DE102013202972A1 - Anreicherungsbetrieb einer GaN-HEMT-Vorrichtung mit einem GATE-Abstandshalter sowie Verfahren zu deren Herstellung - Google Patents
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- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 105
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract description 105
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 78
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 title claims abstract description 42
- 239000000872 buffer Substances 0.000 title claims abstract description 24
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 title claims abstract description 22
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims abstract description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 14
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 title abstract description 43
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 title abstract description 40
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title description 5
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 claims abstract description 29
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 13
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 7
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 24
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910004166 TaN Inorganic materials 0.000 claims 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910008812 WSi Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims 2
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 claims 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 claims 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 12
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 11
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 9
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 8
- 238000004151 rapid thermal annealing Methods 0.000 description 8
- GLGNXYJARSMNGJ-VKTIVEEGSA-N (1s,2s,3r,4r)-3-[[5-chloro-2-[(1-ethyl-6-methoxy-2-oxo-4,5-dihydro-3h-1-benzazepin-7-yl)amino]pyrimidin-4-yl]amino]bicyclo[2.2.1]hept-5-ene-2-carboxamide Chemical compound CCN1C(=O)CCCC2=C(OC)C(NC=3N=C(C(=CN=3)Cl)N[C@H]3[C@H]([C@@]4([H])C[C@@]3(C=C4)[H])C(N)=O)=CC=C21 GLGNXYJARSMNGJ-VKTIVEEGSA-N 0.000 description 6
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229940125758 compound 15 Drugs 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 5
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 5
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N tungsten disilicide Chemical compound [Si]#[W]#[Si] WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021342 tungsten silicide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 230000005533 two-dimensional electron gas Effects 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
- H01L29/66446—Unipolar field-effect transistors with an active layer made of a group 13/15 material, e.g. group 13/15 velocity modulation transistor [VMT], group 13/15 negative resistance FET [NERFET]
- H01L29/66462—Unipolar field-effect transistors with an active layer made of a group 13/15 material, e.g. group 13/15 velocity modulation transistor [VMT], group 13/15 negative resistance FET [NERFET] with a heterojunction interface channel or gate, e.g. HFET, HIGFET, SISFET, HJFET, HEMT
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/778—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/778—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface
- H01L29/7786—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface with direct single heterostructure, i.e. with wide bandgap layer formed on top of active layer, e.g. direct single heterostructure MIS-like HEMT
- H01L29/7787—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface with direct single heterostructure, i.e. with wide bandgap layer formed on top of active layer, e.g. direct single heterostructure MIS-like HEMT with wide bandgap charge-carrier supplying layer, e.g. direct single heterostructure MODFET
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/10—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode not carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
- H01L29/1066—Gate region of field-effect devices with PN junction gate
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- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
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- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/20—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds
- H01L29/2003—Nitride compounds
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- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/402—Field plates
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
Eine GaN-Vorrichtung für den Anreicherungsbetrieb mit einem Gate-Abstandshalter, einem Gatemetallmaterial und einer Gateverbindung, welche selbstausrichtend sind, sowie ein Verfahren zu deren Herstellung. Die Materialien werden strukturiert und geätzt unter Verwendung einer einzigen Fotomaske, was die Herstellungskosten verringert. Die Schnittstelle des Gate-Abstandshalters und der Gateverbindung weist eine geringere Leckrate auf als die Schnittstelle eines dielektrischen Films und der Gateverbindung, wodurch die Gate-Leckrate reduziert wird. Zusätzlich wird eine ohmsche Kontaktmetallschicht als Feldplatte verwendet, um das elektrische Feld an der zum Abflusskontakt hin gerichteten Ecke einer dotierten III-V-Gateverbindung zu reduzieren, was zu einem geringeren Gate-Leckstrom und einer verbesserten Gatezuverlässigkeit führt.
Description
- GEBIET DER ERFINDUNG
- Die vorliegende Erfindung betrifft das Gebiet des Anreicherungsbetriebs von Galliumnitrid(GaN)-Transistorvorrichtungen hoher Elektronenmobilität (HEMT). Im Einzelnen betrifft die Erfindung ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Vorsehen einer HEMT-Vorrichtung mit einem Gate-Abstandshalter für den Anreicherungsbetrieb.
- HINTERGRUND DER ERFINDUNG
- Galliumnitrid(GaN)-Halbleitervorrichtungen sind aufgrund ihres Vermögens hohe Ströme zu führen und hohen Spannungen zu widerstehen zunehmend als Halbleiter-Leistungsvorrichtungen gefragt. Die Entwicklung dieser Vorrichtungen ist allgemein auf das Erzielen von Hochleistungs-/Hochfrequenzanwendungen abgestellt worden. Für diese Arten von Anwendungen gefertigte Vorrichtungen basieren auf allgemeinen Vorrichtungsstrukturen welche eine hohe Elektronenmobilität aufweisen und werden verschiedentlich bezeichnet als Heterojunction-Feldeffekttransistoren (HFET), Transistoren hoher Elektronenmobilität (HEMT) oder modulationsdotierte Feldeffekt-Transistoren (MODFET).
- Eine GaN-HEMT-Vorrichtung umfasst einen Nitridhalbleiter mit mindestens zwei Nitridschichten. Verschiedene auf den Halbleiter oder auf eine Pufferschicht gebildete Materialien bewirken verschiedene Bandlücken der Schichten. Das unterschiedliche Material in den benachbarten Nitridschichten bewirkt auch eine Polarisation, welche zu einem leitenden zweidimensionalen Elektronengasbereich (2DEG-Bereich) in der Nähe der Verbindungsstelle der zwei Schichten, spezifisch in der Schicht mit der engeren Bandlücke beiträgt.
- Die eine Polarisation verursachenden Nitridschichten umfassen typischerweise eine Sperrschicht aus AlGaN, welche einer Schicht aus AlGaN benachbart ist, und umfassen das 2DEG, wodurch ein Fließen der Ladung durch die Vorrichtung ermöglicht wird. Diese Sperrschicht kann dotiert oder nicht dotiert sein. Weil der 2DEG-Bereich unterhalb des Gates bei einer Null-Gatevorspannung besteht, sind die meisten Nitridvorrichtungen normalerweise an oder sind Verarmungsbetriebsvorrichtungen. Falls der 2DEG-Bereich unterhalb des Gates bei angelegter Null-Vorspannung verarmt, d. h. entfernt ist, kann diese Vorrichtung eine Vorrichtung für den Anreicherungsbetrieb sein. Vorrichtungen für den Anreicherungsbetrieb sind normalerweise aus und sind zweckmäßig aufgrund der zusätzlichen Sicherheit die sie bieten und weil sie mit einfachen wirtschaftlichen Antriebsschaltungen leichter zu steuern sind. Eine Anreicherungsbetriebsvorrichtung benötigt eine an das Gate angelegte positive Vorspannung um Strom zu leiten.
- Bei üblichen GaN-Transistoren für den Anreicherungsbetrieb werden das Gatemetall und das GaN-Material vom p-Typ oder das AlGaN-Material vom p-Typ durch Verwendung getrennter Fotomasken begrenzt. Zum Beispiel zeigt
1 (Stand der Technik) das Gatemetall und das Gate-pGaN, die mit zwei verschiedenen Fotomasken bearbeitet worden sind.1 zeigt eine übliche GaN-Transistorvorrichtung100 für den Anreicherungsbetrieb, welche ein Substrat101 , das entweder Saphir oder Silicium sein kann, Übergangsschichten102 , nicht dotiertes GaN-Material103 , nicht dotiertes AlGaN-Material104 , ohmsches Quellen-Kontaktmetall109 , ohmsches Abfluss-Kontaktmetall110 , p-Typ-AlGaN- oder p-Typ-GaN-Material105 , stark dotiertes p-Typ-GaN-Material106 und Gatemetall111 umfasst. - Wie in
1 gezeigt, werden das Gatemetall, das p-Typ-GaN- oder p-Typ-AlGaN-Material durch zwei getrennte Fotomasken abgegrenzt. Die erste Maske wird zur Bildung des p-Typ-GaN oder p-Typ-AlGaN, entweder durch Strukturieren einer harten Maske und selektives Wachstum des p-Typ-GaN oder durch Strukturieren und Ätzen des p.Typ-GaN verwendet. Die zweite Maske wird zur Bildung des Gatemetalls, entweder durch Strukturieren und Abheben des Gatemetalls oder durch Strukturieren und Ätzen des Gatemetalls verwendet. Das Zweimaskenverfahren führt zu einer breiteren Gatelänge als Foto-/Ätz-Minimum-CD. Dies bewirkt eine hohe Gateladung, einen breiteren Zellenabstand und einen höheren Rdson („Ein-Widerstand”). Auch erhöht die übliche Verfahrensweise bei der Fertigung die Herstellungskosten. Ein weiterer Nachteil liegt darin, dass das höhere elektrische Feld sich an der Ecke des Gates des p-Typ-GaN-Materials oder p-Typ-AlGaN-Materials befindet, die zum ohmschen Abfluss-Kontaktmetall hin gerichtet ist. Dieses hohe elektrische Feld führt zu hohem Gate-Leckstrom und Zuverlässigkeitsrisiko des Gates. - Es wäre zweckmäßig, eine GaN-Transistorstruktur für den Anreicherungsbetrieb mit einem selbstausrichtenden Gate vorzusehen, welche die vorstehend erwähnten Nachteile des Standes der Technik vermeidet. Es wäre auch zweckmäßig, ein Merkmal vorzusehen, welches das hohe elektrische Feld an der Ecke des Gates des p-Typ-GaN oder -AlGaN verringert.
- KURZBESCHREIBUNG DER ERFINDUNG
- Hier offenbarte Ausführungsformen betreffen GaN-Transistoren für den Anreicherungsbetrieb, mit einem Gate-Abstandshalter, einem Gatemetallmaterial und einer Gateverbindung, die selbstausrichtend sind, sowie ein Verfahren zu deren Bildung. Die Materialien werden unter Verwendung einer einzigen Fotomaske strukturiert und geätzt, was die Herstellungskosten verringert: Eine Schnittfläche des Gate-Abstandshalters, und der Gateverbindung weist eine geringere Leckrate auf als die Schnittfläche eines dielektrischen Films und der Gateverbindung, wodurch die Gate-Leckrate verringert wird. Zusätzlich wird eine Metallschicht mit ohmschem Kontakt als Feldplatte zur Verringerung des elektrischen Feldes an einer zum Abflusskontakt hin gerichteten Ecke der dotierten III-V-Gateverbindung verwendet, was zu einem verringerten Gate-Leckstrom und einer höheren Zuverlässigkeit des Gates führt.
- KURZBESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
-
1 zeigt eine Querschnittsansicht eines üblichen GaN-Transistors für den Anreicherungsbetrieb. -
2 zeigt eine GaN-HEMT-Vorrichtung für den Anreicherungsbetrieb, mit einem Gate-Abstandshalter, der gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden, hier beschriebenen Erfindung ausgebildet ist. -
3A –3H zeigen schematisch die Bildung einer GaN-HEMT-Vorrichtung für den Anreicherungsbetrieb, gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. -
4 zeigt eine GaN-HEMT-Vorrichtung für den Anreicherungsbetrieb, mit einem Gate-Abstandshalter, der gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ausgebildet ist. -
5A –5G zeigen schematisch die Bildung der GaN-HEMT-Vorrichtung für den Anreicherungsbetrieb, gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. -
6 zeigt eine GaN-HEMT-Vorrichtung für den Anreicherungsbetrieb, mit einem Gate-Abstandshalter, der gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ausgebildet ist. -
7A –7H zeigen schematisch die Bildung der GaN-HEMT-Vorrichtung für den Anreicherungsbetrieb, gemäß der dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. -
8 zeigt eine GaN-HEMT-Vorrichtung für den Anreicherungsbetrieb, mit einem Gate-Abstandshalter, der gemäß einer vierten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ausgebildet ist. -
9A –9G zeigen schematisch die Bildung der GaN-HEMT-Vorrichtung für den Anreicherungsbetrieb, gemäß der vierten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. - DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMEN
- In der folgenden detaillierten Beschreibung wird auf bestimmte Ausführungsformen Bezug genommen. Diese Ausführungsformen werden mit ausreichendem Detail beschrieben, um den Fachleuten deren Ausführung zu ermöglichen. Es ist jedoch zu verstehen, dass andere Ausführungsformen verwendet werden können und dass verschiedene strukturelle, logische und elektrische Abänderungen ausführbar sind.
- Die vorliegende Erfindung ist eine GaN-HEMT-Vorrichtung für den Anreicherungsbetrieb, mit einem Gate-Abstandshalter, einem Gatemetallmaterial und einer Gateverbindung, die selbstausrichtend sind, und ein Verfahren zur Herstellung einer derartigen Vorrichtung. Die Materialien werden strukturiert und geätzt unter Verwendung einer einzigen Fotomaske, wodurch die Herstellungskosten verringert werden. Des Weiteren weist eine Schnittstelle des Gate-Abstandshalters
21 und der Gateverbindung eine geringere Leckrate auf als die Schnittstelle eines dielektrischen Films und der Gateverbindung, wodurch die Gate-Leckrate verringert wird. Zusätzlich wird eine Metallschicht mit ohmschem Kontakt als Feldplatte verwendet, um das elektrische Feld an einer zum Abflusskontakt hin gerichteten Ecke einer dotierten III-V-Verbindung zu verringern, was zu einem geringeren Gate-Leckstrom und einer verbesserten Gate-Zuverlässigkeit führt. Die Feldplatte bei Quellenpotential schirmt das Gate von der Abflussvorspannung ab. Die Gate-Abflussspannung (Qgd) wird verringert. - Es wird Bezug genommen auf
2 und3A –3H . Eine erste Ausführungsform wird nun beschrieben für die Bildung einer GaN-HEMT-Vorrichtung für den Anreicherungsbetrieb, mit einem Gate-Abstandshalter und einem selbstausrichtenden Gate, wobei für gleiche Merkmale in den Zeichnungen die gleichen Bezugszeichen einheitlich verwendet werden.2 zeigt eine GaN-HEMT-Vorrichtung200 für den Anreicherungsbetrieb, welche gemäß dem nachstehend unter Bezugnahme auf die3A –3H beschriebenen Verfahren gebildet worden ist und welche ein Gatemetall und eine III-V-Gateverbndung15 aufweist, welche selbstausrichtend sind. Die Vorrichtung200 umfasst ein Siliciumsubstrat11 , ein Puffermaterial12 , ein nicht dotiertes GaN-Puffermaterial13 , ein nicht dotiertes AlGaN-Sperrschichtmaterial14 , die III-V-Gateverbindung15 , das Gatemetall17 , ein dielektrisches Material18 , einen ohmschen Abflusskontakt19 , einen ohmschen Quellenkontakt20 und einen dielektrischen Abstandshalter21 . Das Quellenmetall20 dient auch als Feldplatte, welche sich über das Gate und zum Abflusskontakt hin erstreckt. -
3A zeigt die Epitaxiestruktur der GaN-HEMT-Vorrichtung200a einschließlich, von unten nach oben, des Siliciumsubstrats11 , des Puffermaterials12 , des nicht dotierten GaN-Püffermaterials13 , des nicht dotierten AlGaN-Sperrschichtmaterials14 und des III-V-Gateverbindungsmaterials15 . Das nicht dotierte GaN-Puffermaterial13 hat eine Dicke von vorzugsweise etwa 0,5 bis etwa 5 μm. Das nicht dotierte AlGaN-Sperrschichtmaterial14 hat eine Dicke von vorzugsweise etwa 50 Å bis etwa 300 Å. Das nicht dotierte AlGaN-Sperrschichtmaterial14 umfasst Al zu etwa 12% bis 28% des Metallgehalts des AlGaN-Materials. Die III-V-Gateverbindung15 kann eine Dicke von etwa 500 Å bis etwa 2000 Å aufweisen. Des Weiteren kann die III-V-Gateverbindung15 eine p-Typ-Dotierkonzentration zwischen etwa 1018 bis etwa 1020 Atome pro cm3 aufweisen. - Wie in
3B gezeigt, ist ein Gatemetall17 auf die in3A gezeigte Epitaxiestruktur aufgebracht. In alternativer Weise kann das Gatemetall17 am Ende des epitaxialen Aufwachsens des vorstehend beschriebenen Wachstums aufgebracht werden. Das Gatemetall17 kann aus einem hitzebeständigen Metall oder einer Verbindung davon bestehen, z. B. Tantal (Ta), Tantalnitrid (TaN), Titannitrid (TiN), Palladium (Pd), Wolfram (W) oder Wolframsilicid (WSi2). - Danach wird zum Strukturieren und Ätzen des Gatemetalls
17 eine einzige Fotomaske verwendet, was zu Stacks und der in3C gezeigten Struktur führt. Das Gatemetall17 kann gemäß jeder bekannten Verfahrensweise geätzt werden, z. B. durch Plasmaätzen, wonach eine Entfernung des Fotoresists erfolgt. - Es wird Bezug genommen auf die
3D . Dielektrisches Material21 wie Siliciumoxid (SiO2) oder ein durch plasmagestütztes CVD (PECVD) erhaltenes Siliciumnitrid (Si3N4) wird nun auf die Struktur der3C aufgetragen. Nach dem Auftragen des dielektrischen Materials21 wird ein Rückätzvorgang zum Strukturieren und Ätzen des dielektrischen Materials21 durchgeführt, was zu Abstandshaltern21 an den Seitenwänden des (in3E gezeigten) Gatemetalls führt. - Es wird Bezug genommen auf die
3F . Das Ätzen der III-V-Gateverbindung15 wird unter Verwendung des Gatemetalls17 und der Abstandshalter21 als harte Maske durchgeführt. Ein dielektrisches Material18 wie z. B. Si3N4 wird dann auf die Struktur der3F aufgetragen. Nach dem Auftragen des dielektrischen Materials18 wird das Material18 unter Verwendung einer Kontakt-Fotomaske geätzt, wonach ein Abstreifen des Fotoresists zur Bildung der in3G gezeigten Struktur erfolgt. - Ein ohmsches Kontaktmetall wird auf die Struktur der
3G aufgetragen. Das ohmsche Kontaktmetall kann aus Titan (Ti), Aluminium (Al) und einem abdeckenden Metallstack bestehen. Nach dem Auftragen des ohmschen Metalls wird eine Metallmaske zum Strukturieren und Ätzen des ohmschen Kontaktmetalls verwendet, was einen ohmschen Abflusskontakt19 und einen ohmschen Quellenkontakt20 ergibt, wie in3H gezeigt ist. Rasches thermisches Tempern (RTA) wird zur Bildung von ohmschen Kontakten an AlGaN/GaN-2DEG ausgeführt. Das ohmsche Quellenkontaktmetall20 wird über dem Gate vorgesehen und wirkt als Feldplatte. Es verringert das elektrische Feld an der dem ohmschen Abflusskontakt19 am nächsten liegenden Ecke der III-V-Gateverbindung15 . - Gemäß dem vorstehend beschriebenen Verfahren wird das Gatemetall
17 strukturiert und geätzt. Ein dielektrischer Abstandshalter21 wird dann an den Seitenwänden des Gatemetalls17 gebildet. Die III-V-Gateverbindung15 wird dann unter Verwendung des Gatemetalls17 und des Abstandshalters21 als harte Maske geätzt. Das Gatemetall17 , der Abstandshalter21 und die Gateverbindung15 werden gemäß einer einzigen Fotomaske gebildet und sind somit automatisch selbstausgerichtet. Die ohmschen Kontaktmetalle19 und20 sind aus Ti, Al und einem abdeckenden Stack gefertigt. Das Quellenmetall20 erstreckt sich über das Gate und wirkt als eine Feldplatte. Es verringert das elektrische Feld an der zum Abfluss hin gerichteten Ecke des Gates. Weil das ohmsche Quellenkontaktmetall20 als Feldplatte zum Verringern des elektrischen Feldes an der zum ohmschen Abflusskontakt19 hin gerichteten Ecke des III-V-Gates verwendet wird, werden ein geringerer Gate-Leckstrom und eine verbesserte Zuverlässigkeit des Gates erzielt. Zusätzlich schirmt die Feldplatte bei Quellenpotential das Gate von der Abflussvorspannung ab, so dass die Gate-Abflussladung (Qgd) verringert wird. - Es wird Bezug genommen auf die
4 und5A –5G . Eine zweite Ausführungsform wird nun beschrieben.4 zeigt eine GaN-HEMT-Vorrichtung300 für den Anreicherungsbetrieb, mit einem nach dem in5A –5G gezeigten Verfahren gebildeten Gate-Abstandshalter21 . Die sich ergebende Vorrichtung300 weist ein Gatemetall17 und eine III-V-Gateverbindung15 auf, die selbstausrichtend sind. Die Vorrichtung300 in4 unterscheidet sich von der Vorrichtung200 der2 darin, dass die Vorrichtung300 Abstandshalter umfasst, welche nicht nur an den Seitenwänden des Gatemetalls17 , sondern auch an den Seitenwänden der III-V-Gateverbindung15 ausgebildet sind. -
5A zeigt die Epitaxiestruktur300a einschließlich, von unten nach oben, des Siliciumsubstrats11 , des Puffermaterials12 , des nicht dotierten GaN-Püffermaterials13 , des nicht dotierten AlGaN-Sperrschichtmaterials14 und des III-V-Gate-Verbindungsmaterials15 . Die Abmessungen und Zusammensetzungen der verschiedenen Materialien sind ähnlich denen der ersten Ausführungsform. - Wie in
5B gezeigt, wird wie bei der ersten Ausführungsform das Gatemetall17 auf die in5A gezeigte Epitaxiestruktur aufgebracht oder zum Wachsen gebracht. - Danach wird eine einzige Fotomaske dazu verwendet, das Gatemetall
17 und die III-V-Verbindung zu strukturieren und ätzen, was zu dem Status und der Struktur führt, die in5C gezeigt sind (nachdem ein Abstreifen des Fotoresists ausgeführt worden ist). - Es wird auf
5D Bezug genommen. Wie zuvor wird ein dielektrisches Material21 wie z. B. Siliciumoxid (SiO2) auf die Struktur der5C aufgebracht. Nach dem Aufbringen des dielektrischen Materials21 wird zum Strukturieren und Ätzen des dielektrischen Materials21 ein Rückätzvorgang durchgeführt, was zu Abstandshaltern21 an den Seitenwänden des Gatemetalls17 und der III-V-Gateverbindung15 (in5E gezeigt) führt. - Ein dielektrisches Material
18 wie z. B. Si3N4 wird dann auf die Struktur der5E aufgetragen. Nach dem Auftragen des dielektrischen Materials18 wird das Material18 unter Verwendung einer Kontaktfotomaske geätzt, wonach ein Abstreifen des Fotoresists erfolgt, um die in5F gezeigte Struktur zu bilden. - Ein ohmsches Kontaktmetall wird auf die Struktur der
5F aufgetragen. Das ohmsche Kontaktmetall kann aus Titan (Ti), Aluminium (Al) und einem abdeckenden Metallstack bestehen. Nach dem Auftragen des ohmschen Metalls wird eine Metallmaske zum Strukturieren und Ätzen des ohmschen Kontaktmetalls verwendet, wodurch der ohmsche Abflusskontakt19 und der ohmsche Quellenkontakt20 entstehen, wie in FIG. G gezeigt ist. Rasches thermisches Tempern (RTA) wird zur Bildung von ohmschen Kontakten an AlGaN/GaN-2DEG ausgeführt. Das ohmsche Quellenkontaktmetall20 wird auf dem Gate vorgesehen und wirkt als Feldplatte. Es reduziert das elektrische Feld an der Ecke der III-V-Gateverbindung15 , die dem ohmschen Abflusskontakt19 am nächsten liegt. - Gemäß dem vorstehend beschriebenen Verfahren werden das Gatemetall
17 und die III-V-Gateverbindung15 unter Verwendung einer einzigen Fotomaske strukturiert und geätzt und werden somit selbstausgerichtet, mit den gleichen Vorteilen wie bei der ersten Ausführungsform. - Es wird jetzt Bezug genommen auf die
6 und7A –7H . Eine dritte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird nun beschrieben.6 zeigt eine GaN-HEMT-Vorrichtung400 für den Anreicherungsbetrieb, welche gemäß dem nachstehend unter Bezugnahme auf7A –7H beschriebenen Verfahren gebildet worden ist und welche ein Gatemetall17 und eine III-V-Gateverbindung15 aufweist, die selbstausrichtend sind. Die Vorrichtung400 umfasst ein Siliciumsubstrat11 , ein Puffermaterial12 , ein nicht dotiertes GaN-Puffermaterial13 , ein nicht dotiertes AlGaN-Sperrschichtmaterial14 , eine III-V-Gateverbindung15 . ein Gatemetall17 , ein dielektrisches Material18 , einen ohmschen Abflusskontakt19 , einen ohmschen Quellenkontakt20 , einen dielektrischen Abstandshalter21 und einen dielektrischen Film22 . Das Quellenmetall20 dient auch als Feldplatte, welche sich über das Gate und zum Abflusskontakt hin erstreckt. -
7A zeigt die Epitaxiestruktur der Gan-HEMT-Vorrichtung400a einschließlich, von unten nach oben, des Siliciumsubstrats11 , des Puffermaterials12 , des nicht dotierten GaN-Puffermaterials13 , des nicht dotierten AlGaN-Sperrschichtmaterials14 und des III-V-Gateverbindungsmaterials15 . Das nicht dotierte GaN-Puffermaterial13 weist eine Dicke von vorzugsweise etwa 0,5 bis etwa 5 μm auf. Das nicht dotierte AlGaN-Sperrschichtmaterial14 weist eine Dicke von vorzugsweise etwa 50 Å bis etwa 300 Å auf. Das nicht dotierte AlGaN-Sperrschictmaterial14 umfasst Al mit etwa 12% bis 28% des Metallgehalts des AlGaN-Materials. Die III-V-Gateverbindung15 kann eine Dicke von etwa 500 Å bis etwa 2000 Å aufweisen. Zusätzlich kann die III-V-Gateverbindung15 eine Konzentration der p-Typ-Dotierung zwischen etwa 1018 bis etwa 1020 Atome pro cm3 aufweisen. - Wie in
7B gezeigt, ist ein Gatemetall17 auf die in7A gezeigte Epitaxiestruktur aufgetragen. In alternativer Weise kann das Gatemetall17 am Ende des epitaxialen Wachstums des vorstehend beschriebenen Auftragens aufgebracht werden. Das Gatemetall17 kann aus einem hitzebeständigen Metall oder einer Verbindung davon bestehen, z. B. Tantal (Ta), Tantalnitrid (TaN), Titannitrid (TiN), Palladium (Pd), Wolfram (W) oder Wolframsilicid (WSi2). Ein dielektrischer Film22 wie Siliciumoxid (SiO2) wird mit jeglicher bekannten Verfahrensweise auf das Gatemetall17 aufgetragen oder gebildet. - Danach wird eine einzige Fotomaske zum Strukturieren und Ätzen des Gatemetalls
17 und des dielektrischen Films22 verwendet, was zu Stacks und der in7C gezeigten Struktur führt. Das Gatemetall)17 und der dielektrische Film22 werden mit jeglicher bekannten Verfahrensweise, z. B. Plasmaätzen geätzt, wonach ein Entfernen des Fotoresists erfolgt. - Es wird Bezug genommen auf die
7D . Das dielektrische Material21 wie Siliciumoxid (SnO2) oder ein durch plasmaaktiviertes CVD (PECVD) erhaltenes Siliciumnitrid (Si3N4) wird nun auf die Struktur der7C abgeschieden. Nach dem Abscheiden des dielektrischen Materials21 wird zum Strukturieren und Ätzen des dielektrischen Materials21 ein Rückätzvorgang ausgeführt, was zu Abstandshaltern21 an den Seitenwänden des Gatemetalls17 und des dielektrischen Films22 (in7E gezeigt) führt. - Es wird nun Bezug genommen auf die
7F . Das Ätzen der III-V-Gateverbindung15 wird unter Verwendung des dielektrischen Films22 auf dem Gatemetall17 und der Abstandshalter21 als harte Maske durchgeführt. Ein dielektrisches Material18 wie z. B. Si3N4 wird dann auf die Struktur der7F abgeschieden. Nach dem Abscheiden des dielektrischen Materials18 wird das Material18 unter Verwendung einer Kontaktfotomaske geätzt, wonach ein Abstreifen des Fotoresists erfolgt, um die in7G gezeigte Struktur zu bilden. - Ein ohmsches Kontaktmetall wird auf die Struktur der
7G aufgetragen. Das ohmsche Kontaktmetall kann aus Titan (Ti), Aluminium (Al) und einem abdeckenden Metallstack bestehen. Nach dem Auftragen des ohmschen Metalls wird eine Metallmaske zum Strukturieren und Ätzen des ohmschen Kontaktmetalls verwendet, was zum ohmschen Abflusskontakt19 und ohmschen Quellenkontakt20 führt, wie in7H gezeigt. Rasches thermisches Tempern (RTA) wird zur Bildung ohmscher Kontakte an AlGaN/GaN-2DEG durchgeführt. Das ohmsche Quellenkontaktmetall20 wird auf dem Gate vorgesehen und wirkt als eine Feldplatte. Es verringert das elektrische Feld an der Ecke der III-V-Gateverbindung15 welche dem ohmschen Abflusskontakt19 am nächsten liegt. - Es wird nun Bezug genommen auf
8 und9A –9G . Eine vierte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird nun beschrieben.8 zeigt eine GaN-HEMT-Vorrichtung500 für den Anreicherungsbetrieb, mit einem nach dem in9A –9G gezeigtern Verfahren gebildeten Gate-Abstandshalter21 . Die sich ergebende Vorrichtung500 weist ein Gatemetall17 und eine III-V-Gateverbindung15 auf, welche selbstausrichtend sind. Die Vorrichtung500 unterscheidet sich von der Vorrichtung400 der6 darin, dass die Vorrichtung500 Abstandshalter21 umfasst, welche nicht nur an den Seitenwänden des Gatemetalls17 und des dielektrischen Films22 ausgebildet sind, sondern auch an den Seitenwänden der III-V-Gateverbindung15 . -
9A zeigt die Epitaxiestruktur500a einschließlich, von unten nach oben, des Substrats11 , des Puffermaterials12 , des nicht dotierten GaN-Puffermaterials13 , des nicht dotierten AlGaN-Sperrschichtmaterials14 und des III-V-Gateverbindungsmaterials15 . Die Dimensionen und Zusammensetzungen der verschiedenen Materialien sind ähnlich denen der vorstehend beschriebenen dritten Ausführungsform. - Wie in
9B gezeigt, wird wie bei der dritten Ausführungsform das Gatemetall17 auf die in9A gezeigte Epitaxiestruktur abgelagert oder zum Aufwachsen gebracht und dann wird ein dielektrischer Film22 (z. B. SiO2) auf dem Gatemetall17 gebildet. - Danach wird eine einzige Fotomaske zum Strukturieren und Ätzen des dielektrischen Films
22 , des Gatermetalls17 und der III-V-Gateverbindung15 verwendet, was (nachdem ein Abstreifen eines Fotoresists durchgeführt worden ist) zu dem Status und der Struktur führt, die in9C gezeigt sind. - Es wird Bezug genommen auf
9D . Ähnlich wie bei der dritten Ausführungsform wird ein dielektrisches Material21 wie z. B. Siliciumoxid (SiO2) oder ein durch plasmaaktiviertes CVD (PECVD) erhaltenes Siliciumnitrid (Si3N4) auf die Struktur der9C abgelagert. Nach der Ablagerung des dielektrischen Materials21 wird ein Rückätzvorgang durchgeführt, um das dielektrische Material21 zu strukturieren und ätzen, was zu Abstandshaltern21 an den Seitenwänden des dielektrischen Films22 , des Gatemetalls17 und der III-V-Gateverbindung15 führt (in9E gezeigt). - Ein dielektrisches Material
18 wie z. B. Si3N4 wird dann auf die Struktur der9E abgelagert. Nach dem Ablagern des dielektrischen Materials18 wird das Material18 unter Verwendung einer Kontaktfotomaske geätzt, wonach ein Abstreifen des Fotoresists erfolgt, um die in9F gezeigte Struktur zu bilden. - Ein ohmsches Kontaktmetall wird auf die Struktur der
7G abgelagert. Das ohmsche Kontaktmetall kann aus Titan (Ti), Aluminium (Al) und einem Abdeckmetallstack bestehen. Nach dem Ablagern des ohmschen Metalls wird eine Metallmaske zum Strukturieren und Ätzen des ohmschen Kontaktmetalls verwendet, was zum ohmschen Abflusskontakt19 und ohmschen Quellenkontakt20 führt, wie in9G gezeigt. Rasches thermisches Tempern (RTA) wird zur Bildung ohmscher Kontakte an AlGaN/GaN-2DEG durchgeführt. Das ohmsche Quellenkontaktmetall20 wird auf dem Gate vorgesehen und wirkt als eine Feldplatte. Es verringert das elektrische Feld an der Ecke der III-V-Gateverbindung15 welche dem ohmschen Abflusskontakt19 am nächsten liegt. - Gemäß dem vorstehend beschriebenen Verfahren werden das Gatemetall
17 und die III-V-Gateverbindung15 unter Verwendung einer einzigen Fotomaske strukturiert und geätzt und werden somit selbstausrichtend, mit den gleichen Vorteilen wie bei den ersten bis dritten Ausführungsformen. - Die vorstehende Beschreibung und die Zeichnungen sind nur als spezifische Ausführungsformen erläuternd zu erachten, welche die hier beschriebenen Merkmale und Vorteile erzielen. Abänderung und Austausch spezifischer Verfahrensbedingungen sind möglich. Demgemäß sind die Ausführungsformen der Erfindung nicht als durch die vorstehende Beschreibung und die Zeichnungen eingeschränkt zu erachten.
Claims (19)
- GaN-Transistor mit Anreicherungsbetrieb, umfassend: ein Substrat, ein Puffermaterial auf dem Substrat, ein Sperrschichtmaterial auf dem Puffermaterial, eine Gate-III-V-Verbindung auf dem Sperrschichtmaterial, ein Gatemetall auf der III-V-Verbindung und Abstandshaltermaterial, das mindestens an den Seitenwänden des Gatemetalls gebildet ist.
- Transistor nach Anspruch 1, bei welchem die Gate-III-V-Verbindung und das Gatemetall in einer Verfahrensweise mit einer einzigen Fotomaske als selbstausrichtend gebildet worden sind.
- Transistor nach Anspruch 1, bei welchem das Puffermaterial GaN umfasst.
- Transistor nach Anspruch 1, bei welchem das Sperrschichtmaterial AlGaN umfasst.
- Transistor nach Anspruch 1, bei welchem das Abstandshaltermaterial an Seitenwänden des Gatemetalls und der Gate-III-V-Verbindung gebildet ist.
- Transistor nach Anspruch 1, des Weiteren umfassend ein dielektrisches Material auf dem Gatermetall.
- Transistor nach Anspruch 6, bei welchem das Abstandshaltermaterial auch an Seitenwänden des dielektrischen Materials gebildet worden ist.
- Transistor nach Anspruch 6, bei welchem das Abstandshaltermaterial an Seitenwänden des Gatemetalls, der Gate-III-V-Verbindung und des dielektrischen Materials gebildet worden ist.
- Transistor nach Anspruch 1, bei welchem der Abstandshalter Siliciumoxid (SiO2) umfasst.
- Transistor nach Anspruch 1, bei welchem der Abstandshalter Siliciumnitrid (Si3N4) umfasst.
- Transistor nach Anspruch 1, bei welchem das Gatemetall ein oder mehrere hitzebeständige Metalle, Metallverbindungen und Legierungen, wie Ta, TaN, TiN, Pd, W oder WSi enthält.
- Verfahren zur Bildung eines GaN-Transistors mit Anreicherungsbetrieb, welches Verfahren folgendes umfasst: das Bilden eines Puffermaterials auf einem Substrat, das Bilden einer AlGaN-Sperrschicht auf dem Puffermaterial, das Bilden einer III-V-Verbindung auf der AlGeN-Sperrschicht, das Bilden von Stacks, welche ein Gatemetall umfassen, auf der Gate-III-V-Verbindung, das Bilden von Abstandshaltermaterial auf mindestens Seitenwänden der Gatemetallstacks, das Ätzen der III-V-Verbindung unter Verwendung des Gatemetall- und Abstandshaltermaterials als Maske, das Ablagern einer dielektrischen Schicht, das Ätzen der dielektrischen Schicht zum Offnen von Abfluss- und Quellenkontaktflächen und das Bilden von ohmschen Abfluss- und Quellenkontakten in den offenen Abfluss- und Quellenkontaktbereichen.
- Verfahren nach Anspruch 12, bei welchem das Abstandshaltermaterial an Seitenwänden der Gatemetallstacks und der III-V-Verbindung gebildet wird.
- Verfahren nach Anspruch 12, des Weiteren umfassend das Bilden eines dielektrischen Materials auf jedem Gatematerialstack.
- Verfahren nach Anspruch 14, bei welchem das Abstandshaltermaterial auch an Seitenwänden des dielektrischen Materials gebildet wird.
- Verfahren nach Anspruch 14, bei welchem das Abstandshaltermaterial an Seitenwänden der Gatemetallstacks, der III-V-Verbindung und des dielektrischen Materials
- Verfahren nach Anspruch 14, bei welchem der Abstandshalter Siliciumoxid (SiO2) umfasst.
- Verfahren nach Anspruch 12, bei welchem der Abstandshalter ein Siliciumnitrid (Si3N4) enthält, das durch plasmaaktiviertes CVD (PECVD) erhalten worden ist.
- Verfahren nach Anspruch 12, bei welchem das Gatemetall ein oder mehrere hitzebeständige Metalle, Metallverbindungen und Legierungen, wie Ta, TaN, TiN, Pd, W oder WSi enthält.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US13/403,400 US8823012B2 (en) | 2009-04-08 | 2012-02-23 | Enhancement mode GaN HEMT device with gate spacer and method for fabricating the same |
US13/403,400 | 2012-02-23 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102013202972A1 true DE102013202972A1 (de) | 2013-09-05 |
DE102013202972B4 DE102013202972B4 (de) | 2020-07-30 |
Family
ID=48985216
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102013202972.1A Active DE102013202972B4 (de) | 2012-02-23 | 2013-02-22 | Anreicherungsbetrieb einer GaN-HEMT-Vorrichtung mit einem GATE-Abstandshalter sowie Verfahren zu deren Herstellung |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6147018B2 (de) |
KR (1) | KR20130097116A (de) |
CN (1) | CN103296078B (de) |
DE (1) | DE102013202972B4 (de) |
TW (1) | TWI566402B (de) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2016017127A1 (ja) * | 2014-07-29 | 2016-02-04 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 窒化物半導体装置 |
CN104465746B (zh) * | 2014-09-28 | 2018-08-10 | 苏州能讯高能半导体有限公司 | 一种hemt器件及其制造方法 |
US9580304B2 (en) * | 2015-05-07 | 2017-02-28 | Texas Instruments Incorporated | Low-stress low-hydrogen LPCVD silicon nitride |
TWI802096B (zh) * | 2021-11-23 | 2023-05-11 | 新唐科技股份有限公司 | 電晶體元件 |
CN116613192B (zh) * | 2023-07-17 | 2023-10-03 | 成都氮矽科技有限公司 | 一种常关型GaN HEMT及制造方法 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04101435A (ja) * | 1990-08-21 | 1992-04-02 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 電界効果トランジスタの製造方法 |
US6638871B2 (en) * | 2002-01-10 | 2003-10-28 | United Microlectronics Corp. | Method for forming openings in low dielectric constant material layer |
US7501669B2 (en) * | 2003-09-09 | 2009-03-10 | Cree, Inc. | Wide bandgap transistor devices with field plates |
JP4705412B2 (ja) | 2005-06-06 | 2011-06-22 | パナソニック株式会社 | 電界効果トランジスタ及びその製造方法 |
JP2009509343A (ja) * | 2005-09-16 | 2009-03-05 | ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア | N極窒化アルミニウムガリウム/窒化ガリウムエンハンスメントモード電界効果トランジスタ |
JP2008010461A (ja) * | 2006-06-27 | 2008-01-17 | Sharp Corp | ヘテロ接合電界効果型トランジスタおよびヘテロ接合電界効果型トランジスタの製造方法 |
JP4755961B2 (ja) * | 2006-09-29 | 2011-08-24 | パナソニック株式会社 | 窒化物半導体装置及びその製造方法 |
JP5442272B2 (ja) * | 2009-02-19 | 2014-03-12 | 日本電信電話株式会社 | 電界効果トランジスタおよび電界効果トランジスタ製造方法 |
DE112010001556B4 (de) * | 2009-04-08 | 2022-01-27 | Efficient Power Conversion Corporation | Rückdiffusionsunterdrückende Strukturen |
WO2010118100A1 (en) * | 2009-04-08 | 2010-10-14 | Efficient Power Conversion Corporation | Compensated gate misfet and method for fabricating the same |
CN102388441B (zh) * | 2009-04-08 | 2014-05-07 | 宜普电源转换公司 | 增强型GaN高电子迁移率晶体管器件及其制备方法 |
KR101172857B1 (ko) * | 2009-12-14 | 2012-08-09 | 경북대학교 산학협력단 | 인헨스먼트 노멀리 오프 질화물 반도체 소자 및 그 제조방법 |
JP5604147B2 (ja) * | 2010-03-25 | 2014-10-08 | パナソニック株式会社 | トランジスタ及びその製造方法 |
JP5666157B2 (ja) * | 2010-03-26 | 2015-02-12 | パナソニック株式会社 | 双方向スイッチ素子及びそれを用いた双方向スイッチ回路 |
-
2013
- 2013-02-22 JP JP2013032851A patent/JP6147018B2/ja active Active
- 2013-02-22 CN CN201310057366.8A patent/CN103296078B/zh active Active
- 2013-02-22 KR KR1020130019047A patent/KR20130097116A/ko active Search and Examination
- 2013-02-22 DE DE102013202972.1A patent/DE102013202972B4/de active Active
- 2013-02-22 TW TW102106269A patent/TWI566402B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6147018B2 (ja) | 2017-06-14 |
CN103296078B (zh) | 2017-01-18 |
JP2013175726A (ja) | 2013-09-05 |
DE102013202972B4 (de) | 2020-07-30 |
TWI566402B (zh) | 2017-01-11 |
TW201347177A (zh) | 2013-11-16 |
CN103296078A (zh) | 2013-09-11 |
KR20130097116A (ko) | 2013-09-02 |
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