DE102022102031A1

DE102022102031A1 - Pellikel für eine euv-lithografiemaske und ein verfahren zu dessen herstellung

Info

Publication number: DE102022102031A1
Application number: DE102022102031.2A
Authority: DE
Inventors: Tzu-Ang Chao; Chao-Ching Cheng; Wang Han; Ming-Yang Li; Gregory Michael Pitner
Original assignee: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Current assignee: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Priority date: 2021-08-06
Filing date: 2022-01-28
Publication date: 2023-02-09
Also published as: KR20230022095A; JP2023024391A; US20230044415A1; TW202307555A; CN115437207A; JP7457071B2; TWI806491B

Abstract

Ein Pellikel für eine EUV-Fotomaske enthält eine erste Schicht, eine zweite Schicht und eine Hauptmembran, die zwischen der ersten Schicht und zweiten Schicht angeordnet ist. Die Hauptmembran enthält mehrere koaxiale Nanoröhrchen, von welchen jedes ein Innenröhrchen und ein oder mehrere Außenröhrchen enthält, die das Innenröhrchen umgeben, und zwei von dem Innenröhrchen und dem einen oder den mehreren Außenröhrchen aus unterschiedlichen Materialien hergestellt sind.

Description

VERWANDTE ANMELDUNG
Diese Anmeldung beansprucht die Priorität der vorläufigen US-Patentanmeldung Nr. 63/230,576 , eingereicht am 6. August 2021, die durch Bezugnahme in die vorliegende Anmeldung aufgenommen wird.
HINTERGRUND
Ein Pellikel ist ein dünner transparenter Film, der über einen Rahmen gespannt ist, der über eine Seite einer Fotomaske geklebt ist, um die Fotomaske vor Beschädigung, Staub und/oder Feuchtigkeit zu schützen. In EUV-Lithografie ist im Allgemeinen ein Pellikel mit einer hohen Durchlässigkeit im EUV-Wellenlängenbereich, einer hohen mechanischen Festigkeit und einer niedrigen Wärmeausdehnung erforderlich.
Figurenliste
Aspekte der vorliegenden Offenbarung lassen sich am besten anhand der folgenden detaillierten Beschreibung in Verbindung mit den beiliegenden Zeichnungen verstehen. Es ist zu beachten, dass gemäß der branchenüblichen Praxis verschiedene Merkmale nicht maßstabsgetreu dargestellt sind. Tatsächlich können die Abmessungen der verschiedenen Merkmale zugunsten einer klaren Erläuterung willkürlich vergrößert oder verkleinert sein.

1A, 1B, 1C und 1D zeigen verschiedene Ansichten eines Pellikels für eine EUV-Fotomaske gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
2A, 2B, 2C und 2D zeigen verschiedene Ansichten mehrwandiger Nanoröhrchen gemäß Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung.
3A, 3B und 3C zeigen verschiedene Ansichten von Netzmembranen eines Pellikels für eine EUV-Fotomaske gemäß Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung.
4A, 4B, 4C, 4D, 4E, 4F, 4G, 4H, 4I und 4J zeigen verschiedene Ansichten von Netzmembranen eines Pellikels für eine EUV-Fotomaske gemäß Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung.
5A zeigt einen Herstellungsprozess einer Netzmembran, 5B zeigt ein Ablaufdiagramm desselben und 5C und 5D zeigen Herstellungsprozesse von mehrwandigen Nanoröhrchen gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
6 zeigt einen Herstellungsprozess einer Netzmembran gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
7A und 7B zeigen eine Querschnittsansicht und eine Planansicht (Draufsicht) einer der verschiedenen Herstellungsstufen eines Pellikels für eine EUV-Fotomaske gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
8A und 8B zeigen eine Querschnittsansicht und eine Planansicht (Draufsicht) einer der verschiedenen Herstellungsstufen eines Pellikels für eine EUV-Fotomaske gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
9A und 9B zeigen eine Querschnittsansicht und eine Planansicht (Draufsicht) einer der verschiedenen Herstellungsstufen eines Pellikels für eine EUV-Fotomaske gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
10A und 10B zeigen eine Querschnittsansicht und eine Planansicht (Draufsicht) einer der verschiedenen Herstellungsstufen eines Pellikels für eine EUV-Fotomaske gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
11A und 11B zeigen eine Querschnittsansicht und eine Planansicht (Draufsicht) einer der verschiedenen Herstellungsstufen eines Pellikels für eine EUV-Fotomaske gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung. 11C zeigt eine Querschnittsansicht einer der verschiedenen Herstellungsstufen eines Pellikels für eine EUV-Fotomaske gemäß Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung. 11D zeigt eine Querschnittsansicht einer der verschiedenen Herstellungsstufen eines Pellikels für eine EUV-Fotomaske gemäß Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung.
12A und 12B zeigen eine Querschnittsansicht und eine Planansicht (Draufsicht) einer der verschiedenen Herstellungsstufen eines Pellikels für eine EUV-Fotomaske gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
13A und 13B zeigen eine Querschnittsansicht und eine Planansicht (Draufsicht) einer der verschiedenen Herstellungsstufen eines Pellikels für eine EUV-Fotomaske gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
14A und 14B zeigen eine Querschnittsansicht und eine Planansicht (Draufsicht) einer der verschiedenen Herstellungsstufen eines Pellikels für eine EUV-Fotomaske gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
15A, 15B und 15C zeigen Querschnittsansichten einer der verschiedenen Herstellungsstufen eines Pellikels für eine EUV-Fotomaske gemäß Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung.
16A zeigt eine Querschnittsansicht einer der verschiedenen Herstellungsstufen eines Pellikels für eine EUV-Fotomaske gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
16B zeigt Querschnittsansichten der verschiedenen Herstellungsstufen eines Pellikels für eine EUV-Fotomaske gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
17A, 17B, 17C und 17D zeigen Querschnittsansichten eines Pellikels für eine EUV-Fotomaske gemäß Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung.
18A, 18B, 18C, 18D, 18E und 18F zeigen Ablaufdiagramme einer Herstellung eines Pellikels für eine EUV-Fotomaske gemäß Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung.
19A zeigt ein Ablaufdiagramm eines Verfahrens, das eine Halbleitervorrichtung herstellt, und 19B, 19C, 19D und 19E zeigen einen sequenziellen Herstellungsbetrieb eines Verfahrens zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung gemäß Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung.

AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG
Es ist klar, dass die folgende Offenbarung viele verschiedene Ausführungsformen, oder Beispiele, zum Implementieren verschiedener Merkmale der Erfindung bereitstellt. Spezifische Ausführungsformen oder Beispiele von Komponenten und Anordnungen werden unten beschrieben, um die vorliegende Offenbarung zu vereinfachen. Diese sind selbstverständlich bloß Beispiele und nicht beabsichtigt begrenzend zu sein. Zum Beispiel sind Abmessungen von Elementen nicht auf den offenbarten Bereich oder die offenbarten Werte begrenzt, sondern können von Verfahrensbedingungen und/oder gewünschten Eigenschaften der Vorrichtung abhängen. Überdies kann die Bildung eines ersten Strukturelements über oder auf einem zweiten Strukturelement in der folgenden Beschreibung Ausführungsformen umfassen, in denen das erste und das zweite Strukturelement in direktem Kontakt gebildet sind und kann auch Ausführungsformen umfassen, in denen zusätzliche Strukturelemente zwischen dem ersten und dem zweiten Strukturelement gebildet sein können, sodass das erste und das zweite Strukturelement nicht in direktem Kontakt sein könnten. Verschiedene Strukturelemente können der Einfachheit und Klarheit wegen beliebig in unterschiedlichen Maßstäben gezeichnet sein. In den beiliegenden Zeichnungen können manche Schichten/Strukturelemente zur Vereinfachung fehlen.
Weiter können räumlich relative Ausdrücke wie „unterliegend“, „unterhalb“, „unter“, „überliegend“, „ober“ und dergleichen hierin zur Erleichterung der Beschreibung verwendet werden, um die Beziehung eines Elements oder Strukturelements zu (einem) anderen Element(en) oder Strukturelement(en) wie in den Figuren veranschaulicht zu beschreiben. Die räumlich relativen Ausdrücke sind beabsichtigt, verschiedene Ausrichtungen der Vorrichtung in Verwendung oder Betrieb zusätzlich zu der in den Figuren abgebildeten Ausrichtung zu umschließen. Die Vorrichtung kann anders ausgerichtet sein (um 90 Grad gedreht oder bei anderen Ausrichtungen) und die hierin verwendeten räumlich relativen Beschreibungsausdrücke können ebenso entsprechend ausgelegt werden. Zusätzlich kann der Begriff „hergestellt aus“ entweder „umfassend“ oder „bestehend aus“ bedeuten. Ferner können in dem folgenden Fertigungsprozess ein oder mehrere zusätzliche Betriebe zwischen den beschriebenen Betrieben vorhanden sein, und die Reihenfolge der Betriebe kann geändert werden. In der vorliegenden Offenbarung bedeutet die Phrase „mindestens eines von A, B und C“ entweder eines von A, B, C, A+B, A+C, B+C oder A+B+C, und bedeutet nicht eines von A, eines von B und eines von C, falls nicht anders erklärt. Materialien, Konfigurationen, Strukturen, Betriebe und/oder Abmessungen, die bei einer Ausführungsform erklärt sind, können bei anderen Ausführungsformen angewendet werden und auf deren ausführliche Beschreibung kann verzichtet werden.
EUV-Lithografie ist eine der zentralen Techniken zur Erweiterung des Moore'schen Gesetzes. Aufgrund der Wellenlängenskalierung von 193 nm (ArF) bis 13,5 nm leidet die EUV-Lichtquelle jedoch an einem starken Leistungsverfall aufgrund einer Umgebungsadsorption. Selbst wenn eine Stepper/Scanner-Kammer unter Vakuum betrieben wird, um starke EUV-Adsorption durch Gas zu verhindern, ist Aufrechterhaltung eines hohen EUV-Durchlässigkeitsgrads von der EUV-Lichtquelle zu einem Wafer weiterhin ein wichtiger Faktor in EUV-Lithografie.
Ein Pellikel erfordert im Allgemeinen eine hohe Transparenz und ein niedriges Reflexionsvermögen. In UV- oder DUV-Lithografie ist der Pellikelfilm aus einem transparenten Harzfilm hergestellt. In EUV-Lithografie wäre jedoch ein Film auf Harzbasis nicht akzeptabel und es wird ein nicht organisches Material, wie ein Polysilizium-, Silicid- oder Metallfilm, verwendet.
Kohlenstoffnanoröhrchen (CNTs) sind eines der Materialien, die für ein Pellikel für eine EUV reflektierende Fotomaske geeignet sind, da CNTs einen hohen EUV-Durchlässigkeitsgrad von mehr als 96,5% aufweisen. Im Allgemeinen erfordert ein Pellikel für eine EUV reflektierende Maske die folgenden Eigenschaften: (1) lange Haltbarkeit in einer wasserstoffreichen Radikal-Betriebsumgebung in einem EUV-Stepper/Scanner; (2) hohe mechanische Festigkeit, um die Durchsackwirkung während Vakuumpump- und Lüftungsbetrieben zu minimieren; (3) eine hohe oder perfekte Blockiereigenschaft für Partikel, die größer als etwa 20 nm (Killerpartikel) sind; und (4) eine gute Wärmeableitung um zu verhindern, dass das Pellikel durch EUV-Strahlung ausgebrannt wird.
In der vorliegenden Offenbarung enthält ein Pellikel für eine EUV-Fotomaske eine Netzmembran mit mehreren mehrwandigen Nanoröhrchen und eine zweidimensionale Materialschicht, die die Netzmembran bedeckt. Ein solches Pellikel weist einen hohen EUV Durchlässigkeitsgrad, verbesserte mechanische Stärke auf, blockiert Killerpartikel an einem Herabfallen auf eine EUV-Maske und/oder weist verbesserte Dauerhaftigkeit auf.
1A, 1B und 1C zeigen ein EUV Pellikel 10, das auf einer EUV reflektierenden Maske 5 montiert ist, gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung. 1A ist eine Querschnittsansicht in der X-Richtung, 1B ist eine Querschnittsansicht in der Y-Richtung und 1C ist eine Draufsicht (Planansicht).
In manchen Ausführungsformen enthält ein Pellikel 10 für eine EUV reflektierende Maske eine erste Deckschicht 20, eine zweite Deckschicht 30 und eine Hauptnetzmembran 100, die zwischen der ersten Deckschicht 20 und der zweiten Deckschicht 30 angeordnet ist. In manchen Ausführungsformen enthält die Hauptnetzschicht mehrere mehrwandige Nanomaterialien, wie Nanoröhrchen und/oder Nanoplättchen aus zweidimensionalen Materialien. In manchen Ausführungsformen ist ein Trägerrahmen 15 an der Hauptnetzmembran 100 und/oder der ersten Deckschicht 20 befestigt, um einen Raum zwischen der Membran des Pellikels und der EUV-Maske 5 (Strukturbereich) aufrechtzuerhalten, wenn auf der EUV-Maske 5 montiert. Eine oder beide der ersten Deckschicht 20 und der zweiten Deckschicht 30 enthalten ein zweidimensionales Material, in dem eine oder mehrere zweidimensionale Schichten gestapelt sind. Hier bezieht sich eine „zweidimensionale“ Schicht in manchen Ausführungsformen auf eine oder wenige kristalline Schichten einer atomaren Matrix oder eines Netzes mit einer Dicke im Bereich von etwa 0,1-5 nm.
Der Trägerrahmen 15 des Pellikels ist an der Oberfläche der EUV-Fotomaske 5 mit einem angemessenen Bindungsmaterial befestigt. In manchen Ausführungsformen ist das Bindungsmaterial ein Klebstoff, wie ein Leim auf Acryl- oder Siliziumbasis oder ein Leim vom A-B-Vernetzungstyp. Die Größe der Rahmenstruktur ist größer als der Bereich der schwarzen Ränder der EUV-Fotomaske, sodass das Pellikel nicht nur den Schaltungsstrukturbereich der Fotomaske, sondern auch die schwarzen Ränder bedeckt.
In manchen Ausführungsformen sind die zweidimensionalen Materialien der ersten Deckschicht 20 und der zweiten Deckschicht 30 dieselben oder unterschiedlich. In manchen Ausführungsformen enthält die erste Deckschicht ein erstes zweidimensionales Material und die zweite Deckschicht enthält ein zweites zweidimensionales Material.
In manchen Ausführungsformen enthält das zweidimensionale Material für die erste Deckschicht 20 und/oder die zweite Deckschicht 30 mindestens eines von Bornitrid (BN), Graphen und/oder Übergangsmetall-Dichalcogenide (TMDs), dargestellt durch MX₂, wo M=Mo, W, Pd, Pt und/oder Hf und X=S, Se und/oder Te. In manchen Ausführungsformen ist ein TMD eines von MoS2, MoSe₂, WS₂ oder WSe₂.
In manchen Ausführungsformen ist eine Gesamtdicke jeder der ersten Deckschicht 20 und der zweiten Deckschicht 30 in einem Bereich von etwa 0,3 nm bis etwa 3 nm und ist in anderen Ausführungsformen in einem Bereich von etwa 0,5 nm bis etwa 1.5 nm. In manchen Ausführungsformen ist eine Anzahl der zweidimensionalen Schichten jedes der zweidimensionalen Materialien der ersten und/oder zweiten Deckschicht 1 bis etwa 20 und ist 2 bis etwa 10 in anderen Ausführungsformen. Wenn die Dicke und/oder die Anzahl von Schichten größer als diese Bereiche sind, kann EUV Durchlässigkeitsgrad des Pellikels 10 verringert werden, und wenn die Dicke und/oder die Anzahl von Schichten kleiner als diese Bereiche sind, kann mechanische Stärke des Pellikels unzureichend sein.
In manchen Ausführungsformen, wie in 1A und 1B gezeigt, sind die erste Deckschicht 20 und die zweite Deckschicht 30 an ihrem Umfang abgedichtet, um die Hauptnetzmembran 100 vollständig einzukapseln. In manchen Ausführungsformen bilden die erste Deckschicht 20 und die zweite Deckschicht 30 eine vakuumdichte Struktur. In manchen Ausführungsformen ist ein Druck im Inneren der vakuumdichten Struktur etwa 0,01 Pa bis etwa 100 Pa. Falls der Innendruck zu hoch ist, zum Beispiel höher als ein Innendruck einer EUV-Lithografieeinrichtung in Betrieb, kann das Pellikel aufgrund des Druckunterschieds reißen. In manchen Ausführungsformen sind ein Entlüftungsloch oder mehrere Entlüftungslöcher an der ersten Deckschicht 20 und/oder der zweiten Deckschicht 30 gebildet.
In manchen Ausführungsformen ist ferner eine Schutzschicht 40 über der ersten Deckschicht 20, der zweiten Deckschicht 30 und dem Trägerrahmen 15 angeordnet, wie in 1D gezeigt. In manchen Ausführungsformen enthält die Schutzschicht 40 mindestens eine Schicht aus einem Oxid, wie HfO₂, Al₂O₃, ZrO₂, Y₂O₃ oder La₂O₃. In manchen Ausführungsformen enthält die Schutzschicht 40 mindestens eine Schicht aus Nicht-Oxidverbindungen, wie B₄C, YN, Si₃N₄, BN, NbN, RuNb, YF₃, TiN oder ZrN. In manchen Ausführungsformen enthält die Schutzschicht 40 mindestens eine Metallschicht aus zum Beispiel Ru, Nb, Y, Sc, Ni, Mo, W, Pt oder Bi. In manchen Ausführungsformen ist die Schutzschicht 40 eine einzelne Schicht und in anderen Ausführungsformen werden zwei oder mehr Schichten dieser Materialien als die Schutzschicht 40 verwendet. In manchen Ausführungsformen ist eine Dicke der Schutzschicht in einem Bereich von etwa 0,1 nm bis etwa 5 nm und ist in anderen Ausführungsformen in einem Bereich von etwa 0,2 nm bis etwa 2,0 nm. Wenn die Dicke der Schutzschicht 40 größer als diese Bereiche ist, kann der EUV-Durchlässigkeitsgrad des Pellikels 10 verringert werden, und wenn die Dicke der Schutzschicht 40 kleiner als diese Bereiche ist, kann die mechanische Stärke des Pellikels unzureichend sein.
Bei Verwendung der ersten und/oder zweiten Deckschicht und/oder der Schutzschicht, die keine Löcher wie eine Öffnung und/oder Räume größer als etwa 10-20 nm aufweisen, ist es möglich, Killerpartikel, die größer als etwa 20 nm sind, am Hindurchgehen durch die Hauptnetzmembran 100 und Herabfallen auf die Oberfläche der EUV-Maske 5 vollständig zu blockieren.
In manchen Ausführungsformen enthalten die Nanoröhrchen in der Hauptnetzmembran 100 mehrwandige Nanoröhrchen, die auch als koaxiale Nanoröhrchen bezeichnet werden. 2A zeigt eine perspektivische Ansicht eines mehrwandigen koaxialen Nanoröhrchens mit drei Röhrchen 210, 220 und 230 und 2B zeigt eine Querschnittsansicht davon. In manchen Ausführungsformen ist das Innenröhrchen 210 ein Kohlenstoffnanoröhrchen und zwei Außenröhrchen 220 und 230 sind Bornitridnanoröhrchen.
Die Anzahl von Röhrchen der mehrwandigen Nanoröhrchen ist nicht auf drei beschränkt. In manchen Ausführungsformen weist das mehrwandige Nanoröhrchen zwei koaxiale Nanoröhrchen auf, wie in 2C gezeigt und in anderen Ausführungsformen enthält das mehrwandige Nanoröhrchen das innerste Röhrchen 210 und die ersten bis N-ten Nanoröhrchen, die das äußerste Röhrchen 200N enthalten, wo N eine natürliche Zahl von 1 bis etwa 20 ist, wie in 2D gezeigt. In manchen Ausführungsformen ist N bis zu 10 oder bis zu 5. In manchen Ausführungsformen ist mindestens eine der ersten bis N-ten Außenschichten ein Nanoröhrchen, das das innerste Nanoröhrchen 210 coaxial umgibt. In manchen Ausführungsformen sind zwei der innersten Nanoröhrchen 210 und der ersten bis N-ten Außenschichten 220, 230, ... 200N aus unterschiedlichen Materialien hergestellt. In manchen Ausführungsformen ist N mindestens zwei (d.h. drei oder mehr Röhrchen) und zwei der innersten Nanoröhrchen 210 und der ersten bis N-ten Außenröhrchen 220, 230, ... 200N sind aus denselben Materialien hergestellt. In anderen Ausführungsformen sind drei der innersten Nanoröhrchen 210 und der ersten bis N-ten Außenröhrchen 220, 230, ... 200N aus unterschiedlichen Materialien hergestellt.
In manchen Ausführungsformen ist jedes der Nanoröhrchen des mehrwandigen Nanoröhrchens ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus einem Kohlenstoffnanoröhrchen, einem Bornitridnanoröhrchen, einem Übergangsmetall-Dichalcogenid-Nanoröhrchen (TMD-Nanoröhrchen), wo TMD durch MX₂ dargestellt ist, wo M eines oder mehrere von Mo, W, Pd, Pt oder Hf ist und X eines oder mehrere von S, Se oder Te ist. In manchen Ausführungsformen sind mindestens zwei der Röhrchen des mehrwandigen Nanoröhrchens aus unterschiedlichem Material hergestellt. In manchen Ausführungsformen sind benachbarte zwei Schichten (Röhrchen) des mehrwandigen Nanoröhrchens aus unterschiedlichem Material hergestellt.
In manchen Ausführungsformen enthält das mehrwandige Nanoröhrchen drei koaxial geschichtete Röhrchen, die aus unterschiedlichen Materialien hergestellt sind. In anderen Ausführungsformen enthält das mehrwandige Nanoröhrchen drei koaxial geschichtete Röhrchen, in welchen das innerste Röhrchen (erste Röhrchen) und das zweite Röhrchen, das das innerste Röhrchen umgibt, aus unterschiedlichen Materialien hergestellt sind und das dritte Röhrchen, das das zweite Röhrchen umgibt, aus demselben Material wie oder einem unterschiedlichen Material als das innerste Röhrchen oder das zweite Röhrchen hergestellt ist.
In manchen Ausführungsformen enthält das mehrwandige Nanoröhrchen vier koaxial geschichtete Röhrchen, die jeweils aus unterschiedlichen Materialien A, B oder C hergestellt sind. In manchen Ausführungsformen sin die Materialien der vier Schichten vom innersten (ersten) Röhrchen bis zum vierten Röhrchen A/B/A/A, A/B/A/B, A/B/A/C, A/B/B/A, A/B/B/B, A/B/B/C, A/B/C/A, A/B/C/B oder A/B/C/C.
In manchen Ausführungsformen sind alle der Röhrchen des mehrwandigen Nanoröhrchens kristalline Nanoröhrchen. In anderen Ausführungsformen sind ein oder mehrere Röhrchen eine nicht-kristalline (z.B. amorphe) Schicht, die um das eine oder die mehreren Innenröhrchen gewickelt ist. In manchen Ausführungsformen ist das äußerste Röhrchen zum Beispiel aus einer Schicht aus HfO₂, Al₂O₃, ZrO₂, Y₂O₃, La₂O₃, B₄C, YN, Si₃N₄, BN, NbN, RuNb, YF₃, TiN, ZrN. Ru, Nb, Y, Sc, Ni, Mo, W, Pt oder Bi hergestellt. In manchen Ausführungsformen ist die äußerste Schicht aus demselben Material wie die Schutzschicht 40 hergestellt.
In manchen Ausführungsformen ist ein Durchmesser des innersten Nanoröhrchens in einem Bereich von etwa 0,5 nm bis etwa 20 nm und ist in anderen Ausführungsformen in einem Bereich von etwa 1 nm bis etwa 10 nm. In manchen Ausführungsformen ist ein Durchmesser der mehrwandigen Nanoröhrchen (d.h. Durchmesser des äußersten Röhrchens) in einem Bereich von etwa 3 nm bis etwa 40 nm und ist in anderen Ausführungsformen in einem Bereich von etwa 5 nm bis etwa 20 nm. In manchen Ausführungsformen ist eine Länge des mehrwandigen Nanoröhrchens in einem Bereich von etwa 0,5 µm bis etwa 50 µm und ist in anderen Ausführungsformen in einem Bereich von etwa 1,0 µm bis etwa 20 µm.
3A, 3B und 3C zeigen verschiedene Netzmembrane 100 eines Pellikels für eine EUV-Fotomaske gemäß Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung.
In manchen Ausführungsformen enthält die Netzmembran 100 mehrere mehrwandige Nanoröhrchen 101. In manchen Ausführungsformen sind die mehreren mehrwandigen Nanoröhrchen regellos angeordnet, um eine Netzstruktur zu bilden. In manchen Ausführungsformen können die mehreren mehrwandigen Nanoröhrchen nur eine Art von mehrwandigen Nanoröhrchen im Sinne von Material und Struktur (Anzahl von Schichten) enthalten. In anderen Ausführungsformen enthalten die mehreren mehrwandigen Nanoröhrchen zwei oder mehr Arten von mehrwandigen Nanoröhrchen im Sinne von Material und Struktur (Anzahl von Schichten). Zum Beispiel enthalten die mehreren mehrwandigen Nanoröhrchen eine erste Art von mehrwandigen Nanoröhrchen, z.B. zweiwandige Nanoröhrchen, und eine zweite Art von mehrwandigen Nanoröhrchen, z.B. dreiwandige Nanoröhrchen; eine erste Art von mehrwandigen Nanoröhrchen, z.B. zweiwandige Nanoröhrchen von Schicht A und Schicht B, und eine zweite Art von mehrwandigen Nanoröhrchen, z.B. zweiwandige Nanoröhrchen von Schicht A und Schicht C.
In manchen Ausführungsformen enthält die Hauptnetzschicht 100 mehrere einer oder mehrerer Arten von mehrwandigen Nanoröhrchen 101 und mehrere einer oder mehrerer Arten von einwandigen Nanoröhrchen 111, wie in 3B gezeigt. In manchen Ausführungsformen ist eine Menge (Gewicht) der einwandigen Nanoröhrchen 111 kleiner als eine Menge der mehrwandigen Nanoröhrchen 101. In manchen Ausführungsformen ist eine Menge (Gewicht) der einwandigen Nanoröhrchen 111 größer als eine Menge der mehrwandigen Nanoröhrchen 101. In manchen Ausführungsformen ist die Menge (Gewicht) der mehrwandigen Nanoröhrchen 101 mindestens etwa 20 Gew.-% in Bezug auf ein Gesamtgewicht der Netzmembran 100 oder ist in anderen Ausführungsformen mindestens 40 Gew.-%. Wenn die Menge der mehrwandigen Nanoröhrchen kleiner als diese Bereiche ist, kann keine ausreichende Stärke der Netzmembran erhalten werden.
In manchen Ausführungsformen enthält die Hauptnetzmembran 100 mehrere mehrwandige Nanoröhrchen 101 und mehrere Plättchen 121 (Nanoplättchen), die aus einem zweidimensionalen Material hergestellt sind, in dem eine oder mehrere zweidimensionale Schichten gestapelt sind, wie in 3C gezeigt.
In manchen Ausführungsformen enthalten die zweidimensionalen Materialplättchen 121 mindestens eines von Bornitrid (BN), Graphen und/oder Übergangsmetall-Dichalcogeniden (TMDs), dargestellt durch MX₂, wo M=Mo, W, Pd, Pt und/oder Hf und X=S, Se und/oder Te. In manchen Ausführungsformen ist ein TMD eines von MoS₂, MoSe₂, WS₂ oder WSe₂.
In manchen Ausführungsformen ist eine Dicke eines zweidimensionalen Materialplättchens 121 in einem Bereich von etwa 0,3 nm bis etwa 3 nm und in anderen Ausführungsformen in einem Bereich von etwa 0,5 nm bis etwa 1,5 nm. In manchen Ausführungsformen ist eine Anzahl der zweidimensionalen Schichten von zweidimensionalen Materialplättchen 121 1 bis etwa 20 und ist in anderen Ausführungsformen 2 bis etwa 10. Wenn die Dicke und/oder die Anzahl von Schichten größer als diese Bereiche ist, kann der EUV-Durchlässigkeitsgrad des Pellikels 10 verringert werden, und wenn die Dicke und/oder die Anzahl von Schichten kleiner als diese Bereiche ist, kann die mechanische Stärke des Pellikels unzureichend sein.
In manchen Ausführungsformen ist die Form der zweidimensionalen Materialplättchen 121 regellos. In anderen Ausführungsformen ist die Form der zweidimensionalen Materialplättchen 121 dreieckig oder hexagonal. In gewissen Ausführungsformen ist die Form der zweidimensionalen Materialplättchen 121 ein Dreieck, das durch drei Atome gebildet wird, oder ein Sechseck, das durch sechs Atome gebildet wird. In manchen Ausführungsformen ist eine Größe (Fläche) jedes der zweidimensionalen Materialplättchen 121 in einem Bereich von etwa 10 nm² bis etwa 10 µm² und ist in anderen Ausführungsformen in einem Bereich von etwa 100 nm² bis etwa 1 µm². In manchen Ausführungsformen sind die zweidimensionalen Materialplättchen 121 in mehrere Nanoröhrchen 101 eingebettet oder mit diesen gemischt.
In manchen Ausführungsformen ist eine Menge (Gewicht) der zweidimensionalen Materialplättchen 121 in einem Bereich von etwa 5 Gew.-% bis etwa 30 Gew.-% in Bezug auf ein Gesamtgewicht der Netzmembran 100 und ist in anderen Ausführungsformen in einem Bereich von etwa 10 Gew.-% bis etwa 20 Gew.-%. Wenn die Menge von zweidimensionalen Materialplättchen größer als diese Bereiche ist, kann der EUV-Durchlässigkeitsgrad des Pellikels 10 verringert werden, und wenn die Menge von zweidimensionalen Materialplättchen kleiner als diese Bereiche ist, kann die mechanische Stärke des Pellikels unzureichend sein. In manchen Ausführungsformen sind die mehreren Nanoröhrchen mehrwandige Nanoröhrchen ähnlich 3 und in anderen Ausführungsformen sind die mehreren Nanoröhrchen eine Mischung aus einwandigen Nanoröhrchen und mehrwandigen Nanoröhrchen ähnlich 3B.
4A, 4B, 4C, 4D, 4E, 4F, 4G, 4H, 4I und 4J zeigen verschiedene Ansichten von Netzmembranen eines Pellikels für eine EUV-Fotomaske gemäß Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung. In manchen Ausführungsformen weist die Netzmembran 100 eine einschichtige Struktur oder eine mehrschichtige Struktur auf.
In manchen Ausführungsformen weist die Netzmembran 100 eine einzelne Schicht 110 aus mehreren mehrwandigen Nanoröhrchen auf, wie in 4A gezeigt. In manchen Ausführungsformen weist die Netzmembran 100 zwei Schichten von mehrwandigen Nanoröhrchen 110 und 112 unterschiedlicher Art auf, wie in 4B gezeigt. Die Dicke der Schicht 110 und Schicht 112 sind dieselben oder unterschiedlich. In manchen Ausführungsformen weist die Netzmembran 100 drei Schichten von Nanoröhrchen 110, 112 und 114 auf, wie in 4C gezeigt. Mindestens benachbarte Schichten sind in manchen Ausführungsformen unterschiedliche Arten (z.B. Material und/oder Anzahl von Wänden). Die Dicken der Schichten 110, 112 und 114 sind dieselben oder unterschiedlich. In manchen Ausführungsformen ist eine einzige Nanoröhrchenschicht zwischen zwei mehrwandigen Nanoröhrchenschichten angeordnet. In manchen Ausführungsformen weist die Netzmembran 100 eine einzelne Schicht 115 aus einer Mischung unterschiedlicher Nanoröhrchen auf, wie in 4D gezeigt.
In manchen Ausführungsformen weist die Netzmembran 100 eine Nanoröhrchenschicht 110 und eine zweidimensionale Plättchenschicht 120 auf, wie in 4E und 4F gezeigt. Die Dicken der Schicht 110 und Schicht 120 sind dieselben oder unterschiedlich. Die Schicht 110 kann eine gemischte Schicht 115 sein, wie in 4D gezeigt. In manchen Ausführungsformen weist die Netzmembran 100 eine zweidimensionale Plättchenschicht 120 auf, die zwischen einer ersten Nanoröhrchenschicht 110 und einer zweiten Nanoröhrchenschicht 112 angeordnet ist, wie in 4G gezeigt. In manchen Ausführungsformen sind die erste und zweite Nanoröhrchenschicht von derselben Art oder unterschiedlichen Arten. In manchen Ausführungsformen weist die Netzmembran 100 eine Nanoröhrchenschicht 110 auf, die zwischen einer ersten zweidimensionalen Plättchenschicht 120 und einer zweiten zweidimensionalen Plättchenschicht 122 angeordnet ist, wie in 4H gezeigt. In manchen Ausführungsformen sind die erste und zweite zweidimensionale Plättchenschicht aus demselben Material oder unterschiedlichen Materialien hergestellt. In manchen Ausführungsformen weist die Netzmembran 100 eine Nanoröhrchenschicht 110, eine erste zweidimensionale Plättchenschicht 120 über der Nanoröhrchenschicht 110 und eine zweite zweidimensionale Plättchenschicht 122, die über der ersten zweidimensionalen Plättchenschicht 120 angeordnet ist, auf, wie in 4I gezeigt. In manchen Ausführungsformen weist die Netzmembran 100 eine oder mehrere Nanoröhrchenschichten derselben Art oder unterschiedlicher Arten und eine oder mehrere zweidimensionale Plättchenschichten aus demselben Material oder unterschiedlichen Materialien auf. In manchen Ausführungsformen weist die Netzmembran 100 eine einzelne Schicht 125 aus einer Mischung aus Nanoröhrchen und zweidimensionalen Plättchen auf, wie in 4J gezeigt.
5A zeigt einen Herstellungsprozess einer Netzmembran und 5B zeigt ein Ablaufdiagramm dafür gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
In manchen Ausführungsformen sind Nanoröhrchen in einer Lösung dispergiert, wie in 5A gezeigt. Die Lösung ist ein Lösemittel, enthaltend Wasser oder ein organisches Lösemittel, wie Natriumdodecylsulfat (SDS). Die Nanoröhrchen sind von einer Art oder zwei oder mehr Arten von Nanoröhrchen (Material und/oder Anzahl von Wänden). In manchen Ausführungsformen sind die Nanoröhrchen einwandige Nanoröhrchen. In manchen Ausführungsformen sind die einwandigen Nanoröhrchen Kohlenstoffnanoröhrchen, die durch verschiedene Verfahren gebildet werden, wie Bogenentladungs-, Laserablations- oder chemische Dampfabscheidungsverfahren (CVD-Verfahren). Ebenso werden auch einwandige BN-Nanoröhrchen und einwandige TMD-Nanoröhrchen durch einen CVD-Prozess gebildet.
Wie in 5A gezeigt, ist eine Trägermembran zwischen einer Kammer oder einem Zylinder, in der/dem das in Lösung dispergierte Nanoröhrchen angeordnet ist, und einer Vakuumkammer platziert. In manchen Ausführungsformen ist die Trägermembran ein organisches oder anorganisches poröses oder Netzmaterial. In manchen Ausführungsformen ist die Trägermembran ein Gewebe oder Vlies. In manchen Ausführungsformen weist die Trägermembran eine kreisförmige Form auf, in der eine Pellikelgröße oder ein 150 mm × 150 mm Quadrat (die Größe einer EUV-Maske) platziert werden kann.
Wie in 5A gezeigt, ist der Druck in der Vakuumkammer verringert, sodass ein Druck auf das Lösemittel in der Kammer oder dem Zylinder ausgeübt wird. Da die Netz- oder Porengröße der Trägermembran ausreichend kleiner ist als die Größe der Nanoröhrchen, werden die Nanoröhrchen von der Trägermembran aufgefangen, während das Lösemittel durch die Trägermembran geht. Die Trägermembran, auf der die Nanoröhrchen abgeschieden werden, wird von der Filtrationseinrichtung von 5A gelöst und dann getrocknet. In manchen Ausführungsformen wird die Abscheidung durch Filtration wiederholt, um eine gewünschte Dicke der Nanoröhrchennetzschicht zu erhalten, wie in 5B gezeigt. In manchen Ausführungsformen, nach dem Abscheiden der Nanoröhrchen in der Lösung, werden andere Nanoröhrchen in derselben oder einer neuen Lösung dispergiert und die Filter-Abscheidung wird wiederholt. In anderen Ausführungsformen wird, nachdem die Nanoröhrchen getrocknet wurden, eine andere Filter-Abscheidung durchgeführt. In der Wiederholung wird in manchen Ausführungsformen dieselbe Art von Nanoröhrchen verwendet und in anderen Ausführungsformen werden unterschiedliche Arten von Nanoröhrchen verwendet.
In manchen Ausführungsformen enthalten die in der Lösung dispergierten Nanoröhrchen mehrwandige Nanoröhrchen. In manchen Ausführungsformen werden mehrwandige Nanoröhrchen durch CVD unter Verwendung einwandiger Nanoröhrchen als Keime verwendet, wie in 5C gezeigt. In manchen Ausführungsformen werden einwandige Nanoröhrchen, wie Kohlenstoffnanoröhrchen, BN-Nanoröhrchen oder TMD-Nanoröhrchen, die durch CVD gebildet werden, über einem Substrat platziert. Dann werden Quellmaterialien, wie Quellgase, über dem Substrat mit den Keimnanoröhrchen bereitgestellt. Im Fall von CVD zur Bildung einer MoS₂-Schicht werden ein Mo(CO)₆-Gas, ein MoCl₅-Gas und/oder eine MoOCl₄-Gas als eine Mo-Quelle verwendet und ein H₂S-Gas und/oder ein Dimethylsulfidgas werden in manchen Ausführungsformen als eine S-Quelle verwendet. In anderen Ausführungsformen kann ein MoO₃-Gas, sublimiert aus einem festen MoO₃ oder einer MoCl₅-Quelle, und/oder S-Gas, sublimiert aus einer festen S-Quelle, verwendet werden, wie in 5C gezeigt. Wie in 5C gezeigt, werden feste Quellen von Mo und S in einer Reaktionskammer platziert und ein Trägergas, das inertes Gas, wie Ar, N₂ und/oder He beinhaltet, strömt in die Reaktionskammer. Die festen Quellen werden erhitzt, um gasförmige Quellen durch Sublimation zu erzeugen, und die erzeugten gasförmigen Quellen reagieren, um MoS₂-Moleküle zu bilden. Die MoS₂-Moleküle werden dann um die Keimnanoröhrchen über dem Substrat abgeschieden. Das Substrat wird in manchen Ausführungsformen angemessen erhitzt. In anderen Ausführungsformenwird die gesamte Reaktionskammer durch Induktionserwärmung erhitzt. Andere TMD-Schichten können auch durch CVD unter Verwendung geeigneter Quellgase gebildet werden. Zum Beispiel können Metalloxide, wie WO₃, PdO₂ und PtO₂, als eine Sublimationsquelle für W, Pd bzw. Pt verwendet werden und Metallverbindungen, wie W(CO)₆, WF₆, WOCl₄, PtCl₂ und PdCl₂, können auch als eine Metallquelle verwendet werden.
In anderen Ausführungsformen, wie in 5D gezeigt, werden die Keimnanoröhrchen in einen oder mehrere Metallvorläufer, wie (NH₄)WS₄, WO₃, (NH₄)MoS₄ oder MoO₃, getaucht, darin dispergiert oder mit diesem behandelt und über dem Substrat platziert und dann wird ein Schwefelgas über dem Substrat bereitgestellt, um mehrwandige Nanoröhrchen zu bilden.
In anderen Ausführungsformen wird eine Kohlenstoffquelle verwendet, um ein Kohlenstoffnanoröhrchen als eine Außenschicht über einem BN- oder TMD-Innennanoröhrchen zu bilden. Drei oder mehr koaxiale Nanoröhrchen werden in manchen Ausführungsformen durch Wiederholen der obenstehenden Prozesse gebildet. In manchen Ausführungsformen werden mehrwandige Nanoröhrchen in der Lösung angeordnet, wie in 5A gezeigt. In manchen Ausführungsformen wird eine Mischung aus einwandigen Nanoröhrchen, mehrwandigen Nanoröhrchen in der Lösung angeordnet.
6 zeigt einen Herstellungsprozess einer Netzmembran gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung. Wenn die Hauptnetzmembran 100 Nanoröhrchen und zweidimensionale Materialplättchen enthält, werden die Abscheidung durch Filtration für Nanoröhrchen und die Abscheidung durch Filtration für die Plättchen wiederholt, wie in 6 gezeigt. In manchen Ausführungsformen wird eine Mischung aus ein- und/oder mehrwandigen Nanoröhrchen und Plättchen in dem Lösemittel dispergiert und die Abscheidung durch Filtration wird durchgeführt, um eine gemischte Netzschicht aus Nanoröhrchen und zweidimensionalen Materialplättchen zu bilden.
Zweidimensionale Materialschicht(en) werden über einem Substrat durch ein CVD-Verfahren gebildet und dann wird die abgeschiedene Schicht von dem Substrat abgezogen. Nachdem die zweidimensionale Materialschicht abgezogen wurde, wird die Schicht in manchen Ausführungsformen in Plättchen zerkleinert.
7A und 7B bis 11A und 11B zeigen Querschnittsansichten (die „A“-Figuren) und Planansichten (Draufsichten) (die „B“-Figuren) der verschiedenen Herstellungsstufen eines Pellikels für eine EUV-Fotomaske gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung. Es ist klar, dass zusätzliche Betriebe vor, während und nach den Prozessen, die durch 7A-11B gezeigt sind, bereitgestellt sein können und manche der unten beschriebenen Betriebe für zusätzliche Ausführungsformen des Verfahrens ersetzt oder eliminiert werden können. Die Reihenfolge der Betriebe/Prozesse kann austauschbar sein. Materialien, Konfigurationen, Verfahren, Prozesse und/oder Abmessungen, wie in Bezug auf die vorherigen Ausführungsformen erklärt, sind bei den folgenden Ausführungsformen anwendbar und es wird auf deren ausführliche Beschreibung verzichtet.
Wie in 5A-5D oder 6 gezeigt, wird eine Nanoröhrchenschicht 90 auf einer Trägermembran 80 durch Abscheiden durch Filtern gebildet. In manchen Ausführungsformen enthält die Nanoröhrchenschicht 90 nur einwandige Nanoröhrchen. Die Nanoröhrchenschicht 90 wird dann von einer Abscheidungseinrichtung gelöst, wie in 7A und 7B gezeigt.
Dann wird, wie in 8A und 8B gezeigt, ein Trägerrahmen 15 an der Nanoröhrchenschicht 90 befestigt. In manchen Ausführungsformen wird der Trägerrahmen 15 aus einer oder mehreren Schichten aus kristallinem Silizium, Polysilizium, Siliziumoxid, Siliziumnitrid, Keramik, Metall oder organischem Material gebildet. In manchen Ausführungsformen, wie in 9B gezeigt, weist der Trägerrahmen 15 eine rechteckige (enthaltend quadratische) Rahmenform auf, die größer als der schwarze Randbereich einer EUV-Maske und kleiner als das Substrat der EUV-Maske ist.
Anschließend, wie in 9A und 9B gezeigt, werden die Nanoröhrchenschicht 90 und die Trägermembran 80 in manchen Ausführungsformen in eine rechteckige Form geschnitten, die dieselbe Größe wie der Trägerrahmen 15 aufweist oder etwas größer ist, und dann wird das Trägersubstrat 80 gelöst und entfernt. Wenn das Trägersubstrat 80 aus einem organischen Material hergestellt ist, wird das Trägersubstrat 80 durch Nassätzen unter Verwendung eines organischen Lösemittels entfernt.
Dann werden ein oder mehrere Außenröhrchen um jedes der Nanoröhrchen (z.B. einzelnes Nanoröhrchen) der Nanoröhrchenschicht gebildet, die die Netzmembran 100 bildet, die mehrwandige Nanoröhrchen enthält. In manchen Ausführungsformen wird ein CVD-Prozess ähnlich 5C oder 5D unter Verwendung der Nanoröhrchenschicht 90 als Keimschicht durchgeführt. Der CVD-Prozess wird in einer gewünschten Anzahl wiederholt, um drei oder mehr Außenröhrchen zu bilden.
Ferner, wie in 11A und 11B gezeigt, werden eine erste Deckschicht 20 und eine zweite Deckschicht 30 gebildet, um die Nanoröhrchennetzschicht 100 abzudichten. Eine oder beide der ersten Deckschicht 20 und der zweiten Deckschicht enthalten ein zweidimensionales Material. Das zweidimensionale Material wird zum Beispiel durch ein CVD-Verfahren auf einem Substrat gebildet und dann werden (wird) die abgeschiedene(n) zweidimensionale(n) Schicht(en) vom Substrat abgezogen. Die abgezogene(n) zweidimensionale(n) Schicht(en) wird (werden) anschließend über die Nanoröhrchennetzschicht 100 transferiert.
In manchen Ausführungsformen enthalten die erste und/oder zweite Deckschicht eine zweidimensionale TMD-Schicht, wo eine TMD-Schicht, dargestellt durch MX₂, durch CVD gebildet wird. In manchen Ausführungsformen wird eine MoS2-Schicht durch CVD unter Verwendung von Quellgasen gebildet, wie einem Mo(CO)6-Gas, einem MoCl₅-Gas und/oder einem MoOCl₄-Gas als eine Mo-Quelle; und einem H₂S-Gas und/oder einem Dimethylsulfidgas als eine S-Quelle. In anderen Ausführungsformen wird ein MoO₃-Gas von einer festen MoO₃- oder einer MoCl₃-Quelle sublimiert und/oder S-Gas wird von einer festen S-Quelle sublimiert. Feste Quellen von Mo und S werden in einer Reaktionskammer platziert und ein Trägergas, das inertes Gas, wie Ar, N₂ und/oder He beinhaltet, strömt in der Reaktionskammer. Die festen Quellen werden erhitzt, um gasförmige Quellen durch Sublimation zu erzeugen, und die erzeugten gasförmigen Quellen reagieren, um MoS₂-Moleküle zu bilden. Die MoS₂-Moleküle werden dann auf dem Substrat abgeschieden. Das Substrat wird in manchen Ausführungsformen angemessen erhitzt. In anderen Ausführungsformen wird die gesamte Reaktionskammer durch Induktionsheizung erhitzt. Es können auch andere TMD-Schichten durch CVD unter Verwendung geeigneter Quellgase gebildet werden. Zum Beispiel können Metalloxide, wie WO₃, PdO₂ und PtO₂, als eine Sublimationsquelle für W, Pd bzw. Pt verwendet werden und Metallverbindungen wie W(CO)₆, WF₆, WOCl₄, PtCl₂ und PdCl₂ können auch als eine Metallquelle verwendet werden. In manchen Ausführungsformen enthält das Substrat, auf dem die zweidimensionale TMD-Schicht gebildet ist, eines von Si (101), γ-Al₂O₃ (101), Ga₂O₃ (010) oder MgO (101). In anderen Ausführungsformen wird eine Schicht aus hexagonalem Bornitrid (h-BN) oder Graphen als die erste Deckschicht 20 über einem Substrat durch CVD gebildet. In manchen Ausführungsformen enthält das Substrat eines von SiC (0001), Si (111) oder Ge (111).
In manchen Ausführungsformen wird ferner, wie in 11C gezeigt, eine Deckschicht 40 über der ersten und zweiten Deckschicht und dem Trägerrahmen 15 unter Verwendung von CVD, ALD oder beliebigen anderen geeigneten Filmbildungsverfahren gebildet.
In manchen Ausführungsformen wird die zweite Deckschicht 30 an den Seiten der ersten Deckschicht 20 und des Trägerrahmens 15 befestigt, wie in 11D gezeigt.
12A und 12B bis 14A und 14B und 15A zeigen Querschnittsansichten (die „A“-Figuren) und Planansichten (Draufsichten) (die „B“-Figuren) der verschiedenen Herstellungsstufen eines Pellikels für eine EUV-Fotomaske gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung. Es ist klar, dass zusätzliche Betriebe vor, während und nach den Prozessen bereitgestellt sein können, die durch 12A-14B gezeigt sind, und manche der unten beschriebenen Betriebe für zusätzliche Ausführungsformen des Verfahrens ersetzt oder eliminiert werden können. Die Reihenfolge der Betriebe/Prozesse kann austauschbar sein. Materialien, Konfigurationen, Verfahren, Prozesse und/oder Abmessungen, wie in Bezug auf die vorherigen Ausführungsformen erklärt, sind bei den folgenden Ausführungsformen anwendbar und es wird auf deren ausführliche Beschreibung verzichtet.
Sobald die Nanoröhrchenschicht 90 über dem Trägersubstrat 80 gebildet ist, wie in 7A und 7B gezeigt, wird eine erste Deckschicht 20 über der Nanoröhrchenschicht 90 gebildet, wie in 12A und 12B gezeigt. Dann, wie in 12A und 12B gezeigt, wird ein Trägerrahmen 15 an der ersten Deckschicht 20 befestigt.
Anschließend, wie in 13A und 13B gezeigt, werden die erste Deckschicht 20, die Nanoröhrchenschicht 90 und die Trägermembran 80 in eine rechteckige Form mit derselben Größe wie der Trägerrahmen 15 oder etwas größer geschnitten und dann wird das Trägersubstrat 80 in manchen Ausführungsformen gelöst oder entfernt.
Dann, ähnlich den Betrieben, die in Bezug auf 10A und 10B erklärt sind, werden ein oder mehrere Außenröhrchen über den Nanoröhrchen der Nanoröhrchenschicht 90 gebildet, wie in 14A und 14B gezeigt.
Ferner wird, ähnlich 11A und 11B, eine zweite Deckschicht 30 über der Nanoröhrchenschicht 90 gebildet, wie in 15A gezeigt. Die Betriebe zum Bilden der zweiten Deckschicht 30, die ein zweidimensionales Material ist, sind dieselben oder ähnlich jenen für die erste Deckschicht 20, wie oben dargelegt. In manchen Ausführungsformen werden die erste Deckschicht 20 und die zweite Deckschicht 30 an ihrem Umfang abgedichtet, um die Nanoröhrchenschicht 90 vollständig einzukapseln.
In manchen Ausführungsformen wird die zweite Deckschicht 30 an den Seiten der ersten Deckschicht 20 und des Trägerrahmens 15 befestigt, wie in 15B gezeigt. In manchen Ausführungsformen weist die zweite Deckschicht 30 einen Flanschabschnitt auf, an dem die zweite Deckschicht 30 fixiert oder an die erste Deckschicht 20 gebunden ist, wie in 15C gezeigt.
Ferner wird, ähnlich 11C, eine Schutzschicht 40 über der ersten Deckschicht 20, der zweiten Deckschicht und dem Trägerrahmen 15 gebildet. In manchen Ausführungsformen wird die Schutzschicht 40 durch CVD, physikalische Dampfabscheidung (PVD) oder Atomlagenabscheidung (ALD) gebildet.
In manchen Ausführungsformen, wenn mehrwandige Nanoröhrchen in der Lösung im Filter-Abscheidungsbetrieb dispergiert werden, wie in 5A oder 6 gezeigt, wird eine Nanoröhrchenschicht 91, die mehrwandige Nanoröhrchen enthält, über dem Trägersubstrat 80 gebildet, wie in 16A gezeigt. In manchen Ausführungsformen, wie in 16B gezeigt, sobald die Nanoröhrchenschicht 90, die einwandige Nanoröhrchen enthält, über dem Trägersubstrat ähnlich 7A gebildet ist, werden die einzelnen Nanoröhrchen zu mehrwandigen Nanoröhrchen über dem Trägersubstrat 80 umgewandelt. Sobald die Nanoröhrchenschicht 91, die mehrwandige Nanoröhrchen enthält, über dem Trägersubstrat gebildet ist, werden die Betriebe, wie in Bezug auf 8A, 8B, 9A, 9B, 11A und 11B (und 11C) oder 12A, 12B, 13A, 13B und 15A erklärt, durchgeführt.
17A, 17B, 17C und 17D zeigen verschiedene Ansichten von Pellikeln für eine EUV-Fotomaske gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung. In manchen Ausführungsformen wird die erste Deckschicht nicht verwendet und es wird nur die zweite Deckschicht 30 über der Hauptnetzmembran 100 abgeschieden, wie in 17A gezeigt. In manchen Ausführungsformen wird die zweite Deckschicht nicht verwendet und es wird nur die erste Deckschicht 20 über der Hauptnetzmembran 100 abgeschieden, wie in 17B gezeigt. In manchen Ausführungsformen wird die erste Deckschicht nicht verwendet und es wird nur die zweite Deckschicht 30 über der Hauptnetzmembran 100 abgeschieden und eine Schutzschicht 40 wird auf der zweiten Deckschicht und Netzmembran 100 gebildet, die eine bedeckte Netzschicht 119 bildet, wie in 17C gezeigt. In manchen Ausführungsformen wird die Schutzschicht um jedes der mehrwandigen Nanoröhrchen gebildet und in anderen Ausführungsformen bedeckt die Schutzschicht einen äußeren Umfang der Hauptnetzmembran 100. In manchen Ausführungsformen wird die zweite Deckschicht nicht verwendet und es wird nur die erste Deckschicht 20 über der Hauptnetzmembran 100 abgeschieden und eine Schutzschicht 40 wird auf der zweiten Deckschicht und Netzmembran 100 gebildet, die eine bedeckte Netzschicht 119 bildet, wie in 17D gezeigt. In manchen Ausführungsformen wird die Schutzschicht um jedes der mehrwandigen Nanoröhrchen gebildet und in anderen Ausführungsformen bedeckt die Schutzschicht einen äußeren Umfang der Hauptnetzmembran 100.
18A, 18B, 18C, 18D, 18E und 18F zeigen Ablaufdiagramme zum Herstellen eines Pellikels für eine EUV-Fotomaske gemäß Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung. Es ist klar, dass zusätzliche Betriebe vor, während und nach den in 18A-18E gezeigten Prozessblöcken bereitgestellt sein können und manche der unten beschriebenen Betriebe für zusätzliche Ausführungsformen des Verfahrens ersetzt oder eliminiert werden können. Die Reihenfolge der Betriebe/Prozesse kann austauschbar sein. Materialien, Konfigurationen, Verfahren, Prozesse und/oder Abmessungen, wie in Bezug auf die vorherigen Ausführungsformen erklärt, sind bei den folgenden Ausführungsformen anwendbar und es wird auf deren ausführliche Beschreibung verzichtet.
In manchen Ausführungsformen wird, wie in 18A gezeigt, eine Nanoröhrchenschicht, die einwandige Nanoröhrchen enthält, über einem Trägersubstrat durch ein Filter-Abscheidungsverfahren in Block S101 gebildet. Dann wird in Block S102 ein Pellikelrahmen über der Nanoröhrchenschicht gebildet. In Block S103 werden die Nanoröhrchenschicht und das Trägersubstrat in eine gewünschte Form geschnitten und in Block S104 wird das Trägersubstrat entfernt. In Block S105 werden ein oder mehrere Außenröhrchen jeweils um einwandige Nanoröhrchen gebildet. In Block S106 werden eine oder mehrere Deckschichten, die aus einem zweidimensionalen Material hergestellt sind, gebildet, um die mehrwandige Nanoröhrchenschicht abzudichten. In Block S107 wird wahlweise eine Schutzschicht über den Deckschichten gebildet.
In manchen Ausführungsformen wird, wie in 18B gezeigt, eine Nanoröhrchenschicht, die einwandige Nanoröhrchen enthält, über einem Trägersubstrat durch ein Filter-Abscheidungsverfahren in Block S201 gebildet. Dann werden in Block S202 ein oder mehrere Außenröhrchen jeweils um die einwandigen Nanoröhrchen gebildet. In Block S203 wird ein Pellikelrahmen über der mehrwandigen Nanoröhrchenschicht gebildet. In Block S204 werden die mehrwandige Nanoröhrchenschicht und das Trägersubstrat in eine gewünschte Form geschnitten und in Block S205 wird das Trägersubstrat entfernt. In Block S206 werden eine oder mehrere Deckschichten, die aus einem zweidimensionalen Material hergestellt sind, gebildet, um die mehrwandige Nanoröhrchenschicht abzudichten. In Block S207 wird wahlweise eine Schutzschicht über den Deckschichten gebildet.
In manchen Ausführungsformen wird, wie in 18C gezeigt, eine Nanoröhrchenschicht, die einwandige Nanoröhrchen enthält, über einem Trägersubstrat durch ein Filter-Abscheidungsverfahren in Block S301 gebildet. Dann wird in Block S302 eine erste Deckschicht, die aus einem zweidimensionalen Material hergestellt ist, über der Nanoröhrchenschicht auf dem Trägersubstrat gebildet. In Block S303 wird ein Pellikelrahmen über der ersten Deckschicht gebildet. In Block S304 werden die Nanoröhrchenschicht und dasTrägersubstrat in eine gewünschte Form geschnitten und das Trägersubstrat wird entfernt. In Block S305 werden ein oder mehrere Außenröhrchen jeweils um einwandige Nanoröhrchen gebildet. In Block S306 wird eine zweite Deckschicht, die aus einem zweidimensionalen Material hergestellt ist, gebildet, um die mehrwandige Nanoröhrchenschicht abzudichten. In Block S307 wird wahlweise eine Schutzschicht über den Deckschichten gebildet.
In manchen Ausführungsformen wird, wie in 18D gezeigt, eine Nanoröhrchenschicht, die einwandige Nanoröhrchen enthält, über einem Trägersubstrat durch ein Filter-Abscheidungsverfahren in Block S401 gebildet. Dann werden in Block S402 ein oder mehrere Außenröhrchen jeweils um die einwandigen Nanoröhrchen gebildet. In Block S403 wird eine erste Deckschicht, die aus einem zweidimensionalen Material hergestellt ist, über der Nanoröhrchenschicht auf dem Trägersubstrat gebildet. In Block S404 wird ein Pellikelrahmen über der ersten Deckschicht gebildet. In Block S405 werden die mehrwandige Nanoröhrchenschicht und das Trägersubstrat in eine gewünschte Form geschnitten und das Trägersubstrat wird entfernt. In Block S406 wird eine zweite Deckschicht, die aus einem zweidimensionalen Material hergestellt ist, gebildet, um die mehrwandige Nanoröhrchenschicht abzudichten. In Block S407 wird wahlweise eine Schutzschicht über den Deckschichten gebildet.
In manchen Ausführungsformen wird, wie in 18E gezeigt, eine Nanoröhrchenschicht, die mehrwandige Nanoröhrchen enthält, über einem Trägersubstrat durch ein Filter-Abscheidungsverfahren in Block S501 gebildet. Dann wird in Block S502 ein Pellikelrahmen über der mehrwandigen Nanoröhrchenschicht gebildet. In Block S503 werden die mehrwandige Nanoröhrchenschicht und das Trägersubstrat in eine gewünschte Form geschnitten und in Block S504 wird das Trägersubstrat entfernt. In Block S505 werden eine oder mehrere Deckschichten, die aus einem zweidimensionalen Material hergestellt sind, gebildet, um die mehrwandige Nanoröhrchenschicht abzudichten. In Block S506 wird wahlweise eine Schutzschicht über den Deckschichten gebildet. In manchen Ausführungsformen werden ein oder mehrere zusätzliche Außenröhrchen jeweils um die mehrwandigen Nanoröhrchen zwischen den Blöcken S501 und S502 und/oder zwischen den Blöcken S504 und S505 gebildet.
In manchen Ausführungsformen wird, wie in 18F gezeigt, eine Nanoröhrchenschicht, die mehrwandige Nanoröhrchen enthält, über einem Trägersubstrat durch ein Filter-Abscheidungsverfahren in Block S601 gebildet. Dann wird in Block S602 eine erste Deckschicht über der mehrwandigen Nanoröhrchenschicht auf dem Trägersubstrat gebildet. In Block S603 wird ein Pellikelrahmen über der ersten Deckschicht gebildet. In Block S604 werden die mehrwandige Nanoröhrchenschicht und das Trägersubstrat in eine gewünschte Form geschnitten und das Trägersubstrat wird entfernt. In Block S605 wird eine zweite Deckschicht, die aus einem zweidimensionalen Material hergestellt ist, gebildet, um die mehrwandige Nanoröhrchenschicht abzudichten. In Block S606 wird wahlweise eine Schutzschicht über den Deckschichten gebildet. In manchen Ausführungsformen werden ein oder mehrere zusätzliche Außenröhrchen jeweils um die mehrwandigen Nanoröhrchen zwischen den Blöcken S601 und S602 und/oder zwischen den Blöcken S604 und S605 gebildet.
19A zeigt ein Ablaufdiagramm eines Verfahrens zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung und 19B, 19C, 19D und 19E zeigen ein sequenzielles Herstellungsverfahren zur Herstellung eine Halbleitervorrichtung gemäß Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung. Ein Halbleitersubstrat oder anderes geeignetes zu strukturierendes Substrat, um eine integrierte Schaltung darauf zu bilden, wird bereitgestellt. In manchen Ausführungsformen enthält das Halbleitersubstrat Silizium. Alternativ oder zusätzlich enthält das Halbleitersubstrat Germanium, Siliziumgermanium oder ein anderes geeignetes Halbleitermaterial, wie ein Gruppe III-V Halbleitermaterial. In S801 von 19A wird eine zu strukturierende Zielschicht über dem Halbleitersubstrat gebildet. In gewissen Ausführungsformen ist die Zielschicht das Halbleitersubstrat. In manchen Ausführungsformen enthält die Zielschicht eine leitfähige Schicht, wie eine metallische Schicht oder eine Polysiliziumschicht; eine dielektrische Schicht, wie Siliziumoxid, Siliziumnitrid, SiON, SiOC, SiOCN, SiCN, Hafniumoxid oder Aluminiumoxid; oder eine Halbleiterschicht, wie eine epitaktisch gebildete Halbleiterschicht. In manchen Ausführungsformen wird die Zielschicht über einer darunterliegenden Struktur gebildet, wie Isolationsstrukturen, Transistoren oder Verdrahtungen. In S802, von 19A, wird eine Fotolackschicht über der Zielschicht gebildet, wie in 19B gezeigt. Die Fotolackschicht ist für die Strahlung aus der Belichtungsquelle während eines anschließenden Fotolithografiebelichtungsprozesses empfindlich. In der vorliegenden Ausführungsform ist die Fotolackschicht für EUV-Licht empfindlich, das in dem Fotolithografiebelichtungsprozess verwendet wird. Die Fotolackschicht kann durch Spin-Coating oder eine andere geeignete Technik über der Zielschicht gebildet werden. Die beschichtete Fotolackschicht kann ferner gebacken werden, um Lösemittel in der Fotolackschicht auszutreiben. In S803 von 19A wird die Fotolackschicht unter Verwendung einer EUV-reflektierenden Maske mit einem Pellikel, wie oben dargelegt, wie in 19C gezeigt strukturiert. Die Strukturierung der Fotolackschicht enthält Durchführen eines Fotolithografiebelichtungsprozesses durch ein EUV-Belichtungssystem unter Verwendung der EUV-Maske. Während des Belichtungsprozesses wird die Designstruktur der integrierten Schaltung (IC), die auf der EUV-Maske definiert ist, auf die Fotolackschicht abgebildet, um eine latente Struktur darauf zu bilden. Die Strukturierung der Fotolackschicht enthält ferner Entwickeln der belichteten Fotolackschicht, um eine strukturierte Fotolackschicht mit einer oder mehreren Öffnungen zu bilden. In einer Ausführungsform, wo die Fotolackschicht eine positive Fotolackschicht ist, werden die belichteten Abschnitte der Fotolackschicht während des Entwicklungsprozesses entfernt. Die Strukturierung der Fotolackschicht kann ferner andere Prozessschritte enthalten, wie verschiedene Backschritte in unterschiedlichen Stufen. Zum Beispiel kann ein Nach-Belichtungs-Backprozess (PEB-Prozess) nach dem Fotolithografiebelichtungsprozess und vor dem Entwicklungsprozess durchgeführt werden.
In S804 von 19A wird die Zielschicht unter Nutzung der strukturierten Fotolackschicht als eine Ätzmaske strukturiert, wie in 19D gezeigt. In manchen Ausführungsformen enthält die Strukturierung der Zielschicht Anwenden eines Ätzprozesses an der Zielschicht unter Verwendung der strukturierten Fotolackschicht als eine Ätzmaske. Die Abschnitte der Zielschicht, die in den Öffnungen der strukturierten Fotolackschicht freiliegen, werden geätzt, während die übrigen Abschnitte vor einem Ätzen geschützt sind. Ferner kann die strukturierte Fotolackschicht durch Nassabstreifen oder Plasmaveraschen entfernt werden, wie in 19E gezeigt.
Die Pellikel gemäß Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung stellen höhere Festigkeit und Wärmeleitfähigkeit (Ableitung) wie auch einen höheren EUV-Durchlässigkeitsgrad als herkömmliche Pellikel bereit. In den vorhergehenden Ausführungsformen werden mehrwandige Nanoröhrchen als eine Hauptnetzmembran verwendet, um die mechanische Stärke des Pellikels zu erhöhen und einen hohen EUV-Durchlässigkeitsgrad zu erhalten. Ferner wird eine zweidimensionale Materialschicht als eine Deckschicht (erste und/oder zweite Deckschicht) verwendet und/oder gemeinsam mit Nanoröhrchen verwendet, um die mechanische Stärke eines Pellikels zu erhöhen. Zusätzlich ist es durch Verwendung einer zweidimensionalen Materialschicht und/oder einer Schutzschicht, die die Hauptnetzmembran einschließt, möglich, die mechanische Stärke des Pellikels zu erhöhen und eine hohe oder perfekte Blockiereigenschaft von Killerpartikeln bereitzustellen. Darüber hinaus verbessert die Verwendung der zweidimensionalen Materialplättchen in manchen Ausführungsformen Wärmeableitung um zu verhindern, dass ein Pellikel durch EUV-Strahlung ausgebrannt wird.
Es ist klar, dass nicht unbedingt alle Vorteile hier besprochen wurden, kein bestimmter Vorteil für alle Ausführungsformen oder Beispiele notwendig ist und andere Ausführungsformen oder Beispiele unterschiedliche Vorteile bieten können.
Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Offenbarung enthält ein Pellikel für eine EUV-Fotomaske eine erste Schicht, eine zweite Schicht und eine Hauptmembran, die zwischen der ersten Schicht und zweiten Schicht angeordnet ist. Die Hauptmembran enthält mehrere koaxiale Nanoröhrchen, von welchen jedes ein Innenröhrchen und ein oder mehrere Außenröhrchen enthält, die das Innenröhrchen umgeben, und zwei von dem Innenröhrchen und dem einen oder den mehreren Außenröhrchen sind aus unterschiedlichen Materialien hergestellt. In einer oder mehreren der vorangehenden und folgenden Ausführungsformen ist jedes der Innenröhrchen und das eine oder die mehreren Außenröhrchen ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus einem Kohlenstoffnanoröhrchen, einem Bornitridnanoröhrchen, einem Übergangsmetall-Dichalcogenid-Nanoröhrchen (TMD-Nanoröhrchen), wo TMD dargestellt ist durch MX₂, wo M eines oder mehrere von Mo, W, Pd, Pt oder Hf ist und X eines oder mehrere von S, Se oder Te ist. In einer oder mehreren der vorangehenden und folgenden Ausführungsformen ist das Innenröhrchen ein Kohlenstoffnanoröhrchen. In einer oder mehreren der vorangehenden und folgenden Ausführungsformen enthält jedes der mehreren koaxialen Nanoröhrchen das Innenröhrchen und ein Außenröhrchen, das aus einem anderen Material als das Innenröhrchen hergestellt ist. In einer oder mehreren der vorangehenden und folgenden Ausführungsformen enthält jedes der mehreren koaxialen Nanoröhrchen das Innenröhrchen und zwei Außenröhrchen, von welchen alle aus unterschiedlichen Materialien hergestellt sind. In einer oder mehreren der vorangehenden und folgenden Ausführungsformen enthält jedes der mehreren koaxialen Nanoröhrchen zwei Außenröhrchen, die aus einem selben Material hergestellt sind, und das Innenröhrchen. In einer oder mehreren der vorangehenden und folgenden Ausführungsformen enthält die Hauptmembran ferner mehrere einwandige Nanoröhrchen.
Gemäß einem anderen Aspekt der vorliegenden Offenbarung enthält ein Pellikel für eine Extremultraviolett- (EUV) reflektierende Maske eine erste Schicht, einen Trägerrahmen, der an der ersten Schicht befestigt ist, und eine Hauptmembran, die über der ersten Schicht angeordnet ist. Die Hauptmembran enthält mehrere Nanoröhrchen, von welchen jedes ein Innennanoröhrchen und erste bis N-te Außenschichten, die jeweils das Innennanoröhrchen koaxial umgeben, enthält, wo N eine natürliche Zahl von 1 bis 10 ist. In einer oder mehreren der vorangehenden und folgenden Ausführungsformen ist mindestens eine der ersten bis N-ten Außenschichten ein Nanoröhrchen, das das Innennanoröhrchen koaxial umgibt. In einer oder mehreren der vorangehenden und folgenden Ausführungsformen sind zwei von dem Innennanoröhrchen und den ersten bis N-ten Außenschichten aus unterschiedlichen Materialien hergestellt. In einer oder mehreren der vorangehenden und folgenden Ausführungsformen ist N mindestens zwei und zwei von dem Innennanoröhrchen und den ersten bis N-ten Außenschichten sind aus denselben Materialien hergestellt. In einer oder mehreren der vorangehenden und folgenden Ausführungsformen ist N mindestens zwei und drei von dem Innennanoröhrchen und den ersten bis N-ten Außenschichten sind aus unterschiedlichen Materialien hergestellt. In einer oder mehreren der vorangehenden und folgenden Ausführungsformen ist das Innennanoröhrchen ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus einem Kohlenstoffnanoröhrchen, einem Bornitridnanoröhrchen, einem Übergangsmetall-Dichalcogenid-Nanoröhrchen (TMD-Nanoröhrchen), wo TMD dargestellt ist durch MX₂, wo M eines oder mehrere von Mo, W, Pd, Pt oder Hf ist und X eines oder mehrere von S, Se oder Te ist. In einer oder mehreren der vorangehenden und folgenden Ausführungsformen ist jede der ersten bis N-ten Außenschichten aus einem Kohlenstoff, Bornitrid, Übergangsmetall-Dichalcogenid (TMD) hergestellt, wo TMD dargestellt ist durch MX₂, wo M eines oder mehrere von Mo, W, Pd, Pt oder Hf ist und X eines oder mehrere von S, Se oder Te ist. In einer oder mehreren der vorangehenden und folgenden Ausführungsformen enthält das Pellikel ferner eine Schutzschicht. In einer oder mehreren der vorangehenden und folgenden Ausführungsformen ist ein Material der Schutzschicht dasselbe wie jenes der N-ten Außenschicht.
Gemäß einem anderen Aspekt der vorliegenden Offenbarung enthält ein Pellikel für eine Extremultraviolett- (EUV) reflektierende Maske eine erste Schicht, eine zweite Schicht und eine Hauptmembran, die zwischen der ersten Schicht und zweiten Schicht angeordnet ist. Die Hauptmembran enthält mehrere Nanoröhrchen, von welchen jedes ein Innennanoröhrchen und erste bis N-te Außenröhrchen enthält, die jeweils das Innennanoröhrchen koaxial umgeben, wo N eine natürliche Zahl von 1 bis 10 ist, und mindestens eine der ersten Schicht oder der zweiten Schicht ein zweidimensionales Material enthält, in dem eine oder mehrere zweidimensionale Schichten gestapelt sind. In einer oder mehreren der vorangehenden und folgenden Ausführungsformen enthält das zweidimensionale Material mindestens eines, das ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus Bornitrid (BN), Graphen, MoS₂, MoSe₂, WS₂ und WSe₂. In einer oder mehreren der vorangehenden und folgenden Ausführungsformen enthält die Hauptmembran ferner mehrere Nanoplättchen eines zweidimensionalen Materials, das mindestens eines enthält, ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Bornitrid (BN), Graphen, MoS₂, MoSe₂, WS₂ und WSe₂. In einer oder mehreren der vorangehenden und folgenden Ausführungsformen enthält das Pellikel ferner eine Schutzschicht, die über der ersten Schicht und der zweiten Schicht angeordnet ist. In einer oder mehreren der vorangehenden und folgenden Ausführungsformen enthält die Schutzschicht mindestens eines, das ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus HfO₂, Al₂O₃, ZrO₂, Y₂O₃, La₂O₃, B₄C, YN, Si₃N₄, BN, NbN, RuNb, YF₃, TiN, ZrN, Ru, Nb, Y, Sc, Ni, Mo, W, Pt und Bi.
Gemäß einem anderen Aspekt der vorliegenden Offenbarung enthält ein Pellikel für eine Extremultraviolett- (EUV) reflektierende Maske eine erste Schicht, einen Trägerrahmen, der an der ersten Schicht befestigt ist, und eine Hauptmembran, die über der ersten Schicht angeordnet ist. Die Hauptmembran enthält eine Netzstruktur aus mehreren mehrwandigen Nanoröhrchen, die jeweils mehrere koaxiale Röhrchen aufweisen, und mindestens zwei der mehreren koaxiale Röhrchen sind aus unterschiedlichen Materialien hergestellt. In einer oder mehreren der vorangehenden und folgenden Ausführungsformen ist jedes der mehreren koaxialen Röhrchen ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus einem Kohlenstoffnanoröhrchen, einem Bornitridnanoröhrchen, einem Übergangsmetall-Dichalcogenid-Nanoröhrchen (TMD-Nanoröhrchen), wo TMD dargestellt ist durch MX₂, wo M eines oder mehrere von Mo, W, Pd, Pt oder Hf ist und X eines oder mehrere von S, Se oder Te ist. In einer oder mehreren der vorangehenden und folgenden Ausführungsformen ist ein innerstes Röhrchen der mehreren koaxialen Röhrchen ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus einem Kohlenstoffnanoröhrchen, einem Bornitridnanoröhrchen, einem Übergangsmetall-Dichalcogenid-Nanoröhrchen (TMD-Nanoröhrchen), wo TMD dargestellt ist durch MX₂, wo M eines oder mehrere von Mo, W, Pd, Pt oder Hf ist und X eines oder mehrere von S, Se oder Te ist. In einer oder mehreren der vorangehenden und folgenden Ausführungsformen ist jedes der mehreren koaxialen Röhrchen außer dem innersten Röhrchen aus Kohlenstoff, Bornitridnanoröhrchen, Übergangsmetall-Dichalcogenid (TMD) hergestellt, wo TMD dargestellt ist durch MX₂, wo M eines oder mehrere von Mo, W, Pd, Pt oder Hf ist und X eines oder mehrere von S, Se oder Te ist. In einer oder mehreren der vorangehenden und folgenden Ausführungsformen ist ein äußerstes Röhrchen der mehreren koaxialen Röhrchen aus mindestens einem hergestellt, ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus HfO₂, Al₂O₃, ZrO₂, Y₂O₃, La₂O₃, B₄C, YN, Si₃N₄, BN, NbN, RuNb, YF₃, TiN, ZrN, Ru, Nb, Y, Sc, Ni, Mo, W, Pt und Bi. In einer oder mehreren der vorangehenden und folgenden Ausführungsformen weist jedes der mehreren mehrwandigen Nanoröhrchen drei oder vier koaxiale Röhrchen auf und mindestens drei der drei oder vier koaxialen Röhrchen sind aus unterschiedlichen Materialien hergestellt. In einer oder mehreren der vorangehenden und folgenden Ausführungsformen enthält die Hauptmembran ferner mehrere einwandige Nanoröhrchen. In einer oder mehreren der vorangehenden und folgenden Ausführungsformen enthält die erste Schicht ein zweidimensionales Material, in dem eine oder mehrere zweidimensionale Schichten gestapelt sind. In einer oder mehreren der vorangehenden und folgenden Ausführungsformen enthält das zweidimensionale Material mindestens eines, das ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus Bornitrid (BN), Graphen und einem Übergangsmetall-Dichalcogenid (TMD), wo TMD dargestellt ist durch MX₂, wo M eines oder mehrere von Mo, W, Pd, Pt oder Hf ist und X eines oder mehrere von S, Se oder Te ist. In einer oder mehreren der vorangehenden und folgenden Ausführungsformen ist eine Dicke der ersten Schicht in einem Bereich von 0,3 nm bis 3 nm. In einer oder mehreren der vorangehenden und folgenden Ausführungsformen ist eine Anzahl der einen oder mehreren zweidimensionalen Schichten der ersten Schicht 1 bis 20. In einer oder mehreren der vorangehenden und folgenden Ausführungsformen ist die erste Schicht zwischen dem Trägerrahmen und der Hauptmembran angeordnet. In einer oder mehreren der vorangehenden und folgenden Ausführungsformen ist ein Teil der Hauptmembran zwischen der ersten Schicht und dem Trägerrahmen angeordnet. In einer oder mehreren der vorangehenden und folgenden Ausführungsformen enthält das Pellikel ferner eine zweite Schicht. In einer oder mehreren der vorangehenden und folgenden Ausführungsformen ist die Hauptmembran zwischen der ersten Schicht und der zweiten Schicht angeordnet. In einer oder mehreren der vorangehenden und folgenden Ausführungsformen enthält die zweite Schicht ein zweidimensionales Material, in dem eine oder mehrere zweidimensionale Schichten gestapelt sind. In einer oder mehreren der vorangehenden und folgenden Ausführungsformen enthält das zweidimensionale Material mindestens eines, das ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus Bornitrid (BN), Graphen und einem Übergangsmetall-Dichalcogenid (TMD), wo TMD dargestellt ist durch MX₂, wo M eines oder mehrere von Mo, W, Pd, Pt oder Hf ist und X eines oder mehrere von S, Se oder Te ist. In einer oder mehreren der vorangehenden und folgenden Ausführungsformen ist eine Dicke der ersten Schicht in einem Bereich von 0,3 nm bis 3 nm. In einer oder mehreren der vorangehenden und folgenden Ausführungsformen ist eine Anzahl der einen oder mehreren zweidimensionalen Schichten der ersten Schicht 1 bis 20. In einer oder mehreren der vorangehenden und folgenden Ausführungsformen enthält das Pellikel ferner eine Schutzschicht, die über beiden Seiten der ersten Schicht angeordnet ist. In einer oder mehreren der vorangehenden und folgenden Ausführungsformen enthält die Schutzschicht mindestens eines, das ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus HfO₂, Al₂O₃, ZrO₂, Y₂O₃ und La₂O₃. In einer oder mehreren der vorangehenden und folgenden Ausführungsformen enthält die Schutzschicht mindestens eines, das ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus B₄C, YN, Si₃N₄, BN, NbN, RuNb, YF₃, TiN und ZrN. In einer oder mehreren der vorangehenden und folgenden Ausführungsformen enthält die Schutzschicht eine Metallschicht, die aus mindestens einem hergestellt ist, das ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus Ru, Nb, Y, Sc, Ni, Mo, W, Pt und Bi. In einer oder mehreren der vorangehenden und folgenden Ausführungsformen ist eine Dicke der Schutzschicht in einem Bereich von 0,1 nm bis 5 nm. In einer oder mehreren der vorangehenden und folgenden Ausführungsformen wird die Schutzschicht auch gebildet, um die mehreren Nanoröhrchen der Hauptmembran zu bedecken. In einer oder mehreren der vorangehenden und folgenden Ausführungsformen ist ein Material der Schutzschicht dasselbe wie ein Material eines äußersten der mehreren koaxialen Röhrchen. In einer oder mehreren der vorangehenden und folgenden Ausführungsformen enthalten die mehreren mehrwandigen Nanoröhrchen mehrere erste mehrwandige Nanoröhrchen und mehrere zweite mehrwandige Nanoröhrchen, die sich von den mehreren ersten mehrwandigen Nanoröhrchen unterscheiden. In einer oder mehreren der vorangehenden und folgenden Ausführungsformen unterscheidet sich eine Anzahl von Wandschichten jedes der mehreren ersten mehrwandigen Nanoröhrchen von einer Anzahl von Wandschichten jedes der mehreren zweiten mehrwandigen Nanoröhrchen. In einer oder mehreren der vorangehenden und folgenden Ausführungsformen ist eine Anzahl von Wandschichten jedes der mehreren ersten mehrwandigen Nanoröhrchen dieselbe wie eine Anzahl von Wandschichten jedes der mehreren zweiten mehrwandigen Nanoröhrchen. In einer oder mehreren der vorangehenden und folgenden Ausführungsformen unterscheidet sich eine Schichtstruktur im Sinne von Material jedes der mehreren ersten mehrwandigen Nanoröhrchen von einer Schichtstruktur im Sinne von Material jedes der mehreren zweiten mehrwandigen Nanoröhrchen. In einer oder mehreren der vorangehenden und folgenden Ausführungsformen enthält die Hauptmembran ferner mehrere Plättchen, die zweidimensionales Material umfassen, in dem eine oder mehrere zweidimensionale Schichten gestapelt sind. In einer oder mehreren der vorangehenden und folgenden Ausführungsformen enthält das zweidimensionale Material mindestens eines, das ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus Bornitrid (BN), Graphen, MoS₂, MoSe₂, WS₂ und WSe₂. In einer oder mehreren der vorangehenden und folgenden Ausführungsformen ist eine Größe jedes der mehreren Plättchen in einem Bereich von 10 nm² bis 10 µm². In einer oder mehreren der vorangehenden und folgenden Ausführungsformen ist eine Dicke jedes der mehreren Plättchen in einem Bereich von 0,3 nm bis 3 nm. In einer oder mehreren der vorangehenden und folgenden Ausführungsformen ist eine Anzahl der einen oder mehreren zweidimensionalen Schichten jedes der mehreren Plättchen 1 bis 20.
Gemäß einem anderen Aspekt der vorliegenden Offenbarung wird in einem Verfahren zur Herstellung eines Pellikels für eine Extremultraviolett- (EUV) reflektierende Maske eine Nanoröhrchenschicht, die mehrere Nanoröhrchen enthält, über einem Trägersubstrat gebildet. Ein Pellikelrahmen wird über der Nanoröhrchenschicht gebildet. Die Nanoröhrchenschicht wird von dem Trägersubstrat gelöst. Ein oder mehrere Außenröhrchen werden um jedes der mehreren Nanoröhrchen als ein Innennanoröhrchen gebildet, wodurch eine Netzmembran gebildet wird, die mehrere koaxiale Röhrchen enthält, die jeweils das Innennanoröhrchen und das eine oder die mehreren Außenröhrchen enthalten, die jeweils das Innennanoröhrchen koaxial umgeben. Mindestens zwei von dem Innennanoröhrchen und dem einen oder den mehreren Außenröhrchen sind aus unterschiedlichen Materialien hergestellt. In einer oder mehreren der vorangehenden und folgenden Ausführungsformen wird, nachdem der Pellikelrahmen gebildet wurde und bevor das eine oder die mehreren Außenröhrchen gebildet sind, mindestens die Nanoröhrchenschicht in eine polygonale Form geschnitten. In einer oder mehreren der vorangehenden und folgenden Ausführungsformen ist jedes der mehreren koaxialen Röhrchen ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus einem Kohlenstoffnanoröhrchen, einem Bornitridnanoröhrchen, einem Übergangsmetall-Dichalcogenid-Nanoröhrchen (TMD-Nanoröhrchen), wo TMD dargestellt ist durch MX₂, wo M eines oder mehrere von Mo, W, Pd, Pt oder Hf ist und X eines oder mehrere von S, Se oder Te ist. In einer oder mehreren der vorangehenden und folgenden Ausführungsformen ist das Innennanoröhrchen ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus einem Kohlenstoffnanoröhrchen, einem Bornitridnanoröhrchen, einem Übergangsmetall-Dichalcogenid-Nanoröhrchen (TMD-Nanoröhrchen), wo TMD dargestellt ist durch MX₂, wo M eines oder mehrere von Mo, W, Pd, Pt oder Hf ist und X eines oder mehrere von S, Se oder Te ist. In einer oder mehreren der vorangehenden und folgenden Ausführungsformen ist jedes des einen oder der mehreren Außenröhrchen aus Kohlenstoff, Bornitrid, Übergangsmetall-Dichalcogenid (TMD) hergestellt, wo TMD dargestellt ist durch MX₂, wo M eines oder mehrere von Mo, W, Pd, Pt oder Hf ist und X eines oder mehrere von S, Se oder Te ist. In einer oder mehreren der vorangehenden und folgenden Ausführungsformen weist jedes der mehreren koaxialen Röhrchen insgesamt drei oder vier koaxiale Röhrchen auf und mindestens drei der insgesamt drei oder vier koaxialen Röhrchen sind aus unterschiedlichen Materialien hergestellt. In einer oder mehreren der vorangehenden und folgenden Ausführungsformen enthält die Netzmembran ferner mehrere einwandigen Nanoröhrchen.
Gemäß einem anderen Aspekt der vorliegenden Offenbarung wird in einem Verfahren zur Herstellung eines Pellikels für eine Extremultraviolett- (EUV) reflektierende Maske, eine Nanoröhrchenschicht, die mehrere mehrwandige Nanoröhrchen enthält, gebildet, ein Pellikelrahmen wird über der Nanoröhrchenschicht gebildet und eine erste Deckschicht und eine zweite Deckschicht werden so gebildet, dass die Nanoröhrchenschicht zwischen der ersten Deckschicht und der zweiten Deckschicht angeordnet ist. Das mehrwandige Nanoröhrchen enthält ein Innennanoröhrchen und ein oder mehrere Außenröhrchen und mindestens eine der ersten Deckschicht und der zweiten Deckschicht enthält ein zweidimensionales Material, in dem eine oder mehrere zweidimensionale Schichten gestapelt sind. In einer oder mehreren der vorangehenden und folgenden Ausführungsformen enthält die erste Deckschicht ein erstes zweidimensionales Material und die zweite Deckschicht enthält ein zweites zweidimensionales Material. In einer oder mehreren der vorangehenden und folgenden Ausführungsformen enthält jedes des ersten und zweiten zweidimensionalen Materials mindestens eines, das ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus Bornitrid (BN), Graphen, MoS₂, MoSe₂, WS₂ und WSe₂. In einer oder mehreren der vorangehenden und folgenden Ausführungsformen unterscheidet sich das erste zweidimensionale Material von dem zweiten zweidimensionalen Material. In einer oder mehreren der vorangehenden und folgenden Ausführungsformen ist eine Dicke jeder der ersten Deckschicht und der zweiten Deckschicht in einem Bereich von 0,3 nm bis 3 nm. In einer oder mehreren der vorangehenden und folgenden Ausführungsformen ist eine Anzahl der einen oder mehreren zweidimensionalen Schichten jedes des ersten und zweiten zweidimensionalen Materials 1 bis 20. In einer oder mehreren der vorangehenden und folgenden Ausführungsformen wird eine Schutzschicht über der ersten Deckschicht, der zweiten Deckschicht und einem Pellikelrahmen gebildet. In einer oder mehreren der vorangehenden und folgenden Ausführungsformen enthält die Schutzschicht mindestens eines, das ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus HfO₂, Al₂O₃, ZrO₂, Y₂O₃, La₂O₃, B₄C, YN, Si₃N₄, BN, NbN, RuNb, YF₃, TiN, ZrN, Ru, Nb, Y, Sc, Ni, Mo, W, Pt und Bi.
Gemäß einem anderen Aspekt der vorliegenden Offenbarung wird in einem Verfahren zur Herstellung eines Pellikels für eine Extremultraviolett- (EUV) reflektierende Maske eine Nanoröhrchenschicht, die mehrere Nanoröhrchen und Plättchen aus einem oder mehreren zweidimensionalen Materialien enthält, über einem Trägersubstrat gebildet, ein Pellikelrahmen wird über der ersten Deckschicht gebildet, die Nanoröhrchenschicht wird geschnitten, um eine geschnittene Pellikelmembran zu bilden, und eine erste Deckschicht und eine zweite Deckschicht werden gebildet, um die geschnittene Pellikelmembran einzukapseln. In einer oder mehreren der vorangehenden und folgenden Ausführungsformen enthält die Nanoröhrchenschicht eine Netzstruktur aus mehreren mehrwandigen koaxialen Nanoröhrchen und mindestens zwei Röhrchen der mehreren mehrwandigen koaxialen Nanoröhrchen sind aus unterschiedlichen Materialien hergestellt. In einer oder mehreren der vorangehenden und folgenden Ausführungsformen enthält jedes des einen oder der mehreren zweidimensionalen Materialien mindestens eines, das ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus Bornitrid (BN), Graphen, MoS₂, MoSe₂, WS₂ und WSe₂. In einer oder mehreren der vorangehenden und folgenden Ausführungsformen ist eine Größe jedes der Plättchen in einem Bereich von 10 nm² bis 10 µm². In einer oder mehreren der vorangehenden und folgenden Ausführungsformen ist eine Dicke jedes der Plättchen in einem Bereich von 0,3 nm bis 3 nm. In einer oder mehreren der vorangehenden und folgenden Ausführungsformen ist eine Anzahl der einen oder mehreren zweidimensionalen Schichten jedes der Plättchen 1 bis 20. In einer oder mehreren der vorangehenden und folgenden Ausführungsformen ist jedes der mehreren mehrwandigen koaxialen Nanoröhrchen ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus einem Kohlenstoffnanoröhrchen, einem Bornitridnanoröhrchen, einem Übergangsmetall-Dichalcogenid-Nanoröhrchen (TMD-Nanoröhrchen), wo TMD dargestellt ist durch MX₂, wo M eines oder mehrere von Mo, W, Pd, Pt oder Hf ist und X eines oder mehrere von S, Se oder Te ist.
Zuvor wurden Strukturelemente von mehreren Ausführungsformen oder Beispiele angeführt, so dass Fachleute auf dem Gebiet die Aspekte der vorliegenden Offenbarung besser verstehen können. Fachleute auf dem Gebiet sollten zu schätzen wissen, dass sie die vorliegende Offenbarung leicht als Basis zur Gestaltung oder Modifizierung anderer Prozesse und Strukturen zur Ausführung derselben Zwecke und/oder zum Erreichen derselben Vorteile der hier vorgestellten Ausführungsformen oder Beispiele verwenden können. Fachleute auf dem Gebiet sollten auch erkennen, dass solche äquivalenten Konstruktionen nicht vom Wesen und Umfang der vorliegenden Offenbarung abweichen und dass sie hier verschiedene Änderungen, Ersetzungen und Abänderungen vornehmen können, ohne vom Wesen und Umfang der vorliegenden Offenbarung abzuweichen.
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
Zitierte Patentliteratur

US 63230576 [0001]

Claims

Pellikel für eine Extremultraviolett- (EUV) reflektierende Maske, umfassend: eine erste Schicht; eine zweite Schicht; und eine Hauptmembran, die zwischen der ersten Schicht und zweiten Schicht angeordnet ist, wobei: die Hauptmembran mehrere koaxiale Nanoröhrchen enthält, von welchen jedes ein Innenröhrchen und ein oder mehrere Außenröhrchen enthält, die das Innenröhrchen umgeben, und zwei von dem Innenröhrchen und dem einen oder den mehreren Außenröhrchen aus unterschiedlichen Materialien hergestellt sind.
Pellikel nach Anspruch 1, wobei jedes der Innenröhrchen und des einen oder der mehreren Außenröhrchen ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus einem Kohlenstoffnanoröhrchen, einem Bornitridnanoröhrchen, einem Übergangsmetall-Dichalcogenid-Nanoröhrchen (TMD-Nanoröhrchen), wo TMD dargestellt ist durch MX₂, wo M eines oder mehrere von Mo, W, Pd, Pt oder Hf ist und X eines oder mehrere von S, Se oder Te ist.
Pellikel nach Anspruch 2, wobei das Innenröhrchen ein Kohlenstoffnanoröhrchen ist.
Pellikel nach Anspruch 2 oder 3, wobei jedes der mehreren koaxialen Nanoröhrchen das Innenröhrchen und ein Außenröhrchen enthält, das aus einem anderen Material als das Innenröhrchen hergestellt ist.
Pellikel nach Anspruch 2 oder 3, wobei jedes der mehreren koaxialen Nanoröhrchen das Innenröhrchen und zwei Außenröhrchen enthält, von welchen alle aus unterschiedlichen Materialien hergestellt sind.
Pellikel nach Anspruch 2 oder 3, wobei jedes der mehreren koaxialen Nanoröhrchen zwei Außenröhrchen, die aus einem selben Material hergestellt sind, und das Innenröhrchen enthält.
Pellikel nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei die Hauptmembran ferner mehrere einwandige Nanoröhrchen enthält.
Pellikel für eine Extremultraviolett- (EUV) reflektierende Maske, umfassend: eine erste Schicht; einen Trägerrahmen, der an der ersten Schicht befestigt ist; und eine Hauptmembran, die über der ersten Schicht angeordnet ist, wobei die Hauptmembran mehrere Nanoröhrchen, von welchen jedes ein Innennanoröhrchen und erste bis N-te Außenschichten, die jeweils das Innennanoröhrchen koaxial umgeben, enthält, wo N eine natürliche Zahl von 1 bis 10 ist.
Pellikel nach Anspruch 8, wobei mindestens eine der ersten bis N-ten Außenschichten ein Nanoröhrchen ist, das das Innennanoröhrchen koaxial umgibt.
Pellikel nach Anspruch 8 oder 9, wobei zwei von dem Innennanoröhrchen und der ersten bis N-ten Außenschichten aus unterschiedlichen Materialien hergestellt sind.
Pellikel nach Anspruch 10, wobei: N mindestens zwei ist und zwei von dem Innennanoröhrchen und der ersten bis N-ten Außenschichten aus einem selben Material hergestellt sind.
Pellikel nach Anspruch 8, wobei: N mindestens zwei ist und drei von dem Innennanoröhrchens und der ersten bis N-ten Außenschichten aus unterschiedlichen Materialien hergestellt sind.
Pellikel nach einem der vorstehenden Ansprüche 8 bis 12, wobei das Innennanoröhrchen ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus einem Kohlenstoffnanoröhrchen, einem Bornitridnanoröhrchen, einem Übergangsmetall-Dichalcogenid-Nanoröhrchen (TMD-Nanoröhrchen), wo TMD dargestellt ist durch MX₂, wo M eines oder mehrere von Mo, W, Pd, Pt oder Hf ist und X eines oder mehrere von S, Se oder Te ist.
Pellikel nach Anspruch 13, wobei jede der ersten bis N-ten Außenschichten aus einem Kohlenstoff, Bornitrid, Übergangsmetall-Dichalcogenid (TMD) hergestellt ist, wo TMD dargestellt ist durch MX₂, wo M eines oder mehrere von Mo, W, Pd, Pt oder Hf ist und X eines oder mehrere von S, Se oder Te ist.
Pellikel nach einem der vorstehenden Ansprüche 8 bis 14, ferner umfassend eine Schutzschicht, wobei ein Material der Schutzschicht dasselbe wie jenes der N-ten Außenschicht ist.
Verfahren zur Herstellung eines Pellikels für eine Extremultraviolett- (EUV) reflektierende Maske, umfassend: Bilden einer Nanoröhrchenschicht, die mehrere Nanoröhrchen enthält, über einem Trägersubstrat; Bilden eines Pellikelrahmens über der Nanoröhrchenschicht; Lösen der Nanoröhrchenschicht von dem Trägersubstrat; und Bilden eines oder mehrerer Außenröhrchen um jedes der mehreren Nanoröhrchen als ein Innennanoröhrchen, wodurch eine Netzmembran gebildet wird, die mehrere koaxiale Röhrchen umfasst, die jeweils das Innennanoröhrchen und das eine oder die mehreren Außenröhrchen umfasst, die jeweils das Innennanoröhrchen koaxial umgeben, wobei mindestens zwei von dem Innennanoröhrchen und dem einen oder den mehreren Außenröhrchen aus unterschiedlichen Materialien hergestellt sind.
Verfahren nach Anspruch 16, ferner umfassend, nachdem der Pellikelrahmen gebildet wurde und bevor das eine oder die mehreren Außenröhrchen gebildet sind, Schneiden mindestens der Nanoröhrchenschicht in eine polygonale Form.
Verfahren nach Anspruch 16 oder 17, wobei jedes der mehreren koaxialen Röhrchen ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus einem Kohlenstoffnanoröhrchen, einem Bornitridnanoröhrchen, einem Übergangsmetall-Dichalcogenid-Nanoröhrchen (TMD-Nanoröhrchen), wo TMD dargestellt ist durch MX₂, wo M eines oder mehrere von Mo, W, Pd, Pt oder Hf ist und X eines oder mehrere von S, Se oder Te ist.
Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche 16 bis 18, wobei das Innennanoröhrchen ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus einem Kohlenstoffnanoröhrchen, einem Bornitridnanoröhrchen, einem Übergangsmetall-Dichalcogenid-Nanoröhrchen (TMD-Nanoröhrchen), wo TMD dargestellt ist durch MX₂, wo M eines oder mehrere von Mo, W, Pd, Pt oder Hf ist und X eines oder mehrere von S, Se oder Te ist.
Verfahren nach Anspruch 19, wobei jedes des einen oder der mehreren Außenröhrchen aus Kohlenstoff, Bornitrid, Übergangsmetall-Dichalcogenid (TMD) hergestellt ist, wo TMD dargestellt ist durch MX₂, wo M eines oder mehrere von Mo, W, Pd, Pt oder Hf ist und X eines oder mehrere von S, Se oder Te ist.