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HINTERGRUND
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Bereich:
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Der hierin offenbarte Gegenstand bezieht sich auf den Zugriff auf Speicher, und genauer auf den Betrieb eines Wortleitungstreibers.
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Information:
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Speichervorrichtungen können in vielen Typen von elektronischen Geräten verwendet werden, wie Computer, Mobiltelefone, PDAs, Datenaufzeichner, Spiele und Navigationsgeräte, zum Beispiel. Die kontinuierliche Nachfrage nach kleineren und/oder elektronischen Geräten mit mehr Fähigkeiten kann zu dem Wunsch nach kleineren Speichervorrichtungen mit höherer Dichte führen, die kleine Halbleitermerkmalsgrößen einbeziehen können, die sich unteren Grenzen nähern, die mit Material- und elektronischem Verhalten auf atomaren oder molekularen Ebenen assoziiert sind. Demgemäß können Ansätze, die Speicherdichte zu erhöhen, ohne Halbleitermerkmalsgrößen zu verringern, neue Konfigurationen, neue Schaltungslayouts und/oder neue Ansätze zum Betreiben von Speicherkomponenten zum Beispiel einschließen.
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KURZE BESCHREIBUNG DER FIGUREN
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Nicht begrenzende und nicht erschöpfende Ausführungsformen werden mit Bezug auf die folgenden Figuren beschrieben, wobei sich ähnliche Bezugszeichen auf entsprechende Teile über die verschiedenen Figuren hinweg beziehen, wenn nicht anders spezifiziert.
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1–5 sind schematische Schaltkreisdiagramme von Wortleitungstreibern gemäß Ausführungsformen.
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6 ist ein schematisches Schaltkreisdiagramm eines Wortleitungstreibers und eines Abschnitts eines Speicherfeldes gemäß einer Ausführungsform.
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7 ist eine Querschnittsansicht eines Wortleitungstreibern und eines Abschnitts eines Speicherfeldes, gemäß einer Ausführungsform.
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8 ist ein schematisches Diagramm eines Rechensystems und einer Speichervorrichtung, gemäß einer Ausführungsform.
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DETAILLIERTE BESCHREIBUNG
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Der Bezug durch diese Beschreibung hinweg auf ”eine Ausführungsform” bedeutet, dass ein bestimmtes Merkmal, Struktur oder Eigenschaft, die in Verbindung mit einer Ausführungsform beschrieben ist, in zumindest einer Ausführungsform des beanspruchten Gegenstands umfasst ist. Damit beziehen sich die Vorkommen des Ausdrucks ”in einer Ausführungsform” oder ”einer Ausführungsform” an verschiedenen Stellen dieser Beschreibung nicht notwendigerweise alle auf dieselbe Ausführungsform. Weiterhin können bestimmte Merkmale, Strukturen oder Charakteristiken in einer oder mehreren Ausführungsformen kombiniert werden.
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In einer Ausführungsform kann ein Verfahren zum Treiben einer Wortleitung in einem Speicherfeld einen Wortleitungstreiber einbeziehen, der eine bestimmte Kombination von Komplementär-Metalloxid-Halbleiter-(CMOS)-Transistoren und einen oder mehrere Widerstände einschließt. Zum Beispiel kann ein Pull-Down-Verfahren ausgeführt werden mit Hilfe eines oder mehrerer n-Kanal-Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekt-(metal oxide semiconductor field effect, NMOS)-Transistoren ausgeführt werden, während ein Pull-Up-Verfahren mit Hilfe von einem oder mehreren Widerständen ausgeführt werden kann. Solch ein Wortleitungstreiber kann Vorteile bereitstellen, die eine Verringerung einer Fläche von einer Speichervorrichtung umfassen, die von solch einem Wortleitungstreiber belegt wird, verglichen mit der Fläche einer ganzen CMOS-Transistor-Wortleitungsvorrichtung (zum Beispiel, sans Widerstände). Solch eine Flächenersparnis kann ohne Leistungsverringerung realisiert werden. Zum Beispiel kann ein Schaltkreis, der auf das Dekodieren von Zeilen und Spalten und/oder Treiben von Wortleitungen im Phasenübergangsspeicher (PCM) oder NOR-Flash-Speicher gerichtet ist, ungefähr ein Drittel der Fläche belegen, die durch ein Feld des Speichers belegt ist. Solch ein Verhältnis von belegten Flächen kann zumindest teilweise von der gewünschten Leistung des Speichers abhängen. Hierin beschriebene Ausführungsformen können eine Verringerung von solch einem Verhältnis von Speicherfläche, die Zeilendekodierung und/oder Wortleitungstreiberfunktionen zugewiesen ist, ermöglichen. Natürlich ist solch ein Vorteil nur ein Beispiel und der beanspruchte Gegenstand ist nicht darauf beschränkt.
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In einer bestimmten Ausführungsform kann eine Speichervorrichtung Speicherzellen eines Speicherzellenfeldes umfassen, die über eine Wortleitung adressierbar sind, die einer Zeile des Speicherzellenfeldes entspricht. Eine Speichervorrichtung kann auch eine Serie von Schaltkreiselementen umfassen, hierin ein Pull-Up-Pull-Down-(PUPD)-Strang genannt, um eine Wortleitung eines Speicherzellenfeldes auszuwählen oder abzuwählen. Solch ein PUPD-Strang kann Pull-Down-Transistoren umfassen, die elektrisch zwischen einer Wortleitung und einer Stromsenke verbunden sind, um die Wortleitung auszuwählen, und einen oder mehrere Pull-Up-Widerstände, die elektrisch zwischen der Wortleitung und einer Spannungsquelle verbunden sind, um die Wortleitung abzuwählen. Solche Pull-Up-Widerstände können seriell mit Pull-Down-Transistoren verbunden sein, wie unten genauer beschrieben. In einer bestimmten Implementierung können ein oder mehrere solcher Pull-Up-Widerstände Siliziumdiffusion auf oder in der Nähe einer Kante eines Speicherzellenfeldes umfassen. Zum Beispiel kann die Siliziumdiffusion ein n-Typ-Material umfassen, das in ein Siliziumsubstrat eingeimpft ist. Pull-Up-Widerstände, die Siliziumdiffusion umfassen, können auf oder in der Nähe eines Anfangs einer Wortleitung angeordnet sein, die sich zu Basen von Speicherzellen in einem Speicherzellenfeld erstreckt. Selbstverständlich ist der beanspruchte Gegenstand durch solche Details eines PUPD-Strangs, wie in dem obigen Beispiel beschrieben, nicht begrenzt.
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In einer bestimmten Ausführungsform kann eine Speichervorrichtung weiter einen zusätzlichen Transistor umfassen, um einen elektrischen Strom in einen PUPD-Strang zwischen zwei aufeinanderfolgenden Pull-Down-Transistoren zu injizieren. Solch eine Konfiguration kann eine Abwahl einer Wortleitung mit einer Rate erlauben, die schneller ist als jene, die ohne einen solchen injizierten elektrischen Strom ausgeführt wird, wie unten genauer beschrieben. In einer bestimmten Implementierung kann ein Inverter elektrisch zwischen einer Basis von einem der aufeinanderfolgenden zwei Pull-Down-Transistoren und einer Basis des zusätzlichen Transistors verbunden sein, obwohl der beanspruchte Gegenstand nicht in dieser Weise beschränkt ist.
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1 ist ein schematisches Schaltkreisdiagramm eines Wortleitungstreibers 100, der Pull-Up- und Pull-Down-CMOS-Transistoren umfasst zum Abwählen bzw. Auswählen einer Wortleitung 105 eines Speicherfeldes (nicht gezeigt), gemäß einer Ausführungsform. Zum Beispiel kann der Wortleitungstreiber 100 einen Energieversorgungs- 135 Knoten umfassen, der mit einem oder mehreren parallelen P-Kanal-Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekt-(P-channel metal oxide semiconductor field-effect, PMOS)-Transistoren 110, 112 und 114 verbunden ist, die mit einem oder mehreren NMOS-Transistoren 120, 122 und 124 verbunden sind, die mit Masse oder einer anderen niedrigen Spannung 130 verbunden sind. In einer Implementierung kann ein zeilendekodierendes Gate-Signal L1X an sowohl den PMOS 110 als auch den NMOS 120 angewandt werden, ein zeilendekodierendes Gate-Signal L2X kann sowohl an den PMOS 112 als auch den NMOS 114 angewandt werden, und ein zeilendekodierendes Gate-Signal L3X kann sowohl an den PMOS 114 als auch den NMOS 124 angewandt werden. Demgemäß, abhängig von einem Wert von L1X, L2X und L3X, kann eine Wortleitung WL hochgezogen bzw. pulled-up oder heruntergezogen bzw. pulled-down werden, um die Wortleitung abzuwählen oder auszuwählen.
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2 ist ein schematisches Schaltkreisdiagramm eines Wortleitungstreibers 200, der einen Pull-Up-Abschnitt und einen Pull-Down-Abschnitt einschließt zum Abwählen bzw. Auswählen einer Wortleitung 205 eines Speicherfeldes (nicht gezeigt) gemäß einer Ausführungsform. Zum Beispiel kann der Wortleitungstreiber 200 einen Energieversorgungs- 235 Knoten umfassen, der mit einem PUPD-Strang verbunden ist, der einen Pull-Up-Widerstand 210 in Reihe mit einem oder mehreren NMOS-Transistoren 220, 222 und 224 umfasst, der mit der Masse oder einer anderen niedrigen Spannung 230 verbunden ist. In einer Implementierung kann ein zeilendekodierendes Gate-Signal L1X an den NMOS 220 angewandt werden, ein zeilendekodierendes Gate-Signal L2X kann an den NMOS 214 angewandt werden und ein zeilendekodierendes Gate-Signal L3X kann an den NMOS 224 angewandt werden. Demgemäß, abhängig von einem Wert von L1X, L2X und L3X, kann eine Wortleitung WL hochgezogen oder heruntergezogen werden, um die Wortleitung abzuwählen oder auszuwählen. Wie unten genauer beschrieben, kann der Pull-Up-Widerstand 210 mit Hilfe von Siliziumdiffusion an einer Kante eines Speicherfeldes implementiert sein. Selbstverständlich sind die Details eines Wortleitungstreibers lediglich Beispiele und der beanspruchte Gegenstand ist in dieser Weise nicht beschränkt.
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3 ist ein schematisches Schaltkreisdiagramm eines Wortleitungstreibers, der auf einen Abschnitt eines Speicherfeldes 340 angewandt wird, gemäß einer Ausführungsform. Das Speicherfeld 340 kann Zeilen und Spalten von Speicherzellen 345 umfassen. Wie unten erklärt können einzelne Spalten Bit-Leitungen entsprechen. Einzelne Zeilen, die Wortleitungen 335 von Speicherzellen entsprechen, können ausgewählt oder abgewählt werden, basierend zumindest teilweise auf einem Spannungsniveau der Wortleitungen, das durch einen PUPD-Strang 320 erzeugt wird. In einer bestimmten Implementierung können die individuellen Speicherzellen 345 einen Auswahltransistor 350 umfassen, der mit einer Speicherzelle 360 verbunden ist, welche eine PCM-Zelle, eine NOR-Flash-Speicherzelle oder andere Typen von Speicherzellen zum Beispiel umfassen kann. Eine Anzahl der Speicherzellen 345, die eine Basisverbindung der jeweiligen Auswahltransistoren 350 teilt, kann die Wortleitung 335 umfassen. Eine Anzahl von Speicherzellen 345, die eine Emitter-Verbindung der entsprechenden Auswahltransistoren 350 teilt, kann eine Bit-Leitung 375 umfassen, zum Beispiel. Um eine bestimmte Speicherzelle 345 für eine Lese- und/oder Schreiboperation auszuwählen, kann der Auswahltransistor 350, der der bestimmten Speicherzelle entspricht, angeschaltet werden durch das Herunterziehen einer Spannung auf der Wortleitung 335. Andererseits, um eine bestimmte Speicherzelle 345 abzuwählen, kann der Auswahltransistor 350, der der bestimmten Speicherzelle entspricht, ausgeschalten werden durch das Hochziehen einer Spannung auf der Wortleitung 335. Solch ein Herunterziehen oder Hochziehen einer Spannung auf einer Wortleitung kann durch den PUPD-Strang 320 ausgeführt werden, welcher den Wortleitungstreiber 200, wie in 2 gezeigt, umfassen kann, obwohl der beanspruchte Gegenstand nicht in dieser Weise beschränkt ist. Insbesondere kann der PUPD-Strang 320 einen Pull-Up-Widerstand 310 umfassen. Ein Knoten 325 kann den Pull-Up-Widerstand 310 und den NMOS-Transistorstrang 330 verbinden. Eine Wortleitung 335 des Speicherfeldes 340 kann mit dem PUPD-Strang 320 über den Knoten 325 verbunden sein.
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Obwohl eine Anzahl von Konfigurationen möglich ist, kann, in einer bestimmten Ausführungsform, die Wortleitungsauswahl (Herunterziehen) mit Hilfe des NMOS-Transistorstrangs 330 ausgeführt werden. Solch ein Strang von NMOS-Transistoren 330 kann ausgewählt werden, um hierarchisch verschiedene Anzahlen von Wortleitungen auszuwählen. In einer Implementierung kann zum Beispiel ein erster NMOS-Transistor, der ein zeilendekodierendes Gate-Signal L1X empfängt, angeschaltet werden, um die Wortleitung 335 auszuwählen. Insbesondere kann das Anschalten solch eines NMOS-Transistors in dem NMOS-Transistorstrang 330 eine Spannung herunterziehen (zum Beispiel auf Masse) auf der Wortleitung 335, wodurch eine Spannung an entsprechenden Basen der Auswahltransistoren 350 heruntergesetzt wird, was in einer Auswahl der Speicherzellen resultiert, die der Wortleitung 335 entsprechen. Auf ähnliche Weise kann ein zweiter NMOS-Transistor, der ein zeilendekodierendes Gate-Signal L2X empfängt, angeschaltet werden, um eine Gruppe von mehreren Wortleitungen auszuwählen, wie zum Beispiel 32 Wortleitungen. Ebenso kann ein dritter NMOS-Transistor, der ein zeilendekodierendes Gate-Signal L3X empfängt, angeschaltet werden, um eine zusätzliche Gruppe von mehreren Wortleitungen auszuwählen, wie 256 Wortleitungen zum Beispiel. Selbstverständlich kann die Anzahl von Wortleitungen in einer Gruppe variieren, und der beanspruchte Gegenstand ist diesbezüglich nicht beschränkt. In einer anderen Implementierung kann eine Wortleitungs- oder Zeilendekodierung das Auswählen einer Wortleitung einschließen mit Hilfe einer Kombination von dekodierenden Signalen. Zum Beispiel, wenn ein L1X-NMOS-Transistor (zum Beispiel aus 32 solcher NMOS-Transistoren) angeschaltet ist, ein L2X-NMOS-Transistor (zum Beispiel aus 8 solcher NMOS-Transistoren) angeschaltet ist, und ein L3X-NMOS-Transistor (zum Beispiel aus 8 solcher NMOS-Transistoren) angeschaltet ist, dann kann eine einzelne Wortleitung (zum Beispiel aus 2.048 solcher Wortleitungen) ausgewählt werden. Jedoch können mehr als ein L1X-, L2X- oder L3X-NMOS-Transistoren gleichzeitig eingeschaltet werden und in solch einem Fall kann mehr als eine Wortleitung ausgewählt werden.
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In einer bestimmten Ausführungsform kann eine Wortleitungsabwahl (Hochziehen) ausgeführt werden mit einem Pull-Up-Widerstand 310. Das Ausschalten von NMOS-Transistoren in dem NMOS-Transistorstrang 330 kann eine Spannung auf der Wortleitung 335 hochziehen (zum Beispiel auf eine Versorgungsspannung VHX), wodurch eine Spannung auf entsprechenden Basen der Auswahltransistoren 350 steigt, was in einer Abwahl von Speicherzellen resultiert, die der Wortleitung 335 entsprechen. In einer Implementierung kann ein Pull-Up-Widerstand (oder eine zusammenhängende Gruppe von Pull-Up-Widerständen) eine Wortleitung abwählen. Ein Wert des Widerstandes für einen Pull-Up-Widerstand kann gewählt werden basierend zumindest teilweise auf einer gewünschten Leistungsgeschwindigkeit und einer Leistungsaufnahme einer Speichervorrichtung. Zum Beispiel kann der Wortleitungstreiber 300 einen Pull-Up-Widerstand umfassen, der einen relativ hohen Widerstand hat, um eine relativ niedrige Spannung während der Wortleitungsauswahl bereitzustellen, so dass die Leistungsaufnahme relativ niedrig ist. Andererseits kann der Wortleitungstreiber 300 einen Pull-Up-Widerstand umfassen, der einen relativ niedrigen Widerstand aufweist, so dass inhärente Widerstands-Kondensator-(resistor-capacitor, RC)-Zeitkonstanten relativ schnell sind während des Übergangs von einem Lese-/Schreibbetrieb zu einem nachfolgenden Lese-/Schreibbetrieb. Solche Fragen der Wortleitungstreiber-Betriebsgeschwindigkeit werden unten diskutiert. Selbstverständlich sind die Details des Wortleitungstreibers, der oben diskutiert wird, lediglich Beispiele und der beanspruchte Gegenstand ist nicht in dieser Weise beschränkt.
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4 ist ein schematisches Schaltkreisdiagramm eines Wortleitungstreibers 400, der einen zusätzlichen Transistor umfasst, gemäß einer Ausführungsform. Solch ein zusätzlicher Transistor 475 kann einen NMOS-Transistor umfassen, um elektrischen Strom in einen PUPD-Strang 420 zwischen zwei aufeinanderfolgenden Pull-Down-Transistoren 422 und 424 zu injizieren, zum Beispiel. Das Einschließen solch eines zusätzlichen Transistors um elektrischen Strom zu injizieren kann zu der Abwahl einer Wortleitung mit einer Rate führen, die schneller ist als jene, die ohne den injizierten elektrischen Strom ausgeführt wird. Zum Beispiel kann ein Hochzieh-Verfahren ausgeführt werden während des Beinhaltens eines zusätzlichen NMOS-Transistors. Nach einem Lesebetrieb können zwei Niveaus von Zeilendekodierung über die Pull-Down-Transistoren 422 und 420 unverändert für eine bestimmte Zeit (zum Beispiel mehrere Nanosekunden) unverändert gelassen werden, während ein drittes Niveau des Zeilendekodierens über den Pull-Down-Transistor 424 ausgeschaltet werden kann. Dementsprechend kann der zusätzliche NMOS-Transistor angeschaltet werden, um ein relativ schnelles Hochziehen der Wortleitung 435 zu ermöglichen. Das Hinzufügen einer Fähigkeit, elektrischen Strom zu injizieren, um die Arbeitsgeschwindigkeit des Wortleitungstreibers zu verbessern, kann durch das Hinzufügen eines NMOS-Transistors und eines Inverters (welcher durch ein PMOS-NMOS-Transistorpaar implementiert sein kann) auf einem dritten Niveau des Zeilendekodierens erreicht werden. Demgemäß kann eine Fläche einer Speichervorrichtung, die belegt wird von dem Einschließen solch eines Ansatzes des Verbesserns der Arbeitsgeschwindigkeit, relativ niedrig sein verglichen mit anderen Ansätzen, die, zum Beispiel, mehr als einen zusätzlichen Transistor einschließen.
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In einer Implementierung kann eine Basis eines zusätzlichen Transistors 475 elektrische Signale empfangen, die bezogen auf elektrische Signale invertiert sind, die an einen Pull-Down-Transistor 424 angewandt werden, der in dem PUPD-Strang 420 umfasst ist. Demgemäß, wenn solch ein angewandtes Signal relativ hoch ist (zum Beispiel logisch hohe Spannung), dann kann der Pull-Down-Transistor 424 eingeschaltet werden, um die Wortleitung 435 elektrisch mit dem einen Masseknoten 480 (oder anderem relativ niedrigen Spannungsknoten, umfassend eine Spannungssenke) zu verbinden. Als ein Resultat kann der Pull-Down-Transistor 424 eine Spannung der Wortleitung 435 herunterziehen, während ein invertiertes angewandtes Signal den zusätzlichen Transistor 475 ausschalten kann, um die Wortleitung 435 elektrisch von einer Energieversorgungsspannung VHX zu isolieren. Andererseits kann, wenn solch ein angewandtes Signal relativ niedrig ist (zum Beispiel, logisch niedrige Spannung), der Pull-Down-Transistor 424 ausgeschaltet sein, um die Wortleitung 435 von dem Masseknoten 480 zu isolieren, so dass der Pull-Up-Widerstand 410 eine Spannung der Wortleitung 435 hochziehen kann. Währenddessen kann das invertierte angewandte Signal den zusätzlichen Transistor 475 anschalten, um die Wortleitung 435 elektrisch mit der Energieversorgungsspannung VHX zu verbinden, um die Wortleitung 435 mit einer Rate abzuwählen, die schneller ist als jene, die ohne solche eine elektrische Verbindung mit der Energieversorgungsspannung VHX ausgeführt wird. Selbstverständlich sind solche Details eines Wort-Leitungstreibers lediglich Beispiele und der beanspruchte Gegenstand ist nicht auf diese Art beschränkt.
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5 ist ein schematisches Schaltkreisdiagramm eines Wortleitungstreibers 500, der einen zusätzlichen Transistor umfasst, gemäß einer anderen Ausführungsform. Solch ein zusätzlicher Transistor 575 kann einen NMOS-Transistor umfassen, um elektrischen Strom in einen PUPD-Strang 520 zu injizieren zwischen zwei aufeinanderfolgenden Pull-Down-Transistoren 522 und 524, zum Beispiel, Das Beinhalten von solch einem zusätzlichen Transistor um elektrischen Strom zu injizieren kann zu einem Abwählen einer Wortleitung führen mit einer Rate, die schneller ist als jene, die ohne den injizierten elektrischen Strom ausgeführt wird. Der Betrieb von solch einem zusätzlichen Transistor kann ähnlich sein zu jenem, der oben beschrieben ist, für den Wortleitungstreiber 400 in 4, zum Beispiel. In einer Implementierung kann eine Basis des zusätzlichen Transistors 575 ein elektrisches Signal empfangen, das ein globales Signal 590 umfasst, das durch eine Speichersteuerung, wie eine Speichersteuerung 815, die in 8 gezeigt ist, bereitgestellt wird, zum Beispiel. Solch ein globales Signal kann an die Basis des zusätzlichen Transistors 575 angewandt werden, um den zusätzlichen Transistor 575 selektiv an-/auszuschalten mit einer zeitlichen Koordination bezogen auf Lese-/Schreiboperationen von einer oder mehreren Zeilen von Speicher. Zum Beispiel kann ein Pull-Up-Verfahren nach einem Lesebetrieb wie oben beschrieben ausgeführt werden. Insbesondere können zwei Niveaus von Zeilendekodierung über Pull-Down-Transistoren 522 und 520 für eine bestimmte Zeit (zum Beispiel mehrere Nanosekunden) unverändert bleiben, während ein drittes Niveau von Zeilendekodierung über den Pull-Down-Transistor 524 ausgeschaltet werden kann. Dementsprechend kann der zusätzliche NMOS-Transistor angeschaltet werden über ein globales Signal 590, um ein relativ schnelles Hochziehen der Wortleitung 535 zu ermöglichen. Das Hinzufügen einer Fähigkeit, elektrischen Strom zu injizieren, um die Betriebsgeschwindigkeit eines Wortleitungstreibers zu verbessern, kann durch das Hinzufügen eines NMOS-Transistors auf einem dritten Niveau von Zeilendekodierung erreicht werden. Demgemäß kann eine Fläche einer Speichervorrichtung, die durch das Beinhalten solch eines Ansatzes zum Verbessern der Betriebsgeschwindigkeit belegt wird, relativ niedrig sein verglichen mit anderen Ansätzen, die, zum Beispiel, mehr als einen zusätzlichen Transistor und/oder einen Inverter beinhalten. Selbstverständlich sind diese Details eines Wortleitungstreibers lediglich Beispiele und der beanspruchte Gegenstand ist nicht auf diese Art beschränkt.
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6 ist ein schematisches Schaltkreisdiagramm von einem Wortleitungstreiber und einem Abschnitt eines Speicherfeldes und 7 ist eine Querschnittsansicht davon, gemäß einer Ausführungsform. Zum Beispiel kann ein PUPD-Strang 620 bei einem Knoten 655 mit einer Reihe/Zeile von Speicherzellen 645 verbunden sein, welche eine Speichereinheit 660 und einen Auswahltransistor 650 umfassen können. Der PUPD-Strang 620 kann eine Serie an Transistoren 630 umfassen, die mit einem Pull-Up-Widerstand 610 auf einem Substrat 795 auf oder in der Nähe einer Kante eines Speicherzellenfeldes 640/740 verbunden ist. In einer Implementierung kann eine Kante des Speicherzellenfeldes 640 einen Startbereich einer Wortleitung 635 umfassen, die sich zu Basen von Auswahltransistoren 650 erstreckt. Die Wortleitung 635 kann sich mit einer Energieversorgungsspannung VHX über den Pull-Up-Widerstand 610 verbinden.
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Wie in 7 gezeigt, kann eine Speichereinheit 760 auf einer P-Emitter-Diffusion 763 und einer n-Basis-Diffusion 765 angeordnet sein, die einen Abschnitt eines Auswahltransistors 650/750 bilden. Eine Metall-Leitung 788 kann einen Knoten 655/755 umfassen, der elektrisch einen Pull-Up-Widerstand 610/710 mit Pull-Down-Transistoren 650/750 verbindet. In einer Implementierung kann die n-Basis-Diffusion 765 in einem selben Prozess hergestellt werden, der den Pull-Up-Widerstand 610/710 herstellt. Zum Beispiel kann ein n-Typ-Halbleitermaterial eingeimpft und/oder abgeschieden werden auf ein Substrat 795, um die n-Basis-Diffusion 765 zu bilden, beim, im Wesentlichen zur selben Zeit, einimpfen des n-Typ-Halbleitermaterials, um den Pull-Up-Widerstand 610/710 zu erzeugen. Damit kann eine einzelne Maske verwendet werden, um zumindest einen Abschnitt eines Speicherzellenfeldes zu bilden, das Speichereinheiten 660/760 und den Pull-Up-Widerstand 610/710 umfasst. Solch ein Abschnitt kann zum Beispiel eine Basis eines bipolaren Transistor-(bipolar junction transistor, BJT)-Auswählers umfassen. Währenddessen kann ein p-Typ-Halbleitermaterial eingeimpft und/oder abgelagert werden auf dem Substrat 795, um ein p-Substrat zu bilden, das einen Kollektor des Auswahltransistors 650/750 umfasst. In einer Implementierung kann eine Metall-Leitung 788 elektrisch mit einer Reihe von Transistoren, wie den Transistoren 630, die in 6 gezeigt sind, verbunden werden. Die n-Basis-Diffusion 765, die eine Wortleitung umfasst, kann elektrisch mit einer Energieversorgungsspannung VHX über den Pull-Up-Widerstand 610/710 verbunden sein. Selbstverständlich sind solche Details eines Wortleitungstreibers lediglich Beispiele und der beanspruchte Gegenstand ist nicht auf diese Art beschränkt.
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8 ist eine schematische Ansicht eine Rechensystems und einer Speichervorrichtung, gemäß einer Ausführungsform. Solch eine Rechenvorrichtung kann einen oder mehrere Prozessoren, zum Beispiel, umfassen, um eine Anwendung und/oder anderen Code auszuführen. Zum Beispiel kann die Speichervorrichtung 810 das Speicherfeld 340, das in 3 gezeigt ist, umfassen. Eine Rechenvorrichtung 804 kann repräsentativ sein für jede Vorrichtung, Anwendung oder Maschine, die konfigurierbar ist, um die Speichervorrichtung 810 zu verwalten. Die Speichervorrichtung 810 kann eine Speichersteuerung 815 und einen Speicher 822 umfassen. Beispielsweise, aber nicht begrenzend, kann die Rechenvorrichtung 804 umfassen: Eine oder mehrere Rechenvorrichtungen und/oder Plattformen, wie zum Beispiel einen Desktop-Computer, einen Laptop-Computer, eine Arbeitsstation, eine Server-Vorrichtung und Ähnliches; eine oder mehrere persönliche Rechen- oder Kommunikationsvorrichtungen oder -anwendungen, wie zum Beispiel einen persönlichen digitalen Assistenten, mobile Kommunikationsvorrichtung oder Ähnliches; ein Rechensystem und/oder assoziierte Dienstbereitstellungsfähigkeiten, wie zum Beispiel eine Datenbank oder Datenspeicherdienstprovider/-system; und/oder irgendeine Kombination davon.
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Es ist anerkannt, dass alle oder Teile der verschiedenen Vorrichtungen, die in dem System 800 gezeigt sind, implementiert werden können mit Hilfe von oder ansonsten beinhaltend Hardware, Firmware, Software oder jede Kombination davon. Damit kann die Rechenvorrichtung 804 beispielsweise, aber nicht begrenzend, zumindest eine Verarbeitungseinheit 820 umfassen, die operativ mit einem Speicher 822 über einen Bus 840 gekoppelt ist und einen Host oder Speichersteuerung 815. Die Verarbeitungseinheit 820 ist repräsentativ für einen oder mehrere Schaltkreise, die dazu konfigurierbar sind, zumindest einen Abschnitt einer Datenverarbeitungsprozedur oder -verfahrens auszuführen. Beispielsweise, aber nicht begrenzend, kann die Verarbeitungseinheit 820 einen oder mehrere Prozessoren, Steuerungen, Mikroprozessoren, Mikrocontroller, anwendungsspezifisch integrierte Schaltkreise, digitale Signalprozessoren, programmierbare logische Vorrichtungen, feldprogrammierbare Gatterfelder und Ähnliches oder irgendeine Kombination davon umfassen. Die Verarbeitungseinheit 820 kann ein Betriebssystem umfassen, das dazu konfiguriert ist, mit der Speichersteuerung 815 zu kommunizieren. Solch ein Betriebssystem kann, zum Beispiel, Befehle erzeugen, die über einen Bus 840 an die Speichersteuerung 815 zu senden sind. Solche Befehle können Lese- und/oder Schreibbefehle umfassen. In Antwort auf einen Schreibbefehl kann, zum Beispiel, die Speichersteuerung 815 ein Vorspannungssignal bereitstellen, wie einen Setzen- oder Rücksetzer-Impuls zum Schreiben von Informationen, die mit dem Schreibbefehl zu einem Speicherabschnitt assoziiert ist, zum Beispiel. In einer Implementierung kann die Speichersteuerung 815 die Speichervorrichtung 810 betreiben, wobei die Verarbeitungseinheit 820 eine oder mehrere Anwendungen bedienen kann und/oder Schreibbefehle zu der Speichersteuerung initiieren kann, um Zugriff auf Speicherzellen in der Speichervorrichtung 810 bereitzustellen, zum Beispiel.
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In einer Ausführungsform kann ein System eine Speichersteuerung umfassen, um eine Speichervorrichtung zu betreiben, wobei die Speichervorrichtung Speicherzellen eines Speicherzellenfeldes umfassen kann, die über eine Wortleitung adressierbar sind, einen PUPD-Strang zum Auswählen oder Abwählen der Wortleitung in Antwort auf elektrische Signale, die erzeugt werden durch das Dekodieren eines Befehls. Solch ein PUPD-Strang kann einen Pull-Up-Widerstand umfassen, der elektrisch zwischen die Wortleitung und eine Spannungsquelle verbunden ist, um die Wortleitung abzuwählen und/oder Pull-Down-Transistoren, die in Reihe mit dem Pull-Up-Widerstand in dem PUPD-Strang verbunden sind und elektrisch zwischen die Wortleitung und eine Stromsenke verbunden sind, um die Wortleitung auszuwählen. Solch ein System kann weiterhin einen Prozessor umfassen, um eine oder mehrere Anwendungen zu bedienen und Befehle an die Speichersteuerung zu initiieren, um Zugriff auf die Speicherzellen im Speicherzellenfeld bereitzustellen.
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Der Speicher 822 ist repräsentativ für jeden Datenspeichermechanismus. Der Speicher 822 kann zum Beispiel einen primären Speicher 824 und/oder einen sekundären Speicher 826 umfassen. Der primäre Speicher 824 kann zum Beispiel einen wahlfreien Zugriffsspeicher, einen Nur-Lese-Speicher etc. umfassen. Während in diesem Beispiel als separat von der Verarbeitungseinheit 820 dargestellt, sollte es verstanden werden, dass alles oder ein Teil von dem primären Speicher 824 innerhalb oder ansonsten zusammen angeordnet/gekoppelt mit der Verarbeitungseinheit 820 bereitgestellt werden kann.
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Der sekundäre Speicher 826 kann zum Beispiel denselben oder ähnlichen Typ von Speicher umfassen wie der primäre Speicher und/oder eine oder mehrere Datenspeichervorrichtungen oder -systeme, wie zum Beispiel ein Festplattenlaufwerk, ein optisches Laufwerk, ein Bandlaufwerk, ein Festkörperspeicherlaufwerk etc. In bestimmten Implementierungen kann der sekundäre Speicher 826 operativ empfänglich sein für oder ansonsten konfiguriert sein mit einem computerlesbaren Medium 828 zu koppeln. Das computerlesbare Medium 828 kann zum Beispiel jegliches Medium umfassen, das Daten, Code und/oder Anweisungen für eine oder mehrere der Vorrichtungen in dem System 800 tragen und/oder zugänglich machen kann.
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Die Rechenvorrichtung 804 kann zum Beispiel eine Eingabe/Ausgabe 832 umfassen. Die Eingabe/Ausgabe 832 ist repräsentativ für eine oder mehrere Vorrichtungen oder Einrichtungen, die konfigurierbar sein können, menschliche und/oder Maschineneingaben zu akzeptieren oder anderweitig einzuführen, und/oder eine oder mehrere Vorrichtungen oder Einrichtungen, die konfigurierbar sein können, Ausgaben für Menschen oder Maschinen auszugeben oder anderweitig bereitzustellen. Beispielsweise, aber nicht begrenzend, kann die Eingabe/Ausgabevorrichtung 832 eine operativ konfigurierte Anzeige, Lautsprecher, Tastatur, Maus, Trackball, Touchscreen, Datenanschluss etc. umfassen.
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Während es veranschaulicht und beschrieben worden ist, was gegenwärtig als beispielhafte Ausführungsform betrachtet wird, versteht der Fachmann, dass verschiedene andere Modifizierungen gemacht werden und Äquivalente ersetzt werden können, ohne von dem beanspruchten Gegenstand abzuweichen. Zusätzlich können viele Modifikationen gemacht werden, um eine bestimmte Situation an die Lehren des beanspruchten Gegenstandes anzupassen, ohne von dem zentralen hierin beschriebenen Konzept abzuweichen. Deshalb ist es beabsichtigt, dass der beanspruchte Gegenstand nicht durch die offenbarten bestimmten Ausführungsformen begrenzt werden soll, sondern dass der beanspruchte Gegenstand auch alle Ausführungsformen umfassen kann, die innerhalb des Umfangs der beigefügten Ansprüche fallen und Äquivalente davon.
