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HINTERGRUND DER ERFINDUNG
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1. Gebiet der Erfindung
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Die
vorliegende Erfindung betrifft eine Leiterplatte, genauer eine Leiterplatte,
welche ein Mischsignalproblem zwischen einer analogen Schaltung
und einer digitalen Schaltung lösen
kann.
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2. Stand der Technik
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Verschiedene
Geräte,
wie beispielsweise mobile Kommunikationsendgeräte, Personal Digital Assistants
(PDA; persönlicher,
digitaler Assistent), Laptop-Computer und Digital-Multimedia-Broadcasting-Vorrichtungen
(DMB-Vorrichtungen)
wurden auf den Markt gebracht, um dem heutigen Trend zu entsprechen,
dass Mobilität
als eines der wichtigsten Themen gilt.
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Solche
Geräte
enthalten eine Leiterplatte, welche vorgesehen ist, um analoge Schaltungen
(z. B. Radiofrequenzschaltungen (RF-Schaltungen)) und digitale Schaltungen
zur drahtlosen Übertragung
zu verbinden.
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1 ist
eine Schnittansicht, welche eine Leiterplatte zeigt, welche eine
analoge und eine digitale Schaltung enthält. Zwar wird eine 4-schichtige
Leiterplatte veranschaulicht, aber verschiedene Leiterplatte, wie beispielsweise
2- oder 6-schichtige Leiterplatten, können angewendet werden. Hier
wird angenommen, dass die analoge Schaltung eine RF-Schaltung ist.
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Die
Leiterplatte 100 enthält
Metallschichten 110-1, 110-2, 110-3 und 110-4 (welche
nachstehend kollektiv als 110 bezeichnet werden), dielektrische
Schichten 120-1, 120-2 und 120-3 (welche
nachstehend kollektiv als 120 bezeichnet werden), welche
zwischen den Metallschichten 110 geschichtet sind, eine
digitale Schaltung 130, welche auf der obersten Metallschicht 110-1 montiert
ist, und eine RF-Schaltung 140.
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Wenn
angenommen wird, dass die durch die Bezugsnummer 110-2 dargestellte
Metallschicht eine Erdungsschicht ist und die durch die Bezugsnummer 110-3 dargestellte
Schicht eine Leistungsschicht ist, geht Strom durch eine Durchkontaktierung 160,
welche zwischen der Erdungsschicht 110-2 und der Leistungsschicht 110-3 angeschlossen
ist, und die Leiterplatte 100 führt eine vorbestimmte Operation
oder Funktion durch.
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Hier
werden eine Betriebsfrequenz der digitalen Schaltung 130 und
eine elektromagnetische Welle (EM-Welle) 150 durch Oberwellenkomponenten
zur RF-Schaltung 140 übertragen,
um dadurch ein Problem von Mischsignalen zu erzeugen. Das Mischsignalproblem
wird aufgrund der EM-Welle erzeugt, welche eine Frequenz innerhalb
des Frequenzbandes, in welchem die RF-Schaltung 140 betätigt wird,
in der digitalen Schaltung 130 aufweist. Dieses Problem
führt zum
Blockieren der akkuraten Betätigung
der RF-Schaltung 140. Wenn die RF-Schaltung 140 beispielsweise
ein Signal enthält,
welches in einem bestimmten Frequenzband liegt, kann das Übertragen
der EM-Welle 150, welche die in dem bestimmten Frequenzband
liegenden Signale enthält,
von der digitalen Schaltung das akkurate Empfangen des Signals erschweren,
welches in dem bestimmten Frequenzband liegt.
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Das
Lösen des
Mischsignalproblems wird aufgrund der erhöhten Komplexität elektronischer
Geräte und
der höheren
Betriebsfrequenz der digitalen Schaltung 130 schwieriger.
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Das
Entkopplungskondensatorverfahren, welches eine typische Lösung für Leistungsrauschen
ist, ist bei hohen Frequenzen nicht adäquat. Folglich ist es notwendig,
das Rauschen der hohen Frequenzen zwischen der RF-Schaltung 140 und
der digitalen Schaltung 130 abzufangen oder zu verringern.
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2 ist
eine Schnittansicht, welche eine elektromagnetische Bandabstandstruktur,
welche ein Problem mit Mischsignalen zwischen einer analogen Schaltung
und digitalen Schaltung löst,
nach einer herkömmlichen
Technik zeigt, und 3 ist eine Draufsicht, welche
eine Metallplattenkonfiguration der in 2 gezeigten,
elektromagnetischen Bandabstandstruktur zeigt. 4 ist
eine Perspektivansicht, welche die in 2 gezeigte,
elektromagnetische Bandabstandstruktur zeigt, und 5 ist
eine schematische Ansicht, welche eine äquivalente Schaltung der in 2 gezeigten,
elektromagnetischen Bandabstandstruktur zeigt.
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Die
elektromagnetische Bandabstandstruktur 200 enthält eine
erste Metallschicht 210-1, eine zweite Metallschicht 210-2,
eine erste dielektrische Schicht 220a, eine zweite dielektrische
Schicht 220b, eine Metallplatte 232 und eine Durchkontaktierung 234.
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Die
erste Metallschicht 210-1 und Metallplatte 232 sind
durch die Durchkontaktierung 234 miteinander verbunden.
Eine pilzartige Struktur 230 ist ausgebildet, um die Metallplatte 232 und
die Durchkontaktierung 234 zu enthalten (siehe 4).
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Wenn
die erste Metallschicht 210-1 eine Erdungsschicht ist,
ist die zweite Metallschicht 210-2 eine Leistungsschicht,
und wenn die erste Metallschicht 210-1 eine Leistungsschicht
ist, ist die zweite Metallschicht 210-2 eine Erdungsschicht.
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Mit
anderen Worten führt
die wiederholte Bildung der pilzartigen Struktur 230 (nehmen
Sie Bezug auf 3) zu einer Bandabstandstruktur,
welche verhindert, dass ein Signal mit einem bestimmten Frequenzband penetriert
wird. Zu dieser Zeit werden die pilzartigen Strukturen 230,
welche die Metallplatten 232 und Durchkontaktierungen 234 enthalten,
wiederholt zwischen der Erdungsschicht und Leistungsschicht ausgebildet.
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Die
Funktion zum Verhindern, dass ein Signal mit einem bestimmten Frequenzband
penetriert wird, welche auf dem Widerstand RE und
RF, der Induktivität LE und
LP, Kapazität CE,
CP und CG und Leitfähigkeit
GP und GE basiert,
wird an die äquivalente
Schaltung angeglichen, welche in 5 gezeigt
wird.
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Ein
mobiles Kommunikationsendgerät
ist ein gutes Beispiel für
ein elektronisches Gerät,
welches die Platine einsetzt, welche zusammen mit der digitalen
Schaltung und der RF-Schaltung umgesetzt wird. Im Falle des mobilen
Kommunikationsendgerätes
erfordert das Lösen
des Problems mit Mischsignalen die Rauschabschirmung eines Betriebsfrequenzbandes
der RF-Schaltung
zwischen 0,8 und 2,0 GHz. Die pilzartige Struktur in einer kleinen
Größe wird
auch erfordert. Die vorangehende, elektromagnetische Bandabstandstruktur
kann jedoch die zum Lösen
des Mischsignalproblems erforderten zwei Bedingungen nicht erfüllen.
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Da
die Bandabstandsfrequenz einer Rauschabschirmung höher wird
während
die pilzartige Struktur kleiner wird, ist das mobile Kommunikationsendgerät zwischen
0,8 und 2,0 GHz eines Betriebsfrequenzbandes der RF-Schaltung nicht
effektiv.
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ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
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Folglich
liefert die vorliegende Erfindung eine elektromagnetische Bandabstandstruktur
und eine Leiterplatte, welche eine kleine Größe und niedrige Bandabstandsfrequenz
aufweisen.
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Die
vorliegende Erfindung liefert auch eine elektromagnetische Bandabstandstruktur
und eine Leiterplatte, welche ein Problem mit Mischsignalen in einem
elektronischen Gerät
(z. B. ein mobiles Kommunikationsendgerät) lösen, welches die Platine mit
der digitalen Schaltung und der RF-Schaltung, welche in derselben
zusammen umgesetzt sind, einsetzt.
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Die
vorliegende Erfindung liefert auch eine elektromagnetische Bandabstandstruktur
und eine Leiterplatte, welche die Übertragung eines Rauschens
einer bestimmten Frequenz verhindern.
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Die
vorliegende Erfindung liefert auch eine elektromagnetische Bandabstandstruktur
und eine Leiterplatte, welche in einem kleinen Raum eine ausreichende
Induktivität
aufweisen können,
indem sie eine Vielzahl an Durchkontaktierungen in der elektromagnetischen
Bandabstandstruktur aufweisen und einen Bereich jeder Durchkontaktierung
isolieren.
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Ein
Aspekt der vorliegenden Erfindung weist eine elektromagnetische
Bandabstandstruktur auf, welche die Übertragung eines Signals einer
bestimmten Frequenz verhindert.
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Die
elektromagnetische Bandabstandstruktur nach einer Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung kann mit einer ersten Metallschicht,
einer ersten dielektrischen Schicht, einer Metallplatte, einer zweiten
dielektrischen Schicht und einer zweiten Metallschicht geschichtet
sein. Die elektromagnetische Bandabstandstruktur kann eine ungerade
Anzahl an Durchkontaktierungen enthalten, welche durch eine Metallleitung
zwischen der ersten Metallschicht und Metallplatte in Reihe geschaltet
sind.
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Die
ungerade Anzahl an Durchkontaktierungen kann sich auf einer Ebene
befinden oder alle der ungeraden Anzahl an Durchkontaktierungen,
außer
zumindest einer, können
sich auf einer Ebene befinden.
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Die
Metallleitung kann in Form einer geraden Linie sein, welche alle
Durchkontaktierungen verbindet, oder die Form einer geraden Linie
oder Kurve aufweisen, welche einmal oder mehrmals in einem Winkel
gebogen ist und alle Durchkontaktierungen verbindet.
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Es
kann eine Vielzahl an pilzartigen Strukturen geben, welche jeweils
die Metallplatte und die ungerade Anzahl an Durchkontaktierungen
zwischen der ersten und zweiten Metallschicht enthalten. Die Metallplatten
der Vielzahl an pilzartigen Strukturen können auf einer gleichen ebenen
Oberfläche
platziert sein.
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Ein
anderer Aspekt der vorliegenden Erfindung weist eine Leiterplatte
auf, welche eine analoge Schaltung und eine digitale Schaltung enthält und folglich
verhindern kann, dass eine digitale Schaltung ein Signal eines bestimmten
Frequenzbandes einer analogen Schaltung überträgt.
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Die
Leiterplatte nach einer Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung kann mit einer elektromagnetischen Bandabstandstruktur,
in welcher eine erste Metallschicht, eine erste dielektrische Schicht,
eine Metallplatte, eine zweite dielektrische Schicht und eine zweite
Metallschicht geschichtet sind, zwischen der analogen Schaltung
und der digitalen Schaltung angeordnet sein und eine ungerade Anzahl
an Durchkontaktierungen kann durch eine Metallleitung zwischen der
ersten Metallschicht und der Metallplatte in Reihe geschaltet sein.
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Hier
kann die erste Metallschicht eine Erdungsschicht oder Leistungsschicht
sein und die zweite Metallschicht die Andere sein.
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Auch
kann analoge Schaltung eine RF-Schaltung sein, welche eine Antenne
enthält,
welche ein drahtloses Signal von außen empfängt.
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Auch
kann sich die ungerade Anzahl an Durchkontaktierungen auf einer
Ebene befinden und sich alle der ungeraden Anzahl an Durchkontaktierungen,
außer
einer, auf einer Ebene befinden.
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Auch
kann die Metallleitung eine Form einer geraden Linien oder Kurve
aufweisen, welche in einem Winkel gebogen ist, um alle Durchkontaktierungen
miteinander zu verbinden.
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Zudem
kann es zwischen der ersten Metallschicht und zweiten Metallschicht
eine Vielzahl an pilzartigen Strukturen geben, welche jeweils die
Metallplatte und ungerade Anzahl an Durchkontaktierungen enthalten.
Hier können
die Metallplatten der Vielzahl an pilzartigen Strukturen auf einer
gleichen ebenen Oberfläche platziert
sein.
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KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
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Diese
und andere Merkmale, Aspekte und Vorteile der vorliegenden Erfindung
werden in Bezug auf die folgende Beschreibung, die beiliegenden
Ansprüche
und beigefügten
Zeichnungen besser verständlich werden,
in welchen:
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1 eine
Schnittansicht ist, welche eine Leiterplatte zeigt, welche eine
analoge und eine digitale Schaltung enthält;
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2 eine
Schnittansicht ist, welche eine elektromagnetische Bandabstandstruktur,
die ein Problem mit Mischsignalen zwischen einer analogen Schaltung
und einer digitalen Schaltung löst,
nach einer herkömmlichen
Technik zeigt;
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3 eine
Draufsicht ist, welche eine Metallplattenkonfiguration der in 2 gezeigten,
elektromagnetischen Bandabstandstruktur zeigt;
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4 eine
Perspektivansicht ist, welche die in 2 gezeigte,
elektromagnetische Bandabstandstruktur zeigt;
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5 eine
schematische Ansicht ist, welche eine äquivalente Schaltung der elektromagnetischen Bandabstandstruktur
zeigt, welche in 2 gezeigt wird;
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6 eine
Perspektivansicht ist, welche eine elektromagnetische Bandabstandstruktur
zeigt, welche ein Mischsignalproblem zwischen einer analogen Schaltung
und einer digitalen Schaltung löst;
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7 eine
Draufsicht ist, welche eine Anordnungskonfiguration der in 6 gezeigten,
elektromagnetischen Bandabstandstruktur zeigt;
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8 eine
Draufsicht der in 6 gezeigten, elektromagnetischen
Bandabstandstruktur ist;
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9 ein
Diagramm ist, welches das Simulationsergebnis des Verwendens der
elektromagnetischen Bandabstandstruktur der vorliegenden Erfindung
und der elektromagnetischen Bandabstandstruktur der verwandten Technik
zeigt;
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10 eine
Perspektivansicht ist, welche eine elektromagnetische Bandabstandstruktur
nach einer anderen Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung zeigt, welche ein Mischsignalproblem
zwischen einer analogen Schaltung und digitalen Schaltung löst;
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11 eine
Draufsicht ist, welche eine Anordnungsstruktur der elektromagnetischen
Bandabstandstruktur zeigt;
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12a eine Draufsicht ist, welche in der ersten
Metallschicht der elektromagnetischen Bandabstandstruktur gezeigt
ist, welche in 10 veranschaulicht ist;
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12b eine Draufsicht ist, welche in der Metallplatte
der elektromagnetischen Bandabstandstruktur gezeigt ist, welche
in 10 veranschaulicht ist;
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13 eine
Perspektivansicht ist, welche eine elektromagnetische Bandabstandstruktur
nach einer anderen Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung zeigt, welche ein Mischsignalproblem
zwischen einer analogen Schaltung und digitalen Schaltung löst;
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14 eine
Draufsicht ist, welche eine Anordnungsstruktur der elektromagnetischen
Bandabstandstruktur zeigt, welche in 13 veranschaulicht
ist;
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15a eine Draufsicht ist, welche in der ersten
Metallschicht der elektromagnetischen Bandabstandstruktur gezeigt
ist, welche in 13 veranschaulicht ist;
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15b eine Draufsicht ist, welche in der Metallplatte
der elektromagnetischen Bandabstandstruktur gezeigt ist, welche
in 13 veranschaulicht ist;
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16 eine
Perspektivansicht ist, welche eine elektromagnetische Bandabstandstruktur
nach einer anderen Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung zeigt, welche ein Mischsignalproblem
zwischen einer analogen Schaltung und digitalen Schaltung löst;
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17 eine
Draufsicht ist, welche eine Anordnungsstruktur der in 16 veranschaulichten,
elektromagnetischen Bandabstandstruktur zeigt;
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18a eine Draufsicht ist, welche in der ersten
Metallschicht der in 16 veranschaulichten, elektromagnetischen
Bandabstandstruktur gezeigt wird;
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18b eine Draufsicht ist, welche in der Metallplatte
der in 16 veranschaulichten, Bandabstandstruktur
gezeigt ist; und
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19 ein
Diagramm ist, welches das Simulationsergebnis des Verwendens der
elektromagnetischen Bandabstandstruktur der verwandten Technik,
der elektromagnetischen Bandabstandstruktur einer Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung und der elektromagnetischen Bandabstandstruktur
einer anderen Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung zeigt.
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BESCHREIBUNG DER AUSFÜHRUNGSFORMEN
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Da
es eine Vielzahl an Permutationen und Ausführungsformen der vorliegenden
Erfindung geben kann, werden bestimmte Ausführungsformen in Bezug auf die
beiliegenden Zeichnungen veranschaulicht und beschrieben werden.
Dies beschränkt
die vorliegende Erfindung jedoch keineswegs auf bestimmte Ausführungsformen
und ist auszulegen, alle Permutationen, Äquivalente und Ersetzungen
zu enthalten, welche durch das Wesen und den Bereich der vorliegenden
Erfindung gedeckt sind. überall
in den Zeichnungen wurden ähnlichen
Elementen ähnliche
Bezugsnummern gegeben. überall
in der Beschreibung der vorliegenden Erfindung wird, wenn bestimmt
wird, dass das Beschreiben einer bestimmten Technologie den Punkt
der vorliegenden Erfindung umgeht, die sachbezogene, detaillierte
Beschreibung ausgelassen werden.
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Ausdrücke, wie
beispielsweise „erste/-r/-s" und „zweite/-r/-s" können beim
Beschreiben verschiedener Elemente verwendet werden, aber die obigen
Elemente sind nicht auf die obigen Ausdrücke beschränkt. Die obigen Ausdrücke werden
nur zum Unterscheiden eines Elementes vom Anderen verwendet. Beispielsweise kann
das erste Element mit zweites Element bezeichnet werden, und umgekehrt,
ohne vom Bereich der Ansprüche
der vorliegenden Erfindung abzuweichen. Der Ausdruck „und/oder" enthält die Kombination
einer Vielzahl an aufgelisteten Gegenständen oder einen der Vielzahl
an aufgelisteten Gegenständen.
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Die
in der Beschreibung verwendeten Ausdrücke sollen nur bestimmte Ausführungsformen
beschreiben und beschränken
keineswegs die vorliegende Erfindung. Wenn nicht deutlich anders
verwendet, enthalten Ausdrücke
im Singular eine pluralische Bedeutung. In der vorliegenden Erfindung
soll ein Ausdruck, wie beispielsweise „aufweisend bzw. mit" oder „bestehend
aus", ein Charakteristikum,
eine Anzahl, einen Schritt, eine Betätigung, ein Element, ein Teil
oder Kombinationen derselben bezeichnen und ist keineswegs auszulegen, ein
Vorhandensein oder eine Möglichkeit
eines oder mehrerer anderer Charakteristiken, Anzahlen, Schritte, Betätigungen,
Elemente, Teile oder Kombinationen derselben auszuschließen.
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Wenn
nicht anders definiert, haben alle hierin verwendeten Ausdrücke, welche
technische und wissenschaftliche Ausdrücke enthalten, die gleiche
Bedeutung wie sie allgemein durch Fachmänner verstanden werden, die
die Erfindung betrifft. Jeder Ausdruck, der in einem allgemeinen
Wörterbuch
definiert ist, ist auszulegen, die gleiche Bedeutung im Kontext
der relevanten Technik zu haben, und, solange nicht ausdrücklich anders
definiert, ist nicht zu interpretieren, eine idealistische oder übermäßig formalistische
Bedeutung zu haben.
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Nachstehend
werden einige Ausführungsformen
der vorliegenden Erfindung in Bezug auf die beiliegenden Zeichnungen
detailliert beschrieben werden.
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6 ist
eine Perspektivansicht, welche eine elektromagnetische Bandabstandstruktur
zeigt, welche ein Mischsignalproblem zwischen einer analogen Schaltung
und digitalen Schaltung löst,
und 7 ist eine Draufsicht, welche eine Anordnungskonfiguration
der in 6 gezeigten, elektromagnetischen Bandabstandstruktur
zeigt. 8 ist eine Draufsicht der in 6 gezeigten,
elektromagnetischen Bandabstandstruktur.
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Die
elektromagnetische Bandabstandstruktur 300 enthält eine
erste Metallschicht 310-1, eine zweite Metallschicht 310-2,
eine erste dielektrische Schicht 320a, eine zweite dielektrische
Schicht 320b, eine Metallplatte 332 und drei Durchkontaktierungen 334-1, 334-2, 334-3 nach
einer Ausführungsform.
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Ein
Ende einer ersten Durchkontaktierung 334-1 ist mit der
ersten Metallschicht 310-1 und das andere Ende mit einem
ersten Kontaktfleck bzw. Lötauge 350-1 der
Durchkontaktierung verbunden, welcher/welches auf einer gleichen
ebenen Oberfläche
gebildet ist, welche sich mit der Metallplatte 332 auf
einer gleichen Schicht befindet. Ein Ende einer zweiten Durchkontaktierung 334-2 ist
mit dem zweiten Lötauge 350-2 der Durchkontaktierung
verbunden, welches auf einer gleichen ebenen Oberfläche gebildet
ist, welche sich mit der Metallplatte 332 auf einer gleichen
Schicht befindet, und das andere Ende ist mit einem dritten Lötauge 350-3 der
Durchkontaktierung verbunden, welches auf einer gleichen ebenen
Oberfläche
gebildet ist, welche sich mit der ersten Metallschicht 310-1 auf
der gleichen Schicht befindet. Ein Ende einer dritten Durchkontaktierung 334-3 ist
mit der Metallplatte 332 verbunden und das andere Ende
ist mit einem vierten Lötauge 350-4 der Durchkontaktierung
verbunden, welches auf einer gleichen ebenen Oberfläche gebildet
ist, welche sich mit der ersten Metallschicht 310-1 auf
einer gleichen Schicht befindet.
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Das
erste Lötauge 350-1 der
Durchkontaktierung und zweite Lötauge 350-2 der
Durchkontaktierung befinden sich mit der Metallplatte 332 auf
einer gleichen ebenen Oberfläche
und sind durch die erste Metallleitung 340-1 verbunden,
und das erste Lötauge 350-1 der
Durchkontaktierung, das zweite Lötauge 350-2 der Durchkontaktierung
und die erste Metallleitung 340-1 sind in einer Öffnung untergebracht,
welche auf der Metallplatte 332 gebildet ist. Das dritte
Durchkontaktierungslötauge 350-3 und
vierte Durchkontaktierungslötauge 350-4 sind
mit der ersten Metallschicht 310-1 auf einer gleichen ebenen
Oberfläche
platziert und durch die zweite Metallleitung 340-2 verbunden
und das dritte Durchkontaktierungslötauge 350-3, das vierte
Durchkontaktierungslötauge 350-4 und
die zweite Metallleitung 340-2 sind in einer Öffnung untergebracht,
welche auf der ersten Metallschicht 310-1 gebildet ist.
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Eine Öffnung,
welche das erste Durchkontaktierungslötauge 350-1, das zweite
Durchkontaktierungslötauge 350-2 und
die erste Metallleitung 340-1 unterbringen kann, ist auf
der Metallplatte 332 gebildet und eine Innenwand der Öffnung ist
von einer Seitenwand der Kante des ersten Durchkontaktierungslötauges 350-1,
des zweiten Durchkontaktierungslötauges 350-2 und
der ersten Metallleitung 340-1 getrennt und folglich nicht
mit derselben verbunden.
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Eine Öffnung,
welche das dritte Durchkontaktierungslötauge 350-3, das vierte
Durchkontaktierungslötauge 350-4 und
die zweite Metallleitung 340-2 unterbringen kann, ist auf
der ersten Metallschicht 310-1 gebildet und eine Innenwand
der Öffnung
ist von einer Seitenwand der Kante des dritten Durchkontaktierungslötauges 350-3,
des vierten Durchkontaktierungslötauges 350-4 und
der zweiten Metallleitung 340-2 getrennt und folglich nicht
mit derselben verbunden.
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Zwischen
der ersten Metallschicht 310-1 und der Metallplatte 332 kann
die erste dielektrische Schicht 320a gebildet sein. Zwischen
der Metallplatte 332 und der zweiten Metallschicht 310-2 kann
die zweite dielektrische Schicht 320b gebildet sein. Die
dielektrische Schicht 320 kann in die erste dielektrische
Schicht 320a und zweite dielektrische Schicht 320b gemäß der Bildungszeit
derselben abgegrenzt bzw. eingeteilt werden.
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Die
erste Metallschicht 310-1, die zweite Metallschicht 310-2,
die Metallplatte 332, das erste bis vierte Durchkontaktierungslötauge 350-1 bis 350-4 und
die erste und zweite Metallleitung 340-1 und 340-2 bestehen aus
einem Metallmaterial (beispielsweise CU), durch welches ein Signal
durch Anlegen von Leistung übertragen
werden kann.
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Hier
können
die erste dielektrische Schicht 220a und zweite dielektrische
Schicht 220b aus dem gleichen Dielektrikum bestehen, aber
alternativ kann jede der dielektrischen Schichten 220a und 220b aus
Materialien mit unterschiedlichen Dielektrizitätskonstanten bestehen.
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Wenn
die erste Metallschicht 210-1 eine Erdungsschicht ist,
kann die zweite Metallschicht 210-2 eine Leistungsschicht
sein. Wenn die erste Metallschicht 210-1 eine Leistungsschicht
ist, kann die zweite Metallschicht 210-2 eine Erdungsschicht
sein. Mit anderen Worten können
die erste Metallschicht 210-1 und zweite Metallschicht 210-2 eine
Erdungsschicht und Leistungsschicht sein, welche nahe beieinander
platziert sind, und die dielektrische Schicht 220 zwischen
der Erdungsschicht und Leistungsschicht platziert werden.
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Die
Metallplatte 332 ist als Quadrat veranschaulicht, aber
kann in einer Vielzahl an Formen bestehen, wie beispielsweise ein
Polygon, ein Kreis eine Ellipse usw.
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Eine
Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung weist eine elektrische Reihenschaltung
in der Folgenden Reihenfolge auf: erste Metallschicht 310-1 → erste Durchkontaktierung 334-1 erstes
Durchkontaktierungslötauge 350-1 erste
Metallleitung 340-1 → zweites
Durchkontaktierungslötauge 350-2 → zweite
Durchkontaktierung 334-2 → drittes Durchkontaktierungslötauge 350-3 → zweite
Metallleitung 340-2 viertes Durchkontaktierungslötauge 350-4 → dritte
Durchkontaktierung 334-3 → Metallplatte 332.
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In
diesem Fall wird die Kapazität
(CE) zwischen der Metallplatte 332 und der zweiten Metallschicht 310-2 vernachlässigbar
winzig und die Induktivität
(LE), welche zwischen der ersten Metallschicht 310-1 und der
Metallplatte 332 in Reihe geschaltet ist, kann selbst in
einem kleinen Raum ausreichend sein. Daher ist es möglich die
Bandabstandsfrequenz zu senken während
die Größe der elektromagnetischen
Bandabstandstruktur 300 verkleinert wird.
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Das
Verfahren zum Bilden der elektromagnetischen Bandabstandstruktur
ist wie folgt.
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Nach
dem Schichten der ersten Metallschicht 310-1, wird ein
Verfahren zum Patterning bzw. zur Bemusterung durchgeführt, welches
das dritte Durchkontaktierungslötauge 350-3,
das vierte Durchkontaktierungslötauge 350-4 und
die zweite Metallleitung 340-2 in einer Öffnung unterbringt.
Das Bemusterungsverfahren verwendet das allgemein bekannte Verfahren
zum Maskieren, Belichten, Ätzen,
Entwickeln usw., welche im Allgemeinen verwendet werden, wenn ein
Schaltungsmuster gebildet wird, und die sachbezogene Beschreibung
wird ausgelassen werden.
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Die
erste dielektrische Schicht 320a wird auf die erste Metallschicht 310-1,
das dritte Durchkontaktierungslötauge 350-3,
das vierte Durchkontaktierungslötauge 350-4 und
die zweite Metallleitung 340-2 geschichtet. Dann werden
die erste Durchkontaktierung 334-1, welche die erste Metallschicht 310-1 und
das auf der ersten dielektrischen Schicht zu bildende erste Durchkontaktierungslötauge 350-1 verbindet,
die zweite Durchkontaktierung 334-2, welche das zweite
Durchkontaktierungslötauge 350-2 und
dritte Durchkontaktierungslötauge 350-3 verbindet,
und die dritte Durchkontaktierung 334-3 gebildet, welche
die Metallplatte 332 und das vierte Durchkontaktierungslötauge 350-4 verbindet.
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Beim
Bilden der Durchkontaktierung werden ein Bohrverfahren und ein Plattierungsverfahren
verwendet, damit eine plattierte Schicht in der Innenwand der Durchkontaktierung
zur elektrischen Verbindung gebildet wird, nachdem die erste dielektrische
Schicht 320a durchlaufen ist. Durch das Plattierungsverfahren
wird der Mittelteil der Innenseite der Durchkontaktierung leer und
die plattierte Schicht auf der Innenwand der Durchkontaktierung
gebildet oder die ganze Innenseite der Durchkontaktierung gefüllt.
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Nachdem
die Durchkontaktierung gebildet ist, wird die Metallplatte 332 auf
die erste dielektrische Schicht 320a geschichtet und das
erste Durchkontaktierungslötauge 350-1,
das zweite Durchkontaktierungslötauge 350-2 und
die erste Metallleitung 340-1 werden bemustert. Auch können die
zweite dielektrische Schicht 320b und die zweite Metallschicht 310-2 nacheinander
hinein geschichtet werden und die elektromagnetische Bandabstandstruktur 300 gebildet
werden.
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Eine
oder mehrere Pilzstrukturen, welche die Metallplatte 332 und
erste bis dritte Durchkontaktierung 334-1 bis 334-3 enthalten,
können
zwischen der ersten Metallschicht 310-1 und zweiten Metallschicht 310-2 gebildet
sein. Eine Öffnung
kann in der ersten Metallschicht 310-1 gemäß der Stelle
gebildet werden, an welcher die Pilzstruktur gebildet ist, und die
Innenseite der Öffnung
kann das dritte Durchkontaktierungslötauge 350-3, welches
die zweite Durchkontaktierung 334-2 und die dritte Durchkontaktierung 334-2 verbindet,
das vierte Durchkontaktierungslötauge 350-4 und
die zweite Metallleitung 340-2 unterbringen, welche das
dritte Durchkontaktierungslötauge 350-3 und
vierte Durchkontaktierungslötauge 350-4 verbindet.
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Die
Metallplatte 332 der Pilzstruktur kann auf der gleichen
ebenen Oberfläche
oder auf anderen ebenen Oberfläche
platziert sein. Zwar veranschaulicht 6, dass
die erste bis dritte Durchkontaktierung 334-1 bis 334-3 der
Pilzstruktur zur ersten Metallschicht 310-1 weisen, aber
die erste bis dritte Durchkontaktierung 334-1 bis 334-3 der
Pilzstruktur können
zur zweiten Metallschicht 310-2 weisen.
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Auch
kann es viele Pilzstrukturen geben und alle Durchkontaktierungen
der Pilzstruktur können
zur ersten Metallschicht 310-1 oder zweiten Metallschicht 310-2 weisen
oder einige der Durchkontaktierungen der Pilzstruktur können zur
ersten Metallschicht 310-1 und die übrigen Durchkontaktierungen
der Pilzstruktur zur zweiten Metallschicht 310-2 weisen.
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7 veranschaulicht,
dass die pilzartigen Strukturen in vorbestimmten Abständen voneinander
beabstandet und auf der ersten Metallschicht 310-1 wiederholt
angeordnet sein können.
Die wiederholte Bildung der pilzartigen Strukturen kann das Sperren
eines Signals mit einem Frequenzband ermöglichen, welches einem Betriebsfrequenzband
der analogen Schaltung (z. B. RF-Schaltung) unter einer elektromagnetischen Welle
entspricht, welche sich von einer digitalen Schaltung zur analogen
Schaltung begibt.
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Da
viele Durchkontaktierungen, Durchkontaktierungslötaugen und Metallleitungen
zwischen der ersten Metallschicht 310-1 und Metallplatte 332 in
Reihe geschaltet sind, ist es bei der pilzartigen Struktur möglich, dass
eine ausreichende Induktivität
in einem kleinen Raum erhalten wird, wodurch die Bandabstandsfrequenz trotz
der kleinen Größe der Pilzstruktur
gesenkt und nicht erhöht
wird. Bandabstandsfrequenz bedeutet die Frequenz, welche unterdrückt wird,
um die emittierte EM-Welle
nicht von einer Seite zur anderen Seite der elektromagnetischen
Bandabstandstruktur 300 zu übertragen. In einer Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung ist der Betriebsfrequenzbereich einer
RF-Schaltung in einem mobilen Kommunikationsendgerät, welcher
sich im Bereich von 0,8~2,0 GHz befindet, der Bandabstandsfrequenzbereich.
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9 veranschaulicht
die Simulationsergebnisse des Verwendens der elektromagnetischen
Bandabstandstruktur 300 nach einer Ausführungsform der vorliegenden
Erfindung und der elektromagnetischen Bandabstandstruktur 200 der
verwandten Technik.
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In
Bezug auf 9 weist die elektromagnetische
Bandabstandstruktur 200 der verwandten Technik (d. h. Größe der Metallplatte 232)
eine Größe von 16
mm2 (4 × 4)(nehmen
Sie Bezug auf (a)) und 100 mm2 (10 × 10)(nehmen
Sie Bezug auf (b)) auf.
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Wenn
die Größe der Struktur
16 mm2 (4 × 4)(nehmen Sie Bezug auf (a))
beträgt,
betragen die Frequenz des Rauschpegels, welcher unter –50 dB liegt,
3,7~6,5 GHz und die Frequenz des niedrigsten Rauschpegels 4,5 GHz.
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Wenn
die Größe der Struktur
100 mm2 (10 × 10)(nehmen Sie Bezug auf
(b)) beträgt,
betragen die Frequenz des Rauschpegels, welcher unter –50 dB liegt,
1,2~2,2 GHz und die Frequenz des niedrigsten Rauschpegels 1,5 GHz.
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Nach
der elektromagnetischen Bandabstandstruktur 200 der verwandten
Technik ist die Bandabstandsfrequenz innerhalb 0,8~2,0 GHz, was
dem Betriebsfrequenzbereich einer RF-Schaltung in einem mobilen Kommunikationsendgerät entspricht,
zum Sperren des Rauschens platziert und folglich muss die Größe der Struktur
100 mm2 (10 × 10)(nehmen Sie Bezug auf
(b)) betragen.
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Nach
der elektromagnetischen Bandabstandstruktur der vorliegenden Erfindung
betragen jedoch die Frequenz des Rauschpegels, welcher unter –50 dB liegt,
1,3~1,7 GHz und die Frequenz des niedrigsten Rauschpegels 1,5 GHz,
wenn die Größe der elektromagnetischen
Bandabstandstruktur (d.h. die Größe der Metallplatte 350)
16 mm2 (4 × 4)(nehmen Sie Bezug auf (a))
beträgt.
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Dies
wird in der nachstehend gezeigten Tabelle 1 dargestellt. [Tabelle 1]
| Bandabstandsfrequenz | Strukturgröße | Rauschpegel |
Struktur der verwandten Technik | 4,5
GHz | 16
mm2 (4 × 4) | –50 dB |
1,5
GHz | 100
mm2 (10 × 10) | –50 dB |
Struktur
der vorliegenden Erfindung | 1,5
GHz | 16
mm2 (4 × 4) | –50 dB |
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D.
h., nach einer Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung kann die elektromagnetische Bandabstandstruktur 300 um
mehr als 1/6 verkleinert werden (100 mm2 → 16 mm2), obwohl eine Bandabstandsfrequenz aufgewiesen
wird, welche gleich der der elektromagnetischen Bandabstandstruktur 200 der
verwandten Technik ist.
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Selbst
wenn die Größe der elektromagnetischen
Bandabstandstruktur der vorliegenden Erfindung gleich der der elektromagnetischen
Bandabstandstruktur der verwandten Technik ist, ist die Bandabstandsfrequenz
auch um mehr als 1/5 (4,5 GHz → 1,5
GHz) niedriger.
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In
dieser Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung wird bevorzugt eine hohe Induktivität aufzuweisen,
damit der Abstand zwischen jeder Durchkontaktierung breiter ist,
d. h. die Länge
der Metallleitung verlängert
wird. Dies ist, da die Stromrichtung der ersten Durchkontaktierung 334-1 gleich
der der dritten Durchkontaktierung 334-3 und entgegen der
der zweiten Durchkontaktierung 334-2 ist und folglich der
Induktivitätswert durch
eine Gegeninduktivität
geringer wird, wenn der Abstand zwischen jeder Durchkontaktierung
nah ist.
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Daher
wird bei der elektromagnetischen Bandabstandstruktur 300 nach
einer Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung die Mittelachse der zweiten Durchkontaktierung 334-2 hergestellt
gleich der Mitte der Metallplatte 332 zu sein und die erste
Durchkontaktierung 334-1 mit der dritten Durchkontaktierung 334-3 um die
Mittelachse der Metallplatte 332 herum symmetrisch platziert.
In der Draufsicht sind auch die erste Metallleitung 340-1 und
zweite Metallleitung 340-2 auf einer geraden Linie und
zu einer Oberfläche
der Metallplatte 332 parallel angeordnet.
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Andere
Ausführungsformen
zum Verbreitern des Abstands zwischen jeder Durchkontaktierungen
werden in Bezug auf 10 beschrieben werden.
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10 ist
eine Perspektivansicht, welche eine elektromagnetische Bandabstandstruktur
nach einer anderen Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung zeigt, welche ein Mischsignalproblem
zwischen einer analogen Schaltung und digitalen Schaltung löst, und 11 ist
eine Draufsicht, welche eine Anordnungsstruktur der elektromagnetischen
Bandabstandstruktur zeigt. 12a ist
eine Draufsicht, welche in der ersten Metallschicht der in 10 veranschaulichten,
elektromagnetischen Bandabstandstruktur gezeigt wird, und 12b ist eine Draufsicht, welche in der Metallplatte
der in 10 veranschaulichten, elektromagnetischen Bandabstandstruktur
gezeigt wird.
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Eine
elektromagnetische Bandabstandstruktur 400 nach einer anderen
Ausführungsform
kann, wie die in 6 veranschaulichte, elektromagnetische
Bandabstandstruktur 300, eine erste Metallschicht 410-1,
eine zweite Metallschicht 410-2, eine erste dielektrische Schicht 420a,
eine zweite dielektrische Schicht 420b, eine Metallplatte 432 und
drei Durchkontaktierungen 434-1, 434-2 und 434-3 enthalten.
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Im
Vergleich zu der in 6 veranschaulichten, elektromagnetischen
Bandabstandstruktur, weist die in 10 veranschaulichte,
elektromagnetische Bandabstandstruktur 400 andere Stellen
der ersten bis dritten Durchkontaktierungen 434-1 bis 434-3,
der ersten vier Durchkontaktierungslötaugen 450-1 bis 450-4 und
ersten und zweiten Metallleitungen 440-1 und 440-2 auf.
Da die gleichen Elemente wie bei der in 6 veranschaulichten,
elektromagnetischen Bandabstandstruktur 300 oben beschrieben
wurden, werden nachstehend nur andere Elemente beschrieben werden.
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Wie
oben beschrieben wurde, muss eine ausreichende Induktivität in einem
kleinen Raum erhalten werden, damit die elektromagnetische Bandabstandstruktur
kleiner und die Bandabstandsfrequenz niedriger ist. Hierfür muss ein
ausreichender Abstand zwischen jeder Durchkontaktierung sichergestellt
werden.
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Folglich
werden die erste Durchkontaktierung 434-1, zweite Durchkontaktierung 434-2 und
dritte Durchkontaktierung 434-3 der in 10 veranschaulichten,
elektromagnetischen Bandabstandstruktur so weit wie möglich voneinander
getrennt. Die Mittelachse der zweiten Durchkontaktierung 434-2 gleicht
der Mitte der Metallplatte 432 und die erste Durchkontaktierung 434-1 ist
an einer symmetrischen Stelle von der dritten Durchkontaktierung 334-3 um
die Mittelachse der Metallplatte 332 herum und an einer
Ecke der Metallplatte 432 angeordnet, welche der von der
Mitte der Metallplatte 432 am weitesten entfernten Stelle
entspricht.
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Alle
Durchkontaktierungslötaugen 450-1 bis 450-4 sind
gemäß der Stelle
jeder Durchkontaktierung gebildet und die erste Metallleitung 440-1 und
zweite Metallleitung 440-2 sind auch gemäß jedem
Durchkontaktierungslötauge
gebildet. In diesem Fall wird zum Erhalten einer ausreichenden Induktivität bevorzugt,
dass der Abstand zwischen der ersten Durchkontaktierung 434-1 und
zweiten Durchkontaktierung 434-2 bzw. der Abstand zwischen
der zweiten Durchkontaktierung 434-2 und der dritten Durchkontaktierung 434-3,
damit Gegenstrom fließt,
ausreichend gewährleitstet
wird.
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13 ist
eine Perspektivansicht, welche eine elektromagnetische Bandabstandstruktur
nach einer anderen Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung zeigt, welche ein Mischsignalproblem
zwischen einer analogen Schaltung und digitalen Schaltung löst, und 14 ist
eine Draufsicht, welche eine Anordnungsstruktur der in 13 veranschaulichten,
elektromagnetischen Bandabstandstruktur zeigt. 15a ist eine Draufsicht, welche in der ersten
Metallschicht der in 13 veranschaulichten, elektromagnetischen
Bandabstandstruktur gezeigt wird, und 15b ist
eine Draufsicht, welche in der Metallplatte der in 13 veranschaulichten,
elektromagnetischen Bandabstandstruktur gezeigt wird.
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Eine
elektromagnetische Bandabstandstruktur 500 nach einer anderen
Ausführungsform
kann, wie die in 6 veranschaulichte, elektromagnetische
Bandabstandstruktur 300, eine erste Metallschicht 510-1,
zweite Metallschicht 510-2, erste dielektrische Schicht 520a,
zweite dielektrische Schicht 520b, Metallplatte 532 und
drei Durchkontaktierungen 534-1, 534-2 und 534-3 enthalten.
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Im
Vergleich zu der in 6 veranschaulichten, elektromagnetischen
Bandabstandstruktur 300, weist die in 13 veranschaulichte,
elektromagnetische Bandabstandstruktur 500 andere Stellen
der ersten bis dritten Durchkontaktierungen 534-1 bis 534-3,
der ersten vier Durchkontaktierungslötaugen 550-1 bis 550-4 und
ersten und zweiten Metallleitungen 540-1 und 540-2 auf.
Da der gleiche Teil wie bei der in 6 veranschaulichten,
elektromagnetischen Bandabstandstruktur 300 oben beschrieben
wurden, wird nachstehend nur der abweichende Teil beschrieben werden.
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Wie
oben beschrieben wurde, muss eine ausreichende Induktivität erhalten
werden, damit die elektromagnetische Bandabstandstruktur kleiner
und die Bandabstandsfrequenz niedriger ist. Hierfür muss ein
ausreichender Abstand zwischen jeder Durchkontaktierung sichergestellt
werden.
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Folglich
werden die erste Durchkontaktierung 534-1, zweite Durchkontaktierung 534-2 und
dritte Durchkontaktierung 534-3 der in 13 veranschaulichten,
elektromagnetischen Bandabstandstruktur so weit wie möglich voneinander
getrennt. Die erste Durchkontaktierung 534-1 und zweite
Durchkontaktierung 534-2 sind nahe gegenüberliegenden
Ecken angeordnet, welche die zwei Durchkontaktierungen so weit wie
möglich voneinander
trennen können.
D. h., die erste Durchkontaktierung 534-1 und zweite Durchkontaktierung 534-2 befinden
sich auf beiden Enden einer diagonalen Linie der Metallplatte 532.
Auch befindet sich die dritte Durchkontaktierung 534-3 auf
der anderen diagonalen Linie, welche sich im gleichen oder ähnlichen
Abstand von der ersten Durchkontaktierung 534-1 und zweiten
Durchkontaktierung 534-2 befindet.
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Alle
Durchkontaktierungslötaugen 550-1 bis 550-4 sind
gemäß der Stelle
jeder Durchkontaktierung gebildet und die erste Metallleitung 540-1 und
zweite Metallleitung 540-2 sind auch gemäß jedes
Durchkontaktierungslötauges
gebildet. Hier ist die erste Metallleitung 540-1 die diagonale
Linie der Metallplatte 532. In diesem Fall wird zum Erhalten
einer ausreichenden Induktivität
bevorzugt, dass der Abstand zwischen der ersten Durchkontaktierung 534-1 und
zweiten Durchkontaktierung 534-2 bzw. der Abstand zwischen
der zweiten Durchkontaktierung 534-2 und dritten Durchkontaktierung 534-3,
damit Gegenstrom fließt,
ausreichend gewährleitstet
wird.
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16 ist
eine Perspektivansicht, welche eine elektromagnetische Bandabstandstruktur
nach einer anderen Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung zeigt, welche ein Mischsignalproblem
zwischen einer analogen Schaltung und einer digitalen Schaltung
löst, und 17 ist
eine Draufsicht, welche eine Anordnungsstruktur der in 16 veranschaulichten,
elektromagnetischen Bandabstandstruktur zeigt. 18a ist eine Draufsicht, welche in der ersten
Metallschicht der in 16 veranschaulichten, elektromagnetischen Bandabstandstruktur
gezeigt wird, und 18b ist eine Draufsicht, welche
in der Metallplatte der in 16 veranschaulichten,
elektromagnetischen Bandabstandstruktur gezeigt wird.
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Eine
elektromagnetische Bandabstandstruktur 600 nach einer anderen
Ausführungsform
kann, wie die in 6 veranschaulichte, elektromagnetische
Bandabstandstruktur 300, eine erste Metallschicht 610-1,
zweite Metallschicht 610-2, erste dielektrische Schicht 620a,
zweite dielektrische Schicht 620b, Metallplatte 632 und
drei Durchkontaktierungen 634-1, 634-2 und 634-3 enthalten.
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Im
Vergleich zu der in 6 veranschaulichten, elektromagnetischen
Bandabstandstruktur 300, weist die in 16 veranschaulichte,
elektromagnetische Bandabstandstruktur 600 andere Stellen
der ersten bis dritten Durchkontaktierungen 634-1 bis 634-3,
der ersten vier Durchkontaktierungslötaugen 650-1 bis 650-4 und
ersten und zweiten Metallleitungen 640-1 und 640-2 auf.
Da der gleiche Teil wie bei der in 6 veranschaulichten,
elektromagnetischen Bandabstandstruktur 300 oben beschrieben
wurden, wird nachstehend nur der abweichende Teil beschrieben werden.
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Wie
oben beschrieben wurde, muss eine ausreichende Induktivität in einem
kleinen Raum erhalten werden, damit die elektromagnetische Bandabstandstruktur
kleiner und die Bandabstandsfrequenz niedriger ist. Hierfür muss ein
ausreichender Abstand zwischen jeder Durchkontaktierung sichergestellt
werden.
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Folglich
werden die erste Durchkontaktierung 634-1, zweite Durchkontaktierung 634-2 und
dritte Durchkontaktierung 634-3 der in 16 veranschaulichten,
elektromagnetischen Bandabstandstruktur so weit wie möglich voneinander
getrennt. Die erste Durchkontaktierung 634-1 und zweite
Durchkontaktierung 634-2 sind nahe den Ecken platziert,
welche so weit wie möglich
voneinander getrennt werden können,
um zueinander zu weisen. D. h., die erste Durchkontaktierung 634-1 und
zweite Durchkontaktierung 634-2 befinden sich auf beiden
Endpunkten einer diagonalen Linie der Metallplatte 632.
Auch ist die dritte Durchkontaktierung 634-3 nahe der ersten
Durchkontaktierung 634-1 angeordnet, die so weit wie möglich von
der zweiten Durchkontaktierung 634-2 getrennt sein kann.
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Alle
Durchkontaktierungslötaugen 650-1 bis 650-4 sind
gemäß der Stelle
jeder Durchkontaktierung gebildet.
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In
der ersten Ausführungsform
ist die Metallleitung nicht gerade, sonder „L"-förmig,
um sich nahe einer Kante der Metallplatte 632 zu befinden.
Die erste Metallleitung 640-1 verbindet das erste Durchkontaktierungslötauge 650-1 mit
dem zweiten Durchkontaktierungslötauge 650-2 und
die zweite Metallleitung 640-2 verbindet das dritte Durchkontaktierungslötauge 650-3 mit
dem vierten Durchkontaktierungslötauge 650-4.
Auch wenn von oben betrachtet, ist die erste Metallleitung 640-1 von
der zweiten Metallleitung 640-2 so weit wie möglich getrennt.
Wenn beispielsweise die Metallplatte 632 und erste Metallschicht 610-1 Quadrate
sind, wie in den 16 bis 18 veranschaulicht,
ist, falls die erste Metallleitung 640-1 zu einer Ecke
gebogen ist, an welcher sich die erste Durchkontaktierung 634-1 und
zweite Durchkontaktierung 643-2 nicht befinden, die zweite
Metallleitung 640-2 zu der anderen Ecke gebogen, an welcher
sich die erste Durchkontaktierung 634-1 und zweite Durchkontaktierung 643-2 nicht
befinden.
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In
diesem Fall ist es leicht möglich
eine ausreichende Induktivität
selbst in einem kleinen Raum zu erhalten, da der Abstand zwischen
der ersten Durchkontaktierung 634-1 und zweiten Durchkontaktierung 634-2 bzw.
der Abstand zwischen der zweiten Durchkontaktierung 634-2 und
der dritten Durchkontaktierung 634-3, zwischen welchen
Gegenstrom fliest, maximiert werden.
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19 veranschaulicht
das Simulationsergebnis des Verwendens der elektromagnetischen Bandabstandstruktur 200 der
verwandten Technik, der elektromagnetischen Bandabstandstruktur 300 nach
einer Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung und der elektromagnetischen Bandabstandstruktur 400 nach
einer anderen Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung.
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Hier
ist 19 ein Fall, in welchem die elektromagnetische
Bandabstandstruktur der verwandten Technik und die elektromagnetische
Bandabstandstruktur der vorliegenden Erfindung die gleiche Größe (16 mm2 (4 × 4))
und gleiche Anordnung aufweisen.
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In
Bezug auf den Graphen (nehmen Sie Bezug auf (a)) der Bandabstandsfrequenz
nach der elektromagnetischen Bandabstandstruktur 200 der
verwandten Technik, betragen die Frequenz, deren Rauschpegel unter –50 dB liegt,
3,1~6,2 GHz und die Frequenz mit dem niedrigsten Rauschpegel 3,8
GHz.
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In
Bezug auf einen Graphen (nehmen Sie Bezug auf (b)) der Bandabstandsfrequenz
nach der elektromagnetischen Bandabstandstruktur der vorliegenden
Erfindung, betragen jedoch die Frequenz, deren Rauschpegel unter –50 dB liegt,
1,3~1,7 GHz und die Frequenz mit dem niedrigsten Rauschpegel 1,5
GHz. In Bezug auf einen Graphen (nehmen Sie Bezug auf (c)) der Bandabstandsfrequenz
nach der elektromagnetischen Bandabstandstruktur einer anderen Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung, betragen zudem die Frequenz, deren Rauschpegel
unter –50
dB liegt, 1,1~1,3 GHz und die Frequenz mit dem niedrigsten Rauschpegel
1,2 GHz.
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Diese
Bandabstandsfrequenz kann ausgebildet sein, um ein erwünschtes
Frequenzband des Bandabstands durch Einstellen einer Vielzahl an
Bedingungen aufzuweisen, wie z. B. die Größe der elektromagnetischen
Bandabstandstruktur, die Stärke
jedes Teils, die elektrische Feldkonstante und Form der Anordnung.
D. h. es ist offensichtlich, dass trotz der gleichen Ausgestaltungsbedingung 19 nur
ein Beispiel ist, um zu zeigen, dass, wenn die Struktur angewendet
wird, die wie die elektromagnetischen Bandabstandstrukturen 300 und 400 der
vorliegenden Erfindung eine ausreichende Induktivität in einem
kleinen Raum gewährleitstet,
die Sperrrate auf ein bestimmtes Frequenzband, insbesondere innerhalb
des Frequenzbandes des Bandabstands, verbessert werden könnte.
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Eine
Leiterplatte nach einer Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung enthält
eine analoge Schaltung und eine digitale Schaltung. Die analoge
Schaltung kann eine RF-Schaltung, wie beispielsweise eine Antenne,
sein, welche ein RF-Signal von außen empfängt.
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In
der Leiterplatte sind die elektromagnetischen Bandabstandstrukturen 300, 400, 500 und 600,
welche in den 6 bis 8 und 10 bis 18b veranschaulicht sind, zwischen der analogen
Schaltung und digitalen Schaltung angeordnet. Entsprechend sind
die elektromagnetischen Bandabstandstrukturen 300, 400, 500 und 600 zwischen
der RF-Schaltung 140 und
der digitalen Schaltung 130 angeordnet, welche in 1 gezeigt
sind.
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Die
elektromagnetischen Bandabstandstrukturen 300, 400, 500 und 600 sind
angeordnet, damit eine EM-Welle, welche zur RF-Schaltung 130 übertragen
wird, durch die elektromagnetischen Bandabstandstrukturen 300, 400, 500 und 600 geht.
Mit anderen Worten können
die elektromagnetischen Bandabstandstrukturen 300, 400, 500 und 600 als
Art eines Regelkreises um die RF-Schaltung 130 oder
die digitale Schaltung 140 herum angeordnet sein.
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Alternativ
können
die elektromagnetischen Bandabstandstrukturen 300, 400, 500 und 600 überall von der
digitalen Schaltung 140 zur RF-Schaltung 130 in
der Leiterplatte angeordnet sein.
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Durch
Anordnen der elektromagnetischen Bandabstandstrukturen 300, 400, 500 und 600 im
Inneren, kann die Leiterplatte, bei welcher die analoge Schaltung
und digitale Schaltung gleichzeitig implementiert werden, die Übertragung
der EM-Welle eines
bestimmten Frequenzbereiches (z. B. 0,8~2,0 GHz) verhindern.
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Daher
ist es trotz der kleinen Größe möglich, das
zuvor erwähnte
Mischsignalproblem durch Verhindern der Übertragung der EM-Welle eines
bestimmten Frequenzbereiches zu lösen.
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Bisher
wurde eine Vielzahl an Ausführungsformen
der vorliegenden Erfindung in Bezug auf die 6 bis 19 beschrieben,
welche drei Durchgangskontaktierungen aufweisen.
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Jedoch
ist die vorliegende Erfindung nicht auf das bislang Beschriebne
beschränkt
und in der elektromagnetischen Bandabstandstruktur, auf welcher
eine erste Metallschicht, eine erste dielektrische Schicht, eine Metallplatte,
eine zweite dielektrische Schicht und eine zweite Metallplatte geschichtet
sind, kann eine ungerade Anzahl an Durchkontaktierungen zwischen
der ersten Metallschicht und Metallplatte durch die Metallleitung
verbunden sein.
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Hier
kann sich die ungerade Anzahl an Durchkontaktierungen auf einer
ebenen Oberfläche
befinden (nehmen Sie Bezug auf die in den 6 und 10 veranschaulichten
Ausführungsformen)
oder alle Durchgangskontaktierungen außer einer können sich auf einer Ebene befinden.
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Zwar
weist die Metallleitung, welche den Abstand zwischen den Durchkontaktierungen
verbindet, eine Form einer geraden Linie auf, die einmal oder mehrmals
im rechten Winkel gebogen wurde, wie in den 6 bis 8 und 10 bis 18 veranschaulicht, aber die Metallleitung
kann jede gebogene Linie sein (z. B. eine Spirale oder Welle), welche
nicht gerade ist.