DE102016101565A1

DE102016101565A1 - Matrixsubstrat, Anzeigetafel, Anzeigevorrichtung und Herstellungsverfahren hierfür

Info

Publication number: DE102016101565A1
Application number: DE102016101565.2A
Authority: DE
Inventors: Qijun Yao; Xingyao ZHOU; Jun Ma
Original assignee: Tianma Microelectronics Co Ltd; Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd
Current assignee: Tianma Microelectronics Co Ltd; Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd
Priority date: 2015-06-04
Filing date: 2016-01-28
Publication date: 2016-12-08
Anticipated expiration: 2036-01-29
Also published as: US9933645B2; CN104865726B; CN104865726A; US20160357048A1; DE102016101565B4

Abstract

Ein Matrixsubstrat, eine Anzeigetafel, eine Anzeigevorrichtung und ein Herstellungsverfahren hiervon werden bereitgestellt. Das Matrixsubstrat weist auf: ein Substrat; eine Vielzahl von Dünnfilmtransistoren, die voneinander beabstandet und in einer Matrix angeordnet sind, auf dem Substrat; eine erste Passivierungsschicht auf der Vielzahl von Dünnfilmtransistoren; und eine Vielzahl von Berührungssignalleitungen und eine Bildpunktelektrodenschicht auf der ersten Passivierungsschicht, wobei die Bildpunktelektrodenschicht eine Vielzahl von Bildpunktelektroden, die voneinander beabstandet und in einer Matrix angeordnet sind, aufweist und in der gleichen Schicht wie die Berührungssignalleitungen angeordnet und von den Berührungssignalleitungen elektrisch isoliert ist.

Description

Technisches Gebiet
Die vorliegende Erfindung betrifft das Gebiet von Anzeigetechnologien und insbesondere ein Matrixsubstrat, eine Anzeigetafel, eine Anzeigevorrichtung und ein Herstellungsverfahren hierfür.
Hintergrund
Mit der Entwicklung elektronischer Technologien sind Funktionen von Anzeigevorrichtungen nicht auf das Empfangen und anschließende Anzeigen von Bildsignalen beschränkt. Heutzutage ist in die Anzeigevorrichtung eine Berührungssensierungsfunktion integriert worden, so dass gemäß einem durch einen Bediener der Anzeigevorrichtung durchgeführten Berührungsvorgang eine Steueranweisung in die Anzeigevorrichtung eingegeben werden kann.
Gegenwärtig weisen Berührungstafeln in Abhängigkeit von ihrem jeweiligen Aufbau eine Berührungstafel vom Hinzufügungstyp (Add-On), eine Berührungstafel vom zellenaufgesetzten Typ (On-Cell) und eine Berührungstafel vom zellenintregrierten Typ (In-Cell) auf. Bei der In-Cell-Berührungstafel sind Berührungselektroden innerhalb einer Flüssigkristallanzeigetafel eingebettet, um die Gesamtdicke der Berührungstafel zu verringern und die Herstellungskosten der Berührungstafel beträchtlich zu verringern, daher ist die In-Cell-Berührungstafel unter Berührungstafelherstellern sehr beliebt.
Allerdings sind Layouts und Designs funktionaler Filmschichten in einem Matrixsubstrat der bestehenden In-Cell-Berührungstafel kompliziert und erfordern viele Herstellungsprozesse, was zu vergleichsweise hohen Herstellungskosten führt, was die ausgedehnte Verwendung hiervon einschränkt.
Kurzfassung
Diese Erfindung stellt ein Matrixsubstrat, eine Anzeigetafel und ein Herstellungsverfahren hiervon bereit, um die Herstellungsprozesse für die In-Cell-Anzeigetafeln zu reduzieren, die Layouts der Filmschichten in der In-Cell-Berührungstafel zu optimieren und Kosten der In-Cell-Berührungstafel zu verringern.
In einem ersten Beispiel stellen Ausführungsformen der Erfindung ein Verfahren zum Herstellen eines Matrixsubstrats bereit, welches aufweist:
sequenzielles Ausbilden einer Vielzahl von Dünnfilmtransistoren, die voneinander beabstandet und in einer Matrix angeordnet sind, einer ersten Passivierungsschicht, einer Vielzahl von Berührungssignalleitungen und einer Bildpunktelektrodenschicht auf einem Substrat;
wobei die Bildpunktelektrodenschicht eine Vielzahl von Bildpunktelektroden, welche voneinander beabstandet und in einer Matrix angeordnet sind, aufweist und in der gleichen Schicht wie die Berührungssignalleitungen angeordnet und von den Berührungssignalleitungen elektrisch isoliert ist.
In einem zweiten Beispiel stellen Ausführungsformen der Erfindung ein Matrixsubstrat bereit, welches aufweist:
ein Substrat;
eine Vielzahl von Dünnfilmtransistoren, die voneinander beabstandet und in einer Matrix auf dem Substrat angeordnet sind;
eine erste Passivierungsschicht auf der Vielzahl von Dünnfilmtransistoren; und
eine Vielzahl von Berührungssignalleitungen und eine Bildpunktelektrodenschicht auf der ersten Passivierungsschicht;
wobei die Bildpunktelektrodenschicht eine Vielzahl von Bildpunktelektroden, die voneinander beabstandet und in einer Matrix angeordnet sind, aufweist und in der gleichen Schicht wie die Berührungssignalleitungen angeordnet und von den Berührungssignalleitungen elektrisch isoliert ist.
In einem dritten Beispiel stellen Ausführungsformen der Erfindung eine Anzeigetafel bereit, welche aufweist:
ein Matrixsubstrat gemäß vorstehend beschriebenen Ausführungsformen,
ein Farbfiltersubstrat gegenüber dem Matrixsubstrat; und
eine Anzeigemediumsschicht zwischen der Matrixsubstrat und dem Farbfiltersubstrat.
In einem vierten Beispiel stellen Ausführungsformen der Erfindung eine Anzeigevorrichtung bereit, welche aufweist:
einen Ansteuerungschip und eine in den vorstehenden Ausführungsformen beschriebene Anzeigetafel, wobei der Ansteuerungschip zur Anzeigeansteuerung und Berührungssensierungsansteuerung konfiguriert ist.
Mit der Erfindung sind eine Vielzahl von Dünnfilmtransistoren, die voneinander beabstandet und in einer Matrix angeordnet sind, eine erste Passivierungsschicht, eine Vielzahl von Berührungssignalleitungen und eine Bildpunktelektrodenschicht sequenziell auf einem Substrat ausgebildet; wobei die Bildpunktelektrodenschicht eine Vielzahl von Bildpunktelektroden, die voneinander beabstandet und in einer Matrix angeordnet sind, aufweist und in der gleichen Schicht wie die Berührungssignalleitungen angeordnet und von den Berührungssignalleitungen elektrisch isoliert ist, so dass die Anzahl von Masken in dem Prozess von In-Cell-Berührungstafeln verringert ist und das Layout der Filmschichten optimiert ist, wodurch die Kosten verringert sind.
Während vielfältige Ausführungsformen offenbart sind, werden dem Fachmann auf dem Gebiet aus der nachstehenden ausführlichen Beschreibung, welche veranschaulichende Ausführungsformen der Erfindung zeigt und beschreibt, noch andere Ausführungsformen ersichtlich werden. Demgemäß sind die Zeichnungen und die ausführliche Beschreibung ihrer Natur nach als veranschaulichend und nicht als einschränkend anzunehmen.
Kurze Beschreibung der Zeichnungen
1 ist ein schematisches Flussdiagramm eines Herstellungsverfahrens für ein Matrixsubstrat gemäß Ausführungsformen der Erfindung;
2 ist eine schematische Ansicht, welche einen Querschnittsaufbau eines Matrixsubstrats gemäß Ausführungsformen der Erfindung zeigt;
3 ist ein schematisches Flussdiagramm eines anderen Herstellungsverfahrens für ein Matrixsubstrat gemäß Ausführungsformen der Erfindung;
4A bis 4F sind schematische Ansichten von Querschnittsstrukturen entsprechend den jeweiligen Schritten in 3 gemäß Ausführungsformen der Erfindung;
5 ist ein schematisches Flussdiagramm eines anderen Herstellungsverfahrens für ein Matrixsubstrat gemäß Ausführungsformen der Erfindung;
6A bis 6E sind schematische Ansichten, welche die Querschnittsstrukturen entsprechend den jeweiligen Schritten in 5 gemäß Ausführungsformen der Erfindung zeigen;
7 ist eine schematische Draufsicht einer vorbereiteten Bildpunktelektrodenschicht gemäß Ausführungsformen der Erfindung;
8 ist eine schematische Ansicht, welche eine Querschnittsstruktur eines Dünnfilmtransistors eines Matrixsubstrats gemäß Ausführungsformen der Erfindung zeigt;
9 ist eine schematische Ansicht, welche eine andere Querschnittsstruktur eines Dünnfilmtransistors eines Matrixsubstrats gemäß Ausführungsformen der Erfindung zeigt;
10 ist eine schematische Ansicht, welche eine Anordnung von gemeinsamen Elektrodenblöcken gemäß Ausführungsformen der Erfindung zeigt;
11 ist eine schematische Ansicht, welche eine andere Anordnung von gemeinsamen Elektrodenblöcken gemäß Ausführungsformen der Erfindung zeigt;
12 ist eine schematische Ansicht, welche den Aufbau einer Anzeigetafel gemäß Ausführungsformen der Erfindung zeigt; und
13 ist eine schematische Ansicht, welche den Aufbau einer Anzeigevorrichtung gemäß Ausführungsformen der Erfindung zeigt.
Während die Erfindung vielfältigen Abwandlungen und alternativen Formen zugänglich ist, sind spezifische Ausführungsformen beispielhaft in den Zeichnungen gezeigt und nachstehend im Einzelnen beschrieben worden. Es besteht jedoch nicht die Absicht, die Erfindung auf die speziellen beschriebenen Ausführungsformen zu beschränken. Im Gegenteil soll die Erfindung alle Abwandlungen, Äquivalente und Alternativen, die unter den Umfang der Erfindung, wie sie durch die beigefügten Ansprüche definiert ist, fallen, abdecken.
Ausführliche Beschreibung
Die Erfindung wird nachstehend im Zusammenhang mit den begleitenden Zeichnungen und Ausführungsformen in weiteren Einzelheiten beschrieben werden. Es kann verstanden werden, dass die hier beschriebenen Ausführungsformen der Erläuterung der Erfindung, aber nicht der Beschränkung der Erfindung dienen. Ebenso zeigen die Zeichnungen zur Vereinfachung der Beschreibung nur Teile, die für die Erfindung maßgeblich sind, nicht jedoch die Gesamtheit der Erfindung.
1 ist ein schematisches Flussdiagramm eines Herstellungsverfahrens für ein Matrixsubstrat gemäß Ausführungsformen der Erfindung, und das Herstellungsverfahren weist die nachstehenden Schritte 110 und 120 auf.
Schritt 110 weist ein sequenzielles Ausbilden einer Vielzahl von Dünnfilmtransistoren (TFTs) und einer ersten Passivierungsschicht auf einem Substrat auf, wobei die Vielzahl von TFTs voneinander beabstandet und in einer Matrix angeordnet sind.
Das Substrat kann aus Glas oder einem transparenten Kunststoff usw. hergestellt sein, jeder der Vielzahl von TFTs wird als ein Schaltelement in einem der Bildpunkte in dem Matrixsubstrat verwendet, und die erste Passivierungsschicht, die aus einem Isolationsmaterial hergestellt ist, ist konfiguriert, um die TFTs von individuellen leitfähigen Filmschichten oberhalb der TFTs elektrisch zu isolieren.
Schritt 120 weist ein sequenzielles Ausbilden einer Vielzahl von Berührungssignalleitungen und einer Bildpunktelektrodenschicht auf der ersten Passivierungsschicht auf.
Die Bildpunktelektrodenschicht weist eine Vielzahl von Bildpunktelektroden, die voneinander beabstandet und in einer Matrix angeordnet sind, auf und ist in der gleichen Schicht wie die Berührungssignalleitungen angeordnet und von den Berührungssignalleitungen elektrisch isoliert.
Als solches werden in Ausführungsformen der Erfindung die Vielzahl von Berührungssignalleitungen und die Bildpunktelektrodenschicht sequenziell auf der ersten Passivierungsschicht ausgebildet und wird die Bildpunktelektrodenschicht in der gleichen Schicht wie die Berührungssignalleitungen angeordnet und von den Berührungssignalleitungen elektrisch isoliert, so dass die Anzahl von Filmschichten in dem Matrixsubstrat verringert ist, was die Dicke des Matrixsubstrats verringert.
Die Erfindung stellt auch ein Matrixsubstrat bereit. 2 ist eine schematische Ansicht, welche den Querschnittsaufbau eines Matrixsubstrats gemäß Ausführungsformen der Erfindung zeigt. Wie in 2 gezeigt, weist das Matrixsubstrat auf: ein Substrat 11, eine Vielzahl von TFTs 12 (von welchen nur einer beispielhaft gezeigt ist), die voneinander beabstandet und in einer Matrix auf dem Substrat 11 angeordnet sind, eine erste Passivierungsschicht 13 auf der Vielzahl von TFTs 12, und eine Vielzahl von Berührungssignalleitungen 14 und eine Bildpunktelektrodenschicht 15 auf der ersten Passivierungsschicht 13, wobei die Bildpunktelektrodenschicht 15 eine Vielzahl von Bildpunktelektroden 151, die voneinander beabstandet und in einer Matrix angeordnet sind, aufweist und in der gleichen Schicht wie die Berührungssignalleitungen 14 angeordnet und von den Berührungssignalleitungen 14 elektrisch isoliert ist.
Es sollte erwähnt werden, dass zur Vereinfachung der Beschreibung anstelle aller Strukturen und Herstellungsschritte des Matrixsubstrats nur Teilstrukturen und die relevanten Herstellungsverfahren, die in die Ausführungsformen der Erfindung einbezogen sind, gezeigt sind; solange die Vielzahl von TFTs 12 voneinander beabstandet und in einer Matrix angeordnet sind bzw. werden, die erste Passivierungsschicht 13, die Vielzahl von Berührungssignalleitungen 14 und die Bildpunktelektrodenschicht 15 sequenziell auf dem Substrat angeordnet sind bzw. werden und die Bildpunktelektrodenschicht 15 in der gleichen Schicht wie die Berührungssignalleitungen 14 angeordnet und von den Berührungssignalleitungen 14 elektrisch isoliert ist bzw. wird. In anderen Ausführungsformen ist eine Vielzahl von Herstellungsverfahren für das Matrixsubstrat möglich und können die individuellen Filmschichten des Matrixsubstrats in vielfältiger Weise angeordnet sein bzw. werden. Beispielsweise können die gemeinsamen Elektrodenblöcke zur Berührungssensierung in dem Matrixsubstrat in einem unterschiedlichen Herstellungsschritt ausgebildet werden und können an unterschiedlichen Positionen angeordnet werden. Ausführungsformen werden wie folgt im Einzelnen beschrieben werden.
3 ist ein schematisches Flussdiagramm eines anderen Herstellungsverfahrens für ein Matrixsubstrat gemäß Ausführungsformen der Erfindung. 4A bis 4F sind schematische Ansichten von Querschnittsstrukturen entsprechend den jeweiligen Schritten in 3. Wie in 3 und 4A bis 4F gezeigt, weist ein Herstellungsverfahren für ein Matrixsubstrat nachstehende Schritte 210 bis 260 auf.
Schritt 210 weist ein sequenzielles Ausbilden einer Vielzahl von TFTs und einer ersten Passivierungsschicht auf einem Substrat auf, wobei die Vielzahl von TFTs voneinander beabstandet und in einer Matrix angeordnet sind bzw. werden.
Wie in 4A gezeigt, ist eine Vielzahl von TFTs 22 (von denen nur einer beispielhaft gezeigt ist), die voneinander beabstandet und in einer Matrix angeordnet sind, und eine erste Passivierungsschicht 23 sequenziell auf einem Substrat 21 ausgebildet.
Schritt 220 weist ein Ausbilden von ersten Durchgangslöchern, die jeweils konfiguriert sind, um eine Bildpunktelektrode mit einer Drain-Elektrode des TFTs elektrisch zu verbinden, in der ersten Passivierungsschicht auf.
Wie in 4B gezeigt, ist ein erstes Durchgangsloch 231 in der ersten Passivierungsschicht 23 ausgebildet, um eine Source-Elektrode oder eine Drain-Elektrode des TFT 22 freizulegen, so dass einer anschließend ausgebildeten Bildpunktelektrode ermöglicht ist, mit der Source-Elektrode oder der Drain-Elektrode des TFT 22 elektrisch verbunden zu sein bzw. zu werden.
Schritt 230 weist ein sequenzielles Ausbilden einer Vielzahl von Berührungssignalleitungen und einer Bildpunktelektrodenschicht auf der ersten Passivierungsschicht auf.
Die Bildpunktelektrodenschicht weist eine Vielzahl von Bildpunktelektroden, die voneinander beabstandet und in einer Matrix angeordnet sind, auf und ist in der gleichen Schicht wie die Berührungssignalleitungen angeordnet und von den Berührungssignalleitungen elektrisch isoliert.
Wie in 4C gezeigt, ist eine Vielzahl von Berührungssignalleitungen 24 und eine Bildpunktelektrodenschicht 25 auf der ersten Passivierungsschicht 23 sequenziell ausgebildet und weist die Bildpunktelektrodenschicht 25 eine Vielzahl von Bildpunktelektroden 251, die voneinander beabstandet und in einer Matrix angeordnet sind, auf und ist in der gleichen Schicht wie die Berührungssignalleitungen 24 angeordnet und von den Berührungssignalleitungen 24 elektrisch isoliert. Jede der Bildpunktelektroden 251 ist über das erste Durchgangsloch 231 mit einer Drain-Elektrode des TFT 22 verbunden.
Schritt 240 weist ein Ausbilden einer zweiten Passivierungsschicht auf der Vielzahl von Berührungssignalleitungen und der Vielzahl von Bildpunktelektroden auf.
Wie in 4D gezeigt, ist eine zweite Passivierungsschicht 26 auf den Berührungssignalleitungen 24 und den Bildpunktelektroden 251 ausgebildet.
Schritt 250 weist ein Ausbilden zweiter Durchgangslöcher in der zweiten Passivierungsschicht auf.
Wie in 6E gezeigt, ist ein zweites Durchgangsloch 261 in einer zweiten Passivierungsschicht 26 ausgebildet.
Die Berührungssignalleitung 24 ist durch das zweite Durchgangsloch 261 freigelegt, um einer gemeinsamen Elektrodenschicht, die anschließend ausgebildet wird, zu ermöglichen, mit der Berührungssignalleitung 24 elektrisch verbunden zu sein bzw. zu werden.
Schritt 260 weist ein Ausbilden einer Vielzahl von gemeinsamen Elektrodenblöcken, die voneinander beabstandet und in einer Matrix angeordnet sind, auf der zweiten Passivierungsschicht auf, wobei jede der Vielzahl von Berührungssignalleitungen mit einem entsprechenden der Vielzahl von gemeinsamen Elektrodenblöcken über das zweite Durchgangsloch elektrisch verbunden ist und von den verbleibenden gemeinsamen Elektrodenblöcken isoliert ist.
Wie in 4F gezeigt, ist eine Vielzahl von gemeinsamen Elektrodenblöcken 27 (von welchen nur einer beispielhaft gezeigt ist), die voneinander beabstandet und in einer Matrix angeordnet sind, auf der zweiten Passivierungsschicht 26 ausgebildet, so dass jede der Vielzahl von Berührungssignalleitungen 24 über das zweite Durchgangsloch 261 mit einem entsprechenden der Vielzahl von gemeinsamen Elektrodenblöcken 27 elektrisch verbunden ist und von den verbleibenden gemeinsamen Elektrodenblöcken 27 isoliert ist. Als solches ermöglicht die Verbindung jeder der Berührungssignalleitungen 24 mit einem entsprechenden der gemeinsamen Elektrodenblöcke 27 eine Bestimmung einer Position einer Benutzerberührung. Hierbei entspricht jeder gemeinsame Elektrodenblock 27 einem oder mehreren Bildpunkten und hängt eine Berührungssensierungsauflösung von der Anzahl der gemeinsamen Elektrodenblöcke 27 ab.
Auf der Grundlage vorstehend erwähnter Ausführungsformen weist das Verfahren beim Ausbilden der Vielzahl von voneinander beabstandeten und in einer Matrix angeordneten TFTs 22 auf dem Substrat 21 ferner auf: Ausbilden einer Vielzahl von Datenleitungen und einer Vielzahl von Abtastleitungen auf dem Substrat 21, wobei Orthogonalprojektionen der Berührungssignalleitungen 24 auf das Substrat 21 innerhalb von Orthogonalprojektionen der Datenleitungen oder der Abtastleitungen auf das Substrat 21 angeordnet sind, so dass das Öffnungsverhältnis der Bildpunkte des Matrixsubstrats durch die Berührungssignalleitungen 24 nicht beeinträchtigt wird.
Die Dicke der ersten Passivierungsschicht 23 befindet sich in einem Bereich von 3000 Å bis 35000 Å, so dass die zwischen den Berührungssignalleitungen 24 und den Datenleitungen wie auch zwischen den Berührungssignalleitungen 24 und den Abtastleitungen erzeugte parasitäre Kapazität verringert werden kann, was die Berührungssensierungsleistung verbessert.
Ferner befindet sich die Dicke der zweiten Passivierungsschicht 26 in einem Bereich von 1000 Å bis 5000 Å, so dass die zwischen dem gemeinsamen Elektrodenblock 27 und der Bildpunktelektrode 251 erzeugte Speicherkapazität erhöht werden kann und das elektrische Feld zwischen dem gemeinsamen Elektrodenblock 27 und der Bildpunktelektrode 251 verstärkt werden kann, was die Fähigkeit zum Ansteuern von Flüssigkristallmolekülen verbessert, was die Anzeigeleistung verbessert und den Energieverbrauch verringert.
Optional ist wenigstens eine der ersten und der zweiten Passivierungsschicht 23 und 26 aus wenigstens einem von SiNx und SiOx hergestellt.
Entsprechend dem in 3 gezeigten Herstellungsverfahren für ein Matrixsubstrat stellen Ausführungsformen der Erfindung auch ein Matrixsubstrat bereit. Wie in 4F, welche eine schematische Ansicht eines Querschnittsaufbaus des Matrixsubstrats ist, gezeigt, weist das Matrixsubstrat auf: ein Substrat 21; eine Vielzahl von TFTs 22, die voneinander beabstandet und in einer Matrix angeordnet sind, auf dem Substrat 21; eine erste Passivierungsschicht 23 auf der Vielzahl von TFTs 22; eine Vielzahl von Berührungssignalleitungen 24 und eine Bildpunktelektrodenschicht 25 auf der ersten Passivierungsschicht 23, wobei die Bildpunktelektrode 25 eine Vielzahl von Bildpunktelektroden 251, die voneinander beabstandet und in einer Matrix angeordnet sind, aufweist; eine zweite Passivierungsschicht 26 auf der Vielzahl von Berührungssignalleitungen 24 und den Bildpunktelektroden 251; und eine Vielzahl von gemeinsamen Elektrodenblöcken 27, die voneinander beabstandet und in einer Matrix angeordnet sind, auf der zweiten Passivierungsschicht 26. Die Bildpunktelektrodenschicht 25 ist in der gleichen Schicht wie die Berührungssignalleitungen 24 angeordnet und von den Berührungssignalleitungen 24 elektrisch isoliert. In der ersten Passivierungsschicht 23 sind erste Durchgangslöcher 231 ausgebildet, so dass jeder der Bildpunktelektroden 251 ermöglicht ist, mit einer Drain-Elektrode eines entsprechenden der TFTs 22 elektrisch verbunden zu sein. In der zweiten Passivierungsschicht 26 sind zweite Durchgangslöcher 261 ausgebildet, so dass jede der Berührungssignalleitungen 24 über die zweiten Durchgangslöcher 261 mit einem entsprechenden der gemeinsamen Elektrodenblöcke 27 elektrisch verbunden ist und von den verbleibenden gemeinsamen Elektrodenblöcken 27 isoliert ist.
Bei dem Matrixsubstrat und dem Herstellungsverfahren hiervon gemäß Ausführungsformen der Erfindung sind die gemeinsamen Elektrodenblöcke 27 als Berührungselektroden betreibbar, so dass die gesamte Dicke des Matrixsubstrat verringert ist, ein zusätzlicher Ätzprozess für die Berührungselektroden entfällt und eine separate Maske für die Berührungselektroden beseitigt ist, wodurch Kosten und die erforderlichen Masken verringert werden und die Produktivität erhöht wird. Darüber hinaus sind bzw. werden die Vielzahl von Berührungssignalleitungen 24 und die Bildpunktelektrode 25 sequenziell auf der ersten Passivierungsschicht 23 ausgebildet, ist bzw. wird die Bildpunktelektrode 25 in der gleichen Schicht wie die Berührungssignalleitungen 24 angeordnet und von den Berührungssignalleitungen 24 elektrisch isoliert, ist bzw. wird die erste Passivierungsschicht 23 zwischen der Vielzahl von Berührungssignalleitungen 24 und der Vielzahl von TFTs 22 angeordnet und ist bzw. wird die zweite Passivierungsschicht 26 zwischen der Bildpunktelektrodenschicht 25 und der Vielzahl von gemeinsamen Elektrodenblöcken 27 angeordnet, daher kann durch Einstellen der Dicken der ersten Passivierungsschicht 23 und/oder der zweiten Passivierungsschicht 26 der Abstand zwischen den Berührungssignalleitungen 24 und den TFTs 22 und/oder der Abstand zwischen der Bildpunktelektrode 25 und den gemeinsamen Elektrodenblöcken 27 variiert werden. Daher ist der Abstand zwischen den Berührungssignalleitungen 24 und den TFTs 22 unabhängig von dem Abstand zwischen der Bildpunktelektrodenschicht 25 und den gemeinsamen Elektrodenblöcken 27. Eine Abnahme in der Dicke der zweiten Passivierungsschicht 26 erhöht die Speicherkapazität zwischen der Bildpunktelektrodenschicht 25 und den gemeinsamen Elektrodenblöcken 27, und eine Erhöhung in der Dicke der ersten Passivierungsschicht 23 verringert die Koppelkapazität zwischen den Berührungssignalleitungen 24 und den Datenleitungen, die mit den TFTs 22 verbunden sind.
5 ist ein schematisches Flussdiagramm eines anderen Herstellungsverfahrens für ein Matrixsubstrat gemäß Ausführungsformen der Erfindung. 6A bis 6E sind schematische Ansichten, welche die Querschnittsstrukturen entsprechend den jeweiligen Schritten in 5 zeigen. Wie in 5 und 6A bis 6E gezeigt, weist das Herstellungsverfahren für ein Matrixsubstrat nachstehende Schritte 310 bis 350 auf.
Schritt 310 weist ein sequenzielles Ausbilden einer Vielzahl von TFTs und einer ersten Passivierungsschicht auf einem Substrat auf, wobei die Vielzahl von TFTs voneinander beabstandet und in einer Matrix angeordnet sind bzw. werden.
Wie in 6A gezeigt, sind eine Vielzahl von TFTs 32, die voneinander beabstandet und in einer Matrix angeordnet sind, und eine erste Passivierungsschicht 33 sequenziell auf einem Substrat 31 ausgebildet.
Schritt 320 weist ein Ausbilden einer Vielzahl von gemeinsamen Elektrodenblöcken, die voneinander beabstandet und in einer Matrix angeordnet sind, auf der ersten Passivierungsschicht auf.
Wie in 6B gezeigt, sind eine Vielzahl von gemeinsamen Elektrodenblöcken 34, die voneinander beabstandet und in einer Matrix angeordnet sind, auf der ersten Passivierungsschicht 33 ausgebildet. Die gemeinsamen Elektrodenblöcke 24 sind als Berührungselektroden betreibbar, d. h., wenn das Matrixsubstrat in einem Anzeigezustand arbeitet, sind die gemeinsamen Elektrodenblöcke 34 konfiguriert, um eine gemeinsame Spannung bereitzustellen; und wenn das Matrixsubstrat in einem Berührungssensierungszustand arbeitet, arbeiten die gemeinsamen Elektrodenblöcke 34 als Berührungselektroden.
Schritt 330 weist ein Ausbilden einer zweiten Passivierungsschicht auf den gemeinsamen Elektrodenblöcken 34 auf.
Wie in 6C gezeigt, ist eine zweite Passivierungsschicht 35 auf den gemeinsamen Elektrodenblöcken 34 ausgebildet.
Schritt 340 weist ein simultanes Ausbilden dritter Durchgangslöcher und vierter Durchgangslöcher mit einer Tiefe, die sich von einer Tiefe der dritten Durchgangslöcher unterscheidet, auf.
Wie in 6D gezeigt, sind ein drittes Durchgangsloch 36 und ein viertes Durchgangsloch 37 mit unterschiedlichen Tiefen gleichzeitig ausgebildet. Beispielsweise werden das dritte Durchgangsloch 36 und das vierte Durchgangsloch 37 mit unterschiedlichen Tiefen zur gleichen Zeit gemäß Ätzselektivität ausgebildet. Da die gemeinsamen Elektrodenblöcke 34 zwischen der ersten Passivierungsschicht 33 und der zweiten Passivierungsschicht 35 angeordnet sind, ist die Tiefe des dritten Durchgangslochs 36 geringer als diejenige des vierten Durchgangslochs 37. Für den Ätzprozess werden Belichtungsmuster für die dritten Durchgangslöcher 36 und die vierten Durchgangslöcher 37 unter Verwendung eines Einmalbelichtungsmaskenprozesses ausgebildet und werden für das simultane Ätzen verwendet, um die dritten Durchgangslöcher 36 und die vierten Durchgangslöcher 37 auszubilden. Der gemeinsame Elektrodenblock 34 ist im Allgemeinen aus einem transparenten leitfähigen Werkstoff, wie etwa Zinn-Indium-Oxid, hergestellt. Während des Ätzprozesses wird, wenn die zweite Passivierungsschicht 35 durchgeätzt wird, das dritte Durchgangsloch 36 ausgebildet; anschließend kann der Werkstoff des gemeinsamen Elektrodenblocks 34 unterhalb der zweiten Passivierungsschicht 35 durch das Ätzgas nur mit einer geringen Rate geätzt werden, setzt aber das Ätzgas das Ätzen der ersten Passivierungsschicht 33 fort, um schließlich das vierte Durchgangsloch 37 auszubilden, und zu dieser Zeit wird der Ätzprozess beendet.
Schritt 350 weist ein sequenzielles Ausbilden einer Vielzahl von Berührungssignalleitungen und einer Bildpunktelektrode auf.
Wie in 6E gezeigt, sind eine Vielzahl von Berührungssignalleitungen 38 und eine Bildpunktelektrodenschicht 39 auf der zweiten Passivierungsschicht 35 sequenziell ausgebildet. Die Bildpunktelektrodenschicht 39 weist eine Vielzahl von Bildpunktelektroden 391, die voneinander beabstandet und in einer Matrix angeordnet sind, auf und ist in der gleichen Schicht wie die Berührungssignalleitungen 38 angeordnet und von den Berührungssignalleitungen 38 elektrisch isoliert; ferner erstreckt sich das dritte Durchgangsloch 36 durch die zweite Passivierungsschicht 35 hindurch, so dass jede Berührungssignalleitung 38 mit einem entsprechenden der gemeinsamen Elektrodenblöcke durch das dritte Durchgangsloch 36 hindurch elektrisch verbunden sein und von dem verbleibenden gemeinsamen Elektrodenblöcken isoliert sein kann; während das vierte Durchgangsloch 37 sich durch die erste Passivierungsschicht 33 und die zweite Passivierungsschicht 35 hindurch erstreckt, um eine elektrische Verbindung jeder Bildpunktelektrode 391 mit einer Drain-Elektrode oder Source-Elektrode des entsprechenden TFT 32 zu ermöglichen.
Auf der Grundlage vorstehend erwähnter Ausführungsformen weist das Verfahren beim Ausbilden der Vielzahl von voneinander beabstandeten und in einer Matrix angeordneten TFTs 32 auf dem Substrat 31 ferner auf: Ausbilden einer Vielzahl von Datenleitungen und einer Vielzahl von Abtastleitungen auf dem Substrat 31, wobei Orthogonalprojektionen der Berührungssignalleitungen 38 auf das Substrat 31 innerhalb von Orthogonalprojektionen der Datenleitungen oder der Abtastleitungen auf das Substrat 31 angeordnet sind, so dass das Öffnungsverhältnis der Bildpunkte des Matrixsubstrats durch die Berührungssignalleitungen 38 nicht beeinträchtigt wird.
Die Dicke der ersten Passivierungsschicht 33 befindet sich in einem Bereich von 3000 Å bis 35000 Å, so dass die zwischen den gemeinsamen Elektrodenblöcken 34 und den Datenleitungen wie auch zwischen den gemeinsamen Elektrodenblöcken 34 und den Abtastleitungen erzeugte parasitäre Kapazität verringert werden kann, wodurch der Energieverbrauch verringert und die Berührungssensierungsleistung verbessert werden kann.
Ferner befindet sich die Dicke der zweiten Passivierungsschicht 35 in einem Bereich von 1000 Å bis 5000 Å, so dass die zwischen dem gemeinsamen Elektrodenblock 34 und der Bildpunktelektrode 391 erzeugte Speicherkapazität erhöht werden kann und das elektrische Feld zwischen dem gemeinsamen Elektrodenblock 34 und der Bildpunktelektrode 391 verstärkt werden kann, wodurch die Fähigkeit zum Ansteuern von Flüssigkristallmolekülen verbessert wird, was die Anzeigeleistung verbessert und den Energieverbrauch verringert.
Optional kann wenigstens eine der ersten und der zweiten Passivierungsschicht 33 und 35 aus wenigstens einem von SiNx und SiOx hergestellt sein.
Entsprechend dem in 5 gezeigten Herstellungsverfahren für ein Matrixsubstrat stellen Ausführungsformen der Erfindung ein anderes Matrixsubstrat bereit. Wie in 6E, welche eine schematische Ansicht eines Querschnittsaufbaus des Matrixsubstrats ist, gezeigt, weist das Matrixsubstrat auf: ein Substrat 31; eine Vielzahl von TFTs 32, die voneinander beabstandet und in einer Matrix angeordnet sind, auf dem Substrat 31; eine erste Passivierungsschicht 33 auf den TFTs 32; eine Vielzahl von gemeinsamen Elektrodenblöcken 34, die voneinander beabstandet und in einer Matrix angeordnet sind, auf der ersten Passivierungsschicht 33; eine zweite Passivierungsschicht 35 auf den gemeinsamen Elektrodenblöcken 34; und eine Vielzahl von Berührungssignalleitungen 38 und eine Bildpunktelektrodenschicht 39 auf der zweiten Passivierungsschicht 35. Die Bildpunktelektrodenschicht 39 weist eine Vielzahl von Bildpunktelektroden 391, die voneinander beabstandet und in einer Matrix angeordnet sind, auf und ist in der gleichen Schicht wie die Berührungssignalleitungen 38 angeordnet und von den Berührungssignalleitungen 38 elektrisch isoliert; ferner erstreckt sich das dritte Durchgangsloch 36 durch die zweite Passivierungsschicht 35 hindurch, so dass jede Berührungssignalleitung 38 mit einem entsprechenden der gemeinsamen Elektrodenblöcke 34 elektrisch verbunden sein und von den verbleibenden gemeinsamen Elektrodenblöcken 34 isoliert sein kann; und das vierte Durchgangsloch 37 erstreckt sich durch die erste Passivierungsschicht 33 und die zweite Passivierungsschicht 35 hindurch, um eine elektrische Verbindung jeder Bildpunktelektrode 391 mit einer Drain-Elektrode des entsprechenden TFT 32 zu ermöglichen. Das dritte Durchgangsloch 36 und das vierte Durchgangsloch 37 weisen unterschiedliche Tiefen auf und sind in dem gleichen einen Prozess gleichzeitig ausgebildet.
Bei dem Matrixsubstrat und dem Herstellungsverfahren hiervon gemäß Ausführungsformen der Erfindung sind bzw. werden die Bildpunktelektrode 39 und die Berührungssignalleitungen 38 in der gleichen Schicht angeordnet, ist bzw. wird die Bildpunktelektrode 39 oberhalb des gemeinsamen Elektrodenblocks 34 angeordnet und sind bzw. werden das dritte Durchgangsloch und das vierte Durchgangsloch mit unterschiedlichen Tiefen gleichzeitig ausgebildet, um jeder Berührungssignalleitung 38 zu ermöglichen, mit einem entsprechenden der gemeinsamen Elektrodenblöcke 34 elektrisch verbunden und von den verbleibenden gemeinsamen Elektrodenblöcken 34 isoliert zu sein, und jeder Bildpunktelektrode zu ermöglichen, mit einer Drain-Elektrode oder Source-Elektrode des entsprechenden TFT 32 elektrisch verbunden zu sein, wodurch der Herstellungsprozess reduziert und Kosten verringert werden.
Auf der Grundlage vorstehend erwähnter Ausführungsformen kann die Bildpunktelektrodenschicht ferner aufweisen: eine Vielzahl von Schutzleitungen 482, die voneinander isoliert sind, wobei jede der Vielzahl von Schutzleitungen 482 konfiguriert ist, um mit einem Ausgabeanschluss einer der Vielzahl von Berührungssignalleitungen zu überlappen. 7 ist eine schematische Draufsicht einer vorbereiteten Bildpunktelektrodenschicht gemäß Ausführungsformen der Erfindung. Wie in 7 gezeigt, weist die Bildpunktelektrodenschicht eine Vielzahl von Bildpunktelektroden 481, die voneinander beabstandet und in einer Matrix angeordnet sind, und eine Vielzahl von Schutzleitungen 482, die voneinander isoliert sind, auf und bedeckt jede der Vielzahl von Schutzleitungen 482 einen Ausgabeanschluss einer der Vielzahl von Berührungssignalleitungen 47. Bei Ausbildung der Bildpunktelektrodenschicht auf der ersten Passivierungsschicht werden die Vielzahl von Bildpunktelektroden 481, die voneinander beabstandet und in einer Matrix angeordnet sind, und die Vielzahl von Schutzleitungen 482, die voneinander isoliert sind, ausgebildet. Als solches können die Vielzahl von Schutzleitungen 482 und die Vielzahl von Bildpunktelektroden 481 in dem gleichen einen Prozess ausgebildet werden. Der Grund für eine solche Anordnung ist, dass: da die Bildpunktelektrodenschicht nach der Vielzahl von Berührungssignalleitungen 47 ausgebildet werden kann, können die Vielzahl von Bildpunktelektroden 481, die voneinander beabstandet und in einer Matrix angeordnet sind, und die Vielzahl von Schutzleitungen 482, die voneinander isoliert sind, in dem Prozess zum Ausbilden der Bildpunktelektrodenschicht gleichzeitig hergestellt werden. Hierbei überlappt jede der Schutzleitungen 482 einen Ausgabeanschluss einer der Berührungssignalleitungen 47 und ist der Ausgabeanschluss jeder Berührungssignalleitung 47 mit einem Ansteuerungschip für die Übertragung eines Berührungssignals verbunden. In den anschließenden Prozessen zum Vorbereiten der Anzeigetafel wird ein Farbfiltersubstrat, welches eine geringere Größe als diejenige des Matrixsubstrats aufweist, auf dem Matrixsubstrat angeordnet, somit werden Ausgabeanschlüsse der Berührungssignalleitungen 47 in dem Matrixsubstrat, die mit dem Ansteuerungschip verbunden sind, der Umgebung ausgesetzt und können daher wahrscheinlich in den anschließenden Herstellungs-, Prüfungs- und Transportprozessen verkratzt werden. Daher wird die Vielzahl von Berührungssignalleitungen 47 ausgebildet, bevor die Bildpunktelektrodenschicht ausgebildet wird, weist die Bildpunktelektrodenschicht eine Vielzahl von Bildpunktelektroden 481, die voneinander beabstandet und in einer Matrix angeordnet sind, und eine Vielzahl von Schutzleitungen 482, die voneinander isoliert sind, auf und überlappt jede der Vielzahl von Schutzleitungen 482 einen Ausgabeanschluss einer der Vielzahl von Berührungssignalleitungen 47, so dass die Berührungssignalleitungen 47 in den anschließenden Herstellungs-, Prüfungs- und Transportprozessen gegen Verkratzen geschützt sind.
In vorstehend erwähnten Ausführungsformen kann der TFT des Matrixsubstrats in einer Implementierung eine Bottom-Gate-Struktur aufweisen, und demgemäß weist ein Ausbilden einer Vielzahl von TFTs, die voneinander beabstandet und in einer Matrix angeordnet sind, auf dem Substrat auf:
sequenzielles Ausbilden einer Gate-Elektrode, einer Gate-Isolationsschicht, einer Halbleiterschicht, einer Source-Elektrode und einer Drain-Elektrode jedes TFT auf dem Substrat.
8 ist eine schematische Ansicht, welche den Querschnittsaufbau eines TFT eines Matrixsubstrats gemäß Ausführungsformen der Erfindung zeigt. Wie in 8 gezeigt, weist der TFT auf dem Matrixsubstrat eine Bottom-Gate-Struktur auf und weist sequenziell von unten nach oben eine Gate-Elektrode 52, eine Gate-Isolationsschicht 53, eine Halbleiterschicht 54, eine Source-Elektrode 55 und eine Drain-Elektrode 56 auf dem Substrat 51 auf.
In anderen Ausführungsformen kann der TFT des Matrixsubstrats eine Top-Gate-Struktur aufweisen, und demgemäß weist ein Ausbilden einer Vielzahl von TFTs, die voneinander beabstandet und in einer Matrix angeordnet sind, auf dem Substrat auf: sequenzielles Ausbilden einer Halbleiterschicht, einer Source-Elektrode, einer Drain-Elektrode, einer Gate-Isolationsschicht und einer Gate-Elektrode jedes TFT auf dem Substrat.
9 ist eine schematische Ansicht, welche den Querschnittsaufbau eines anderen TFT eines Matrixsubstrats gemäß Ausführungsformen der Erfindung zeigt. Wie in 9 gezeigt, weist der TFT des Matrixsubstrats eine Top-Gate-Struktur auf und weist von unten nach oben eine Halbleiterschicht 62, eine Source-Elektrode 63, eine Drain-Elektrode 64, eine Gate-Isolationsschicht 65 und eine Gate-Elektrode 66 auf dem Substrat 61 auf.
Die Anordnung der Vielzahl von gemeinsamen Elektrodenblöcken, die voneinander beabstandet und in einer Matrix angeordnet sind, wird nachstehend beschrieben.
10 ist eine schematische Ansicht, welche eine Anordnung von gemeinsamen Elektrodenblöcken gemäß Ausführungsformen der Erfindung zeigt. Wie in 10 gezeigt, ist die Orthogonalprojektion eines Spalts zwischen zwei benachbarten gemeinsamen Elektrodenblöcken 101 auf das Substrat in der Orthogonalprojektion eines Spalts zwischen zwei benachbarten Bildpunktelektroden 102 auf das Substrat angeordnet. In einigen Ausführungsformen ist die Orthogonalprojektion der Berührungssignalleitung 103 auf das Substrat so angeordnet, dass sie den Spalt zwischen den zwei benachbarten gemeinsamen Elektrodenblöcken 101 abdeckt. Als solches kann ein Lichtleckphänomen, das durch eine Spannungsdifferenz zwischen der an dem Spalt zwischen zwei benachbarten Bildpunktelektroden angeordneten Datenleitung und den Bildpunktelektroden hervorgerufen wird, vermieden werden.
11 ist eine schematische Ansicht, welche eine andere Anordnung von gemeinsamen Elektrodenblöcken gemäß Ausführungsformen der Erfindung zeigt. Wie in 11 gezeigt, ist die Orthogonalprojektion eines Spalts zwischen zwei benachbarten gemeinsamen Elektrodenblöcken 111 auf das Substrat in der Orthogonalprojektion der entsprechenden Bildpunktelektrode 112 auf das Substrat angeordnet. Als solches kann das Lichtleckphänomen vermieden werden, da die Datenleitung, die zwischen zwei benachbarten Bildpunktelektroden 112 angeordnet ist, durch den vorstehenden gemeinsamen Elektrodenblock 111 abgeschirmt wird.
Ausführungsformen der Erfindung können auch eine Anzeigetafel bereitstellen. 12 ist eine schematische Ansicht, welche den Aufbau einer Anzeigetafel gemäß Ausführungsformen der Erfindung zeigt. Wie in 12 gezeigt, weist die Anzeigetafel ein Matrixsubstrat 121, ein Farbfiltersubstrat 122 gegenüber dem Matrixsubstrat 121 und eine Anzeigemediumsschicht 123 zwischen dem Matrixsubstrat 121 und dem Farbfiltersubstrat 122 auf. Das Matrixsubstrat 121 kann eines sein, das in den vorstehenden Ausführungsformen beschrieben wurde. Da die Anzeigetafel das in den vorstehenden Ausführungsformen beschriebene Matrixsubstrat aufnimmt, weist die Anzeigetafel den gleichen Vorteil wie denjenigen des Matrixsubstrats auf.
Ausführungsformen der Erfindung stellen auch eine Anzeigevorrichtung bereit. 13 ist eine schematische Ansicht, welche den Aufbau einer Anzeigevorrichtung gemäß Ausführungsformen der Erfindung zeigt. Wie in 13 gezeigt, weist die Anzeigevorrichtung auf: einen Ansteuerungschip 131 und eine Anzeigetafel 132, und weist ferner andere Teile zum Unterstützen der normalen Betriebsvorgänge der Anzeigetafel auf. Die Anzeigetafel kann eine sein, die in den vorstehenden Ausführungsformen beschrieben wurde. Der Ansteuerungschip ist zur Anzeigeansteuerung und Berührungssensierungsansteuerung konfiguriert. Die vorstehend erwähnte Anzeigevorrichtung kann beispielsweise eine eines Mobiltelefons, eines Tablet-Computers, eines elektronischen Papiers und eines elektronischen Bilderrahmens sein.
Nachdem die Anzeigevorrichtung gemäß der Erfindung die vorstehend erwähnte Anzeigetafel aufnimmt, weist die Anzeigevorrichtung den gleichen Vorteil wie denjenigen der vorstehend erwähnten Anzeigetafel auf.
Ausführungsformen der Erfindung und technische Prinzipien, die hierin verwendet werden, sind wie vorstehend beschrieben worden. Es sollte verstanden werden, dass die Erfindung nicht auf die hierin beschriebenen speziellen Ausführungsformen beschränkt ist und jedwede ersichtliche Abwandlung, Modifizierung und Ersetzung vorgenommen werden kann, ohne den Umfang der Erfindung zu verlassen. Während demgemäß die Erfindung durch die vorstehenden Ausführungsformen ausführlich beschrieben wird, ist die Erfindung nicht nur auf die vorstehenden Ausführungsformen beschränkt und kann ferner andere zusätzliche Ausführungsformen aufweisen, ohne das Konzept der Erfindung zu verlassen.
Vielfältige Abwandlungen und Zusätze können an den diskutierten beispielhaften Ausführungsformen vorgenommen werden, ohne den Umfang der Erfindung zu verlassen. Während beispielsweise vorstehend beschriebene Ausführungsformen sich auf spezielle Merkmale beziehen, weist der Umfang dieser Erfindung auch Ausführungsformen mit unterschiedlichen Merkmalskombinationen und Ausführungsformen, die nicht alle der beschriebenen Merkmale aufweisen, auf. Demgemäß ist es beabsichtigt, dass der Umfang der Erfindung alle solche Alternativen, Abwandlungen und Variationen zusammen mit allen Äquivalenten hiervon als in den Umfang der Ansprüche fallend umfasst.

Claims

Ein Verfahren zum Herstellen eines Matrixsubstrats, aufweisend: sequenzielles Ausbilden einer Vielzahl von Dünnfilmtransistoren (12; 22; 32), die voneinander beabstandet und in einer Matrix angeordnet sind, einer ersten Passivierungsschicht (13; 23; 33), einer Vielzahl von Berührungssignalleitungen (14; 24; 38) und einer Bildpunktelektrodenschicht (15; 25; 39) auf einem Substrat (11); wobei die Bildpunktelektrodenschicht (15; 25; 39) eine Vielzahl von Bildpunktelektroden (151; 251; 391), die voneinander beabstandet und in einer Matrix angeordnet sind, aufweist und in der gleichen Schicht wie die Berührungssignalleitungen (14; 24; 38) angeordnet und von den Berührungssignalleitungen (14; 24; 38) elektrisch isoliert ist.
Das Verfahren von Anspruch 1, welches nach Ausbilden der ersten Passivierungsschicht (13; 23; 33) und vor Ausbilden der Vielzahl von Berührungssignalleitungen (13; 23; 33) ferner aufweist: Ausbilden einer Vielzahl von ersten Durchgangslöchern (231; 37) in der ersten Passivierungsschicht (13; 23; 33), von welchen jedes konfiguriert ist, um eine jeweilige der Vielzahl von Bildpunktelektroden (151; 251; 391) mit einer Drain-Elektrode (56; 64) eines entsprechenden der Vielzahl von Dünnfilmtransistoren (12; 22; 32) zu verbinden; und nach Ausbilden der Bildpunktelektrodenschicht (15; 25; 39) weiter aufweist: Ausbilden einer zweiten Passivierungsschicht (26; 35) auf den Berührungssignalleitungen (14; 24; 38) und den Bildpunktelektroden (151; 251; 391); Ausbilden einer Vielzahl von zweiten Durchgangslöchern (261; 36) in der zweiten Passivierungsschicht (26; 35); und Ausbilden einer Vielzahl von gemeinsamen Elektrodenblöcken (27; 34; 101; 111), die voneinander beabstandet und in einer Matrix angeordnet sind, auf der zweiten Passivierungsschicht (26; 35), wobei jede der Vielzahl von Berührungssignalleitungen (14; 24; 38) über eines der zweiten Durchgangslöcher (261; 36) in der zweiten Passivierungsschicht (26; 35) mit einem entsprechenden der Vielzahl von gemeinsamen Elektrodenblöcken (27; 34; 101; 111) elektrisch verbunden und von den verbleibenden gemeinsamen Elektrodenblöcken isoliert ist.
Das Verfahren von Anspruch 1, welches nach Ausbilden der ersten Passivierungsschicht (13; 23; 33) und vor Ausbilden der Vielzahl von Berührungssignalleitungen (14; 24; 38) ferner aufweist: Ausbilden einer Vielzahl von gemeinsamen Elektrodenblöcken (27; 34; 101; 111), die voneinander beabstandet und in einer Matrix angeordnet sind, auf der ersten Passivierungsschicht (13; 23; 33); Ausbilden einer zweiten Passivierungsschicht (26; 35) auf der Vielzahl von gemeinsamen Elektrodenblöcken (27; 34; 101; 111); und gleichzeitiges Ausbilden einer Vielzahl von dritten Durchgangslöchern, die sich durch die zweite Passivierungsschicht (26; 35) hindurch erstrecken, und einer Vielzahl von vierten Durchgangslöchern, die sich sowohl durch die erste als auch die zweite Passivierungsschicht (26; 35) hindurch erstrecken; wobei jede der Berührungssignalleitungen (14; 24; 38) über eines der dritten Durchgangslöcher mit einem entsprechenden der gemeinsamen Elektrodenblöcke (27; 34; 101; 111) elektrisch verbunden ist und von den verbleibenden gemeinsamen Elektrodenblöcken isoliert ist; während jede der Bildpunktelektroden über eines der vierten Durchgangslöcher mit einer Drain-Elektrode eines entsprechenden der Dünnfilmtransistoren (12; 22; 32) elektrisch verbunden ist.
Das Verfahren eines der vorstehenden Ansprüche, wobei die Bildpunktelektrodenschicht ferner aufweist: eine Vielzahl von Schutzleitungen, die voneinander isoliert sind, wobei jede der Vielzahl von Schutzleitungen mit einem Ausgabeanschluss einer der Vielzahl von Berührungssignalleitungen überlappt.
Das Verfahren eines der vorstehenden Ansprüche, wobei eine Dicke der ersten Passivierungsschicht (13; 23; 33) in einem Bereich von 3000 Å bis 35000 Å liegt.
Das Verfahren des Anspruchs 2 oder 3 oder des auf Anspruch 2 oder 3 rückbezogenen Anspruchs 4, wobei eine Dicke der zweiten Passivierungsschicht (26; 35) in einem Bereich von 1000 Å bis 5000 Å liegt.
Das Verfahren eines der vorstehenden Ansprüche, wobei bei Ausbildung der Vielzahl von Dünnfilmtransistoren (12; 22; 32), die voneinander beabstandet und in einer Matrix auf dem Substrat angeordnet sind, das Verfahren ferner ein Ausbilden einer Vielzahl von Datenleitungen und einer Vielzahl von Abtastleitungen auf dem Substrat aufweist, wobei Orthogonalprojektionen der Berührungssignalleitungen auf das Substrat in Orthogonalprojektionen der Datenleitungen oder der Abtastleitungen auf das Substrat angeordnet sind.
Das Verfahren von Anspruch 2 oder eines der auf Anspruch 2 rückbezogenen Ansprüche 4 bis 7, wobei eine Orthogonalprojektion eines Spalts zwischen zwei benachbarten gemeinsamen Elektrodenblöcken (27; 34; 101; 111) auf das Substrat in einer Orthogonalprojektion eines Spalts zwischen zwei benachbarten Bildpunktelektroden (151; 251; 391) auf das Substrat liegt.
Das Verfahren von Anspruch 2 oder eines der auf Anspruch 2 rückbezogenen Ansprüche 4 bis 7, wobei eine Orthogonalprojektion eines Spalts zwischen zwei benachbarten gemeinsamen Elektrodenblöcken (27; 34; 101; 111) auf das Substrat in einer Orthogonalprojektion einer der Bildpunktelektroden (151; 251; 391) auf das Substrat angeordnet ist.
Das Verfahren von Anspruch 3 oder eines der auf Anspruch 3 rückbezogenen Ansprüche 4 bis 7, wobei eine Orthogonalprojektion eines Spalts zwischen zwei benachbarten gemeinsamen Elektrodenblöcken (27; 34; 101; 111) auf das Substrat in einer Orthogonalprojektion eines Spalts zwischen zwei benachbarten Bildpunktelektroden (151; 251; 391) auf das Substrat angeordnet ist.
Das Verfahren von Anspruch 3 oder eines der auf Anspruch 3 rückbezogenen Ansprüche 4 bis 7, wobei eine Orthogonalprojektion eines Spalts zwischen zwei benachbarten gemeinsamen Elektrodenblöcken (27; 34; 101; 111) auf das Substrat in einer Orthogonalprojektion einer der Bildpunktelektroden (151; 251; 391) auf das Substrat angeordnet ist.
Ein Matrixsubstrat, welches aufweist: ein Substrat (11); eine Vielzahl von Dünnfilmtransistoren (12; 22; 32), die voneinander beabstandet und in einer Matrix angeordnet sind, auf dem Substrat; eine erste Passivierungsschicht (13; 23; 33) auf der Vielzahl von Dünnfilmtransistoren (12; 22; 32); und eine Vielzahl von Berührungssignalleitungen (14; 24; 38) und eine Bildpunktelektrodenschicht (15; 25; 39) auf der ersten Passivierungsschicht (13; 23; 33); wobei die Bildpunktelektrodenschicht (15; 25; 39) eine Vielzahl von Bildpunktelektroden (151; 251; 391), die voneinander beabstandet und in einer Matrix angeordnet sind, aufweist und in der gleichen Schicht wie die Berührungssignalleitungen (14; 24; 38) angeordnet und von den Berührungssignalleitungen (14; 24; 38) elektrisch isoliert ist.
Das Matrixsubstrat von Anspruch 12, weiter aufweisend: eine zweite Passivierungsschicht (26; 35) auf den Berührungssignalleitungen (14; 24; 38) und den Bildpunktelektroden (151; 251; 391); und eine Vielzahl von gemeinsamen Elektrodenblöcken (27; 34; 101; 111), die voneinander beabstandet und in einer Matrix angeordnet sind, auf der zweiten Passivierungsschicht (26; 35); wobei jede der Bildpunktelektroden (151; 251; 391) über ein erstes Durchgangsloch (231; 37) in der ersten Passivierungsschicht (13; 23; 33) mit einer Drain-Elektrode eines entsprechenden der Dünnfilmtransistoren (12; 22; 32) elektrisch verbunden ist; und jede der Vielzahl von Berührungssignalleitungen (14; 24; 38) über ein zweites Durchgangsloch in der zweiten Passivierungsschicht (13; 23; 33) mit einem entsprechenden der Vielzahl von gemeinsamen Elektrodenblöcken (27; 34; 101; 111) elektrisch verbunden ist und von den verbleibenden gemeinsamen Elektrodenblöcken (27; 34; 101; 111) isoliert ist.
Das Matrixsubstrat von Anspruch 12, weiter aufweisend: eine Vielzahl von gemeinsamen Elektrodenblöcken (27; 34; 101; 111), die voneinander beabstandet und in einer Matrix angeordnet sind, auf der ersten Passivierungsschicht (13; 23; 33); und eine zweite Passivierungsschicht (26; 35) zwischen den gemeinsamen Elektrodenblöcken (27; 34; 101; 111) und den Berührungssignalleitungen (14; 24; 38) wie auch den Bildpunktelektroden (151; 251; 391); wobei jede der Bildpunktelektroden über ein viertes Durchgangsloch, welches sich durch die erste Passivierungsschicht und die zweite Passivierungsschicht hindurch erstreckt, mit einem entsprechenden der Dünnfilmtransistoren (12; 22; 32) elektrisch verbunden ist; und jede der Vielzahl von Berührungssignalleitungen über ein drittes Durchgangsloch in der zweiten Passivierungsschicht mit einem entsprechenden der Vielzahl von gemeinsamen Elektrodenblöcken elektrisch verbunden ist und von den verbleibenden gemeinsamen Elektrodenblöcken isoliert ist; wobei das vierte Durchgangsloch gleichzeitig mit dem dritten Durchgangsloch ausgebildet ist.
Das Matrixsubstrat eines der Ansprüche 12 bis 14, wobei die Bildpunktelektrode ferner aufweist: eine Vielzahl von Schutzleitungen, die voneinander isoliert sind, von welchen jede mit einem Ausgabeanschluss einer der Vielzahl von Berührungssignalleitungen überlappt.
Das Matrixsubstrat eines der Ansprüche 12 bis 15, wobei eine Dicke der ersten Passivierungsschicht (13; 23; 33) in einem Bereich von 3000 Å bis 35000 Å liegt.
Das Matrixsubstrat von Anspruch 13 oder 14 oder des auf Anspruch 13 oder 14 rückbezogenen Anspruchs 15 oder 16, wobei eine Dicke der zweiten Passivierungsschicht (26; 35) in einem Bereich von 1000 Å bis 5000 Å liegt.
Das Matrixsubstrat von Anspruch 13 oder 14 oder des auf Anspruch 13 oder 14 rückbezogenen Anspruchs 15 oder 16, wobei eine Orthogonalprojektion eines Spalts zwischen zwei benachbarten gemeinsamen Elektrodenblöcken (27; 34; 101; 111) auf das Substrat in einer Orthogonalprojektion eines Spalts zwischen zwei benachbarten Bildpunktelektroden (151; 251; 391) auf das Substrat angeordnet ist.
Das Matrixsubstrat von Anspruch 13 oder 14 oder des auf Anspruch 13 oder 14 rückbezogenen Anspruchs 15 oder 16, wobei eine Orthogonalprojektion eines Spalts zwischen zwei benachbarten gemeinsamen Elektrodenblöcken (27; 34; 101; 111) auf das Substrat in einer Orthogonalprojektion einer entsprechenden der Bildpunktelektroden (151; 251; 391) auf das Substrat angeordnet ist.
Eine Anzeigetafel, welche aufweist: ein Matrixsubstrat (121), welches aufweist: ein Substrat (11; 21; 31); eine Vielzahl von Dünnfilmtransistoren (12; 22; 32), die voneinander beabstandet und in einer Matrix angeordnet sind, auf dem Substrat; eine erste Passivierungsschicht (13; 23; 33) auf der Vielzahl von Dünnfilmtransistoren (12; 22; 32); und eine Vielzahl von Berührungssignalleitungen (14; 24; 38) und eine Bildpunktelektrodenschicht (15; 25; 39) auf der ersten Passivierungsschicht (13; 23; 33); wobei die Bildpunktelektrodenschicht (15; 25; 39) eine Vielzahl von Bildpunktelektroden (151; 251; 391), die voneinander beabstandet und in einer Matrix angeordnet sind, aufweist und in der gleichen Schicht wie die Berührungssignalleitungen (14; 24; 38) angeordnet und von den Berührungssignalleitungen (14; 24; 38) elektrisch isoliert ist; ein Farbfiltersubstrat (122) gegenüber dem Matrixsubstrat; und eine Anzeigemediumsschicht (123) zwischen dem Matrixsubstrat (121) und dem Farbfiltersubstrat (122).