JP2001237547A - 配線基板及び配線基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 接続パッドが形成される配線基板につき、設
計の自由度が高い配線基板を提供すること。 【解決手段】 配線基板１は、ビア導体２５と、これと
電気的に接続する接続パッド２６と、ビア導体２５の近
傍に位置しこのビア導体２５とは絶縁する層間導体１９
Ｐ１等とを備える。ビア導体２５の一部は接続パッド２
６に含まれている。そして、接続パッド２６のパッド中
心軸２６Ｊから最近層間導体１９Ｐ１Ｓまでの距離Ｋ１
よりも、ビア導体２５のビア中心軸２５Ｊから最近層間
導体１９Ｐ１Ｓまでの距離Ｋ２の方が大きくされてい
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ＩＣチップや基板
等を接続させるための接続パッドが形成された配線基板
に関し、特に、その接続パッド及びその近傍の構造に関
する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、ＩＣチップや基板等を接続さ
せるための接続パッドが形成された配線基板が知られて
いる。例えば、図６（ａ）に部分拡大平面図、図６
（ｂ）に部分拡大断面図を示す配線基板１０１が挙げら
れる。この配線基板１０１は、第１絶縁層１０３と、そ
の上に積層された第２絶縁層１０５と、さらにその上に
積層され、基板外表面１０１Ａを形成する第３絶縁層１
０７とを備える。

【０００３】第１絶縁層１０３と第２絶縁層１０５との
層間には、配線やパッド等の第１導体層１０９が形成さ
れている。また、第２樹脂絶縁層１０５内には、第１導
体層１０９と接続するビア導体１１１が形成されてい
る。また、第２絶縁層１０５上には、ビア導体１１１と
接続する接続配線１１３及び接続パッド１１５等の第２
導体層１１７が形成されている。そして、第２導体層１
１７のうち接続パッド１１５の中央部は、第３絶縁層１
０７に形成された開口１０７Ｋ内に露出している。

【０００４】また、接続パッドが形成された他の配線基
板として、図７（ａ）に部分拡大平面図、図７（ｂ）に
部分拡大断面図を示す配線基板２０１も知られている。
この配線基板２０１は、上記の配線基板１０１と同様
に、第１絶縁層２０３と、第２絶縁層２０５と、基板外
表面２０１Ａを形成する第３絶縁層２０７とを備える。
第１絶縁層２０３と第２絶縁層２０５との間には、第１
導体層２０９が形成され、また、第２絶縁層２０５内に
は、ビア導体２１１が形成されているが、第２絶縁層２
０５上には、このビア導体２１１全体を含み、そのパッ
ド中心軸２１５Ｊがビア導体２１１のビア中心軸２１１
Ｊと略一致した接続パッド２１５が形成されている。そ
して、この接続パッド２１５の中央部は、第３絶縁層２
０７の開口２０７Ｋ内に露出している。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところで、配線基板の
設計においては、最初に、搭載するＩＣチップの端子等
の位置を考慮して、配線基板に接続パッドの位置が決め
られ、その後、配線やパッド等の導体層等が設計される
のが一般的である。従って、接続配線１１３を介して接
続パッド１１５とビア導体１１１と接続した図６に示す
形態とすることができるのは、位置決めされた接続パッ
ド１１５からある程度離れた位置にビア導体１１１を形
成することができる場合である。一方、接続パッド２１
５のパッド中心軸とビア導体２１１のビア中心軸とが略
一致した図７に示す形態とすることができるのは、位置
決めされた接続パッド２１５のパッド中心軸と略一致す
る位置に、ビア導体２１１を形成することができる場合
である。

【０００６】しかしながら、近年、配線やビア導体など
の導体間隙の狭小化が進むにつれ、ビア導体１１１，２
１１と、これとは絶縁される第１導体層１０９Ｐ，２０
９Ｐとの絶縁間隔を確保することを考えると、上述した
接続パッド１１５，２１５の形態のみでは、配線基板の
設計が困難な場合がある。即ち、図６に示す接続パッド
１１５のように、接続配線１１３をビア導体１１１との
間に設ける距離的余裕もなければ、図７に示す接続パッ
ド２１５のように、接続パッド２１５とビア導体２１１
とを同じ位置（略同軸となる位置）に形成することも困
難な場合である。また、配線基板の電気的な特性を向上
させるために、接続パッドとビア導体との距離を短くす
ることを考えると、図６に示す接続パッド１１５のよう
に、接続配線１１３を介在させたくない場合もある。

【０００７】本発明はかかる現状に鑑みてなされたもの
であって、接続パッドが形成されるる配線基板につき、
設計の自由度が高い配線基板を提供することを目的とす
る。

【０００８】

【課題を解決するための手段、作用及び効果】その解決
手段は、第１絶縁層と、上記第１絶縁層上に積層された
第２絶縁層と、上記第２絶縁層上に積層され基板外表面
を形成する第３絶縁層と、上記第２絶縁層を貫通するビ
ア導体と、上記第２絶縁層上に形成され、上記ビア導体
と電気的に接続し、上記第３絶縁層を貫通して形成され
た開口内に少なくとも一部が露出する接続パッドと、上
記第１絶縁層と第２絶縁層との層間に形成され、上記ビ
ア導体の近傍に位置し、このビア導体とは絶縁する層間
導体と、を備え、上記ビア導体の少なくとも一部が上記
接続パッドに含まれ、かつ、上記接続パッドのパッド中
心軸から上記層間導体のうち上記パッド中心軸に最も近
い最近層間導体までの距離よりも、上記ビア導体のビア
中心軸から上記最近層間導体までの距離の方が大きい配
線基板である。

【０００９】上述したように、ビア導体とこれとは絶縁
する層間導体との絶縁間隔を確保することを考えると、
従来の接続パッド及びビア導体の形態（図６及び図７参
照）のみでは、配線基板の設計が困難な場合がある。即
ち、所定の位置に接続パッドを形成しようとすると、従
来の２つの形態だけでは、ビア導体や層間導体を上手く
配置・形成できない場合がある。また、配線基板の電気
的な特性を向上させるために、接続パッドとビア導体と
の距離をできる限り短くしたい場合もある。

【００１０】これに対し、本発明では、ビア導体の少な
くとも一部を接続パッドに含ませつつ、パッド中心軸か
ら最近層間導体までの距離よりも、ビア中心軸から最近
層間導体までの距離の方が大きくされた形態の接続パッ
ド及びビア導体が形成されている。即ち、ビア導体を接
続パッドに直接接続させつつ、ビア導体を最近層間導体
から遠ざけるようにずらして形成した形態の接続パッド
及びビア導体が形成されている。

【００１１】このため、ビア導体と最近層間導体との間
の距離を大きくとることができるので、ビア導体と最近
層間導体との絶縁を十分に確保することができる。ま
た、ビア導体と接続パッドとが直接接続されているの
で、これらを接続配線を介して接続する場合に比して、
配線基板の電気的な特性を向上させることもできる。従
って、このような形態の接続パッド及びビア導体を設け
ることにより、配線基板の設計の自由度が従来よりも大
きくなる。

【００１２】ここで、接続パッドとしては、例えば、接
続パッドの一部（例えば周縁）が第３絶縁層に覆われ、
残りの一部（例えば中央部）が開口内に露出するものの
他、接続パッド全体が第３絶縁層の開口内に露出するも
のであっても良い。また、層間導体としては、第１絶縁
層と第２絶縁層の層間に形成された導体であればよく、
配線層の他、ビア受けパッドやベタ層などが挙げられ
る。

【００１３】さらに、上記の配線基板であって、前記ビ
ア導体は、上面が略平坦なフィルドビアである配線基板
とすると良い。

【００１４】ビア導体が、その中央が凹んだ椀状ビア
等、その上面が平坦でない場合において、ビア導体の一
部または全体が開口内に露出したものでは、接続パッド
上にハンダバンプを形成したり、ＩＣチップの端子等を
接続したりする際に、ビア導体の凹み等に起因して、ハ
ンダ中にボイドが発生しやすい。また、このようなビア
導体の一部または全体が第３絶縁層に覆われたもので
は、ビア導体の凹み等に起因して、第３絶縁層の表面が
凹み、開口の形状が歪むなどの不具合や、第３絶縁層に
開口を上手く形成することができないなどの不具合を生
じることがある。

【００１５】これに対し、本発明の配線基板は、ビア導
体が上面が略平坦なフィルドビアであるので、ハンダ中
にボイドを生じることなく、接続パッド上にハンダバン
プを形成したり、ＩＣチップの端子等を接続したりする
ことができる。また、第３絶縁層及びこれを貫通する開
口が確実に形成されているので、信頼性が高くなってい
る。ここで、フィルドビアとしては、メッキにより充填
して形成したものや、上面中央に凹みを有する椀状ビア
内に、導電性樹脂等を充填して形成したものなどが挙げ
られる。

【００１６】さらに、前記の配線基板であって、前記ビ
ア導体は、上面が略平坦なフィルドビアであり、前記第
３絶縁層は、ビルドアップ樹脂絶縁層であり、前記第３
絶縁層の前記開口を厚さ方向に投影した領域に、前記第
２絶縁層のビア導体用貫通孔の一部が含まれる配線基板
とすると良い。

【００１７】第３絶縁層がビルドアップ樹脂絶縁層であ
るため、第２絶縁層上に第３絶縁層を積層し、開口を形
成する際、ビア導体が椀状ビア等である場合には、椀状
ビア等の一部が第３絶縁層の開口内に露出し、開口の底
面、特に底面のうち周縁部分が凹むことになるので、第
３絶縁層に開口を形成しにくい場合がある。これに対
し、本発明では、ビア導体が上面が略平坦なフィルドビ
アであるので、開口の底面は、凹みなどがなく平坦であ
る。従って、第３絶縁層及びこれを貫通する開口が確実
に形成されているので、配線基板の信頼性が高くなって
いる。さらに、開口の底面が平坦であるため、接続パッ
ド上にハンダバンプを形成したり、ＩＣチップの端子等
を接続したりする際に、ハンダ中にボイドが発生しにく
く、信頼性が向上する。

【００１８】また、他の解決手段は、第１絶縁層と、上
記第１絶縁層上に積層された第２絶縁層と、上記第２絶
縁層上に積層され基板外表面を形成する第３絶縁層と、
上記第２絶縁層を貫通する第１ビア導体と、上記第２絶
縁層を貫通し、上記第１ビア導体と隣り合う第２ビア導
体と、上記第２絶縁層上に形成され、上記第１ビア導体
と電気的に接続し、上記第３絶縁層を貫通して形成され
た第１開口内に少なくとも一部が露出する第１接続パッ
ドと、上記第２絶縁層上に形成され、上記第２ビア導体
と電気的に接続し、上記第３絶縁層を貫通して形成され
た第２開口内に少なくとも一部が露出する第２接続パッ
ドと、上記第１絶縁層と第２絶縁層との層間に形成さ
れ、上記第１ビア導体と第２ビア導体との間に位置し、
これら第１ビア導体及び第２ビア導体とは絶縁する層間
導体と、を備え、上記第１ビア導体と第１接続パッドの
組、及び、上記第２ビア導体と第２接続パッドの組のう
ち、少なくともいずれかは、ビア導体の少なくとも一部
が接続パッドに含まれ、かつ、接続パッドのパッド中心
軸から上記層間導体までの距離よりも、ビア導体のビア
中心軸から上記層間導体までの距離の方が大きい配線基
板である。

【００１９】第１ビア導体と第２ビア導体との間に、こ
れらとは絶縁する層間導体がある場合には、この層間導
体から両方のビア導体までの絶縁間隔をそれぞれ確保す
ることを考えると、従来の接続パッド及びビア導体の形
態のみでは、配線基板の設計が困難な場合がある。即
ち、所定の位置に接続パッドを形成しようとすると、従
来の２つの形態だけでは、ビア導体同士の間に層間導体
を上手く配置・形成できない場合がある。また、配線基
板の電気的な特性を向上させるために、接続パッドとビ
ア導体との距離をできる限り短くしたい場合もある。

【００２０】これに対し、本発明では、少なくとも一方
の接続パッド及びビア導体の形態を、ビア導体の少なく
とも一部を接続パッドに含ませつつ、パッド中心軸から
層間導体までの距離よりも、ビア中心軸から層間導体ま
での距離の方が大きい形態としている。即ち、ビア導体
を接続パッドに直接接続させつつ、ビア導体を層間導体
から遠ざけるようにずらした形態としている。

【００２１】このため、第１ビア導体と第２ビア導体と
の間隔が大きくなるから、これらの間に層間導体を形成
しても、第１ビア導体と層間導体との間隔、及び第２ビ
ア導体と層間導体との間隔を十分にとることができる。
よって、第１ビア導体あるいは第２ビア導体と層間導体
との絶縁を十分に確保することができる。また、このよ
うな形態の接続パッド及びビア導体は、ビア導体と接続
パッドとが直接接続されているので、配線基板の電気的
な特性を向上させることもできる。従って、このような
形態の接続パッドを設けることにより、配線基板の設計
の自由度が従来よりも大きくなる。

【００２２】さらに、上記の配線基板であって、前記第
１ビア導体及び第２ビア導体は、上面が略平坦なフィル
ドビアである配線基板とすると良い。

【００２３】本発明では、第１ビア導体及び第２ビア導
体は、その上面が略平坦なフィルドビアであるので、ハ
ンダ内にボイドを生じることなく、接続パッド上にハン
ダバンプを形成したり、ＩＣチップの端子等を接続した
りすることができる。また、第３絶縁層や第３絶縁層を
貫通する開口が確実に形成されているので、配線基板の
信頼性が高い。

【００２４】また、他の解決手段は、第１絶縁層と、上
記第１絶縁層上に積層された第２絶縁層と、上記第２絶
縁層をそれぞれ貫通する第１ビア導体、第２ビア導体、
及び第３ビア導体と、上記第２絶縁層上に所定間隔で並
んで形成された接続パッドであって、上記第１ビア導体
を含み、かつ、その第１パッド中心軸が上記第１ビア導
体のビア中心軸と略一致する第１接続パッド、上記第２
ビア導体の少なくとも一部を含み、かつ、その第２パッ
ド中心軸と上記第２ビア導体のビア中心軸とがずれてい
る第２接続パッド、及び、上記第３ビア導体を含み、か
つ、その第３パッド中心軸が上記第３ビア導体のビア中
心軸と略一致する第３接続パッド、を含む接続パッド
と、上記第１絶縁層と第２絶縁層との層間に形成され、
上記第１ビア導体、第２ビア導体及び第３ビア導体のい
ずれとも絶縁する少なくとも１以上の層間配線と、を備
え、上記第２ビア導体は、この第２ビア中心軸が上記第
２パッド中心軸に対して上記第３ビア導体側にずれて形
成されており、上記第１ビア導体と第２ビア導体との間
には、上記層間配線が形成され、上記第２ビア導体と第
３ビア導体との間には、上記層間配線が形成されてない
か、上記第１ビア導体と第２ビア導体との間よりも少な
い本数形成されている配線基板である。

【００２５】接続パッドを所定の間隔で並べ、これらの
接続パッドと接続するビア導体同士の間に層間配線を通
したい場合には、この層間配線からビア導体までの絶縁
間隔をそれぞれ確保することを考えると、従来の接続パ
ッド及びビア導体の形態のみでは、配線基板の設計が困
難な場合がある。即ち、所定間隔で所定位置に接続パッ
ドを形成しようとすると、従来の形態だけでは、ビア導
体同士の間に層間配線を形成することができなかった
り、あるいは必要な本数の層間配線を形成することがで
きない場合がある。

【００２６】これに対し、本発明では、真中に位置する
第２ビア導体の少なくとも一部を、これに対応した第２
接続パッドに含ませつつ、第２ビア中心軸（第２ビア導
体）を第３ビア導体側にずらして形成した形態の第２接
続パッド及び第２ビア導体が形成されている。従って、
第１ビア導体と第２ビア導体との間隔が広く、第２ビア
導体と第３ビア導体との間隔が狭くなる。このため、第
１ビア導体と第２ビア導体との間に、十分な絶縁間隔を
とって層間配線を形成することができ、あるいは、第２
ビア導体と第３ビア導体との間に形成する層間配線より
も、多くの本数の層間配線を形成することができる。ま
た、このような形態の第２接続パッド及び第２ビア導体
は、第２接続パッドと第２ビア導体とが直接接続されて
いるので、配線基板の電気的な特性を向上させることも
できる。よって、このような形態の第２接続パッド及び
第２ビア導体を設けることにより、より多くの配線を容
易に引き回すことができるようになり、配線基板の設計
の自由度が従来よりも大きくなる。

【００２７】また、他の解決手段は、第１樹脂絶縁層
と、上記第１樹脂絶縁層上に積層された第２樹脂絶縁層
と、上記第２樹脂絶縁層上に積層され基板外表面を形成
する第３樹脂絶縁層と、上記第２樹脂絶縁層を貫通する
貫通孔内に形成されたビア導体と、上記第２樹脂絶縁層
上に形成され、上記ビア導体と電気的に接続し、上記第
３樹脂絶縁層を貫通して形成された開口内に少なくとも
一部が露出する接続パッドと、を備え、上記ビア導体の
少なくとも一部が接続パッドに含まれ、かつ、上記接続
パッドのパッド中心軸と上記ビア導体のビア中心軸とが
ずれている配線基板の製造方法であって、上記第１樹脂
絶縁層と上記貫通孔が形成された上記第２樹脂絶縁層と
を有する基板のうち、上記貫通孔に上面が略平坦なフィ
ルドビアである上記ビア導体を、及び、上記第２樹脂絶
縁層上に上記接続パッドを、形成するビア・パッド形成
工程と、上記基板上に、上記開口を有する上記第３樹脂
絶縁層を形成する第３絶縁層形成工程であって、上記開
口を厚さ方向に投影した領域に上記貫通孔の一部が含ま
れる位置に、上記開口を形成する第３絶縁層形成工程
と、を備える配線基板の製造方法である。

【００２８】本発明によれば、ビア・パッド形成工程に
おいて、上面が略平坦なフィルドビアであるビア導体を
形成する。そして、第３絶縁層形成工程において、開口
を厚さ方向に投影した領域内に、ビア導体を形成した貫
通孔の一部が含まれる位置に、開口を形成する。このた
め、ビア導体が椀状ビア等である場合には、椀状ビア等
の一部が開口内に露出し、開口の底面のうち周縁部分が
凹むことになるが、本発明では、ビア導体がフィルドビ
アであるために、開口の底面が略平坦となる。従って、
第３絶縁層に開口を確実に形成することができる。さら
に、開口の底面が平坦であるため、接続パッド上にハン
ダバンプを形成したり、ＩＣチップの端子等を接続する
場合に、ハンダ中にボイドが発生しにくくなり、信頼性
の高い配線基板を製造することができる。

【００２９】

【発明の実施の形態】（実施形態１）以下、本発明の実
施の形態を、図面を参照しつつ説明する。本実施形態の
配線基板１について、図１（ａ）に部分拡大平面図を、
図１（ｂ）に部分拡大断面図を示す。この配線基板１
は、その中心に略板形状のコア基板（第１絶縁層）３を
備える。コア基板３の主面３Ａ上には、主面側第１樹脂
絶縁層（第２絶縁層）５が積層され、さらにその上に
は、基板外表面１Ａを形成する主面側第２樹脂絶縁層
（第３絶縁層）７が積層されている。同様に、コア基板
３の裏面３Ｂ上には、裏面側第１樹脂絶縁層９が積層さ
れ、さらにその上には、裏面側第２樹脂絶縁層１１が積
層されている。

【００３０】このうちコア基板３には、その主面３Ａと
裏面３Ｂとの間を貫通する略円筒状のコア貫通孔１３が
多数形成されている。このコア貫通孔１３内には、その
内周面に沿って、略円筒状のスルーホール導体１５が形
成され、さらに、その内部には、樹脂充填体１７が充填
されている。また、コア基板３と主面側第１樹脂絶縁層
５との層間には、スルーホール導体１５と接続する配線
１９やパッド２０等の主面側第１導体層２１が形成され
ている。同様に、コア基板３と裏面側第１樹脂絶縁層９
との層間にも、スルーホール導体１５と接続する配線や
パッド等の裏面側第１導体層２３が形成されている。

【００３１】主面側第１樹脂絶縁層５内には、この絶縁
層５を貫通し、主面側第１導体層２１と接続する第１ビ
ア導体２５（図中で真中のビア導体）、第２ビア導体２
７（図中で右側のビア導体）、及び第３ビア導体２９
（図中で左側のビア導体）がそれぞれ多数形成されてい
る。一方、裏面側第１樹脂絶縁層９内には、この絶縁層
９を貫通し、裏面側第１導体層２３と接続する裏面側ビ
ア導体３５が多数形成されている。なお、本実施形態の
ビア導体は、いずれも、Ｃｕメッキにより充填して形成
されてなり、その上面が略平坦なフィルドビアである。

【００３２】ここで、本実施形態では、主面側第１導体
層２１の配線１９のうち、図中に示す第１ビア導体２５
と第２ビア導体２７との間に位置し、これらとは絶縁さ
れた配線１９を層間配線（層間導体）１９Ｐ１とし、図
中に示す第１ビア導体２５と第３ビア導体２９との間に
位置し、これらとは絶縁された配線１９を層間配線１９
Ｐ２とする。なお、これらの層間配線１９Ｐ１，１９Ｐ
２は、図中に示すように、第１ビア導体２５、第２ビア
導体２７または第３ビア導体２９の近傍に位置する配線
である。

【００３３】主面側第１樹脂絶縁層５と主面側第２樹脂
絶縁層７との層間には、第１ビア導体２５、第２ビア導
体２７及び第３ビア導体２９と接続する主面側第２導体
層３３が形成されている。この主面側第２導体層３３
は、第１ビア導体２５の上部の一部を含む第１接続パッ
ド２６と、第２ビア導体２７の上部全体を含む第２接続
パッド２８と、第３ビア導体２９に接続配線３０を介し
て繋がった第３接続パッド３１と有する。そして、これ
ら第１接続パッド２６、第２接続パッド２８及び第３接
続パッド３１の中央部は、この配線基板１に搭載するＩ
Ｃチップを接続するため、主面側第２樹脂絶縁層７を貫
通して形成された開口７Ｋ内にそれぞれ露出している。

【００３４】裏面側第１樹脂絶縁層９と裏面側第２樹脂
絶縁層１１との層間には、裏面側ビア導体３５と接続す
る配線や接続パッド３７等からなる裏面側第２導体層３
９が形成されている。そして、このうち接続パッド３７
の中央部は、この配線基板１を他の基板に接続するた
め、裏面側第２樹脂絶縁層１１に形成された開口１１Ｋ
内に露出している。

【００３５】ここで、各接続パッド及びビア導体の形態
について説明する。即ち、第１接続パッド２６は、上記
のように、フィルドビアである第１ビア導体２５の上部
の一部を含んでいる。そして、第１接続パッド２６のパ
ッド中心軸２６Ｊから、層間配線１９Ｐ１，１９Ｐ２の
うちパッド中心軸２６Ｊに最も近い最近層間配線１９Ｐ
１Ｓまでの距離Ｋ１よりも、第１ビア導体２５の第１ビ
ア中心軸２５Ｊからこの最近層間配線（最近層間導体）
１９Ｐ１Ｓまでの距離Ｋ２の方が大きくされている。つ
まり、第１ビア導体２５を第１接続パッド２６に直接接
続させつつ、第１ビア導体２５を最近層間配線１９Ｐ１
Ｓから遠ざけるようにずらして形成してある。また、こ
の第１接続パッド２６及び第１ビア導体２５において
は、主面側第２樹脂絶縁層７の開口７Ｋを厚さ方向に投
影した領域に、第１ビア導体２６が形成された貫通孔５
Ｋの一部が含まれている（図１（ａ）参照）が、第１ビ
ア導体２５はフィルドビアなので、開口７Ｋの底面７Ｋ
Ｃは略平坦となっている。

【００３６】第２接続パッド２８は、フィルドビアであ
る第２ビア導体２７の上部全体を含み、第２ビア導体２
７の第２ビア中心軸２７Ｊと第２接続パッド２８の第２
パッド中心軸２８Ｊとが略一致した形態となっている。
また、第３接続パッド３１は、フィルドビアである第３
ビア導体２９から接続配線３０を介して接続された形態
となっている。

【００３７】このように、第１ビア導体２５は、第１パ
ッド中心軸２６Ｊと第１ビア中心軸２５Ｊとが略一致す
る従来の形態としたならば、接触あるいは極端に絶縁間
隔が小さくなってしまう最近層間配線１９Ｐ１Ｓから遠
ざけられている。このため、第１ビア導体２５と最近層
間配線１９Ｐ１Ｓとの間隔を大きくとることができ、こ
れらの絶縁を十分に確保することができる。さらに、第
１接続パッド２６及び第１ビア導体２５をこのような形
態とすることで、第１ビア導体２５と第２ビア導体２７
との間隔が大きくなっているので、これらの間に形成し
た層間配線１９Ｐ１と、第１ビア導体２５あるいは第２
ビア導体２７との間隔を十分にとることができる。よっ
て、これらの絶縁も十分に確保することができる。

【００３８】しかも、第１ビア導体２５と第１接続パッ
ド２６とは直接接続されているので、これらを接続配線
を介して接続する場合に比して、配線基板１の電気的な
特性を向上させることもできる。従って、このような形
態の第１接続パッド２６及び第１ビア導体２５を設ける
ことにより、配線の引き回し等が容易になり、配線基板
の設計の自由度が大きくなる。

【００３９】次いで、上記配線基板１の製造方法につい
て、図２及び図３を参照しつつ説明する。まず、略板形
状のコア基板３の主面３Ａ及び裏面３Ｂに、銅箔２をそ
れぞれ張り付けた両面銅張コア基板４を用意する（図２
（ａ）参照）。そして、コア貫通孔形成工程において、
図２（ａ）に示すように、両面銅張コア基板４の所定位
置に、ドリルまたはレーザによって、コア貫通孔１３を
多数形成する。

【００４０】次に、第１のメッキ工程において、無電解
メッキを施して、銅箔２上及びコア貫通孔１３の内周面
に、無電解メッキ層を形成し、さらに、電解メッキを施
して、無電解メッキ層上に電解メッキ層を形成する。こ
れにより、銅箔２上にメッキ層が、コア貫通孔１３の内
周面にスルーホール導体１５が形成される（図２（ｂ）
参照）。その後、樹脂充填体形成工程において、このス
ルーホール導体１５内に樹脂ペーストを印刷充填し、加
熱して半硬化させる。そして、両面銅張コア基板４から
膨出した余分な樹脂を研磨除去し、さらに、加熱硬化さ
せて、樹脂充填体１７を形成する（図２（ｂ）参照）。
その後、第１の導体層形成工程において、上記メッキ層
等上に所定パターンのエッチングレジスト層を形成し、
このレジスト層から露出するメッキ層及び銅箔２をエッ
チング除去する。これにより、図２（ｂ）に示すよう
に、コア基板３の主面３Ａ上に主面側第１導体層２１
が、裏面３Ｂ上に裏面側第１導体層２３が形成される。

【００４１】次に、第１の絶縁層形成工程において、コ
ア基板３の主面３Ａ及び裏面３Ｂ上に、エポキシ樹脂等
からなる半硬化の主面側第１樹脂絶縁層及び裏面側第１
樹脂絶縁層を形成し、貫通孔５Ｋ，９Ｋに対応した所定
パターンを有するマスクを用いてそれぞれ露光し、さら
に現像する。その後、さらに加熱処理し硬化させて、図
３（ａ）に示すように、貫通孔５Ｋを有する主面側第１
樹脂絶縁層５及び貫通孔９Ｋを有する裏面側第２樹脂絶
縁層９を形成する。

【００４２】次に、第２のメッキ工程において、無電解
メッキを施して、主面側第１樹脂絶縁層５上、裏面側第
２樹脂絶縁層９上、及びこれらの貫通孔５Ｋ，９Ｋ内
に、無電解メッキ層を形成し、さらに、電解メッキを施
して、無電解メッキ層上に電解メッキ層を形成する（図
３（ｂ）参照）。これにより、主面側第１樹脂絶縁層５
及び裏面側第１樹脂絶縁層９上にメッキ層が形成される
とともに、貫通孔５Ｋ，９Ｋ内に、第１ビア導体２５、
第２ビア導体２７、第３ビア導体２９及び裏面側ビア導
体３５が形成される。なお、メッキの条件を適宜選択す
ることにより、貫通孔５Ｋ，９Ｋをメッキで充填し、い
ずれのビア導体も、その上面が略平坦なフィルドビアと
なるように形成する。

【００４３】その後、第２の導体層形成工程において、
上記メッキ層等上に所定パターンのエッチングレジスト
層を形成し、このレジスト層から露出するメッキ層をエ
ッチング除去することにより、図３（ｂ）に示すよう
に、主面側第１導体層２１及び裏面側第１導体層２３を
形成する。なお、上記第２のメッキ工程及び第２の導体
層形成工程が、本発明のビア・パッド形成工程に相当す
る。

【００４４】次に、第２の絶縁層形成工程（第３絶縁層
形成工程）において、主面側第１樹脂絶縁層５及び裏面
側第１樹脂絶縁層９上に、エポキシ樹脂等からなる半硬
化の主面側第２樹脂絶縁層及び裏面側第２樹脂絶縁層を
形成し、各開口７Ｋ，１１Ｋに対応した所定パターンを
有するマスクを用いてそれぞれ露光し、さらに現像す
る。その後、さらに加熱処理し硬化させて、開口７Ｋを
有する主面側第２樹脂絶縁層（第３絶縁層）７及び開口
１１Ｋを有する裏面側第２樹脂絶縁層１１を形成する
（図１参照）。

【００４５】その際、第１ビア導体２５、第２ビア導体
２７、第３ビア導体２９及び裏面側ビア導体３５は、い
ずれも上面が略平坦なフィルドビアであるので、表面が
平坦な主面側第２樹脂絶縁層７及び裏面側第２樹脂絶縁
層１１を形成することができる。また、第１ビア導体２
５は、主面側第２樹脂絶縁層７の開口７Ｋを厚さ領域に
投影した領域に一部含まれているが、フィルドビアであ
るために、開口７Ｋの底面７ＫＣは略平坦となってい
る。このため、歪み等の不具合のない開口７Ｋを確実に
形成することができ、配線基板１の信頼性を高くするこ
とができる。以上のようにして、図１に示す配線基板１
が完成する。

【００４６】なお、主面側第２樹脂絶縁層７や裏面側第
２樹脂絶縁層１１の開口７Ｋ，１１Ｋ内に露出する第１
接続パッド２６、第２接続パッド２８、第３接続パッド
３１及び裏面側接続パッド３７上に、さらにハンダバン
プ等を形成しても良い。その際、各開口７Ｋ，１１Ｋ内
に露出する接続パッドは、いずれも略平坦となっている
ので、ハンダ中にボイドを生じることなく、ハンダバン
プを確実に形成することができる。また、上記配線基板
１に、ＩＣチップや他の基板の端子等を直接接続させる
際にも、各開口７Ｋ，１１Ｋ内に露出する接続パッド
は、いずれも略平坦となっているので、ハンダ中にボイ
ドを生じることなく、確実に接続することができる。

【００４７】（変形形態）次いで、上記実施形態１の変
形形態について、図４を参照しつつ説明する。図４
（ａ）は本変形形態の配線基板５１の部分拡大平面図
を、図４（ｂ）は部分拡大断面図を示す。この配線基板
５１は、各接続パッドの径が小さくされるとともに、主
面側第２樹脂絶縁層５７の開口５７Ｋが大きくされたこ
とにより、開口５７Ｋ内に接続パッド全体が露出してい
る点が上記実施形態１と異なる。その他の部分は、上記
実施形態１と同様である。従って、上記実施形態１と異
なる部分を中心に説明し、同様な部分の説明は、省略ま
たは簡略化する。

【００４８】本変形形態の配線基板５１は、上記実施形
態１と同様に、コア基板（第１絶縁層）３と、主面側第
１樹脂絶縁層（第２絶縁層）５と、主面側第２樹脂絶縁
層（第３絶縁層）５７と、裏面側第１樹脂絶縁層９と、
裏面側第２樹脂絶縁層１１とを備える。また、この配線
基板５１には、配線１９やパッド２０等の主面側第１導
体層２１、裏面側第１導体層２３、第１ビア導体２５、
第２ビア導体２７、第３ビア導体２９、裏面側ビア導体
３５、及び裏面側第２導体層３９もそれぞれ形成されて
いる。

【００４９】主面側第１樹脂絶縁層５と主面側第２樹脂
絶縁層５７との層間には、第１ビア導体２５、第２ビア
導体２７及び第３ビア導体２９と接続する主面側第２導
体層８３が形成されている。この主面側第２導体層８３
は、上記実施形態１と同様に、第１ビア導体２５の上部
の一部を含む第１接続パッド７６と、第２ビア導体２７
の上部全体を含む第２接続パッド７８と、第３ビア導体
２９に接続配線８０を介して繋がった第３接続パッド８
１と有する。しかし、これらの接続パッドは、いずれ
も、上記実施形態１の接続パッドよりも径が小さくされ
ている。一方、主面側第２樹脂絶縁層５７の開口５７Ｋ
は、上記実施形態１の開口７Ｋよりも径が大きくされ、
いずれの接続パッドも、接続パッド全体が開口５７Ｋ内
に露出している。

【００５０】このような配線基板５１も、上記実施形態
１の配線基板１と同様の効果が得られる。即ち、各ビア
導体と層間配線１９Ｐ１，１９Ｐ２との絶縁を十分に確
保し、また、配線基板５１の電気的な特性を向上させる
こともでき、配線基板の設計の自由度が大きくなってい
る。

【００５１】なお、本変形形態の配線基板５１は、上記
実施形態１と同様にして製造すれば良い。即ち、コア貫
通孔形成工程、第１のメッキ工程、樹脂充填体形成工
程、第１の導体層形成工程、第１の絶縁層形成工程、第
２のメッキ工程、第２の導体層形成工程、及び第２の絶
縁層形成工程を順に行れば良い。その際、第２の絶縁層
形成工程では、いずれのビア導体もフィルドビアである
ので、表面が平坦な主面側第２樹脂絶縁層５７及び裏面
側第２樹脂絶縁層１１を形成することができ、また、こ
れらの絶縁層に開口５７Ｋ，１１Ｋを確実に形成するこ
とができる。さらに、各開口５７Ｋ，１１Ｋ内に露出す
る接続パッド上に、確実にハンダバンプを形成したり、
確実にＩＣチップ等の端子等を接続することができる。

【００５２】（実施形態２）次いで、第２の実施形態に
ついて、図５を参照しつつ説明する。図５（ａ）は配線
基板３０１の部分拡大平面図を、図５（ｂ）は部分拡大
断面図を示す。なお、上記実施形態１と同様な部分の説
明は、省略または簡略化する。この配線基板３０１は、
コア基板（第１絶縁層）３０３に、主面側第１樹脂絶縁
層（第２絶縁層）３０５、主面側第２樹脂絶縁層（第３
絶縁層）３０７、裏面側第１樹脂絶縁層３０９、及び裏
面側第２樹脂絶縁層３１１が積層されたものである。

【００５３】コア基板３０３には、その内部に樹脂充填
体３１７が充填されたスルーホール導体３１５が多数形
成されている。また、コア基板３０３と主面側第１樹脂
絶縁層３０５との層間には、配線３１９やパッド３２０
等の主面側第１導体層３２１が形成され、同様に、コア
基板３０３と裏面側第１樹脂絶縁層３０９との層間に
も、裏面側第１導体層３２３が形成されている。主面側
第１樹脂絶縁層３０５内には、第１ビア導体３２５（図
中で左側のビア導体）、第２ビア導体３２７（図中で真
中のビア導体）、及び第３ビア導体３２９（図中で右側
のビア導体）がそれぞれ多数形成されている。一方、裏
面側第１樹脂絶縁層３０９内には、裏面側ビア導体３３
５が多数形成されている。これらのビア導体は、いずれ
も、Ｃｕメッキにより充填して形成されたフィルドビア
であり、その上面が略平坦となっている。

【００５４】ここで、本実施形態では、主面側第１導体
層３２１の配線３１９のうち、図中に示す第１ビア導体
３２５と第２ビア導体３２７との間を通り、これらとは
絶縁される２本の配線３１９を層間配線（層間導体）３
１９Ｐ１とする。また、図中に示す第２ビア導体３２７
と第３ビア導体３２９との間を通り、これらとは絶縁さ
れる１本の配線３１９を層間配線３１９Ｐ２とする。

【００５５】主面側第１樹脂絶縁層３０５と主面側第２
樹脂絶縁層３０７との層間には、主面側第２導体層３３
３が形成されている。この主面側第２導体層３３３は、
第１ビア導体３２５の上部全体を含む第１接続パッド３
２６と、第２ビア導体３２７の上部の一部を含む第２接
続パッド３２８と、第３ビア導体３２９の上部全体を含
む第３接続パッド３３０と有する。これらの接続パッド
は、所定間隔で並んで形成され、各中央部は、主面側第
２樹脂絶縁層３０７の開口３０７Ｋ内にそれぞれ露出し
ている。一方、裏面側第１樹脂絶縁層３０９と裏面側第
２樹脂絶縁層３１１との層間にも、裏面側第２導体層３
３９が形成され、このうち接続パッド３３７の中央部
が、裏面側第２樹脂絶縁層３１１の開口３１１Ｋ内に露
出している。

【００５６】ここで、本実施形態における各接続パッド
及びビア導体の形態について説明する。第１接続パッド
３２６は、上記のように、フィルドビアである第１ビア
導体３２５の上部全体を含み、第１ビア導体３２５の第
１ビア中心軸３２５Ｊと第１接続パッド３２６の第１パ
ッド中心軸３２６Ｊとが略一致している。同様に、第３
接続パッド３３０も、フィルドビアである第３ビア導体
３２９の上部全体を含み、第３ビア導体３２９の第３ビ
ア中心軸３２９Ｊと第３接続パッド３３０の第３パッド
中心軸３３０Ｊとが略一致している。

【００５７】一方、第２接続パッド３２８は、フィルド
ビアである第２ビア導体３２７の上部の一部を含んでい
る。そして、第２ビア導体３２７の第２ビア中心軸３２
７Ｊが、第２接続パッド３２８のパッド中心軸３２８Ｊ
に対して、第３ビア導体３２９側にずれている。つま
り、第２接続パッド３２８は、第２ビア導体３２７を第
２接続パッド３２８に直接接続させつつ、第２ビア導体
３２７を、層間配線３１９Ｐ１の多い第１ビア導体３２
５側から遠ざけ、層間配線３１９Ｐ２の少ない第３ビア
導体３２９側に近づけた形態である。また、第２接続パ
ッド３２８及び第２ビア導体３２７においては、主面側
第２樹脂絶縁層３０７の開口３０７Ｋを厚さ方向に投影
した領域に、第１ビア導体３２６が形成された貫通孔３
０５Ｋの一部が含まれている（図５（ａ）参照）が、第
１ビア導体３２５はフィルドビア導体なので、開口３０
７Ｋの底面３０７ＫＣは略平坦となっている。

【００５８】このように、第２ビア導体３２７は、第３
ビア導体３２９側にずらして形成されているので、第１
ビア導体３２５と第２ビア導体３２７との間隔が広く、
第２ビア導体３２７と第３ビア導体３２９との間隔が狭
くなっている。このため、第１ビア導体３２５と第２ビ
ア導体３２７との間には、第２ビア導体３２７と第３ビ
ア導体３２９との間に形成する層間配線３１９Ｐ２より
も、多くの本数の層間配線３１９Ｐ１を、十分な間隔を
とって形成することができる。

【００５９】例えば、本実施形態のように第２ビア導体
３２７をずらさず、第２接続パッド３２８と第２ビア導
体３２７とが略同軸となるように形成した場合には、層
間配線は、第１ビア導体３２５と第２ビア導体３２７と
の間に１本、第２ビア導体３２７と第３ビア導体３２９
との間に１本の計２本しか形成することができない。し
かし、本実施形態では、第２ビア導体３２７を第３ビア
導体３２９側にずらすことにより、第１ビア導体３２５
と第２ビア導体３２７との間に２本、第２ビア導体３２
７と第３ビア導体３２９との間に１本の計３本の層間配
線３１９Ｐ１，３１９Ｐ２を形成することができる。従
って、このような形態の第２接続パッド３２８及び第２
ビア導体３２７を設けることにより、より多くの層間配
線３１９Ｐ１，３１９Ｐ２を容易に引き回すことができ
るようになり、配線基板３１の設計の自由度が従来より
も大きくなっている。

【００６０】なお、本実施形態の配線基板３０１は、上
記実施形態１と同様にして製造すれば良い。即ち、コア
貫通孔形成工程、第１のメッキ工程、樹脂充填体形成工
程、第１の導体層形成工程、第１の絶縁層形成工程、第
２のメッキ工程、第２の導体層形成工程、及び第２の絶
縁層形成工程を順に行って製造すれば良い。その際、第
２の絶縁層形成工程では、ビア導体は、いずれも上面が
略平坦なフィルドビアであるので、表面が平坦な主面側
第２樹脂絶縁層３０７及び裏面側第２樹脂絶縁層３１１
を形成することができ、また、これらの絶縁層に開口３
０７Ｋ，３１１Ｋを確実に形成することができる。さら
に、各開口３０７Ｋ，３１１Ｋ内に露出する接続パッド
上に、確実にハンダバンプを形成したり、確実にＩＣチ
ップ等の端子等を接続することができる。

【００６１】以上において、本発明を各実施形態１，２
に即して説明したが、本発明は上記各実施形態１，２に
限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で、適宜変更して適用できることはいうまでもない。例
えば、上記各実施形態１，２では、いずれのビア導体
も、Ｃｕメッキで充填して形成したフィルドビアである
が、例えば、上面の略中央に凹みを有する椀状のビア導
体に、導電性の樹脂等を充填して形成したフィルドビア
とすることもできる。このようなフィルドビアも、第２
の絶縁層形成工程において、樹脂絶縁層や開口を確実に
形成することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施形態１に係る配線基板を示す図であり、
（ａ）は部分拡大平面図、（ｂ）は部分拡大断面図であ
る。

【図２】実施形態１に係る配線基板の製造方法を示す図
であり、（ａ）はコア貫通孔を形成した様子を示す説明
図であり、（ｂ）は導体層及びスルーホール導体等を形
成した様子を示す説明図である。

【図３】実施形態１に係る配線基板の製造方法を示す図
であり、（ａ）はコア基板上に樹脂絶縁層を形成した様
子を示す説明図であり、（ｂ）は導体層及びビア導体を
形成した様子を示す説明図である。

【図４】変形形態に係る配線基板を示す図であり、
（ａ）は部分拡大平面図、（ｂ）は部分拡大断面図であ
る。

【図５】実施形態２に係る配線基板を示す図であり、
（ａ）は部分拡大平面図、（ｂ）は部分拡大断面図であ
る。

【図６】従来技術に係る配線基板を示す図であり、
（ａ）は部分拡大平面図、（ｂ）は部分拡大断面図であ
る。

【図７】従来技術に係る他の配線基板を示す図であり、
（ａ）は部分拡大平面図、（ｂ）は部分拡大断面図であ
る。

【符号の説明】

１，５１ 配線基板 ３ コア基板（第１絶縁層） ５ 主面側第１樹脂絶縁層（第２絶縁層） ７，５７ 主面側第２樹脂絶縁層（第３絶縁層） １９Ｐ１，１９Ｐ２ 層間配線（層間導体） １９Ｐ１Ｓ 最近層間配線（最近層間導体） ２５ 第１ビア導体 ２６，７６ 第１接続パッド ２７ 第２ビア導体 ２８，７８ 第２接続パッド ２９ 第３ビア導体 ３０，８０ 接続配線 ３１，８１ 第３接続パッド ３０１ 配線基板 ３０３ コア基板（第１絶縁層） ３０５ 主面側第１樹脂絶縁層（第２絶縁層） ３０７ 主面側第２樹脂絶縁層（第３絶縁層） ３１９Ｐ１，３１９Ｐ２ 層間配線（層間導体） ３２５ 第１ビア導体 ３２６ 第１接続パッド ３２７ 第２ビア導体 ３２８ 第２接続パッド ３２９ 第３ビア導体 ３３０ 第３接続パッド

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】第１絶縁層と、 上記第１絶縁層上に積層された第２絶縁層と、 上記第２絶縁層上に積層され基板外表面を形成する第３
   絶縁層と、 上記第２絶縁層を貫通するビア導体と、 上記第２絶縁層上に形成され、上記ビア導体と電気的に
   接続し、上記第３絶縁層を貫通して形成された開口内に
   少なくとも一部が露出する接続パッドと、 上記第１絶縁層と第２絶縁層との層間に形成され、上記
   ビア導体の近傍に位置し、このビア導体とは絶縁する層
   間導体と、を備え、 上記ビア導体の少なくとも一部が上記接続パッドに含ま
   れ、かつ、 上記接続パッドのパッド中心軸から上記層間導体のうち
   上記パッド中心軸に最も近い最近層間導体までの距離よ
   りも、上記ビア導体のビア中心軸から上記最近層間導体
   までの距離の方が大きい配線基板。
2. 【請求項２】請求項１に記載の配線基板であって、 前記ビア導体は、上面が略平坦なフィルドビアである配
   線基板。
3. 【請求項３】請求項１に記載の配線基板であって、 前記ビア導体は、上面が略平坦なフィルドビアであり、 前記第３絶縁層は、ビルドアップ樹脂絶縁層であり、 前記第３絶縁層の前記開口を厚さ方向に投影した領域
   に、前記第２絶縁層のビア導体用貫通孔の一部が含まれ
   る配線基板。
4. 【請求項４】第１絶縁層と、 上記第１絶縁層上に積層された第２絶縁層と、 上記第２絶縁層上に積層され基板外表面を形成する第３
   絶縁層と、 上記第２絶縁層を貫通する第１ビア導体と、 上記第２絶縁層を貫通し、上記第１ビア導体と隣り合う
   第２ビア導体と、 上記第２絶縁層上に形成され、上記第１ビア導体と電気
   的に接続し、上記第３絶縁層を貫通して形成された第１
   開口内に少なくとも一部が露出する第１接続パッドと、 上記第２絶縁層上に形成され、上記第２ビア導体と電気
   的に接続し、上記第３絶縁層を貫通して形成された第２
   開口内に少なくとも一部が露出する第２接続パッドと、 上記第１絶縁層と第２絶縁層との層間に形成され、上記
   第１ビア導体と第２ビア導体との間に位置し、これら第
   １ビア導体及び第２ビア導体とは絶縁する層間導体と、
   を備え、 上記第１ビア導体と第１接続パッドの組、及び、上記第
   ２ビア導体と第２接続パッドの組のうち、少なくともい
   ずれかは、ビア導体の少なくとも一部が接続パッドに含
   まれ、かつ、接続パッドのパッド中心軸から上記層間導
   体までの距離よりも、ビア導体のビア中心軸から上記層
   間導体までの距離の方が大きい配線基板。
5. 【請求項５】請求項４に記載の配線基板であって、 前記第１ビア導体及び第２ビア導体は、上面が略平坦な
   フィルドビアである配線基板。
6. 【請求項６】第１絶縁層と、 上記第１絶縁層上に積層された第２絶縁層と、 上記第２絶縁層をそれぞれ貫通する第１ビア導体、第２
   ビア導体、及び第３ビア導体と、 上記第２絶縁層上に所定間隔で並んで形成された接続パ
   ッドであって、 上記第１ビア導体を含み、かつ、その第１パッド中心軸
   が上記第１ビア導体のビア中心軸と略一致する第１接続
   パッド、 上記第２ビア導体の少なくとも一部を含み、かつ、その
   第２パッド中心軸と上記第２ビア導体のビア中心軸とが
   ずれている第２接続パッド、及び、 上記第３ビア導体を含み、かつ、その第３パッド中心軸
   が上記第３ビア導体のビア中心軸と略一致する第３接続
   パッド、を含む接続パッドと、 上記第１絶縁層と第２絶縁層との層間に形成され、上記
   第１ビア導体、第２ビア導体及び第３ビア導体のいずれ
   とも絶縁する少なくとも１以上の層間配線と、を備え、 上記第２ビア導体は、この第２ビア中心軸が上記第２パ
   ッド中心軸に対して上記第３ビア導体側にずれて形成さ
   れており、 上記第１ビア導体と第２ビア導体との間には、上記層間
   配線が形成され、 上記第２ビア導体と第３ビア導体との間には、上記層間
   配線が形成されてないか、上記第１ビア導体と第２ビア
   導体との間よりも少ない本数形成されている配線基板。
7. 【請求項７】第１樹脂絶縁層と、 上記第１樹脂絶縁層上に積層された第２樹脂絶縁層と、 上記第２樹脂絶縁層上に積層され基板外表面を形成する
   第３樹脂絶縁層と、 上記第２樹脂絶縁層を貫通する貫通孔内に形成されたビ
   ア導体と、 上記第２樹脂絶縁層上に形成され、上記ビア導体と電気
   的に接続し、上記第３樹脂絶縁層を貫通して形成された
   開口内に少なくとも一部が露出する接続パッドと、を備
   え、 上記ビア導体の少なくとも一部が接続パッドに含まれ、
   かつ、 上記接続パッドのパッド中心軸と上記ビア導体のビア中
   心軸とがずれている配線基板の製造方法であって、 上記第１樹脂絶縁層と上記貫通孔が形成された上記第２
   樹脂絶縁層とを有する基板のうち、上記貫通孔に上面が
   略平坦なフィルドビアである上記ビア導体を、及び、上
   記第２樹脂絶縁層上に上記接続パッドを、形成するビア
   ・パッド形成工程と、 上記基板上に、上記開口を有する上記第３樹脂絶縁層を
   形成する第３絶縁層形成工程であって、上記開口を厚さ
   方向に投影した領域に上記貫通孔の一部が含まれる位置
   に、上記開口を形成する第３絶縁層形成工程と、を備え
   る配線基板の製造方法。