DE102010063382A1 - Polymersubstrat und Verfahren zu dessen Ausbildung und Anzeigevorrichtung, die das Polymersubstrat aufweist - Google Patents
Polymersubstrat und Verfahren zu dessen Ausbildung und Anzeigevorrichtung, die das Polymersubstrat aufweist Download PDFInfo
- Publication number
- DE102010063382A1 DE102010063382A1 DE102010063382A DE102010063382A DE102010063382A1 DE 102010063382 A1 DE102010063382 A1 DE 102010063382A1 DE 102010063382 A DE102010063382 A DE 102010063382A DE 102010063382 A DE102010063382 A DE 102010063382A DE 102010063382 A1 DE102010063382 A1 DE 102010063382A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- polymer substrate
- polymer
- display device
- temperature
- flat panel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 229920000307 polymer substrate Polymers 0.000 title claims abstract description 78
- 230000004580 weight loss Effects 0.000 title claims abstract description 25
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 title abstract 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract description 27
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 21
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 43
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 18
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 16
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 16
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 13
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 4
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 claims description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 3
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 14
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 14
- 230000008569 process Effects 0.000 description 9
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 4
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 3
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 2
- 239000002033 PVDF binder Substances 0.000 description 2
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 2
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 229920001328 Polyvinylidene chloride Polymers 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 2
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 2
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 2
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 2
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 2
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 239000005033 polyvinylidene chloride Substances 0.000 description 2
- 229920002981 polyvinylidene fluoride Polymers 0.000 description 2
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 2
- ILJSQTXMGCGYMG-UHFFFAOYSA-N triacetic acid Chemical compound CC(=O)CC(=O)CC(O)=O ILJSQTXMGCGYMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 229920002457 flexible plastic Polymers 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
- H10K77/111—Flexible substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/80—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass using temporary substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
- H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
- H01L21/02142—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing silicon and at least one metal element, e.g. metal silicate based insulators or metal silicon oxynitrides
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/311—Flexible OLED
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Treatments Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
Description
- Die Offenbarung betrifft ein Polymersubstrat und ein Verfahren zu dessen Ausbildung sowie eine Anzeigevorrichtung, die das Polymersubstrat aufweist.
- Beschreibung des Standes der Technik
- Eine Flachtafelanzeigevorrichtung, wie eine organische lichtemittierende Diodenanzeige(OLED)-Vorrichtung, weist eine elektronische Vorrichtung wie einen Dünnfilmtransistor und ein organisches lichtemittierendes Element auf. Die elektronische Vorrichtung ist auf einem Substrat ausgebildet.
- ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
- Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Polymersubstrat für eine Anzeigevorrichtung bereitgestellt, das eine geringe Wärmeausdehnungsrate aufweist und zur Reduktion der Entgasung bei einer hohen Temperatur ausgebildet ist.
- Gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Verfahren zur Ausbildung des Polymersubstrats bereitgestellt.
- Gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung wird eine Anzeigevorrichtung bereitgestellt, die das Polymersubstrat aufweist.
- Gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Verfahren zur Herstellung der Anzeigevorrichtung bereitgestellt.
- Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Polymersubstrat für eine Flachtafelanzeigevorrichtung bereitgestellt, das bei einer Temperatur im Bereich von 420°C bis 600°C einen Gewichtsverlust von unter 1%, bezogen auf ein Ausgangsgewicht, aufweist. Der Gewichtsverlust kann im Bereich von 0,00000:1% bis 0,95%, bezogen auf das Ausgangsgewicht, liegen. Das Polymersubstrat kann einen Wärmeausdehnungskoeffizient im Bereich von 1 ppm/°C bis 50 ppm/°C aufweisen.
- Gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Verfahren zur Herstellung eines Polymersubstrats bereitgestellt, das die Herstellung einer Polymerschicht mittels eines Palymermaterials, das bei einer Temperatur im Bereich von 420°C bis 600°C einen Gewichtsverlust von unter 1%, bezogen auf ein Ausgangsgewicht, aufweist, sowie das Erhitzen der Polymerschicht bei einer Temperatur über 350°C aufweist. Das Erhitzen der Polymerschicht kann bei einer Temperatur im Bereich von 350°C bis 500°C durchgeführt werden. Die Polymerschicht kann einen Wärmeausdehnungskoeffizient im Bereich von 1 ppm/°C bis 50 ppm/°C aufweisen. Das Verfahren kann weiterhin die Ausbildung einer Substratschutzschicht auf der Polymerschicht nach dem Erhitzen der Polymerschicht aufweisen.
- Gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung wird eine Anzeigevorrichtung bereitgestellt, die ein oben genanntes Polymersubstrat und eine auf dem Polymersubstrat angeordnete elektronische Vorrichtung aufweist. Die elektronische Vorrichtung kann einen Dünnfilmtransistor und/oder ein organisches lichtemittierendes Element aufweisen. Der Dünnfilmtransistor kann eine Steuerelektrode, einen die Steuerelektrode überlappenden Halbleiter, eine Gate-Isolierschicht, die zwischen der Steuerelektrode und dem Halbleiter angeordnet ist, sowie eine Eingangselektrode und eine Ausgangselektrode, die mit dem Halbleiter elektrisch verbunden sind, aufweisen, wobei die Gate-Isolierschicht Tetraethylorthosilicat (TEOS) aufweist.
- KURZBESCHREIBUNG DER FIGUREN
- Eine umfassendere Würdigung der Erfindung und ihrer vielen Vorteile ergibt sich durch das bessere Verständnis der Erfindung aufgrund der nachfolgenden ausführlichen Beschreibung in Verbindung mit den beigefügten Figuren, in denen gleiche Bezugszeichen gleiche oder ähnliche Bauelemente bezeichnen, wobei:
-
1 bis3 Querschnittdarstellungen sind, in denen ein Verfahren zur Ausbildung eines Polymersubstrats dargestellt ist; -
4 ein Graph ist, in dem ein Gewichtsverlust aufgrund der Temperatur eines Polymersubstrats gemäß einer Ausführungsform dargestellt ist; -
5 ein Graph ist, in dem ein Gewichtsverlust aufgrund der Temperatur eines Polymersubstrats gemäß einem Vergleichsbeispiel dargestellt ist; -
6 eine Querschnittdarstellung ist, in der eine organische lichtemittierende Dioden(OLED)-Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform dargestellt ist. - AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG DER ERFINDUNG
- Nachfolgend soll die vorliegende Offenbarung anhand der beigefügten Figuren, in denen Ausführungsbeispiele dieser Offenbarung dargestellt sind, ausführlicher beschrieben werden.
- In den Figuren sind die Dicke von Schichten, Filmen, Paneelen, Regionen, usw. um der Klarheit willen übertrieben dargestellt. Gleiche Bezugszeichen bezeichnen in der gesamten Patentschrift gleiche Elemente. Wird ein Element, wie eine Schicht, ein Film, eine Region oder ein Substrat als „auf” einem anderen Element befindlich bezeichnet, kann er bzw. sie bzw. es sich unmittelbar auf dem anderen Element befinden oder es kann dazwischen befindliche Elemente geben. Wird ein Element dagegen als „unmittelbar auf einem anderen Element bezeichnet, so gibt es keine dazwischen befindlichen Elemente.
- Eine Flachtafelanzeigevorrichtung, wie eine organische lichtemittierende Diodenanzeige(OLED)-Vorrichtung, weist eine elektronische Vorrichtung wie einen Dünnfilmtransistor und ein organisches lichtemittierendes Element auf. Die elektronische Vorrichtung ist auf einem Substrat ausgebildet.
- Für das Substrat wird üblicherweise ein Glassubstrat verwendet. Das Glassubstrat unterliegt Beschränkungen bei der Realisierung einer Großbildanzeige und bei der Transportfähigkeit, da es schwer und zerbrechlich ist. Da das Glassubstrat durch Einwirkung von außen beschädigt werden kann, kann es darüber hinaus nicht für eine flexible Anzeigevorrichtung verwendet werden.
- In jüngster Zeit bemühen sich Forscher um die Entwicklung einer Flachtafelanzeigevorrichtung, in der ein Polymersubstrat verwendet wird, das nicht nur leicht und stabil hinsichtlich Einwirkungen von außen, sondern auch flexibel ist. Da das Polymersubstrat aus einem flexiblen Kunststoffmaterial ausgebildet ist, weist es im Vergleich zu einem Glassubstrat viele Vorteile auf, wie Transportfähigkeit, Sicherheit und Leichtigkeit. Da das Polymersubstrat weiterhin durch ein Abscheidungs- oder Druckverfahren ausgebildet werden kann, lassen sich die Herstellungskosten reduzieren. Zudem lässt sich eine Anzeigevorrichtung, anders als durch ein plattenbasiertes Verfahren, durch ein Rolle-zu-Rolle-Verfahren herstellen.
- Ein Polymersubstrat weist indes aufgrund der Eigenschaften eines Kunststoffmaterials bei einer hohen Temperatur eine hohe Entgasung auf. Die Entgasung kann einen auf dem Polymersubstrat ausgebildeten Dünnfilm beeinflussen, so dass sich die Eigenschaften einer Vorrichtung verschlechtern. Es kann vorkommen, dass der Rückstand der Entgasung in einer Kammer verbleibt und die Kammer während eines Verfahrens verunreinigt. Daher gibt es bei der Ausbildung einer Vorrichtung auf einem Polymersubstrat eine Temperaturbegrenzung, wobei sich jedoch die Eigenschaften einer Vorrichtung verschlechtern können, wenn die Vorrichtung bei einer Temperatur hergestellt wird, die nicht hoch genug ist.
- Zuerst soll ein Polymersubstrat für eine Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform beschrieben werden. Das Polymer für das Polymersubstrat weist bei einer Temperatur im Bereich von 420°C bis 600°C einen Gewichtsverlust von unter 1%, bezogen auf ein Ausgangsgewicht, auf. Der Gewichtsverlust entspricht dabei einem Prozentsatz eines Gewichtsunterschieds zwischen einem Polymersubstrat vor dem Erhitzen und einem Polymersubstrat nach dem Erhitzen, bezogen auf das Ausgangsgewicht des Polymersubstrats vor dem Erhitzen.
- Dass der Gewichtsverlust unter 1% beträgt, bedeutet, dass die durch die Entgasung verlorene Menge weniger als 1% des Ausgangsgewichts beträgt. Kurz gesagt heißt das, dass die Menge der Entgasung gering ist.
- Das Polymersubstrat kann im Voraus bei einer Temperatur über 350°C erhitzt werden, um die Menge der Entladung vom Polymersubstrat zu reduzieren. Das Erhitzen kann bei einer Temperatur im Bereich von etwa 350°C bis etwa 500°C durchgeführt werden.
- Das vorherige Erhitzen des Polymersubstrats ermöglicht eine Reduktion der Menge der Entgasung vorn Polymersubstrat in einem anschließenden Verfahren zur Ausbildung eines Dünnfilms auf dem Polymersubstrat bei einer hohen Temperatur.
- Nachfolgend soll ein Verfahren zur Ausbildung eines Polymersubstrats für eine Anzeigevorrichtung anhand der beigefügten Figuren beschrieben werden.
-
1 bis3 sind Querschnittdarstellungen, in denen ein Verfahren zur Ausbildung eines Polymersubstrats dargestellt ist. Zuerst wird eine Polymerschicht110a auf einer Glasplatte50 ausgebildet. Die Polymerschicht110a kann aus einem Polymermaterial aus Polyimid, Polyacrylat, Polyethylenterephthalat, Polyethylennaphthalat, Polycarbonat, Polyarylat, Polyetherimid, Polyethersulfon, Triacetatsäurecellulose, Polyvinylidenchlorid, Polyvinylidenfluorid, Ethylen/Vinylalkohol-Copolymer oder einer Kombination derselben bestehen. Die Polymerschicht110a kann durch die Beschichtung der Glasplatte50 mit einer Polymerharzlösung hergestellt werden. - Gemäß
2 wird das Polymersubstrat110 durch Erhitzen der Polymerschicht110a bei einer Temperatur über 350°C ausgebildet. Gemäß einer Ausführungsform wird das Polymersubstrat110a durch Erhitzen der Polymerschicht110a bei einer Temperatur von 350°C bis 500°C ausgebildet. Dabei kann das Erhitzen bei einer gleichmäßigen Temperatur im oben genannten Temperaturbereich durchgeführt werden oder es kann durchgeführt werden, während die Temperatur im Verlauf der Zeit im oben genannten Temperaturbereich variiert. Zum Beispiel kann das Erhitzen etwa 1 Minute bis etwa fünf Stunden lang bei einer Temperatur von etwa 380°C durchgeführt werden oder es kann durchgeführt werden, indem die Temperatur 1 Minute bis 5 Stunden lang zwischen etwa 350°C, etwa 380°C, etwa 400°C und etwa 420°C variiert. - Gemäß
3 wird die Glasplatte50 vom Polymersubstrat110 entfernt. Wenn eine Vorrichtung, die einen Dünnfilm aufweist, auf dem Polymersubstrat110 ausgebildet wird, kann die Glasplatte50 allerdings auch als Auflage verwendet werden, um zu verhindern, dass das Polymersubstrat während eines Verfahrens beschädigt wird. In diesem Fall kann die Glasplatte50 nach Abschluss des Verfahrens zur Herstellung der Vorrichtung von dem Polymersubstrat entfernt werden. - Das erhitzte Polymersubstrat
110 weist einen relativ geringen Wärmeausdehnungskoeffizient von etwa 1 ppm/°C bis etwa 50 ppm/°C auf. Da das erhitzte Polymersubstrat110 in einem anschließenden Verfahren eine leichte wärmebedingte Verformung erleidet, wird das Polymersubstrat110 durch Wärme nicht stark verformt, obwohl das Polymersubstrat110 beim anschließenden Verfahren einer hohen Temperatur ausgesetzt wird. - Der Gewichtsverlust des erhitzten Polymersubstrats
110 beträgt bei einer Temperatur im Bereich von 420°C bis 600°C unter 1%. Dadurch lässt sich die Wirkung der Entgasung des Polymersubstrats110 während des anschließenden Verfahrens reduzieren. - Die vorliegende Erfindung soll nachfolgend unter Bezug auf
4 und5 beschrieben werden.4 ist ein Graph, in dem ein Gewichtsverlust aufgrund der Temperatur eines Polymersubstrats gemäß einer Ausführungsform dargestellt ist, während5 ein Graph ist, in dem ein Gewichtsverlust aufgrund der Temperatur eines Polymersubstrats gemäß einem Vergleichsbeispiel dargestellt ist. - Gemäß einer Ausführungsform wird ein Polymersubstrat durch Beschichten einer Glasplatte mit einer Polymerlösung und durch das allmähliche Erhitzen von einer Raumtemperatur (etwa 25°C) bis auf etwa 620°C ausgebildet. Gemäß einer weiteren Ausführungsform wird eine mit einer Polymerlösung beschichtete Glasplatte mit einer Geschwindigkeit von etwa 5°C/min von einer Raumtemperatur (etwa 25°C) auf etwa 150°C erhitzt und etwa 30 Minuten lang bei etwa 150°C erhitzt. Anschließend wird die mit der Polymerlösung beschichtete Glasplatte auf etwa 350°C erhitzt und etwa 30 Minuten lang bei etwa 350° erhitzt und dann auf etwa 380°C erhitzt und etwa 30 Minuten lang bei etwa 380°C erhitzt. Die Menge des durch die Entgasung bedingten Verlusts, d. h., des Gewichtsverlusts des Polymersubstrats, wird gemessen, während das erhitzte Polymersubstrat von einer Raumtemperatur (etwa 25°C) auf etwa 620°C erhitzt wird.
- Gemäß
4 zeigt das gemäß einer Ausführungsform erhitzte Polymersubstrat kaum Gewichtsverlust, bis das erhitzte Polymersubstrat auf etwa 550°C erhitzt wird, und zeigt bis zu einer Temperatur von etwa 600°C einen Gewichtsverlust von unter 1%. - Gemäß
5 wird andererseits gemäß dem Vergleichsbeispiel die Menge des durch die Entgasung bedingten Gewichtsverlusts, d. h., des Gewichtsverlusts des Polymersubstrats, gemessen, während ein Polymersubstrat, das nicht erhitzt wurde, von einer Raumlemperatur (etwa 25°C) bis auf etwa 620°C erhitzt wird. - In
5 gibt B1 den Gewichtsverlust aufgrund der Temperatur an, während B2 eine Gewichtsverlustvariationsrate aufgrund der Zeit angibt. Gemäß5 wird gemäß dem Vergleichsbeispiel ein Polymersubstrat gemessen, das nicht erhitzt wird, wobei es laut den Messungen einen Gewichtsverlust von etwa 4,822%, 5,931% und 6,709% bei jeweils etwa 350°C, 400°C und 500°C aufweist. - Wie oben beschrieben, wird das Polymersubstrat wärmestabilisiert, wenn es bei einer Temperatur über etwa 350°C erhitzt wird. Dadurch reduziert sich die Menge der Entgasung vom Polymersubstrat während eines anschließenden Verfahrens, das bei einer hohen Temperatur durchgeführt wird.
- Nachfolgend soll eine gemäß einer weiteren Ausführungsform hergestellte Anzeigevorrichtung anhand der beigefügten Figur beschrieben werden. Dabei wird eine organische lichtemittierende Dioden(OLED)-Anzeigevorrichtung als beispielhafte Anzeigevorrichtung betrachtet; die vorliegende Erfindung ist jedoch auf alle Anzeigevorrichtungen anwendbar, die zur Aufnahme eines Polymersubstrats ausgebildet sind.
-
6 ist eine Querschnittdarstellung, in der eine organische lichtemittierende Dioden(OLED)-Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform dargestellt ist. Die organische lichtemittierende Dioden(OLED)-Anzeigevorrichtung weist eine Vielzahl von Signalleitungen und eine Vielzahl von Pixeln auf, die mit der Vielzahl der Signalleitungen elektrisch verbunden und in Form einer Matrix angeordnet sind. - Die Signalleitungen weisen eine Vielzahl von Gate-Leitungen zur Übertragung von Gate-Signalen (oder Ansteuersignalen), eine Vielzahl von Datenleitungen zur Übertragung von Datensignalen und eine Vielzahl von Ansteuerspannungsleitungen zur Übertragung von Ansteuerspannungen auf.
- Jeder Pixel weist einen Schalttransistor (TRs), einen Ansteuertransistor (TRD) und ein organisches lichtemittierendes Element LD auf. Der Schalttransistor (TRs) weist einen Steueranschluss, einen Eingangsanschluss und einen Ausgangsanschluss auf. Der Steueranschluss ist mit einer Gate-Leitung elektrisch verbunden und der Eingangsanschluss ist mit einer Datenleitung verbunden, während der Ausgangsanschluss mit einem Ansteuertransistor (TRD) verbunden ist. Der Schalttransistor (TRs) überträgt in Reaktion auf ein an der Gate-Leitung anliegendes Ansteuersignal ein an der Datenleitung anliegendes Datensignal zum Ansteuertransistor (TRD).
- Der Ansteuertransistor (TRD) weist ebenfalls einen Steueranschluss, einen Eingangsanschluss und einen Ausgangsanschluss auf. Der Steueranschluss ist mit dem Schalttransistor (TRs) verbunden und der Eingangsanschluss ist mit einer Ansteuerspannungsleitung verbunden, während der Ausgangsanschluss mit dem organischen lichtemittierenden Element LD verbunden ist. Der Ansteuertransistor (TRD) gibt einen Ausgangsstrom aus, dessen Stärke entsprechend der Spannung zwischen dem Steueranschluss und dem Ausgangsanschluss unterschiedlich ist.
- Das organische lichtemittierende Element LD weist eine Anode, die mit dem Ausgangsanschluss des Ansteuertransistors (TRD) verbunden ist, und eine Kathode, die mit einer gemeinsamen Spannung verbunden ist, auf. Das organische lichtemittierende Element LD zeigt ein Bild an, indem es auf der Basis des Ausgangsstroms des Ansteuertransistors (TRD) Licht von unterschiedlicher Stärke emittiert.
- Nachfolgend soll mit Bezug auf
6 eine Struktur einer organischen lichtemittierenden Dioden(OLED)-Anzeigevorrichtung beschrieben werden. Eine Substratschutzschicht111 ist auf einem Polymersubstrat110 ausgebildet. - Wie weiter oben beschrieben, wurde das Polymersubstrat
110 im Voraus bei einer Temperatur über etwa 350°C erhitzt. Das erhitzte Polymersubstrat110 weist bei einer Temperatur über etwa 350°C eine geringe Entgasungsmenge auf. Gemäß einer Ausführungsform kann der Gewichtsverlust bei etwa 350°C bis etwa 500°C weniger als 1%, bezogen auf ein Ausgangsgewicht, betragen. Das erhitzte Polymersubstrat110 kann einen Wärmeausdehnungskoeffizient von etwa 1 ppm/oC bis etwa 50 ppm/oC aufweisen. - Die Substratschutzschicht
111 kann ein anorganisches Material, ein organisches Material oder eine Kombination derselben aufweisen. Gemäß einer Ausführungsform kann die Substratschutzschicht111 Siliziumoxid (SiO2), Siliziumnitrid (SiNx) oder eine Kombination derselben aufweisen. - Auf der Substratschutzschicht
111 ist ein Gate-Leiter ausgebildet, der eine (nicht gezeigte) Gate-Leitung aufweist, die eine erste Steuerelektrode124a und eine zweite Steuerelektrode124b aufweist. - Eine Gate-Isolierschicht
140 ist auf dem Gate-Leiter ausgebildet. Die Gate-Isolierschicht140 kann aus einem Isoliermaterial auf der Basis von Silizium bestehen. - Auf der Gate-Isolierschicht
140 sind ein erster Halbleiter154a , der aus hydriertem amorphen Silizium oder aus Polysilizium besteht, und ein zweiter Halbleiter154b ausgebildet. Der erste Halbleiter154a und der zweite Halbleiter154b sind jeweils auf der ersten Steuerelektrode124a und der zweiten Steuerelektrode124b ausgebildet. - Auf dem ersten Halbleiter
154a ist ein Paar erster ohmscher Kontakte163a und165a ausgebildet, während ein Paar zweiter ohmscher Kontakte163b und165b auf dem zweiten Halbleiter154b ausgebildet ist. - Auf den ohmschen Kontakten
163a ,163b ,165a ,165b und der Gate-Isolierschicht140 ist ein Datenleiter, der eine Vielzahl erster und zweiter Eingangselektroden173 und173b sowie erster und zweiter Ausgangselektroden175a und175b aufweist, ausgebildet. Die erste Eingangselektrode173a ist mit der Datenleitung verbunden, während die zweite Eingangselektrode173b mit der Ansteuerspannungsleitung verbunden ist. - Eine Schutzschicht
180 ist auf dem Datenleiter ausgebildet. Die Schutzschicht180 weist eine Vielzahl von Kontaktlöchern183 ,184 und185 auf. - Auf der Schutzschicht
180 sind eine Pixelelektrode191 und ein Verbindungselement85 ausgebildet. Die Pixelelektrode191 ist über das Kontaktloch185 mit der zweiten Ausgangselektrode175b elektrisch verbunden, und das Verbindungselement85 verbindet die zweite Steuerelektrode124b und die erste Ausgangselektrode175a über die Kontaktlöcher183 und184 miteinander. - Barriererippen
361 sind über der Schutzschicht180 , der Pixelelektrode191 und dem Verbindungselement85 ausgebildet, wobei die Barriererippen361 eine Öffnung365 ausbilden, indem sie den Umfangsrand der Pixelelektrode191 umgeben. - Eine organische Emissionsschicht
370 ist auf der Öffnung365 ausgebildet. Zumindest eine (nicht gezeigte) Hilfsschicht kann im oberen und/oder unteren Abschnitt der organischen Emissionsschicht370 ausgebildet sein. - Eine gemeinsame Elektrode
270 kann auf der organischen Emissionsschicht370 ausgebildet sein. Von der Pixelelektrode191 und der gemeinsamen Elektrode270 kann eine eine Anode und die andere eine Kathode sein. - Nachfolgend soll mit Bezug auf
1 bis3 und6 ein Verfahren zur Herstellung der oben beschriebenen organischen lichtemittierenden Diode(DLED)-Anzeigevorrichtung beschrieben werden. - Eine Polymerschicht
110a wird auf einer Glasplatte50 ausgebildet. Die Polymerschicht110a kann aus Polyimid, Polyacrylat, Polyethylenterephthalat, Polyethylennaphthalat, Polycarbonat, Polyarylat, Polyetherimid, Polyethersulfon, Triacetatsäurecellulose, Polyvinylidenchlorid, Polyvinylidenfluorid, einem Ethylen/Vinylalkohol-Copolymer oder einer Kombination derselben bestehen. Die Polymerschicht110a kann durch die Beschichtung der Glasplatte50 mit einer Polymerharzlösung hergestellt werden. - Anschließend wird die Polymerschicht
110a allmählich erhitzt, wobei bei einer Raumtemperatur begannen wird, und wobei das Erhitzen bei einer Temperatur über 350°C erfolgt. Das Erhitzen kann zum Beispiel bei einer Temperatur im Bereich von etwa 350°C bis etwa 500°C durchgeführt werden, so dass auf diese Weise ein Polymersubstrat110 ausgebildet wird. Dabei kann das Erhitzen bei einer gleichmäßigen Temperatur durchgeführt werden oder es kann durchgeführt werden, während die Temperatur im Verlauf der Zeit im oben genannten Temperaturbereich variiert. Zum Beispiel kann das Erhitzen etwa 1 Minute bis etwa fünf Stunden lang bei einer Temperatur von etwa 380°C durchgeführt werden, oder es kann durchgeführt werden, während die Temperatur etwa 1 Minute bis etwa 5 Stunden lang zwischen etwa 350°C, etwa 380°C, etwa 400°C und etwa 420°C variiert. - Anschließend wird eine Substratschutzschicht
111 auf dem erhitzten Polymersubstrat110 ausgebildet. Die Substratschutzschicht111 kann durch eine chemische Gasphasenabscheidung (CVD) oder durch Sputtern aufgebracht werden, oder sie kann durch ein Lösungsverfahren wie Spin-Coating aufgebracht werden. - Ein Leiter wird auf der Substratschutzschicht
111 abgeschieden und strukturiert, so dass die erste und zweite Steuerelektrode124a und124b ausgebildet werden. - Anschließend wird eine Gate-Isolierschicht
140 auf der ersten und zweiten Steuerelektrode124a und124b sowie auf der Substratschutzschicht111 ausgebildet. Die Gate-Isolierschicht140 kann aus einem Isoliermaterial auf der Basis von Silizium bestehen, wobei Tetraethylorthosilicat (TEOS) als Präkursor für das Isoliermaterial auf der Basis von Silizium verwendet werden kann. Im Vergleich zur Verwendung von Silan als Präkursor kann Tetraethylorthosilicat als Präkursor des Isoliermaterials auf der Basis von Silizium die Eigenschaften eines Dünnfilmtransistors und auch die Stabilität verbessern. - Tetraethylorthosilicat kann bei einer relativ hohen Temperatur über etwa 350°C abgeschieden werden. Gemäß einer Ausführungsform kann Tetraethylorthosilicat bei einer Temperatur im Bereich von etwa 350°C bis etwa 550°C abgeschieden werden. Das weiter oben beschriebene erhitzte Polymersubstrat
110 weist bei einer hohen Temperatur über etwa 350°C eine geringe Entgasungsmenge und eine geringe Wärmeausdehnungsrate auf. Dadurch kann Tetraethylorthosilicat, für das ein Hochtemperaturverfahren notwendig ist, als Quellengas der Gate-Isolierschicht enthalten sein. Auf diese Weise lässt sich verhindern, dass sich das Polymersubstrat verformt, während sich die Eigenschaften einer Vorrichtung durch Verwendung der Gate-Isolierschicht verbessern. Zudem lässt sich durch die Reduktion der Entgasungsmenge die Stabilität einer Vorrichtung gewährleisten. - Anschließend werden der erste und zweite Halbleiter
154a und154b und die ersten und zweiten ohmschen Kontakte163a ,165a ,163b und165b durch Abscheidung von amorphem Silizium oder von Polysilizium auf der Gate-Isolierschicht140 ausgebildet. Dann wird eine Schutzschicht180 aufgeschichtet und strukturiert, so dass eine Vielzahl von Kontaktlöchern183 ,184 und185 ausgebildet werden. Danach wird eine Pixelelektrode191 auf der Schutzschicht180 ausgebildet und Barriererippen361 werden auf der Pixelelektrode191 aufgeschichtet. Anschließend wird eine organische Emissionsschicht370 in der von den Barriererippen361 definierten Öffnung365 ausgebildet und wird eine gemeinsame Elektrode270 auf den Barriererippen361 und auf der organischen Emissionsschicht370 ausgebildet.
Claims (13)
- Polymersubstrat (
110 ) für eine Flachtafelazeigevorrichtung, das bei einer Temperatur im Bereich von 420°C bis 600°C einen Gewichtsverlust von unter 1%, bezogen auf ein Ausgangsgewicht, aufweist. - Polymersubstrat nach Anspruch 1, wobei der Gewichtsverlust in einem Bereich von 0,000001% bis 0,95%, bezogen auf das Ausgangsgewicht, liegt.
- Polymersubstrat nach Anspruch 1, wobei das Polymersubstrat einen Wärmeausdehnungskoeffizient im Bereich von 1 ppm/°C bis 50 ppm/°C aufweist.
- Verfahren zur Herstellung eines Polymersubstrats für eine Flachtafelanzeigevorrichtung, aufweisend: Herstellung einer Polymerschicht (
110a ) mittels eines Polymermaterials, das bei einer Temperatur im Bereich von 420°C bis 600°C einen Gewichtsverlust von unter 1%, bezogen auf ein Ausgangsgewicht, aufweist; und Erhitzen der Polymerschicht bei einer Temperatur über 350°C. - Verfahren nach Anspruch 4, wobei das Erhitzen der Polymerschicht bei einer Temperatur im Bereich von 350°C bis 500°C durchgeführt wird.
- Verfahren nach Anspruch 4, wobei die Polymerschicht einen Wärmeausdehnungskoeffizient im Bereich von 1 ppm/°C bis 50 ppm/°C aufweist.
- Verfahren nach Anspruch 4, weiterhin aufweisend die Ausbildung einer Substratschutzschicht (
111 ) auf der Polymerschicht nach dem Erhitzen der Polymerschicht. - Flachtafelanzeigevorrichtung, aufweisend: ein Polymersubstrat nach einem der Ansprüche 1 bis 3; und eine elektronische Vorrichtung, die auf dem Polymersubstrat angeordnet ist.
- Anzeigevorrichtung nach Anspruch 8, wobei die elektronische Vorrichtung einen Dünnfilmtransistor und/oder ein organisches lichtemittierendes Element aufweist.
- Anzeigevorrichtung nach Anspruch 9, wobei der Dünnfilmtransistor aufweist: eine Steuerelektrode; einen Halbleiter, der die Steuerelektrode überlappt; eine Gate-Isolierschicht, die zwischen der Steuerelektrode und dem Halbleiter angeordnet ist; und eine Eingangselektrode und eine Ausgangselektrode, die mit dem Halbleiter elektrisch verbunden sind, wobei die Gate-Isolierschicht (
140 ) Tetraethylorthosilicat (TEOS) aufweist. - Flachtafelanzeigevorrichtung, aufweisend: ein Polymersubstrat, das einen Wärmeausdehnungskoeffizient im Bereich von 1 ppm/°C bis 50 ppm/°C aufweist, einen Dünnfilmtransistor, der auf dem Polymersubstrat ausgebildet ist; und ein organisches lichtemittierendes Element, das mit dem Dünnfilmtransistor elektrisch verbunden ist.
- Flachtafelanzeigevorrichtung nach Anspruch 11, wobei der Dünnfilmtransistor aufweist: eine Steuerelektrode; einen Halbleiter, der die Steuerelektrode überlappt; eine Gate-Isolierschicht, die zwischen der Steuerelektrode und dem Halbleiter angeordnet ist; und eine Eingangselektrode und eine Ausgangselektrode, die mit dem Halbleiter elektrisch verbunden sind.
- Flachtafelnzeigevorrichtung nach Anspruch 12, wobei die Gate-Isolierschicht Tetraethylorthosilicat (TEOS) aufweist.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2010-0131166 | 2009-12-24 | ||
KR1020090131166A KR101125567B1 (ko) | 2009-12-24 | 2009-12-24 | 고분자 기판 및 그 제조 방법과 상기 고분자 기판을 포함하는 표시 장치 및 그 제조 방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102010063382A1 true DE102010063382A1 (de) | 2012-03-15 |
Family
ID=44186332
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102010063382A Withdrawn DE102010063382A1 (de) | 2009-12-24 | 2010-12-17 | Polymersubstrat und Verfahren zu dessen Ausbildung und Anzeigevorrichtung, die das Polymersubstrat aufweist |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20110156041A1 (de) |
JP (2) | JP2011132526A (de) |
KR (1) | KR101125567B1 (de) |
CN (1) | CN102136551B (de) |
DE (1) | DE102010063382A1 (de) |
TW (1) | TWI516532B (de) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20140097940A (ko) | 2013-01-30 | 2014-08-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 실리콘 산화물과 실리콘 질화물을 포함하는 배리어층을 구비한 tft기판, 상기 tft 기판을 포함하는 유기 발광 표시 장치 및 상기 tft 기판의 제조 방법 |
KR102074431B1 (ko) * | 2013-07-19 | 2020-03-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조방법, 이를 이용한 유기 발광 표시 장치 |
KR102557315B1 (ko) * | 2015-05-08 | 2023-07-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
Family Cites Families (61)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6361030A (ja) * | 1986-09-01 | 1988-03-17 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | ポリイミドフイルム及びその製造法 |
AU604254B2 (en) * | 1986-09-01 | 1990-12-13 | Kanegafuchi Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Polyimide film and its manufacturing method |
US5108819A (en) * | 1990-02-14 | 1992-04-28 | Eli Lilly And Company | Thin film electrical component |
JP2868167B2 (ja) * | 1991-08-05 | 1999-03-10 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション | 多重レベル高密度相互接続構造体及び高密度相互接続構造体 |
US5231751A (en) * | 1991-10-29 | 1993-08-03 | International Business Machines Corporation | Process for thin film interconnect |
US5322916A (en) * | 1993-03-16 | 1994-06-21 | The Dow Chemical Company | Method for the preparation of amide oligomers and polybenzazole polymers therefrom |
GB9521855D0 (en) * | 1995-10-25 | 1996-01-03 | Philips Electronics Nv | Manufacture of electronic devices comprising thin-film circuitry |
WO1998044544A1 (en) * | 1997-04-03 | 1998-10-08 | W.L. Gore & Associates, Inc. | Low dielectric constant material with improved dielectric strength |
KR100287176B1 (ko) * | 1998-06-25 | 2001-04-16 | 윤종용 | 고온산화를이용한반도체소자의커패시터형성방법 |
US20040229412A1 (en) * | 1999-05-10 | 2004-11-18 | Sigurd Wagner | Inverter made of complementary p and n channel transistors using a single directly-deposited microcrystalline silicon film |
JP2001196173A (ja) * | 2000-01-07 | 2001-07-19 | Tdk Corp | 有機el表示装置 |
JP4428491B2 (ja) * | 2000-02-28 | 2010-03-10 | 大日本印刷株式会社 | 電着用ポリイミド樹脂組成物、その製造方法、電着成形体及びその製造方法 |
US6825068B2 (en) * | 2000-04-18 | 2004-11-30 | E Ink Corporation | Process for fabricating thin film transistors |
KR20010105944A (ko) * | 2000-05-19 | 2001-11-29 | 윤종용 | 공기 베어링의 소음 감지 장치 |
US6627669B2 (en) * | 2000-06-06 | 2003-09-30 | Honeywell International Inc. | Low dielectric materials and methods of producing same |
JP2002050764A (ja) * | 2000-08-02 | 2002-02-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜トランジスタ、アレイ基板、液晶表示装置、有機el表示装置およびその製造方法 |
TWI313059B (de) * | 2000-12-08 | 2009-08-01 | Sony Corporatio | |
US6703324B2 (en) * | 2000-12-21 | 2004-03-09 | Intel Corporation | Mechanically reinforced highly porous low dielectric constant films |
JP2005228751A (ja) * | 2001-02-21 | 2005-08-25 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
RU2218365C2 (ru) * | 2001-07-27 | 2003-12-10 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л.Я.Карпова" | Пористая пленка из полипараксилилена и его замещенных, способ ее получения и полупроводниковый прибор с её использованием |
JP2003055487A (ja) * | 2001-08-10 | 2003-02-26 | Du Pont Toray Co Ltd | 芳香族ポリイミドフィルムの製造方法 |
JP2003128812A (ja) * | 2001-08-10 | 2003-05-08 | Du Pont Toray Co Ltd | 高精細fpc用ポリイミドフィルム |
US6962756B2 (en) * | 2001-11-02 | 2005-11-08 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Transparent electrically-conductive film and its use |
JP2003168690A (ja) * | 2001-11-30 | 2003-06-13 | Seiko Epson Corp | トランジスタ及びトランジスタの製造方法 |
JP2003174036A (ja) * | 2001-12-07 | 2003-06-20 | Seiko Epson Corp | 薄膜トランジスタの製造方法及び薄膜トランジスタ |
US20040108504A1 (en) * | 2002-11-20 | 2004-06-10 | Charles Forbes | Active matrix thin film transistor array backplane |
US7408196B2 (en) * | 2002-12-25 | 2008-08-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and display device |
US20060024442A1 (en) * | 2003-05-19 | 2006-02-02 | Ovshinsky Stanford R | Deposition methods for the formation of polycrystalline materials on mobile substrates |
JP4108633B2 (ja) * | 2003-06-20 | 2008-06-25 | シャープ株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子デバイス |
JP2005072264A (ja) * | 2003-08-25 | 2005-03-17 | Seiko Epson Corp | トランジスタの製造方法、トランジスタ、回路基板、電気光学装置及び電子機器 |
US8053171B2 (en) * | 2004-01-16 | 2011-11-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Substrate having film pattern and manufacturing method of the same, manufacturing method of semiconductor device, liquid crystal television, and EL television |
JP4907063B2 (ja) * | 2004-05-25 | 2012-03-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US7329439B2 (en) * | 2004-09-29 | 2008-02-12 | International Business Machines Corporation | UV-curable solvent free compositions and use thereof in ceramic chip defect repair |
US7316942B2 (en) * | 2005-02-14 | 2008-01-08 | Honeywell International, Inc. | Flexible active matrix display backplane and method |
US7557875B2 (en) * | 2005-03-22 | 2009-07-07 | Industrial Technology Research Institute | High performance flexible display with improved mechanical properties having electrically modulated material mixed with binder material in a ratio between 6:1 and 0.5:1 |
JP2006126855A (ja) * | 2005-11-15 | 2006-05-18 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
US7893474B2 (en) * | 2006-02-14 | 2011-02-22 | University Of Florida Research Foundation, Inc. | Method and apparatus for imaging utilizing an ultrasonic imaging sensor array |
JP2007281386A (ja) * | 2006-04-12 | 2007-10-25 | Hitachi Displays Ltd | 有機el表示装置及び有機薄膜デバイス |
KR20080061524A (ko) * | 2006-12-28 | 2008-07-03 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 유전체막 형성 방법 |
TWI306364B (en) * | 2006-12-29 | 2009-02-11 | Ind Tech Res Inst | Flexible display panel device |
US8241713B2 (en) * | 2007-02-21 | 2012-08-14 | 3M Innovative Properties Company | Moisture barrier coatings for organic light emitting diode devices |
EP2186848A1 (de) * | 2007-09-20 | 2010-05-19 | Ube Industries, Ltd. | Verfahren zur herstellung einer polyimidfolie und polyamidsäurelösungszusammensetzung |
US20090200553A1 (en) * | 2007-11-30 | 2009-08-13 | Applied Materials, Inc | High temperature thin film transistor on soda lime glass |
JP2009147232A (ja) * | 2007-12-17 | 2009-07-02 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置 |
JP2009200479A (ja) * | 2008-01-22 | 2009-09-03 | Dainippon Printing Co Ltd | 有機半導体素子の製造方法 |
WO2009104371A1 (ja) * | 2008-02-20 | 2009-08-27 | シャープ株式会社 | フレキシブル半導体基板の製造方法 |
US8796411B2 (en) * | 2008-02-25 | 2014-08-05 | Hitachi Chemical Dupont Microsystems, Ltd. | Polyimide precursor composition, polyimide film, and transparent flexible film |
JP5012612B2 (ja) * | 2008-03-26 | 2012-08-29 | 日本電気株式会社 | 半導体デバイスの実装構造体及び実装構造体を用いた電子機器 |
JP5401831B2 (ja) * | 2008-04-15 | 2014-01-29 | 株式会社リコー | 表示装置 |
KR101458901B1 (ko) * | 2008-04-29 | 2014-11-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 가요성 표시 장치의 제조 방법 |
WO2009142248A1 (ja) * | 2008-05-20 | 2009-11-26 | 宇部興産株式会社 | 芳香族ポリイミドフィルム、積層体および太陽電池 |
JP5346078B2 (ja) * | 2008-05-20 | 2013-11-20 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | 熱および寸法安定性ポリイミドフィルム、ならびに、これに関する方法 |
US20090297868A1 (en) * | 2008-05-27 | 2009-12-03 | Toppan Printing Co., Ltd. | Method for Forming Self-Assembled Monolayer Film, and Structural Body and Field-Effect Transistor Having Same |
JP5239551B2 (ja) * | 2008-06-26 | 2013-07-17 | 富士通株式会社 | 光変調素子の製造方法 |
JP2010032768A (ja) * | 2008-07-29 | 2010-02-12 | Hitachi Displays Ltd | 表示装置およびその製造方法 |
TWI354854B (en) * | 2008-09-15 | 2011-12-21 | Ind Tech Res Inst | Substrate structures applied in flexible electrica |
JP5147794B2 (ja) * | 2009-08-04 | 2013-02-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置の作製方法及び電子書籍の作製方法 |
US20110220179A1 (en) * | 2009-09-17 | 2011-09-15 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Assemblies comprising a thermally and dimensionally stable polyimide film, an electrode and an absorber layer, and methods relating thereto |
US8319299B2 (en) * | 2009-11-20 | 2012-11-27 | Auman Brian C | Thin film transistor compositions, and methods relating thereto |
CN102668108A (zh) * | 2009-11-20 | 2012-09-12 | E.I.内穆尔杜邦公司 | 包含聚酰亚胺膜和电极的组合件以及与它们相关的方法 |
KR101728486B1 (ko) * | 2010-03-31 | 2017-04-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터, 그 제조 방법 및 이를 포함하는 플렉시블 디스플레이 장치 |
-
2009
- 2009-12-24 KR KR1020090131166A patent/KR101125567B1/ko active IP Right Grant
-
2010
- 2010-11-29 JP JP2010265300A patent/JP2011132526A/ja active Pending
- 2010-12-01 CN CN201010578319.4A patent/CN102136551B/zh active Active
- 2010-12-14 TW TW099143845A patent/TWI516532B/zh active
- 2010-12-15 US US12/968,688 patent/US20110156041A1/en not_active Abandoned
- 2010-12-17 DE DE102010063382A patent/DE102010063382A1/de not_active Withdrawn
-
2014
- 2014-05-07 JP JP2014096143A patent/JP5778824B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20110156041A1 (en) | 2011-06-30 |
TWI516532B (zh) | 2016-01-11 |
TW201144365A (en) | 2011-12-16 |
KR101125567B1 (ko) | 2012-03-22 |
CN102136551B (zh) | 2015-05-06 |
JP2014196495A (ja) | 2014-10-16 |
CN102136551A (zh) | 2011-07-27 |
JP5778824B2 (ja) | 2015-09-16 |
KR20110074254A (ko) | 2011-06-30 |
JP2011132526A (ja) | 2011-07-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE112015005620B4 (de) | Dünnschichttransistorarraysubstrat | |
DE102011053665B4 (de) | Anzeigevorrichtung mit organischen lichtemittierenden Dioden und Herstellungsverfahren für dieselbe | |
DE102006055329B4 (de) | Dünnfilmtransistor, Verfahren zu dessen Herstellung und Anzeigevorrichtung | |
DE69831243T2 (de) | Herstellungsverfahren einer Licht emittierenden Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix | |
DE102017118122B4 (de) | Anordnungssubstrat und Herstellungsverfahren hierfür, sowie Anzeigetafel | |
DE102015116281B4 (de) | Niedertemperatur-Polysilizium-Anordnungssubstrat und Bildungsverfahren hierfür | |
DE102006056689B4 (de) | Dünnschichttransistor umfassend Sol-Gel-Verbindungen, Herstellungsverfahren eines solchen Dünnschichttransistors und Anzeigevorrichtung | |
DE102014205131B4 (de) | Substrat für ein TFT-Array, Herstellungsverfahren davon und Bildschirm | |
DE112012006888B4 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Flüssigkristallanzeige-Panels | |
CN101310371A (zh) | 半导体器件及其制造方法 | |
DE102004021157A1 (de) | Dünnschichttransistor-Arraysubstrat und Verfahren zum Herstellen desselben | |
DE102010002422A1 (de) | Organische lichtemittierende Diodenanzeige | |
DE102004041371A1 (de) | Aktiv-Matrix-Display auf der Basis organischer Leuchtdioden mit erhöhtem Füllfaktor | |
DE10361006A1 (de) | Organische Doppeltafel-Elektrolumineszenz-Vorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung | |
WO2010009716A2 (de) | Strahlungsemittierende vorrichtung und verfahren zur herstellung einer strahlungsemittierenden vorrichtung | |
DE112006001307T5 (de) | Elektrolumineszierende Vorrichtung | |
US20170351154A1 (en) | Display substrate, display apparatus having the same, and fabricating method thereof | |
WO2012163569A1 (de) | Optoelektronisches bauelement und verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelements | |
DE4428195C1 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Siliziumkondensators | |
DE112017004423T5 (de) | Aktivmatrixsubstrat und Verfahren zu dessen Herstellung | |
DE102010063382A1 (de) | Polymersubstrat und Verfahren zu dessen Ausbildung und Anzeigevorrichtung, die das Polymersubstrat aufweist | |
DE102007060761A1 (de) | Dünnfilmtransistor für eine Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung | |
DE102006028999B4 (de) | Flachtafeldisplay und Verfahren zu dessen Herstellung | |
DE112009002522T5 (de) | Anzeigetreibereinheiten | |
DE102006027212A1 (de) | Verfahren zum Herstellen eines Dünnschichttransistors, der eine organische Halbleiterschicht aufweist, und eines Substrats, das dasselbe aufweist |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R082 | Change of representative |
Representative=s name: GULDE HENGELHAUPT ZIEBIG & SCHNEIDER, DE |
|
R081 | Change of applicant/patentee |
Owner name: SAMSUNG DISPLAY CO., LTD., YONGIN-CITY, KR Free format text: FORMER OWNER: SAMSUNG MOBILE DISPLAY CO., LTD., YONGIN, KYONGGI, KR Effective date: 20121026 Owner name: SAMSUNG DISPLAY CO., LTD., KR Free format text: FORMER OWNER: SAMSUNG MOBILE DISPLAY CO., LTD., YONGIN, KR Effective date: 20121026 |
|
R082 | Change of representative |
Representative=s name: GULDE & PARTNER PATENT- UND RECHTSANWALTSKANZL, DE Effective date: 20121026 Representative=s name: GULDE HENGELHAUPT ZIEBIG & SCHNEIDER, DE Effective date: 20121026 |
|
R016 | Response to examination communication | ||
R079 | Amendment of ipc main class |
Free format text: PREVIOUS MAIN CLASS: C08G0083000000 Ipc: H01L0051520000 |
|
R079 | Amendment of ipc main class |
Free format text: PREVIOUS MAIN CLASS: C08G0083000000 Ipc: H01L0051520000 Effective date: 20150123 |
|
R119 | Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee |