DE102016101721B4

DE102016101721B4 - Pellicle-Baugruppe und Verfahren für verbesserte Lithographie

Info

Publication number: DE102016101721B4
Application number: DE102016101721.3A
Authority: DE
Inventors: Amö Chen; Yun-Yue Lin; Ta-Cheng Lien; Hsin-Chang Lee; Chih-Cheng Lin; Jeng-Horng Chen
Original assignee: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Current assignee: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Priority date: 2015-12-17
Filing date: 2016-02-01
Publication date: 2020-06-04
Anticipated expiration: 2036-02-02
Also published as: TWI587079B; CN107015431B; US20200150527A1; CN107015431A; US11294274B2; TW201723644A; US20170176850A1; US20170351170A1; US20220229360A1; US9759997B2; KR20170072768A; US10534256B2; KR101866017B1; US11914286B2; DE102016101721A1

Abstract

Vorrichtung für ein Halbleiter-Lithographieverfahren, die Folgendes umfasst:- eine Pellicle-Membran (306) mit einer thermisch leitfähigen Fläche;- einen porösen Pellicle-Rahmen (304), wobei der poröse Pellicle-Rahmen (304) mehrere Porenkanäle (502) umfasst, die sich ununterbrochen von einer Außenfläche (318) des porösen Pellicle-Rahmens (304) zu einer Innenfläche (316) des porösen Pellicle-Rahmens (304) erstrecken; und- eine thermisch leitfähige Klebeschicht (308), die die Pellicle-Membran (306) an dem porösen Pelliele-Rahmen (304) sichert.

Description

ALLGEMEINER STAND DER TECHNIK
In der industriellen Herstellung von integrierten Halbleiterschaltungen (integrated circuit - IC) haben technologische Fortschritte bei den IC-Materialien und bei ihrer Gestaltung Generationen von integrierten Schaltungen hergestellt, bei denen jede Generation kleinere und komplexere Schaltungen aufweist als die vorhergehende Generation. Im Laufe der Entwicklung von integrierten Schaltungen hat die Funktionsdichte (d. h. die Anzahl von pro Chipfläche miteinander verbundenen Bauelementen) allgemein zugenommen, während die Geometriegröße (d. h. das (die) kleinste Bauelement (oder Leitung), das (die) unter Verwendung eines Herstellungsverfahrens erzeugt werden kann) abgenommen hat. Dieser Prozess der maßstäblichen Verkleinerung stellt allgemein Vorteile durch die Erhöhung der Produktionseffizienz und die Senkung der damit verbundenen Kosten bereit. Eine solche maßstäbliche Verkleinerung hat auch die Komplexität der IC-Verarbeitung und Herstellung erhöht.
Ein Photolithographieverfahren bildet eine strukturierte Resist-Schicht für verschiedene Strukturierungsverfahren, wie beispielsweise Ätzen oder Ionenimplantation. Die kleinste Merkmalsgröße, die mittels eines solchen Lithographieverfahrens strukturiert werden kann, ist durch die Wellenlänge der projizierten Strahlungsquelle begrenzt. Lithographiemaschinen sind von der Verwendung von ultraviolettem Licht mit einer Wellenlänge von 365 Nanometern zur Verwendung von Deep-Ultraviolet-Licht (DUV), das einen Krypton-Fluorid-Laser (KrF-Laser) mit 248 Nanometern und einen Argon-Fluorid-Laser (ArF-Laser) mit 193 Nanometern umfasst, und zur Verwendung von extrem ultraviolettem Licht (EUV) mit einer Wellenlänge von 13,5 Nanometern übergegangen, wobei die Auflösung bei jedem Schritt verbessert wurde.
Im Photolithographieverfahren wird eine Photomaske (oder Maske) verwendet. Die Maske umfasst ein Substrat und eine strukturierte Schicht, die eine integrierte Schaltung definiert, die während des Photolithographieverfahrens auf ein Halbleitersubstrat zu übertragen ist. Die Maske ist typischerweise mit einer Pellicle-Baugruppe versehen, die gemeinsam als ein Maskensystem bezeichnet werden. Die Pellicle-Baugruppe umfasst eine transparente dünne Membran und einen Pellicle-Rahmen, wo die Membran über einem Pellicle-Rahmen angebracht ist. Das Pellicle schützt die Maske vor heruntergefallenen Teilchen und hält die Teilchen außerhalb des Fokus, derart, dass sie kein strukturiertes Bild erzeugen, was Fehler verursachen kann, wenn die Maske verwendet wird. Die Membran ist typischerweise gestreckt und über dem Pellicle-Rahmen angebracht und ist durch Klebstoff oder andere Klebemittel an dem Pellicle-Rahmen befestigt. Durch die Maske, die Membran und den Pellicle-Rahmen kann ein Innenraum gebildet werden. Fehler beim Ausgleichen des Druckunterschieds zwischen dem Innen- und dem Außendruck können bewirken, dass die Membran verzogen, zerknittert, eingerissen oder auf andere Weise beschädigt wird, wodurch das Masken-Pellicle-System unbrauchbar gemacht wird. So haben sich die bestehenden Techniken für die Herstellung von Masken-Pellicle-Systemen nicht in allen Gesichtspunkten als vollständig zufriedenstellend erwiesen.
Darüber hinaus offenbart US 2015 / 0 309 404 A1 eine Pellikelstruktur, eine Pellikelmaskenstruktur und ein Verfahren zur Bildung der Pellikelstruktur, wobei die Pellikelstruktur einen Pellikelfilm enthält, der aus einem Material auf Kohlenstoffbasis besteht.
US 2004 / 0 135 987 A1 offenbart eine Vorrichtung zum Aufrechterhalten eines optischen Spalts zwischen einem Pellikel und einem Retikel in einem Photolithographiesystem.
Schließlich offenbart US 6,492,067 B1 ein abnehmbares Pellikel für eine photolithographische Maske, bei der ein Partikelschutz vorgesehen ist, um Partikel von der Maske fernzuhalten.
Figurenliste
Gesichtspunkte der vorliegenden Offenbarung sind bei der Lektüre der folgenden detaillierten Beschreibung im Zusammenhang mit den begleitenden Zeichnungen am besten verständlich. Es sei erwähnt, dass verschiedene Merkmale gemäß der Standardpraxis in der Branche nicht maßstabsgetreu sind. Tatsächlich kann es sein, dass die Abmessungen der verschiedenen Merkmale der Verständlichkeit der Erörterung halber beliebig vergrößert oder verkleinert wurden.

1 ist eine schematische Ansicht eines Lithographiesystems gemäß einigen Ausführungsformen.
2 ist ein Querschnitt einer Maske gemäß einigen Ausführungsformen.
3A, 3B und 3C sind eine Draufsicht, eine perspektivische Ansicht beziehungsweise eine Querschnittsansicht entlang der Linie A-A' eines Masken-Pellicle-Systems gemäß einigen Ausführungsformen.
4 ist eine Querschnittsansicht einer Pellicle-Membran gemäß einigen Ausführungsformen.
5 ist eine Teilansicht eines Querschnitts eines Pellicle-Rahmens gemäß einigen Ausführungsformen.
6A, 6B und 6C sind schematische Ansichten eines porösen Materials des Pellicle-Rahmens in verschiedenen Herstellungsstufen gemäß einigen Ausführungsformen.
7 ist eine Querschnittsansicht einer thermisch leitfähigen Klebschicht mit zwei dadurch zusammengeklebten Merkmalen gemäß einigen Ausführungsformen.
8 ist ein schematisches Diagramm einer thermisch leitfähigen Klebschicht und eines Verhältnisses zwischen der thermischen Leitfähigkeit und dem Zuschlag von Füllstoffen, die gemäß einigen Ausführungsformen konstruiert ist.
9 ist ein schematisches Diagramm eines Klebematerials, das gemäß einigen Ausführungsformen konstruiert ist.
10 ist ein Ablaufdiagramm eines Verfahrens, das gemäß einigen Ausführungsformen konstruiert ist.
11 ist ein Ablaufdiagramm eines Verfahrens, das gemäß einigen anderen Ausführungsformen konstruiert ist.

AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG
Die folgende Offenbarung stellt viele verschiedene Ausführungsformen oder Beispiele zur Ausführung verschiedener Merkmale der Erfindung bereit. Spezifische Beispiele von Bauteilen und Anordnungen sind in der Folge beschrieben, um die vorliegende Offenbarung zu vereinfachen. Dabei handelt es sich selbstverständlich lediglich um Beispiele und damit wird keine Einschränkung beabsichtigt. Zum Beispiel kann die Bildung eines ersten Merkmals über oder auf einem zweiten Merkmal in der folgenden Beschreibung Ausführungsformen umfassen, in denen das erste und das zweite Merkmal in direktem Kontakt gebildet sind, und kann auch Ausführungsformen umfassen, in denen zusätzliche Merkmale zwischen dem ersten und dem zweiten Merkmal gebildet sein können, derart, dass es sein kann, dass das erste und das zweite Merkmal nicht in direktem Kontakt stehen. Zusätzlich kann die vorliegende Offenbarung Bezugsziffern und/oder -buchstaben in den verschiedenen Beispielen wiederholen. Diese Wiederholung dient den Zwecken der Vereinfachung und Deutlichkeit und schreibt an sich keine Beziehung zwischen den verschiedenen erörterten Ausführungsformen und/oder Ausgestaltungen vor.
Begriffe, die ein räumliches Verhältnis beschreiben, wie beispielsweise „unterhalb“, „unter“, „untere/r/s“, „über“, „obere/r/s“ und dergleichen, können hier der Einfachheit der Beschreibung halber verwendet werden, um das Verhältnis eines Elements oder Merkmals zu (einem) andere/n Element/en oder Merkmal/en zu beschreiben, wie in den Figuren veranschaulicht. Es wird beabsichtigt, dass Begriffe, die ein räumliches Verhältnis beschreiben, verschiedene Ausrichtungen des Bauelements bei der Verwendung oder beim Betrieb zusätzlich zu der in den Figuren bildlich dargestellten Ausrichtung umfassen. Die Vorrichtung kann anders (um 90 Grad gedreht oder in anderen Ausrichtungen) ausgerichtet sein und die Bezeichnungen für räumliche Verhältnisse, die hier verwendet werden, können ebenfalls dementsprechend ausgelegt werden.
In 1 ist eine schematische Ansicht eines Lithographiesystems 100 gemäß einigen Ausführungsformen veranschaulicht. Das Lithographiesystem 100 kann auch allgemein als ein Scanner bezeichnet werden, der betriebsfähig ist, um lithographische Verfahren durchzuführen, die die Belichtung mit einer entsprechenden Strahlungsquelle und in einem bestimmten Belichtungsmodus umfassen. In zumindest einigen der vorliegenden Ausführungsformen umfasst das Lithographiesystem 100 ein extrem ultraviolettes (EUV) Lithographiesystem, das gestaltet ist, um eine Resist-Schicht mit EUV-Licht zu belichten. Insofern umfasst die Resist-Schicht in verschiedenen Ausführungsformen ein Material, das gegenüber dem EUV-Licht empfindlich ist (z. B. eine EUV-Resist-Schicht). Das Lithographiesystem 100 von 1 umfasst mehrere Untersysteme, wie beispielsweise eine Strahlungsquelle 102, ein Beleuchtungsgerät 104, einen Maskentisch 106, der ausgestaltet ist, um eine Maske 108 aufzunehmen, Projektionsoptik 110 und einen Substrattisch 118, der ausgestaltet ist, um ein Halbleitersubstrat 116 aufzunehmen. Es folgt eine allgemeine Beschreibung des Betriebs des Lithographiesystems 100: EUV-Licht von der Strahlungsquelle 102 wird in Richtung des Beleuchtungsgeräts 104 gerichtet (das eine Menge reflektierender Spiegel umfasst) und auf die reflektierende Maske 108 projiziert. Ein reflektiertes Maskenbild wird in Richtung der Projektionsoptik 110 gerichtet, die das EUV-Licht fokussiert und das EUV-Licht auf das Halbleitersubstrat 116 projiziert, um eine darauf aufgebrachte EUV-Resist-Schicht zu belichten. Zusätzlich kann in verschiedenen Beispielen jedes Untersystem des Lithographiesystems 100 zum Beispiel in einer Hochvakuum-Umgebung untergebracht und somit darin betrieben werden, um die atmosphärische Absorption von EUV-Licht zu verringern.
In den hier beschriebenen Ausführungsformen kann die Strahlungsquelle 102 verwendet werden, um das EUV-Licht zu erzeugen. In einigen Ausführungsformen umfasst die Strahlungsquelle 102 eine Plasmaquelle, wie zum Beispiel ein Discharge Produced Plasma (DPP) oder ein Laser Produced Plasma (LPP). In einigen Beispielen kann das EUV-Licht Licht umfassen, das eine Wellenlänge in einem Bereich von etwa 1 nm bis etwa 100 nm aufweist. In einem bestimmten Beispiel erzeugt die Strahlungsquelle 102 EUV-Licht mit einer Wellenlänge, die auf etwa 13,5 nm zentriert ist. Dementsprechend kann die Strahlungsquelle 102 auch als eine EUV-Strahlungsquelle 102 bezeichnet werden. In einigen Ausführungsformen umfasst die Strahlungsquelle 102 auch einen Kollektor, der verwendet werden kann, um EUV-Licht, das von der Plasmaquelle erzeugt wird, zu sammeln und das EUV-Licht in Richtung der Abbildungsoptik, wie beispielsweise des Beleuchtungsgeräts 104, zu leiten.
Wie vorhergehend beschrieben, wird Licht von der Strahlungsquelle 102 in Richtung des Beleuchtungsgeräts 104 geleitet. In einigen Ausführungsformen kann das Beleuchtungsgerät 104 reflektierende Optiken (z. B. für das EUV-Lithographiesystem 100) umfassen, wie beispielsweise einen einzelnen Spiegel oder ein Spiegelsystem, das mehrere Spiegel aufweist, um Licht von der Strahlungsquelle 102 auf den Maskentisch 106 und insbesondere auf die Maske 108 zu leiten, die auf dem Maskentisch 106 gesichert ist. In einigen Beispielen kann das Beleuchtungsgerät 104 eine Zonenplatte umfassen, zum Beispiel, um den Fokus des EUV-Lichts zu verbessern. In einigen Ausführungsformen kann das Beleuchtungsgerät 104 ausgestaltet sein, um das EUV-Licht, das es durchquert, gemäß einer bestimmten Pupillenform zu formen, und die zum Beispiel eine Dipolform, eine Quadrupolform, eine Ringform, eine Einzelstrahlform, eine Mehrstrahlform und/oder eine Kombination davon umfasst. In einigen Ausführungsformen ist das Beleuchtungsgerät 104 betriebsfähig, um die Spiegel (d. h. des Beleuchtungsgeräts 104) auszugestalten, um der Maske 108 eine gewünschte Beleuchtung bereitzustellen. In einem Beispiel können die Spiegel des Beleuchtungsgeräts 104 ausgestaltet sein, um das EUV-Licht auf verschiedene Beleuchtungspositionen zu reflektieren. In einigen Ausführungsformen kann eine Stufe vor dem Beleuchtungsgerät 104 zusätzlich andere Spiegel umfassen, die ausgestaltet werden können und die verwendet werden können, um das EUV-Licht auf verschiedene Beleuchtungspositionen innerhalb der Spiegel des Beleuchtungsgeräts 104 zu richten. In einigen Ausführungsformen ist das Beleuchtungsgerät 104 ausgestaltet, um eine On-Axis-Beleuchtung (On-Axis Illumination - ONI) für die Maske 108 bereitzustellen. In einigen Ausführungsformen ist das Beleuchtungsgerät 104 ausgestaltet, um eine Off-Axis-Beleuchtung (Off-Axis Illumination - OAI) für die Maske 108 bereitzustellen. Es sei erwähnt, dass die in dem EUV-Lithographiesystem 100 eingesetzte Optik und insbesondere die Optik, die für das Beleuchtungsgerät 104 und die Projektionsoptik 110 eingesetzt wird, Spiegel umfassen kann, die mehr- und dünnschichtige Beschichtungen aufweisen, die als Bragg-Reflektoren bekannt sind. Als Beispiel kann eine solche mehr- und dünnschichtige Beschichtung abwechselnde Schichten aus Mo und Si umfassen, was für ein hohes Reflexionsvermögen bei EUV-Wellenlängen sorgt (z. B. etwa 13 nm).
Wie vorhergehend erörtert, umfasst das Lithographiesystem 100 auch den Maskentisch 106, der ausgestaltet ist, um die Maske 108 zu sichern. Da das Lithographiesystem 100 in einer Hochvakuumumgebung untergebracht und somit darin betrieben werden kann, kann der Maskentisch 106 eine elektrostatische Spannvorrichtung (E-Chuck) umfassen, um die Maske 108 zu sichern. Wie die Optik des EUV-Lithographiesystems 100 ist auch die Maske 108 reflektierend. Details der Maske 108 sind in der Folge unter Bezugnahme auf das Beispiel von 2 genauer erörtert. Wie im Beispiel von 1 veranschaulicht, wird Licht von der Maske 108 reflektiert und in Richtung der Projektionsoptik 110 geleitet, die das von der Maske 108 reflektierte EUV-Licht sammelt. Als Beispiel trägt das EUV-Licht, das durch die Projektionsoptik 110 gesammelt wird (von der Maske 108 reflektiert) ein Bild der durch die Maske 108 definierten Struktur. In verschiedenen Ausführungsformen sorgt die Projektionsoptik 110 für eine Abbildung der Struktur der Maske 108 auf dem Halbleitersubstrat 116, das auf dem Substrattisch 118 des Lithographiesystems 100 gesichert wird. Insbesondere fokussiert die Projektionsoptik 110 in verschiedenen Ausführungsformen das gesammelte EUV-Licht und projiziert das EUV-Licht auf das Halbleitersubstrat 116, um eine EUV-Resistschicht zu belichten, die auf dem Halbleitersubstrat 116 aufgebracht ist. Wie vorhergehend beschrieben, kann die Projektionsoptik 110 reflektierende Optik umfassen, wie sie in EUV-Lithographiesystemen, wie beispielsweise dem Lithographiesystem 100, verwendet wird. In einigen Ausführungsformen werden das Beleuchtungsgerät 104 und die Projektionsoptik 110 gemeinsam als ein optisches Modul des Lithographiesystems 100 bezeichnet.
Wie vorhergehend erörtert, umfasst das Lithographiesystem 100 auch den Substrattisch 118, um das zu strukturierende Halbleitersubstrat 116 zu sichern. In verschiedenen Ausführungsformen umfasst das Halbleitersubstrat 116 einen Halbleiterwafer, wie beispielsweise einen Siliziumwafer, Germaniumwafer, Siliziumgermaniumwafer, III-V-Wafer oder einen anderen Typ von Wafer, wie im Fach bekannt. Das Halbleitersubstrat 116 kann mit einer Resist-Schicht (z. B. einer EUV-Resistschicht) beschichtet sein, die gegenüber EUV-Licht empfindlich ist. EUV-Resists weisen strenge Leistungsstandards auf. Zu Beleuchtungszwecken kann eine EUV-Resist-Schicht gestaltet sein, um eine Auflösung von mindestens etwa 22 nm, eine Linienbreiten-Rauigkeit (Line-Width Roughness - LWR) von mindestens etwa 2 nm und mit einer Empfindlichkeit von mindestens etwa 15 mJ/cm2 bereitzustellen. In den hier beschriebenen Ausführungsformen sind die verschiedenen Untersysteme des Lithographiesystems 100, die die vorhergehend beschriebenen umfassen, integriert und können betrieben werden, um Lithographiebelichtungsverfahren durchzuführen, die EUV-Lithographieverfahren umfassen. Zur Sicherheit kann das Lithographiesystem 100 ferner andere Module oder Untersysteme umfassen, die in eines oder mehrere der hier beschriebenen Untersysteme oder Bauteile integriert (oder damit gekoppelt) sein können.
Die Lithographiesysteme können andere Bauteile umfassen und können andere Alternativen aufweisen. In einigen Ausführungsformen kann das Lithographiesystem 100 einen Pupillenphasenmodulator 112 zum Modulieren einer optischen Phase des von der Maske 108 gerichteten EUV-Lichts umfassen, derart dass das Licht eine Phasenverteilung entlang einer Projektionspupillenebene 114 aufweist. In einigen Ausführungsformen umfasst der Pupillenphasenmodulator 112 einen Mechanismus zum Einstellen der reflektierenden Spiegel der Projektionsoptik 110 zur Phasenmodulation. Zum Beispiel können in einigen Ausführungsformen die Spiegel der Projektionsoptik 110 ausgestaltet werden, um das EUV-Licht durch den Pupillenphasenmodulator 112 zu reflektieren, wodurch die Phase des Lichts durch die Projektionsoptik 110 moduliert wird. In einigen Ausführungsformen verwendet der Pupillenphasenmodulator 112 ein Pupillenfilter, das auf der Projektionspupillenebene 114 angeordnet ist. Als Beispiel kann das Pupillenfilter eingesetzt werden, um spezifische Ortsfrequenzkomponenten des von der Maske 108 reflektierten EUV-Lichts herauszufiltern. In einigen Ausführungsformen kann das Pupillenfilter als ein Phasenpupillenfilter dienen, das die Phasenverteilung des Lichts moduliert, das durch die Projektionsoptik 110 geleitet wird.
Wieder zur Maske 108 und unter Bezugnahme auf das Beispiel von 2, das darin als ein Beispiel für einen Querschnitt der EUV-Maske 108 von 1 veranschaulicht ist. Wie in 2 gezeigt, kann die EUV-Maske 108 ein Substrat 202 umfassen, das eine Rückseitenbeschichtungsschicht 203, eine mehrschichtige Struktur 204, eine Deckschicht 206 und einen oder mehrere Absorber 208 aufweist, die eine Antireflexbeschichtungsschicht (Anti-Reflective Coating - ARC) 210 aufweisen. In einigen Ausführungsformen umfasst das Substrat 202 ein Substrat aus einem Material mit geringer thermischer Ausdehnung (Low Thermal Expansion Material - LTEM) (z. B. TiO₂-dotiertes SiO₂) und die Rückseitenbeschichtungsschicht 203 umfasst eine Chromnitrid-Schicht (Cr_xN_y). In einigen Beispielen weist das Substrat 202 eine Dicke von etwa 6,3 bis 6,5 mm auf. In einigen Beispielen weist die Rückseitenbeschichtung 203 eine Dicke von etwa 70 bis 100 nm auf. Als Beispiel kann die mehrschichtige Struktur 204 mehrere Molybdän-Silizium-Schichten (Mo-Si) umfassen, die auf dem Substrat 202, zum Beispiel unter Verwendung einer Ionenabscheidungstechnik, aufgebracht sind. In einigen Ausführungsformen weist die mehrschichtige Struktur 204 eine Dicke von etwa 250 bis 350 nm auf und in einigen Beispielen weist jedes Mo-Si-Schichtpaar eine Dicke von etwa 3 nm (für die Mo-Schicht) und etwa 4 nm (für die Si-Schicht) auf. In verschiedenen Ausführungsformen umfasst die Deckschicht 206 eine Deckschicht aus Ruthenium (Ru), die in einigen Beispielen eine Dicke von etwa 2,5 nm aufweisen kann. In einigen Ausführungsformen kann die Deckschicht 206 eine Si-Deckschicht umfassen, die eine Dicke von etwa 4 nm aufweist. Die Deckschicht 206 kann beim Schutz der mehrschichtigen Struktur 204 (z. B. während der Herstellung der Maske 108) helfen und kann auch als eine Ätzstoppschicht für ein anschließendes Absorberschicht-Ätzverfahren dienen. In einigen Ausführungsformen können die Absorber 208 zum Beispiel eine Ta_xN_y-Schicht oder eine Ta_xB_yO_zN_u-Schicht umfassen, die eine Dicke von etwa 50 bis 75 nm aufweisen können und ausgestaltet sind, um EUV-Licht (z. B. mit einer Wellenlänge von etwa 13,5 nm) zu absorbieren. In einigen Beispielen können andere Materialien für die Absorber 208 verwendet werden, wie unter anderem beispielsweise Al, Cr, Ta und W. In einigen Beispielen umfasst die ARC-Schicht 210 mindestens eine von einer Ta_xB_yO_zN_u-Schicht, einer Hf_xO_y-Schicht oder einer Si_xO_yN_z-Schicht. Obgleich einige Beispiele von Materialien angegeben wurden, die für jedes von dem Substrat 202, der Rückseitenbeschichtungsschicht 203, der mehrschichtigen Struktur 204, der Deckschicht 206, den Absorbern 208 und der ARC-Schicht 210 verwendet werden können, versteht sich, dass andere zweckmäßige Materialien, wie im Fach bekannt, ebenfalls verwendet werden können, ohne den Schutzbereich der vorliegenden Offenbarung zu verlassen.
Der Veranschaulichung halber wird hier ein beispielhaftes Herstellungsverfahren für die Maske 108 beschrieben. In einigen Ausführungsformen umfasst das Herstellungsverfahren zwei Verfahrensstufen: (1) ein Maskenrohling-Herstellungsverfahren und (2) ein Maskenstrukturierungsverfahren. Während des Maskenrohling-Herstellungsverfahrens wird der Maskenrohling durch Aufbringen zweckmäßiger Schichten (z. B. mehrerer reflektierender Schichten, wie beispielsweise mehrere Mo-Si-Schichten) auf einem zweckmäßigen Substrat (z. B. einem LTEM-Substrat, das eine flache, fehlerfreie Fläche aufweist) gebildet. In verschiedenen Ausführungsformen beträgt die Flächenrauigkeit des Maskenrohlings weniger als etwa 50 nm. Als Beispiel ist eine Deckschicht (z. B. Ruthenium) über dem mehrschichtigen beschichteten Substrat, gefolgt von dem Aufbringen einer Absorberschicht, gebildet. Der Maskenrohling kann dann strukturiert werden (z. B. wird die Absorberschicht strukturiert), um eine gewünschte Struktur auf der Maske 108 zu bilden. In einigen Ausführungsformen kann eine ARC-Schicht vor dem Strukturieren des Maskenrohlings über der Absorberschicht aufgebracht werden. Die strukturierte Maske 108 kann dann verwendet werden, um Schaltungs- und/oder Bauelementstrukturen auf einen Halbleiterwafer zu übertragen. In verschiedenen Ausführungsformen können die durch die Maske 108 definierten Strukturen durch verschiedene Lithographieverfahren immer wieder auf mehrere Wafer übertragen werden. Zusätzlich kann eine Menge von Masken (wie beispielsweise die Maske 108) verwendet werden, um ein/e vollständige/s integrierte/s Schaltungsbauelement (IC) und/oder Schaltung zu konstruieren.
In verschiedenen Ausführungsformen kann die (vorhergehend beschriebene) Maske 108 hergestellt werden, um verschiedene Strukturtypen zu umfassen, zum Beispiel eine Binärmaske (Binary Intensity Mask - BIM) oder eine Phasenverschiebungsmaske (Phase-Shifting Mask - PSM). Eine veranschaulichende BIM umfasst lichtundurchlässige absorbierende Regionen und reflektierende Regionen, wo die BIM eine Struktur (z. B. eine integrierte Schaltungsstruktur) umfasst, die auf das Halbleitersubstrat 116 zu übertragen ist. Die lichtundurchlässigen absorbierenden Regionen umfassen einen Absorber, wie vorhergehend beschrieben, der ausgestaltet ist, um einfallendes Licht (z. B. einfallendes EUV-Licht) zu absorbieren. In den reflektierenden Regionen wurde der Absorber (z. B. während des vorhergehend beschriebenen Maskenstrukturierungsverfahrens) entfernt und das einfallende Licht wird durch die mehreren Schichten reflektiert. Zusätzlich kann in einigen Ausführungsformen die Maske 108 eine PSM sein, die die durch Phasendifferenzen von davon reflektiertem Licht erzeugten Interferenzen nutzt. Beispiele von PSMs umfassen eine alternierende PSM (Alternating AltPSM), eine Halbton-PSM (Attenuated PSM - AttPSM) und eine chromfreie PSM (chromeless PSM - cPSM). Als Beispiel kann eine AltPSM Phasenschieber (entgegengesetzter Phasen) umfassen, die auf jeder Seite von jedem strukturierten Maskenmerkmal angeordnet sind. In einigen Beispielen kann eine AttPSM eine Absorberschicht umfassen, die einen Transmissionsgrad aufweist, der größer als Null ist (z. B. Mo-Si, das einen Transmissionsgrad mit einer Stärke von etwa 6% aufweist). In einigen Fällen kann eine cPSM als eine AltPSM mit einem Transmissionsgrad von 100% beschrieben werden, zum Beispiel weil die cPSM kein Phasenschiebermaterial oder Chrom auf der Maske umfasst. In einigen veranschaulichenden Ausführungsformen einer PSM ist die strukturierte Schicht 208 eine reflektierende Schicht mit einem Materialstapel, der demjenigen der mehrschichtigen Struktur 204 ähnlich ist.
Wie vorhergehend beschrieben, umfasst die Maske 108 ein strukturiertes Bild, das verwendet werden kann, um Schaltungs- und/oder Bauelelementstrukturen durch das Lithographiesystem 100 auf einen Halbleiterwafer (z. B. das Halbleitersubstrat 116) zu übertragen. Um eine Strukturübertragung mit hoher Wiedergabetreue von der strukturierten Maske 108 auf das Halbleitersubstrat 116 zu erreichen, sollte das Lithographieverfahren fehlerfrei sein. Wie in 2 gezeigt, kann es sein, dass Teilchen unbeabsichtigt auf der Fläche der Deckschicht 206 aufgebracht werden und eine Verschlechterung des Zustands der lithographisch übertragenen Strukturen zur Folge haben können, wenn sie nicht entfernt werden. Teilchen können durch eine Vielzahl von Verfahren, wie beispielsweise während eines Ätzverfahrens, eines Reinigungsverfahrens und/oder während der Handhabung der EUV-Maske 108 aufgebracht werden. Folglich wird die Maske 108 in eine Pellicle-Baugruppe integriert und wird durch die Pellicle-Baugruppe geschützt. Die Maske und die Pellicle-Baugruppe werden gemeinsam als ein Masken-Pellicle-System bezeichnet. Zum Beispiel wird während des Lithographiestrukturierungsverfahrens durch das Lithographiesystem 100 das Masken-Pellicle-System an dem Maskentisch 106 gesichert.
Unter Bezugnahme auf 3A, 3B und 3C ist darin eine Draufsicht, eine perspektivische Ansicht beziehungsweise eine Querschnittsansicht entlang einer Linie A-A' des Masken-Pellicle-Systems 300 veranschaulicht. Unter Bezugnahme auf 3A, 3B und 3C werden das Masken-Pellicle-System 300 und ein Verfahren zu dessen Verwendung beschrieben.
Das Masken-Pellicle-System 300 umfasst eine Maske 302, einen Pellicle-Rahmen 304 und eine Membran (oder Pellicle-Membran), die zusammen durch die Schichten 308 und 310 aus Klebematerial integriert sind. Wie vorhergehend erörtert, umfasst die Maske 302 auch eine strukturierte Fläche 314, die verwendet wird, um ein Halbleitersubstrat durch ein lithographisches Verfahren zu strukturieren. In einigen Ausführungsformen kann die Maske 302 im Wesentlichen die gleiche wie die vorhergehend erörterte Maske 108 sein. In der vorliegenden Ausführungsform ist die Maske 302 in das Masken-Pellicle-System 300 integriert und ist gemeinsam mit der Membran 306 und dem Pellicle-Rahmen 304 während eines lithographischen Strukturierungsverfahrens an dem Maskentisch 106 gesichert.
Die Membran 306 ist in der Nähe der Maske 302 ausgestaltet und ist durch die Klebeschicht 308 an dem Pellicle-Rahmen 304 befestigt. Insbesondere ist die Membran 306 durch die Schicht 308 aus Klebematerial an dem Pellicle-Rahmen 304 befestigt. Die Maske 302 ist ferner durch die Schicht 310 aus Klebematerial an dem Pellicle-Rahmen 304 befestigt. So sind die Maske 302, der Pellicle-Rahmen 304 und die Membran 306 ausgestaltet und integriert, um einen Innenraum 312 zu umschließen. Die strukturierte Fläche 314 der Maske 302 ist im Innenraum 312 umschlossen und ist daher während eines Lithographiestrukturierungsverfahrens, dem Versand der Maske und der Handhabung der Maske vor Verunreinigungen geschützt.
Die Membran 306 besteht aus einer dünnen Schicht, die gegenüber dem Strahlenbündel, das in einem Lithographiestrukturierungsverfahren verwendet wird, transparent ist und weist ferner eine thermisch leitfähige Fläche auf. Die Membran 306 ist auch in der Nähe einer strukturierten Fläche 308 auf der Maske 302 ausgestaltet, wie in 3C veranschaulicht. In verschiedenen Ausführungsformen umfasst die Membran 306 eine Schicht aus transparentem Material mit einer thermisch leitfähigen dünnen Schicht auf einer Fläche (oder beiden Flächen).
4 ist eine Querschnittsansicht der Membran 306, die gemäß einigen Ausführungsformen konstruiert ist. Die Membran 306 umfasst eine transparente Schicht 402 aus einem oder mehreren Materialien, die Silizium umfassen, wie beispielsweise polykristallines Silizium (Poly-Si), amorphes Silizium (α-Si), dotiertes Silizium (wie beispielsweise Phosphor-dotiertes Silizium - SiP) oder eine Verbindung auf Siliziumbasis. Alternativ umfasst die transparente Schicht 402 Polymer, Graphen oder ein anderes zweckmäßiges Material. Die transparente Schicht 402 weist eine Dicke mit genügend mechanischer Festigkeit auf, die aber nicht die Transparenz der Membran beeinträchtigt. In einigen Beispielen weist die transparente Schicht 402 eine Dicke in einem Bereich zwischen 30 nm und 50 nm auf.
In einigen Ausführungsformen kann die Membran 306 ferner eine erste Deckschicht 404, die auf der Außenfläche der transparenten Schicht 402 gebildet ist, oder zusätzlich eine zweite Deckschicht 406 umfassen, die auf der Innenfläche der transparenten Schicht 402 gebildet ist. Die Deckschicht (404 oder 406) ist gestaltet, um die transparente Schicht 402 vor Einwirkungen, wie beispielsweise durch Chemikalien und/oder Teilchen, zu schützen. Wenn zum Beispiel die transparente Schicht 402 eine Siliziumschicht ist, ist sie empfindlich gegenüber Umweltchemikalien oder Teilchen. In einigen Ausführungsformen umfasst die Deckschicht Siliziumoxid (SiO), Siliziumnitrid (SiN), Siliciumcarbid (SiC) oder eine Mischung davon, wie beispielsweise Siliziumcarbonitrid (SiCN), Silizium-Oxinidrid (SiON). In einigen Ausführungsformen umfasst die Deckschicht Bornitrid (BN) oder Borcarbid (BC). Die Deckschicht ist dünn, ohne die Transparenz der Membran 306 zu beeinträchtigen. In einigen Beispielen liegt die Dicke der Deckschicht (404 und auch 406, wenn dargestellt) in einem Bereich zwischen 3 nm und 10 nm, und beträgt vorzugsweise 5 nm mit einer Abweichung von 10% oder weniger. Die Deckschicht kann durch eine zweckmäßige Abscheidungstechnik gebildet sein, wie beispielsweise chemische Gasphasenabscheidung (Chemical Vapor Deposition - CVD), Atomlagenabscheidung (Atomic Layer Deposition - ALD) oder eine andere zweckmäßige Technik.
Die Membran 306 weist eine thermisch leitfähige Fläche auf, wie beispielsweise eine thermisch leitfähige dünne Schicht 408, die auf einer oder beiden Flächen der Membran 306 angeordnet ist, um die während des Lithographiestrukturierungsprozesses erzeugte Wärme abzuführen, wodurch das Verziehen oder eine andere Verformung oder andere Verschlechterung des Zustands in Verbindung mit der Hitze verringert oder beseitigt wird. In einigen Ausführungsformen umfasst die thermisch leitfähige Schicht 408 Ruthenium (Ru) oder ein Material auf Kohlenstoffbasis, wie beispielsweise Graphit, Graphen, Diamant oder Kohlenstoff-Nanoröhre. Die thermisch leitfähige dünne Schicht weist eine Dicke in einem Bereich zwischen 3 nm und 10 nm auf und beträgt vorzugsweise 5 nm mit einer Abweichung von 10% oder weniger. Die thermisch leitfähige Schicht kann durch ein zweckmäßiges Abscheidungsverfahren gebildet werden, wie beispielsweise physikalische Gasphasenabscheidung (Physical Vapor Deposition - PVD), CVD, ALD oder eine andere zweckmäßige Technik.
Alternativ können die Deckschicht und die thermisch leitfähige dünne Schicht in einer thermisch leitfähigen Deckschicht aus einem Material kombiniert werden, um gemeinsam beiden Funktionen, der thermischen Leitfähigkeit und dem Schutz, zu dienen. In einigen Ausführungsformen umfasst die thermisch leitfähige Deckschicht Kupfer, Nickel, Eisen, eine Legierung aus einer Kombination davon oder ein/e andere/s zweckmäßige/s Metall oder Metalllegierung. Eine solche thermisch leitfähige Deckschicht kann durch PVD, ALD, Plattierung oder eine Kombination davon gebildet werden.
Das Masken-Pellicle-System 300 umfasst auch einen Pellicle-Rahmen 304, der derart ausgestaltet ist, dass die Membran 306 an dem Pellicle-Rahmen 304 befestigt und gesichert werden kann. Der Pelliele-Rahmen 304 kann in verschiedenen Abmessungen, Formen und Ausgestaltungen gestaltet sein. Unter diesen und anderen Alternativen kann der Pellicle-Rahmen 304 ein einziges Bauteil oder mehrere Bauteile aufweisen. Der Pelliele-Rahmen 304 umfasst ein Material mit mechanischer Festigkeit und das in einer Form, Abmessungen und einer Ausgestaltung gestaltet ist, die derart sind, dass die Membran 306 richtig durch den Pellicle-Rahmen 304 gesichert wird. In einigen Ausführungsformen kann der Pellicle-Rahmen 304 vollständig durch ein poröses Material gebildet sein.
Der Pellicle-Rahmen 304 umfasst ein poröses Material, das für die Lüftung und den Druckausgleich gestaltet ist, da das Pellicle-Maskensystem 300 sich in einer Vakuumumgebung befindet, wenn sie während des Lithographiestrukturierungsverfahrens auf dem Maskentisch 106 gesichert wird. Wie in 3C veranschaulicht, weist das poröse Material des Pellicle-Rahmens 304 Kanäle aus verbundenen Poren auf, die sich zur Lüftung von einer Innenfläche 316 zu einer Außenfläche 318 des Pelliele-Rahmens 304 erstrecken. Insbesondere wird der Pellicle-Rahmen 304 durch ein Pellicle-Rahmen-Bildungsverfahren mit einem Mechanismus gebildet, der die Porengrößen des porösen Materials während des Pellicle-Rahmen-Bildungsverfahrens einstellbar macht.
5 ist eine Querschnittsansicht des Masken-Pellicle-Systems 300 in einem Abschnitt, das gemäß einigen Ausführungsformen konstruiert ist. In dem Pellicle-Rahmen 304 sind Kanäle aus verbundenen Poren 502 zufällig mit Pfaden 504 ausgestaltet, die sich von der Innenfläche 316 zur Außenfläche 318 erstrecken. In verschiedenen Beispielen ist mit zufälliger Ausgestaltung eines oder irgendeine Kombination von Folgendem gemeint: die Porengröße eines Kanals aus verbundenen Poren variiert zufällig von der Innenfläche 316 zur Außenfläche 318; ein Kanal aus verbundenen Poren ändert seine Routen zufällig; und die Kanäle aus verbundenen Poren werden zufällig geändert.
Zusätzlich zu einer porösen Struktur wird das poröse Material ausgewählt, um andere Eigenschaften aufzuweisen, wie beispielsweise thermisch leitfähig, hohe mechanische Festigkeit und/oder leichtes Gewicht. Das poröse Material des Pellicle-Rahmens 304 kann Metall, eine Legierung oder keramisches Material umfassen. In einigen Ausführungsformen umfasst das poröse Material des Pellicle-Rahmens 304 Al, SiO₂, Al-Mg, Al-Ti, Al-Ni, Al-Fe, AlN, Al₂O₃, ZrO₂, BN, BC oder eine Kombination davon.
Das Pellicle-Rahmen-Bildungsverfahren umfasst das Bilden eines porösen Materials und das Formen des porösen Materials zum Bilden des Pellicle-Rahmens 304. In einigen Ausführungsformen umfasst das Formen des porösen Materials Spritzgießen, Formpressen, Drehen, Fräsen, Laser-Dicing oder eine Kombination davon. In einigen Ausführungsformen können das Formen des porösen Materials und das Bilden des porösen Materials zum Bilden des Pellicle-Rahmens kombiniert werden, um anstatt aufeinanderfolgend gleichzeitig oder überlappt ausgeführt zu werden. Zum Beispiel können im Formpressverfahren das Sintern zum Bilden des porösen Materials und das Formen gleichzeitig ausgeführt werden. Das Bilden des porösen Materials kann durch einen oder mehrere zweckmäßige Mechanismen bewerkstelligt werden und ist in der Folge gemäß einigen Ausführungsformen weiter beschrieben.
In einigen Ausführungsformen wird das poröse Material des Pellicle-Rahmens 304 durch Festphasensintern gebildet. Das Verfahren zum Bilden umfasst das Mischen von Feststoffpulver (Feststoffteilchen); und das Sintern des Feststoffpulvers bei einer hohen Temperatur zum Bilden des porösen Materials. Die Feststoffteilchen sind aus einem Metall, einer Legierung oder einer Mischung von verschiedenen Materialien, wie beispielsweise die vorhergehend aufgelisteten, hergestellt. Zum Beispiel umfassen die Feststoffteilchen Al, SiO₂, AlN, Al₂O₃, ZrO₂, BN oder BC. Die Feststoffteilchen können eine erste Teilmenge aus einem ersten Material und eine zweite Teilmenge aus einem zweiten Material umfassen, das sich von dem ersten Material unterscheidet. Zum Beispiel umfassen die Feststoffteilchen zwei Typen von Materialien, wie beispielsweise Al-Mg, Al-Ti, Al-Ni oder Al-Fe. Die Sintertemperatur liegt, je nach Metall oder Legierung der Feststoffteilchen, in einem Bereich von 500 °C bis 1000 °C. Die Sinterdauer kann in einem Bereich zwischen einigen wenigen Sekunden und einigen wenigen Stunden liegen. Das Verfahren zum Bilden kann ferner das Vorbereiten des Feststoffpulvers umfassen. In verschiedenen Beispielen können die Feststoffteilchen eine Kugelform, Würfelform oder unregelmäßige Form, wie beispielsweise eine Olivenform, Ellipsenform, Eiform oder Zylinderform, aufweisen. Die Größe der Feststoffteilchen liegt in einigen Ausführungsformen in einem Bereich zwischen 50 nm und 100 nm. Die Feststoffteilchen können eine im Wesentlichen gleichförmige Größe aufweisen oder alternativ Größen aufweisen, die sich über einen breiten Bereich verteilen. Die Porosität liegt, abhängig von verschiedenen Faktoren, wie beispielsweise der Größenverteilung, der Teilchenform und der Ausrichtung, in einem Bereich von 10% bis 40%. Die Porosität ist als das poröse Volumen zum Gesamtvolumen des porösen Materials definiert. In einem Beispiel umfassen die Feststoffteilchen Teilchen von zwei Größen, die zusammengemischt sind (bimodale Mischung). In einem anderen Beispiel weisen die Feststoffteilchen eine Kugelform und im Wesentlichen die gleiche Größe auf, wobei die Porosität in einem Bereich von 20% bis 40% liegen kann, um Durchgangskanäle von der Innenfläche 316 zur Außenfläche 318 des Pellicle-Rahmens 304 zu bilden.
In einigen Ausführungsformen wird der Pellicle-Rahmen 304 durch Flüssigphasensintern gebildet, wie in 6A, 6B und 6C in schematischen Ansichten in verschiedenen Stufen veranschaulicht. Beim Flüssigphasensintern werden zwei Typen von Feststoffteilchen (Pulver) 602 und 604 zusammengemischt, wie in 6A veranschaulicht. Die zwei Typen von Pulver sind für gewöhnlich zwei Typen von Metallen oder Metalllegierungen. Die zwei Typen von Pulver können die Materialien, die vorhergehend aufgelistet wurden, in einem passenden Paar oder andere zweckmäßige Materialien umfassen. In einigen Ausführungsformen umfassen die zwei Typen von Pulver Al-Mg, Al-Ti, Al-Ni, Al-Fe oder Al-Si. In dem gemischten Pulver werden die zwei Typen von Teilchen miteinander kontaktiert und es tritt eine atomare Diffusion 606 auf, wie in 6B veranschaulicht. Durch atomare Diffusion wird eine eutektische Verbindung an den Grenzflächen zwischen den zwei Typen von Teilchen gebildet. Dann wird ein Temperungsverfahren (Sintern) auf das gemischte Pulver angewandt, derart, dass die eutektische Mischung geschmolzen wird, wodurch ein poröses Material gebildet wird, wie in 6C veranschaulicht. Die Sintertemperatur ist gleich oder höher als die eutektische Temperatur, die der Schmelzpunkt der eutektischen Mischung ist. Die eutektische Temperatur ist für gewöhnlich niedriger als der Schmelzpunkt von jedem Typ von Teilchen (602 oder 604). In einigen Ausführungsformen ist die Sintertemperatur gleich oder höher als die eutektische Temperatur aber niedriger als beide Schmelzpunkte (der ersten Teilchen 602 und der zweiten Teilchen 604). In einigen Ausführungsformen liegt die Sintertemperatur in Abhängigkeit von dem Metall oder der Legierung der Feststoffteilchen in einem Bereich von 200 °C bis 1000 °C. Die Sinterdauer kann in einem Bereich zwischen einigen wenigen Sekunden und einigen wenigen Stunden liegen. Das Verfahren zum Bilden kann das Vorbereiten des Feststoffpulvers umfassen. In verschiedenen Beispielen können die Feststoffteilchen eine Kugelform, Würfelform oder unregelmäßige Form, wie beispielsweise eine Olivenform, Ellipsenform, Eiform oder Zylinderform aufweisen.
Die Größe der Feststoffteilchen liegt in einigen Ausführungsformen in einem Bereich zwischen 50 nm und 100 nm. Die Feststoffteilchen können eine im Wesentlichen gleichförmige Größe aufweisen oder alternativ Größen aufweisen, die sich über einen breiten Bereich verteilen. Das Füllstoffverhältnis der ersten Teilchen 602 liegt in Abhängigkeit von verschiedenen Faktoren, wie beispielsweise die Größenverteilung, die Teilchenform und Ausrichtung, in einem Bereich von 40% bis 80%. Hier ist das Füllstoffverhältnis als das Volumen der ersten Teilchen 602 zum Gesamtvolumen des porösen Materials definiert.
In einigen Ausführungsformen wird der Pellicle-Rahmen 304 durch Verdampfungssintern gebildet. In diesem Verfahren wird ein Pulver (Feststoffteilchen, wie beispielsweise Metall, Metalllegierung oder Keramikmaterial, wie vorhergehend aufgelistet) mit einem flüchtigen Material (wie beispielsweise Wachs) zusammengemischt. Dann wird ein Temperungsverfahren (Sintern) mit einer hohen Temperatur auf die Mischung angewandt, derart, dass die Feststoffteilchen zusammengebondet werden und das flüchtige Material verdampft wird, was zur Porenbildung in dem gesinterten Material führt. Das Füllstoffverhältnis liegt, abhängig von verschiedenen Faktoren, wie beispielsweise der Größenverteilung, der Teilchenform und der Ausrichtung, in einem Bereich von 0,1% bis 74%. Im vorliegenden Fall ist das Füllstoffverhältnis als das relative Volumen des flüchtigen Materials zum Gesamtvolumen der Mischung definiert. Zum Bilden des porösen Materials mit Kanälen aus verbundenen Poren wird das Füllstoffverhältnis in Abhängigkeit von den Formen und der Größenverteilung der Feststoffteilchen auf einen geeigneten Bereich abgestimmt. In einem anderen Beispiel kann das Füllstoffverhältnis, wenn die Feststoffteilchen eine Kugelform und im Wesentlichen die gleiche Größe aufweisen, in einem Bereich von 20% bis 30% liegen.
In verschiedenen Ausführungsformen sind die Porenkanäle 502 ausgestaltet, um Drücke zwischen dem Innenraum 312 und dem Raum auszugleichen, der das Masken-Pellicle-System 300 umgibt. Darüber hinaus sind die Porenkanäle 502 ausgestaltet, um zu verhindern, dass Teilchen in den Innenraum 312 eindringen. Aus diesem Grund können die Eigenschaften der Porenkanäle 502, einschließlich der Größen und Formen der Poren, Strukturen, Dichte, Abstände zwischen den Poren, Ausrichtung und/oder Gleichförmigkeit der Porenkanäle, gemäß den Anwendungsanforderungen ausgestaltet werden. Das Verfahren zum Bilden des porösen Pelliele-Rahmens 304 stellt einen Mechanismus zum Einstellen von einem oder mehreren der folgenden Parameter bereit: Form, Größe und Größenverteilung der Feststoffteilchen, Füllstoffverhältnis oder Porosität, Ausrichtung oder Orientierung. Der einstellbare Mechanismus der Porenkanäle ermöglicht die Herstellung des Pellicle-Rahmens mit mehr Freiheit für eine bessere Gestaltung hinsichtlich der Lüftung und der Verhinderung des Vorhandenseins von Teilchen.
Erneut unter Bezugnahme auf 3C, sind die Membran 306 und die Maske 302 mit dem Pellicle-Rahmen 304 durch die Klebeschichten 308 und 310 integriert. Die Klebeschichten umfassen thermisch leitfähiges Klebematerial, um als eine Klebegrenzfläche zu wirken und ferner thermische Leitfähigkeit bereitzustellen, derart, dass die während der Lithographiestrukturierung erzeugte Wärme richtig abgeführt werden kann und mit Hitze verbundene/s Spannung und Verziehen beseitigt oder verringert werden kann. Insbesondere bewirkt das Leiten von Wärme von der Membran 306, dem Pellicle-Rahmen 304 und den Klebeschichten, dass das Masken-Pellicle-System 300 eine ununterbrochene Leitung von Wärme aufweist, derart, dass die Wärme richtig an die Umgebung abgeleitet werden kann. In einigen Ausführungsformen ist das thermisch leitfähige Klebermaterial ferner gestaltet, um andere Eigenschaften aufzuweisen, wie beispielsweise mechanische Festigkeit, keine Fehler und Gasabgabe, EUV-Verträglichkeit (keine wesentliche Verschlechterung des Zustands bei EUV-Strahlung), Nachhaltigkeit bei hoher Betriebstemperatur, Wasserlöslichkeit für ein einfaches Abnahmeverfahren (die Maske kann zur Reinigung einfach von dem Pellicle-Rahmen gelöst werden).
7 ist eine schematische Ansicht der thermisch leitfähigen Klebeschicht 700, die gemäß einigen Ausführungsformen konstruiert ist. Die thermisch leitfähige Klebeschicht 700 klebt ein erstes Merkmal 702 und ein zweites Merkmal 704 zusammen; und stellt ferner die thermische Leitfähigkeit von dem ersten Merkmal 702 zum zweiten Merkmal 704 bereit. In einigen Ausführungsformen kann die thermisch leitfähige Schicht 700 im Wesentlichen die gleiche sein wie die thermisch leitfähige Klebeschicht 308 oder 310, die vorhergehend erörtert wurden. Zur Förderung der Ausführungsformen sind das erste Merkmal 702 und das zweite Merkmal 704 der Pellicle-Rahmen 304 beziehungsweise die Membran 306 oder die Maske 302 beziehungsweise der Pellicle-Rahmen 304 wie in 3C veranschaulicht. Die thermisch leitfähige Klebeschicht 700 umfasst eine Klebekomponente 706 und eine thermisch leitfähige Komponente 708, die in der Klebekomponente dispergiert ist. In einigen Ausführungsformen ist die thermisch leitfähige Komponente 708 mit der Klebekomponente 706 gemischt oder chemisch gebondet.
In einigen Ausführungsformen ist die Klebekomponente 706 ein geeignetes Klebematerial, wie beispielsweise ein thermoplastisches Elastomer oder ein anderes makromolekulares Klebematerial, das durch Wärme oder Trocknen gehärtet wird. In verschiedenen Beispielen umfasst die Klebekomponente Styrol-Ethylen/Butylen-Styrol-Gummi (SEBS), thermoplastisches Polyesterelastomer (TPE), Polyetherurethan (TPU), thermoplastisches Olefinelastomer (TPO) oder thermoplastisches Vulkanisat (TPV).
Die thermisch leitfähige Komponente 708 umfasst Metall, Keramik, Legierung, eine Verbindung aus Metall und Keramik oder Polymer in verschiedenen Ausführungsformen. Zum Beispiel umfasst die thermisch leitfähige Komponente Al, Ag, AlO, AlN, BN, Kohlenstoff (Graphen, Nanoröhre oder Graphitfolie), Be, B₄C, SiC oder eine Mischung davon, Aluminium, Kupfer, thermisch leitfähiges Polymer oder eine Kombination davon. Die thermisch leitfähige Komponente kann mehrere Teilchen umfassen, die in der Klebekomponente dispergiert sind. Die thermisch leitfähigen Teilchen können eine regelmäßige Form oder unregelmäßige Form aufweisen, wie beispielsweise eine Kugelform, Würfelform, Olivenform, Ellipsenform, Eiform, Zylinderform oder eine Kombination davon. Die Größe der thermisch leitfähigen Teilchen liegt in einigen Ausführungsformen in einem Bereich zwischen 50 nm und 100 nm. Die thermisch leitfähigen Teilchen können eine im Wesentlichen gleichförmige Größe aufweisen oder alternativ Größen aufweisen, die sich über einen breiten Bereich verteilen. In der Mischung der Klebekomponente 706 und der thermisch leitfähigen Komponente 708 liegt das Füllstoffverhältnis in einem geeigneten Bereich, derart, dass die thermisch leitfähigen Teilchen verbunden werden, um einen thermisch leitfähigen Weg von dem ersten Merkmal 702 zum zweiten Merkmal 704 zu bilden. In diesem Fall ist das Füllstoffverhältnis als das relative Volumen der thermisch leitfähigen Komponente zum Gesamtvolumen der Mischung definiert. In einigen Ausführungsformen liegt das Füllstoffverhältnis, abhängig von verschiedenen Faktoren, wie beispielsweise der Größenverteilung, der Teilchenform und der Ausrichtung, in einem Bereich von 0,1% bis 74%. Zum Beispiel weisen die thermisch leitfähigen Teilchen eine längliche Form auf und sind im Wesentlichen entlang der Richtung Y ausgerichtet, sie sind immer noch in der Lage, den thermisch leitfähigen Weg zu bilden, wenn das Füllstoffverhältnis viel kleiner als 74% ist. Dies wird in der Folge weiter erklärt.
In 8 sind verschiedene Ausgestaltungen (Form, Größe, Ausrichtung und Anordnung) schematisch für das Verhältnis zwischen der Ausgestaltung und der thermischen Leitfähigkeit veranschaulicht. Die horizontale Achse stellt das Füllstoffverhältnis (Zuschlag von Füllstoffen) in % dar und die vertikale Achse stellt die thermische Leitfähigkeit in w/mk dar. In der thermisch leitfähigen Klebeschicht 700A sind die thermisch leitfähigen Teilchen Zylinder und sind entlang der Richtung Y ausgerichtet. Die thermische Leitfähigkeit ist sehr hoch, sogar wenn das Füllstoffverhältnis viel niedriger ist. In der thermisch leitfähigen Klebeschicht 700B weisen die thermisch leitfähigen Teilchen eine längliche Form und kleinere Größe auf. Die thermische Leitfähigkeit ist relativ hoch, wenn das Füllstoffverhältnis relativ niedriger ist. In der thermisch leitfähigen Klebeschicht 700C weisen die thermisch leitfähigen Teilchen eine längliche Form und größere Größe auf. Die thermische Leitfähigkeit ist relativ niedriger, sogar wenn das Füllstoffverhältnis relativ höher aber immer noch niedriger als 74% ist. In der thermisch leitfähigen Klebeschicht 700D sind die thermisch leitfähigen Teilchen Zylinder und sind entlang X ausgerichtet. Die thermische Leitfähigkeit ist im Wesentlichen niedrig (Null oder nahe Null), sogar wenn das Füllstoffverhältnis viel höher ist (74% oder höher). Die vorhergehenden Beispiele sind für das Verständnis der relevanten Parameter für die Einwirkung auf die thermische Leitfähigkeit zur besseren Gestaltung der thermisch leitfähigen Klebeschicht veranschaulicht. Diese Parameter umfassen die Form, Größe, Größenverteilung, Anordnung (wie beispielsweise zufällig angeordnet oder ausgerichtet) und das Füllstoffverhältnis. Aus diesem Grund werden die thermisch leitfähiger Teilchen richtig bei der Gestaltung der thermisch leitfähigen Klebeschicht für eine genügende thermische Leitfähigkeit und mechanische Festigkeit bei gleichzeitiger Bewahrung der Klebewirksamkeit berücksichtigt. Zum Beispiel ist die thermisch leitfähige Klebeschicht 700A hinsichtlich der thermischen Leitfähigkeit und der Klebewirkung besser als die thermisch leitfähige Klebeschicht 700D.
In einem Beispiel umfassen die Feststoffteilchen Teilchen mit zwei Größen, die zusammengemischt sind (bimodale Mischung). In einem anderen Beispiel weisen die Feststoffteilchen eine Kugelform und im Wesentlichen die gleiche Größe auf, wobei das Füllstoffverhältnis so hoch wie 74% sein kann, um Durchgangskanäle zu bilden, die sich von der Innenfläche 316 zur Außenfläche 318 des Pellicle-Rahmens 304 erstrecken.
In einem anderen Beispiel weisen die thermisch leitfähigen Teilchen eine längliche Form auf und werden während des entsprechenden Klebeverfahrens durch eine Kraft, wie beispielsweise ein externes Feld (zum Beispiel elektrisches Feld oder Magnetfeld), in die Y-Richtung ausgerichtet. Die so gebildete Klebeschicht, die derjenigen ähnlich ist, die in 7 veranschaulicht ist, weist eine Struktur auf, die derjenigen der thermisch leitfähigen Klebeschicht 700A ähnlich ist und stellt eine höhere thermische Leitfähigkeit bereit.
Ein Klebematerial 900 ist schematisch in 9 gemäß einigen Ausführungsformen veranschaulicht. In einigen Beispielen umfasst die thermisch leitfähige Klebeschicht 700 das Klebematerial 900. Das Klebematerial 900 umfasst ein Blockcopolymer, das einen ersten Block 902 und einen zweiten Block 904 aufweist, die chemisch gebondet sind. In einigen Ausführungsformen ist der erste Block 902 ein weiches Segment, das eine flexible chemische Struktur mit weniger mechanischer Festigkeit aufweist, und der zweite Block 904 ist ein hartes Segment, das eine starre Struktur mit höherer mechanischer Festigkeit aufweist. Zusätzliche Wasserstoffbindungen können zwischen den harten Segmenten vorhanden sein. Insgesamt weist ein solches Klebematerial eine hohe mechanische Festigkeit bei einer Temperatur unterhalb der Glasübergangstemperatur T_g auf; weist aufgrund der Phasenumwandlung von fest zu Elastomer eine ausgezeichnete Fugenfülleigenschaft auf; und weist Vorteile eines Kunststoff- und vernetzten Materials auf (wie beispielsweise hohe Ausdehnung und mechanische Festigkeit). Insbesondere weist sie aufgrund ihrer Dualität von Biegsamkeit und Starrheit eine bessere Nanogrößen-Fugenfüllung auf, was sowohl die Haftung als auch die mechanische Festigkeit verbessert. Ferner ist, wenn der zweite Block 904 gestaltet ist, um thermisch leitfähig zu sein, ein solches Klebematerial alleine in der Lage, als die thermisch leitfähige Klebeschicht zu wirken, ohne andere thermisch leitfähige Teilchen beizumengen.
Nun ist unter Bezugnahme auf 10 ein Ablaufdiagram eines Verfahrens 1000 zum Herstellen eines Masken-Pellicle-Systems 300 veranschaulicht, das gemäß Gesichtspunkten der vorliegenden Offenbarung in einigen Ausführungsformen konstruiert ist. Das Verfahren 1000 umfasst den Arbeitsvorgang 1002 des Herstellens eines porösen Pellicle-Rahmens 304. Die Bildung des Pellicle-Rahmens 304 kann Festphasensintern, Flüssigphasensintern, Verdampfungssintern oder eine andere zweckmäßige Technik umfassen, wie vorhergehend in verschiedenen Beispielen beschrieben.
Das Verfahren 1000 umfasst den Arbeitsvorgang 1004 zum Herstellen einer Pellicle-Membran 306 mit einer thermisch leitfähigen Fläche. Die Bildung der Membran 306 kann das Aufbringen einer Deckschicht auf der transparenten dünnen Schicht und ferner das Aufbringen einer thermisch leitfähigen Schicht auf der Deckschicht umfassen. Alternativ umfasst das Bilden das Aufbringen einer Schicht, die sowohl als thermische Leitung als auch als Schutz wirkt, auf der transparenten dünnen Schicht.
Das Verfahren 1000 umfasst den Arbeitsablauf 1006 zum Bilden von thermisch leitfähigem Klebematerial. Das Bilden des thermisch leitfähigen Klebematerials umfasst das Mischen der Klebekomponente und der thermisch leitfähigen Komponente. Das Bilden kann ferner andere Schritte umfassen, wie beispielsweise das Ausrichten der länglichen thermisch leitfähigen Teilchen durch ein externes Feld (wie beispielsweise ein elektrisches Feld oder Magnetfeld) für eine verbesserte thermische Leitfähigkeit.
Das Verfahren 1000 umfasst den Arbeitsvorgang 1008 des Klebens der Pellicle-Membran an den Pellicle-Rahmen unter Verwendung des thermisch leitfähigen Klebematerials. Das Klebeverfahren kann das Anwenden von Druck, Härtung, das Anwenden eines externen Feldes (zur Ausrichtung) oder eine Kombination davon umfassen. Zum Beispiel kann ein externes Feld während des Klebeverfahrens für eine verbesserte thermische Leitfähigkeit auf die länglichen thermisch leitfähigen Teilchen des thermisch leitfähigen Klebematerials angewandt werden.
In einigen Ausführungsformen kann das Verfahren 1000 ferner den Arbeitsvorgang 1010 des Anbringens der Maske an dem Pellicle-Rahmen unter Verwendung des thermisch leitfähigen Klebematerials umfassen. Das Verfahren zum Anbringen kann dem Arbeitsvorgang 1008 ähnlich sein. Zum Beispiel umfasst das Anbringungsverfahren das Anwenden von Druck, das Härten, das Anwenden eines externen Felds (zur Ausrichtung) oder eine Kombination davon. Alternativ kann dieser Arbeitsvorgang in dem Halbleiter-Herstellungsverfahren ausgeführt werden. Das so gebildete Masken-Pellicle-System wird in einem LithographieStrukturierungsverfahren verwendet.
Nun ist unter Bezugnahme auf 11 ein Ablaufdiagramm eines Verfahrens 1100 veranschaulicht, das zum Durchführen eines Lithographieverfahrens in einer Herstellung einer integrierten Schaltung verwendet wird, die gemäß Gesichtspunkten der vorliegenden Offenbarung in einigen Ausführungsformen konstruiert ist.
Das Verfahren 1100 kann mit dem Arbeitsvorgang 1102 des Anbringens der Maske an der Pellicle-Vorrichtung (dem Pellicle-Rahmen mit der daran befestigten Membran) unter Verwendung des thermisch leitfähigen Klebematerials verwendet werden, was ein Masken-Pellicle-System 300 ergibt, wie in 1, 2 und 3 veranschaulicht. Das Verfahren zum Anbringen kann dem Arbeitsvorgang 1008 ähnlich sein. Zum Beispiel umfasst das Anbringungsverfahren das Anwenden von Druck, das Härten, das Anwenden eines externen Felds (zur Ausrichtung) oder eine Kombination davon.
Das Verfahren 1100 umfasst den Arbeitsvorgang 1104 zum Laden eines Pellicle-Systems 300 in ein Lithographiesystem 100. Der Arbeitsvorgang 1004 im Verfahren 1100 kann ferner andere Schritte umfassen, wie beispielsweise die Ausrichtung, nachdem das Masken-Pellicle-System auf dem Maskentisch 106 gesichert wurde.
Das Verfahren 1100 geht dann zum Arbeitsvorgang 1106 über, in dem ein Halbleiterwafer auf den Substrattisch 118 des Lithographiesystems 100 geladen wird. In einigen Beispielen kann der Halbleiterwafer ein Siliziumwafer sein, der mit einer Photoresist-Schicht beschichtet ist. Die Photoresist-Schicht ist empfindlich gegenüber dem Strahlenbündel von der Strahlenquelle 102 und ist durch ein Lithographiebelichtungsverfahren zu strukturieren, derart, dass die auf der Maske definierte Struktur auf die Photoresist-Schicht übertragen wird. Das Verfahren 1100 geht dann zum Arbeitsvorgang 1108 über, in dem ein Lithographiebelichtungsverfahren durchgeführt wird, um die Struktur von der Maske auf den Halbleiterwafer zu übertragen.
Zusätzliche Arbeitsvorgänge können vor, während und nach dem Verfahren 1100 bereitgestellt werden und einige der beschriebenen Schritte können für zusätzliche Ausführungsformen des Verfahrens 1100 ersetzt, beseitigt oder verschoben werden. In einem Beispiel umfasst das Lithographieverfahren, Weichbrennen (Soft Baking), Maskenausrichtung, Belichten, Brennen nach dem Belichten, Photoresist-Entwickeln und Hartbrennen (Hard Baking).
Die vorliegende Offenbarung stellt ein System für ein Halbleiter-Lithographieverfahren bereit, wobei das System eine thermisch leitfähige Membran umfasst, wobei ein Pellicle-Rahmen aus einem porösen Material die Membran und das thermisch leitfähige Klebematerial sichert, um die Maske und die Membran an den Pellicle-Rahmen zu kleben. Das poröse Material umfasst mehrere Porenkanäle, die ausgestaltet sind, um Teilchen zu filtern und einen Druckausgleich bereitzustellen. Die thermischen Leitfähigkeiten der Membran und der Klebeschicht stellen thermische Pfade bereit, derart, dass die durch das Lithographiebelichtungsverfahren erzeugte Hitze abgeleitet werden kann, wodurch die thermische Beanspruchung und Verformung der Maske verringert oder beseitigt wird.
So stellt die vorliegende Offenbarung eine Vorrichtung für ein Halbleiter-Lithographieverfahren gemäß einigen Ausführungsformen bereit. Die Vorrichtung umfasst eine Pellicle-Membran mit einer thermisch leitfähigen Fläche; einen porösen Pellicle-Rahmen; und eine thermisch leitfähige Klebeschicht, die die Pellicle-Membran an dem porösen Pellicle-Rahmen sichert. Der poröse Pellicle-Rahmen umfasst mehrere Porenkanäle, die sich ununterbrochen von einer Außenfläche des porösen Pellicle-Rahmens zu einer Innenfläche des porösen Pellicle-Rahmens erstrecken.
Die vorliegende Offenbarung stellt auch ein Verfahren zum Herstellen einer Pellicle-Baugruppe für ein Lithographieverfahren gemäß einigen Ausführungsformen bereit. Das Verfahren umfasst das Herstellen eines porösen Pellicle-Rahmens mit einstellbaren Porengrößen; das Bilden einer Pellicle-Membran, die eine thermisch leitfähige Fläche aufweist; und das Anbringen der Pellicle-Membran an dem Pellicle-Rahmen, derart, dass die Pellicle-Membran durch den Pellicle-Rahmen unter Verwendung eines thermisch leitfähigen Klebematerials aufgehängt wird.
Die vorliegende Offenbarung stellt auch ein Verfahren für ein Lithographieverfahren bereit. Das Verfahren umfasst das Bereitstellen einer Pellicle-Vorrichtung, wobei die Pellicle-Vorrichtung eine Membran mit einer thermisch leitfähigen Fläche und einen porösen Pellicle-Rahmen umfasst, der die Membran über den Pellicle-Rahmen durch ein thermisch leitfähiges Klebematerial sichert; das Anbringen der Pellicle-Vorrichtung auf einer Maske, wobei die Maske eine strukturierte Fläche umfasst; das Laden der Maske, die die darauf angebrachte Pellicle-Vorrichtung aufweist, in ein Lithographiesystem und das Laden eines Halbleiterwafers auf einen Substrattisch des Lithographiesystems; und das Durchführen eines Lithographiebelichtungsverfahrens zum Übertragen einer Struktur der strukturierten Fläche von der Maske auf den Halbleiterwafer.

Claims

Vorrichtung für ein Halbleiter-Lithographieverfahren, die Folgendes umfasst: - eine Pellicle-Membran (306) mit einer thermisch leitfähigen Fläche; - einen porösen Pellicle-Rahmen (304), wobei der poröse Pellicle-Rahmen (304) mehrere Porenkanäle (502) umfasst, die sich ununterbrochen von einer Außenfläche (318) des porösen Pellicle-Rahmens (304) zu einer Innenfläche (316) des porösen Pellicle-Rahmens (304) erstrecken; und - eine thermisch leitfähige Klebeschicht (308), die die Pellicle-Membran (306) an dem porösen Pelliele-Rahmen (304) sichert.
Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei: die mehreren Porenkanäle (502) zufällig ausgestaltet sind; jeder der mehreren Porenkanäle (502) sich von einer ersten Öffnung auf der Außenfläche (318) des porösen Pellicle-Rahmens (304) zu einer zweiten Öffnung auf der Innenfläche (316) des porösen Pellicle-Rahmens (304) erstreckt; und jeder von den mehreren Porenkanälen einen zufällig veränderlichen Durchmesser von der Außenfläche (318) zur Innenfläche (316) aufweist.
Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, wobei der poröse Pellicle-Rahmen (304) ein poröses Material umfasst, das von der Gruppe ausgewählt ist, die aus Metall, Legierung und Keramikmaterial ausgewählt ist.
Vorrichtung nach Anspruch 3, wobei das poröse Material ein Material umfasst, das von der Gruppe ausgewählt ist, die aus Al, SiO₂, Al-Mg, Al-Ti, Al-Ni und Al-Fe, AlN, Al₂O₃, ZrO₂, BN, BC und einer Kombination davon besteht.
Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der poröse Pellicle-Rahmen (304) durch eine Technik hergestellt ist, die von der Gruppe ausgewählt ist, die aus Flüssigphasensintern, Festphasensintern, Verdampfungssintern und einer Kombination davon besteht.
Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, die ferner Folgendes umfasst: - eine Maske (302), die eine strukturierte Fläche (312) umfasst; und - eine andere thermisch leitfähige Klebeschicht (310), die die Maske (302) an dem porösen Pellicle-Rahmen (304) sichert, wobei der Pellicle-Rahmen (304) an der Maske (302) angebracht ist und wobei die Membran in einem Sicherheitsabstand von der strukturierten Fläche weg aufgehängt ist; und wobei ein Innenraum (312) durch eine untere Fläche der Membran, eine obere Fläche der Maske (302) und die Innenfläche (316) des Pellicle-Rahmens (304) gebildet wird.
Vorrichtung nach Anspruch 6, wobei die mehreren Porenkanäle (502) mit einstellbaren Porengrößen eingestellt sind, um zu verhindern, dass Teilchen in den Innenraum (312) eindringen, und wobei die mehreren Porenkanäle (502) ausgestaltet sind, um Druckausgleich zwischen dem Innenraum (312) und einem Raum bereitzustellen, der das System umgibt.
Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Vorrichtung in einem extrem ultravioletten (EUV) Lithographiesystem verwendet wird und während des Lithographiebelichtungsverfahrens in einer Vakuumumgebung gehalten wird.
Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Pellicle-Membran (306) Folgendes umfasst: - eine Schicht aus einem Material mit niedrigem Transmissionsgrad aus einem Material, das von der Gruppe ausgewählt ist, die aus pSi, a-Si, SiCN und SiP-Graphen besteht; und - eine Schicht aus thermisch leitfähigem Material, die auf der Schicht aus Material mit niedrigem Transmissionsgrad angeordnet ist, wobei die Schicht aus thermisch leitfähigem Material ein Material umfasst, das von der Gruppe ausgewählt ist, die aus Ru, Ir, einem Material auf Kohlenstoffbasis, Cu, Ni, Fe und einer Kombination davon besteht.
Vorrichtung nach Anspruch 9, wobei das Material auf Kohlenstoffbasis eines von Graphit, Graphen, Diamant und Nanoröhre umfasst.
Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die thermisch leitfähige Klebeschicht (308) einen thermisch leitfähigen Füllstoff umfasst, der in einem Klebepolymer angeordnet ist.
Vorrichtung nach Anspruch 11, wobei der thermisch leitfähige Füllstoff eines von Metall, Metalllegierung, thermisch leitfähigem Keramikmaterial, thermisch leitfähigem Polymer und thermisch leitfähiger Verbindung umfasst.
Vorrichtung nach Anspruch 11, wobei der thermisch leitfähige Füllstoff eines von Al, Ag, AlO, AlN, BN, Kohlenstoff (Graphen, Nanoröhre oder Graphitfolie), Be, B₄C, SiC und einem daraus gemischten Material umfasst.
Vorrichtung nach einem der Ansprüche 11 bis 13, wobei das Klebepolymer eines von Styrol-Ethylen/Butylen-Styrol-Gummi (SEBS), thermoplastischem Polyesterelastomer (TPE), Polyetherurethan (TPU), thermoplastischem Olefinelastomer (TPO) und thermoplastischem Vulkanisat (TPV) umfasst.
Vorrichtung nach einem der Ansprüche 11 bis 14, wobei das Klebepolymer ein Blockcopolymer umfasst, das einen Weichblock und einen Hartblock aufweist.
Verfahren zum Herstellen einer Pellicle-Baugruppe für ein Lithographieverfahren, das Folgendes umfasst: - Herstellen eines porösen Pellicle-Rahmens (304) mit einstellbaren Porengrößen; - Bilden einer Pellicle-Membran (306), die eine thermisch leitfähige Fläche aufweist; und - Anbringen der Pellicle-Membran (306) an dem Pellicle-Rahmen (304), derart, dass die Pellicle-Membran (306) durch den Pellicle-Rahmen (304) unter Verwendung eines thermisch leitfähigen Klebematerials aufgehängt wird.
Verfahren nach Anspruch 16, wobei das Herstellen des Pellicle-Rahmens (304) das Herstellen des Pellicle-Rahmens (304) durch eines von Flüssigphasensintern, Festphasensintern und Verdampfungssintern unter Verwendung eines Materials umfasst, das von der Gruppe ausgewählt wird, die aus Al, SiO₂, Al-Mg, Al-Ti, Al-Ni und Al-Fe, AlN, Al₂O₃, ZrO₂ und BN und BC besteht.
Verfahren nach Anspruch 16 oder 17, wobei das Bilden der Pellicle-Membran (306) Folgendes umfasst: - Bilden einer Schicht aus einem Material mit niedrigem Transmissionsgrad aus einem Material, das von der Gruppe ausgewählt wird, die aus pSi, a-Si, SiCN und SiP-Graphen besteht; und - Bilden einer Schicht aus thermisch leitfähigem Material auf der Schicht aus Material mit niedrigem Transmissionsgrad, wobei die Schicht aus thermisch leitfähigem Material ein Material umfasst, das von der Gruppe ausgewählt wird, die aus Ru, Ir, einem Material auf Kohlenstoffbasis, Cu, Ni, Fe und einer Kombination davon besteht.
Verfahren nach einem der Ansprüche 16 bis 18, wobei das Befestigen der Pellicle-Membran (306) an dem porösen Pellicle-Rahmen (304) unter Verwendung des thermisch leitfähigen Klebematerials das Dispergieren eines thermisch leitfähigen Füllstoffs in ein Klebematerial unter Verwendung von einem von Flüssigphasensintern, Festphasensintern und Verdampfungssintern umfasst, wobei der thermisch leitfähige Füllstoff eines von Metall, Metalllegierung, thermisch leitfähigem Keramikmaterial, thermisch leitfähigem Polymer und thermisch leitfähiger Verbindung umfasst.
Verfahren für ein Lithographieverfahren, das Folgendes umfasst: - Bereitstellen einer Pellicle-Vorrichtung, wobei die Pellicle-Vorrichtung eine Membran mit einer thermisch leitfähigen Fläche und einen porösen Pellicle-Rahmen (304) umfasst, der die Membran über den Pellicle-Rahmen (304) durch ein thermisch leitfähiges Klebematerial sichert; - Anbringen der Pellicle-Vorrichtung auf einer Maske (302), wobei die Maske (302) eine strukturierte Fläche (312) umfasst; - Laden der Maske (302), die die darauf angebrachte Pellicle-Vorrichtung aufweist, in ein Lithographiesystem und Laden eines Halbleiterwafers auf einen Substrattisch des Lithographiesystems; und - Durchführen eines Lithographiebelichtungsverfahrens zum Übertragen einer Struktur der strukturierten Fläche von der Maske (302) auf den Halbleiterwafer.