DE112011101471T5 - Leiterplatte mit durch leitfähige Durchkontaktierungen verbundenen Schichten - Google Patents
Leiterplatte mit durch leitfähige Durchkontaktierungen verbundenen Schichten Download PDFInfo
- Publication number
- DE112011101471T5 DE112011101471T5 DE112011101471T DE112011101471T DE112011101471T5 DE 112011101471 T5 DE112011101471 T5 DE 112011101471T5 DE 112011101471 T DE112011101471 T DE 112011101471T DE 112011101471 T DE112011101471 T DE 112011101471T DE 112011101471 T5 DE112011101471 T5 DE 112011101471T5
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- pair
- vias
- layers
- layer
- holes
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K3/42—Plated through-holes or plated via connections
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
- H05K1/0237—High frequency adaptations
- H05K1/024—Dielectric details, e.g. changing the dielectric material around a transmission line
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
- H05K1/0237—High frequency adaptations
- H05K1/025—Impedance arrangements, e.g. impedance matching, reduction of parasitic impedance
- H05K1/0251—Impedance arrangements, e.g. impedance matching, reduction of parasitic impedance related to vias or transitions between vias and transmission lines
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/11—Printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K1/115—Via connections; Lands around holes or via connections
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/07—Electric details
- H05K2201/0776—Resistance and impedance
- H05K2201/0792—Means against parasitic impedance; Means against eddy currents
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/09—Shape and layout
- H05K2201/09009—Substrate related
- H05K2201/09063—Holes or slots in insulating substrate not used for electrical connections
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
- Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
- Y10T29/49155—Manufacturing circuit on or in base
- Y10T29/49165—Manufacturing circuit on or in base by forming conductive walled aperture in base
Abstract
Description
- GEBIET DER ERFINDUNG
- Die Erfindung betrifft allgemein eine Leiterplatte, die mit leitfähigem Material gefüllte Durchkontaktierungen besitzt, die dazu dienen, unterschiedliche Lagen der Leiterplatte zu verbinden.
- HINTERGRUND DER ERFINDUNG
- Komplexe Leiterplatten können eine Anzahl verschiedener Schichten aufweisen. Üblicherweise beinhalten die Schichten Signalschichten und Stromversorgungs-/Masseschichten, wobei es sich bei jeder Stromversorgungs-/Masseschicht um eine Stromversorgungsschicht oder eine Masseschicht handelt. Die Signalschichten wechseln sich im Allgemeinen mit den Stromversorgungs-/Masseschichten ab, so dass keine zwei Signalschichten einander unmittelbar benachbart sind und keine zwei Stromversorgungs/Masseschichten einander unmittelbar benachbart sind. Um zwei Signalschichten zu verbinden, können Durchkontaktierungen verwendet werden, die sich durch die Schichten erstrecken und mit einem leitfähigen Material gefüllt sind. Jede derartige Signalschicht ist elektrisch mit den Durchkontaktierungen verbunden, so dass die zwei Signalschichten elektrisch miteinander verbunden werden.
- ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
- Hinsichtlich eines ersten Aspekts umfasst die Erfindung eine Leiterplatte, die eine Vielzahl von Schichten umfasst, die eine erste Schicht, eine zweite Schicht unter der ersten Schicht und eine untere Schicht umfassen. Die Leiterplatte umfasst ein Paar von Durchkontaktierungen, die mit einem leitfähigen Material gefüllt sind und sich durch die Schichten erstrecken. Das Paar von Durchkontaktierungen weist ein Paar von Durchkontaktierungsüberständen auf. Die Leiterplatte umfasst ein erstes Paar von leitfähigen Signalpfaden, die mit dem Paar von Durchkontaktierungen innerhalb der ersten Schicht verbunden sind, und ein zweites Paar von leitfähigen Signalpfaden, die mit dem Paar von Durchkontaktierungen innerhalb der zweiten Schicht verbunden sind. Somit ist das Paar von Durchkontaktierungsüberständen zwischen der zweiten Schicht und der unteren Schicht festgelegt. Ein differenzielles Signal, das eine Frequenz besitzt, ist zwischen dem ersten Paar leitfähiger Signalpfade und dem zweiten Paar leitfähiger Signalpfade über das Paar von Durchkontaktierungen zu übertragen. Es wird ein Mittel zum Erhöhen der Resonanzfrequenz der Durchkontaktierungsüberstände auf Werte außerhalb der Frequenz des differenziellen Signals bereitgestellt.
- Vorzugsweise umfasst das Mittel ein oder mehrere Löcher, die sich zumindest teilweise durch die Schichten erstrecken und zwischen dem Paar von Durchkontaktierungen angeordnet sind. Die Löcher weisen eine niedrigere Dielektrizitätskonstante als die Schichten auf, um eine Resonanzfrequenz des Paares von Durchkontaktierungsüberständen auf Werte außerhalb der Frequenz des differenziellen Signals zu erhöhen.
- Vorzugsweise erstrecken sich die Löcher vollständig durch die Schichten.
- Vorzugsweise sind die Löcher nicht mit Material gefüllt, so dass sich Umgebungsluft innerhalb der Löcher befindet.
- Vorzugsweise weist jedes der Löcher einen Radius auf, der kleiner ist als der Radius jeder Durchkontaktierung.
- Vorzugsweise sind die Löcher entlang einer Linie zwischen Mittelpunkten des Paares von Durchkontaktierungen angeordnet.
- Vorzugsweise umfassen die Löcher eine Vielzahl von ersten Löchern, die entlang einer ersten Kurve um eine erste Durchkontaktierung des Paares von Durchkontaktierungen angeordnet sind, und eine Vielzahl von zweiten Löchern, die entlang einer zweiten Kurve um eine zweite Durchkontaktierung des Paares von Durchkontaktierungen angeordnet sind.
- Vorzugsweise handelt es sich bei jedem Durchkontaktierungsüberstand um eine Übertragungsleitungsantenne, welche die Resonanzfrequenz besitzt.
- Vorzugsweise umfasst die Leiterplatte weiterhin Folgendes: ein Paar von Anti-Kontaktflächen, das zum Paar von Durchkontaktierungen konzentrisch angeordnet ist und sich durch die Schichten erstreckt; ein erstes Paar von Kontaktflächen, das auf der ersten Schicht und konzentrisch zu dem Paar von Durchkontaktierungen angeordnet ist und mit diesem in Kontakt steht, wobei das erste Paar von Kontaktflächen das erste Paar von leitfähigen Signalpfaden mit dem Paar von Durchkontaktierungen verbindet, wobei das erste Paar von leitfähigen Signalpfaden das Paar von Anti-Kontaktflächen kreuzt; und ein zweites Paar von Kontaktflächen, das auf der zweiten Schicht und konzentrisch zu dem Paar von Durchkontaktierungen angeordnet ist und mit diesem in Kontakt steht, wobei das zweite Paar von Kontaktflächen das zweite Paar von leitfähigen Signalpfaden mit dem Paar von Durchkontaktierungen verbindet und das erste Paar von leitfähigen Signalpfaden das Paar von Anti-Kontaktflächen kreuzt, wobei jede Kontaktfläche einen Radius besitzt, der kleiner als ein Radius jeder Anti-Kontaktfläche ist.
- Vorzugsweise umfasst die Vielzahl von Schichten eine Vielzahl von Signalschichten und eine Vielzahl von Stromversorgungs-/Masseschichten, wobei die Signalschichten und die Stromversorgungs-/Masseschichten abwechselnd angeordnet sind, so dass keine zwei Signalschichten einander unmittelbar benachbart sind und keine zwei Stromversorgungs-/Masseschichten einander unmittelbar benachbart sind, wobei es sich bei der ersten Schicht und der zweiten Schicht jeweils um eine der Signalschichten handelt, und wobei es sich bei jeder Stromversorgungs-/Masseschicht entweder um eine Stromversorgungsschicht oder um eine Masseschicht handelt.
- Hinsichtlich eines zweiten Aspekts umfasst die Erfindung ein Verfahren, welches das Bereitstellen einer Leiterplatte mit einer Vielzahl von Schichten, einem Paar von Durchkontaktierungen, die mit einem leitfähigen Material gefüllt sind und sich durch die Schichten erstrecken, einem ersten Paar leitfähiger Signalpfade und einem zweiten Paar leitfähiger Signalpfade umfasst. Die Schichten umfassen eine erste Schicht, eine zweite Schicht unter der ersten Schicht und eine untere Schicht. Das erste Paar von leitfähigen Pfaden ist mit dem Paar von Durchkontaktierungen innerhalb der ersten Schicht verbunden, und das zweite Paar von leitfähigen Pfaden ist mit dem Paar von Durchkontaktierungen innerhalb der zweiten Schicht verbunden. Das Paar von Durchkontaktierungen weist ein Paar von Durchkontaktierungsüberständen auf, die zwischen der zweiten Schicht und der unteren Schicht festgelegt sind. Ein differenzielles Signal ist zwischen dem ersten Paar leitfähiger Signalpfade und dem zweiten Paar leitfähiger Signalpfade über das Paar von Durchkontaktierungen zu übertragen. Das Verfahren umfasst ein Formen eines oder mehrerer Löcher, die sich zumindest teilweise durch die Schichten erstrecken und zwischen dem Paar von Durchkontaktierungen angeordnet sind. Die Löcher weisen eine niedrigere Dielektrizitätskonstante als die Schichten auf, um eine Resonanzfrequenz des Paares von Durchkontaktierungsüberständen auf Werte außerhalb der Frequenz des differenziellen Signals zu erhöhen.
- Vorzugsweise umfasst das Formen der Löcher ein Laserbohren der Löcher.
- Vorzugsweise erstrecken sich die Löcher vollständig durch die Schichten.
- Vorzugsweise sind die Löcher nicht mit Material gefüllt, so dass sich Umgebungsluft innerhalb der Löcher befindet.
- Vorzugsweise weist jedes der Löcher einen Radius auf, der kleiner ist als der Radius jeder Durchkontaktierung.
- Vorzugsweise sind die Löcher entlang einer Linie zwischen Mittelpunkten des Paares von Durchkontaktierungen angeordnet.
- Vorzugsweise umfassen die Löcher eine Vielzahl von ersten Löchern, die entlang einer ersten Kurve um eine erste Durchkontaktierung des Paares von Durchkontaktierungen angeordnet sind, und eine Vielzahl von zweiten Löchern, die entlang einer zweiten Kurve um eine zweite Durchkontaktierung des Paares von Durchkontaktierungen angeordnet sind.
- Vorzugsweise handelt es sich bei jedem Durchkontaktierungsüberstand um eine Übertragungsleitungsantenne, welche die Resonanzfrequenz aufweist.
- Hinsichtlich eines dritten Aspekts umfasst die Erfindung eine elektronische Einheit, die ein oder mehrere elektrische Bauteile umfasst, und eine Leiterplatte des ersten Aspekts der Erfindung, auf, an oder innerhalb derer jedes elektrische Bauteil montiert ist.
- Hinsichtlich eines vierten Aspekts betrifft die Erfindung eine Leiterplatte mit Durchkontaktierungen, die mit leitfähigem Material gefüllt sind, um verschiedene Schichten der Leiterplatte zu verbinden, wobei die Leiterplatte Löcher mit einer niedrigeren Dielektrizitätskonstante als diejenige der Schichten aufweist, um eine Resonanzfrequenz sich ergebender Durchkontaktierungsüberstände auf Werte außerhalb der Frequenz eines zwischen den verschiedenen Schichten übertragenen differenziellen Signals zu erhöhen.
- KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
- Nachstehend wird in lediglich beispielhafter Weise eine bevorzugte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme auf die folgenden Zeichnungen beschrieben, in denen:
-
1 eine Abbildung einer Draufsicht einer Leiterplatte gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt; -
2 eine Abbildung einer Querschnittsvorderansicht der Leiterplatte von1 gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt; -
3 eine Abbildung einer Querschnittsdraufsicht der Leiterplatte der1 und2 gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt; -
4 eine Abbildung eines Schaubildes zeigt, das gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt, wie ein Verringern der Dielektrizitätskonstante einer Leiterplatte in der Nähe von Durchkontaktierungen der Platte die Resonanzfrequenz erhöht, bei der die Signalabschwächung maximal ist; -
5 eine Abbildung einer Draufsicht einer Leiterplatte gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt; -
6 einen Ablaufplan eines rudimentären Verfahrens gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt; und -
7 ein Blockschaltbild einer stellvertretenden elektronischen Einheit gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt. - DETAILLIERTE BESCHREIBUNG
- In der folgenden detaillierten Beschreibung beispielhafter Ausführungsformen der Erfindung wird Bezug auf die angehängten Zeichnungen genommen, die Teil hiervon sind und in denen in lediglich veranschaulichender Weise spezifische beispielhafte Ausführungsformen gezeigt werden, in denen die Erfindung ausgeführt werden kann.
- Wie im Abschnitt über den Hintergrund festgehalten wurde, können zwei Signalschichten einer mehrlagigen Leiterplatte mittels Durchkontaktierungen miteinander verbunden werden, die sich durch die Schichten erstrecken und mit einem leitfähigen Material gefüllt sind. Jede derartige Schicht ist elektrisch mit den Durchkontaktierungen verbunden, so dass die zwei Signalschichten elektrisch miteinander verbunden werden. Zum Beispiel kann eine erste Signalschicht die obere Schicht der Leiterplatte bilden, und eine zweite Signalschicht kann eine Schicht unterhalb der oberen Schicht jedoch oberhalb der unteren Schicht der Leiterplatte bilden. Das elektrische Verbinden sowohl der ersten Signalschicht als auch der zweiten Signalschicht mit den Durchkontaktierungen führt dazu, dass diese beiden Signalschichten elektrisch miteinander verbunden werden.
- In diesem Beispiel kann ein differenzielles Signal, das eine Frequenz aufweist, zwischen Signalpfaden auf der ersten Signalschicht und Signalpfaden auf der zweiten Signalschicht übertragen werden. Um hohe Leistung sicherzustellen, ist die Frequenz, bei der das differenzielle Signal übertragen wird, relativ hoch und kann beispielsweise mehr als 5 Gigabit pro Sekunde (Gbit/s) betragen. Aus der Verwendung der Durchkontaktierungen, um die erste und die zweite Signalschicht elektrisch miteinander zu verbinden, entsteht jedoch ein potenzielles Problem.
- Genauer erstrecken sich in diesem Beispiel die Durchkontaktierungen durch alle Schichten der Leiterplatte, während sich die zweite Signalschicht oberhalb der unteren Schicht der Leiterplatte befindet. Die Bereiche der Durchkontaktierungen zwischen der ersten Signalschicht und der zweiten Signalschicht werden aktiv dazu verwendet, die erste und die zweite Signalschicht elektrisch miteinander zu verbinden. Die Bereiche der Durchkontaktierungen unterhalb der zweiten Signalschicht – d. h. zwischen der zweiten Signalschicht und der unteren Signalschicht – hingegen nicht. Diese letztgenannten Bereiche der Durchkontaktierungen werden als Durchkontaktierungsüberstände bezeichnet.
- Die Durchkontaktierungsüberstände fungieren als Übertragungsleitungsantennen und besitzen eine Resonanzfrequenz. Bei der Resonanzfrequenz der Durchkontaktierungsüberstände wird das differenzielle Signal, das zwischen den Signalpfaden auf der ersten Signalschicht und den Signalpfaden auf der zweiten Signalschicht übertragen wird, stark abgeschwächt, zum Beispiel um drei bis zehn Dezibel oder mehr. Für niedrigfrequente differenzielle Signale stellt dies kein großes Problem dar, da die differenziellen Signale bei Frequenzen übertragen werden, die deutlich niedriger sind als die Resonanzfrequenz der Durchkontaktierungsüberstände. Für hochfrequente differenzielle Signale hingegen, die mit wachsenden Leistungsspezifikationen immer verbreiteter werden, wird dies zu einem Problem, da die differenziellen Signale bei Frequenzen nahe an oder bei der Resonanzfrequenz der Durchkontaktierungsüberstände übertragen werden.
- Eine herkömmliche Lösung für dieses Problem stellt das Hinterbohren der Leiterplatte an den Durchkontaktierungen dar, um die Durchkontaktierungsüberstände auszubohren, so dass die Durchkontaktierungsüberstände in ihrer Länge verkürzt oder vollständig entfernt werden. Das Hinterbohren erfordert jedoch üblicherweise teure und spezielle Ausrüstung und erfordert weiterhin, dass das Hinterbohren präzise über den Durchkontaktierungen positioniert wird. Daher ist der Prozess des Hinterbohrens teuer und zeitaufwändig.
- Ausführungsformen der Erfindung hingegen gehen dieses Problem aus einer anderen Richtung an. Die Resonanzfrequenz der Durchkontaktierungsüberstände verhält sich umgekehrt proportional zur Dielektrizitätskonstante der Schichten der Leiterplatte um die Durchkontaktierungen. Daher wird in Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung die Dielektrizitätskonstante verringert, was dazu dient, die Resonanzfrequenz der Durchkontaktierungsüberstände zu erhöhen. Durch Erhöhen der Resonanzfrequenz der Durchkontaktierungsüberstände auf Werte außerhalb der Frequenz des differenziellen Signals sind die Abschwächungseffekte der Durchkontaktierungsüberstände nicht länger problematisch.
- Genauer wird in einer bevorzugten Ausführungsform beispielsweise durch Laserbohren eine Anzahl von Löchern gebildet, die sich zumindest teilweise durch die Schichten der Leiterplatte erstrecken. Die Löcher weisen eine niedrigere Dielektrizitätskonstante auf als die Schichten der Leiterplatte. Somit wird die Resonanzfrequenz der Durchkontaktierungsüberstände auf Werte außerhalb der Frequenz des differenziellen Signals erhöht. Auf diese Weise werden in Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung die Durchkontaktierungsüberstände nicht wie beim Stand der Technik entfernt, um ihre schädliche Wirkung zu vermeiden, sondern vielmehr wird die Resonanzfrequenz, bei der diese schädlichen Effekte auftreten, erhöht, so dass sie nicht in Erscheinung treten.
- Die
1 ,2 und3 zeigen eine Leiterplatte100 gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung.1 zeigt eine Draufsicht der Leiterplatte100 , und2 zeigt eine Vorderansicht der Leiterplatte100 im Querschnitt entlang der Schnittlinie102 von1 .3 zeigt eine Draufsicht der Leiterplatte100 im Querschnitt entlang der Schnittlinie124 von2 . Die Leiterplatte100 beinhaltet Signalschichten104A ,104B ,104C ,104D und104E , die insgesamt als die Signalschichten104 bezeichnet werden, sowie Stromversorgungs-/Masseschichten106A ,106B ,106C und106D , die insgesamt als die Stromversorgungs-/Masseschichten106 bezeichnet werden. Es kann eine andere Anzahl von Signalschichten104 als in2 abgebildet vorhanden sein, und gleichermaßen kann eine andere Anzahl von Stromversorgungs-/Masseschichten106 als in2 abgebildet vorhanden sein. - Die Signalschichten
104 wechseln sich mit den Stromversorgungs-/Masseschichten106 ab. Dies bedeutet, dass keine zwei Signalschichten104 einander unmittelbar benachbart sind, und dass keine zwei Stromversorgungs-/Masseschichten106 einander unmittelbar benachbart sind. Jede Signalschicht104 kann mit einem oder mehreren elektronischen Bauteilen verbunden sein, die innerhalb oder auf der Signalschicht104 montiert sind. Bei jeder Stromversorgungs-/Masseschicht106 handelt es sich um eine Stromversorgungsschicht oder um eine Masseschicht. Jede Masseschicht ist mit einer relativen oder absoluten Masse verbunden. Jede Stromversorgungsschicht ist mit derselben oder einer anderen Stromquelle verbunden. - Durchkontaktierungen
108A und108B , die insgesamt als die Durchkontaktierungen108 bezeichnet werden, erstrecken sich vollständig durch die Schichten104 und106 der Leiterplatte100 . Die Durchkontaktierungen108 sind mit einem leitfähigen Material gefüllt. In der Schicht104A sind Kontaktflächen110A und110B vorhanden, die insgesamt als die Kontaktflächen110 bezeichnet werden, welche konzentrisch zu den Durchkontaktierungen108 angeordnet sind und mit diesen in Kontakt stehen. Die Kontaktflächen110 verbinden leitfähige Signalpfade114A und114B , die insgesamt als die leitfähigen Signalpfade114 bezeichnet werden, mit den Durchkontaktierungen108 . In der Schicht104C sind Kontaktflächen116A und116B vorhanden, die insgesamt als die Kontaktflächen116 bezeichnet werden, welche konzentrisch zu den Durchkontaktierungen108 angeordnet sind und mit diesen in Kontakt stehen. Die Kontaktflächen116 verbinden leitfähige Signalpfade118A und118B , die insgesamt als die leitfähigen Signalpfade118 bezeichnet werden, mit den Durchkontaktierungen108 . - Anti-Kontaktflächen
112 , die konzentrisch zu den Durchkontaktierungen108 angeordnet sind und die Kontaktflächen110 und116 umgeben, erstrecken sich vollständig durch die Schichten104 und106 der Leiterplatte100 . Die Anti-Kontaktflächen112 sind nicht mit Material gefüllt, so dass sich Umgebungsluft innerhalb der Anti-Kontaktflächen112 befindet. Die Anti-Kontaktflächen112 isolieren die Durchkontaktierungen108 elektrisch von den Schichten104 und106 , welche keine leitfähigen Signalpfade wie die leitfähigen Signalpfade114 und118 der Schichten104A und104C beinhalten, um die fraglichen Schichten104 und106 mit den Durchkontaktierungen108 zu verbinden. Somit kreuzen die leitfähigen Signalpfade114 und118 die Anti-Kontaktflächen112 , um mit den Kontaktflächen110 bzw.116 eine Verbindung herzustellen. Jede Kontaktfläche110 und116 weist einen Radius auf, der kleiner als der Radius jeder Anti-Kontaktfläche112 ist. - Die leitfähigen Signalpfade
114 und die leitfähigen Signalpfade118 sind somit mit den Durchkontaktierungen108 verbunden. Ein differenzielles Signal, das eine Frequenz aufweist, wird zwischen den leitfähigen Signalpfaden114 der Schicht104A und den leitfähigen Signalpfaden118 der Schicht104C mithilfe der Durchkontaktierungen108 übertragen. Wie aus2 in beispielhaftem Bezug auf die leitfähigen Signalpfade114A und118A und die Durchkontaktierung108A erkennbar ist, werden die Durchkontaktierungen108 zwischen den Schichten104A und104C aktiv dazu verwendet, die Signalpfade114 innerhalb der Schicht104A elektrisch mit den Signalpfaden118 innerhalb der Schicht104C zu verbinden, die sich unterhalb der Schicht104A befindet. - Die Durchkontaktierungen
108 erstrecken sich jedoch durch alle Schichten104 . Somit gibt es sich von der Schicht104C zur unteren Schicht104E erstreckende Bereiche der Durchkontaktierungen108 , die nicht aktiv dazu verwendet werden, die Signalpfade114 innerhalb der Schicht104A elektrisch mit den Signalpfaden118 innerhalb der Schicht104C zu verbinden. Diese Bereiche der Durchkontaktierungen108 werden als Durchkontaktierungsüberstände bezeichnet. Es gibt zwei Durchkontaktierungsüberstände, da jede Durchkontaktierung108 einen Durchkontaktierungsüberstand aufweist; in2 ist jedoch nur ein Durchkontaktierungsüberstand122 , der Teil der Durchkontaktierung108A ist, abgebildet und mit einer Bezugsziffer versehen. Dies bedeutet, dass der Durchkontaktierungsüberstand, der Teil der Durchkontaktierung108B ist, in2 nicht abgebildet ist. Nichtsdestoweniger wird hierin die Nomenklatur „Durchkontaktierungsüberstände122 ” verwendet, um sowohl auf den sichtbaren Durchkontaktierungsüberstand122 der Durchkontaktierung108A in2 als auch auf den nicht sichtbaren Durchkontaktierungsüberstand122 der Durchkontaktierung108B in2 Bezug zu nehmen. - Die Durchkontaktierungsüberstände
122 fungieren als Übertragungsleitungsantennen, die eine Resonanzfrequenz besitzen. Bei der Resonanzfrequenz der Durchkontaktierungsüberstände122 , wird das zwischen den leitfähigen Signalpfaden114 und118 übertragene differenzielle Signal abgeschwächt. Um sicherzustellen, dass das differenzielle Signal nicht auf diese Weise abgeschwächt wird, enthält die Leiterplatte100 Löcher120 , die sich zumindest teilweise durch die Schichten104 und106 erstrecken und zwischen den Durchkontaktierungen108 angeordnet sind. Die Löcher120 weisen eine niedrigere Dielektrizitätskonstante auf als die Schichten104 und106 . Da sich die Resonanzfrequenz der Durchkontaktierungsüberstände122 umgekehrt proportional zur Dielektrizitätskonstante der Schichten104 und106 um die Durchkontaktierungen108 verhält, erhöht das Vorhandensein der Löcher120 die Resonanzfrequenz der Durchkontaktierungsüberstände122 . - Die Anzahl und Ausbildung der Löcher
120 wird so festgelegt, dass die Resonanzfrequenz der Durchkontaktierungsüberstände122 hinreichend auf Werte außerhalb der Frequenz des differenziellen Signals angehoben wird, so dass das differenzielle Signal nicht abgeschwächt wird. In dieser Hinsicht kann eine geeignete Modellierungs- und Simulationssoftware verwendet werden, um die Anzahl und Ausbildung der Löcher120 zu bestimmen. Im Beispiel der1 und3 sind vier Löcher120 vorhanden, die entlang einer Linie zwischen Mittelpunkten der Durchkontaktierungen108 angeordnet sind. - Die Löcher
120 dienen innerhalb der Leiterplatte100 keinem anderen Zweck als demjenigen, die Dielektrizitätskonstante der Schichten104 und106 um die Durchkontaktierungen108 herum zu senken und damit die Resonanzfrequenz der Durchkontaktierungsüberstände122 zu erhöhen. In einer Ausführungsform erstrecken sich die Löcher120 vollständig durch die Schichten104 und106 , im Allgemeinen erstrecken sich die Löcher jedoch zumindest teilweise durch die Schichten104 und106 . In einer Ausführungsform weisen die Löcher120 einen Radius auf, der kleiner ist als der Radius jeder Durchkontaktierung108 . - In einer bevorzugten Ausführungsform sind die Löcher
120 nicht mit Material gefüllt, so dass sich Umgebungsluft innerhalb der Löcher120 befindet. Umgebungsluft besitzt eine niedrigere Dielektrizitätskonstante als allgemein jedes Material, aus dem die Schichten104 und106 geeignet hergestellt werden können. In einer anderen Ausführungsform sind die Löcher120 jedoch mit einem Material gefüllt, das eine niedrigere Dielektrizitätskonstante besitzt als das Material, aus dem die Schichten104 und106 hergestellt sind. Im Allgemeinen dienen die Löcher als Mittel zum Durchführen der Funktion des Erhöhens der Resonanzfrequenz der Durchkontaktierungsüberstände122 auf Werte außerhalb der Frequenz des differenziellen Signals. -
4 zeigt ein Schaubild400 , in dem darstellt ist, wie gemäß einer Ausführungsform der Erfindung das Senken der Dielektrizitätskonstante der Leiterplatte100 in der Nähe der Durchkontaktierungen108 die Resonanzfrequenz der Durchkontaktierungsüberstände122 senkt, bei der eine Abschwächung des zwischen den leitfähigen Signalpfaden114 und118 übertragenen differenziellen Signals auftritt. Auf der x-Achse402 ist links bei null Hz beginnend und von links nach rechts auf zum Beispiel 10 × 109 Hz (10 GHz) ansteigend die Frequenz in Hertz (Hz) aufgetragen. Auf der y-Achse404 ist die Verstärkung in Dezibel (dB) aufgetragen, die oben bei null Dezibel beginnt und von oben nach unten abnimmt. - Die im Schaubild
400 abgebildeten Kurven stellen die von den Durchkontaktierungen108 herrührende Verstärkung des differentiellen Signals in dB dar. Der niedrigste Punkt jeder Kurve liegt in der Resonanzfrequenz der Durchkontaktierungsüberstände122 der Durchkontaktierungen108 . Die Abschwächung des differenziellen Signals ist bei der Resonanzfrequenz der Durchkontaktierungsüberstände maximal, da die von den Durchkontaktierungen108 herrührende Verstärkung bei dieser Resonanzfrequenz am niedrigsten ist. Da die Dielektrizitätskonstante der Schichten104 und106 der Leiterplatte100 in der Nähe der Durchkontaktierungen108 gesenkt wird, erhöht sich die Resonanzfrequenz der Durchkontaktierungsüberstände122 . Dadurch kann die Resonanzfrequenz der Durchkontaktierungsüberstände122 auf eine Frequenz außerhalb der Frequenz des differenziellen Signals abgesenkt werden, so dass die Abschwächung des differenziellen Signals durch ein hinreichendes Absenken der Dielektrizitätskonstante der Leiterplatte100 in der Nähe der Durchkontaktierungen108 verringert oder minimiert wird. -
5 zeigt eine Draufsicht der Leiterplatte100 gemäß einer weiteren Ausführungsform der Erfindung. In5 sind die Löcher120 verglichen mit den Löchern120 in den1 und3 in einer anderen Ausbildung angeordnet. Genauer sind einige Löcher120 entlang einer Kurve um die Durchkontaktierung108A herum positioniert. Andere Löcher120 sind entlang einer Kurve um die Durchkontaktierung108B herum positioniert.5 veranschaulicht somit, dass die Gestaltung der Löcher120 variiert werden kann, um die Dielektrizitätskonstante der Schichten104 und106 in der Nähe der Durchkontaktierungen108 zu senken, um die Resonanzfrequenz der Durchkontaktierungsüberstände122 auf Werte außerhalb der Frequenz des zwischen den leitfähigen Signalpfaden114 und118 übertragenen differenziellen Signals zu erhöhen. -
6 zeigt ein rudimentäres Herstellungsverfahren600 gemäß einer Ausführungsform der Erfindung. Die Leiterplatte100 wird bereitgestellt (602 ). Die Löcher120 werden zumindest teilweise durch die Schichten104 und106 der Leiterplatte100 ausgebildet (604 ). In einer Ausführungsform kann Laserbohren verwendet werden, um die Löcher120 innerhalb der Leiterplatte100 auszubilden. Somit ist im Gegensatz zum Ausbohren der Durchkontaktierungsüberstände122 durch Hinterbohren nach dem Stand der Technik kein derartiges Hinterbohren mittels teurer und spezialisierter Ausrüstung zum Ausbilden der Löcher120 nötig. Falls gewünscht, können die Löcher120 im Anschluss mit einem Material gefüllt werden, das ein niedrigeres Dielektrikum besitzt als das Material, aus dem die Schichten104 und106 hergestellt sind. Alternativ dazu können die Löcher120 leer bleiben, so dass sich atmosphärische Umgebungsluft in den Löchern120 befindet. -
7 zeigt schließlich ein Blockschaltbild einer stellvertretenden elektronischen Einheit700 gemäß einer Ausführungsform der Erfindung. Die elektronische Einheit700 beinhaltet die beschriebene Leiterplatte100 sowie ein oder mehrere elektrische Bauteile702 . Jedes elektrische Bauteil702 ist auf, an oder innerhalb der Leiterplatte100 montiert. Zum Beispiel kann jedes elektrische Bauteil702 auf, an oder innerhalb einer der Schichten104 und106 der Leiterplatte100 montiert sein. Zu den elektrischen Bauteilen702 können Widerstände, Kondensatoren, Spulen, integrierte Schaltungen sowie andere Arten elektrischer Bauteile gehören. Die elektrischen Bauteile702 sind miteinander auf der Leiterplatte100 verbunden, um im Einklang miteinander zu arbeiten, um die elektronische Einheit700 mit einer beabsichtigten oder gewünschten Funktionalität bereitzustellen. - Es wird schließlich festgehalten, dass, obwohl hierin spezifische Ausführungsformen veranschaulicht und beschrieben wurden, für den Fachmann ersichtlich ist, dass die spezifischen gezeigten Ausführungsformen durch jede Anordnung ersetzt werden können, die für die Erfüllung desselben Zwecks in Erwägung gezogen wurde. Diese Anmeldung ist daher so gedacht, dass jegliche Variationen von Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung abgedeckt sind. Daher und als solches ist beabsichtigt, dass diese Erfindung lediglich durch die Ansprüche und Äquivalentem eingeschränkt wird.
Claims (19)
- Leiterplatte, die Folgendes umfasst: eine Vielzahl von Schichten, die eine erste Schicht, eine zweite Schicht unter der ersten Schicht und eine untere Schicht beinhalten; ein Paar von Durchkontaktierungen, die mit einem leitfähigen Material gefüllt sind und sich durch die Schichten erstrecken, wobei das Paar von Durchkontaktierungen ein Paar von Durchkontaktierungsüberständen aufweist; ein erstes Paar leitfähiger Signalpfade, das mit dem Paar von Durchkontaktierungen innerhalb der ersten Schicht verbunden ist; ein zweites Paar leitfähiger Signalpfade, das mit dem Paar von Durchkontaktierungen innerhalb der zweiten Schicht verbunden ist, so dass das Paar von Durchkontaktierungsüberständen zwischen der zweiten Schicht und der unteren Schicht festgelegt ist, wobei ein differenzielles Signal, das eine Frequenz besitzt, zwischen dem ersten Paar leitfähiger Signalpfade und dem zweiten Paar leitfähiger Signalpfade über das Paar von Durchkontaktierungen zu übertragen ist; und ein Mittel zum Erhöhen einer Resonanzfrequenz des Paares von Durchkontaktierungsüberständen auf Werte außerhalb der Frequenz des differenziellen Signals.
- Leiterplatte nach Anspruch 1, wobei das Mittel ein oder mehrere Löcher umfasst, die sich zumindest teilweise durch die Schichten erstrecken und zwischen dem Paar von Durchkontaktierungen angeordnet sind, wobei die Löcher eine niedrigere Dielektrizitätskonstante besitzen als die Schichten, um eine Resonanzfrequenz des Paares von Durchkontaktierungsüberständen auf Werte außerhalb der Frequenz des differenziellen Signals zu erhöhen.
- Leiterplatte nach Anspruch 2, wobei sich die Löcher vollständig durch die Schichten erstrecken.
- Leiterplatte nach Anspruch 2, wobei die Löcher nicht mit Material gefüllt sind, so dass sich Umgebungsluft innerhalb der Löcher befindet.
- Leiterplatte nach Anspruch 2, wobei jedes der Löcher einen Radius besitzt, der kleiner ist als ein Radius jeder Durchkontaktierung.
- Leiterplatte nach Anspruch 2, wobei die Löcher entlang einer Linie zwischen Mittelpunkten des Paares von Durchkontaktierungen positioniert sind.
- Leiterplatte nach Anspruch 2, wobei die Löcher Folgendes umfassen: eine Vielzahl von ersten Löchern, die entlang einer ersten Kurve um eine erste Durchkontaktierung des Paares von Durchkontaktierungen herum positioniert sind; und eine Vielzahl von zweiten Löchern, die entlang einer zweiten Kurve um eine zweite Durchkontaktierung des Paares von Durchkontaktierungen herum positioniert sind.
- Leiterplatte nach Anspruch 1, wobei jeder Durchkontaktierungsüberstand eine Übertragungsleitungsantenne darstellt, welche die Resonanzfrequenz besitzt.
- Leiterplatte nach Anspruch 1, die weiterhin Folgendes umfasst: ein Paar von Anti-Kontaktflächen, die zu dem Paar von Durchkontaktierungen konzentrisch angeordnet sind und sich durch die Schichten erstrecken; ein erstes Paar von Kontaktflächen, das auf der ersten Schicht und konzentrisch zu dem Paar von Durchkontaktierungen angeordnet ist und mit diesem in Kontakt steht, wobei das erste Paar von Kontaktflächen das erste Paar von leitfähigen Signalpfaden mit dem Paar von Durchkontaktierungen verbindet, wobei das erste Paar von leitfähigen Signalpfaden das Paar von Anti-Kontaktflächen kreuzt; und ein zweites Paar von Kontaktflächen, das auf der zweiten Schicht und konzentrisch zu dem Paar von Durchkontaktierungen angeordnet ist und mit diesem in Kontakt steht, wobei das zweite Paar von Kontaktflächen das zweite Paar von leitfähigen Signalpfaden mit dem Paar von Durchkontaktierungen verbindet, wobei das erste Paar von leitfähigen Signalpfaden das Paar von Anti-Kontaktflächen kreuzt, wobei jede Kontaktfläche einen Radius besitzt, der kleiner als ein Radius jeder Anti-Kontaktfläche ist.
- Leiterplatte nach Anspruch 1, wobei die Vielzahl von Schichten eine Vielzahl von Signalschichten und eine Vielzahl von Stromversorgungs-/Masseschichten umfasst, wobei sich die Signalschichten mit den Stromversorgungs-/Masseschichten abwechseln, so dass keine zwei Signalschichten einander unmittelbar benachbart sind und keine zwei Stromversorgungs-/Masseschichten einander unmittelbar benachbart sind, wobei es sich bei der ersten Schicht und der zweiten Schicht jeweils um eine der Signalschichten handelt, und wobei es sich bei jeder Stromversorgungs-/Masseschicht um eine Stromversorgungsschicht oder um eine Masseschicht handelt.
- Verfahren, das Folgendes umfasst: Bereitstellen einer Leiterplatte mit einer Vielzahl von Schichten, einem Paar von Durchkontaktierungen, die mit einem leitfähigen Material gefüllt sind und sich durch die Schichten erstrecken, einem ersten Paar leitfähiger Signalpfade und einem zweiten Paar leitfähiger Signalpfade; wobei die Schichten eine erste Schicht, eine zweite Schicht unter der ersten Schicht und eine untere Schicht beinhalten; wobei das erste Paar von leitfähigen Pfaden mit dem Paar von Durchkontaktierungen innerhalb der ersten Schicht verbunden ist und das zweite Paar von leitfähigen Pfaden mit dem Paar von Durchkontaktierungen innerhalb der zweiten Schicht verbunden ist; wobei das Paar von Durchkontaktierungen ein Paar von Durchkontaktierungsüberständen aufweist, die zwischen der zweiten Schicht und der unteren Schicht festgelegt sind; ein differenzielles Signal, das zwischen dem ersten Paar leitfähiger Signalpfade und dem zweiten Paar leitfähiger Signalpfade über das Paar von Durchkontaktierungen zu übertragen ist; und Ausbilden eines oder mehrerer Löcher zumindest teilweise durch die Schichten und angeordnet zwischen dem Paar von Durchkontaktierungen, wobei die Löcher eine niedrigere Dielektrizitätskonstante als die Schichten aufweisen, um eine Resonanzfrequenz des Paares von Durchkontaktierungsüberständen auf Werte außerhalb der Frequenz des differenziellen Signals zu erhöhen.
- Verfahren nach Anspruch 11, wobei das Ausbilden der Löcher ein Laserbohren der Löcher umfasst.
- Verfahren nach Anspruch 11, wobei sich die Löcher vollständig durch die Schichten erstrecken.
- Verfahren nach Anspruch 11, wobei die Löcher nicht mit Material gefüllt sind, so dass sich Umgebungsluft innerhalb der Löcher befindet.
- Verfahren nach Anspruch 11, wobei jedes der Löcher einen Radius besitzt, der kleiner ist als ein Radius jeder Durchkontaktierung.
- Verfahren nach Anspruch 11, wobei die Löcher entlang einer Linie zwischen Mittelpunkten des Paares von Durchkontaktierungen positioniert sind.
- Verfahren nach Anspruch 11, wobei die Löcher Folgendes umfassen: eine Vielzahl von ersten Löchern, die entlang einer ersten Kurve um eine erste Durchkontaktierung des Paares von Durchkontaktierungen herum positioniert sind; und eine Vielzahl von zweiten Löchern, die entlang einer zweiten Kurve um eine zweite Durchkontaktierung des Paares von Durchkontaktierungen herum positioniert sind.
- Verfahren nach Anspruch 11, wobei jeder Durchkontaktierungsüberstand eine Übertragungsleitungsantenne darstellt, welche die Resonanzfrequenz besitzt.
- Elektronische Einheit, die Folgendes umfasst: ein oder mehrere elektrische Bauteile; und eine Leiterplatte wie in einem der Ansprüche 1 bis 10 beansprucht, auf, an oder innerhalb der jedes elektrische Bauteil montiert ist.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US12/770,691 US8542494B2 (en) | 2010-04-29 | 2010-04-29 | Circuit board having holes to increase resonant frequency of via stubs |
US12/770,691 | 2010-04-29 | ||
PCT/EP2011/056464 WO2011134902A1 (en) | 2010-04-29 | 2011-04-21 | Circuit board having layers interconnected by conductive vias |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE112011101471T5 true DE112011101471T5 (de) | 2013-03-07 |
Family
ID=44064736
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE112011101471T Pending DE112011101471T5 (de) | 2010-04-29 | 2011-04-21 | Leiterplatte mit durch leitfähige Durchkontaktierungen verbundenen Schichten |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8542494B2 (de) |
CN (1) | CN102860140B (de) |
DE (1) | DE112011101471T5 (de) |
GB (1) | GB2493681B (de) |
WO (1) | WO2011134902A1 (de) |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100721743B1 (ko) * | 1997-09-26 | 2007-08-16 | 산젠 가꼬 가부시키가이샤 | 적층필름 |
US8889999B2 (en) * | 2011-10-24 | 2014-11-18 | Cisco Technology, Inc. | Multiple layer printed circuit board with unplated vias |
CN103260348B (zh) * | 2013-04-01 | 2016-02-10 | 广州兴森快捷电路科技有限公司 | 高速pcb板以及差分过孔阻抗控制方法 |
CN104219871A (zh) * | 2013-06-05 | 2014-12-17 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 印刷电路板 |
TW201448679A (zh) * | 2013-06-05 | 2014-12-16 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | 印刷電路板 |
US9560741B2 (en) | 2013-10-10 | 2017-01-31 | Curtiss-Wright Controls, Inc. | Circuit board via configurations for high frequency signaling |
US9955568B2 (en) * | 2014-01-24 | 2018-04-24 | Dell Products, Lp | Structure to dampen barrel resonance of unused portion of printed circuit board via |
US10259078B2 (en) | 2015-06-30 | 2019-04-16 | Motorola Mobility Llc | Antenna structure and methods for changing an intrinsic property of a substrate material of the antenna structure |
CN108124390A (zh) * | 2016-11-30 | 2018-06-05 | 中兴通讯股份有限公司 | 过孔反焊盘的布设方法、装置、pcb及过孔反焊盘制造装置 |
US10470311B2 (en) | 2017-09-28 | 2019-11-05 | Juniper Networks, Inc. | Clearance size reduction for backdrilled differential vias |
US10477672B2 (en) * | 2018-01-29 | 2019-11-12 | Hewlett Packard Enterprise Development Lp | Single ended vias with shared voids |
CN111050493B (zh) * | 2018-10-12 | 2022-10-11 | 中兴通讯股份有限公司 | 过孔反焊盘形状的确定方法及印刷电路板 |
US11564316B2 (en) | 2018-11-29 | 2023-01-24 | Lockheed Martin Corporation | Apparatus and method for impedance balancing of long radio frequency (RF) via |
US20190116668A1 (en) * | 2018-12-21 | 2019-04-18 | Intel Corporation | Differential via with per-layer void |
CN109890130A (zh) * | 2019-03-29 | 2019-06-14 | 苏州浪潮智能科技有限公司 | 一种印刷电路板 |
CN112235949A (zh) * | 2020-10-16 | 2021-01-15 | 苏州浪潮智能科技有限公司 | 一种印刷电路板设计中差分过孔的挖洞方法、装置及设备 |
CN112751157B (zh) * | 2020-12-28 | 2022-07-22 | 北京小米移动软件有限公司 | 天线组件和终端 |
US20220252660A1 (en) * | 2021-02-11 | 2022-08-11 | R & D Circuits, Inc. | System and method for detecting defective back-drills in printed circuit boards |
CN113747656B (zh) * | 2021-07-30 | 2023-11-03 | 苏州浪潮智能科技有限公司 | 一种pcb及其差分走线结构 |
Family Cites Families (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6303464B1 (en) | 1996-12-30 | 2001-10-16 | Intel Corporation | Method and structure for reducing interconnect system capacitance through enclosed voids in a dielectric layer |
US5808361A (en) | 1997-02-10 | 1998-09-15 | Advanced Micro Devices, Inc. | Intergrated circuit interconnect via structure having low resistance |
US6369603B1 (en) * | 1997-09-02 | 2002-04-09 | Midwest Research Institute | Radio frequency coupling apparatus and method for measuring minority carrier lifetimes in semiconductor materials |
US6077767A (en) | 1999-09-03 | 2000-06-20 | United Semiconductor Corp. | Modified implementation of air-gap low-K dielectric for unlanded via |
US6941649B2 (en) | 2002-02-05 | 2005-09-13 | Force10 Networks, Inc. | Method of fabricating a high-layer-count backplane |
JP4059085B2 (ja) | 2003-01-14 | 2008-03-12 | 松下電器産業株式会社 | 高周波積層部品およびその製造方法 |
US6845492B1 (en) | 2003-02-13 | 2005-01-18 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Signal via impedance adjustment tool |
US20040187297A1 (en) | 2003-03-27 | 2004-09-30 | E Touch Corporation | Method of fabricating a polymer resistor in an interconnection via |
WO2004107830A1 (ja) | 2003-06-02 | 2004-12-09 | Nec Corporation | プリント回路基板用コンパクトビア伝送路およびその設計方法 |
JP3905546B2 (ja) * | 2003-06-09 | 2007-04-18 | 富士通株式会社 | プリント基板およびプリント基板ユニット |
TWI247560B (en) * | 2003-11-13 | 2006-01-11 | Via Tech Inc | Signal transmission structure |
US7057115B2 (en) | 2004-01-26 | 2006-06-06 | Litton Systems, Inc. | Multilayered circuit board for high-speed, differential signals |
US6981239B2 (en) | 2004-04-29 | 2005-12-27 | Dell Products L.P. | Method, system and apparatus for constructing resistive vias |
US7053729B2 (en) * | 2004-08-23 | 2006-05-30 | Kyocera America, Inc. | Impedence matching along verticle path of microwave vias in multilayer packages |
US7501586B2 (en) * | 2004-10-29 | 2009-03-10 | Intel Corporation | Apparatus and method for improving printed circuit board signal layer transitions |
US20060185890A1 (en) | 2005-02-22 | 2006-08-24 | Litton Uk Limited | Air void via tuning |
JP4371065B2 (ja) * | 2005-03-03 | 2009-11-25 | 日本電気株式会社 | 伝送線路、通信装置及び配線形成方法 |
US7291790B2 (en) | 2005-05-02 | 2007-11-06 | Cisco Technology, Inc. | Apertures for signal shaping using ground and signal PTH back-drilling |
US7492146B2 (en) | 2005-05-16 | 2009-02-17 | Teradyne, Inc. | Impedance controlled via structure |
US7457132B2 (en) * | 2005-10-20 | 2008-11-25 | Sanmina-Sci Corporation | Via stub termination structures and methods for making same |
US7579925B2 (en) * | 2005-11-10 | 2009-08-25 | Teradata Us, Inc. | Adjusting a characteristic of a conductive via stub in a circuit board |
JP4834385B2 (ja) | 2005-11-22 | 2011-12-14 | 株式会社日立製作所 | プリント基板および電子装置 |
US7375290B1 (en) * | 2006-10-11 | 2008-05-20 | Young Hoon Kwark | Printed circuit board via with radio frequency absorber |
US7999192B2 (en) * | 2007-03-14 | 2011-08-16 | Amphenol Corporation | Adjacent plated through holes with staggered couplings for crosstalk reduction in high speed printed circuit boards |
US20090049414A1 (en) * | 2007-08-16 | 2009-02-19 | International Business Machines Corporation | Method and system for reducing via stub resonance |
US20090159326A1 (en) * | 2007-12-19 | 2009-06-25 | Richard Mellitz | S-turn via and method for reducing signal loss in double-sided printed wiring boards |
CN101594729B (zh) * | 2008-05-27 | 2012-06-20 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 一种可补偿过孔残端电容特性的电路板 |
US8830690B2 (en) | 2008-09-25 | 2014-09-09 | International Business Machines Corporation | Minimizing plating stub reflections in a chip package using capacitance |
-
2010
- 2010-04-29 US US12/770,691 patent/US8542494B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-04-21 CN CN201180018633.XA patent/CN102860140B/zh active Active
- 2011-04-21 GB GB1221450.8A patent/GB2493681B/en active Active
- 2011-04-21 WO PCT/EP2011/056464 patent/WO2011134902A1/en active Application Filing
- 2011-04-21 DE DE112011101471T patent/DE112011101471T5/de active Pending
-
2013
- 2013-05-16 US US13/895,675 patent/US9119334B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8542494B2 (en) | 2013-09-24 |
CN102860140A (zh) | 2013-01-02 |
US20110267783A1 (en) | 2011-11-03 |
GB2493681B (en) | 2014-01-08 |
GB2493681A (en) | 2013-02-13 |
US20130248236A1 (en) | 2013-09-26 |
WO2011134902A1 (en) | 2011-11-03 |
US9119334B2 (en) | 2015-08-25 |
CN102860140B (zh) | 2016-05-04 |
GB201221450D0 (en) | 2013-01-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE112011101471T5 (de) | Leiterplatte mit durch leitfähige Durchkontaktierungen verbundenen Schichten | |
DE112004000399B4 (de) | Endnahe Übersprechen-Kompensation bei Vielfach-Stufen | |
DE102008003689B4 (de) | Elektromagnetische Bandlückenstruktur und Leiterplatte | |
DE102006056001B4 (de) | Konfektionierbarer Rundsteckverbinder für Ethernet | |
DE69915874T2 (de) | Gedruckte leiterplatte und verfahren zu deren herstellung | |
DE112006000862B4 (de) | Induktor | |
DE102008032979B4 (de) | Elektromagnetische Bandgap-Struktur, diese umfassende Leiterplatte und Herstellungsverfahren | |
DE102008003687B4 (de) | Elektromagnetische Bandlückenstruktur und Leiterplatte | |
DE112005002368T5 (de) | Eine Vorrichtung und ein Verfahren zum Verbessern der Signalebenenübergänge bei gedruckten Schaltkarten | |
DE102008002425A1 (de) | Elektromagnetische Bandabstandstruktur und Leiterplatte | |
WO2003086033A1 (de) | Leiterplatte sowie verfahren zu ihrer herstellung | |
DE112012003725T5 (de) | Durchgangslochstruktur zum Übertragen differentieller Signale | |
DE102004045719B4 (de) | Gedruckte-Schaltungsplatine-Testzugangspunktstrukturen und Verfahren zum Herstellen derselben | |
DE112013003806T5 (de) | Mehrschichtige Übertragungsleitungen | |
DE112013003928T5 (de) | Elektrischer Verbinder und leitfähige Anschlussbaugruppe damit | |
DE102008045055A1 (de) | Elektromagnetische Bandgap-Struktur und Leiterplatte | |
DE102008002568A1 (de) | Elektromagnetische Bandabstandstruktur und Leiterplatte | |
DE102012020477A1 (de) | Gedruckte Schaltung und elektronische Vorrichtung mit der gedruckten Schaltung | |
DE102004029977A1 (de) | Schaltungsplatine und Verfahren, bei dem die Impedanz eines Übertragungswegs durch ein Verändern zumindest einer Öffnung in einer naheliegenden leitfähigen Ebene ausgewählt wird | |
DE69828900T2 (de) | Verbindungslochkonfigurationzurunterstützung einer gleichmässigen übertragungsleitungsstruktur | |
DE112017007145T5 (de) | Zwischenplattenverbindungsstruktur | |
EP2290753A1 (de) | Steckverbinder und Multilayerplatine | |
DE112005000559T5 (de) | Vorrichtung zur Maximierung der Kapazität pro Flächeneinheit bei gleichzeitiger Minimierung der Signalverzögerung in Leiterplatten | |
DE60320446T2 (de) | Schaltung, die ein Differenzsignal abgreift | |
DE102019128915A1 (de) | Verbund-durchkontaktierungs-hf-übergangsstruktur in einer mehrschichtigen hochdichten verschaltung |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R012 | Request for examination validly filed | ||
R082 | Change of representative |
Representative=s name: SCHWEIGER & PARTNER, DE |
|
R082 | Change of representative |
Representative=s name: SCHWEIGER & PARTNER, DE |
|
R081 | Change of applicant/patentee |
Owner name: LENOVO ENTERPRISE SOLUTIONS (SINGAPORE) PTE. L, SG Free format text: FORMER OWNER: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION, ARMONK, N.Y., US Effective date: 20150113 |
|
R082 | Change of representative |
Representative=s name: SCHWEIGER & PARTNERS, DE Effective date: 20150113 Representative=s name: SCHWEIGER & PARTNERS, DE Effective date: 20141021 Representative=s name: SCHWEIGER & PARTNER, DE Effective date: 20141021 Representative=s name: SCHWEIGER & PARTNER, DE Effective date: 20150113 |
|
R016 | Response to examination communication | ||
R082 | Change of representative |
Representative=s name: GRUENECKER PATENT- UND RECHTSANWAELTE PARTG MB, DE |