DE102011101986A1

DE102011101986A1 - Dielektrische Keramikzusammensetzung und keramische elektronische Komponente

Info

Publication number: DE102011101986A1
Application number: DE102011101986A
Authority: DE
Inventors: Jun Sato; Takashi Kojima; Tomoya Shibasaki; Osamu KIDO
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 2010-05-20
Filing date: 2011-05-19
Publication date: 2011-11-24
Anticipated expiration: 2031-05-20
Also published as: JP5141718B2; DE102011101986B4; US20110286146A1; JP2011241129A; US8363383B2

Abstract

Eine dielektrische Keramikzusammensetzung enthält als Hauptkomponente BaTiO3; als Unterkomponenten, in bezug auf 100 mol des BaTiO3, 0,9 bis 2,0 mol eines Oxids von RA in bezug auf RA2O3, worin RA mindestens eines, ausgewählt aus Dy, Gd und Tb, ist; 0,3 bis 2,0 mol eines Oxids von RB in bezug auf RB2O3, worin RB mindestens eines, ausgewählt aus Ho und Y, ist; 0,75 bis 2,5 mol eines Oxids von Yb in bezug auf Yb2O3; und 0,5 bis 2,0 mol eines Oxids von Mg in bezug auf Mg. Wenn die Gehalte des Oxids von RA, des Oxids von RB und des Oxids von Yb in bezug auf 100 mol BaTiO3 als α, β bzw. γ definiert werden, genügen α, β und γ den Beziehungen 0,66 ≤ (α/β) ≤ 3,0 und 0,8 ≤ (α + β)/γ ≤ 2,4. Gemäss der vorliegenden Erfindung kann eine dielektrische Keramikzusammensetzung mit guten Eigenschaften bereitgestellt werden.

Description

HINTERGRUND DER ERFINDUNG
1. Gebiet der Erfindung:
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine dielektrische Keramikzusammensetzung und eine keramische elektronische Komponente, in der die dielektrische Keramikzusammensetzung für eine dielektrische Schicht verwendet wird, und sie bezieht sich insbesondere auf eine dielektrische Keramikzusammensetzung mit guten Eigenschaften und eine keramische elektronische Komponente, in der die dielektrische Keramikzusammensetzung angewendet wird, selbst wenn die dielektrische Schicht dünner gemacht wird.
Als Beispiel einer keramischen elektronischen Komponente wird ein mehrschichtiger keramischer Kondensator weit verbreitet als elektronische Komponente mit kompakter Grösse, hoher Leistung und hoher Zuverlässigkeit verwendet, und die Anzahl, die in elektrischen und elektronischen Geräten verwendet wird, ist gross. Einhergehend mit dem Verkleinern solcher Geräte und der Verbesserung ihrer Leistung wachsen in den letzten Jahren die Forderung nach grösserer Kompaktheit und die Forderungen nach höherer Leistung und höherer Zuverlässigkeit eines mehrschichtigen keramischen Kondensators.
In Erwiderung auf solche Forderungen beschreibt beispielsweise die japanische Patentgazette Nr. 3091192 eine dielektrische Keramikzusammensetzung, die Bariumtitanat, zwei Arten von Seltenerdoxiden und andere Metalloxide enthält, und einen mehrschichtigen keramischen Kondensator mit einer dielektrischen Keramikschicht, die aus der dielektrischen Keramikzusammensetzung aufgebaut ist. Das Dokument beschreibt auch, dass dieser mehrschichtige keramische Kondensator gute Hochtemperaturbeschleunigte Lebensdauer und dergleichen aufweist, während er X8R-Eigenschaften erfüllt.
In der Zwischenzeit ist wohlbekannt, dass, wenn die dielektrische Schicht dünner gemacht wird, selbst bei Anlegen der gleichen Spannung die Intensität des elektrischen Feldes, das an die dielektrische Schicht angelegt wird, grösser wird; somit kann der Isolationswiderstand verschlechtert werden.
Die Dicke der dielektrischen Schicht des mehrschichtigen keramischen Kondensators, der in den Beispielen der japanischen Patentgazette Nr. 3091192 beschrieben wird, beträgt 10 μm. Allerdings ist nicht klar, ob sein Isolationswiderstand und seine Lebensdauer gut oder schlecht sind, selbst wenn diese dielektrische Schicht dünner gemacht wird.
KURZE ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG:
Die vorliegende Erfindung wurde unter Berücksichtigung einer solchen Situation gemacht, und ein Ziel der Erfindung ist es, eine dielektrische Keramikzusammensetzung und eine keramische elektronische Komponente bereitzustellen, worin die dielektrische Keramikzusammensetzung für eine dielektrische Schicht verwendet wird, die gute Eigenschaften besitzt.
Um die oben genannten Zwecke zu erreichen, enthält eine erfindungsgemässe dielektrische Keramikzusammensetzung ein Bariumtitanat als Hauptkomponente; als Unterkomponenten, in bezug auf 100 mol des Bariumtitanats, enthält sie 0,9 bis 2,0 mol eines Oxids von RA in bezug auf RA₂O₃, worin RA mindestens eines, ausgewählt aus Dy, Gd und Tb ist; 0,3 bis 2,0 mal eines Oxids von RB in bezug auf RB₂O₃, worin RB mindestens eines, ausgewählt aus Ho und Y ist; 0,75 bis 2,5 mal eines Oxids von Yb in bezug auf Yb₂O₃; und 0,5 bis 2,0 mol eines Oxids von Mg in bezug auf Mg. Wenn der Gehalt des Oxids von RA, des Oxids von RB und des Oxids von Yb in bezug auf 100 mol des Bariumtitanats als α, β bzw. γ definiert wird, so genügen α, β und γ den Beziehungen 0,66 ≤ (α/β) ≤ 3,0 und 0,8 ≤ (α + β)/γ ≤ 2,4.
In der vorliegenden Erfindung kann durch Einstellen der Gehalte jeder Komponente innerhalb des obigen Bereichs eine dielektrische Keramikzusammensetzung mit verschiedenen guten Eigenschaften erhalten werden, selbst wenn eine dielektrische Schicht dünner gemacht wird. Insbesondere kann durch Einteilen der Seltenerdelemente in drei Gruppen und durch Einstellen von deren Mengenverhältnissen innerhalb der obigen Bereiche der Grad der gelösten Seltenerdelemente in BaTiO₃ kontrolliert werden. Als Ergebnis können gegenläufige Eigenschaften erreicht werden.
Vorzugsweise enthält die dielektrische Keramikzusammensetzung weiterhin als Unterkomponente 0,03 bis 0,10 mol eines Oxids von V in bezug auf V bezüglich 100 mol des Bariumtitanats.
Vorzugsweise enthält die dielektrische Keramikzusammensetzung weiterhin als Unterkomponente 0,10 bis 0,30 mol eines Oxids von Mn in bezug auf Mn bezüglich 100 mol des Bariumtitanats.
Vorzugsweise enthält die dielektrische Keramikzusammensetzung weiterhin als Unterkomponente 0,60 (α + β + γ) bis 1,0 (α + β + γ) mol eines durch die Zusammensetzungsformel (Ba, Ca)_xSiO_2+x dargestellten gemischten Oxids in bezug auf SiO₂ bezüglich 100 mol des Bariumtitanats. Ferner ist x in der Zusammensetzungsformel 0,5 bis 1,0.
Die erfindungsgemässe dielektrische Keramikzusammensetzung kann durch einschliessen der obigen Komponenten ihre Eigenschaften weiter verbessern.
Vorzugsweise ist RA Tb. Ebenso bevorzugt ist RB Y. Mit diesem Aufbau kann die Wirkung der vorliegenden Erfindung verbessert werden.
Ferner hat eine erfindungsgemässe keramische elektronische Komponente eine dielektrische Schicht, die aus einer beliebigen der oben erwähnten dielektrischen Keramikzusammensetzungen aufgebaut ist, sowie eine Elektrode, und die dielektrische Schicht hat eine Dicke von 5 μm oder weniger. Obgleich nicht besonders beschränkt, können für die keramische elektronische Komponente als Beispiel ein mehrschichtiger keramischer Kondensator, ein Piezoelement, ein Chip-Induktor, ein Chip-Varistor, ein Chip-Thermistor, ein Chip-Widerstand und andere elektronische Komponenten vom ”Surface Mounted Device”(SMD)-Chiptyp angeführt werden.
KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN:
1 ist eine Querschnittsansicht eines mehrschichtigen keramischen Kondensators gemäss einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER ERFINDUNG:
Nachstehend wird die vorliegende Erfindung auf Basis von Ausführungsformen, die in der Zeichnung gezeigt sind, erläutert.
Mehrschichtiger keramischer Kondensator (1):
Wie in 1 gezeigt, hat ein mehrschichtiger keramischer Kondensator (1) als ein Beispiel der keramischen elektronischen Komponente einen Kondensatorelementkörper (10), in dem eine dielektrische Schicht (2) und eine innere Elektrodenschicht (3) abwechselnd geschichtet sind. Die inneren Elektrodenschichten (3) sind so geschichtet, dass ihre Endflächen abwechselnd mit den Oberflächen der beiden gegenüberliegenden Endabschnitte des Kondensatorelementkörpers (10) in Kontakt stehen. Ferner wird ein Paar äusserer Elektroden (4) an den beiden Endabschnitten des Kondensatorelementkörpers (10) gebildet und mit den freiliegenden Endflächen der abwechselnd geschichteten inneren Elektrodenschichten (3) verbunden, um einen Kondensatorschaltkreis zu formen.
Obgleich die Form des Kondensatorelementkörpers (10) nicht besonders beschränkt ist, ist sie normalerweise, wie in 1 gezeigt, als rechteckige Parallelepiped-Form ausgebildet. Ebenso ist seine Abmessung nicht besonders beschränkt und kann in Abhängigkeit von der Verwendung angemessen gewählt werden.
Dielektrische Schicht (2):
Die dielektrische Schicht (2) ist aus einer dielektrischen Keramikzusammensetzung gemäss der vorliegenden Ausführungsform aufgebaut. Die dielektrische Keramikzusammensetzung enthält ein Bariumtitanat als Hauptkomponente. Die dielektrische Keramikzusammensetzung enthält auch dielektrische Partikel, deren Hauptkomponente BaTiO₃ ist.
In der vorliegenden Ausführungsform ist das Bariumtitanat beispielsweise bevorzugt durch die Zusammensetzungsformel. Ba_mTiO_2+m dargestellt, worin m 0,99 ≤ m ≤ 1,01 ist.
Die dielektrische Keramikzusammensetzung gemäss der vorliegenden Ausführungsform enthält zusätzlich zum Bariumtitanat ein Oxid von RA, ein Oxid von RB, ein Oxid von Yb und ein Oxid von Mg als Unterkomponenten. In der vorliegenden Ausführungsform sind spezielle Seltenerdelemente in drei Gruppen unterteilt (RA, RB und Yb).
Wenn der Gehalt des Oxids von RA als α definiert wird, ist α 0,9 bis 2,0 mol, vorzugsweise 1,0 bis 1,5 mol, in bezug auf RA₂O₃ bezüglich 100 mol Bariumtitanat. Wenn α zu gross ist, neigt die Kapazitäts-Temperaturänderungsrate (Änderungsrate der Kapazität in bezug auf die Temperatur) dazu, grösser zu werden. Wenn es andererseits zu klein wird, neigt die Hochtemperatur-beschleunigte Lebensdauer dazu, kürzer zu werden. RA ist mindestens eines, ausgewählt aus Dy, Gd und Tb, und besonders bevorzugt Tb.
Wenn der Gehalt des Oxids von RB als β definiert wird, ist β 0,3 bis 2,0 mol, vorzugsweise 0,5 bis 1,5 mol, in bezug auf RB₂O₃ bezüglich 100 mol Bariumtitanat. Wenn β zu gross ist, neigt die Brandtemperatur dazu, höher zu werden. Wenn es andererseits zu klein ist, neigt die Kapazitäts-Temperaturänderungsrate dazu, gross zu werden. RB ist mindestens eines, ausgewählt aus Ho und Y, und besonders bevorzugt Y.
Wenn der Gehalt des Oxids von Yb als γ definiert wird, ist γ 0,75 bis 2,5 mol, vorzugsweise 1,0 bis 2,0 mol, in bezug auf Y₂O₃ bezüglich 100 mol Bariumtitanat. Wenn γ zu gross ist, neigt die durch hohe Temperatur beschleunigte Änderungsrate dazu, kürzer zu werden. Wenn es andererseits zu klein ist, neigt die Kapazitäts-Temperaturänderungsrate dazu, gross zu werden.
Ferner erfüllen α, β und γ die Beziehungen 0,66 ≤ (α/β) ≤ 3,0 und 0,8 ≤ (α + β)/γ ≤ 2,4. Stärker bevorzugt erfüllen sie die Beziehungen 1,0 ≤ α/β ≤ 3,0 und 1,0 ≤ (α + β)/γ ≤ 2,0. Wenn sie diese Beziehungen nicht erfüllen, wird es schwierig, einen guten Ausgleich zwischen der Temperatureigenschaft und der Hochtemperaturbeschleunigten Lebensdauer zu erreichen.
In der vorliegenden Ausführungsform sind die Metallelemente der Unterkomponenten, beispielsweise RA, RB und Yb, gelöste Feststoffe in einem dielektrischen Partikel, dessen Hauptkomponente BaTiO₃ ist. Es ist zu beachten, dass der dielektrische Partikel eine sogenannte Kern/Schale-Struktur oder eine Struktur vom Typ eines gesamten Mischkristalls haben kann.
In der vorliegenden Ausführungsform sind spezielle Seltenerdelemente in drei Gruppen eingeteilt (RA, RB und Yb). Die Seltenerdelemente ersetzen normalerweise ein Atom der A-Position von BaTiO₃ (Ba) und sind in BaTiO₃ Festkörper-gelöst. Wenn der Unterschied zwischen dem effektiven Innenradius der Seltenerdelemente und des Atoms auf der A-Position gering ist, können die Seltenerdelemente die A-Position leicht ersetzen (Mischkristall bilden). Wenn der Unterschied gross ist, wird es für die Seltenerdelemente schwierig, die A-Position zu ersetzen (Mischkristalle zu bilden).
In der vorliegenden Ausführungsform entsprechen die Elemente mit einem geringen Unterschied des Innenradius zum A-Positions-Atom RA und die Elemente mit einem grossen Unterschied im Innenradius zum A-Positions-Atom Yb. Das Ausmass von Mischkristall-bildendem RA in BaTiO₃ ist unterschiedlich von dem des Mischkristall-bildenden Yb. RA neigt dazu, in BaTiO₃ leicht vollständig unter Mischkristallbildung gelöst zu werden, während Yb dazu neigt, nur in der Peripherie von BaTiO₃ unter Mischkristallbildung gelöst zu werden und eine sogenannte Kern/Schale-Struktur zu bilden. Deshalb verbessert RA die Lebensdauer der dielektrischen Keramikzusammensetzung, allerdings neigt die Temperatureigenschaft dazu, schlechter zu werden. Andererseits verbessert Yb die Temperatureigenschaft der dielektrischen Keramikzusammensetzung, allerdings neigt die Lebensdauer dazu, schlechter zu werden.
Daher scheint ein guter Ausgleich zwischen der Temperatureigenschaft und der Lebensdauer durch Steuerung der Menge und der Verhältnisse von RA und Yb erreicht zu werden, um RA durch Zugabe von Yb daran zu hindern, übermässig in BaTiO₃ unter Mischkristallbildung gelöst zu werden. Allerdings genügte dies nicht als Antwort auf die Forderungen nach einer kompakteren keramischen elektronischen Komponente mit höherer Leistung und höherer Zuverlässigkeit.
Daher enthält die vorliegende Ausführungsform Seltenerdelemente (RB), die einen dazwischenliegenden effektiven Innenradius zwischen dem von RA und dem von Yb haben. Dieses RB kann die Lebensdauer der dielektrischen Keramikzusammensetzung verbessern, obgleich eine solche Wirkung nicht so stark ist wie die von RA. Andererseits neigt die Temperatureigenschaft dazu, vom Verhältnis des Gehalts zwischen RB und RA abzuhängen.
Daher kann durch Einstellen der Gehalte an RA (α) und RB (β) innerhalb der speziellen Bereiche und weiteres Einstellen von RA und RB (α + β), das die Lebensdauer verbessert, und des Gehalts an Yb (γ), der die Temperatureigenschaft verbessert, innerhalb des speziellen Bereichs ein guter Ausgleich zwischen Temperatureigenschaft und Lebensdauer erreicht werden.
Der Gehalt eines Oxids von Mg beträgt 0,5 bis 2,0 mol, vorzugsweise 0,8 bis 1,5 mol, in bezug auf Mg bezüglich 100 mol Bariumtitanat. Wenn der Gehalt des Oxids von Mg zu gross ist, neigt die Hochtemperatur-beschleunigte Lebensdauer dazu, kürzer zu werden. Wenn er andererseits zu klein ist, neigt die Brandtemperatur dazu, höher zu werden.
Es ist bevorzugt, dass die dielektrische Keramikzusammensetzung gemäss der vorliegenden Ausführungsform weiterhin als Unterkomponenten ein Oxid von V, ein Oxid von Mn und ein durch die Zusammensetzungsformel (Ba, Ca)_xSiO_2+x dargestelltes gemischtes Oxid enthält.
Der Gehalt des Oxids von V ist vorzugsweise 0,03 bis 0,10 mol in bezug auf V bezüglich 100 mol Bariumtitanat. Wenn der Gehalt des Oxids von V zu gross ist, neigt das CR-Produkt dazu, niedriger zu werden. Wenn er andererseits zu klein ist, neigt die Hochtemperatur-beschleunigte Lebensdauer dazu, kürzer zu werden.
Der Gehalt des Oxids von Mn ist vorzugsweise 0,10 bis 0,3 mol in bezug auf Mn bezüglich 100 mol Bariumtitanat. Wenn der Gehalt des Oxids von Mn zu gross oder zu klein ist, neigt die Hochtemperatur-beschleunigte Lebensdauer dazu, kürzer zu werden.
Das durch die Zusammensetzungsformel (Ba, Ca)_xSiO_2+x dargestellte gemischte Oxid hat hauptsächlich die Rolle einer Sinterhilfe. Wenn der Gehalt des gemischten Oxids als α definiert wird, ist a 0,6 (α + β + γ) bis 1,0 (α + β + γ) mol in bezug auf SiO₂ bezüglich 100 mol BaTiO₃. Das bedeutet, dass sich der Gehalt des gemischten Oxids (a) in Abhängigkeit von den Gehalten der obigen Seltenerdoxide (α + β + γ) ändert. Wenn die Gehalte der Seltenerdoxide zunehmen, wird es schwieriger, die dielektrische Keramikzusammensetzung zu sintern; daher kann durch Steuern des Gehalts des gemischten Oxids, wie oben beschrieben, die Brandtemperatur niedrig gehalten werden. Wenn der Gehalt des gemischten Oxids zu gross ist, neigt die spezifische Permittivität dazu, abzunehmen. Wenn er andererseits zu gering ist, neigt die Sinterfähigkeit dazu, abzunehmen.
Weiterhin ist x in der Zusammensetzungsformel (Ba, Ca)_xSiO_2+x vorzugsweise 0,5 bis 1,0. Ferner beträgt das Molverhältnis von Ba zu Si vorzugsweise 50% oder mehr.
Obgleich die Kristallpartikelgrösse der dielektrischen Partikel, die in der dielektrischen Keramikzusammensetzung gemäss der vorliegenden Ausführungsform enthalten sind, nicht besonders begrenzt ist, ist sie, um die Forderung, die dielektrische Schicht dünner zu machen, zu erfüllen, vorzugsweise 0,1 bis 0,3 μm. Ferner kann die dielektrische Keramikzusammensetzung gemäss der vorliegenden Ausführungsform in Abhängigkeit von den gewünschten Eigenschaften weitere Komponenten beinhalten.
Die Dicke der dielektrischen Schicht (2) ist vorzugsweise etwa 3 bis 7 μm pro Schicht, stärker bevorzugt etwa 3 bis 5 μm pro Schicht, um die Forderung, die dielektrische Schicht dünner zu machen, zu erfüllen.
Obgleich die Anzahl der beschichteten Schichten der dielektrischen Schicht (2) nicht besonders begrenzt ist, ist sie vorzugsweise 20 oder mehr, stärker bevorzugt 50 oder mehr, insbesondere bevorzugt 100 oder mehr. Die Obergrenze der Anzahl der geschichteten Schichten ist nicht besonders begrenzt, ist allerdings beispielsweise 2.000 usw.
Innere Elektrodenschicht (3):
Obgleich das in der inneren Elektrodenschicht (3) enthaltene leitfähige Material nicht besonders begrenzt ist, kann ein vergleichsweise preisgünstiges Basismetall verwendet werden, da das die dielektrische Schicht (2) aufbauende Material gegenüber Reduktion resistent ist. Als Basismetall des leitfähigen Materials ist Nickel oder eine Nickellegierung bevorzugt. Als Nickellegierung ist eine Legierung zwischen Nickel und mindestens einer Art von Elementen, ausgewählt aus Mn, Cr, Co und Al, bevorzugt, und der Nickelgehalt in der Legierung ist vorzugsweise 95 Gew.% oder mehr. Es ist zu beachten, dass in Nickel oder der Nickellegierung etwa 0,1 Gew.% oder weniger an verschiedenen geringeren Komponenten, wie beispielsweise P oder dergleichen, enthalten sein kann. Obgleich die Dicke der inneren Elektrodenschicht (3) in Abhängigkeit vom Verwendungszweck und dergleichen geeignet gewählt werden kann, ist sie vorzugsweise 0,1 bis 3 μm, insbesondere bevorzugt etwa 0,2 bis 2,0 μm.
Äussere Elektrode (4):
Obgleich das in der äusseren Elektrode (4) enthaltene, leitfähige Material nicht besonders begrenzt ist, können in der vorliegenden Ausführungsform preisgünstiges Ni, Cu oder deren Legierungen verwendet werden. Die Dicke der äusseren Elektrode kann in Abhängigkeit vom Verwendungszweck oder dergleichen geeignet gewählt werden, und normalerweise sind etwa 10 bis 50 μm bevorzugt.
Herstellungsverfahren für einen mehrschichtigen keramischen Kondensator (1):
Ein mehrschichtiger keramischer Kondensator (1) der vorliegenden Ausführungsform wird ähnlich einem herkömmlichen mehrschichtigen keramischen Kondensator durch Herstellung eines Chip-Rohlings mittels eines normalen Druckverfahrens oder eines Bogen (Sheet)-Verfahrens unter Verwendung einer Paste, anschliessendes Brennen sowie Backen nachdem die äussere Elektrode gedruckt oder übertragen worden ist, hergestellt. Nachstehend wird ein Herstellungsverfahren speziell beschrieben.
Zuerst wird das dielektrische Material zur Bildung der dielektrischen Schicht hergestellt und als Paste zubereitet, um eine dielektrische Schichtpaste herzustellen.
Für das dielektrische Material werden zuerst ein Material aus Bariumtitanat, Materialien der Oxide der Seltenerdelemente (RA, RB und Yb) und ein Material des Oxids von Mg hergestellt. Für diese Materialien können die obigen Oxide der Komponenten, Mischungen davon oder gemischte Oxide davon verwendet werden. Ebenso können verschiedene Verbindungen, die durch das Brennen zu den obigen Oxiden oder gemischten Oxiden werden, wie beispielsweise Carbonat, Oxalat, Nitrat, Hydroxid oder organische Metallverbindungen, geeignet ausgewählt und verwendet werden, oder es können Mischungen davon verwendet werden.
Das Bariumtitanatmaterial, das durch verschiedene Verfahren, wie beispielsweise verschiedene Flüssigphasenverfahren (beispielsweise Oxalatverfahren, Hydrothermalsyntheseverfahren, Alkoxidverfahren, Sol-Gel-Verfahren und dergleichen) wie auch durch sogenannte Festphasenverfahren, hergestellt wird, kann verwendet werden.
Wenn ausser dem Bariumtitanat, den Seltenerdelementoxiden (RA, RB und Yb) und dem Oxid von Mg in der dielektrischen Schicht weitere Komponenten enthalten sind, so können für die Materialien dieser Komponenten Oxide dieser Komponenten, eine Mischung davon oder zusammengesetzte Oxide davon, ähnlich wie oben, verwendet werden. Ebenso können verschiedene Verbindungen, die durch das Brennen zu den obigen Oxiden oder gemischten Oxiden werden, verwendet werden.
Der Gehalt jeder Komponente im dielektrischen Material kann so gewählt werden, dass es nach dem Brennen zur Zusammensetzung der oben beschriebenen dielektrischen Keramikzusammensetzung wird. Die mittlere Teilchengrösse des dielektrischen Materials ist normalerweise etwa 0,1 bis 1 μm, bevor das Material zur Paste zubereitet wird.
Die dielektrische Schichtpaste kann eine Paste vom organischen Typ sein, die durch Kneten des dielektrischen Materials und eines organischen Vehikels erhalten wird, oder sie kann eine Paste auf Wasserbasis sein.
Das organische Vehikel wird durch Auflösen eines Bindemittels in einem organischen Lösungsmittel erhalten. Das für das organische Vehikel verwendete Bindemittel ist nicht besonders beschränkt und kann aus verschiedenen gewöhnlichen Bindemitteln, wie beispielsweise Ethylcellulose, Polyvinylbutyral und dergleichen, geeignet ausgewählt werden. Auch ist das organische Lösungsmittel nicht besonders beschränkt und kann aus verschiedenen Lösungsmitteln, wie beispielsweise Terpineol, Butylcarbitol, Aceton, Toluol und dergleichen, in Abhängigkeit von dem verwendeten Verfahren, wie beispielsweise Druckverfahren oder Bogen-Verfahren, geeignet ausgewählt werden.
Auch wenn die dielektrische Schichtpaste als Paste auf Wasserbasis zubereitet wird, können das Vehikel auf Wasserbasis, das durch Auflösen eines wasserlöslichen Bindemittels, eines Dispergiermittels oder dergleichen in Wasser erhalten wird, und das dielektrische Material geknetet werden. Das für das Vehikel auf Wasserbasis verwendete wasserlösliche Bindemittel ist nicht besonders beschränkt und es können beispielsweise Polyvinylalkohol, Cellulose, wasserlösliches Acrylharz und dergleichen verwendet werden.
Eine Paste für die innere Elektrodenschicht wird durch Kneten der leitfähigen Materialien, die aus den oben beschriebenen verschiedenen leitfähigen Metallen und Legierungen aufgebaut sind, oder den verschiedenen Oxiden, organischen Metallverbindungen, Resinaten usw., die nach dem Brennen zu den oben beschriebenen leitfähigen Materialien werden, mit dem oben beschriebenen organischen Vehikel erhalten. Ebenso kann die Paste für die innere Elektrode einen Inhibitor enthalten. Für den Inhibitor, obgleich nicht besonders beschränkt, ist es bevorzugt, dass er eine ähnliche Zusammensetzung wie die Hauptkomponente hat.
Die Paste für die äussere Elektrode kann ähnlich zur oben beschriebenen Paste für die innere Elektrode hergestellt werden.
Der Gehalt des organischen Vehikels in jeder der oben beschriebenen Pasten ist nicht besonders begrenzt und kann ein normaler Gehalt sein, beispielsweise kann das Bindemittel etwa 1 bis 5 Gew.% und das Lösungsmittel etwa 10 bis 50 Gew.% betragen. Auch können, falls nötig, in jeder Paste Additive, ausgewählt aus verschiedenen Dispergiermitteln, Weichmachern, Dielektrika, Isolatoren und dergleichen, enthalten sein. Die Gesamtmenge davon beträgt vorzugsweise 10 Gew.% oder weniger.
Bei Verwendung des Druckverfahrens werden die Paste für die dielektrische Schicht und die Paste für die innere Elektrodenschicht auf ein Substrat, wie beispielsweise PET und dergleichen, gedruckt und geschichtet und dann in eine vorbestimmte Form geschnitten, wobei durch das Entfernen von Substrat ein Chip-Rohling erhalten wird.
Bei Verwendung des Bogen-Verfahrens werden durch Verwendung der Paste für die dielektrische Schicht Rohling-Bögen gebildet, nach deren Bedrucken mit der Paste für die innere Elektrodenschicht werden diese geschichtet und in eine vorherbestimmte Form geschnitten, um einen Chip-Rohling zu erhalten.
Vor dem Brennen wird mit dem Chip-Rohling eine Bindemittel-Entfernungsbehandlung durchgeführt. Für die Bindemittel-Entfernungsbedingungen beträgt die Temperaturerhöhungsrate vorzugsweise 5 bis 300°C/std, die Haltetemperatur beträgt vorzugsweise 180 bis 400°C und die Temperaturhaltezeit beträgt vorzugsweise 0,5 bis 24 Stunden. Weiterhin ist die Bindemittel-Entfernungsatmosphäre Luft oder reduzierte Atmosphäre.
Nach der Bindemittel-Entfernungsbehandlung wird der Chip-Rohling gebrannt. Die Temperatursteigerungsrate beim Brennen beträgt vorzugsweise 100 bis 500°C/std. Die Haltetemperatur beim Brennen ist vorzugsweise 1.300°C oder weniger, stärker bevorzugt 1.200 bis 1.280°C, und die Haltezeit ist vorzugsweise 0,5 bis 8 Stunden, stärker bevorzugt 1,0 bis 4,0 Stunden. In der vorliegenden Ausführungsform kann dadurch, dass die Zusammensetzung der dielektrischen Keramikzusammensetzung die oben beschriebene Zusammensetzung hat, die Haltetemperatur auf 1.300°C oder weniger eingestellt werden. Falls die Haltetemperatur unterhalb dieses Bereichs ist, wird die Verdichtung unzureichend; und falls sie diesen Bereich übersteigt, besteht die Neigung, dass ein Brechen der Elektrode aufgrund abnormalen Sinterns der inneren Elektrodenschicht, eine Verschlechterung der Kapazitäts-Temperatureigenschaft aufgrund der Dispersion des aufbauenden Materials der inneren Elektrodenschicht oder eine Reduktion der dielektrischen Keramikzusammensetzung auftreten.
Die Brandatmosphäre ist reduzierte Atmosphäre und als Atmosphärengas kann beispielsweise ein feuchtes Mischgas von N₂ und H₂ bevorzugt verwendet werden.
Ferner kann der Sauerstoffpartialdruck beim Brennen in Abhängigkeit von der Art des leitfähigen Materials in der Paste für die innere Elektrodenschicht geeignet ausgewählt werden. Bei Verwendung von Basismetall, wie beispielsweise Ni oder Ni-Legierung und dergleichen, ist der Sauerstoffpartialdruck in der Brandatmosphäre vorzugsweise 10^–14 bis 10^–10 MPa. Wenn der Sauerstoffpartialdruck unterhalb dieses Bereichs ist, so kann das leitfähige Material der inneren Elektrodenschicht abnormal gesintert sein, was zu dessen Bruch führt. Weiterhin neigt die innere Elektrodenschicht dazu, zu oxidieren, falls der Sauerstoffpartialdruck den Bereich überschreitet. Die Temperaturverringerungsrate beträgt vorzugsweise 50 bis 500°C/std.
Es ist bevorzugt, nach dem Brennen ein Tempern des Kondensatorelementkörpers unter reduzierter Atmosphäre durchzuführen. Das Tempern ist die Behandlung für eine Reoxidation der dielektrischen Schicht, wodurch die Zuverlässigkeit verbessert wird, da die IR-Lebensdauer (Lebensdauer des Isolationswiderstands) extrem verlängert werden kann.
In der Atmosphäre zum Tempern beträgt der Sauerstoffpartialdruck vorzugsweise 10^–9 bis 10^–5 MPa. Wenn der Sauerstoffpartialdruck unterhalb des obigen Bereichs liegt, so ist die Reoxidation der dielektrischen Schicht schwierig; und wenn er den obigen Bereich übersteigt, neigt die Oxidation der inneren Elektrodenschicht dazu, fortzuschreiten.
Ferner beträgt die Haltetemperatur beim Tempern vorzugsweise 1.100°C oder weniger, insbesondere bevorzugt 1.000 bis 1.100°C. Wenn die Haltetemperatur geringer ist als der obige Bereich, könnte die dielektrische Schicht nicht ausreichend oxidiert werden.
Als Ergebnis ist der IR niedrig und die IR-Lebensdauer kann leicht verkürzt werden. Wenn andererseits die Haltetemperatur den obigen Bereich übersteigt, wird nicht nur die Kapazität aufgrund der Oxidation der inneren Elektrodenschicht verringert, sondern auch die Kapazitäts-Temperatureigenschaft verschlechtert, und eine Verringerung des IR und eine Reduktion der IR-Lebensdauer können leicht auftreten. Es ist zu beachten, dass das Tempern nur im Temperaturerhöhungsprozess und im Temperaturverringerungsprozess bestehen kann. Die Temperaturhaltezeit kann nämlich 0 sein. In diesem Fall ist die Haltetemperatur die gleiche wie die Maximaltemperatur.
Bezüglich der anderen Temperbedingungen beträgt die Temperaturhaltezeit vorzugsweise 0 bis 20 Stunden und die Temperaturverringerungsrate vorzugsweise 50 bis 500°C/std. Weiterhin ist es bevorzugt, für das Atmosphärengas zum Tempern beispielsweise feuchtes N₂-Gas und dergleichen zu verwenden.
Für die oben erwähnte Bindemittel-Entfernungsbehandlung, das Brennen und das Tempern können beispielsweise ein Befeuchter und dergleichen verwendet werden, um das N₂-Gas, das Mischgas und dergleichen zu befeuchten. In diesem Fall ist die Wassertemperatur vorzugsweise etwa 5 bis 75°C.
Die Bindemittel-Entfernungsbehandlung, das Brennen und das Tempern können kontinuierlich oder individuell durchgeführt werden.
Mit dem oben erhaltenen Kondensatorelementkörper wird ein Endflächenpolieren durchgeführt, beispielsweise durch Zylinderpolieren oder Sandstrahlen, dann wird die Paste für die äussere Elektrode zum Backen aufgedruckt und eine äussere Elektrode (4) wird gebildet. Dann wird, falls nötig, auf der Oberfläche der äusseren Elektrode (4) eine Deckschicht durch Plattieren oder dergleichen gebildet.
Der so hergestellte, mehrschichtige, keramische Kondensator der vorliegenden Ausführungsform wird für verschiedene elektronische Komponenten und dergleichen verwendet, indem man ihn durch Löten oder dergleichen auf einer Leiterplatte mit gedruckter Schaltung oder dergleichen montiert.
Vorstehendes wurde in bezug auf eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung beschrieben, allerdings ist die vorliegende Erfindung nicht auf die oben erwähnte Ausführungsform beschränkt, und innerhalb des Bereichs der vorliegenden Erfindung können verschiedene Modifikationen vorgenommen werden.
Beispielsweise ist in der obigen Ausführungsform ein mehrschichtiger keramischer Kondensator als Beispiel für eine erfindungsgemässe elektronische Komponente erwähnt. Allerdings ist eine solche keramische elektronische Komponente nicht auf einen mehrschichtigen keramischen Kondensator beschränkt und kann beliebig sein, solange sie die obige Zusammensetzung aufweist.
BEISPIELE
Nachstehend wird die vorliegende Erfindung anhand weiterer detaillierter Beispiele beschrieben, wobei die vorliegende Erfindung nicht darauf beschränkt ist.
BEISPIEL 1
Zuerst wurden BaTiO₃-Pulver als Material für die Hauptkomponente, Tb₂O_3,5-Pulver als Material für das Oxid von RA, Y₂O₃-Pulver als Material für das Oxid von RB und Yb₂O₃-Pulver hergestellt. Ferner wurde MgCO₃-Pulver als Material für das Oxid von Mg, MnO-Pulver als Material für das Oxid von Mn, V₂O₅-Pulver als Material für das Oxid von V und (Ba_0,57Ca_0,43)SiO₃-Pulver als (Ba, Ca)_xSiO_2+x hergestellt.
Als nächstes wurden die entsprechenden, oben hergestellten Pulvermaterialien in den in den Tabellen 1 bis 3 gezeigten Mengen abgewogen und dann gemischt und durch eine Kugelmühle über 10 Stunden pulverisiert, gefolgt von Trocknen, um ein dielektrisches Material zu erhalten. Es ist zu beachten, dass hinsichtlich Muster 41 Gd₂O₃-Pulver als Material für das Oxid von RA hergestellt wurde. Hinsichtlich Muster 42 wurden DY₂O₃-Pulver als Material für das Oxid von RA und Ho₂O₃-Pulver als Material für das Oxid von RB hergestellt. Ferner ist MgCO₃ nach dem Brennen in der dielektrischen Keramikzusammensetzung als MgO enthalten.
Als nächstes wurden 100 Gew.-Teile des erhaltenen dielektrischen Materials, 10 Gew.-Teile Polyvinylbutyralharz, 5 Gew.-Teile Dioctylphthalat (DOP) als Weichmacher und 100 Gew.-Teile Alkohol als Lösungsmittel durch eine Kugelmühle gemischt und zu einer Paste verarbeitet, wodurch die Paste für die dielektrische Schicht erhalten wurde.
Ferner wurden 44,6 Gew.-Teile Ni-Partikel, 52 Gew.-Teile Terpineol, 3 Gew.-Teile Ethylcellulose und 0,4 Gew.-Teile Benzotriazol durch eine Drei-Walzen-Mühle geknetet und zu einer Paste verarbeitet, wodurch eine Paste für die innere Elektrodenschicht erhalten wurde.
Dann wurde ein Rohling-Bogen auf einem PET-Film gebildet, so dass die Dicke des Rohling-Bogens nach dem Trocknen unter Verwendung der oben hergestellten dielektrischen Schichtpaste 7,0 μm betrug. Nachdem eine Elektrodenschicht in einem vorherbestimmten Muster unter Verwendung der inneren Elektrodenschichtpaste hierauf gedruckt worden war, wurde als nächstes der Bogen von dem PET-Film entfernt, wodurch ein Rohling-Bogen mit der Elektrodenschicht hergestellt wurde. Dann wurde eine Mehrzahl der Rohling-Bögen mit der Elektrodenschicht geschichtet und durch Druck gebunden, um einen geschichteten Rohling-Körper zu bilden. Der geschichtete Rohling-Körper wurde auf eine vorherbestimmte Grösse geschnitten, um einen Chip-Rohling zu erhalten.
Als nächstes wurde mit dem erhaltenen Chip-Rohling die Bindemittel-Entfernungsbehandlung durchgeführt, dann wurde er unter den folgenden Bedingungen gebrannt und getempert; dadurch wurde ein Sinterkörper erhalten, der ein Elementkörper ist.
Die Bindemittel-Entfernungsbehandlung wurde unter den Bedingungen einer Temperatursteigerungsrate von 25°C/std, einer Haltetemperatur von 260°C, einer Haltezeit von 8 Stunden und einer Atmosphäre von Luft durchgeführt.
Das Brennen wurde unter den Bedingungen einer Temperatursteigerungsrate von 200°C/std, einer Haltetemperatur von 1.200 bis 1.340°C, einer Haltezeit von 2 Stunden und einer Temperaturverringerungsrate von 200°C/std durchgeführt. Es ist zu beachten, dass das Atmosphärengas feuchtes N₂ + H₂-Mischgas war, und der Sauerstoffpartialdruck auf 10^–12 MPa eingestellt worden war.
Das Tempern wurde unter den Bedingungen einer Temperatursteigerungsrate von 200°C/std, einer Haltetemperatur von 1.000°C, einer Haltezeit von 2 Stunden, einer Temperaturverringerungsrate von 200°C/std und feuchtem N₂-Gas als Atmosphärengas (Sauerstoffpartialdruck: 10^–7 MPa) durchgeführt.
Es ist zu beachten, dass für das Befeuchten des Atmosphärengases zum Brennen und Tempern ein Befeuchter verwendet wurde.
Nach dem Polieren einer Endfläche des erhaltenen Sinterkörpers durch Sandstrahlen wurde als nächstes mit Cu als äussere Elektrode aufgetragen, wodurch ein Muster eines mehrschichtigen keramischen Kondensators, wie in 1 gezeigt, erhalten wurde. Die Grösse des erhaltenen Kondensatormusters betrug 3,2 mm × 1,6 mm × 0,6 mm, die Dicke der dielektrischen Schicht betrug 5,0 μm, die Dicke der inneren Elektrodenschicht betrug 1,1 μm und die Anzahl der dielektrischen Schichten, die zwischen den inneren Elektrodenschichten sandwichartig geschichtet sind, wurde auf 4 gesetzt.
Für jedes erhaltene Kondensatormuster wurden die spezifische Permittivität, das CR-Produkt, die Kapazitäts-Temperatureigenschaft und die Hochtemperatur-beschleunigte Lebensdauer (HALT) durch die nachstehend gezeigten Verfahren gemessen.
Spezifische Permittivität ε:
Die spezifische Permittivität ε (keine Einheit) wurde aus der Kapazität des erhaltenen Kondensatormusters berechnet, die bei einer Referenztemperatur von 25°C mit einem digitalen LCR-Messgerät (4274A, hergestellt von YHP) unter den Bedingungen einer Frequenz von 1 kHz und einem Input-Signalpegel (Messspannung) von 1,0 V (rms) gemessen wurde. Je höher die spezifische Permittivität, umso bevorzugter; und im vorliegenden Beispiel sind Muster, in denen die spezifische Permittivität 1.300 oder höher war, als gut bewertet. Die Ergebnisse sind in den Tabellen 1 bis 3 gezeigt.
CR-Produkt:
Für die Kondensatormuster wurde der Isolationswiderstand IR nach dem Anlegen einer Gleichstromspannung von 10 V/μm bei 20°C für 1 Minute unter Verwendung eines Isolationswiderstandstesters (R8340A, hergestellt von Advantest Corporation) gemessen. Das CR-Produkt wurde durch Bilden des Produkts der Kapazität C (Einheit: μF), gemessen wie oben beschrieben; und des Isolationswiderstands IR (Einheit: MΩ) gemessen. In den vorliegenden Beispielen wurden die Muster, bei denen das CR-Produkt 500 oder mehr war, als gut bewertet und in den Tabellen 1 bis 3 als ”gut” angegeben und die anderen Muster wurden als ”schlecht” angegeben. Die Ergebnisse sind in den Tabellen 1 bis 3 gezeigt.
Kapazitäts-Temperatureigenschaft:
Von den Kondensatormustern wurde die Kapazität von –55 bis 155°C gemessen, um die Änderungsrate ΔC der Kapazität zu berechnen, und es wurde bewertet, ob die Änderungsrate die X8R-Eigenschaft des EIA-Standards erfüllt oder nicht. Dazu wurde bewertet, ob die Änderungsrate ΔC über den obigen Temperaturbereich innerhalb von ±15% lag oder nicht. Die Ergebnisse sind in den Tabellen 1 bis 3 gezeigt.
Hochtemperatur-beschleunigte Lebensdauer (HALT):
Durch Anlegen von Gleichstromspannung unter einem elektrischen Feld von 40 V/μm bei 200°C wurde die Lebensdauer der Kondensatormuster gemessen; damit wurde die Hochtemperatur-Lebensdauer unter Last bewertet. Im vorliegenden Beispiel wurde die Ausfallzeit als die Zeit von Beginn des Spannungsanlegens bis zum Abfall des Isolationswiderstands um eine Stelle definiert, und die mittlere Zeit bis zum Ausfall (mean time to failure; MTTF), berechnet anhand einer Weibull-Analyse, wurde als Lebensdauer definiert. Weiterhin wurde die Bewertung dieser Hochtemperatur-beschleunigten Lebensdauer mit 20 Kondensatormustern durchgeführt, wobei der Mittelwert der Lebensdauer als Hochtemperatur-beschleunigte Lebensdauer definiert wurde. Im vorliegenden Beispiel wurden Muster, deren Lebensdauer 1,5 Stunden oder länger war, als gut bestimmt. Die Ergebnisse sind in den Tabellen 1 bis 3 gezeigt.
Ferner wurden Muster mit einer Brandtemperatur von 1.300°C oder weniger als gut bestimmt, in den Tabellen 1 bis 3 sind Muster mit einer Brandtemperatur von 1.300°C oder weniger als ”gut” angegeben und Muster mit einer Brandtemperatur von mehr als 1.300°C wurden als ”schlecht” angegeben.
In den Tabellen 1 bis 3 wurde bestätigt, dass, wenn die Gehalte und Verhältnisse des Oxids von RA, des Oxids von RB und des Oxids von Yb innerhalb des Bereichs der vorliegenden Erfindung lagen, eine gute Hochtemperaturbeschleunigte Lebensdauer erhalten wurde, während eine niedrige Brandtemperatur eingehalten und die X8R-Eigenschaft erfüllt wurden; ausserdem waren die spezifische Permittivität und das CR-Produkt gut. Auch wenn andere Elemente als Tb für RA bzw. Y für RB verwendet wurden, wurde dennoch bestätigt, dass eine ähnliche Wirkung erzielt werden kann.
BEISPIEL 2
Ausser dass die Gehalte der entsprechenden Komponenten gemäss den in Tabelle 4 gezeigten Mengen und die Zusammensetzungen des gemischten Oxids gemäss den in Tabelle 4 gezeigten Zusammensetzungen eingestellt wurden, wurden die mehrschichtigen keramischen Kondensatormuster ähnlich wie in Beispiel 1 hergestellt und die Bewertungen der Eigenschaften wurden ähnlich wie in Beispiel 1 durchgeführt. Die Ergebnisse sind in Tabelle 4 gezeigt. Es ist zu beachten, dass bestätigt wurde, dass alle Muster in Tabelle 4 die X8R-Eigenschaft als Kapazitäts-Temperatureigenschaft erfüllten.
In Tabelle 4 wurde bestätigt, dass, wenn die Gehalte und Arten der zusammengesetzten Oxide ausserhalb der bevorzugten Bereiche der vorliegenden Erfindung lagen, die Brandtemperatur zu hoch war oder die Hochtemperaturbeschleunigte Lebensdauer verschlechtert wurde.
BEISPIEL 3
Ausser dass die Gehalte des Oxids von Mg, des Oxids von V und des Oxids von Mn in den in Tabelle 5 gezeigten Mengen eingestellt wurden, wurden die mehrschichtigen keramischen Kondensatormuster ähnlich wie in Beispiel 1 hergestellt und die Bewertungen der Eigenschaften wurden ähnlich wie in Beispiel 1 durchgeführt. Die Ergebnisse sind in Tabelle 5 gezeigt. Es ist zu beachten, dass bestätigt wurde, dass alle Muster in Tabelle 5 die X8R-Eigenschaft als Kapazitäts-Temperatureigenschaft erfüllten.
In Tabelle 5 wurde bestätigt, dass, wenn die Gehalte des Oxids von Mg, des Oxids von V und des Oxids von Mn ausserhalb der bevorzugten Bereiche der vorliegenden Erfindung lagen, das CR-Produkt oder die Hochtemperaturbeschleunigte Lebensdauer verschlechtert wurden.
BEISPIEL 4
Ausser dass die Dicke der dielektrischen Schicht (Zwischenschichtdicke) auf 10 μm eingestellt wurde, wurden die mehrschichtigen keramischen Kondensatormuster ähnlich zu den Mustern 3, 12 und 13 hergestellt; und die Bewertungen der Eigenschaften wurde ähnlich wie in Beispiel 1 durchgeführt. Die Ergebnisse sind in Tabelle 6 gezeigt.
In Tabelle 6 wurde bestätigt, dass, selbst wenn die Zusammensetzungen und die Herstellungsbedingungen die gleichen waren, die Kapazitäts-Temperatureigenschaft und die Hochtemperatur-beschleunigte Lebensdauer zur Verschlechterung neigen, wenn die Zwischenschichtdicke dünner wird. Insbesondere hinsichtlich der Hochtemperaturbeschleunigten Lebensdauer, da die an die Schicht angelegte Spannung pro μm (die elektrische Feldintensität) aufgrund der dünneren Zwischenschichtdicke grösser wird, wodurch die Bewertungsbedingungen sehr streng werden. Als Ergebnis wurde bestätigt, dass die Hochtemperaturbeschleunigte Lebensdauer sehr viel schlechter wird, wenn die Zwischenschichtdicke dünner gemacht wird.
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur

JP 3091192 [0003, 0005]

Claims

Dielektrische Keramikzusammensetzung, umfassend: ein Bariumtitanat als Hauptkomponente; als Unterkomponenten, in bezug auf 100 mol des Bariumtitanats 0,9 bis 2,0 mol eines Oxids von RA in bezug auf RA₂O₃, worin RA mindestens eines, ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Dy, Gd und Tb, ist; 0,3 bis 2,0 mol eines Oxids von RB in bezug auf RB₂O₃, worin RB mindestens eines, ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Ho und Y, ist; 0,75 bis 2,5 mol eines Oxids von Yb in bezug auf Yb₂O₃; und 0,5 bis 2,0 mol eines Oxids von Mg in bezug auf Mg, worin, wenn die Gehalte des Oxids von RA, des Oxids von RB und des Oxids von Yb in bezug auf 100 mol des Bariumtitanats als α, β bzw. γ definiert werden, α, β und γ die Beziehungen 0,66 ≤ (α/β) ≤ 3,0 und 0,8 ≤ (α + β)/γ ≤ 2,4 erfüllen.
Dielektrische Keramikzusammensetzung gemäss Anspruch 1, die als Unterkomponente ferner 0,03 bis 0,10 mol eines Oxids von V in bezug auf V bezüglich 100 mol des Bariumtitanats, umfasst.
Dielektrische Keramikzusammensetzung gemäss Anspruch 1 oder 2, die als Unterkomponente ferner 0,10 bis 0,30 mol eines Oxids von Mn in bezug auf Mn bezüglich 100 mol des Bariumtitanats, umfasst.
Dielektrische Keramikzusammensetzung gemäss einem der Ansprüche 1 bis 3, die als Unterkomponente ferner 0,60 (α + β + γ) bis 1,0 (α + β + γ) mol eines durch die Zusammensetzungsformel (Ba, Ca)_xSiO_2+x gezeigten gemischten Oxids in bezug auf SiO₂ bezüglich 100 mol des Bariumtitanats umfasst, wobei x in der Zusammensetzungsformel 0,5 bis 1,0 ist.
Dielektrische Keramikzusammensetzung gemäss einem der Ansprüche 1 bis 4, worin RA Tb ist.
Dielektrische Keramikzusammensetzung gemäss einem der Ansprüche 1 bis 5, worin RB Y ist.
Keramische elektronische Komponente, die eine dielektrische Schicht, die aus der dielektrischen Keramikzusammensetzung gemäss einem der Ansprüche 1 bis 6 aufgebaut ist, und eine Elektrode umfasst, worin die Dicke der dielektrischen Schicht 5,0 μm oder weniger ist.