DE102014109310B4 - Formrahmen-Design auf Waferebene - Google Patents

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Abstract

Vorrichtung zum Ausbilden eines Verbindungswafers (54, 54'), dessen äußerer Rand ein voller Kreis ist, der durch eine Formmasse (46) gebildet ist, wobei die Vorrichtung, Folgendes aufweist:einen Formrahmen (26), der Folgendes aufweist:einen oberen Abschnitt (26A); undeinen äußeren Ring (26B) mit einer Ringform, wobei der äußere Ring unter einem Rand des oberen Abschnitts liegt und mit ihm verbunden ist, wobei der äußere Ring (26B) einen inneren Rand (26B1) aufweist, der einem inneren Raum zugewandt ist, der von dem äußeren Ring umgeben ist, und wobei der äußere Ring eine Einlassöffnung (30) und eine Entlüftungsöffnung (32) aufweist; undeine Formmassen-Führungseinrichtung (42), die so konfiguriert ist, dass sie in die Einlassöffnung eingeführt werden kann, wobei die Formmassen-Führungseinrichtung eine vordere Seitenwand (42D) aufweist, die einen gekrümmten vorderen Rand aufweist und die sich in den inneren Rand (26B1) des äußeren Rings (26B) einfügt, um den vollen Kreis zu bilden.

Description

  • Beim Kapseln von integrierten Schaltungen werden Komponenten, wie Vorrichtungs-Dies und Gehäusesubstrate üblicherweise durch Flip-Chip-Bonding gestapelt. Um die gestapelten Gehäusekomponenten zu schützen, wird eine Formmasse um den Vorrichtungs-Die verteilt.
  • Die herkömmlichen Spritzpressverfahren umfassen Formpressen (engl. „compression molding“) und Spritzpressen („transfer molding“). Formpressen kann zum Spritzgießen („over-molding“) verwendet werden. Da das Formpressen nicht verwendet werden kann, um die Lücken zwischen den gestapelten Dies zu füllen, muss die Unterfüllung in getrennten Schritten von dem Formpressen eingeführt werden. Auf der anderen Seite kann Spritzpressen verwendet werden, um eine Guss-Unterfüllung in die Lücken zwischen und über den gestapelten Gehäusekomponenten zu füllen. Somit kann Spritzpressen verwendet werden, um die Unterfüllung und die Formmasse im selben Schritt zu verteilen. Spritzpressen kann jedoch aufgrund der nicht-gleichförmigen Verteilung der Formmasse nicht für Gehäuse verwendet werden, die runde Wafer enthalten.
  • Die US 2012/0074587 A1 offenbart einen Halbleiterwafer mit einer ersten und einer zweiten Seite, die einander gegenüber liegen. Eine Mehrzahl von leitfähigen Durchkontaktierungen ist teilweise durch die erste Oberfläche des Halbleiterwafers ausgebildet. Der Halbleiterwafer wird in eine Mehrzahl von ersten Halbleiterbauteilen vereinzelt. Ein erstes Halbleiterbauteil wird auf einen Träger montiert. Ein zweites Halbleiterbauteil wird auf das erste Halbleiterbauteil montiert. Die Grundfläche des zweiten Halbleiterbauteils ist größer als die Grundfläche des ersten Halbleiterbauteils. Eine Vergussmasse wird über das erste und das zweite Halbleiterbauteil und den Träger aufgebracht. Der Träger wird entfernt. Ein Teil der zweiten Oberfläche wird entfernt, um die leitfähigen Durchkontaktierungen freizulegen. Eine Verbindungsstruktur wird über einer Oberfläche des ersten Halbleiterbauteils ausgebildet, die dem zweiten Halbeiterbauteil abgewandt ist. Alternativ wird eine erste Vergussmasse über das erste Halbleiterbauteil und den Träger aufgebracht, und eine zweite Vergussmasse über das zweite Halbleiterbauteil aufgebracht.
  • Die US 2010/0233831 A1 offenbart ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung. Bei dem Verfahren wird eine Mehrzahl von Chips auf einem Träger angeordnet. Ein Vergussmaterial wird auf die Mehrzahl von Chips und den Träger aufgebracht, um ein eingekapseltes Bauteil zu bilden. Das eingekapselte Bauteil hat eine erste Hauptseite, die dem Träger zugewandt ist, und eine zweite Hauptseite, die der ersten Hauptseite entgegengesetzt ist. Ferner sind Markierungselemente an dem eingekapselten Bauteil angeordnet, die mit der Mehrzahl von Chips ausgerichtet ist, wobei die Markierungselemente auf der ersten Hauptseite und der zweiten Hauptseite detektierbar sind.
  • Die US 2011/0003026 A1 offenbart eine Versieglungsvorrichtung zum Versiegeln eines Halbleiterwafers mit Halbleiterelementen aus seiner Oberfläche mit einem Kunstharz. Die Vorrichtung umfasst eine obere Form und eine untere Form, die einen Bereich aufweist, in dem der Halbleiterwafer montiert ist. Die untere Form hat in diesem Bereich eine unebene Fläche und unter der unteren Form einen Stoßdämpfer.
  • Die US 2008/0254575 A1 offenbart ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Einkapseln von elektronischen Bauteilen. Das Bauteil wird zwischen einer ersten und einer zweiten Form angeordnet, und eine Vergussmasse wird auf das Bauteil aufgebracht. Eine der Formen wird auf die andere Form zubewegt, um die Größe eines Hohlraums zu variieren, der durch die erste und die zweite Form gebildet wird. In dem Hohlraum wird ein Unterdruck erzeugt, und der Unterdruck wird entsprechend der Größe des Hohlraums variiert. Der Unterdruck kann einem vorbestimmten Unterdruckprofil entsprechend variiert werden. Beispielweise kann in bestimmten Ausführungsformen der Unterdruck in Abhängigkeit von der Position der ersten Form in Bezug auf die zweite Form variiert werden, wobei ein stärkerer Unterdruck erzeugt wird, wenn die Höhe des Hohlraums verringert wird.
  • Die US 4 822 269 A offenbart eine Spritzgussmaschine mit einem Heizzylinder, einer Einspritzdüsenanordnung mit einer Belüftungsöffnung. Die Einspritzdüsenanordnung ist mit einem Vorderende des Heizzylinders und mit einer hin- und herbeweglichen Schraube verbunden, die dazu bestimmt ist, eine vorbestimmte Menge eines einzuspritzenden Kunstharzes abzumessen. Die Einspritzdüsenanordnung umfasst eine erste Einspritzdüse, die mit dem Heizzylinder verbunden ist, eine zweite Einspritzdüse, die axial mit der ersten Einspritzdüse angeordnet ist, eine Feder, die die zweite Einspritzdüse gegen eine Stationäre Metallform vorspannt, und ein Gehäuse, das die erste und die zweite Einspritzdüse umgibt. Im Betrieb wird die Spritzgussmaschine gemäß einem Verfahren gesteuert, bei dem eine vorbestimmte Menge von geschmolzenem Kunstharz, die einzuspritzen ist, durch den Vorschub der Schraube abgemessen wird. Die Belüftungsöffnung und die Einspritzdüsenanordnung wird verschlossen, die Schraube wird zurückgezogen, wodurch ein Raum in der Einspritzdüsenanordnung geschaffen wird, und Gase von volatilen Substanzen und Feuchtigkeit, die in dem geschmolzenen Kunstharz enthalten sind, wird entlassen.
  • Aspekte der vorliegenden Offenbarung werden am besten aus der folgenden detaillierten Beschreibung verstanden, wenn sie mit den beigefügten Figuren gelesen wird. Man beachte, dass in Übereinstimmung mit dem üblichen Vorgehen in der Branche verschiedene Merkmale nicht im Maßstab gezeichnet sind. In Wirklichkeit können die Abmessungen der verschiedenen Merkmale zur Klarheit der Beschreibung beliebig vergrößert oder verkleinert werden.
    • 1 bis 5 zeigen Schnittansichten von Zwischenstufen in einem Spritzpressverfahren auf Waferebene, in Übereinstimmung mit manchen Ausführungsformen;
    • 6 zeigt die Schnittansicht einer Zwischenstufe in einem Spritzpressverfahren auf Waferebene, in Übereinstimmung mit manchen Ausführungsformen;
    • 7A, 7B und 7C zeigen eine Schnittansicht und Perspektivansichten von verschiedenen Verteilungseinrichtungen für Formmasse, in Übereinstimmung mit manchen Ausführungsformen;
    • 8 zeigt die Draufsicht einer Zwischenstufe in einem Spritzpressverfahren auf Waferebene, in Übereinstimmung mit manchen Ausführungsformen;
    • 9 zeigt die Schnittansicht eines Spritzpressverfahrens, in Übereinstimmung mit manchen Ausführungsformen, wobei eine Kerbe in der sich ergebenden Formmasse ausgebildet wird;
    • 10 zeigt Drucksensoren, die bei einem Spritzpressverfahren auf Waferebene verwendet werden, in Übereinstimmung mit manchen Ausführungsformen; und
    • 11 bis 13 zeigen die Draufsicht und Schnittansichten eines beispielhaften Verbindungswafers, der durch ein Spritzpressverfahren auf Waferebene ausgebildet wurde, in Übereinstimmung mit manchen Ausführungsformen.
  • Die folgende Offenbarung sieht viele verschiedene Ausführungsformen oder Beispiele vor, um verschiedene Merkmale der Erfindung zu implementieren. Spezielle Beispiele von Komponenten und Anordnungen sind unten beschrieben, um die vorliegende Offenbarung zu vereinfachen. Diese sind natürlich nur Beispiele und sollen nicht einschränkend wirken. Das Ausbilden eines ersten Merkmals über oder auf einem zweiten Merkmal in der folgenden Beschreibung kann beispielsweise Ausführungsformen umfassen, in denen das erste und das zweite Merkmal in direktem Kontakt ausgebildet sind, und kann auch Ausführungsformen umfassen, in denen zusätzliche Merkmale zwischen dem ersten und dem zweiten Merkmals ausgebildet sein können, so dass das erste und das zweite Merkmal nicht in direktem Kontakt sein müssen. Zusätzlich kann die vorliegende Offenbarung Bezugszeichen und/oder Buchstaben in den verschiedenen Beispielen wiederholen. Diese Wiederholung dient der Einfachheit und Klarheit und erzwingt als solche keine Beziehung zwischen den verschiedenen beschriebenen Ausführungsformen und/oder Konfigurationen.
  • Weiter können räumlich relative Begriffe, wie „unten“, „unter“, „unterer“, „über“, „oberer“ und Ähnliche, hier zur Einfachheit der Beschreibung verwendet werden, um die Beziehung eines Elements oder Merkmals mit einem oder mehreren anderen Elementen oder Merkmalen zu beschreiben, wie sie in den Figuren gezeigt sind. Die räumlich relativen Begriffe sollen verschiedene Orientierungen der Vorrichtung, die verwendet oder betrieben wird, zusätzlich zu der in den Figuren gezeigten Orientierung umfassen. Die Vorrichtung kann anders orientiert sein (um 90 Grad gedreht oder in einer anderen Orientierung) und die räumlich relativen Begriffe, die hier verwendet werden, können ebenfalls demgemäß interpretiert werden.
  • Es sind eine Vorrichtung für ein Spritzpressverfahren auf Waferebene und das Verfahren zum Ausführen des Spritzpressens auf Waferebene vorgesehen, in Übereinstimmung mit verschiedenen beispielhaften Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung. Die Varianten der Ausführungsformen werden beschrieben. Überall in den verschiedenen Ansichten und beispielhaften Ausführungsformen werden gleiche Bezugszeichen verwendet, um gleiche Elemente zu bezeichnen.
  • 1 bis 5 zeigen die Schnittansichten von Zwischenstufen in einem Spritzpressverfahren auf Waferebene, in Übereinstimmung mit manchen Ausführungsformen. 1 zeigt eine Schnittansicht eines Teils einer Spritzpress-Vorrichtung auf Waferebene 100, in Übereinstimmung mit manchen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung. Mit Bezug auf 1 ist eine Gehäusestruktur 10 in einem Formrahmen 26 angeordnet. Die Gehäusestruktur 10 umfasst einen Träger 20 und Dies 22, die über dem Träger 20 angeordnet sind. In Übereinstimmung mit manchen Ausführungsformen ist der Träger 20 aus Glas, Keramik, Silizium, organischen Materialien wie Kunststoffen oder anderen Materialien hergestellt. Wenn er aus Silizium hergestellt ist, kann der Träger 20 ein leerer Siliziumwafer ohne darauf ausgebildete aktive Vorrichtungen und passive Vorrichtung sein.
  • Die Vorrichtungs-Dies 22 umfassen aktive Vorrichtungen, etwa Transistoren. In Übereinstimmung mit manchen Ausführungsformen sind die Vorrichtungs-Dies 22 Logik-Dies, die Hauptprozessoren (CPUs), Grafikprozessoren (GPUs), Speicher-Dies, wie statische RAM-(SRAM)-Dies, dynamische RAM-(DRAM)-Dies oder Ähnliches sein können. In Übereinstimmung mit manchen Ausführungsformen umfassen die Vorrichtungs-Dies 22 Halbleitersubstrate 210 und aktive Vorrichtungen 212 auf der Oberfläche der Halbleitersubstrate 210. Elektrische Anschlussteile 214 sind auf den oberen Flächen der Vorrichtungs-Dies 22 ausgebildet. In manchen Ausführungsformen sind die elektrischen Anschlussteile 214 Metall-Anschlussstellen, etwa Aluminium-Kupfer-Anschlussstellen oder Metallsäulen, etwa Kupfersäulen. Dielektrische Schichten auf der Oberfläche 216 sind auch auf den Oberflächen der Vorrichtungs-Dies 22 ausgebildet, wobei elektrische Anschlussteile 214 durch die dielektrischen Schichten auf der Oberfläche 216 hindurch freigelegt sind.
  • Über dem Träger 20 kann eine Polymerschicht 21 angeordnet sein, die als Pufferschicht verwendet wird, um Vorrichtungs-Dies 22 darauf anzuordnen. Des Weiteren sind Vorrichtungs-Befestigungsfilme (DAFs) 23 über der Polymerschicht 21 angeordnet. Die Vorrichtungs-Dies 22 sind an der Polymerschicht 21 über DAFs 23 befestigt, die Haftfilme sein können.
  • Die Spritzpress-Vorrichtung auf Waferebene 100 umfasst ein Formrahmen 26, der weiter einen oberen Abschnitt (eine Abdeckung) 26A umfasst, der eine runde Form in der Draufsicht (8) haben kann. Wie in 1 gezeigt ist, ist eine Trennfolie 27, die aus flexiblem Material hergestellt ist, an der inneren Fläche des Formrahmens 26 befestigt. Die oberen Flächen der Dies 22 sind in Kontakt mit der unteren Fläche der Trennfolie 27. Somit bleibt kein Raum an den oberen Flächen der Dies 22 übrig. Darüber hinaus kann die Trennfolie 27 gegen dielektrische Schichten an der Oberfläche 216 der Vorrichtungs-Dies 22 und möglicherweise elektrische Anschlussteile 214 gepresst sein. Somit sind die elektrischen Anschlussteile 214 durch die Trennfolie 27 geschützt, so dass in dem nachfolgenden Spritzpressverfahren keine Formmasse die elektrischen Anschlussteile 214 bedeckt. Dies verringert vorteilhaft die Herstellungskosten, da kein Schleifen benötigt wird, um die elektrischen Anschlussteile 214 in nachfolgenden Schritten freizulegen, wenn Umverteilungsleitungen über den Vorrichtungs-Dies 22 ausgebildet werden, damit sie mit elektrischen Anschlussteilen 214 elektrisch verbunden werden.
  • Die Trennfolie 27 kann sich zu den inneren Seitenwänden des Formrahmens 26 erstrecken, muss es aber nicht, in Übereinstimmung mit manchen Ausführungsformen. Auf der anderen Seite bleiben die Lücken zwischen benachbarten Dies 22 durch die Trennfolie ungefüllt. Somit fließt in dem nachfolgenden Spritzpressverfahren die abgegebene Formmasse durch die Lücken zwischen benachbarten Vorrichtungs-Dies 22 aber nicht über die Vorrichtungs-Dies 22.
  • Der Formrahmen 26 umfasst weiter einen äußeren Ring oder Rand-Ring 26B (man beziehe sich auch auf 9 und 10), der die Dies 22 umgibt. Der äußere Ring 26B ist mit Rändern des oberen Abschnitts 26A des Formrahmens 26 verbunden und erstreckt sich von ihm nach unten. Der äußere Ring 26B umgibt einen Bereich, der unter dem oberen Abschnitt 26A liegt, wobei der Bereich im Folgenden als innerer Raum des Formrahmens 26 bezeichnet wird. Somit liegen die Dies 22 und die Trennfolie 27 in dem inneren Raum des Formrahmens 26. Der Formrahmen 26 kann aus Aluminium, rostfreiem Stahl, Keramik etc. ausgebildet sein. Die unteren Enden des äußeren Rings 26B können in Kontakt mit der oberen Fläche des Trägers 20 sein, so dass der innere Raum des Formrahmens 26 versiegelt ist. Alternativ sind die unteren Enden des äußeren Rings 26B gegen die Trennfolie 27 gepresst, die auch gegen den darunter liegenden Formrahmen 126 gepresst ist.
  • In manchen Ausführungsformen ist der Formrahmen 126, wie in 1 gezeigt ist, der ein unterer Formrahmen ist, unter dem Formrahmen 26 angeordnet. Die Formrahmen 26 und 126 können zusammen zum Gießen der Gehäusestruktur 10 verwendet werden. Der untere Formrahmen 126 muss in manchen anderen Ausführungsformen nicht verwendet werden. In diesen Ausführungsformen ist der untere Rand des äußeren Rings 26B gegen Randbereiche des Trägers 20 platziert.
  • 8 zeigt eine Draufsicht einer Spritzpress-Vorrichtung auf Waferebene 100, in Übereinstimmung mit manchen Ausführungsformen, wobei die Draufsicht von der horizontalen Ebene erhalten ist, die die Linie 8-8 in 1 enthält. Wie in 8 gezeigt ist, hat der Träger 20 eine kreisförmige (runde) Form in der Draufsicht. Dies 22 sind in einer Mehrzahl von Reihen und Spalten angeordnet, die durch Lücken (Wege) getrennt sind, die sich auch in X- und Y-Richtung erstrecken und die zu einander rechtwinklig sind. Ein mittlerer Weg 24 ist an einem Durchmesser 25 des Trägers 20 ausgerichtet. Somit sind die Wege (in X-Richtung), die auf den entgegengesetzten Seiten und parallel zu dem mittleren Weg 24 sind, kürzer als der mittlere Weg 24.
  • 8 zeigt weiter die Einlassöffnung 30 und die Entlüftungsöffnung 32, die auf entgegengesetzten Seiten des Formrahmens 26 liegen. In Übereinstimmung mit manchen Ausführungsformen sind die Einlassöffnung 30 und die Entlüftungsöffnung 32 an entgegengesetzten Enden des mittleren Weges 24 ausgerichtet und mit ihnen verbunden. Die Einlassöffnung 30 und die Entlüftungsöffnung 32 umfassen Öffnungen auf dem äußeren Ring 26B des Formrahmens 26.
  • Das Einführen bzw. Einspritzen der Formmasse wird, in Übereinstimmung mit den Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung, mittels einer Formmassen-Verteilungseinrichtung ausgeführt, wie in 7A, 7B und 7C gezeigt ist. 7A zeigt eine Schnittansicht der Formmassen-Verteilungseinrichtung 40, in Übereinstimmung mit manchen beispielhaften Ausführungsformen. Die Formmassen-Verteilungseinrichtung 40 kann eine Formmassen-Führungseinrichtung 42 an der Vorderseite, einen Speicher 44 hinter der Formmassen-Führungseinrichtung 42 und einen Kolben 48 umfassen, der so konfiguriert ist, dass er sich in dem Speicher 44 bewegt. Der Speicher 44 kann in manchen Ausführungsformen ein Rohr sein. Formmasse 46 ist in dem Speicher 44 angeordnet, bevor das Spritzpressverfahren beginnt. In Übereinstimmung mit manchen Ausführungsformen ist die Formmasse 46 ein Festkörper, der erwärmt wird, um eine Flüssigkeit zu werden, bevor das Spritzpressverfahren beginnt. In alternativen Ausführungsformen ist die Formmasse 46 eine Flüssigkeit und wird in den Speicher 44 eingeführt, bevor das Spritzpressverfahren beginnt.
  • 7B zeigt eine Perspektivansicht der Formmassen-Führungseinrichtung 42, in Übereinstimmung mit manchen Ausführungsformen. Die Formmassen-Führungseinrichtung 42 kann Randabschnitte 42B umfassen, die Dämme auf entgegengesetzten Seiten bilden und einen Kanal 42C dazwischen lassen. Der Boden des Kanals 42C hat eine obere Fläche 42C', die über die obere Fläche des Speichers 44 (7A) angehoben ist. Während des Einführens der Formmasse 46 fließt Formmasse 46 in die Richtung, die durch den Pfeil 50 angezeigt ist. Die Formmasse 46 fließt beispielsweise zuerst nach oben über die obere Fläche 42C' und dann nach unten durch die vordere Seitenwand 42D der Formmassen-Führungseinrichtung 42. Die vordere Seitenwand 42D kann in manchen Ausführungsformen geneigt sein, wobei die geneigte Seitenwand 42D nicht rechtwinklig zu den oberen Flächen der Randabschnitte 42B ist. In alternativen Ausführungsformen ist die vordere Seitenwand 42D ein vertikaler Rand, der rechtwinklig zu den oberen Flächen der Randabschnitte 42B ist. In diesen Ausführungsformen ist der vertikale vordere Rand auch die vordere Seitenwand. Die vertikale vordere Seitenwand ist in 7A schematisch durch eine gestrichelte Linie gezeigt, die mit 42D' gekennzeichnet ist.
  • Die vordere Seitenwand 42D hat einen vorderen Rand 42A, der gekrümmt ist. Darüber hinaus bildet, wie in 8 gezeigt ist, wenn die Formmassen-Führungseinrichtung 42 in die Einlassöffnung 30 des Formrahmens 26 eingeführt wird, der vordere Rand 42A einen Teil des Kreises des inneren Randes 26B1 (man beziehe sich auch auf 10 und 11) des äußeren Rings 26B (des Formrahmens 26), um einen Kreis zu bilden. In Übereinstimmung mit manchen Ausführungsformen sind die Krümmung und der Radius R2 (7B und 7C) des vorderen Randes 42A im Wesentlichen gleich der entsprechenden Krümmung und des entsprechenden Radius' R1 (8) des inneren Randes 26B1 des äußeren Rings 26B. Der Unterschied zwischen dem Radius R1 und R2 ist beispielsweise kleiner als beide Radien R1 und R2.
  • 7B zeigt eine Formmassen-Führungseinrichtung mit mehreren Rinnen 42, wobei an der Vorderseite eine Mehrzahl von Trennstücken 42E von der geneigten Seitenwand 42D angehoben sind, um den Kanal in eine Mehrzahl von Unterkanälen zu teilen (damit die Formmasse hindurchfließen kann). 7C zeigt eine alternative Ausführungsform, bei der es einen einzigen Kanal gibt und keine Trennstücke ausgebildet sind.
  • Wie in 7B und 7C gezeigt ist, umfasst der Kanal der Formmassen-Führungseinrichtung mit mehreren Rinnen 42 einen flachen Abschnitt mit einer Tiefe D1 und einen tieferen Abschnitt mit einer Tiefe D2, die größer als D1 ist. Der tiefere Abschnitt ist mit dem flachen Abschnitt verbunden, wobei der flache Abschnitt zwischen dem tieferen Abschnitt und dem inneren Raum des Formrahmens 26 (8) liegt. Die Tiefe D1 ist so entworfen, dass nach dem Spritzpressverfahren der Abschnitt der Formmasse mit einer Dicke gleich D1 leicht gebrochen werden kann.
  • 8 zeigt auch einen Entlüftungsriegel 52, der an der Entlüftungsöffnung 32 liegt. Der Entlüftungsriegel 52 ist so entworfen, dass er gehoben (wie in 2 gezeigt) und gesenkt (wie in 4 gezeigt) werden kann. In der gehobenen Position sperrt der Entlüftungsriegel 52 die Entlüftungsöffnung 32 nicht und daher kann Luft aus dem inneren Raum des Formrahmens 26 evakuiert werden. In der gesenkten Position sperrt der Entlüftungsriegel 52 die Entlüftungsöffnung 32, um zu verhindern, dass Formmasse durch die Entlüftungsöffnung heraus fließt. Wie in 8 gezeigt ist, hat der Entlüftungsriegel 52 eine innere Seitenwand 52A, die gekrümmt oder gerade sein kann, wenn sie in der Draufsicht betrachtet wird, wie in 8 gezeigt ist. In Übereinstimmung mit manchen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung bildet die innere Seitenwand 52A einen Teil des Kreises des inneren Randes 26B1 (man beziehe sich auch auf 9 und 10) des äußeren Rings 26 (des Formrahmens 26). In Übereinstimmung mit manchen beispielhaften Ausführungsformen sind die Krümmung und der Radius der inneren Seitenwand 52A gleich der entsprechenden Krümmung und dem entsprechenden Radius R1 des inneren Randes 26B1 des äußeren Rings 26B (8). Somit bilden der vordere Rand 42A der Formmassen-Führungseinrichtung 42, der innere Rand 26B1 des Formrahmens 26 und die Seitenwand 52A zusammen im Wesentlichen einen vollen Kreis.
  • Des Weiteren umfasst, wie in 8 gezeigt ist, der innere Rand 26B1 des äußeren Rings 26B Abschnitte auf den entgegengesetzten Seiten des Entlüftungsriegels 52. Diese Abschnitte (als 26B1' bezeichnet) des inneren Randes 26B1 sind auch gekrümmt.
  • Bezieht man sich wieder auf 1, sind die Einlassöffnung 30 und die Entlüftungsöffnung 32 als die Öffnungen des äußeren Rings 26B ausgebildet, wobei die Einlassöffnung 30 und die Entlüftungsöffnung 32 den inneren Raum des Formrahmens 26 mit dem äußeren Raum außerhalb des Formrahmens 26 verbinden.
  • 2 zeigt das Einführen eines Teils der Formmassen-Verteilungseinrichtung 40 in die Einlassöffnung 30. Nach dem Einführen der Formmassen-Führungseinrichtung 42 in die Einlassöffnung 30 ist die Einlassöffnung 30 im Wesentlichen durch die Formmassen-Verteilungseinrichtung 40 versiegelt. Die oberen Flächen der Randabschnitte 42B ( 7B und 7C) der Formmassen-Führungseinrichtung 42 können beispielsweise in Kontakt mit den unteren Flächen der Trennfolie 27 sein, wenn die Formmassen-Führungseinrichtung 42 in die Einlassöffnung 30 eingeführt ist. Die Position des vorderen Randes 42A fügt sich in die innere Seitenwand 26B1 (in 2 nicht sichtbar, man beziehe sich auf 8) des äußeren Rings 26B, um einen Kreis zu bilden. Zu diesem Zeitpunkt ist die Entlüftungsöffnung 32 offen.
  • Als nächstes wird der innere Raum des Formrahmens 26 durch die Entlüftungsöffnung 32 evakuiert. Der Druck des inneren Raums des Formrahmens 26 kann in manchen Ausführungsformen niedriger als etwa 1 Torr oder niedriger als etwa 100 mTorr sein. An der Entlüftungsöffnung 32 ist der Entlüftungsriegel 52 angehoben, so dass die Entlüftungsöffnung 32 offen ist und die Luft in dem inneren Raum des Formrahmens 26 extrahiert werden kann.
  • Wenn der Druck des inneren Raums des Formrahmens 26 auf einen vorbestimmten Pegel verringert wurde, beispielsweise niedriger als etwa 1 Torr oder 100 mTorr, wird das Spritzpressen der Gehäusestruktur 10 gestartet. Der Kolben 48 wird nach vorne gedrückt, um Formmasse 46 in den inneren Raum des Formrahmens 26 zu drücken. Formmasse 46 fließt durch die Wege (8) zwischen den Vorrichtungs-Dies 22 und fließt zu der Entlüftungsöffnung 32, wie in 3 gezeigt ist. An der Einlassöffnung 30 fließt Formmasse 46 in der Richtung, die durch den Pfeil 50 angezeigt ist. Formmasse 46 fließt beispielsweise zuerst nach oben über die Formmassen-Führungseinrichtung 42 und dann nach unten entlang des vorderen Randes 42A und in den Hauptweg 24 (8). Von dem Hauptweg 24, wie in 8 gezeigt, verteilt sich die Formmasse 46 zu allen anderen Wegen zwischen den Vorrichtungs-Dies 22.
  • Mit Bezug auf 4 wird, zu einem Zeitpunkt, an dem die Vorderseite der Formmasse 46 in der Nähe der Entlüftungsöffnung 32 ist, beispielsweise wenn die Vorderseite der Formmasse 46 den Vorrichtungs-Die 22 erreicht, der am nächsten an der Entlüftungsöffnung 32 liegt, der Entlüftungsriegel 52 gesenkt, um die Entlüftungsöffnung 32 zu sperren. Die Trennfolie 27, die flexibel ist, wird auch nach unten gedrückt. Das Sperren der Entlüftungsöffnung 32 verhindert, dass Formmasse 46 in die Entlüftungsöffnung 32 fließt. Wie in 8 gezeigt ist, ist, nachdem der Entlüftungsriegel 52 gesenkt wurde, der innere Raum des Formrahmens 26 durch der Formrahmen 26, den vorderen Rand 42A und die Seitenwand 52A des Entlüftungsriegels 52 definiert, und hat daher eine vollständig kreisförmige Form in der Draufsicht.
  • Da der innere Raum des Formrahmens evakuiert ist, fährt die Formmasse 46 fort, nachdem der Entlüftungsriegel 52 die Entlüftungsöffnung 32 gesperrt hat, wobei der Kolben 48 weiterhin nach vorne gedrückt wird, nach vorne zu fließen, bis der gesamte innere Raum des Formrahmens 26 mit Formmasse 46 gefüllt ist. Die sich ergebende Struktur ist in 5 gezeigt. Danach wird die Formmasse 46 beispielsweise in einem thermischen Aushärteverfahren ausgehärtet und die Formmasse 46 verfestigt sich.
  • Nach dem Verfestigen der Formmasse 46 wird der Formrahmen 26 von der spritzgepressten Gehäusestruktur 10 zusammen mit der Formmassen-Verteilungseinrichtung 40 und dem Entlüftungsriegel 52 entfernt. Die Trennfolie 27 wird auch entfernt. Ein vorteilhaftes Merkmal der Verwendung einer Formmassen-Führungseinrichtung 42 in Übereinstimmung mit den Ausführungsformen liegt darin, dass an der Einlassöffnung 30 eine dünne Formmassenschicht 46A ausgebildet wird, um mit dem Hauptabschnitt der Formmasse 46 verbunden zu werden, wobei der Hauptabschnitt eine in der Draufsicht runde Form hat. Der dünne Formmassen-Abschnitt 46A kann leicht während oder nach dem Entfernen der Formmassen-Verteilungseinrichtung 40 gebrochen werden, ohne den Hauptabschnitt der Formmasse 46 zu beschädigen. Die sich ergebende spritzgepresste Gehäusestruktur 10 ist in 11 gezeigt. Überall in der Beschreibung wird die Struktur, die die Vorrichtungs-Dies 22 und die Formmasse 46 umfasst, als Verbindungswafer 54 bezeichnet. Eine Schnittansicht des Verbindungswafers 54 ist in 12 gezeigt. In nachfolgenden Schritten wird der Verbindungswafer 54 als Wafer behandelt und Umverteilungsleitungen (nicht gezeigt) können ausgebildet werden, um mit elektrischen Anschlussteilen 214 verbunden zu werden. Die Umverteilungsleitungen können die Formmasse 46 überlappen, um eine aufgefächerte bzw. „Fan-Out-Struktur“ zu bilden.
  • 6 zeigt das Spritzpressen der Gehäusestruktur 10', in Übereinstimmung mit alternativen Ausführungsformen. In diesen Ausführungsformen ist der Träger 20' ein Wafer, etwa ein Vorrichtungswafer, der eine Mehrzahl von Vorrichtungs-Chips einschließlich aktiver Vorrichtungen (etwa Transistoren) darauf umfasst. Der Vorrichtungswafer 20' kann auch passive Vorrichtungen umfassen, etwa Widerstände, Kondensatoren, Induktionsspulen und/oder Transformatoren. Der Träger 20' kann auch ein Halbleitersubstrat (nicht gezeigt) umfassen, etwa ein Siliziumsubstrat, ein Silizium-Germanium-Substrat, ein Silizium-Kohlenstoff-Substrat oder ein III-V-Verbindungshalbleiter-Substrat. In alternativen Ausführungsformen ist der Träger 20' ein Interposer-Wafer, der frei von aktiven Vorrichtungen ist. In den Ausführungsformen, in denen der Träger 20' ein Interposer-Wafer ist, kann der Träger 20 auch ein Halbleitersubstrat umfassen. Der Interposer-Wafer 20' kann passive Vorrichtungen, wie Widerstände, Kondensatoren, Induktionsspulen und/oder Transformatoren, darauf umfassen, muss es aber nicht. Die Draufsicht des Trägers 20' kann beispielsweise abgerundet sein, wie in 8 gezeigt ist.
  • In diesen Ausführungsformen sind die Vorrichtungs-Dies 22 mit den Dies in dem Wafer 20' über Flip-Chip-Bonding gebondet. Die Vorrichtungs-Dies 22 können im Wesentlichen die gleiche Struktur haben, die in 1 gezeigt ist. In Übereinstimmung mit manchen Ausführungsformen geschieht das Bonden durch Lotmittel-Bereiche 218. In alternativen Ausführungsformen sind die Vorrichtungs-Dies 22 mit dem Wafer 20' durch direktes Metallbonden gebondet, etwa Kupfer-Kupfer-Bonden. Die Rückseiten der Vorrichtungs-Dies 22, die auch die Rückseiten der Halbleitersubstrate der Vorrichtungs-Dies 22 sein können, sind in Kontakt mit der Trennfolie 27.
  • Das Spritzpressverfahren in Übereinstimmung mit diesen Ausführungsformen ist im Wesentlichen das gleiche wie das, das in 1 bis 5 gezeigt ist, und die Details des Spritzpressens der Gehäusestruktur 10' wird hier nicht beschrieben. Der sich ergebende Verbindungswafer 54', der den Vorrichtungswafer 20', die Vorrichtungs-Dies 22, die mit dem Vorrichtungswafer 20' gebondet sind, und die Formmasse 46 umfasst, ist in 13 gezeigt. Da die Rückseiten der Vorrichtungs-Dies 22 durch die Formmasse 46 freigelegt (nicht durch sie bedeckt) sind, ist kein zusätzlicher Verfahrensschritt nötig, um die Formmasse 46 zu schleifen, und daher werden Herstellungskosten eingespart.
  • 11 zeigt eine Draufsicht eines Verbindungswafers 54 oder 54', in Übereinstimmung mit manchen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung. Wie in 11 gezeigt, ist der äußere Rand des Verbindungswafers 54/54', der der äußere Rand der Formmasse 46 ist, ein voller Kreis und der Verbindungswafer 54/54' ist ein abgerundeter Wafer. Somit können die Herstellungswerkzeuge, die Siliziumwafer handhaben, auch den Verbindungswafer 54/54' handhaben und somit können zusätzliche integrierte Herstellungsverfahren, etwa das Ausbilden von Umverteilungsleitungen, auf den Verbindungswafer 54/54' angewendet werden, ohne dass eine Veränderung der Herstellungswerkzeuge nötig wäre. Zum Vergleich existieren, wenn der äußere Rand der Formmassen-Führungseinrichtung 42 (7B und 7C) gerade ist, Abschnitte 46A der Formmasse 46 nicht. Somit können weniger Vorrichtungs-Dies 22 spritzgepresst werden, was zu Verlusten beim Ertrag führt. Des Weiteren müssen, da der sich ergebende Verbindungswafer nicht abgerundet ist, die Herstellungswerkzeuge nicht in der Lage sein, Verbindungswafer zu handhaben, die gerade Ränder haben.
  • Um den Verbindungswafer 54/54' (11) auszurichten kann eine Kerbe 56 in dem Verbindungswafer 54/54' ausgebildet werden. Die Kerbe 56 kann an dem Rand des Verbindungswafers 54/54' ausgebildet werden. In Übereinstimmung mit manchen Ausführungsformen ist die Kerbe 56 von dem Hauptweg 24 (8) der Gehäusestruktur 10 versetzt. Mit anderen Worten ist die Kerbe 56 von der Linie verschoben, die die Einlassöffnung 30 mit der Entlüftungsöffnung 32 verbindet. Wie in 8 gezeigt ist, kann die Kerbe 56 am Durchmesser 58 ausgerichtet sein. In Übereinstimmung mit manchen beispielhaften Ausführungsformen ist der Durchmesser 58 rechtwinklig zum Durchmesser 25, der der Durchmesser ist, der die Einlassöffnung 30 mit der Entlüftungsöffnung 32 verbindet. In alternativen Ausführungsformen kann die Kerbe 56 an jeder anderen Position ausgebildet werden, die von den Durchmessern 25 und 58 verschoben ist. Indem man die Kerbe 56 von dem Durchmesser 25 versetzt, vermeidet man die Möglichkeit, dass der Fluss der Formmasse 46 in dem Spritzpressverfahren gesperrt wird.
  • Das Ausbilden der Kerbe 56 kann wie in 9 gezeigt werden, die eine Schnittansicht zeigt, die von der Ebene erhalten ist, die die Linie 9-9 in 8 enthält. Um die Kerbe 56 auszubilden umfasst der Formrahmen 26 einen Vorsprung 60, der an der Verbindung des oberen Abschnitts 26A und des äußeren Rings 26B des Formrahmens 26 ausgebildet sein kann. Die Trennfolie 27 bedeckt den Vorsprung 60 und ragt auch in den inneren Raum des Formrahmens 26. Im Ergebnis wird die Kerbe 56 in der sich ergebenden Formmasse 46 ausgebildet, nachdem das Spritzpressverfahren beendet ist.
  • Bevor das Spritzpressverfahren in Übereinstimmung mit den Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung in der Massenproduktion verwendet wird, müssen die Prozessparameter des Spritzpressverfahrens eingestellt werden. Die Prozessparameter können die Drückgeschwindigkeit des Kolbens 48 (4), die Viskosität der Formmasse 46, den optimalen Zeitraum zwischen der Startzeit des Einführens der Formmasse und dem Zeitpunkt, den Entlüftungsriegel 52 zu senken (4) etc. umfassen, sind aber nicht darauf beschränkt. Beim Einstellen der Prozessparameter werden Drucksensoren in dem Formrahmen 26 angebracht, um den Druck zu messen. 8 zeigt beispielsweise zwei beispielhafte Drucksensoren 62, die beim Einstellen der Prozessparameter verwendet werden. In Übereinstimmung mit manchen Ausführungsformen sind die Drucksensoren 62 symmetrisch zur Mitte der Gehäusestruktur 10 angeordnet, wie in 8 gezeigt ist. In alternativen Ausführungsformen können die Drucksensoren 62 an Orten angeordnet sein, die asymmetrisch sind.
  • 10 zeigt eine Schnittansicht der Struktur, die in 8 gezeigt ist, wobei die Schnittansicht von der Ebene erhalten ist, die die Linie 10-10 in 8 schneidet. Wie in 10 gezeigt ist, können die Drucksensoren 62 an der unteren Fläche des oberen Abschnitts 26A des Formrahmens 26 befestigt sein. Die Trennfolie 27 bedeckt die Drucksensoren 62, so dass die Drucksensoren 62 nicht an der Formmasse 46 haften. Des Weiteren liegen die Drucksensoren 62 nicht direkt über den Dies 22, so dass die Drucksensoren 62 verwendet werden können, um den Druck der Formmasse zu messen. In manchen beispielhaften Ausführungsformen können die Drucksensoren 62 verwendet werden, um zu messen, wann die Formmasse 46 zu den Drucksensoren 62 fließt. Während der Massenproduktion des Verbindungswafers 54/54' in der realen Fertigung können die Drucksensoren 62 von dem Formrahmen 26 entfernt werden.
  • Die Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung haben einige vorteilhafte Merkmale. Indem der vordere Rand der Formmassen-Führungseinrichtung gekrümmt entworfen ist, hat der sich ergebende Verbindungswafer, der in dem zugehörigen Spritzpressverfahren ausgebildet wird, einen vollständig runden Rand, wie ein typischer Siliziumwafer. Vorteilhaft kann der sich ergebende Verbindungswafer auf die gleiche Weise gehandhabt werden wie typische Siliziumwafer, ohne zusätzliche Schwierigkeiten in dem Verfahren. Weiter ist es möglich, indem der vordere Rand der Formmassen-Führungseinrichtung gekrümmt ist, einige zusätzliche Vorrichtungs-Dies einzugießen und daher wird der Ertrag des Spritzpressverfahrens verbessert.
  • In Übereinstimmung mit manchen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung umfasst eine Vorrichtung einen Formrahmen, der einen oberen Abschnitt und einen äußeren Ring mit einer Ringform umfasst. Der äußere Ring liegt unter einem Rand des oberen Abschnitts und ist mit ihm verbunden. Der äußere Ring hat eine Einlassöffnung und eine Entlüftungsöffnung. Eine Formmassen-Führungseinrichtung ist so konfiguriert, dass sie in die Einlassöffnung eingeführt werden kann. Die Formmassen-Führungseinrichtung umfasst eine vordere Seitenwand, die einen gekrümmten vorderen Rand hat.
  • In Übereinstimmung mit alternativen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung umfasst eine Vorrichtung einen Formrahmen, der einen äußeren Ring mit einer Ringform aufweist. Der äußere Ring hat eine Einlassöffnung und eine Entlüftungsöffnung, die an einem Durchmesser des äußeren Rings ausgerichtet sind. Die Einlassöffnung und die Entlüftungsöffnung verbinden einen inneren Raum, der von dem äußeren Ring umgeben ist, mit einem Raum außerhalb des äußeren Rings. Eine Formmassen-Führungseinrichtung ist so konfiguriert, dass sie in die Einlassöffnung eingeführt werden kann. Die Formmassen-Führungseinrichtung hat einen Kanal zu dem inneren Raum und eine vordere Seitenwand, die dem inneren Raum zugewandt ist, wobei die vordere Seitenwand gekrümmt ist.
  • In Übereinstimmung mit noch alternativen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung umfasst ein Verfahren das Anordnen einer Trennfolie auf einer Innenfläche eines Formrahmens, wobei der Formrahmen einen oberen Abschnitt und einen äußeren Ring mit einer Ringform umfasst. Der äußere Ring liegt unter einem Rand des oberen Abschnitts und ist mit ihm verbunden. Der äußere Ring umfasst eine Einlassöffnung und eine Entlüftungsöffnung. Das Verfahren umfasst weiter das Anordnen des Formrahmens und der Trennfolie über einer Gehäusestruktur, wobei der äußere Ring die Gehäusestruktur umgibt. Eine Formmassen-Führungseinrichtung wird in die Einlassöffnung eingeführt, wobei die Formmassen-Führungseinrichtung einen Kanal umfasst, der mit einem inneren Raum verbunden ist, der von dem äußeren Ring umgeben ist, und eine vordere Seitenwand, die dem inneren Raum zugewandt ist, wobei die vordere Seitenwand einen gekrümmten vorderen Rand hat, der an einem inneren Rand des äußeren Rings des Formrahmens ausgerichtet ist.
  • Das Vorangegangene beschreibt Merkmale von mehreren Ausführungsformen, so dass der Fachmann die Aspekte der vorliegenden Offenbarung besser verstehen kann.

Claims (16)

  1. Vorrichtung zum Ausbilden eines Verbindungswafers (54, 54'), dessen äußerer Rand ein voller Kreis ist, der durch eine Formmasse (46) gebildet ist, wobei die Vorrichtung, Folgendes aufweist: einen Formrahmen (26), der Folgendes aufweist: einen oberen Abschnitt (26A); und einen äußeren Ring (26B) mit einer Ringform, wobei der äußere Ring unter einem Rand des oberen Abschnitts liegt und mit ihm verbunden ist, wobei der äußere Ring (26B) einen inneren Rand (26B1) aufweist, der einem inneren Raum zugewandt ist, der von dem äußeren Ring umgeben ist, und wobei der äußere Ring eine Einlassöffnung (30) und eine Entlüftungsöffnung (32) aufweist; und eine Formmassen-Führungseinrichtung (42), die so konfiguriert ist, dass sie in die Einlassöffnung eingeführt werden kann, wobei die Formmassen-Führungseinrichtung eine vordere Seitenwand (42D) aufweist, die einen gekrümmten vorderen Rand aufweist und die sich in den inneren Rand (26B1) des äußeren Rings (26B) einfügt, um den vollen Kreis zu bilden.
  2. Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei der äußere Ring einen ersten Radius (R1) hat und wobei der gekrümmte vordere Rand (42A) der vorderen Seitenwand (42D) der Formmassen-Führungseinrichtung einen zweiten Radius (R2) hat, wobei der Unterschied zwischen dem ersten und dem zweiten Radius kleiner als der erste und als der zweite Radius ist.
  3. Vorrichtung nach einem der vorangegangenen Ansprüche, wobei die vordere Seitenwand (42D) der Formmassen-Führungseinrichtung eine geneigte Seitenwand oder eine vertikale Seitenwand ist.
  4. Vorrichtung nach einem der vorangegangenen Ansprüche, wobei der Formrahmen weiter einen Vorsprung (60) an einer Verbindung des oberen Abschnitts und des äußeren Rings des Formrahmens aufweist und der Vorsprung gegenüber einem Durchmesser (25) des Formrahmens versetzt ist, der die Einlassöffnung (30) mit der Entlüftungsöffnung (32) verbindet.
  5. Vorrichtung nach einem der vorangegangenen Ansprüche, wobei die Formmassen-Führungseinrichtung (42) so konfiguriert ist, dass sie die Einlassöffnung (30) dicht verschließt.
  6. Vorrichtung nach einem der vorangegangenen Ansprüche die weiter einen Entlüftungsriegel (52) aufweist, der so konfiguriert ist, dass er die Entlüftungsöffnung (32) sperrt, wenn der Entlüftungsriegel in einer herabgelassenen Position ist, wobei der Entlüftungsriegel einen gekrümmten Rand aufweist, der einem inneren Raum des Formrahmens zugewandt ist.
  7. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Formmassen-Führungseinrichtung Folgendes aufweist: einen Kanal (42C), der mit dem inneren Raum verbunden ist.
  8. Vorrichtung nach Anspruch 6, wobei eine innere Seitenwand (52A) des Entlüftungsriegels an einem inneren Rand (26B1) des äußeren Rings ausgerichtet ist, wobei die innere Seitenwand des Entlüftungsriegels einen zweiten Radius hat und der innere Rand des äußeren Rings einen ersten Radius hat, wobei der Unterschied zwischen dem ersten und dem zweiten Radius kleiner als der erste und als der zweite Radius ist.
  9. Vorrichtung nach Anspruch 6, wobei Abschnitte des inneren Randes (26B1') des äußeren Rings auf entgegengesetzten Seiten der Entlüftungsöffnung gekrümmt sind.
  10. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 7 bis 9, wobei der Kanal (42C) einen flachen Abschnitt (42C') und einen tiefen Abschnitt aufweist, der tiefer als der flache Abschnitt (42C') ist, wobei der tiefe Abschnitt mit dem flachen Abschnitt (42C') verbunden ist.
  11. Verfahren zum Ausbilden eines Verbindungswafers (54', 54), dessen äußerer Rand ein voller Kreis ist, der durch eine Formmasse (46) gebildet ist, wobei das Verfahren Folgendes umfasst: Anordnen einer Trennfolie (27) auf einer inneren Fläche eines Formrahmens (26), wobei der Formrahmen Folgendes aufweist: einen oberen Abschnitt (26A); und einen äußeren Ring (26B), der eine Ringform hat, wobei der äußere Ring unter einem Rand des oberen Abschnitts liegt und mit ihm verbunden ist und der äußere Ring eine Einlassöffnung (30) und eine Entlüftungsöffnung (32) aufweist; Anordnen des Formrahmens und der Trennfolie über einer Gehäusestruktur, wobei der äußere Ring die Gehäusestruktur umgibt; und Einführen einer Formmassen-Führungseinrichtung (42) in die Einlassöffnung (30), wobei die Formmassen-Führungseinrichtung Folgendes aufweist: einen Kanal (42C), der mit einem inneren Raum verbunden ist, der von dem äußeren Ring umgeben ist; und eine vordere Seitenwand (42D), die dem inneren Raum zugewandt ist, wobei die vordere Seitenwand einen gekrümmten vorderen Rand hat, der an einem inneren Rand (26B1) des äußeren Rings des Formrahmens ausgerichtet ist, wobei sich die vordere Seitenwand in den inneren Rand (26B1) des äußeren Ringes (26B) einfügt, um den vollen Kreis zu bilden.
  12. Verfahren nach Anspruch 11, das weiter das Einführen einer Formmasse (46) in den inneren Raum durch den Kanal (42C) umfasst.
  13. Verfahren nach Anspruch 11 oder 12, wobei die Gehäusestruktur (10) Folgendes aufweist: einen Träger (20); und eine Mehrzahl von Vorrichtungs-Dies (22) über dem Träger, wobei die Mehrzahl von Vorrichtungs-Dies als eine Mehrzahl von Reihen und Spalten mit Wegen angeordnet ist, die die Mehrzahl von Reihen und Spalten trennen, und wobei nach dem Anordnen des Formrahmens (26) die Einlassöffnung (30) und die Entlüftungsöffnung (32) an einem der Wege ausgerichtet sind.
  14. Verfahren nach Anspruch 13, das weiter Folgendes aufweist: Befestigen eines Drucksensors an einer unteren Fläche des oberen Abschnitts (26A) des Formrahmens, wobei der Drucksensor nicht direkt über einem der oberen Vorrichtungs-Dies (22) der Gehäusestruktur liegt.
  15. Verfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 14, wobei der Formrahmen (26) einen Vorsprung (60) an einer Verbindung des oberen Abschnitts und des äußeren Randes aufweist, wobei der Vorsprung von einer Linie (25) versetzt ist, die die Einlassöffnung (30) und die Entlüftungsöffnung (32) verbindet.
  16. Verfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 15, das weiter das Senken eines Entlüftungsriegels (52) umfasst, um die Entlüftungsöffnung (32) zu sperren, wobei der Entlüftungsriegel eine gekrümmte innere Seitenwand aufweist.
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