtlosem Zugang (broadband wireless access (BWA) networks) werden im Allgemeinen als WiMAX-Netzwerke bezeichnet, ein Akronym, das für „Worldwide Interoperability for Microwave Access“ steht, welches ein Prüfzeichen für Produkte ist, die Konformitäts- und Interoperabilitätstests für die IEEE 802.16-Standards bestehen. Der Datenübertragungschip 506 kann in Übereinstimmung mit einem GSM(Global System for Mobile Communication)-, GPRS(General Packet Radio Service)-, UMTS(Universal Mobile Telecommunications System)-, HSPA(High Speed Packet Access)-, E-HSPA(Evolved HSPA)- oder LTE-Netzwerk arbeiten. Der Datenübertragungschip 506 kann in Übereinstimmung mit EDGE (Enhanced Data for GSM Evolution), GERAN (GSM EDGE Radio Access Network), UTRAN (Universal Terrestrial Radio Access Network) oder E-UTRAN (Evolved UTRAN) arbeiten. Der Datenübertragungschip 506 kann in Übereinstimmung mit CDMA (Code Division Multiple Access), TDMA (Time Division Multiple Access), DECT (Digital Enhanced Cordless Telecommunications), EV-DO (Evolution-Data Optimized), Weiterentwicklungen davon, wie auch mit beliebigen anderen Drahtlosprotokollen arbeiten, die als 3G, 4G, 5G und darüber hinaus bezeichnet werden. Der Datenübertragungschip 506 kann bei anderen Ausführungsformen in Übereinstimmung mit anderen Drahtlosprotokollen arbeiten.
  • Die Datenverarbeitungsvorrichtung 500 kann mehrere Datenübertragungschips 506 aufweisen. Zum Beispiel kann ein erster Datenübertragungschip 506 drahtlosen Datenübertragungen mit kürzerer Reichweite wie beispielsweise Wi-Fi und Bluetooth fest zugewiesen sein, und ein zweiter Datenübertragungschip 506 kann drahtlosen Datenübertragungen mit längerer Reichweite wie beispielsweise GPS, EDGE, GPRS, CDMA, WiMAX, LTE, EV-DO sowie anderen fest zugewiesen sein.
  • Bei verschiedenen Realisierungen kann die Datenverarbeitungsvorrichtung 500 eine mobile Datenverarbeitungsvorrichtung, ein Laptop, ein Netbook, ein Notebook, ein Ultrabook, ein Smartphone, ein Tablet, ein persönlicher digitaler Assistent (PDA), ein ultramobiler PC, ein Mobiltelefon, ein Desktop-Computer, ein Server, ein Drucker, ein Scanner, ein Monitor, eine Set-Top-Box, eine Unterhaltungssteuerungseinheit, eine digitale Kamera, ein tragbarer Musikabspieler oder ein digitaler Videorecorder sein. Bei weiteren Realisierungen kann die Datenverarbeitungsvorrichtung 500 eine beliebige andere elektronische Vorrichtung sein, die Daten verarbeitet.
  • BEISPIELE
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen beschreibt die vorliegende Offenbarung eine Chalkogenidglas-Zusammensetzung, Chalkogenid-Schaltervorrichtungen wie beispielsweise Chalkogenid-Schalter-Speichervorrichtungen sowie Systeme mit Chalkogenid-Schaltervorrichtungen.
  • Beispiel 1 einer Chalkogenid-Zusammensetzung kann Silicium im Bereich von 3 bis 15 Gewichtsprozent relativ zu einem Gesamtgewicht der Zusammensetzung; Germanium im Bereich von 8 bis 16 Gewichtsprozent relativ zu dem Gesamtgewicht der Zusammensetzung; Selen in einer Menge größer als 40 Gewichtsprozent relativ zu dem Gesamtgewicht der Zusammensetzung und Arsen im Bereich von 20 bis 35 Gewichtsprozent relativ zu dem Gesamtgewicht der Zusammensetzung aufweisen. Beispiel 2 kann Beispiel 1 und andere hier angeführte Beispiele einschließen, wobei das Silicium im Bereich von 8 bis 12 Gewichtsprozent relativ zu dem Gesamtgewicht der Zusammensetzung liegen kann. Beispiel 3 kann die Beispiele 1 bis 2 sowie andere hier angeführte Beispiele einschließen, wobei das Germanium im Bereich von 9 bis 12 Gewichtsprozent relativ zu dem Gesamtgewicht der Zusammensetzung liegen kann. Beispiel 4 kann die Beispiele 1 bis 3 sowie andere hier angeführte Beispiele einschließen, wobei das Selen in einer Menge größer als 50 Gewichtsprozent relativ zu dem Gesamtgewicht der Zusammensetzung vorliegen kann. Beispiel 5 kann die Beispiele 1 bis 4 sowie andere hier angeführte Beispiele einschließen, wobei das Arsen im Bereich von 29 bis 31 Gewichtsprozent relativ zu dem Gesamtgewicht der Zusammensetzung liegen kann. Beispiel 6 kann die Beispiele 1 bis 5 sowie andere hier angeführte Beispiele einschließen, wobei das Silicium plus das Germanium 20 oder mehr Gewichtsprozent relativ zu dem Gesamtgewicht der Zusammensetzung ausmachen können. Beispiel 7 kann die Beispiele 1 bis 6 sowie andere hier angeführte Beispiele einschließen, wobei die Glasübergangstemperatur höher als 300 Grad Celsius sein kann. Beispiel 8 kann die Beispiele 1 bis 7 sowie andere hier angeführte Beispiele einschließen, wobei die Zusammensetzung eine Drift von etwa 12 Millivolt pro Dekade Wartezeit in Nanosekunden aufweisen kann.
  • Beispiel 9 einer Chalkogenid-Zusammensetzung kann Silicium im Bereich von 8 bis 12 Gewichtsprozent relativ zu einem Gesamtgewicht der Zusammensetzung; Germanium im Bereich von 9 bis 12% Gewichtsprozent relativ zu dem Gesamtgewicht der Zusammensetzung; Selen in einer Menge größer als 49 Gewichtsprozent relativ zu dem Gesamtgewicht der Zusammensetzung und Arsen im Bereich von 29 bis 31Gewichtsprozent relativ zu dem Gesamtgewicht der Zusammensetzung aufweisen. Beispiel 10 kann Beispiel 9 sowie andere hier angeführte Beispiele einschließen, wobei das Silicium plus das Germanium 20 oder mehr Gewichtsprozent relativ zu dem Gesamtgewicht der Zusammensetzung ausmachen können. Beispiel 11 kann die Beispiele 9 bis 10 sowie andere hier angeführte Beispiele einschließen, wobei die Zusammensetzung eine Drift von etwa 12 Millivolt pro Dekade Wartezeit in Nanosekunden aufweisen kann. Beispiel 12 kann die Beispiele 9 bis 11 sowie andere hier angeführte Beispiele einschließen, wobei die Glasübergangstemperatur höher als 300 Grad Celsius sein kann.
  • Beispiel 13 einer Vorrichtung kann eine erste Elektrode, eine zweite Elektrode und einen zwischen die erste und die zweite Elektrode gekoppelten Wahlschalter aufweisen, wobei der Wahlschalter ein Chalkogenidglas mit einer Zusammensetzung aufweisen kann, die Silicium im Bereich von 3 bis 15 Gewichtsprozent relativ zu einem Gesamtgewicht der Zusammensetzung; Germanium im Bereich von 8 bis 16 Gewichtsprozent relativ zu dem Gesamtgewicht der Zusammensetzung; Selen in einer Menge größer als 45 Gewichtsprozent relativ zu dem Gesamtgewicht der Zusammensetzung und Arsen im Bereich von 20 bis 35 Gewichtsprozent relativ zu dem Gesamtgewicht der Zusammensetzung aufweisen kann. Beispiel 14 kann Beispiel 13 sowie andere hier angeführte Beispiele einschließen, wobei das Silicium plus das Germanium 20 oder mehr Gewichtsprozent relativ zu dem Gesamtgewicht der Zusammensetzung ausmachen können. Beispiel 15 kann die Beispiele 13 bis 14 sowie andere hier angeführte Beispiele einschließen, wobei die Zusammensetzung eine Drift von etwa 12 Millivolt pro Dekade Wartezeit in Nanosekunden aufweisen kann. Beispiel 16 kann die Beispiele 13 bis 15 sowie andere hier angeführte Beispiele einschließen, wobei die Glasübergangstemperatur höher als 300 Grad Celsius sein kann.
  • Beispiel 17 einer Speichervorrichtung kann aufweisen: eine Bitleitungselektrode; eine Wortleitungselektrode, wobei die Wortleitungselektrode an einem Kreuzungspunkt quer über die Bitleitungselektrode verlaufen kann, eine an dem Kreuzungspunkt zwischen die Bitleitungselektrode und die Wortleitungselektrode gekoppelte Speicherzelle, wobei die Speicherzelle ein Speicherelement und einen mit dem Speicherelement gekoppelten Wahlschalter umfasst, wobei der Wahlschalter ein Chalkogenidglas mit einer Zusammensetzung aufweisen kann, die umfasst: Silicium im Bereich von 3 bis 15 Gewichtsprozent relativ zu einem Gesamtgewicht der Zusammensetzung; Germanium im Bereich von 8 bis 16 Gewichtsprozent relativ zu dem Gesamtgewicht der Zusammensetzung; Selen in einer Menge größer als 45 Gewichtsprozent relativ zu dem Gesamtgewicht der Zusammensetzung und Arsen im Bereich von 20 bis 35 Gewichtsprozent relativ zu dem Gesamtgewicht der Zusammensetzung. Beispiel 18 kann Beispiel 17 sowie andere hier angeführte Beispiele einschließen, wobei das Silicium plus das Germanium 20 oder mehr Gewichtsprozent relativ zu dem Gesamtgewicht der Zusammensetzung ausmachen können. Beispiel 19 kann die Beispiele 17 bis 18 sowie andere hier angeführte Beispiele einschließen, wobei die Zusammensetzung eine Drift von etwa 12 Millivolt pro Dekade Wartezeit in Nanosekunden aufweisen kann. Beispiel 20 kann die Beispiele 17 bis 19 sowie andere hier angeführte Beispiele einschließen, wobei die Glasübergangstemperatur höher als 300 Grad Celsius sein kann.
  • Beispiel 21 eines Systems kann eine Platine aufweisen; einen mit der Platine gekoppelten Die, wobei der Die aufweisen kann: eine Speichervorrichtung, die aufweisen kann: eine Bitleitungselektrode; eine Wortleitungselektrode, wobei die Wortleitungselektrode an einem Kreuzungspunkt quer über die Bitleitungselektrode verlaufen kann, eine an dem Kreuzungspunkt zwischen die Bitleitungselektrode und die Wortleitungselektrode gekoppelte Speicherzelle, wobei die Speicherzelle ein Speicherelement und einen mit dem Speicherelement gekoppelten Wahlschalter umfasst, wobei der Wahlschalter ein Chalkogenidglas mit einer Zusammensetzung aufweisen kann, die umfasst: Silicium im Bereich von 3 bis 15 Gewichtsprozent relativ zu einem Gesamtgewicht der Zusammensetzung; Germanium im Bereich von 8 bis 16 Gewichtsprozent relativ zu dem Gesamtgewicht der Zusammensetzung; Selen in einer Menge größer als 45 Gewichtsprozent relativ zu dem Gesamtgewicht der Zusammensetzung und Arsen im Bereich von 20 bis 35 Gewichtsprozent relativ zu dem Gesamtgewicht der Zusammensetzung. Beispiel 22 kann Beispiel 21 sowie andere hier angeführte Beispiele einschließen, wobei das Silicium plus das Germanium 20 oder mehr Gewichtsprozent relativ zu dem Gesamtgewicht der Zusammensetzung ausmachen können. Beispiel 23 kann die Beispiele 21 bis 22 sowie andere hier angeführte Beispiele einschließen, wobei die Zusammensetzung eine Drift von etwa 12 Millivolt pro Dekade Wartezeit in Nanosekunden aufweisen kann. Beispiel 24 kann die Beispiele 21 bis 23 sowie andere hier angeführte Beispiele einschließen, wobei die Glasübergangstemperatur höher als 300 Grad Celsius sein kann. Beispiel 25 kann die Beispiele 17 bis 24 sowie andere hier angeführte Beispiele einschließen, wobei das System eine mobile Datenverarbeitungsvorrichtung mit einem oder mehreren aus einer Antenne, einer Anzeige, einer Touchscreen-Anzeige, einem Touchscreen-Controller, einer Batterie, einem Audio-Codec, einem Video-Codec, einem Leistungsverstärker, einer GPS(global positioning system)-Vorrichtung, einem Kompass, einem Geigerzähler, einem Beschleunigungsmesser, einem Gyroskop, einem Lautsprecher oder einer Kamera sein kann, der/die mit der Platine gekoppelt ist/sind.
  • Verschiedene Ausführungsformen können jede beliebige Kombination der vorstehend beschriebenen Ausführungsformen aufweisen, darunter alternative (oder) Ausführungsformen von Ausführungsformen, die vorstehend in konjunktiver Form (und) beschrieben sind (z.B. kann das „und“ „und/oder“ sein). Darüber hinaus können einige Ausführungsformen ein oder mehrere Erzeugnisse (z.B. nichtflüchtige computerlesbare Medien) aufweisen, auf denen Anweisungen gespeichert sind, die, wenn sie ausgeführt werden, Aktionen einer der vorstehend beschriebenen Ausführungsformen zur Folge haben. Darüber hinaus können einige Ausführungsformen Vorrichtungen oder Systeme mit beliebigen geeigneten Mitteln zum Ausführen der verschiedenen Operationen der vorstehend beschriebenen Ausführungsformen aufweisen. Die vorstehende Beschreibung veranschaulichter Realisierungen, einschließlich des in der Zusammenfassung Beschriebenen, soll nicht vollständig sein oder die Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung auf die genauen offenbarten Formen beschränken. Obwohl spezielle Realisierungen und Beispiele hier zu Veranschaulichungszwecken beschrieben werden, sind verschiedene gleichwertige Modifikationen innerhalb des Schutzbereichs der vorliegenden Offenbarung möglich, wie Fachleute des relevanten Standes der Technik erkennen werden. Diese Modifikationen können in Anbetracht der vorstehenden ausführlichen Beschreibung an Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung vorgenommen werden. Die in den nachfolgenden Ansprüchen verwendeten Begriffe sollten nicht so aufgefasst werden, dass sie verschiedene Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung auf die speziellen in der Beschreibung und den Ansprüchen offenbarten Realisierungen einschränken. Vielmehr soll der Schutzbereich vollständig durch die nachfolgenden Ansprüche festgelegt sein, die gemäß gängigen Grundsätzen der Auslegung von Ansprüchen auszulegen sind.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Nicht-Patentliteratur
    • IEEE 802.11-Gruppe [0030]
    • IEEE 802.16-Standards [0030]
    • IEEE 802.16-2005 [0030]
    • IEEE 802.16 [0030]
    • IEEE 802.16-Standards [0030]

Claims (25)

  1. Chalkogenidglas-Zusammensetzung, die umfasst: Silicium im Bereich von 3 bis 15 Gewichtsprozent relativ zu einem Gesamtgewicht der Zusammensetzung; Germanium im Bereich von 8 bis 16 Gewichtsprozent relativ zu dem Gesamtgewicht der Zusammensetzung; Selen in einer Menge größer als 40 Gewichtsprozent relativ zu dem Gesamtgewicht der Zusammensetzung und Arsen im Bereich von 20 bis 35 Gewichtsprozent relativ zu dem Gesamtgewicht der Zusammensetzung.
  2. Chalkogenidglas-Zusammensetzung nach Anspruch 1, wobei das Silicium im Bereich von 8 bis 12 Gewichtsprozent relativ zu dem Gesamtgewicht der Zusammensetzung liegt.
  3. Chalkogenidglas-Zusammensetzung nach Anspruch 1, wobei das Germanium im Bereich von 9 bis 12 Gewichtsprozent relativ zu dem Gesamtgewicht der Zusammensetzung liegt.
  4. Chalkogenidglas-Zusammensetzung nach Anspruch 1, wobei das Selen in einer Menge größer als 50 Gewichtsprozent relativ zu dem Gesamtgewicht der Zusammensetzung vorliegt.
  5. Chalkogenidglas-Zusammensetzung nach Anspruch 1, wobei das Arsen im Bereich von 29 bis 31 Gewichtsprozent relativ zu dem Gesamtgewicht der Zusammensetzung liegt.
  6. Chalkogenidglas-Zusammensetzung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei das Silicium plus das Germanium 20 oder mehr Gewichtsprozent relativ zu dem Gesamtgewicht der Zusammensetzung ausmachen.
  7. Chalkogenidglas-Zusammensetzung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei die Glasübergangstemperatur höher als 300 Grad Celsius ist.
  8. Chalkogenidglas-Zusammensetzung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei die Zusammensetzung eine Drift von etwa 12 Millivolt pro Dekade Wartezeit in Nanosekunden aufweist.
  9. Chalkogenidglas-Zusammensetzung, die umfasst: Silicium im Bereich von 8 bis 12 Gewichtsprozent relativ zu einem Gesamtgewicht der Zusammensetzung; Germanium im Bereich von 9 bis 12 Gewichtsprozent relativ zu dem Gesamtgewicht der Zusammensetzung; Selen in einer Menge von größer als 49 Gewichtsprozent relativ zu dem Gesamtgewicht der Zusammensetzung und Arsen im Bereich von 29 bis 31 Gewichtsprozent relativ zu dem Gesamtgewicht der Zusammensetzung.
  10. Chalkogenidglas-Zusammensetzung nach Anspruch 9, wobei das Silicium plus das Germanium 20 oder mehr Gewichtsprozent relativ zu dem Gesamtgewicht der Zusammensetzung ausmachen.
  11. Chalkogenidglas-Zusammensetzung nach Anspruch 9, wobei die Zusammensetzung eine Drift von etwa 12 Millivolt pro Dekade Wartezeit in Nanosekunden aufweist.
  12. Chalkogenidglas-Zusammensetzung nach Anspruch 9, wobei die Glasübergangstemperatur höher als 300 Grad Celsius ist.
  13. Vorrichtung, die umfasst: eine erste Elektrode; eine zweite Elektrode und einen zwischen die erste und zweite Elektrode gekoppelten Wahlschalter, wobei der Wahlschalter ein Chalkogenidglas mit einer Zusammensetzung aufweist, die umfasst: Silicium im Bereich von 3 bis 15 Gewichtsprozent relativ zu einem Gesamtgewicht der Zusammensetzung; Germanium im Bereich von 8 bis 16 Gewichtsprozent relativ zu dem Gesamtgewicht der Zusammensetzung; Selen in einer Menge von größer als 45 Gewichtsprozent relativ zu dem Gesamtgewicht der Zusammensetzung und Arsen im Bereich von 20 bis 35 Gewichtsprozent relativ zu dem Gesamtgewicht der Zusammensetzung.
  14. Vorrichtung nach Anspruch 13, wobei das Silicium plus das Germanium 20 oder mehr Gewichtsprozent relativ zu dem Gesamtgewicht der Zusammensetzung ausmachen.
  15. Vorrichtung nach Anspruch 13, wobei die Zusammensetzung eine Drift von etwa 12 Millivolt pro Dekade Wartezeit in Nanosekunden aufweist.
  16. Vorrichtung nach Anspruch 13, wobei die Glasübergangstemperatur höher als 300 Grad Celsius ist.
  17. Speichervorrichtung, die aufweist: eine Bitleitungselektrode; eine Wortleitungselektrode, wobei die Wortleitungselektrode an einem Kreuzungspunkt quer über die Bitleitungselektrode verläuft; eine Speicherzelle, die an dem Kreuzungspunkt zwischen die Bitleitungselektrode und die Wortleitungselektrode gekoppelt ist, wobei die Speicherzelle ein Speicherelement und einen mit dem Speicherelement gekoppelten Wahlschalter umfasst, wobei der Wahlschalter ein Chalkogenidglas mit einer Zusammensetzung aufweist, die umfasst: Silicium im Bereich von 3 bis 15 Gewichtsprozent relativ zu einem Gesamtgewicht der Zusammensetzung; Germanium im Bereich von 8 bis 16 Gewichtsprozent relativ zu dem Gesamtgewicht der Zusammensetzung; Selen in einer Menge von größer als 45 Gewichtsprozent relativ zu dem Gesamtgewicht der Zusammensetzung und Arsen im Bereich von 20 bis 35 Gewichtsprozent relativ zu dem Gesamtgewicht der Zusammensetzung.
  18. Speichervorrichtung nach Anspruch 17, wobei das Silicium plus das Germanium 20 oder mehr Gewichtsprozent relativ zu dem Gesamtgewicht der Zusammensetzung ausmachen.
  19. Speichervorrichtung nach Anspruch 17, wobei die Zusammensetzung eine Drift von etwa 12 Millivolt pro Dekade Wartezeit in Nanosekunden aufweist.
  20. Speichervorrichtung nach Anspruch 17, wobei die Glasübergangstemperatur höher als 300 Grad Celsius ist.
  21. System, das umfasst: eine Platine; einen mit der Platine gekoppelten Die, wobei der Die umfasst: eine Speichervorrichtung, die umfasst eine Bitleitungselektrode; eine Wortleitungselektrode, wobei die Wortleitungselektrode an einem Kreuzungspunkt quer über die Bitleitungselektrode verläuft; eine Speicherzelle, die an dem Kreuzungspunkt zwischen die Bitleitungselektrode und die Wortleitungselektrode gekoppelt ist, wobei die Speicherzelle ein Speicherelement und einen mit dem Speicherelement gekoppelten Wahlschalter umfasst, wobei der Wahlschalter ein Chalkogenidglas mit einer Zusammensetzung aufweist, die umfasst: Silicium im Bereich von 3 bis 15 Gewichtsprozent relativ zu einem Gesamtgewicht der Zusammensetzung; Germanium im Bereich von 8 bis 16 Gewichtsprozent relativ zu dem Gesamtgewicht der Zusammensetzung; Selen in einer Menge von größer als 45 Gewichtsprozent relativ zu dem Gesamtgewicht der Zusammensetzung und Arsen im Bereich von 20 bis 35 Gewichtsprozent relativ zu dem Gesamtgewicht der Zusammensetzung.
  22. System nach Anspruch 21, wobei das Silicium plus das Germanium 20 oder mehr Gewichtsprozent relativ zu dem Gesamtgewicht der Zusammensetzung ausmachen.
  23. System nach Anspruch 21, wobei die Zusammensetzung eine Drift von etwa 12 Millivolt pro Dekade Wartezeit in Nanosekunden aufweist.
  24. System nach Anspruch 21, wobei die Glasübergangstemperatur höher als 300 Grad Celsius ist.
  25. System nach einem der Ansprüche 21 bis 24, wobei das System eine mobile Datenverarbeitungsvorrichtung mit einem oder mehreren aus einer Antenne, einer Anzeige, einer Touchscreen-Anzeige, einem Touchscreen-Controller, einer Batterie, einem Audio-Codec, einem Video-Codec, einem Leistungsverstärker, einer GPS-Vorrichtung (global positioning system (GPS) device), einem Kompass, einem Geigerzähler, einem Beschleunigungsmesser, einem Gyroskop, einem Lautsprecher oder einer Kamera ist, der/die mit der Leiterplatte gekoppelt ist/sind.
DE102016102955.6A 2015-03-20 2016-02-19 Chalkogenidglas-Zusammensetzung und Chalkogenid-Schaltervorrichtungen Active DE102016102955B4 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US14/664,745 US9379321B1 (en) 2015-03-20 2015-03-20 Chalcogenide glass composition and chalcogenide switch devices
US14/664,745 2015-03-20

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE102016102955A1 true DE102016102955A1 (de) 2016-09-22
DE102016102955B4 DE102016102955B4 (de) 2018-10-18

Family

ID=56136492

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102016102955.6A Active DE102016102955B4 (de) 2015-03-20 2016-02-19 Chalkogenidglas-Zusammensetzung und Chalkogenid-Schaltervorrichtungen

Country Status (7)

Country Link
US (1) US9379321B1 (de)
JP (1) JP6760627B2 (de)
KR (1) KR101843837B1 (de)
BR (1) BR102016002949B1 (de)
DE (1) DE102016102955B4 (de)
TW (1) TWI572574B (de)
WO (1) WO2016153634A1 (de)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10191186B2 (en) 2013-03-15 2019-01-29 Schott Corporation Optical bonding through the use of low-softening point optical glass for IR optical applications and products formed
US10889887B2 (en) 2016-08-22 2021-01-12 Honeywell International Inc. Chalcogenide sputtering target and method of making the same
US10163977B1 (en) * 2017-03-22 2018-12-25 Micron Technology, Inc. Chalcogenide memory device components and composition
US10727405B2 (en) 2017-03-22 2020-07-28 Micron Technology, Inc. Chalcogenide memory device components and composition
US10475995B2 (en) 2017-12-22 2019-11-12 Intel Corporation Tip-contact controlled three dimensional (3D) vertical self select memory
US10374009B1 (en) * 2018-07-17 2019-08-06 Macronix International Co., Ltd. Te-free AsSeGe chalcogenides for selector devices and memory devices using same
KR102636534B1 (ko) * 2018-08-20 2024-02-15 에스케이하이닉스 주식회사 칼코게나이드 재료 및 이를 포함하는 전자 장치
KR102635268B1 (ko) * 2018-08-20 2024-02-13 에스케이하이닉스 주식회사 칼코게나이드 재료 및 이를 포함하는 전자 장치
EP3660932A1 (de) * 2018-11-30 2020-06-03 Micron Technology, INC. Auswahlbauelement und zusammensetzung für chalcogenid-speichervorrichtung
KR102188583B1 (ko) * 2018-12-03 2020-12-09 마이크론 테크놀로지, 인크 칼코게나이드 메모리 디바이스 컴포넌트들 및 조성물

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5389584A (en) * 1994-04-11 1995-02-14 Corning Incorporated Ga- and/or In-containing AsGe sulfide glasses
US5757446A (en) * 1994-10-14 1998-05-26 Energy Conversion Devices, Inc. Liquid crystal display matrix array employing ovonic threshold switching devices to isolate individual pixels
US5694146A (en) * 1994-10-14 1997-12-02 Energy Conversion Devices, Inc. Active matrix LCD array employing thin film chalcogenide threshold switches to isolate individual pixels
US6503859B1 (en) * 2001-06-28 2003-01-07 Corning Incorporated Molecular, inorganic glasses
US7151273B2 (en) * 2002-02-20 2006-12-19 Micron Technology, Inc. Silver-selenide/chalcogenide glass stack for resistance variable memory
US6984598B1 (en) * 2003-07-02 2006-01-10 Amorphous Materials, Inc. Infrared chalcogenide glass
US7116888B1 (en) * 2005-04-13 2006-10-03 Corning, Incorporated Chalcogenide glass for low viscosity extrusion and injection molding
US7426128B2 (en) 2005-07-11 2008-09-16 Sandisk 3D Llc Switchable resistive memory with opposite polarity write pulses
US7414883B2 (en) 2006-04-20 2008-08-19 Intel Corporation Programming a normally single phase chalcogenide material for use as a memory or FPLA
US20110121359A1 (en) 2008-07-31 2011-05-26 Jianhua Yang Multi-Layer Reconfigurable Switches
US8649212B2 (en) * 2010-09-24 2014-02-11 Intel Corporation Method, apparatus and system to determine access information for a phase change memory
EP2726423B1 (de) * 2011-07-01 2019-12-25 Corning Incorporated Chalcogenidglas
US9306159B2 (en) * 2014-04-30 2016-04-05 Micron Technology, Inc. Phase change memory stack with treated sidewalls

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
IEEE 802.16
IEEE 802.16-2005
IEEE 802.16-Standards

Also Published As

Publication number Publication date
KR20160112938A (ko) 2016-09-28
US9379321B1 (en) 2016-06-28
JP2018515405A (ja) 2018-06-14
TW201638035A (zh) 2016-11-01
WO2016153634A1 (en) 2016-09-29
JP6760627B2 (ja) 2020-09-23
DE102016102955B4 (de) 2018-10-18
BR102016002949B1 (pt) 2022-05-17
BR102016002949A2 (pt) 2016-11-01
TWI572574B (zh) 2017-03-01
KR101843837B1 (ko) 2018-04-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102016102955B4 (de) Chalkogenidglas-Zusammensetzung und Chalkogenid-Schaltervorrichtungen
DE102014116417B4 (de) Paket integrierter Schaltungen mit eingebetteter Brücke, Verfahren zum Zusammenbau eines solchen und Paketzusammensetzung
DE102014108328B4 (de) Gehäusebaugruppe für eingebettete chips und verfahren zum herstellen einer solchen
DE102015116760A1 (de) Elektrodenkonfigurationen zum erhöhen der elektrothermischen isolation von phasenwechselspeicher-elementen und zugehörige techniken
DE112016007304T5 (de) Eingebetteter die in interposer-gehäusen
DE112019001681T5 (de) Antennenmodule und kommunikationsvorrichtungen
DE112017008336T5 (de) Mikroelektronische Anordnungen
DE102018120665A1 (de) Abschirmen in elektronischen baugruppen
DE112017007887T5 (de) Antennenpackage mit kugel-anbringungs-array zum verbinden von antennen- und basissubstraten
DE102016100160A1 (de) Mikroelektronische Nacktchips mit abgeschrägten Ecken
DE112013006978T5 (de) Integrierte thermoelektrische Kühlung
DE112013005582T5 (de) Kontaktfleckstruktur für eine Silicium-Durchkontaktierung
DE102015105795B4 (de) Kontaktstellen für integrierte Schaltgehäuse und Verfahren zu deren Herstellung
DE102020103364A1 (de) Substrat-Patch-Rekonstitutionsoptionen
DE102020122288A1 (de) Hybrider interposer aus glas und silizium zur reduzierung des thermischen übersprechens
DE102021132253A9 (de) Hybride Herstellung für Vorrichtungen und Baugruppen mit einem integrierten Schaltkreis
DE102020108439A1 (de) Packages für integrierte Schaltungen mit Löt-Thermoschnittstellenmaterial
DE102015112979A1 (de) Techniken und Ausgestaltungen, die mit einer Gehäuselastbaugruppe assoziiert sind
DE112017008031T5 (de) Aktive silizium-brücke
DE112014006417T5 (de) Integrierte Schaltungsanordnungen mit Formmasse
DE102020127728A1 (de) Strukturen integrierter schaltungen mit rückseitigen durchkontaktierungen
DE112016005492T5 (de) Integrierte Schaltung mit Chip-auf-Chip- und Chip-auf-Substrat-Konfiguration
DE102020122314A1 (de) Koaxiale magnetische induktivitäten mit vorgefertigten ferritkernen
DE112017008139T5 (de) Dünnfilmtransistoren mit relativ erhöhter Breite und gemeinschaftlich verwendeten Bitleitungen
DE112016003782T5 (de) Substrat-auf-Substrat-Package

Legal Events

Date Code Title Description
R012 Request for examination validly filed
R016 Response to examination communication
R018 Grant decision by examination section/examining division
R020 Patent grant now final