JPH0627643A - フォトマスクおよび半導体装置の製造方法 - Google Patents
フォトマスクおよび半導体装置の製造方法Info
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- JPH0627643A JPH0627643A JP18121992A JP18121992A JPH0627643A JP H0627643 A JPH0627643 A JP H0627643A JP 18121992 A JP18121992 A JP 18121992A JP 18121992 A JP18121992 A JP 18121992A JP H0627643 A JPH0627643 A JP H0627643A
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- JP
- Japan
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- pellicle
- photomask
- opening
- foreign matter
- air
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】ペリクルを装着したフォトマスクを用いた半導
体装置製造において、量産性の低下と、フォトマスクや
ペリクル面への異物の付着を招くことなく、ペリクル、
ペリクル枠および、フォトマスクで囲まれる領域と外気
との通気性を確保し、ペリクルの平坦性を維持する。 【構成】フォトマスクへペリクルを装着するためのペリ
クル枠側面の少なくとも一部に開孔部を設け、前記開孔
部内に外気がペリクル内に進入するためのみの弁と、ペ
リクル内の空気が外気に出ていくためのみの弁を設け
る。 【効果】フォトマスクに対する異物検査の精度が上が
り、またペリクルが露光装置内で破れることがなくなる
ため、量産性が向上する。
体装置製造において、量産性の低下と、フォトマスクや
ペリクル面への異物の付着を招くことなく、ペリクル、
ペリクル枠および、フォトマスクで囲まれる領域と外気
との通気性を確保し、ペリクルの平坦性を維持する。 【構成】フォトマスクへペリクルを装着するためのペリ
クル枠側面の少なくとも一部に開孔部を設け、前記開孔
部内に外気がペリクル内に進入するためのみの弁と、ペ
リクル内の空気が外気に出ていくためのみの弁を設け
る。 【効果】フォトマスクに対する異物検査の精度が上が
り、またペリクルが露光装置内で破れることがなくなる
ため、量産性が向上する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置製造のフォ
ト工程に関し、特にペリクルを装着したフォトマスクに
関する。
ト工程に関し、特にペリクルを装着したフォトマスクに
関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置製造のフォト工程で、半導体
基板上に所望のレジストパターンを形成する方法として
縮小投影露光装置（以下、ステッパーと称す）を使用す
ることが一般的であるが、近年素子の微細化が進み集積
度が増すにつれてフォトマスク上の異物の転写が問題と
なってきている。ステッパーはこのフォトマスク上のパ
ターンを５分の１、あるいは１０分の１に縮小して投影
する。しかし近年投影レンズやレジストの解像性能向上
により、フォトマスク上にミクロンオーダーの異物があ
っても十分に転写する可能性がある。そして転写された
異物はパターン欠陥になり、半導体素子の機能を劣化さ
せ、歩留りを低下させる。そこで最近、異物の転写を防
止する方法として、ペリクルが使用されている。図２は
ペリクルを装着した従来のフォトマスクを示す図である
が、ペリクル２３はニトロセルロースに代表される透明
薄膜からなり、アルミ合金などの金属からなるペリクル
枠２２を介してフォトマスク２１上のパターン部を保護
するように覆って固定される。前記フォトマスク２１上
には空気中の異物がペリクルの無いときと同様に付着す
るが、投影露光時の焦点位置はフォトマスク２１面上に
あるためペリクル２３上の異物に対しては焦点ずれとな
り数十ミクロンまでの異物は転写しない仕組みとなって
いる。このようにペリクルを使用することにより、異物
転写に起因するパターン欠陥は著しく減少した。しかし
プロセスルールの微細化にともない、ペリクル上の異物
が転写する可能性は否定できないため、依然ペリクル２
３上およびレチクル２１上の異物検査が必要である。
基板上に所望のレジストパターンを形成する方法として
縮小投影露光装置（以下、ステッパーと称す）を使用す
ることが一般的であるが、近年素子の微細化が進み集積
度が増すにつれてフォトマスク上の異物の転写が問題と
なってきている。ステッパーはこのフォトマスク上のパ
ターンを５分の１、あるいは１０分の１に縮小して投影
する。しかし近年投影レンズやレジストの解像性能向上
により、フォトマスク上にミクロンオーダーの異物があ
っても十分に転写する可能性がある。そして転写された
異物はパターン欠陥になり、半導体素子の機能を劣化さ
せ、歩留りを低下させる。そこで最近、異物の転写を防
止する方法として、ペリクルが使用されている。図２は
ペリクルを装着した従来のフォトマスクを示す図である
が、ペリクル２３はニトロセルロースに代表される透明
薄膜からなり、アルミ合金などの金属からなるペリクル
枠２２を介してフォトマスク２１上のパターン部を保護
するように覆って固定される。前記フォトマスク２１上
には空気中の異物がペリクルの無いときと同様に付着す
るが、投影露光時の焦点位置はフォトマスク２１面上に
あるためペリクル２３上の異物に対しては焦点ずれとな
り数十ミクロンまでの異物は転写しない仕組みとなって
いる。このようにペリクルを使用することにより、異物
転写に起因するパターン欠陥は著しく減少した。しかし
プロセスルールの微細化にともない、ペリクル上の異物
が転写する可能性は否定できないため、依然ペリクル２
３上およびレチクル２１上の異物検査が必要である。
【０００３】ところで前述のペリクル２３上の異物検査
はペリクル２３面にレーザー光を走査し、異物があれば
その散乱光を検出して、前記異物の位置、大きさを判断
する方式に基づく検査装置が一般的に使用されており、
高い検出精度を得るためにはペリクル２３面の平坦性が
十分確保されている必要がある。しかしこの平坦性を妨
げる要因としてペリクル２３、ペリクル枠２２及びフォ
トマスク２１で囲まれる領域の内圧と外圧の差が挙げら
れる。ペリクル２３が薄膜であるために内圧よりも外圧
が高ければペリクル２３は内側にへこみ、逆に内圧より
も外圧が低ければペリクル２３は外側に膨らむ。実際に
低地から高地へ移動させたときにはペリクルは膨らみ、
台風などの低気圧通過時にも変形が生じる。このよう
に、ペリクルの変形により平坦性が損なわれ、ペリクル
面上の異物検査を十分な検出精度を持って行なうことが
できず異物転写に起因するパターン欠陥が増えるととも
に歩留まりも低下した。
はペリクル２３面にレーザー光を走査し、異物があれば
その散乱光を検出して、前記異物の位置、大きさを判断
する方式に基づく検査装置が一般的に使用されており、
高い検出精度を得るためにはペリクル２３面の平坦性が
十分確保されている必要がある。しかしこの平坦性を妨
げる要因としてペリクル２３、ペリクル枠２２及びフォ
トマスク２１で囲まれる領域の内圧と外圧の差が挙げら
れる。ペリクル２３が薄膜であるために内圧よりも外圧
が高ければペリクル２３は内側にへこみ、逆に内圧より
も外圧が低ければペリクル２３は外側に膨らむ。実際に
低地から高地へ移動させたときにはペリクルは膨らみ、
台風などの低気圧通過時にも変形が生じる。このよう
に、ペリクルの変形により平坦性が損なわれ、ペリクル
面上の異物検査を十分な検出精度を持って行なうことが
できず異物転写に起因するパターン欠陥が増えるととも
に歩留まりも低下した。
【０００４】そこで従来は以下の方法により対処してい
た。ペリクル２３、ペリクル枠２２、およびフォトマス
ク２１で囲まれる領域と外気との通気性を確保するため
に前記ペリクル枠２２の一部に直径１ｍｍの開口部２４
を設けていた、また開口部から異物が進入するのを防ぐ
ために、必要時以外は前記開口部２４をテープ２５でふ
さいだ構造をとっていた。
た。ペリクル２３、ペリクル枠２２、およびフォトマス
ク２１で囲まれる領域と外気との通気性を確保するため
に前記ペリクル枠２２の一部に直径１ｍｍの開口部２４
を設けていた、また開口部から異物が進入するのを防ぐ
ために、必要時以外は前記開口部２４をテープ２５でふ
さいだ構造をとっていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし前述の従来技術
では、以下の問題点を有する。
では、以下の問題点を有する。
【０００６】１）テープ２５で開口部２４をふさいでい
ない状態では通気性は確保されても、前記開口部２４か
ら異物が進入して異物転写を引き起こす。
ない状態では通気性は確保されても、前記開口部２４か
ら異物が進入して異物転写を引き起こす。
【０００７】２）テープ２５で開口部２４をふさいだ状
態では異物の進入は防げるが、気圧変かじには一時的に
テープ２５をはずして通気する必要がある。この場合量
産で使用されているフォトマスクをすべて通気する必要
があるため、非常に量産効率が悪くなる。
態では異物の進入は防げるが、気圧変かじには一時的に
テープ２５をはずして通気する必要がある。この場合量
産で使用されているフォトマスクをすべて通気する必要
があるため、非常に量産効率が悪くなる。
【０００８】３）フォトマスクは、通常所定のケースに
１枚ずつ入れられて保管されているが、テープ２５をは
ずして通気する際には前記ケースからだして処理しなけ
ればならない。この時ペリクル２３面上に異物が付着
し、異物転写を引き起こすことがある。
１枚ずつ入れられて保管されているが、テープ２５をは
ずして通気する際には前記ケースからだして処理しなけ
ればならない。この時ペリクル２３面上に異物が付着
し、異物転写を引き起こすことがある。
【０００９】４）気圧変動などでペリクル２３が膨らん
でしまった場合、この状態のまま露光装置に搬送したと
き、前記ペリクル２３が搬送路に接触し破れてしまう。
でしまった場合、この状態のまま露光装置に搬送したと
き、前記ペリクル２３が搬送路に接触し破れてしまう。
【００１０】このように従来技術では量産効率の低下、
およびペリクル面上への異物付着という問題があった。
およびペリクル面上への異物付着という問題があった。
【００１１】そこで、本発明はこのような課題を解決す
るものであり、その目的とするところは量産性の低下、
フォトマスクやペリクル面への異物付着を招くことなく
ペリクル、ペリクル枠、及びフォトマスクで囲まれる領
域と外気との通気性を確保し、ペリクル面の平坦性を維
持することにある。
るものであり、その目的とするところは量産性の低下、
フォトマスクやペリクル面への異物付着を招くことなく
ペリクル、ペリクル枠、及びフォトマスクで囲まれる領
域と外気との通気性を確保し、ペリクル面の平坦性を維
持することにある。
【００１２】
１）透明薄膜からなるペリクルをペリクル枠を介して装
着したフォトマスクにおいて、前記ペリクル枠に、外部
から前記フォトマスクと前記ペリクル及び前記ペリクル
枠によりふさがれている領域へのみ通気を行なう機能を
有する開口部を少なくとも１箇所と、前記領域内から外
部へのみ通気を行なう機能を有する開口部を少なくとも
１箇所有することを特徴とするフォトマスク。
着したフォトマスクにおいて、前記ペリクル枠に、外部
から前記フォトマスクと前記ペリクル及び前記ペリクル
枠によりふさがれている領域へのみ通気を行なう機能を
有する開口部を少なくとも１箇所と、前記領域内から外
部へのみ通気を行なう機能を有する開口部を少なくとも
１箇所有することを特徴とするフォトマスク。
【００１３】２）本発明の半導体装置製造の製造方法
は、半導体装置製造のフォト工程において第１項記載の
フォトマスクを用いることを特徴とする。
は、半導体装置製造のフォト工程において第１項記載の
フォトマスクを用いることを特徴とする。
【００１４】
【実施例】図１に、本発明のフォトマスクを示す。図１
（ａ）は本発明のフォトマスクを斜め上方向からみた図
であり、図１（ｂ）は、外気からペリクル枠内に空気を
通気させる開口部を上からみた図であり、図１（ｃ）は
ペリクル枠内の空気を外気に通気させる開口部を上から
見た図である。ペリクル１３はニトロセルロースに代表
される透明薄膜からなり、アルミ合金などからなるペリ
クル枠１２を介してフォトマスク１１から一定の距離を
おいて前記フォトマスク１１上のパターン部を保護する
ように覆って固定される。図１において、ペリクル枠１
２の側面に１辺３ｍｍの直方体の開口部１４、１５を設
ける。そして前記開口部１４、１５内に、塩化ビニルに
代表される薄膜からなる弁１６、１７、１８、１９が設
けられている。前記開口部１４内の前記弁１６、１７は
それぞれ外気と接触する側の開口部の左右側辺に接着
され、前記ペリクル１３、前記ペリクル枠１２、および
前記フォトマスク１１で囲まれた領域側の開口部で前記
弁１６、１７が接触している。また前記開口部１５内の
前記弁１８、１９は、それぞれ前記領域側の開口部の左
右側辺に接着され、外気と接触する側の開口部で前記弁
１８、１９がお互いに接触している。
（ａ）は本発明のフォトマスクを斜め上方向からみた図
であり、図１（ｂ）は、外気からペリクル枠内に空気を
通気させる開口部を上からみた図であり、図１（ｃ）は
ペリクル枠内の空気を外気に通気させる開口部を上から
見た図である。ペリクル１３はニトロセルロースに代表
される透明薄膜からなり、アルミ合金などからなるペリ
クル枠１２を介してフォトマスク１１から一定の距離を
おいて前記フォトマスク１１上のパターン部を保護する
ように覆って固定される。図１において、ペリクル枠１
２の側面に１辺３ｍｍの直方体の開口部１４、１５を設
ける。そして前記開口部１４、１５内に、塩化ビニルに
代表される薄膜からなる弁１６、１７、１８、１９が設
けられている。前記開口部１４内の前記弁１６、１７は
それぞれ外気と接触する側の開口部の左右側辺に接着
され、前記ペリクル１３、前記ペリクル枠１２、および
前記フォトマスク１１で囲まれた領域側の開口部で前記
弁１６、１７が接触している。また前記開口部１５内の
前記弁１８、１９は、それぞれ前記領域側の開口部の左
右側辺に接着され、外気と接触する側の開口部で前記弁
１８、１９がお互いに接触している。
【００１５】これにより、前記ペリクル１３、前記ペリ
クル枠１２、及び前記フォトマスク１１で囲まれた領域
内の気圧が外気に比べて低い場合、前記弁１６、１７、
１８、１９に対して外気から前記領域内に向けて圧力が
かかり、前記開口部１４内の前記弁１６、１７はお互い
の接触部分が離れ、前記開口部１５内の前記弁１８、１
９は逆により強く接触するため、前記開口部１４からの
み外気が流入し前記開口部１５では空気の流動は起らな
いので、前記領域内と外気との気圧が等しくなり前記ペ
リクル１３の平坦性が保たれる。逆に前記領域内の気圧
が外気と比べて高い場合、前記弁１６、１７、１８、１
９に対して前記領域内から外部に向けて圧力がかかるた
め、前記開口部１５内の前記弁１８、１９はお互いの接
触部分が離れ、前記開口部１４内の前記弁１６、１７は
逆に接触が強くなるため、前記開口部１５からのみ前記
領域内の空気が外部に流出し、前記開口部１４での空気
の流動は起らないので前記領域内の気圧がさがり外気と
等しくなるため、前記ペリクル１３の平坦性が保たれ
る。これによりペリクルの気圧変動などにともなう変形
がなくなる。たとえば、低気圧が通過した場合外気圧が
前記領域内の気圧に比べて低くなり前記開口部１５がな
ければペリクル１３が膨らんでしまうが、前記開口部１
５と前記弁１８、１９により前記領域内の空気が自然に
外気に流出され、前記開口部１６は閉ざされていると考
えて良いので、両者の気圧に均衡がとれペリクル１３は
平坦性を保つ。逆に高気圧が通過した場合、前記領域内
の気圧が外部に比べて低くなるためペリクル１３はへこ
んでしまうが、前記開口部１４と前記弁１６、１７の働
きにより、前記領域内に外部から空気が流入し、前記開
口部１５は閉ざされているので、気圧の均衡がとれペリ
クル１３の平坦性を保つ。そして本発明のレチクルを半
導体装置製造のフォト工程で用いる上で、以下の利点が
得られる。
クル枠１２、及び前記フォトマスク１１で囲まれた領域
内の気圧が外気に比べて低い場合、前記弁１６、１７、
１８、１９に対して外気から前記領域内に向けて圧力が
かかり、前記開口部１４内の前記弁１６、１７はお互い
の接触部分が離れ、前記開口部１５内の前記弁１８、１
９は逆により強く接触するため、前記開口部１４からの
み外気が流入し前記開口部１５では空気の流動は起らな
いので、前記領域内と外気との気圧が等しくなり前記ペ
リクル１３の平坦性が保たれる。逆に前記領域内の気圧
が外気と比べて高い場合、前記弁１６、１７、１８、１
９に対して前記領域内から外部に向けて圧力がかかるた
め、前記開口部１５内の前記弁１８、１９はお互いの接
触部分が離れ、前記開口部１４内の前記弁１６、１７は
逆に接触が強くなるため、前記開口部１５からのみ前記
領域内の空気が外部に流出し、前記開口部１４での空気
の流動は起らないので前記領域内の気圧がさがり外気と
等しくなるため、前記ペリクル１３の平坦性が保たれ
る。これによりペリクルの気圧変動などにともなう変形
がなくなる。たとえば、低気圧が通過した場合外気圧が
前記領域内の気圧に比べて低くなり前記開口部１５がな
ければペリクル１３が膨らんでしまうが、前記開口部１
５と前記弁１８、１９により前記領域内の空気が自然に
外気に流出され、前記開口部１６は閉ざされていると考
えて良いので、両者の気圧に均衡がとれペリクル１３は
平坦性を保つ。逆に高気圧が通過した場合、前記領域内
の気圧が外部に比べて低くなるためペリクル１３はへこ
んでしまうが、前記開口部１４と前記弁１６、１７の働
きにより、前記領域内に外部から空気が流入し、前記開
口部１５は閉ざされているので、気圧の均衡がとれペリ
クル１３の平坦性を保つ。そして本発明のレチクルを半
導体装置製造のフォト工程で用いる上で、以下の利点が
得られる。
【００１６】１）開口部１４、１５にそれぞれ弁１６、
１７と弁１８、１９が設けられているため、ここを通っ
てフォトマスク１１面に異物が付着する確率はほとんど
０に等しく、テープなどにより前記開口部１４、１５を
塞ぐ必要がなくなる。
１７と弁１８、１９が設けられているため、ここを通っ
てフォトマスク１１面に異物が付着する確率はほとんど
０に等しく、テープなどにより前記開口部１４、１５を
塞ぐ必要がなくなる。
【００１７】２）開孔部１４、１５を常に開けた状態に
しておけるため、従来のようなテープの開閉作業が不要
となり量産効率が著しく向上する。
しておけるため、従来のようなテープの開閉作業が不要
となり量産効率が著しく向上する。
【００１８】３）テープの開閉作業が不要になるため、
フォトマスクをケースの外に出す必要がなくなりペリク
ル面上への異物の付着を防止することができる。
フォトマスクをケースの外に出す必要がなくなりペリク
ル面上への異物の付着を防止することができる。
【００１９】以上、本発明の一実施例を述べたが、これ
以外に １）本発明を、縮小投影露光装置以外の露光装置、例え
ば１：１投影露光装置に用いられるフォトマスクに適用
する。
以外に １）本発明を、縮小投影露光装置以外の露光装置、例え
ば１：１投影露光装置に用いられるフォトマスクに適用
する。
【００２０】２）位相シフト法のフォトマスクに適用す
る。
る。
【００２１】３）ペリクルをフォトマスクのクロム面の
みではなくガラス面にも装着したフォトマスク。
みではなくガラス面にも装着したフォトマスク。
【００２２】４）開孔部をペリクル枠の側壁に限らず、
他の場所に設ける。また複数個設ける。
他の場所に設ける。また複数個設ける。
【００２３】５）弁に、塩化ビニル以外の防塵性に優れ
た材料を用いて、開孔部の開閉を行なう機構とする。
た材料を用いて、開孔部の開閉を行なう機構とする。
【００２４】６）開孔部の形状が直方体以外のもの、例
えば円形であるもの。
えば円形であるもの。
【００２５】等の場合についても、本実施例と同様な効
果が得られることは言うまでもない。
果が得られることは言うまでもない。
【００２６】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば １）透明薄膜からなるペリクルをペリクル枠を介して装
着したフォトマスクにおいて、前記ペリクル枠に、外部
から前記フォトマスクと前記ペリクル及び前記ペリクル
枠によりふさがれている領域へのみ通気を行なう機能を
有する開口部を少なくとも１箇所と、前記領域内から外
部へのみ通気を行なう機能を有する開口部を少なくとも
１箇所有する。
着したフォトマスクにおいて、前記ペリクル枠に、外部
から前記フォトマスクと前記ペリクル及び前記ペリクル
枠によりふさがれている領域へのみ通気を行なう機能を
有する開口部を少なくとも１箇所と、前記領域内から外
部へのみ通気を行なう機能を有する開口部を少なくとも
１箇所有する。
【００２７】２）半導体装置製造のフォトリソ工程にお
いて、第１項記載のフォトマスクを用いることにより、
開口部をテープなどでふさぐ必要がなくなるため気圧変
動などが生じるたびに工場内のフォトマスクに対して、
ケースからフォトマスクを取り出しペリクルを平坦にす
るための処置をほどこす必要がなくなり、また気圧変動
に即座に対応しペリクルの平坦性を保つため、量産性の
低下及びフォトマスクやペリクル面への異物付着を招く
ことなく、ペリクルとペリクル枠とフォトマスクとで囲
まれる領域と外気との通気性を確保しペリクルの平坦性
を維持できる、またこれによりフォトマスクに対する異
物検査の精度が上がり、またペリクルが露光装置内で破
れることがなくなるため、量産性が向上するという効果
を有する。
いて、第１項記載のフォトマスクを用いることにより、
開口部をテープなどでふさぐ必要がなくなるため気圧変
動などが生じるたびに工場内のフォトマスクに対して、
ケースからフォトマスクを取り出しペリクルを平坦にす
るための処置をほどこす必要がなくなり、また気圧変動
に即座に対応しペリクルの平坦性を保つため、量産性の
低下及びフォトマスクやペリクル面への異物付着を招く
ことなく、ペリクルとペリクル枠とフォトマスクとで囲
まれる領域と外気との通気性を確保しペリクルの平坦性
を維持できる、またこれによりフォトマスクに対する異
物検査の精度が上がり、またペリクルが露光装置内で破
れることがなくなるため、量産性が向上するという効果
を有する。
【図１】本発明のペリクルを装着したフォトマスクを示
す図である。
す図である。
【図２】ペリクルを装着した従来のフォトマスクの外観
を示す図である。
を示す図である。
１１ フォトマスク １２ ペリクル枠 １３ ペリクル １４ 開孔部 １５ 開孔部 １６ 弁 １７ 弁 １８ 弁 １９ 弁 ２１ フォトマスク ２２ ペリクル枠 ２３ ペリクル ２４ 開孔部 ２５ テープ
Claims (2)
- 【請求項１】半導体装置製造のフォトリソ工程で、透明
薄膜からなるペリクルをペリクル枠を介して装着したフ
ォトマスクにおいて、前記ペリクル枠に、外部から前記
フォトマスクと前記ペリクル及び前記ペリクル枠により
密閉されている領域へのみ通気を行なう機能を有する開
口部を少なくとも１箇所と、前記領域内から外部へのみ
通気を行なう機能を有する開口部を少なくとも１箇所有
することを特徴とするフォトマスク。 - 【請求項２】半導体装置製造のフォトリソ工程におい
て、請求項１記載のフォトマスクを用いることを特徴と
する半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18121992A JPH0627643A (ja) | 1992-07-08 | 1992-07-08 | フォトマスクおよび半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18121992A JPH0627643A (ja) | 1992-07-08 | 1992-07-08 | フォトマスクおよび半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0627643A true JPH0627643A (ja) | 1994-02-04 |
Family
ID=16096907
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18121992A Pending JPH0627643A (ja) | 1992-07-08 | 1992-07-08 | フォトマスクおよび半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0627643A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08254817A (ja) * | 1994-12-27 | 1996-10-01 | Siemens Ag | ホトマスクをクリーニングする方法および装置 |
| US6762821B2 (en) | 2001-06-18 | 2004-07-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Gas purge method and exposure apparatus |
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