CN106169482A - 一种基板及其制作方法、电子器件 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及电子器件技术领域，公开了一种基板及其制作方法、电子器件。所述基板包括信号线交叠区域，在信号线交叠区域的外围设置有隔断区域，在所述隔断区域以外的至少部分区域铺设跳线，从而在信号线交叠区域发生静电击穿时，可以在所述隔断区域进行激光切割修复，由于所述隔断区域未铺设跳线，从而克服了跳线易与信号线熔接导致无法修复的问题，提高了产品的修复率，降低了生产成本。

Description

一种基板及其制作方法、电子器件
技术领域
本发明涉及电子器件技术领域，特别是涉及一种基板及其制作方法、电子器件。
背景技术
薄膜晶体管阵列基板的生产流程中，不可避免地产生静电，且大多数静电击穿发生在外围的信号线交叠区域和跳线处。其中，跳线1＇通常是由透明导电层制得，铺设在整个阵列基板上，用于电性连接信号线和电极线，例如：公共电极线10和公共信号线20，从而信号线上的信号传输至电极线，参见图1所示。若静电击穿发生在测试线、短路环、维修线等位置，经激光切割断开短路位置，即可修复。但是，若静电击穿发生在信号线交叠区域，由于跳线1＇由透明导电材料制得，并铺设于信号线交叠区域，当激光切割时，跳线1＇易与信号线熔接，由于跳线整面铺设在整个阵列基板上，因此无法完全将短路断开，造成无法维修。
发明内容
本发明提供一种基板及其制作方法、电子器件，用以解决信号线交叠区域发生静电击穿不良时，由于跳线易与信号线熔接，导致无法切割修复的问题。
为解决上述技术问题，本发明实施例中提供一种基板，包括至少两条绝缘设置的信号线，至少两条所述信号线交叉分布，在交叉处形成信号线交叠区域，所述基板包括第一区域，所述信号线包括位于第一区域的第一信号线，所述基板还包括电极线，所述基板还包括隔断区域，所述隔断区域围设在所述信号线交叠区域的外围，所述阵列基板还包括跳线，用于电性连接所述电极线和第一信号线，所述跳线位于所述隔断区域以外的至少部分区域。
本发明实施例中还提供一种电子器件，采用如上所述的基板。
本发明实施例中还提供一种如上所述的基板的制作方法，所述基板包括第一区域，所述制作方法包括：
形成至少两条信号线，至少两条所述信号线交叉分布，在交叉处形成信号线交叠区域，所述信号线位于第一区域的包括第一信号线；
形成电极线，所述基板还包括隔断区域，所述隔断区域围设在所述信号线交叠区域的外围，所述制作方法还包括：
形成跳线，用于电性连接所述电极线和第一信号线，所述跳线位于所述隔断区域以外的至少部分区域。
本发明的上述技术方案的有益效果如下：
上述技术方案中，在信号线交叠区域的外围设置隔断区域，跳线位于所述隔断区域以外的至少部分区域，从而在信号线交叠区域发生静电击穿时，可以在所述隔断区域进行激光切割修复，由于所述隔断区域未铺设跳线，从而克服了跳线易与信号线熔接导致无法修复的问题，提高了产品的修复率，降低了生产成本。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1表示现有技术中阵列基板的跳线的分布示意图；
图2表示未示意跳线的阵列基板的结构示意图；
图3表示本发明实施例中阵列基板的跳线的分布示意图一；
图4表示图3沿A-A的剖视图；
图5表示图3沿B-B的剖视图；
图6表示本发明实施例中阵列基板的跳线的分布示意图二；
图7表示图6中跳线的结构示意图；
图8表示本发明实施例中阵列基板的跳线的分布示意图三；
图9表示本发明实施例中阵列基板的跳线的分布示意图四；
图10表示图9中跳线的结构示意图。
具体实施方式
在基板的生产过程中，不可避免地产生静电，且大多数静电击穿导致的不良发生在外围的信号线交叠区域和跳线处。其中，跳线通常是由透明导电层制得，用于连接信号线和电极线，从而将信号线上的信号传输至电极线。当静电击穿发生在信号线交叠区域时，由于跳线铺设在整个基板上，即信号线交叠区域也铺设有跳线，透明导电材料易与金属材料熔接，当用激光切割进行修复，跳线易与信号线熔接，因此无法完全将短路断开，造成无法维修。
为了解决上述技术问题，本发明在信号线交叠区域的外围设置隔断区域，隔断区域围设在信号线交叠区域的外围，进行隔断，而跳线位于所述隔断区域以外的至少部分区域，用于电性连接一电极线和对应的信号线，从而在信号线交叠区域发生静电击穿时，可以在所述隔断区域进行激光切割修复，由于所述隔断区域未铺设跳线，从而克服了跳线易与信号线熔接导致无法修复的问题，提高了产品的修复率。
则所述基板的制作方法包括：
形成跳线，用于电性连接一电极线和对应的信号线，所述跳线位于所述隔断区域以外的至少部分区域。
下面将结合附图和实施例，对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。
实施例一
结合图2和图3所示，本实施例中的基板包括至少两条绝缘设置的信号线，至少两条所述信号线交叉分布，在交叉处形成信号线交叠区域100。需要说明的是，通常在不同层的信号线之间设置绝缘层，实现绝缘。此处的交叉是指信号线在所述基板所在平面上的正投影交叉，所述信号线交叠区域对应信号线在所述基板所在平面上的正投影的交叉区域。
所述基板还包括第一区域，所述信号线包括位于第一区域的第一信号线20，所述基板还包括电极线10，并设置跳线1电性连接电极线10和第一信号线20。在信号线交叠区域100的外围设置有隔断区域，所述隔断区域围设在信号线交叠区域100的外围，进行隔断。跳线1位于所述隔断区域以外的至少部分区域。
上述技术方案通过在信号线交叠区域的外围设置隔断区域，进行隔断，跳线位于隔断区域以外的至少部分区域。从而在信号线交叠区域发生静电击穿时，可以在隔断区域进行激光切割修复，由于隔断区域未铺设跳线，从而克服了跳线易与信号线熔接导致无法修复的问题，提高了产品的修复率，降低了生产成本。
其中，隔断区域围设在信号线交叠区域100的外围，隔断区域未铺设有跳线，跳线1位于隔断区域以外的至少部分区域的实现结构有很多种，本实施例中的实现结构如下：
结合图2和图3所示，设置跳线1包括多个位于第一区域的第一子结构11，相邻的两个第一子结构11之间间隔一定距离，信号线交叠区域100位于相邻两个第一子结构11之间，隔断区域200的一部分位于信号线交叠区域100与对应的第一子结构11之间的区域。信号线交叠区域100和隔断区域200均未铺设跳线，从而在信号线交叠区域100发生静电击穿时，可以在隔断区域200(例如图3中的点线处)进行激光切割修复，克服了跳线易与信号线熔接导致无法修复的问题，提高了产品的修复率，降低产品的生产成本。
进一步地，所述基板还包括第二区域，所述第二区域与所述第一区域不交叠，由于所述第二区域不包括信号线交叠区域，因此可以设置跳线1还包括覆盖全部所述第二区域的第二子结构12。
其中，跳线1通常由透明导电材料(如：HIZO、ZnO、TiO2、CdSnO、MgZnO、IGO、IZO、ITO或IGZO)制得。
本发明的技术方案适用于所有具有信号线交叠区域和跳线的基板，下面以薄膜晶体管阵列基板为例具体介绍本发明的技术方案。
对于薄膜晶体管阵列基板，所述第一区域为非显示区域，所述第二区域为显示区域。电极线10为公共电极线，第一信号线20为公共信号线20，跳线1用于电性连接公共电极线10和公共信号线20，公共信号线20用于向公共电极线10传输公共信号，公共电极线10用于向显示区域提供基准电压。当所述阵列基板包括公共电极2时，公共电极线10与公共电极2电性连接，用于向公共电极2传输基准电压，公共电极2与像素电极(图中未示出)配合形成横向驱动电场。其中，公共电极线10可以通过位于两者之间的绝缘层中的过孔与公共电极2电性连接，附图中未示意。
需要说明的是，本发明的电极线10和第一信号线20并不均局限为公共电极线和公共信号线，还可以为其它组合，在此不再一一列举。本实施例中仅以跳线电性连接公共电极线和公共信号线为例来具体描述本发明的技术方案。
当公共信号线20的一部分位于信号线交叠区域100时，通过采用本发明的技术方案，可以切割信号线交叠区域100的两侧，如图3中的点线处，断开公共信号线20，来进行修复，以不影响其他信号线(对应图3中的30)的信号传输。
当在信号线交叠区域100的两侧断开公共信号线20进行修复时，由于公共信号线20在信号线交叠区域100对应的位置断开，会影响信号的传输，使得一部分公共电极线10接收不到公共信号线20传输的信号。
为了解决上述技术问题，本实施例中设置跳线1还包括覆盖显示区域的第二子结构12，一部分公共电极线10与第二子结构12电性连接，从而即使公共信号线20在某处断开，使得一部分公共电极线10与公共信号线20断开，第二子结构12也能够将信号传输至与公共信号线20断开的公共电极线10，保证所有公共电极线10均能够接收到公共信号线20传输的信号。具体可以设置第二子结构12与相邻的第一子结构11之间间隔一定距离。
为了实现显示，所述薄膜晶体管阵列基板还包括栅线30和数据线40，用于限定多个像素区域，每一像素区域包括薄膜晶体管和像素电极(图中未示出)，所述薄膜晶体管可以为硅半导体薄膜晶体管，也可以为金属氧化物薄膜晶体管。薄膜晶体管的栅电极与栅线30电性连接，源电极与数据线40电性连接，漏电极与像素电极连接。通过向栅线30传输栅扫描信号，能够逐行打开每行的薄膜晶体管，然后通过薄膜晶体管向像素电极传输像素电压，形成驱动电场，控制显示过程。
具体可以设置公共电极线10与栅线30同层且平行设置，通过对同一栅金属层的一次构图工艺制得。公共信号线20可以与数据线40同层且平行设置，通过对同一源漏金属层的一次构图工艺制得。则栅线30在所述阵列基板所在平面上的正投影与公共信号线20在所述阵列基板所在平面上的正投影交叠，形成信号线交叠区域100。栅线30与公共信号线20之间具有钝化层101，实现绝缘。
所述栅金属层和源漏金属层的材料可以是Cu，Al，Ag，Mo，Cr，Nd，Ni，Mn，Ti，Ta，W等金属以及这些金属的合金，可以为单层结构或者多层结构，多层结构比如Cu\Mo,Ti\Cu\Ti，Mo\Al\Mo等。
其中，跳线1与公共电极线10之间具有第一绝缘层101，第一绝缘层101中具有第一过孔4，一部分电极线10通过第一过孔4与第二子结构12电性连接，即使信号线交叠区域100发生静电击穿，通过激光切割断开进行修复后，也能够保证所有公共电极线10都能够接收到公共信号线20传输的信号。具体的，当公共信号线20位于公共电极线10的下方时，在公共电极线10与公共信号线20之间具有第二绝缘层102，第一子结构11通过贯穿第一绝缘层101和第二绝缘层102的第二过孔5与公共信号线20电性连接，第一子结构11通过第一绝缘层101中的第三过孔6与公共电极线10电性连接，从而电性连接公共信号线20和公共电极线10，如图5所示。
结合图2-图5所示，以薄膜晶体管阵列基板为例，本实施例中的阵列基板具体包括：
设置在透明基底300(如：石英基底、玻璃基底)上的多条栅线30和多条数据线40，用于限定多个像素区域，每一像素区域包括：
薄膜晶体管、像素电极和公共电极2，薄膜晶体管的栅电极与栅线30电性连接，源电极与数据线40电性连接，漏电极与像素电极连接；
多条与栅线30同层且平行设置的公共电极线10，公共电极线10与公共电极2电性连接；
多条与数据线40同层且平行设置的公共信号线20，用于传输基准电压，公共信号线20与公共电极线10电性连接，栅线30在所述阵列基板所在平面上的正投影与公共信号线20在所述阵列基板所在平面上的正投影交叠，形成信号线交叠区域100；
跳线1，包括多个位于非显示区域的第一子结构11和覆盖显示区域的第二子结构12，相邻的两个第一子结构11之间间隔一定距离，信号线交叠区域100位于相邻两个第一子结构11之间，隔断区域200的一部分位于信号线交叠区域100与对应的第一子结构11之间的区域。第二子结构12与相邻的第一子结构11之间间隔一定距离；
位于跳线1与公共电极线10之间的第一绝缘层101，第一绝缘层101中具有第一过孔4和第三过孔6，一部分公共电极线10通过第一过孔4与第二子结构12电性连接；
位于栅线30、公共电极线10与公共信号线20之间的第二绝缘层102；
其中，第一子结构11通过贯穿第一绝缘层101和第二绝缘层102的第二过孔5与公共信号线20电性连接，第一子结构11通过第一绝缘层101中的第三过孔6与公共电极线10电性连接，从而实现跳线1电性连接公共信号线20和公共电极线10。
上述阵列基板适用于各种类型的薄膜晶体管，如：顶栅型薄膜晶体管、底栅型薄膜晶体管、共面型薄膜晶体管。所述阵列基板的像素电极和公共电极2由透明导电材料制得，绝缘层的材料可以为氮氧化物，如：SiNX、SiO2、SiON。
在实际应用过程中，可以根据需要对薄膜晶体管阵列基板的结构进行合理调整或增加所需功能的结构，其都属于本发明的保护范围。
实施例二
为了便于描述和理解，本实施例中同样以薄膜晶体管阵列基板为例来具体介绍本发明的技术方案。
实施例一中通过设置跳线包括位于非显示区域(即第一区域)的第一子结构，相邻的两个第一子结构之间间隔一定距离，所述信号线交叠区域位于相邻两个第一子结构之间，所述隔断区域的一部分位于所述信号线交叠区域与对应的第一子结构之间的区域，即，所述信号线交叠区域和隔断区域均未铺设跳线，从而当信号线交叠区域发生静电击穿时，可以在隔断区域进行激光切割修复，克服了跳线易与信号线熔接导致无法修复的问题。
与实施例一不同的是，结合图2、图6和图7所示，本实施例中设置跳线1覆盖整个所述基板，并在跳线1上形成开口14，信号线交叠区域100位于开口14所在的区域内，开口14的位于信号线交叠区域100周边的区域形成隔断区域，即，信号线交叠区域100和所述隔断区域均未铺设跳线，从而当信号线交叠区域发生静电击穿时，可以在所述隔断区域(例如图6中的点线处)进行激光切割修复，克服了跳线易与信号线熔接导致无法修复的问题。
进一步地，跳线1与公共电极线10之间设置有第二绝缘层(图中未示出)，并设置一部分公共电极线10通过所述第二绝缘层中的第二过孔5与跳线1电性接触，第二过孔5位于显示区域，从而即使在信号线交叠区域100发生静电击穿，通过激光切割断开进行修复后，也完全不影响公共信号线20的信号传输至所有公共电极线10上。
作为上述技术方案的一个变形，也可以设置跳线包括覆盖非显示区域的第一部分和覆盖显示区域的第二部分，具体为所述第一部分上具有开口，信号线交叠区域位于开口所在的区域内。进一步地，可以设置一部分公共电极线与所述第二部分电性连接，从而即使在信号线交叠区域发生静电击穿，通过激光切割断开进行修复时，也能够保证所有公共电极线都能够接收到公共信号线的信号。具体可以在所述第二绝缘层中形成第二过孔，跳线通过第二过孔与公共电极线电性连接。
在一个具体的实施方式中，设置跳线1覆盖整个所述基板，并在跳线1上形成开口14，信号线交叠区域100位于开口14所在的区域内。跳线1与公共电极线10之间具有第一绝缘层，公共信号线20与公共电极线10之间具有第二绝缘层，实现绝缘。在非显示区域，跳线1通过贯穿所述第一绝缘层和第二绝缘层中第二过孔5与公共信号线20电性连接，跳线1通过所述第一绝缘层中的第三过孔6与公共电极线10电性连接。在显示区域，一部分公共电极线10通过所述第一绝缘层中的第一过孔4与跳线1电性连接，具体的连接方式参见图4和图5所示，不再重复示意。
至于其它技术特征参见实施例一，在此不再赘述。
实施例三
在上述两个实施例中，信号线交叠区域均未铺设有跳线，即，信号线交叠区域，以及信号线交叠区域外围的隔断区域均未铺设有信号线，从而当信号线交叠区域发生静电击穿时，可以在所述隔断区域进行激光切割修复，克服跳线易与信号线熔接导致无法修复的问题。
与上述两个实施例不同的是，结合图8-图10所示，本实施例中，基板的信号线交叠区域100铺设有跳线，信号线交叠区域100外围的隔断区域200未铺设跳线。
则，本实施例中的跳线1包括第三子结构15和第四子结构16，第三子结构15铺设在隔断区域200的外围，第四子结构16铺设在信号线交叠区域100。需要说明的是，由于隔断区域200围设在信号线交叠区域100的外围，此处隔断区域200的外围是相对信号线交叠区域100而言，隔断区域200的与信号线交叠区域100相对的一侧为外围。
在一个具体的实施方式中，结合图2和图8所示，跳线1的第三子结构15铺设在隔断区域200的外围，第四子结构16铺设在信号线交叠区域100。隔断区域200未铺设有跳线，围设在信号线交叠区域100的外围。第三子结构15包括多个位于第一区域的第一子结构11，相邻的两个第一子结构11之间间隔一定距离，信号线交叠区域100位于相邻两个第一子结构11之间，隔断区域200的一部分位于信号线交叠区域100与对应的第一子结构11之间的区域。因此，当信号线交叠区域100发生静电击穿时，可以在隔断区域200(例如图8中的点线处)进行激光切割修复，由于隔断区域200未铺设有跳线，克服了跳线易与信号线熔接导致无法修复的问题，提高了产品的修复率，降低产品的生产成本。
进一步地，还可以设置跳线1的第三子结构15还包括位于第二区域的第二子结构12，所述第二区域与第一区域不交叠，由于所述第二区域不包括信号线交叠区域，因此可以设置跳线1还包括覆盖所述第二区域的第二子结构12。
在另一个具体的实施方式中，结合图2、图9和图10所示，跳线1的第三子结构15铺设在隔断区域200的外围，第四子结构16铺设在信号线交叠区域100。具体为：跳线1覆盖整个基板，并去除对应隔断区域200的跳线，将跳线1分割为第三子结构15和第四子结构16。因此，当信号线交叠区域100发生静电击穿时，由于隔断区域200未铺设有跳线，可以在隔断区域200(例如图9中的点线处)进行激光切割修复，克服了跳线易与信号线熔接导致无法修复的问题，提高了产品的修复率，降低生产成本。
当本实施例中的技术方案应用到薄膜晶体管阵列基板上时，其原理与实施例一和二中相同，在此不再详述。
上述三个实施例中，给出了在信号线交叠区域的外围设置隔断区域，进行隔断，在隔断区域的以外的区域铺设跳线的几种实现结构。当然，本领域技术人员在不经过创造性劳动的前提下，还可以对上述实现结构进行合理的调整，只需保证信号线交叠区域的外围设置有隔断区域，在隔断区域的以外的区域铺设跳线即可，其都属于本发明的保护范围。
实施例四
本实施例中提供一种电子器件，采用实施例一、实施例二或实施例三中的基板，由于当信号线交叠区域放生静电击穿时，能够通过激光切割断开进行修复，从而提高了产品的修复率，降低生产成本。
所述电子器件为：液晶显示面板、液晶显示装置、OLED显示面板、液晶显示装置、电子纸、手机、平板电脑、电视机笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件，或电路板等其他具有信号线交叠区域和跳线的非显示产品。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和替换，这些改进和替换也应视为本发明的保护范围。

Claims (12)

1.一种基板，包括至少两条绝缘设置的信号线，至少两条所述信号线交叉分布，在交叉处形成信号线交叠区域，所述基板包括第一区域，所述信号线包括位于第一区域的第一信号线，所述基板还包括电极线，其特征在于，所述基板还包括隔断区域，所述隔断区域围设在所述信号线交叠区域的外围，所述基板还包括跳线，用于电性连接所述电极线和第一信号线，所述跳线位于所述隔断区域以外的至少部分区域。
2.根据权利要求1所述的基板，其特征在于，所述跳线包括第一子结构，相邻的两个第一子结构之间间隔一定距离；
所述信号线交叠区域位于相邻两个第一子结构之间，所述隔断区域的一部分位于所述信号线交叠区域与对应的第一子结构之间的区域。
3.根据权利要求2所述的基板，其特征在于，所述基板还包括第二区域，所述第二区域与所述第一区域不交叠；
所述跳线还包括覆盖全部所述第二区域的第二子结构。
4.根据权利要求1所述的基板，其特征在于，所述跳线覆盖整个所述基板，且所述跳线上具有开口，所述信号线交叠区域位于所述开口所在的区域内，所述隔断区域位于所述开口的位于所述信号线交叠区域外围的区域。
5.根据权利要求1所述的基板，其特征在于，所述跳线包括第三子结构和第四子结构，所述第三子结构铺设在所述隔断区域的外围，所述第四子结构铺设在所述信号线交叠区域。
6.根据权利要求3所述的基板，其特征在于，所述基板为阵列基板，所述第一区域为非显示区域，所述第二区域为显示区域；
所述电极线为公共电极线，所述第一信号线包括公共信号线，所述公共信号线的一部分位于所述信号线交叠区域；所述跳线用于电性连接所述公共电极线和所述公共信号线，一部分所述公共电极线与所述第二子结构电性连接。
7.根据权利要求6所述的基板，其特征在于，所述基板还包括栅线，所述公共电极线与所述栅线同层且平行设置。
8.根据权利要求7所述的基板，其特征在于，所述基板还包括数据线，所述公共信号线与所述数据线同层且平行设置；
所述栅线与所述公共信号线交叉分布，在交叉处形成所述信号线交叠区域。
9.根据权利要求6所述的基板，其特征在于，所述跳线与所述公共电极线之间具有第一绝缘层，所述第一绝缘层中具有第一过孔；
所述第二子结构通过所述第一过孔与所述公共电极线电性连接。
10.根据权利要求1-9任一项所述的基板，其特征在于，所述跳线由透明导电材料制得。
11.一种电子器件，其特征在于，采用权利要求1-10任一项所述的基板。
12.一种权利要求1-10任一项所述的基板的制作方法，所述基板包括第一区域，所述制作方法包括：
形成至少两条绝缘设置的信号线，至少两条所述信号线交叉分布，在交叉处形成信号线交叠区域，所述信号线包括位于第一区域的第一信号线；
形成电极线，其特征在于，所述基板还包括隔断区域，所述隔断区域围设在所述信号线交叠区域的外围，所述制作方法还包括：
形成跳线，用于电性连接所述电极线和第一信号线，所述跳线位于所述隔断区域以外的至少部分区域。
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