DE102011083180B4 - Auslesungsverteilungsverwaltung für Phasenwechselspeicher - Google Patents

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Abstract

Verfahren aufweisend:Anlegen eines Vorspannungsimpulses an eine Phasenübergangspeicher (PCM) - Zelle, um einen Speicherzellenstrom zu erzeugen;Modifizieren des Speicherzellenstroms durch ein Stromdelta, um einen modifizierten Speicherzellenstrom zu erzeugen, wobei das Stromdelta auf einer zeitlichen Veränderung eines Referenzzellenstroms basiert und einen Zustandsverteilungsdrift der PCM-Zelle wiederspiegelt; undBestimmen eines Zustands (210) der PCM-Zelle zumindest teilweise basierend auf dem modifizierten Speicherzellenstrom.

Description

  • HINTERGRUND
  • Gebiet:
  • Der hierin offenbarte Gegenstand bezieht sich auf eine Speichervorrichtung und genauer auf eine Lese-/Schreib-Performance von Phasenübergangsspeicher.
  • Information:
  • Phasenübergangsspeicher (phase change memory, PCM) können basierend zumindest teilweise auf Verhalten und Eigenschaften von einem oder mehreren spezifischen Phasenübergangsmaterialien arbeiten, wie zum Beispiel Chalkogenid-Legierung und/oder Germanium Antimon Tellurid (GST), um nur einige wenige Beispiele zu nennen. Kristalline und amorphe Zustände von solchen Materialien können verschiedene spezifische Widerstände aufweisen, die somit eine Basis repräsentieren mittels der Information gespeichert werden kann. Der amorphe, hochohmige Zustand kann einen gespeicherten ersten binären Zustand repräsentieren und der kristalline, niederohmige Zustand kann einen gespeicherten zweiten binären Zustand repräsentieren. Selbstverständlich ist solch eine binäre Repräsentation von gespeicherter Information nur ein Beispiel: Phasenübergangsspeicher kann auch verwendet werden, um mehrere Speicherzustände zu speichern, die zum Beispiel repräsentiert sind durch unterschiedliche Ausmaße des spezifischen Widerstands des Phasenübergangsmaterials.
  • Eine PCM-Speicherzelle kann aus einem amorphen Zustand in einen kristallinen Zustand übergehen, indem ein Vorspannungssignal an der Speicherzelle angewendet wird. Charakteristiken eines Vorspannungssignals, wie zum Beispiel einen Spitzenbetrag und/oder eine Pulsweite kann ausgewählt werden, um einen Wechsel zu einem kristallinen Zustand zu erlauben.
  • Im Lauf der Zeit können zahlreiche Parameter eine PCM-Speicherzelle, wie zum Beispiel ein Lesestrom für spezifische Speicherzellenzustände, driften oder sich ändern als Ergebnis einer sich ändernden PCM-Temperatur, Neukristallisierung von Phasenübergangsmaterial, Drift, und/oder Zyklieren, um nur einige wenige Beispiele zu nennen. Solche Effekte können zu Lesefehlern der PCM-Speicherzelle führen.
  • Es wird ferner auf die Druckschriften US 20100061141 A1 , US 20100165719 A1 und US 7724564 B2 verwiesen.
  • Figurenliste
  • Nichtbeschränkende und nichtabschließende Ausführungsformen werden beschrieben werden mit Bezug auf die folgenden Zeichnungen, worin gleiche Bezugszeichen sich auf gleiche Teile über die verschiedenen Figuren hinweg beziehen, so lange nicht anderweitig angegeben.
    • 1 ist eine graphische Darstellung von Charakteristiken von Vorspannungssignal-Wellenformen gemäß einer Ausführungsform.
    • 2 ist eine graphische Darstellung, die eine Verteilung von Zuständen von Speicherzellen in einem PCM gemäß einer Ausführungsform zeigt.
    • 3 ist eine graphische Darstellung von Charakteristiken von Referenzstromwerten gemäß einer Ausführungsform.
    • 4 ist eine graphische Darstellung, die eine Verteilung von Zuständen von Speicherzellen in einem PCM gemäß einer anderen Ausführungsform zeigt.
    • 5 ist ein schematisches Diagramm, das einen Schreibpuffer gemäß einer Ausführungsform veranschaulicht.
    • 6 ist ein Flussdiagramm eines Schreib-/Lese-Prozesses einer Speicherzelle gemäß einer Ausführungsform.
    • 7 ist ein schematisches Diagramm, das einen Leseverteilung-Verwaltungsteil einer PCM-Vorrichtung gemäß einer Ausführungsform veranschaulicht.
    • 8 ist ein schematisches Diagramm, das eine beispielhafte Ausführungsform eines Rechnersystems gemäß einer Ausführungsform veranschaulicht.
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG
  • Der Bezug in dieser Beschreibung auf „eine Ausführungsform“ bedeutet, dass ein bestimmtes Merkmal, eine bestimmte Struktur oder Eigenschaft, die hier in Verbindung mit der Ausführungsform beschrieben ist, in zumindest einer Ausführungsform des beanspruchten Gegenstandes enthalten ist. Wenn daher der Ausdruck „in einer Ausführungsform“ oder der Ausdruck „eine Ausführungsform“ an verschiedenen Stellen in dieser Beschreibung auftritt, so bedeutet dies nicht notwendigerweise, dass alle diese sich auf dieselbe Ausführungsform beziehen. Darüber hinaus können die bestimmten Merkmale, Strukturen oder Eigenschaften in einer oder mehreren Ausführungsformen kombiniert werden.
  • Hierin beschriebene Ausführungsformen umfassen Prozesse und/oder eine elektronische Architektur, die eine Verwaltung von Leseverteilungen für eine Zelle mit einem Pegel (single-level cell, SLC)- oder eine Zelle mit mehreren Pegeln (multi-level cell, MLC)-Phasenübergangsspeicher (PCM)-Vorrichtungen umfasst. Ein Verwalten von Leseverteilungen von PCM-Zellen kann verwendet werden, um Lesefehler, in Antwort auf ein Verschieben in einer Zustandsverteilung der PCM-Zellen zu vermeiden, die im Laufe der Zeit wie unten beschrieben auftreten kann. Eine Zustandsverteilung einer Speicherzelle kann zum Beispiel mit einer oder mehreren Schwellwertspannungen korrespondieren, die einer Anzahl von Zuständen oder logischen Pegeln, die durch die Speicherzelle gespeichert werden, entsprechen. Mit anderen Worten können solche Zustände oder logische Pegel mit Spannungsbereichen korrespondieren, die durch Schwellwertspannungen getrennt sind. Zum Beispiel kann ein erster logischer Pegel mit einem ersten Spannungsbereich korrespondieren, ein zweiter logischer Pegel kann mit einem zweiten Spannungsbereich korrespondieren, ein dritter logischer Pegel kann mit einem dritten Spannungsbereich korrespondieren, usw. Einzelne logische Pegel können mit 2 Bit Daten korrespondieren, wie zum Beispiel „00“ für einen ersten logischen Pegel, „01“ für einen zweiten logischen Pegel, „10“ für einen dritten logischen Pegel, und „11“ für einen vierten logischen Pegel.
  • In einer Ausführungsform kann ein Verfahren eines Lesens einer Speicherzelle, die mit einem spezifischen Strom beschrieben wurde, ein Kompensieren für eine Änderung in dem spezifischen Strom umfassen. Solch eine Änderung kann zum Beispiel sich aus Änderungen bei zahlreichen physikalischen Phänomenen ergeben, wie etwa Drift des spezifischen Widerstands von PCM-Material, Temperaturänderungen, Retention, usw., wie unten im Detail beschrieben. Solch eine Stromänderung kann während einer Zeitspanne vor einem Lesen der Speicherzelle auftreten. In einer Implementierung kann solch eine Stromkompensation durchgeführt werden für jeden eines oder mehrerer Stufen einer angelegten Strom-Treppe wie unten im Detail beschrieben.
  • Solch ein Verfahren eines Lesens einer Speicherzelle kann einen Prozess beinhalten, eine oder mehrere Referenzzellen in einen Satz unterschiedlich bekannter Zustände (z.B. Strompegeln) zu schreiben, während gleichzeitig ein Feld von Speicherzellen (z.B. einer Speicherseite) beschrieben wird. Solch ein Prozess kann eine Gelegenheit bieten zum Verifizieren und/oder Bestimmen, nachfolgend auf ein Schreiben der einen oder der mehreren Referenzzellen, einer Änderung oder Verschiebung der Referenzzellen mit Bezug auf den ursprünglichen Zustand in welchem die Referenzzelle beschrieben wurde. Solch eine Verifizierung und/oder Bestimmung kann während einer Leseoperation einer Speicherzelle durchgeführt werden. Information bezüglich einer Änderung oder eine Verschiebung von Stromwerten, zum Beispiel, der Referenzzellen kann, wie unten im Detail beschrieben, in einer Nachschlagetabelle gespeichert werden.
  • In einer Ausführungsform kann ein Verfahren zum Lesen einer Speicherzelle ein Einprägen eines Stroms in eine Referenzzelle hinein umfassen, um einen sich ergebenden Spannungsabfall über die Referenzzelle selbst hinweg zu bestimmen. Solch ein sich ergebender Spannungsabfall kann mit einem Spannungsabfall verglichen werden, der sich aus einem Strom, der in eine spezifische Speicherzelle eines Felds hinein fließt, ergibt Falls solch ein Vergleich angibt, dass die zwei Spannungen im Wesentlichen gleich sind (z.B. ein Wert eines Stroms, der durch eine spezifische Speicherzelle fließt, ist derselbe wie der Strom, der durch die Referenzzelle des Felds fließt), dann kann die spezifische Speicherzelle betrachtet werden als innerhalb eines spezifischen Bereichs oder einer spezifischen Verteilung des Referenzstroms zu sein. Wegen Änderungen in der Umgebung, Prozessänderungen, usw., kann ein gegenwärtiger Stromwert in der spezifischen Speicherzelle von dem des ursprünglichen Zustands, zu der Zeit als die spezifische Referenzzelle beschrieben wurde, abgedriftet sein. Dementsprechend können Differenzen zwischen ursprünglichen Werten einzelner Ströme in einer Verteilung und gegenwärtiger Werte von einzelnen Strömen in der Verteilung abgeschätzt werden und solche Differenzwerte können zum Beispiel in einem Register gespeichert werden. Um Variationen eines Stroms, die während einer Zeitspanne aufgetreten sein könnten, zu kompensieren, können geeignete Stromdifferenzen aus dem Register abgerufen werden und auf einen Strom in einer Speicherzelle angewendet werden.
  • In einer Implementierung kann eine Kompensation für eine Änderung bei einem spezifischen Strom einer Speicherzelle wie oben beschrieben in Antwort auf ein Fehlerkorrekturcode (ECC)-Überlaufereignis durchgeführt werden. Eine ECC-Schaltung kann für eine spezifische Fähigkeit entworfen werden, um zum Beispiel eine Anzahl an Fehlern in Daten zu korrigieren. Falls die Anzahl an detektierten Fehlern solch eine Fähigkeit überschreitet, kann die Schaltung ein ECC-Überlaufereignis erfahren, wobei solche Fehler bei den Daten nicht korrigiert werden können.
  • In einer Ausführungsform können PCM-Zellen beschrieben werden mit jeder der zwei oder mehreren logischen Pegeln zumindest teilweise basierend auf einer oder mehreren Schwellwertreferenzspannungen oder Schwellwertreferenzströmen, welche die zwei oder mehreren Zustände oder logischen Pegel trennen. Dementsprechend können logische Pegel, die in PCM-Zellen gespeichert sind, nachfolgend gelesen und bestimmt werden zumindest teilweise basierend auf demselben einen oder denselben mehreren Schwellwertreferenzströmen, die verwendet wurden um vorher die PCM-Zellen zu beschreiben. Genauer können Verifikationsreferenzströme als Schwellwerte verwendet werden mit welchen ein Zellenstrom während eines Leseprozesses einer PCM-Zelle verglichen wird. Ein Zellenstrom während eines Leseprozesses kann sich durch Anlegen einer Spannung über einer PCM-Zelle ergeben, so dass der Zellenstrom während des Leseprozesses zumindest teilweise von einem Widerstandswert der PCM-Zelle abhängen kann. Dementsprechend kann der Zustand oder logische Wert einer PCM-Zelle, z.B. Widerstandsniveau, bestimmt werden durch Vergleichen solch eines Zellenstroms während des Leseprozesses mit Schwellwertreferenzströmen. Im Laufe der Zeit kann der Zellenstrom für eine spezifische Spannung, die an einer PCM-Zelle angelegt wird, driften oder sich zum Beispiel wegen Temperaturänderungen der PCM-Zelle ändern (andere Gründe für solch ein Driften werden unten diskutiert werden). Hierin kann ein Driften von PCM-Zellenparametern, das zu solchen Änderungen in dem Zellenstrom bei einer spezifischen angelegten Spannung als eine Zustandsverteilungsdrift bezeichnet werden. Weil sich Zellenströme, die mit gespeicherten logischen Pegeln korrespondieren, mit der Zeit ändern können, während Schwellwertreferenzströme unverändert bleiben, kann ein Vergleich der Zellenströme mit Referenzströmen zu Lesefehlern der logischen Pegel, die in den Speicherzellen gespeichert sind, führen.
  • In einer Ausführungsform kann eine Vorrichtung eine Speichervorrichtung wie zum Beispiel einen Schreibpuffer aufweisen, der ein PCM-Feld und Referenzzellen enthält, der einen Abschnitt des PCM-Felds umfasst, um spezifische Referenzzustände zu speichern. Die Referenzzellen und das PCM-Feld können zur selben Zeit beschrieben werden. In solch einem Fall können Einflüsse wie zum Beispiel Temperatur an den PCM-Zellen identisch auf gespeicherte Referenzzustände und gespeicherte Speicherzustände einwirken, das möglicherweise zu einer Drift oder Änderung der Verteilung solcher Zustände, wie unten detaillierter erklärt, führen. Solch eine Vorrichtung kann auch eine Steuerung zum Anlegen einer spezifischen Spannung an eine Zelle des PCM-Felds aufweisen, um einen Lesestrom zu erzeugen, und um den Zellenstrom zu modifizieren zumindest teilweise basierend auf einem Referenzstrom, der sich zumindest von einer der Referenzzellen ergibt. In einer Implementierung kann ein Betrag an Zustandsverteilungsdrift einer Referenzzelle zu einer spezifischen Zeit bestimmt werden, so dass ein Lesestrom einer PCM-Zelle dementsprechend während eines Prozesses zum Lesen der PCM-Zelle modifiziert werden kann. Dementsprechend können Lesefehler, die sich von einer Zustandsverteilungsdrift der PCM-Zellen ergeben, durch Modifizieren eines PCM-Zellenlesestroms während eines Leseprozesses reduziert werden. Ein Bestimmen eines Betrags an Zustandsverteilungsdrift kann durch Vergleichen eines Lesestroms einer Referenzzelle zu einer spezifischen Zeit mit einem Lesestrom der Referenzzelle zu einer früheren Zeit gemacht werden. Ergebnisse solch einer Bestimmung können als ein Wert der Stromdifferenz zwischen den Referenzzellen-Leseströmen zu verschiedenen Zeiten gespeichert werden. Solch eine Stromdifferenz wird hier als „Stromdelta“ bezeichnet. Stromdeltas können in solch einer Weise für einen oder mehrere Leseströme wie unten diskutiert bestimmt werden. Nachfolgend kann ein Lesestrom einer PCM-Zelle dann während eines Prozesses zum Lesen der PCM-Zelle des PCM-Felds zumindest teilweise basierend auf solchen Stromdeltas modifiziert werden.
  • Weiterhin kann, während solch eines Leseprozesses zum Abtasten eines gespeicherten Zustands, ein Lesestrom einer PCM-Zelle inkrementell durch Anlegen einer sich inkrementell erhöhenden Spannung an der PCM-Zelle erhöht werden. In einer spezifischen Implementierung kann eine sich inkrementell erhöhende Spannung (und der sich ergebende Zellenstrom) in Schritten durchgeführt werden, die hier als mit „N“ bezeichnet werden wie unten beschrieben. Dementsprechend kann ein Lesestrom einer Speicherzelle durch spezifische Beträge von einzelnen Lesestromschritten N modifiziert werden, somit wird die Tatsache berücksichtigt, dass die Zustandsverteilungsdrift eine Speicherzelle unterschiedlich beeinflussen kann für unterschiedliche Zellenspannungen (und die sich ergebenden Leseströme). Zum Beispiel kann während solcher Stromschritte eine Bestimmung für einzelne inkrementelle Schritte N durchgeführt werden, ob ein Lesestrom zu modifizieren ist oder nicht. Solch eine Bestimmung kann zumindest teilweise basiert sein auf einer Nachschlagetabelle, die mit Stromdeltas, die mit einzelnen inkrementellen Schritten N korrespondieren, gefüllt werden. In einer spezifischen Implementierung kann ein nichtflüchtiger Speicher verwendet werden, um zum Beispiel Stromdeltas als eine Funktion von N zu speichern.
  • 1 ist eine graphische Darstellung 100 von Charakteristiken von Vorspannungssignal-Wellenformen gemäß einer Ausführungsform. Eine PCM-Zelle kann zurückgesetzt werden durch ein Schmelzen von Phasenübergangsmaterial durch Anlegen einer relativ hohen Amplitude, einer relativ kurzen Dauer eines elektrischen Schreibimpulses, oder eines Vorspannungssignals 120. In einem Rücksetzzustand kann ein aktiver Bereich von Phasenübergangsmaterial einen amorphen Bereich, der kuppelförmig geformt ist, aufweisen, der zum Beispiel angrenzend an ein Heizelement in einer PCM-Zelle angeordnet ist. Kristallisiertes Phasenübergangsmaterial kann solch einen amorphen Bereich umgeben. In solch einem Zustand kann eine PCM-Zelle einen relativ hohen elektrischen Widerstandswert aufweisen. In einem nachfolgenden Prozess kann eine PCM-Zelle eingestellt werden durch Kristallisierung eines kuppelförmigen amorphen Bereichs, so dass ein im Wesentlichen gesamter Bereich von Phasenübergangsmaterial kristallin sein kann. Solch ein Prozess kann ein Herunterfahren einer Spannung und/oder eines Stroms zu einer relativ niedrigen Amplitude umfassen, ein relativ lange dauerndes Vorspannungssignals 110, das an einer PCM-Zelle angelegt wird, um sein Phasenübergangsmaterial zu kristallisieren. In solch einem Zustand kann eine PCM-Zelle einen relativ niedrigen elektrischen Widerstandswert aufweisen. In einer spezifischen Implementierung, wie zum Beispiel für einen MLC, kann ein spezifisches Vorspannungssignal 120 ausgewählt werden zum Setzen einer PCM-Zelle in einen spezifischen Zustand, der mit einem spezifischen Bereich von Widerstandswerten korrespondiert. Zum Beispiel kann das Vorspannungssignal 120 bezüglich Dauer und/oder Amplitude vermindert werden.
  • 2 ist eine graphische Darstellung 200, die eine Verteilung von Zuständen 210 in einem PCM darstellt, die gegen Lesestrom- Schrittnummern N gemäß einer Ausführungsform aufgetragen sind. Insbesondere können solche Speicherzellen Mehrpegelzellen umfassen. Einzelne Lesestrom-Schrittnummern N, die durch die horizontale Achse dargestellt sind, können mit spezifischen Leseströmen korrespondieren. Wie oben genannt, können Leseströme inkrementell erhöht werden durch einen Bereich, der mehrere Zustände eines MLC umfasst. Zum Beispiel kann N = 1 mit einem Lesestrom von einem Mikroampere korrespondieren, N = 2 kann mit einem Lesestrom von zwei Mikroampere korrespondieren, usw. Um mit dem Beispiel fortzufahren, kann eine relativ große Population von Speicherzellen des PCMs der graphischen Darstellung 200 einen „00“-Zustand aufweisen, der mit einem Lesestrom von drei Mikroampere oder N = 3 korrespondiert, einen „01“-Zustand aufweisen, der mit einem Lesestrom von zehn Mikroampere oder N = 10 korrespondiert, usw. Eine kleinere Population von Speicherzellen kann jedoch Zustände aufweisen, die an die „Ränder“ von Lesestromverteilungen fallen. Zum Beispiel können einige Speicherzellen des PCMs der graphischen Darstellung 200 einen „00“-Zustand aufweisen, der mit einem Lesestrom von zwei Mikroampere oder N = 2 korrespondiert, einen „01“-Zustand aufweisen, der mit einem Lesestrom von acht Mikroampere oder N = 8 korrespondiert, usw. Somit können in einer Implementierung Leseströme von einem relativ niedrigen Wert (z.B. N = o) bis zu einem relativ hohen Wert (z.B. N = 24) abgetastet werden, um Variationen von Leseströmen für mehrere Zustände einer Population von Speicherzellen Rechnung zu tragen. Zusätzlich zu solch einer statistischen Variation über eine Population von Speicherzellen kann eine Verteilung von Zuständen 200 der Speicherzellen sich über eine Zeit ändern oder driften, wie oben genannt und wie unten detaillierter diskutiert. Selbstverständlich sind solche Details, die eine Verteilung von Zuständen beschreiben, nur Beispiele und der beanspruchte Gegenstand ist in dieser Weise nicht beschränkt.
  • 3 zeigt eine graphische Darstellung mit Charakteristiken von abgetasteten Lesestromwerten gemäß einer Ausführungsform. Somit, um zu dem obigen Beispiel zurückzukehren, kann ein Lesestrom 324 von Schritt N = 1 mit einem Lesestrom von einem Mikroampere korrespondieren, ein Lesestrom 326 von Schritt N = 2 kann mit einem Lesestrom von zwei Mikroampere korrespondieren, usw. Selbstverständlich sind solche spezifischen Werte von Leseströmen nur Beispiele und der beanspruchte Gegenstand ist diesbezüglich nicht beschränkt. Weiterhin können in einer Ausführungsform Werte von einzelnen Leseströmen im Laufe der Zeit angepasst werden zum Kompensieren von Speicherzellenparametern, die sich im Laufe der Zeit ändern können. Zum Beispiel können solche Parameter eine Schwellwertspannung für einen oder mehrere spezifische Zustände von Speicherzellen umfassen, welche sich ändern können, wenn sich die Speicherzellentemperatur ändert.
  • 4 ist eine graphische Darstellung 400, die eine Zustandsverteilung 405 von PCM-Zellen in einer PCM-Vorrichtung gemäß einer anderen Ausführungsform darstellt. In einem spezifischen Beispiel umfasst die graphische Darstellung 400 Zustände „00“, „01“ und „10“, wobei der Zustand „01“ als driftend dargestellt ist während die Zustände „00“ und „10“ im Wesentlichen unverändert bleiben. Solch eine Drift kann zum Beispiel von einer Temperaturänderung der PCM-Vorrichtung resultieren. In einer Implementierung kann die graphische Darstellung 400 einen Abschnitt der graphischen Darstellung 200, die in 2 dargestellt ist, umfassen. Ein Verteilungsabschnitt 410 kann zum Beispiel einen Rand mit einem hohen Strom an dem Zustand „00“, ein Verteilungsabschnitt 420 kann einen Rand mit einem niedrigem Strom an dem Zustand „01“ aufweisen, ein Verteilungsabschnitt 430 kann einen Rand mit einem hohen Strom an dem Zustand „01“ aufweisen, und ein Verteilungsabschnitt 440 kann einen Rand mit einem niedrigem Strom an dem Zustand „10“ aufweisen. Der Zustand „00“ und der Zustand „01“ können durch ein Fenster 415 getrennt sein, und der Zustand „01“ und der Zustand „10“ können durch ein Fenster 435 getrennt sein. In einer Implementierung kann eine Verteilung von Zuständen sich im Laufe der Zeit aus einer beliebigen Anzahl von Gründen ändern. PCM-Zellen können zum Beispiel kristallines Material aufweisen, das zu einem höheren spezifischen Widerstand driftet, insbesondere, wenn eine Kristallisation des Materials nicht abgeschlossen ist, wie etwa in PCM-Zellen, die in einer Anwendung mit mehreren Pegeln verwendet werden. Andererseits können PCM-Zellen amorphes Material aufweisen, das sich zu einem kristallinen Zustand herausbilden kann, und somit eine Verteilung von Energiezuständen beeinflusst Zusätzlich kann ein Zyklieren durch Zustände einer PCM-Zelle auch eine Verteilung von Energiezuständen beeinflussen. Zum Beispiel kann der Zustand „01“ zu einem niedrigeren Spannungswert verschoben werden. In solch einem Fall können Speicherzellen mit dem Zustand „01“, der mit einem Lesestromschritt N = 9 korrespondiert, nachfolgend den Speicherzustand „01“ aufweisen, der mit einem Lesestromschritt N = 8 korrespondiert, als ein Ergebnis von solch einer Verteilungsverschiebung. Selbstverständlich sind solche Werte nur Beispiele und der beanspruchte Gegenstand ist in dieser Weise nicht beschränkt.
  • In einer Implementierung kann die Zustandsverteilung 405 mit der Zeit, die unterschiedlich ist für einen Zustand verglichen mit einem anderen Zustand, variieren. Obwohl der Zustand „01“ sich zum Beispiel um einen Betrag 450 zu einem niedrigeren Stromwert verschieben kann, können der Zustand „00“ und der Zustand „10“ unverändert bleiben. Folglich kann sich das Fenster 415 verschmälern, wohingegen sich das Fenster 435 verbreitern kann.
  • Dementsprechend kann ein Modifizieren von Leseströmen der PCM-Zellen für einzelne Lesestromschritte N es dem Fenster 415 und/oder dem Fenster 435 erlauben im Wesentlichen konstant zu bleiben trotz einer sich über die Zeit variierenden Zustandsverteilung.
  • 5 ist ein schematisches Diagramm das einen Schreibpuffer 510 gemäß einer Ausführungsform veranschaulicht. Solch ein Schreibpuffer kann einen Speicherfeldabschnitt 520 und einen Referenzabschnitt 530 umfassen. Zum Beispiel kann der Speicherfeldabschnitt 520 PCM-Zellen aufweisen, die als ein Speicherpuffer während eines Schreibprozesses auf eine andere nichtflüchtige Speichervorrichtung verwendet werden, obgleich der beanspruchte Gegenstand in dieser Weise nicht beschränkt ist. In einem anderen Beispiel kann der Speicherfeldabschnitt 520 einen PCM aufweisen, um Information für eine verlängerte Zeitdauer wie etwa wenige Sekunden oder wenige Jahre zu speichern. Der Referenzabschnitt 530 kann PCM-Zellen aufweisen, um einen oder mehrere Referenzzustände zu speichern, die zu derselben Zeit beschrieben werden wie der Speicherfeldabschnitt 520 beschrieben wird. Solche Referenzzustände können zum Beispiel ein spezifisches Muster an Zuständen aufweisen. In einer Implementierung kann der Referenzabschnitt 530 eine relativ kleine Anzahl an PCM-Zellen aufweisen verglichen mit der Anzahl an PCM-Zellen, die in dem Speicherfeldabschnitt 520 enthalten sind. Zum Beispiel kann der Referenzabschnitt 530 vier PCM-Zellen aufweisen zum Speichern von vier Referenzzuständen, wohingegen der Speicherfeldabschnitt 520 etwa 256k an PCM-Zellen aufweisen kann. Solche Referenzzustände können ein bekanntes Muster an Zuständen aufweisen, die zu derselben Zeit beschrieben werden wie Schreibinformation in dem Speicherfeldabschnitt 520 hinein. Solch ein bekanntes Muster an Referenzzuständen kann es einer Technik erlauben ein Driften oder Variieren einer Verteilung von PCM-Zellenzuständen über eine Zeit zu kompensieren. Solch eine Technik kann zum Beispiel vorteilhaft die Tatsache nutzen, dass sich dieselben Änderungen, die für PCM-Zellen des Speicherfeldabschnitts 520 auftreten, auch für Referenzzellen des Referenzabschnitts 530 auftreten können. Da weiterhin Referenzzellen des Referenzabschnitts 530 ein bekanntes Muster an Zuständen aufweisen können, kann eine Bestimmung gemacht werden hinsichtlich des Betrags, um welchen sich die Verteilung von PCM-Zellenzuständen des Speicherfeldabschnitts 520 mit der Zeit geändert hat. Selbstverständlich sind solche Details von PCM-Referenzzellen und einem Speicherfeld nur Beispiele und der beanspruchte Gegenstand ist diesbezüglich nicht beschränkt.
  • 6 ist ein Flussdiagramm eines Schreib-/Leseprozesses 600 einer PCM-Zelle gemäß einer Ausführungsform. Bei Block 610 können PCM-Referenzzellen, die ein bekanntes Muster an Zuständen aufweisen, zu derselben Zeit beschrieben werden wie ein Schreiben eines PCM-Felds wie etwa ein Schreibpuffer. Zwischen einer Periode zwischen dem Block 610 und dem Block 620 kann sich eine Verteilung von PCM-Zellenzuständen im Wesentlichen in identischer Weise für sowohl PCM-Referenzzellen als auch für PCM-Zellen des Speicherfelds ändern. Bei dem Block 620 kann solch eine Änderung bestimmt werden durch Messen von Referenzströmen der PCM-Referenzzellen. Zum Beispiel kann die Änderung bei der Verteilung bestimmt werden, obwohl sich eine Verteilung der PCM-Referenzzellenzustände, von der Zeit als die PCM-Referenzzellen beschrieben wurden, geändert haben kann, da solche PCM-Referenzzellenzustände a priori bekannt sind. In einer Implementierung kann die Änderung bei der Verteilung von Referenzzellenzuständen bestimmt werden aus der Differenz zwischen der Verteilung von Referenzzellenzuständen zu der Zeit des Schreibens und der gegenwärtigen Verteilung von Referenzzellenzuständen. Wie unten im Detail erklärt, können solche Differenzen für einzelne Lesestromschritte N evaluiert werden.
  • Beim Fortsetzen des Prozesses 600 bei dem Block 630 können Differenzwerte oder Stromdeltas zwischen gegenwärtig gemessenen Referenzzellenzuständen und Werten, bei welchen Referenzzellenzustände ursprünglich beschrieben wurden, bestimmt und gespeichert werden. Bei dem Block 640 können solche Stromdeltas hinzugefügt werden zu oder abgezogen werden von Leseströmen der PCM-Zellen für einzelne Lesestrom-Schrittzahlen N. Zum Beispiel können Differenzen zwischen gegenwärtig gemessenen Referenzzellenzuständen und Werten, bei welchen Referenzzellenzustände, die ursprünglich geschrieben wurden, bestimmt werden, als 100 Nanoampere (nA) für N = 2, 200 nA für N = 3, Null für N = 4 bis 8, -200 nA für N = 9, usw. In einer Implementierung können zum Beispiel solche Stromdeltas in einem Speicher gespeichert werden und zu einer späteren Zeit angewendet werden. Um ein spezifisches Beispiel zu veranschaulichen, kann für eine spezifische Spannung, die an einer PCM-Zelle bei einem Schritt N = 3 angelegt wird, ein sich ergebender Lesestrom ungefähr 3,6 Mikroampere sein. In Übereinstimmung mit einem gemessenen Stromdelta von 200 nA für N = 3, können von dem Lesestrom mit 3,6 Mikroampere 200 nA subtrahiert werden, so dass ein modifizierter Lesestrom gleich 3,4 Mikroampere ist. Nach solch einer Subtraktion kann die Verringerung des modifizierten Lesestroms die Tatsache kompensieren, dass Referenzströme, welche als Zustandsschwellenwerte, mit welchem die modifizierten Leseströme der PCM-Zellen verglichen werden, verwendet werden, mit der Zeit von ihren ursprünglichen Werten zum Schreibzeitpunkt gedriftet sein können oder sich verändert haben können. Zum Beispiel kann der Stromschwellwert zwischen einem „00“-Zustand und einem „01“-Zustand definiert sein als 3,5 Mikroampere. Ohne Lesestromkompensation kann eine Drift einer Zustandsverteilung im Laufe der Zeit zu einer fehlerhaften Verschiebung der Speicherzelle von dem „00“-Zustand (z.B. der Speicherzellen-Lesestrom, der ursprünglich 3,4 Mikroampere bei N = 3 zum Schreibzeitpunkt war) zu dem „01“-Zustand (z.B. der Speicherzellen-Lesestrom, der gegenwärtig 3,6 Mikroampere bei N = 3 nach Drift ist) führen. Andererseits kann ein Kompensieren eines Speicherzellen-Lesestroms unter Verwendung von gespeicherten Stromdeltas zu einer Subtraktion von 200 nA von dem Speicherzellen-Lesestrom führen. Solch ein modifizierter Lesestrom kann gleich 3,4 Mikroampere sein, welcher sich innerhalb des Bereichs des „00“-Zustands befindet, so dass eine driftende Zustandsverteilung nicht zu einem geänderten, gespeicherten Zustand der Speicherzelle führt. Selbstverständlich sind solche Details eines Prozesses zum Kompensieren einer sich ändernden Zustandsverteilung nur Beispiele und der beanspruchte Gegenstand ist in dieser Weise nicht beschränkt.
  • 7 ist ein schematisches Diagramm, das ein Leseverteilungs-Verwaltungsteil 700 einer PCM-Vorrichtung gemäß einer Ausführungsform veranschaulicht. Das Leseverteilungs-Verwaltungsteil 700, welches Prozesse implementieren kann wie zum Beispiel den Schreib-/Leseprozess 600, kann ein Feld aus PCM-Zellen aufweisen wie etwa einen Seitenpuffer 710, der einen Referenzzellenabschnitt 730 aufweist. Solch ein Referenzzellenabschnitt kann zum Speichern von Referenzzellenzuständen, die bekannte Musterzustände aufweisen, verwendet werden. Wie oben genannt, können solche Referenzzellenzustände und das Speicherfeld zu derselben Zeit beschrieben werden. Somit kann sich, während einer Zeitdauer vom Schreiben zu einem nachfolgenden Leseprozess, eine Verteilung von PCM-Zellenzuständen im Wesentlichen in identischer Weise für sowohl Referenz-PCM-Zellen als auch für PCM-Zellen eines Speicherfelds ändern. In Block 720 können Leseströme von Referenz-PCM-Zellen in dem Referenzzellenabschnitt 730 zu einer späteren Zeit gemessen werden und verglichen werden mit bekannten Leseströmen 725 der Referenzzellen zu der Zeit als die Referenzzellen (und das Speicherfeld) beschrieben wurden. Von solch einem Vergleich können Stromdeltas, die gleich der Differenz zwischen gegenwärtig gemessenen Leseströmen und bekannten ursprünglichen Leseströmen der Referenzzellen bei dem Block 720 bestimmt werden. Falls zum Beispiel der Schreibpuffer 710 keine Drift bei der Verteilung von Referenzzellenzuständen erfahren hat, können dann Stromdeltas gleich Null sein. Andererseits kann der Schreibpuffer 710, der eine Drift bei der Verteilung von Referenzzellenzuständen erfahren hat, zu Stromdeltas ungleich Null führen.
  • Das Leseverteilungs-Verwaltungsteil 700 kann einen analogen Sensor 740 zum Vergleichen von Leseströmen von einzelnen PCM-Zellen mit Lesereferenzströmen, die durch einen Block 745 bereitgestellt werden, aufweisen. Werte von solchen Lesereferenzströmen können sequentiell während eines Prozesses eines Lesens von einzelnen PCM-Zellen ansteigen, wobei solche Schritte mit einzelnen Lesestrom-Schrittnummern N wie oben beschrieben korrespondieren können. Der analoge Sensor 740 kann Zustände von einzelnen PCM-Zellen durch Vergleichen der Leseströme der Speicherzellen mit Schwellwerten von Lese-Referenzströmen bestimmen. Ein Zellenstrom kann während eines Leseprozesses sich durch Anlegen einer Spannung an einer PCM-Zelle ergeben, so dass der Zellenstrom während eines Lesens zumindest teilweise von einem Widerstand der PCM-Zelle abhängen kann. Dementsprechend kann der Zustand einer PCM-Zelle, z.B. sein Widerstandswert, durch Vergleichen solch eines Zellenstroms während eines Lesens mit einem Lese-Referenzstromwert, der durch den Block 745 bereitgestellt wird, bestimmt werden. In einer Implementierung kann solch ein Lese-Referenzstromwert sequentiell während eines Prozesses eines Lesens einer PCM-Zelle erhöht werden. In einer Implementierung kann der Block 720 über eine Leitung 728 Stromdeltas bereitstellen zum Kombinieren mit Leseströmen von einzelnen PCM-Zellen an einem Schaltungsknoten 733. Durch Kombinieren von Strömen in solch einer Weise, können Leseströme, die durch den analogen Sensor 740 gemessen werden, modifiziert werden zum Kompensieren von Drift einer Zustandsverteilung des Schreibpuffers 710. Zum Beispiel kann sich ein negatives Stromdelta, das durch den Block 720 für N = 7 bereitgestellt wird, in dem analogen Sensor 740 ergeben, der einen reduzierten Lesestrom (z.B. ein modifizierter Lesestrom) einer Speicherzelle für N = 7 misst. Folglich kann der analoge Sensor 740 den reduzierten Lesestrom mit einem Referenzstrom für N = 7, der durch den Block 745 bereitgestellt wird, vergleichen. Solch ein reduzierter Lesestrom kann genauer die Verteilung von Zuständen des Schreibpuffers 710 nach Vergleich mit Referenzströmen reflektieren. Selbstverständlich sind solche Details einer Leseverteilungsverwaltung nur Beispiele und der beanspruchte Gegenstand ist diesbezüglich nicht beschränkt.
  • 8 ist ein schematisches Diagramm, das eine beispielhafte Ausführungsform eines Computersystems 800 mit einer Speichervorrichtung 810 veranschaulicht. Solch eine Rechenvorrichtung kann zum Beispiel einen oder mehrere Prozessoren aufweisen, um eine Anwendung und/oder einen anderen Code auszuführen. Zum Beispiel kann die Speichervorrichtung 810 einen Speicher, der einen PCM-Schreibpuffer wie den in 1 dargestellten Schreibpuffer 710 enthält, aufweisen. Eine Rechenvorrichtung 804 kann repräsentativ sein für jegliche Vorrichtung, jedes Gerät oder jede Maschine, die konfigurierbar sein kann, um die Speichervorrichtung 810 zu verwalten. Die Speichervorrichtung 810 kann eine Speichersteuerung 815 und einen Speicher 822 enthalten. Beispielsweise aber nicht begrenzend, kann die Rechenvorrichtung 804 enthalten: eine oder mehrere Rechenvorrichtungen und/oder Plattformen, wie zum Beispiel einen Desktopcomputer, einen Laptopcomputer, eine Arbeitsstation, eine Servervorrichtung oder Ähnliches; eine oder mehrere Personalcomputer- oder Kommunikationsvorrichtungen oder Geräte, wie zum Beispiel einen persönlichen digitalen Assistenten, eine mobile Kommunikationsvorrichtung oder Ähnliches; ein Computersystem und/oder assoziierte Dienste-Anbieterfähigkeit, wie zum Beispiel eine Datenbank oder ein Datenspeicherdienste-Anbieter/System; und/oder irgendeine Kombination davon.
  • Anerkanntermaßen können alle oder Teile der verschiedenen Vorrichtungen, die in dem System 800 dargestellt sind, und die hier weiter beschriebenen Prozesse und Verfahren, implementiert werden unter Verwendung oder auf andere Weise enthaltend Hardware, Firmware, Software oder irgendeine Kombination davon. Somit kann die Rechenvorrichtung 804 beispielsweise aber nicht begrenzend zumindest eine Verarbeitungseinheit 820 enthalten, die operativ an einen Speicher 822 über einen Bus 840 und einen Host oder einer Speichersteuerung 815 gekoppelt ist. Eine Verarbeitungseinheit 820 ist repräsentativ für eine oder mehrere Schaltungen, die konfigurierbar sind, um zumindest ein Teil einer Datenverarbeitungsprozedur oder eines Prozesses durchzuführen. Beispielsweise aber nicht begrenzend kann die Verarbeitungseinheit 820 einen oder mehrere Prozessoren, Steuerungen, Mikroprozessoren, Mikrocontroller, anwendungsspezifische integrierte Schaltungen, digitale Signalprozessoren, programmierbare logische Vorrichtungen, Feldprogrammierbare Gate-Arrays und dergleichen, oder irgendeine Kombination davon aufweisen. Die Verarbeitungseinheit 820 kann ein Betriebssystem aufweisen, das konfiguriert ist, um mit einer Speichersteuerung 815 zu kommunizieren. Solch ein Betriebssystem kann zum Beispiel Befehle erzeugen, die an die Speichersteuerung 815 über den Bus 840 zu senden sind. In einer Implementierung kann die Speichersteuerung 815 eine interne Speichersteuerung oder eine interne Schreibzustandsmaschine aufweisen, wobei eine externe Speichersteuerung (nicht dargestellt) extern zu der Speichervorrichtung 810 sein kann und zum Beispiel als eine Schnittstelle zwischen dem Systemprozessor und dem Speicher selbst agieren kann. Solche Befehle können Lese- und/oder Schreibbefehle umfassen. In Antwort auf einen Schreibbefehl kann zum Beispiel die Speichersteuerung 815 ein Vorspannungssignal bereitstellen wie etwa das Vorspannungssignal 410, das eine Reihe von Setzimpulsen aufweist, die einzelne Spitzenamplituden haben, die sich zum Beispiel sequenziell von einem Impuls zu dem nächsten vermindern, wie in 4 dargestellt. Insbesondere kann die Speichersteuerung 815 einen ersten Vorspannungsimpuls an eine PCM-Zelle anlegen zum Versuchen die PCM-Zelle in einen niederohmigen Zustand in Antwort auf einen Schreibbefehl zu versetzen, einen Zellenstrom während eines Verifizierens der PCM-Zelle zu messen, und einen zweiten Vorspannungsimpuls an die PCM-Zelle anzulegen zum Versuchen die PCM-Zelle in den niederohmigen Zustand zu versetzen, wobei der zweite Vorspannungsimpuls eine Spitzenamplitude aufweisen kann, die geringer ist als die des ersten Vorspannungsimpulses, in Antwort auf einen Vergleich des Zellenstroms während eines Verifizierens mit einem ersten Verifikations-Referenzstromwert.
  • Der Speicher 822 ist repräsentativ für jeglichen Datenspeichermechanismus. Der Speicher 822 kann zum Beispiel einen Primärspeicher 824 und/oder einen Sekundärspeicher 826 aufweisen. Der Speicher 822 kann zum Beispiel PCM aufweisen. Der Primärspeicher 824 kann zum Beispiel einen Speicher mit wahlfreiem Zugriff, Nur-Lesespeicher, usw. aufweisen. Während in diesem Beispiel es als von der Verarbeitungseinheit 820 getrennt veranschaulicht ist, versteht es sich, dass der gesamte oder ein Teil des Primärspeichers 824 innerhalb oder in anderer Weise neben der Verarbeitungseinheit 820 angeordnet, oder mit der Verarbeitungseinheit 820 gekoppelt bereitgestellt sein kann.
  • In einer Ausführungsform kann das Rechensystem 800 einen Schreibpuffer aufweisen, der ein PCM-Feld und einen PCM-Referenzzellenabschnitt umfasst zum Speichern von einem oder mehreren spezifischen Referenzzuständen. Das System 800 kann auch eine Steuerung umfassen zum Anlegen eines Vorspannungsimpulses an eine Zelle des PCM-Felds, um einen Zellenstrom in Antwort auf eine Leseoperation zu erzeugen, und zum Modifizieren des Zellenstroms zumindest teilweise basierend auf einem Referenzstrom, der von dem einen oder den mehreren spezifischen Referenzzuständen resultiert. Das System 800 kann weiterhin einen Prozessor umfassen zum Bedienen einer oder mehrerer Anwendungen und zum Initiieren der Leseoperation.
  • Der Sekundärspeicher 826 kann zum Beispiel dieselbe Art oder eine ähnliche Art von Speicher aufweisen wie der Primärspeicher und/oder eine oder mehrere Datenspeichervorrichtungen oder Systeme, wie zum Beispiel ein Plattenlaufwerk, ein optisches Laufwerk, ein Bandlaufwerk, ein Festkörperspeicher-Laufwerk, usw. Bei bestimmten Implementierungen kann der Sekundärspeicher 826 operativ für ein computerlesbares Medium 828 empfänglich sein, oder auf andere Weise konfigurierbar sein, um mit diesem zu koppeln. Das computerlesbare Medium 828 kann zum Beispiel jegliches Medium, das Daten, Code und/oder Anweisungen für eine oder mehrere der Vorrichtungen in dem System 800 tragen und/oder verfügbar machen kann, aufweisen.
  • Die Rechenvorrichtung 804 kann zum Beispiel eine Eingabe/Ausgabe 832 aufweisen. Die Eingabe/Ausgabe 832 ist repräsentativ für eine oder mehrere Vorrichtungen oder Merkmale, die konfigurierbar sein können zum Empfangen oder auf andere Weise zum Zuführen menschlicher und/oder maschineller Eingaben, und/oder einer oder mehrere Vorrichtungen oder Merkmale, die konfigurierbar sein können zum Abgeben oder auf andere Weise Bereitstellen von Ausgaben für Mensch und/oder Maschine. Beispielsweise aber nicht begrenzend kann die Eingabe/Ausgabe-Vorrichtung 832 eine operativ konfigurierte Anzeige, Lautsprecher, Tastatur, Maus, Trackball, Berührungsbildschirm, Datenanschluss, usw. aufweisen.
  • Während es veranschaulicht und beschrieben worden ist, was gegenwärtig als beispielhafte Ausführungsformen betrachtet wird, versteht der Fachmann, dass verschiedene andere Modifizierungen gemacht werden können und Äquivalente können ersetzt werden, ohne von dem beanspruchten Gegenstand abzuweichen. Zusätzlich können viele Modifikationen gemacht werden, um eine bestimmte Situation der Lehren des beanspruchten Gegenstandes anzupassen, ohne von dem zentralen hierin beschriebenen Konzept abzuweichen. Deswegen ist es beabsichtigt, dass der beanspruchte Gegenstand nicht auf die bestimmten offenbarten Ausführungsformen beschränkt wird, sondern dass solch ein beanspruchter Gegenstand auch alle Ausführungsformen enthalten kann, die innerhalb des Bereichs der beigefügten Ansprüche und der Äquivalente davon fallen.

Claims (19)

  1. Verfahren aufweisend: Anlegen eines Vorspannungsimpulses an eine Phasenübergangspeicher (PCM) - Zelle, um einen Speicherzellenstrom zu erzeugen; Modifizieren des Speicherzellenstroms durch ein Stromdelta, um einen modifizierten Speicherzellenstrom zu erzeugen, wobei das Stromdelta auf einer zeitlichen Veränderung eines Referenzzellenstroms basiert und einen Zustandsverteilungsdrift der PCM-Zelle wiederspiegelt; und Bestimmen eines Zustands (210) der PCM-Zelle zumindest teilweise basierend auf dem modifizierten Speicherzellenstrom.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Stromdelta einen Strom umfasst, um eine physikalische Änderung der PCM-Zelle während einer Zeitspanne vor einem Initiieren einer Leseoperation zum Bestimmen des Zustands (210) der PCM-Zelle zu kompensieren.
  3. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Anlegen des Vorspannungsimpulses an die PCM-Zelle und das Bestimmen des Zustands (210) der PCM-Zelle in Antwort auf ein Fehlerkorrekturcode (ECC) -Überlaufereignis ausgeführt werden.
  4. Verfahren nach Anspruch 1, weiterhin aufweisend: Vergleichen eines Referenzzellenstroms einer Referenzzelle zu einer bestimmten Zeit mit einem Referenzzellenstrom der Referenzzelle zu einer früheren Zeit; und Speichern von Ergebnissen des Vergleichs.
  5. Verfahren nach Anspruch 3, weiterhin aufweisend: Auffüllen einer Nachschlagetabelle zumindest teilweise basierend auf dem Bestimmen.
  6. Verfahren nach Anspruch 1, wobei die PCM-Zelle eine Mehrpegelspeicherzelle aufweist.
  7. Verfahren nach Anspruch 1, weiterhin aufweisend: Schreiben zumindest einer Referenzzelle und der PCM-Zelle zu derselben Zeit (610).
  8. Vorrichtung aufweisend: eine Steuereinheit, die eingerichtet ist zum: Anlegen eines Vorspannungsimpulses an eine Speicherzelle eines Phasenübergangspeicher (PCM)-Felds, um einen Speicherzellenstrom zu erzeugen; Modifizieren des Speicherzellenstroms durch ein Stromdelta, um einen modifizierten Speicherzellenstrom zu erzeugen, wobei das Stromdelta auf einer zeitlichen Veränderung eines Referenzzellenstroms basiert und einen Zustandsverteilungsdrift der PCM-Zelle wiederspiegelt; und Bestimmen eines Zustands (210) der PCM-Zelle zumindest teilweise basierend auf dem modifizierten Speicherzellenstrom.
  9. Vorrichtung nach Anspruch 8, wobei das Stromdelta einen Strom aufweist, um eine physikalische Änderung der PCM-Zelle während einer Zeitspanne vor einem Initiieren einer Leseoperation zum Bestimmen des Zustands (210) der PCM-Zelle zu kompensieren.
  10. Vorrichtung nach Anspruch 8, wobei die Steuereinheit eingerichtet ist zum: Vergleichen eines Referenzzellenstroms einer Referenzzelle aus dem Referenzabschnitt (530) des PCM-Felds zu einer bestimmten Zeit mit einem Referenzzellenstrom der Referenzzelle zu einer früheren Zeit; Speichern von Ergebnissen des Vergleichs; und Modifizieren des Zellenstroms zumindest teilweise basierend auf den gespeicherten Ergebnissen.
  11. Vorrichtung nach Anspruch 8, wobei die Steuereinheit eingerichtet ist zum: Auffüllen einer Nachschlagetabelle zumindest teilweise basierend auf dem Bestimmen.
  12. Vorrichtung nach Anspruch 8, wobei das PCM-Feld einen Mehrpegelspeicher aufweist.
  13. Vorrichtung nach Anspruch 8, wobei die Steuereinheit eingerichtet ist zum: Beschreiben des Referenzabschnitts (530) des PCM-Felds und der Zelle des PCM-Felds zu derselben Zeit (610).
  14. Vorrichtung nach Anspruch 13, wobei die Steuereinheit eingerichtet ist zum: Beschreiben des Referenzabschnitts (530) des PCM-Felds und eines Seitenpuffers (710) zu derselben Zeit.
  15. System aufweisend: eine Speichervorrichtung, die ein Phasenübergangspeicher (PCM) -Feld aufweist, das einen Referenzabschnitt (530) umfasst, um einen oder mehrere bestimmte Referenzzustände zu speichern, wobei die Speichervorrichtung weiterhin eine Speichersteuereinheit aufweist, die eingerichtet ist zum: Anlegen eines Vorspannungsimpulses an eine Zelle des Phasenübergangspeicher (PCM) -Felds, um einen Speicherzellenstrom für eine Leseoperation zu erzeugen; Modifizieren des Speicherzellenstroms durch ein Stromdelta, um einen modifizierten Speicherzellenstrom zu erzeugen, wobei das Stromdelta auf einer zeitlichen Veränderung eines Referenzzellenstroms basiert und einen Zustandsverteilungsdrift der PCM-Zelle wiederspiegelt; und Bestimmen eines Zustands (210) der PCM-Zelle zumindest teilweise basierend auf dem modifizierten Speicherzellenstrom; und einen Prozessor zum Bedienen einer oder mehreren Anwendungen und zum Initiieren der Leseoperation an die Speichersteuerung (815), um Zugriff auf das PCM-Feld bereitzustellen.
  16. System nach Anspruch 15, wobei das Stromdelta einen Strom umfasst, um eine physikalische Änderung der PCM-Zelle während einer Zeitspanne vor einem Initiieren der Leseoperation zum Bestimmen des Zustands (210) der PCM-Zelle zu kompensieren.
  17. System nach Anspruch 15, wobei die Steuereinheit eingerichtet ist zum: Vergleichen eines Referenzzellenstroms einer Referenzzelle aus dem Referenzabschnitt (530) des PCM-Felds zu einer bestimmten Zeit mit einem Referenzzellenstrom der Referenzzelle zu einer früheren Zeit; Speichern von Ergebnissen des Vergleichs; und Modifizieren des Zellenstroms zumindest teilweise basierend auf den gespeicherten Ergebnissen.
  18. System nach Anspruch 17, wobei die Steuereinheit eingerichtet ist zum: Auffüllen einer Nachschlagetabelle zumindest teilweise basierend auf dem Bestimmen.
  19. System nach Anspruch 15, wobei das PCM-Feld einen Mehrpegelspeicher aufweist.
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