JPH04196117A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JPH04196117A JPH04196117A JP2321762A JP32176290A JPH04196117A JP H04196117 A JPH04196117 A JP H04196117A JP 2321762 A JP2321762 A JP 2321762A JP 32176290 A JP32176290 A JP 32176290A JP H04196117 A JPH04196117 A JP H04196117A
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- JP
- Japan
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- pellicle
- frames
- distortion
- frame
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- Pending
Links
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title description 9
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- HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/62—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
- G03F1/64—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof characterised by the frames, e.g. structure or material, including bonding means therefor
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明は、ペリクルフレームの材料として多孔質材料を
使用する半導体製造装置に関するものである。
使用する半導体製造装置に関するものである。
［従来の技術］
従来の技術による半導体製造装置は第３図に示すように
、非通気性のペリクルフレームに一部通気口を開けるこ
とによってペリクル内と外気との気圧差を無くしていた
。しかしながら、通常この通気口は無塵テープで塞がれ
ており、常に通気が出来ない構造となっていた。
、非通気性のペリクルフレームに一部通気口を開けるこ
とによってペリクル内と外気との気圧差を無くしていた
。しかしながら、通常この通気口は無塵テープで塞がれ
ており、常に通気が出来ない構造となっていた。
［発明が解決しようとする課題］
上述の従来の技術では、常に通気が出来ないために外気
圧の変化により、第４図（ａ）、 （ｂ）の様に凹又は
凸状にペリクルが歪んでしまう。この歪みにより照度む
らが起こり、レジストのマスクパターンがうまく形成さ
れなくなるという問題点やペリクル表面の異物検査をす
る際に異物が検出出来なくなるという問題点もあった。
圧の変化により、第４図（ａ）、 （ｂ）の様に凹又は
凸状にペリクルが歪んでしまう。この歪みにより照度む
らが起こり、レジストのマスクパターンがうまく形成さ
れなくなるという問題点やペリクル表面の異物検査をす
る際に異物が検出出来なくなるという問題点もあった。
又、通気口から内部に異物が進入したり、無塵テープの
脱着による発塵という問題点もあった。
脱着による発塵という問題点もあった。
本発明は、このような問題点を解決する為のもので、そ
の目的とするところはペリクルフレームに多孔質材料を
使用して、常時ペリクル内と外気との気圧差を無くすこ
とにより、常にペリクルが平坦な状態を保つところと、
異物による現像不良を少なくするところにある。
の目的とするところはペリクルフレームに多孔質材料を
使用して、常時ペリクル内と外気との気圧差を無くすこ
とにより、常にペリクルが平坦な状態を保つところと、
異物による現像不良を少なくするところにある。
［課題を解決するための手段］
本発明の半導体製造装置は、前述の従来技術における気
圧差によるペリクルの歪みや発塵などの問題点を解決す
る為に、ペリクルフレームに多孔質材料を使用すること
を特徴とする。
圧差によるペリクルの歪みや発塵などの問題点を解決す
る為に、ペリクルフレームに多孔質材料を使用すること
を特徴とする。
［実施例コ
以下、本発明の半導体製造装置の１実施例を図面と共に
説明する。
説明する。
第１図は、本発明の実施例における半導体製造装置の平
面図である。第２図は、第１図におけるｘ−ｘ’線に沿
った断面図である。
面図である。第２図は、第１図におけるｘ−ｘ’線に沿
った断面図である。
第２図において、ガラスマスク３の表面、裏面に枠状の
多孔質材料で構成されたペリクルフレーム２を接着する
。さらに、多孔質材料で構成されたペリクルフレーム２
にペリクル１を接着する。
多孔質材料で構成されたペリクルフレーム２を接着する
。さらに、多孔質材料で構成されたペリクルフレーム２
にペリクル１を接着する。
ガラスマスク３を保護するペリクル］を支えるのに多孔
質材料で構成されたペリクルフレーム２を使用した場合
は、第３図の通気口４が不用となる他、通常通気口を塞
いでいる無塵テープ５が不用となるので、構造が簡単に
なり製造も容易となる。
質材料で構成されたペリクルフレーム２を使用した場合
は、第３図の通気口４が不用となる他、通常通気口を塞
いでいる無塵テープ５が不用となるので、構造が簡単に
なり製造も容易となる。
以上の様な実施例において、第４図（ａ）、（ｂ）に示
した様なペリクル１の歪みは、多孔質材料で構成された
ペリクルフレーム２が、常にペリクル内と外気との間で
通気を可能とすることにより防止される。そして、常に
ペリクルが平坦な状態を保つことが出来る。この為、多
孔質材料の通気性が良い程、有効に作用する。ペリクル
フレームの材料としての多孔質材料には、ゼオライトが
ある。又、他の多孔質材料でも材料として使用可能であ
る。
した様なペリクル１の歪みは、多孔質材料で構成された
ペリクルフレーム２が、常にペリクル内と外気との間で
通気を可能とすることにより防止される。そして、常に
ペリクルが平坦な状態を保つことが出来る。この為、多
孔質材料の通気性が良い程、有効に作用する。ペリクル
フレームの材料としての多孔質材料には、ゼオライトが
ある。又、他の多孔質材料でも材料として使用可能であ
る。
［発明の効果］
以」二述べた様に、本発明はペリクルフレームに多孔質
材料を使用することにより、ペリクル内と外気との気圧
差によるペリクルの歪みを防止するのに効果がある。ま
た、通気口と無塵テープを無くすことにより、構造を簡
単にし発塵を抑制する効果がある。これにより、ペリク
ルの歪みによるフ第１・パターン歪み及び、ペリクル上
の異物検出不良が無くなり、品質及び歩留まりが向上す
る。
材料を使用することにより、ペリクル内と外気との気圧
差によるペリクルの歪みを防止するのに効果がある。ま
た、通気口と無塵テープを無くすことにより、構造を簡
単にし発塵を抑制する効果がある。これにより、ペリク
ルの歪みによるフ第１・パターン歪み及び、ペリクル上
の異物検出不良が無くなり、品質及び歩留まりが向上す
る。
第１図は、本発明の実施例における半導体製造装置の平
面図である。 第２図は、第１図のｘ−ｘ’線に沿った断面図である。 第３図は、従来技術による半導体製造装置の断面図であ
る。 第４図は、ペリクル内と外気との間に気圧差を生じた場
合の従来技術による半導体製造装置の断面図である。 １ ・・・ ペリクル ２ ・・・ 多孔質材料で構成されたペリクルフレーム ３ ・・・ ガラスマスク ４ ・・・ 通気口 ５ ・・・ 無塵テープ ６ ・・・ 非通気性ペリクルフレーム以上 出願人 セイコーエプソン株式会社
面図である。 第２図は、第１図のｘ−ｘ’線に沿った断面図である。 第３図は、従来技術による半導体製造装置の断面図であ
る。 第４図は、ペリクル内と外気との間に気圧差を生じた場
合の従来技術による半導体製造装置の断面図である。 １ ・・・ ペリクル ２ ・・・ 多孔質材料で構成されたペリクルフレーム ３ ・・・ ガラスマスク ４ ・・・ 通気口 ５ ・・・ 無塵テープ ６ ・・・ 非通気性ペリクルフレーム以上 出願人 セイコーエプソン株式会社
Claims (1)
- ガラスマスクを異物から保護するペリクルを支えるペリ
クルフレームにおいて、前記ペリクルフレームに多孔質
材料を使用することを特徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2321762A JPH04196117A (ja) | 1990-11-26 | 1990-11-26 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2321762A JPH04196117A (ja) | 1990-11-26 | 1990-11-26 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04196117A true JPH04196117A (ja) | 1992-07-15 |
Family
ID=18136162
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2321762A Pending JPH04196117A (ja) | 1990-11-26 | 1990-11-26 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04196117A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001005169A (ja) * | 1999-06-24 | 2001-01-12 | Shin Etsu Chem Co Ltd | ペリクルおよびペリクルの製造方法 |
| WO2001059522A1 (en) * | 2000-02-10 | 2001-08-16 | Asml Us, Inc. | Method and apparatus for a reticle with purged pellicle-to-reticle gap |
| WO2003007352A1 (en) * | 2001-07-11 | 2003-01-23 | Sang-Duck Kim | Apparatus for pellicle remove |
| WO2004040374A2 (en) * | 2002-10-29 | 2004-05-13 | Dupont Photomasks, Inc. | Photomask assembly and method for protecting the same from contaminants generated during a lithography process |
| SG106163A1 (en) * | 2002-12-09 | 2004-09-30 | Asml Holding Nv | Method and apparatus for a pellicle frame with porous filtering inserts and heightened bonding surfaces |
| WO2005029182A2 (en) * | 2003-09-23 | 2005-03-31 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method and apparatus for protecting a reticle used in chip production from contamination |
| WO2005029183A3 (en) * | 2003-09-23 | 2006-03-02 | Koninkl Philips Electronics Nv | Method and apparatus for protecting a reticle used in chip production from contamination |
| US7476474B2 (en) | 2002-10-02 | 2009-01-13 | Yazaki Corporation | Method for making a photomask assembly incorporating a porous frame |
| NL2021947A (en) * | 2017-11-21 | 2019-05-24 | Asml Netherlands Bv | Porous Graphitic Pellicle |
| US11294274B2 (en) * | 2015-12-17 | 2022-04-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Pellicle assembly and method for advanced lithography |
-
1990
- 1990-11-26 JP JP2321762A patent/JPH04196117A/ja active Pending
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001005169A (ja) * | 1999-06-24 | 2001-01-12 | Shin Etsu Chem Co Ltd | ペリクルおよびペリクルの製造方法 |
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| US7094505B2 (en) | 2002-10-29 | 2006-08-22 | Toppan Photomasks, Inc. | Photomask assembly and method for protecting the same from contaminants generated during a lithography process |
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| US7531275B2 (en) | 2002-10-29 | 2009-05-12 | Toppan Photomasks, Inc. | Photomask assembly and method for protecting the same from contaminants generated during a lithography process |
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| WO2005029182A3 (en) * | 2003-09-23 | 2006-02-23 | Koninkl Philips Electronics Nv | Method and apparatus for protecting a reticle used in chip production from contamination |
| WO2005029182A2 (en) * | 2003-09-23 | 2005-03-31 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method and apparatus for protecting a reticle used in chip production from contamination |
| US11294274B2 (en) * | 2015-12-17 | 2022-04-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Pellicle assembly and method for advanced lithography |
| NL2021947A (en) * | 2017-11-21 | 2019-05-24 | Asml Netherlands Bv | Porous Graphitic Pellicle |
| WO2019101517A1 (en) * | 2017-11-21 | 2019-05-31 | Asml Netherlands B.V. | Porous graphitic pellicle |
| NL2023649A (en) * | 2017-11-21 | 2019-09-10 | Asml Netherlands Bv | Porous Graphitic Pellicle |
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