CN203910800U - 一种薄膜晶体管阵列基板以及显示器 - Google Patents

Abstract

本实用新型实施例公开了一种薄膜晶体管阵列基板以及显示器，所述薄膜晶体管阵列基板包括：显示区、走线区以及绑定区；所述显示区设置有：薄膜晶体管；与所述薄膜晶体管栅极连接的扫描线；与所述薄膜晶体管源极连接的数据线；与所述薄膜晶体管漏极连接的像素电极；与所述像素电极相对设置的通用电极线；所述绑定区包括驱动电路绑定区；所述走线区设置有多条金属走线，所述多条金属走线表面覆盖有钝化层；其中，所述扫描线、数据线、像素电极以及通用电极线分别通过对应的金属走线连接至所述驱动电路绑定区；所述钝化层表面设置有切割保护层。所述技术方案能够防止走线区的金属走线在切割过程中受到损伤，保证了显示器制作时的产品良率。

Description

一种薄膜晶体管阵列基板以及显示器

技术领域

本实用新型涉及显示装置技术领域，更具体地说，涉及一种薄膜晶体管阵列基板以及显示器。

背景技术

信息化社会越来越需要轻型超薄便于携带的显示设备，而当前最成熟的产品就是薄膜晶体管液晶显示器。

参考图1与图2，图1为现有薄膜晶体管液晶显示器包括：相对设置的薄膜晶体管阵列基板11与彩膜基板12，设置在所述薄膜晶体管阵列基板11与所述彩膜基板12之间的液晶层。所述薄膜晶体管阵列基板1包括显示区111、走线区112以及绑定区113。

所述显示区111设置有阵列排布于基板上的薄膜晶体管(TFT)、像素电极、扫描线、数据线以及通用电极线等电路结构。其中，扫描线与TFT的栅极连接，用于提供扫描信号，打开TFT；数据线与TFT的源极连接，可通过TFT将信号传输至像素电极，为像素电极提供数据信号；像素电极接收到数据信号后，获得一定电位时，其与通用电极线建立电场，通过所述电场控制液晶分子的转向，进而控制像素显示；通用电极线与像素电极一起形成存储电容，所述存储电容用于维持像素电极的电位持续时间，一直到下一个像素点亮。

所述像素电极、扫描线、数据线以及通用电极线通过设置在所述走线区112的对应金属走线与设置在所述绑定区113的驱动电路13连接，所述驱动电路13通过柔性电路板(FPC)与位于晶体管阵列基板111背面的电路主板连接。在批量生产过程中，阵列基板以及彩膜基板均是采用大块基板贴合以后通过切割形成多个半成品的薄膜晶体管液晶显示器，此时，彩膜基板与薄膜晶体管阵列基板的大小相同，然后再对彩膜基板沿着切割线14进行切割，露出所述绑定区113，在所述绑定区113绑定与走线区112金属走线连接的驱动电路3，并通过与驱动电路13连接的柔性电路板与所述电路主板连接，从而形成成品的薄膜晶体管液晶显示器。

但是，现有的薄膜晶体管液晶显示器在沿着切割线进行切割时，会导致金属走线造成损伤。

实用新型内容

为解决上述技术问题，本实用新型提供一种薄膜晶体管阵列基板以及显示器。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：

一种薄膜晶体管阵列基板，该薄膜晶体管阵列基板包括：

显示区、走线区以及绑定区；

所述显示区设置有：薄膜晶体管；与所述薄膜晶体管栅极连接的扫描线；与所述薄膜晶体管源极连接的数据线；与所述薄膜晶体管漏极连接的像素电极；与所述像素电极相对设置的通用电极线；

所述绑定区包括驱动电路绑定区；

所述走线区设置有多条金属走线，所述多条金属走线表面覆盖有钝化层，用于防止所述金属走线氧化；

其中，所述扫描线、数据线、像素电极以及通用电极线分别通过对应的金属走线连接至所述驱动电路绑定区；所述钝化层表面设置有切割保护层。

优选的，在上述薄膜晶体管阵列基板中，所述切割保护层为金属层。

优选的，在上述薄膜晶体管阵列基板中，所述金属层为ITO薄膜层。

优选的，在上述薄膜晶体管阵列基板中，所述金属层的厚度范围是50nm-100nm，包括端点值。

优选的，在上述薄膜晶体管阵列基板中，所述切割保护层为绝缘层。

优选的，在上述薄膜晶体管阵列基板中，所述绝缘层为二氧化硅层或是氮化硅层。

优选的，在上述薄膜晶体管阵列基板中，所述绝缘层厚度范围是400nm-600nm，包括端点值。

本实用新型还提供了一种显示器，该显示器包括：

相对设置的薄膜晶体管阵列基板与彩膜基板；

设置在所述薄膜晶体管阵列基板与所述彩膜基板之间的显示介质层；

其中，所述薄膜晶体管阵列基板为上述任一项所述的薄膜晶体管阵列基板。

优选的，在上述显示器中，所述显示介质层为液晶层。

优选的，在上述显示器中，所述显示器为平面转换型(IPS)液晶显示器，或边缘场切换型(FFS)液晶显示器。

从上述技术方案可以看出，本实用新型所提供的薄膜晶体管阵列基板在所述钝化层表面设置有所述切割保护层，在制备显示其过程中对彩膜基板进行切割时，所述切割保护层能够对位于所述走线区的金属走线进行保护，防止其受到损伤。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为现有技术中常见的一种薄膜晶体管阵列基板的结构示意图；

图2为采用图1所示薄膜晶体管阵列基板的显示器的结构示意图；

图3为本申请实施例提供的一种薄膜晶体管阵列基板的结构示意图；

图4为采用图3所示薄膜晶体管阵列基板的显示器的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

本申请一个实施例提供了一种薄膜晶体管阵列基板，参考图3，所述薄膜晶体管阵列基板21包括：显示区211、走线区212以及绑定区213。

所述显示区设置有：薄膜晶体管；与所述薄膜晶体管栅极连接的扫描线；与所述薄膜晶体管源极连接的数据线；与所述薄膜晶体管漏极连接的像素电极；与所述像素电极相对设置的通用电极线。所述薄膜晶体管、扫描线、数据线、像素电极以及通用电极线的设置方式可以与平面转换型(IPS)液晶显示器或是边缘场切换型(FFS)显示器中的设置方式相同。

所述绑定区213包括驱动电路绑定区，所述驱动电路绑定区用于绑定驱动电路23。所述驱动电路23为集成电路芯片，直接通过芯片贴合技术绑定在所述驱动电路绑定区，操作工艺简单。

所述走线区212设置有多条金属走线，所述多条金属走线表面覆盖有钝化层，用于防止所述金属走线氧化。

所述薄膜晶体管阵列基板显示区具有多个阵列排布的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：栅极、源极以及漏极。所述扫描线、数据线、像素电极均需要通过对应的金属走线将对应的薄膜晶体管与驱动电路23连接，使得薄膜晶体管各极接收对应的驱动数据信息，将通用电极线通过对应的金属走线与驱动电路23，使得通用电极线接收对应的驱动数据信息。

采用所述薄膜晶体管阵列基板制作的显示器，所述驱动电路23需要通过柔性电路板与电路主板连接，通过所述电路主板的控制器为所述薄膜晶体管以及通用电极线提供用于实现图像显示的驱动数据信息。

如上述，所述扫描线、数据线、像素电极以及通用电极线分别通过对应的金属走线连接至所述驱动电路绑定区，当在所述驱动电路绑定区绑定驱动电路时，将各个金属走线与所述驱动电路连接，以实现薄膜晶体管以及通用电极线与驱动电路连接。所述钝化层为绝缘层，可以通过沉积镀膜工艺形成在所述金属走线表面，用于防止所述金属走线氧化。

在本实施例所述薄膜晶体管阵列基板中，还包括覆盖在所述钝化层表面的切割保护层25。采用所述薄膜晶体管阵列基板制作显示器时，与其相对设置的彩膜基板需要在与走线区对应的切割线24处进行切割，而钝化层仅为较薄的一层绝缘薄膜，在切割过程中，不足以保护金属走线，切割过程中的摩擦以及振动会导致金属走线损坏，通过所述切割保护层25可以防止所述金属走线在所述切割过程中损坏，能够提供显示器的制作良率。

所述切割保护层25可以为绝缘层。所述绝缘层为二氧化硅层或是氮化硅层。实验及应用结果表明，当所述绝缘层厚度范围是400nm-600nm，包括端点值，即可有效防止所述金属走线在切割过程中损坏。

本实施例中，优选的设置所述切割保护层25为金属层，一方面，金属层具有较薄的厚度时即可具有较好的耐磨性能，另一方面，采用金属层作为所述切割保护层25，还可以通过静电屏蔽原理防止外部电场对金属走线中流通信号的干扰。

当所述切割保护层为金属层时，所述切割保护层可以为ITO薄膜层。实验及应用结果表明，当设置所述金属层的厚度范围是50nm-100nm，包括端点值，即可有效防止所述金属走线在切割过程中损坏。

基于上述实施例，本申请另一实施例还提供了一种显示器，参考图4，所述显示器包括：薄膜晶体管阵列基板21；与所述薄膜晶体管阵列基板21相对设置的彩膜基板22；设置在所述薄膜晶体管阵列基板21与所述彩膜基板22之间的显示介质层。

本实施例所述薄膜晶体管阵列基板21可以为上述实施例图3所示实施方式所述的薄膜晶体管阵列基板。优选的，所述显示介质层可以为液晶层。

所述显示器为平面转换型(IPS)液晶显示器，或边缘场切换型(FFS)液晶显示器，将所述通用电极线设置在所述薄膜晶体管阵列基板21上，无需在彩膜基板上形成电极线，所述通用电极线可以与薄膜晶体管阵列基板上的薄膜晶体管、像素电极、数据线以及扫描线在同一生产线制备，提高了制作效率。

在制作所述显示器时，在对彩膜基板进行切割时，以便与露出所述薄膜晶体管阵列基板21的绑定区213时，由于设置有所述切割保护层25，所以能够防止走线区212的金属走线在切割过程中受到损伤，保证了显示器制作时的产品良率。

对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本实用新型。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本实用新型的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本实用新型将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (10)

1.一种薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，包括：

显示区、走线区以及绑定区；

所述显示区设置有：薄膜晶体管；与所述薄膜晶体管栅极连接的扫描线；与所述薄膜晶体管源极连接的数据线；与所述薄膜晶体管漏极连接的像素电极；与所述像素电极相对设置的通用电极线；

所述绑定区包括驱动电路绑定区；

所述走线区设置有多条金属走线，所述多条金属走线表面覆盖有钝化层，用于防止所述金属走线氧化；

其中，所述扫描线、数据线、像素电极以及通用电极线分别通过对应的金属走线连接至所述驱动电路绑定区；所述钝化层表面设置有切割保护层。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述切割保护层为金属层。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述金属层为ITO薄膜层。

4.根据权利要求2所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述金属层的厚度范围是50nm-100nm，包括端点值。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述切割保护层为绝缘层。

6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述绝缘层为二氧化硅层或是氮化硅层。

7.根据权利要求5所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述绝缘层厚度范围是400nm-600nm，包括端点值。

8.一种显示器，其特征在于，包括：

相对设置的薄膜晶体管阵列基板与彩膜基板；

设置在所述薄膜晶体管阵列基板与所述彩膜基板之间的显示介质层；

其中，所述薄膜晶体管阵列基板为权利要求1-7任一项所述的薄膜晶体管阵列基板。

9.根据权利要求8所述的显示器，其特征在于，所述显示介质层为液晶层。

10.根据权利要求9所述的显示器，其特征在于，所述显示器为平面转换型(IPS)液晶显示器，或边缘场切换型(FFS)液晶显示器。