TWI572574B - 硫族玻璃組成物及硫族開關裝置 - Google Patents

硫族玻璃組成物及硫族開關裝置 Download PDF

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Description

硫族玻璃組成物及硫族開關裝置 發明領域
本發明之實施例大體上係關於積體電路領域，且更明確而言關於用於臨限開關之硫族玻璃組成物。
發明背景
硫族玻璃組成物用於硫族開關裝置，包括半導體記憶體裝置。此等組成物通常具有臨限電壓，其在該臨限電壓下變得導電，亦即其接通以允許電流經過開關。臨限電壓可隨時間改變。此改變稱為偏移。組成物之較高偏移可限制使用硫族開關之裝置的有用性及效能。
依據本發明之一實施例，係特地提出一種硫族玻璃組成物，其包含：矽，其相對於該組成物之一總重量在按重量百分比3%至15%的範圍內；鍺，其相對於該組成物之該總重量在按重量百分比8%至16%的範圍內；硒，其相對於該組成物之該總重量在按重量百分比大於40%之量；以及砷，其相對於該組成物之該總重量在按重量百分比20%至35%的範圍內。
200‧‧‧臨限開關裝置
202‧‧‧第一電極
204‧‧‧第二電極
206‧‧‧半導體元件/電子元件
208‧‧‧硫族開關元件
300‧‧‧記憶體裝置
302‧‧‧位元線
304‧‧‧字線
306‧‧‧相交點
308‧‧‧記憶體元件
308.1、308.2‧‧‧導電路徑
400‧‧‧積體電路(IC)總成
402‧‧‧晶粒
406‧‧‧晶粒級互連結構
410‧‧‧襯墊
412‧‧‧焊球
421‧‧‧封裝基板
422‧‧‧電路板
500‧‧‧計算裝置
502‧‧‧主板
504‧‧‧處理器
506‧‧‧通信晶片
508‧‧‧CSD
S1‧‧‧作用側
S2‧‧‧非作用側
藉由以下詳細描述結合隨附圖式，將容易理解實施例。為便於此描述，類似參考數字表示類似結構元件。在隨附圖式之各圖中藉助於實例且非限制性地說明實施例。
圖1為本發明之硫族玻璃組成物與另一硫族玻璃組成物之比較的曲線圖，示出根據一些實施例，本發明之組成物的較低電壓偏移。
圖2示意地示出根據一些實施例之示例臨限開關裝置的橫截面側視圖。
圖3示意地示出根據一些實施例之示例記憶體裝置的俯視圖。
圖4示意地示出根據一些實施例之積體電路(IC)總成的橫截面側視圖。
圖5示意地示出根據本文所述之各種實施例之在開關裝置中包括硫族玻璃組成物的示例系統。
較佳實施例之詳細說明
本發明之實施例描述硫族玻璃組成物及硫族開關裝置(chalcogenide switch device，CSD)。在以下【實施方式】中，參考形成此處一部分的隨附圖式，其中通篇類似數字指定類似部件，且其中藉助於說明來展示可供實踐本發明之主題之實施例。應理解，在不背離本發明範疇之情況下，可利用其他實施例，且可進行結構或邏輯改變。 因此，以下【實施方式】不應以限制性意義來理解，且實施例之範疇由所附申請專利範圍及其等效物來界定。
出於本發明之目的，片語「A及/或B」意謂(A)、(B)或(A及B)。出於本發明之目的，片語「A、B及/或C」意謂(A)、(B)、(C)、(A及B)、(A及C)、(B及C)或(A、B及C)。
描述可使用片語「在一實施例中」或「在實施例中」，該等片語各自可指相同或不同實施例中之一或多者。此外，如關於本發明之實施例而使用，術語「包含」、「包括」、「具有」及其類似者為同義的。術語「耦接」可指直接連接、間接連接或間接通信。
如本文所使用，術語「模組」可指如下各者、為如下各者之部分或包括如下各者：特殊應用積體電路(Application Specific Integrated Circuit，ASIC)、電子電路、處理器(共用、專用或群組)及/或執行一或多個軟體或韌體程式之記憶體(共用、專用或群組)、組合邏輯電路、狀態機及/或提供所描述功能性之其他合適組件。
具有低電壓偏移且適用於基於硫族之開關的硫族玻璃組成物可包括元素矽(Si)、鍺(Ge)、硒(Se)以及砷(As)。硫族玻璃組成物可包含表1中鑑別之組成物，該表提供Si、Ge、Se及As之組成範圍(以重量百分比計)以及鑑別為第三組成物之特定組成物。
表1之硫族玻璃組成物可具有相對於具體組成物之總重量等於10重量%或更大的矽加鍺。表1之硫族玻璃組成物可具有相對於具體組成物之總重量等於15重量%或更大的矽加鍺。表1之硫族玻璃組成物可具有相對於具體組成物之總重量等於20重量%或更大的矽加鍺。表1之硫族玻璃組成物可具有等於或高於300℃之玻璃轉移溫度，視用於製造具有硫族開關裝置(CSD)之裝置的半導體方法而定。當半導體方法之溫度降低至低於300℃時，組成物之玻璃轉移溫度可降低。
圖1為本發明之硫族玻璃組成物與另一硫族玻璃組成物之比較的曲線圖，示出根據一些實施例，本發明之組成物的較低電壓偏移。圖1中展示之本發明之硫族玻璃組成物為表1中展示之第三組成物。第三組成物在臨限電壓變化對比以10為底奈秒等待時間的對數之半對數曲線圖中可具有約12毫伏/十倍奈秒時間(毫伏/十倍奈秒)之電壓偏移，如圖1中所示。出於明晰之目的，十倍為1×101，且兩次十倍為1×102。出於明晰之目的，在一個十倍(101×1奈秒)之後，偏移電壓之變化將為0.12mv。在兩次十倍(102×1奈秒)之後，變化將為0.24毫伏。12毫伏/十倍奈秒之電壓偏移可比72毫伏/十倍奈秒之先前技術硫族組成物低 約5-6倍。較低電壓偏移可提供表現較好的CSD，此係因為歷經一段時間總電壓偏移較低。玻璃轉移溫度及玻璃處理條件對在表1中所提供之範圍內之組成物選擇具有影響。
圖2示意地示出根據一些實施例之示例臨限開關裝置200的橫截面側視圖。裝置200可具有第一電極202及第二電極204。硫族開關元件208及半導體元件206可耦接在第一電極202與第二電極204之間。硫族開關元件208可包含如表1所示之組成物。電子元件206可為半導體記憶體元件，包括非揮發性記憶體元件或揮發性記憶體元件。電子元件206可為半導體相變記憶體元件。元件206可呈第一狀態。元件可藉由向第二電極施加比硫族開關元件208之臨限電壓大的電壓持續一段時間來變成第二狀態。半導體元件可藉由向第二電極施加比硫族開關元件208之臨限電壓大的電壓持續不同時間段來變成第三或第四狀態。臨限開關裝置200可位於記憶體裝置中，且複數個臨限開關裝置200呈二維或三維陣列形式。第一電極202可為記憶體裝置之位元線，而第二電極可為記憶體裝置之字線。第二電極204可為記憶體裝置之位元線，而第一電極可為記憶體裝置之字線。多個介電層可形成於位元線、字線、硫族開關元件208及電子元件206之間，如半導體記憶體設計技術中通常所知。
圖3示意地示出根據一些實施例之示例記憶體裝置300的俯視圖。記憶體裝置300可具有複數個位元線302及複數個字線304。在位元線與字線之相交點306處，記憶 體元件308可耦接至位元線302及字線304。記憶體元件308可利用導電路徑308.1、308.2(諸如橋接器)耦接，或直接耦接至位元線及字線。記憶體元件308可包括圖2之半導體記憶體元件206及圖2之硫族開關元件208，且可包括表1之硫族玻璃組成物。
圖4示意地示出根據一些實施例之積體電路(IC)總成400的橫截面側視圖。在一些實施例中，IC總成400可包括與封裝基板421電耦接及/或實體耦接之一或多個晶粒(下文中為「晶粒402」)。晶粒402可包括電路(例如圖3之記憶體裝置300之電路)，如CSD或具有CSD之記憶體裝置，如本文所述。在一些實施例中，如可看出，封裝基板421可與電路板422耦接。
晶粒402可表示使用與形成CSD結合使用的半導體製造技術(諸如薄膜沈積、微影、蝕刻及其類似技術)由半導體材料(例如矽)製備的分散的產品。在一些實施例中，晶粒402可為、包括或為如下各者之一部分：一些實施例中之處理器、記憶體、系統單晶片(system-on-chip，SoC)或ASIC。在一些實施例中，諸如模製化合物或底膠材料(未圖示)之電絕緣材料可囊封晶粒402及/或晶粒級互連結構406之至少一部分。
晶粒402可根據廣泛多種合適組態而附接至封裝基板421，如所描繪，包括(例如)以覆晶組態與封裝基板421直接耦接。在該覆晶組態中，晶粒402之包括主動式電路之作用側S1係使用晶粒級互連結構406(諸如，凸塊、導 柱或亦可電氣耦接晶粒402與封裝基板421之其他合適結構)而附接至封裝基板421之表面。晶粒402之作用側S1可包括諸如CSD電路之電路。如可看出，非作用側S2可安置成與作用側S1相對。在其他實施例中，晶粒402可安置於以多種合適堆疊晶粒組態中之任一組態與封裝基板421耦接的另一晶粒上。舉例而言，處理器晶粒可以覆晶組態與封裝基板421耦接，且晶粒402可以覆晶組態安裝於處理器晶粒上且使用經由處理器晶粒而形成的矽通孔(through-silicon via，TSV)與封裝基板電耦接。在又其他實施例中，晶粒402可嵌入於封裝基板421中或與嵌入於封裝基板421中的晶粒耦接。在其他實施例中，其他晶粒可以與晶粒402並排之組態與封裝基板421耦接。
在一些實施例中，晶粒級互連結構406可經組態以將電信號投送於晶粒402與封裝基板421之間。舉例而言，電信號可包括結合晶粒之操作而使用的輸入/輸出(input/output，I/O)信號及/或功率/接地信號。晶粒級互連結構406可與安置於晶粒402之作用側S1上的對應晶粒接點耦接且與安置於封裝基板421上的對應封裝接點耦接。晶粒接點及/或封裝接點可包括(例如)襯墊、通孔、渠溝、跡線及/或其他合適接觸結構。
在一些實施例中，封裝基板421可為具有核心及/或累積層的環氧樹脂類層壓基板，諸如味之素累積膜(Ajinomoto Build-up Film，ABF)基板。封裝基板421在其他實施例中可包括其他合適類型之基板，包括(例如)由玻 璃、陶瓷或半導體材料形成之基板。
封裝基板421可包括經組態以將電信號投送至晶粒402或自晶粒402投送電信號的電投送特徵。電投送特徵可包括例如安置於封裝基板421之一或多個表面上的封裝接點(例如襯墊410)及/或內部投送特徵(未圖示)，諸如渠溝、通孔或其他用以經由封裝基板421投送電信號的互連結構。
電路板422可為由諸如環氧樹脂層板之電絕緣材料組成的印刷電路板(printed circuit board，PCB)。舉例而言，電路板422可包括由如下各者組成之電絕緣層：諸如聚四氟乙烯之材料、諸如阻燃劑4(Flame Retardant 4，FR-4)、FR-1棉紙之酚棉紙材料及諸如CEM-1或CEM-3之環氧樹脂材料，或使用環氧樹脂預浸體材料而層壓在一起之編織玻璃材料。諸如跡線、渠溝、通孔之互連結構(未圖示)可經由電絕緣層而形成，以經由電路板422投送晶粒402之電信號。電路板422可由其他實施例中之其他合適材料構成。在一些實施例中，電路板422為主板(例如，圖5之主板502)。
諸如焊球412之封裝級互連件可耦接至封裝基板421上之襯墊410及/或電路板422上，以形成經組態以在封裝基板421與電路板422之間進一步投送電信號之對應焊接點。襯墊410可由任何合適導電材料構成，諸如，包括(例如)鎳(Ni)、鈀(Pd)、金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)及其組合之金屬。封裝級互連件可包括其他結構及/或組態，包括(例 如)平台柵格陣列(land-grid array，LGA)結構及其類似者。
IC總成400可在其他實施例中包括廣泛多種其他合適組態，包括(例如)覆晶及/或導線結合組態、插入件、包括系統級封裝(system-in-package，SiP)及/或疊層封裝(package-on-package，PoP)組態的多晶片封裝組態之合適組合。在一些實施例中，可使用用以在IC總成400之晶粒402與其他組件之間投送電信號之其他合適技術。
本發明之實施例可使用任何合適硬體及/或軟體視需要組態而實施至系統中。圖5示意地示出根據本文所述之各種實施例之包括具有CSD之記憶體裝置的示例系統(例如計算裝置500)。計算裝置500可容納板，諸如主板502。主板502可包括多個組件，包括(但不限於)處理器504及至少一個通信晶片506。處理器504可實體地且電耦接至主板502。在一些實施中，至少一種通信晶片506亦可實體地且電耦接至主板502。在其他實施中，通信晶片506可為處理器504之一部分。
視應用而定，計算裝置500可包括可以或可不實體地且電耦接至主板502之其他組件。此等其他組件可包括(但不限於)揮發性記憶體(例如DRAM)、非揮發性記憶體(例如ROM)、快閃記憶體、圖形處理器、數位信號處理器、密碼處理器、晶片組、天線、顯示器、觸控螢幕顯示器、觸控螢幕控制器、電池、音訊編解碼器、視訊編解碼器、功率放大器、全球定位系統(global positioning system，GPS)裝置、羅盤、蓋格計數器(Geiger counter)、 加速計、陀螺儀、揚聲器、攝影機及大容量儲存裝置(如硬碟驅動器、壓縮光碟(compact disk，CD)、數位多功能光碟(digital versatile disk，DVD)等)。
根據各種實施例，CSD 508可與本文所描述之實施例一致。舉例而言，CSD 508可包括如圖2及3中所述之CSD，如本文進一步所述。
通信晶片506可實現無線通信以用於將資料傳送至計算裝置500及自計算裝置500傳送資料。術語「無線」及其衍生詞可用於描述可經由使用調製電磁輻射經由非實體介質通信資料之電路、裝置、系統、方法、技術、通信通道等。該術語並不暗示相關聯裝置不含有任何導線，但在一些實施例中該等裝置可能不含有導線。通信晶片506可實施任何數目之無線標準或協議，包括(但不限於)電氣及電子工程師學會(Institute for Electrical and Electronic Engineers，IEEE)標準，包括Wi-Fi(IEEE 802.11家族)、IEEE 802.16標準(例如IEEE 802.16-2005修正)、長期演進(Long-Term Evolution，LTE)項目以及任何修正、更新及/或修訂(例如，高級LTE項目、超行動寬頻(ultra mobile broadband，UMB)項目(亦稱為「3GPP2」)等)。IEEE 802.16相容之寬頻無線存取(broadband wireless access，BWA)網路大體上被稱作WiMAX網路(表示微波存取全球互通之縮寫字)，其係通過IEEE 802.16標準之一致性及互操作性測試之產品的證明標誌。通信晶片506可根據全球行動通信系統(Global System for Mobile Communication，GSM)、通 用封包無線電服務(General Packet Radio Service，GPRS)、通用移動電信系統(Universal Mobile Telecommunications System，UMTS)、高速封包存取(High Speed Packet Access，HSPA)、演進式HSPA(Evolved HSPA，E-HSPA)或LTE網路進行操作。通信晶片506可根據增強型GSM演進資料(Enhanced Data for GSM Evolution，EDGE)、GSM EDGE無線電存取網路(GSM EDGE Radio Access Network，GERAN)、通用陸地無線電存取網路(Universal Terrestrial Radio Access Network，UTRAN)或演進式UTRAN(Evolved UTRAN，E-UTRAN)進行操作。通信晶片506可根據分碼多重存取(Code Division Multiple Access，CDMA)、分時多重存取(Time Division Multiple Access，TDMA)、數位增強型無線電信(Digital Enhanced Cordless Telecommunication，DECT)、演進資料最佳化(Evolution-Data Optimized，EV-DO)、其衍生物以及表示為3G、4G、5G及更高之任何其他無線協定進行操作。通信晶片506在其他實施例中可根據其他無線協定操作。
計算裝置500可包括複數個通信晶片506。舉例而言，第一通信晶片506可專用於較短範圍無線通信，諸如Wi-Fi及藍牙(Bluetooth)，且第二通信晶片506可專用於較長範圍無線通信，諸如GPS、EDGE、GPRS、CDMA、WiMAX、LTE、EV-DO及其他。
在各種實施中，計算裝置500可為行動計算裝 置、膝上型電腦、迷你筆記型電腦、筆記型電腦、超級本、智慧型電話、平板電腦、個人數位助理(personal digital assistant，PDA)、超級行動PC、行動電話、桌上型電腦、伺服器、打印機、掃描儀、監視器、機上盒、娛樂控制單元、數位攝影機、攜帶型音樂播放器或數位視訊錄製器。在其他實施中，計算裝置500可為處理資料之任何其他電子裝置。
實例
根據各種實施例，本發明描述一種硫族玻璃組成物、硫族開關裝置(如硫族開關記憶體裝置)及具有硫族開關裝置之系統。
硫族組成物之實例1可包括：矽，相對於該組成物之總重量，在3重量%至15重量%範圍內；鍺，相對於該組成物之總重量，在8重量%至16重量%範圍內；硒，相對於該組成物之總重量，量大於40重量%；以及砷，相對於該組成物之總重量，在20重量%至35重量%範圍內。實例2可包括實例1及本文中其他實例，其中該矽相對於該組成物之總重量可在8重量%至12重量%範圍內。實例3可包括實例1-2及本文中其他實例，其中該鍺相對於該組成物之總重量可在9重量%至12重量%範圍內。實例4可包括實例1-3及本文中其他實例，其中該硒的量相對於該組成物之總重量可大於50重量%。實例5可包括實例1-4及本文中其他實例，其中該砷相對於該組成物之總重量可在29重量%至31重量%範圍內。實例6可包括實例1-5及本文中其他實 例，其中該矽加該鍺相對於該組成物之總重量可為20重量%或更大。實例7可包括實例1-6及本文中其他實例，其中玻璃轉移溫度可大於300℃。實例8可包括實例1-7及本文中其他實例，其中該組成物可具有約12毫伏/十倍奈秒等待時間之偏移。
硫族組成物之實例9可包括：矽，相對於該組成物之總重量，在8重量%至12重量%範圍內；鍺，相對於該組成物之總重量，在9重量%至12重量%範圍內；硒，相對於該組成物之總重量，量大於49重量%；以及砷，相對於該組成物之總重量，在29重量%至31重量%範圍內。實例10可包括實例9及本文中其他實例，其中該矽加該鍺相對於該組成物之總重量可為20重量%或更大。實例11可包括實例9-10及本文中其他實例，其中該組成物可具有約12毫伏/十倍奈秒等待時間之偏移。實例12可包括實例9-11及本文中其他實例，其中玻璃轉移溫度可大於300℃。
設備之實例13可包括：第一電極；第二電極；及選擇器開關，其耦接在該第一電極與該第二電極之間，其中該選擇器開關可包括硫族玻璃，該硫族玻璃具有可包括以下各者之組成物：矽，相對於該組成物之總重量，在3重量%至15重量%範圍內；鍺，相對於該組成物之總重量，在8重量%至16重量%範圍內；硒，相對於該組成物之總重量，量大於45重量%；以及砷，相對於該組成物之總重量，在20重量%至35重量%範圍內。實例14可包括實例13及本文中其他實例，其中該矽加該鍺相對於該組成物之 總重量可為20重量%或更大。實例15可包括實例13-14及本文中其他實例，其中該組成物可具有約12毫伏/十倍奈秒等待時間之偏移。實例16可包括實例13-15及本文中其他實例，其中玻璃轉移溫度可大於300℃。
記憶體裝置之實例17可包括：位元線電極；字線電極，該字線電極可在交叉點處跨越該位元線電極；記憶體單元，其在該交叉點處耦接在該位元線電極與該字線電極之間，其中該記憶體單元包含記憶體元件及耦接至該記憶體元件之選擇器開關，其中該選擇器開關可包括硫族玻璃，該硫族玻璃具有包含以下各者之組成物：矽，相對於該組成物之總重量，在3重量%至15重量%範圍內；鍺，相對於該組成物之總重量，在8重量%至16重量%範圍內；硒，相對於該組成物之總重量，量大於45重量%；以及砷，相對於該組成物之總重量，在20重量%至35重量%範圍內。實例18可包括實例17及本文中其他實例，其中該矽加該鍺相對於該組成物之總重量可為20重量%或更大。實例19可包括實例17-18及本文中其他實例，其中該組成物可具有約12毫伏/十倍奈秒等待時間之偏移。實例20可包括實例17-19及本文中其他實例，其中玻璃轉移溫度可大於300℃。
系統之實例21可包括：電路板；晶粒，其耦接至該電路板，該晶粒可包括：記憶體裝置，其可包括：位元線電極；字線電極，該字線電極可在交叉點處跨越該位元線電極；記憶體單元，其在該交叉點處耦接在該位元線 電極與該字線電極之間，其中該記憶體單元包含記憶體元件及耦接至該記憶體元件之選擇器開關，其中該選擇器開關可包括硫族玻璃，該硫族玻璃具有包含以下各者之組成物：矽，相對於該組成物之總重量，在3重量%至15重量%範圍內；鍺，相對於該組成物之總重量，在8重量%至16重量%範圍內；硒，相對於該組成物之總重量，量大於45重量%；以及砷，相對於該組成物之總重量，在20重量%至35重量%範圍內。實例22可包括實例21及本文中其他實例，其中該矽加該鍺相對於該組成物之總重量可為20重量%或更大。實例23可包括實例21-22及本文中其他實例，其中該組成物可具有約12毫伏/十倍奈秒等待時間之偏移。實例24可包括實例21-23及本文中其他實例，其中玻璃轉移溫度可大於300℃。實例25可包括實例17-24及本文中其他實例，其中該系統可為行動計算裝置，其包括與該電路板耦接之以下各者中之一或多者：天線、顯示器、觸控螢幕顯示器、觸控螢幕控制器、電池、音訊編解碼器、視訊編解碼器、功率放大器、全球定位系統(GPS)裝置、羅盤、蓋格計數器、加速計、陀螺儀、揚聲器或攝影機。
各種實施例可包括上述實施例之任何合適組合，包括(及)在上文以結合形式描述的實施例之替代(或)實施例(例如，「及」可為「及/或」)。此外，一些實施例可包括一或多個製品(例如，非暫時性電腦可讀媒體)，該一或多個製品上儲存有在執行時產生上述實施例中之任一者之動作的指令。此外，一些實施例可包括具有用於進行 上述實施例之各種操作之任何合適構件的設備或系統。所說明實施之以上描述(包括發明摘要中所描述之內容)不意欲詳盡的或將本發明之實施例限於所揭示之精確形式。雖然特定實施及實例出於說明之目的而在本文中加以描述，但如熟習相關技術者將認識到，各種等效修改在本發明之範疇內係可能的。可根據以上詳細描述對本發明之實施例進行此等修改。以下申請專利範圍中所使用之術語不應被解釋為將本發明之各種實施例限於本說明書及申請專利範圍中所揭示之特定實施。實情為，範疇應完全由隨附申請專利範圍決定，該等申請專利範圍將根據申請專利範圍解譯之已建立原則來解釋。

Claims (25)

  1. 一種硫族玻璃組成物，其包含：矽，其相對於該組成物之一總重量在按重量百分比3%至15%的範圍內；鍺，其相對於該組成物之該總重量在按重量百分比8%至16%的範圍內；硒，其相對於該組成物之該總重量在按重量百分比大於40%之量；以及砷，其相對於該組成物之該總重量在按重量百分比20%至35%的範圍內。
  2. 如請求項1之硫族玻璃組成物，其中該矽係相對於該組成物之該總重量在按重量百分比8%至12%範圍內。
  3. 如請求項1之硫族玻璃組成物，其中該鍺係相對於該組成物之該總重量在按重量百分比9%至12%範圍內。
  4. 如請求項1之硫族玻璃組成物，其中該硒係相對於該組成物之該總重量在按重量百分比大於50%之量。
  5. 如請求項1之硫族玻璃組成物，其中該砷係相對於該組成物之該總重量在按重量百分比29%至31%範圍內。
  6. 如請求項1之硫族玻璃組成物，其中該矽加該鍺相對於該組成物之該總重量按重量百分比係為20%或更大。
  7. 如請求項1之硫族玻璃組成物，其中玻璃轉移溫度係大於300℃。
  8. 如請求項1之硫族玻璃組成物，其中該組成物具有約每 十倍奈秒等待時間12毫伏之一偏移。
  9. 一種硫族玻璃組成物，其包含：矽，其相對於該組成物之一總重量在按重量百分比8%至12%的範圍內；鍺，其相對於該組成物之該總重量在按重量百分比9%至12%的範圍內；硒，其相對於該組成物之該總重量在按重量百分比大於49%之量；以及砷，其相對於該組成物之該總重量在按重量百分比29%至31%的範圍內。
  10. 如請求項9之硫族玻璃組成物，其中該矽加該鍺相對於該組成物之該總重量按重量百分比係為20%或更大。
  11. 如請求項9之硫族玻璃組成物，其中該組成物具有約每十倍奈秒等待時間12毫伏之一偏移。
  12. 如請求項9之硫族玻璃組成物，其中玻璃轉移溫度係大於300℃。
  13. 一種設備，其包含：第一電極；第二電極；以及一選擇器開關，其耦接在該等第一電極與第二電極之間，其中該選擇器開關包括一硫族玻璃，該硫族玻璃具有包含以下各者之組成物：矽，其相對於該組成物之一總重量在按重量百分比3%至15%的範圍內； 鍺，其相對於該組成物之該總重量在按重量百分比8%至16%的範圍內；硒，其相對於該組成物之該總重量在按重量百分比大於45%之量；以及砷，其相對於該組成物之該總重量在按重量百分比20%至35%的範圍內。
  14. 如請求項13之設備，其中該矽加該鍺相對於該組成物之該總重量按重量百分比係為20%或更大。
  15. 如請求項13之設備，其中該組成物具有約每十倍奈秒等待時間12毫伏之一偏移。
  16. 如請求項13之設備，其中玻璃轉移溫度係大於300℃。
  17. 一種記憶體裝置，其包含：一位元線電極；一字線電極，該字線電極係在一交叉點處跨越該位元線電極；一記憶體單元，其在該交叉點處耦接在該位元線電極與該字線電極之間，其中該記憶體單元包含一記憶體元件及耦接至該記憶體元件之一選擇器開關，其中該選擇器開關包括一硫族玻璃，該硫族玻璃具有包含以下各者之組成物：矽，其相對於該組成物之一總重量在按重量百分比3%至15%的範圍內；鍺，其相對於該組成物之該總重量在按重量百分比8%至16%的範圍內； 硒，其相對於該組成物之該總重量在按重量百分比大於45%之量；以及砷，其相對於該組成物之該總重量在按重量百分比20%至35%的範圍內。
  18. 如請求項17之記憶體裝置，其中該矽加該鍺相對於該組成物之該總重量按重量百分比係為20%或更大。
  19. 如請求項17之記憶體裝置，其中該組成物具有約每十倍奈秒等待時間12毫伏之一偏移。
  20. 如請求項17之記憶體裝置，其中玻璃轉移溫度係大於300℃。
  21. 一種系統，其包含：一電路板；一晶粒，其耦接至該電路板，該晶粒包含：一記憶體裝置，其包含：一位元線電極；一字線電極，該字線電極係在一交叉點處跨越該位元線電極；一記憶體單元，其在該交叉點處耦接在該位元線電極與該字線電極之間，其中該記憶體單元包含一記憶體元件及耦接至該記憶體元件之一選擇器開關，其中該選擇器開關包括一硫族玻璃，該硫族玻璃具有包含以下各者之組成物：矽，其相對於該組成物之一總重量在 按重量百分比3%至15%的範圍內；鍺，其相對於該組成物之該總重量在按重量百分比8%至16%的範圍內；硒，其相對於該組成物之該總重量在按重量百分比大於45%之量；以及砷，其相對於該組成物之該總重量在按重量百分比20%至35%的範圍內。
  22. 如請求項21之系統，其中該矽加該鍺相對於該組成物之該總重量按重量百分比係為20%或更大。
  23. 如請求項21之系統，其中該組成物具有約每十倍奈秒等待時間12毫伏之一偏移。
  24. 如請求項21之系統，其中玻璃轉移溫度係大於300℃。
  25. 如請求項21之系統，其中該系統係一行動計算裝置，其包括與該電路板耦接之以下各者中之一或多者：一天線、一顯示器、一觸控螢幕顯示器、一觸控螢幕控制器、一電池、一音訊編解碼器、一視訊編解碼器、一功率放大器、一全球定位系統(GPS)裝置、一羅盤、一蓋格計數器(Geiger counter)、一加速計、一陀螺儀、一揚聲器或一攝影機。
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