DE102007040066A1

DE102007040066A1 - Halbleitereinrichtung

Info

Publication number: DE102007040066A1
Application number: DE102007040066A
Authority: DE
Inventors: Hisao Kawasaki
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 2006-09-15
Filing date: 2007-08-24
Publication date: 2008-03-27
Also published as: JP2008071998A; JP4304198B2; US20080067558A1; US7595531B2

Abstract

Eine Halbleitereinrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung enthält: einen Halbleiterträger mit einer Operationsschicht auf der oberen Fläche davon; eine Source-Elektrode und eine Drain-Elektrode, die auf der Operationsschicht angeordnet sind; eine Gate-Elektrode, die zwischen der Source-Elektrode und der Drain-Elektrode angeordnet ist; und eine Feldplattenelektrode, die auf einem isolierenden Film angeordnet ist, der zwischen der Gate-Elektrode und der Drain-Elektrode abgelagert ist. Mindestens ein Teil der Gate-Elektrode ist in einer Gate-Ausnehmung angeordnet, die in der Operationsschicht ausgebildet ist, die Feldplattenelektrode ist von der Gate-Elektrode um einen vorbestimmten Abstand getrennt und mindestens ein Teil der Feldplattenelektrode ist in einer Feldplattenausnehmung angeordnet, die in der Operationsschicht ausgebildet ist.

Description

QUERVERWEIS AUF ZUGEHÖRIGE ANMELDUNG:
Diese Anmeldung beansprucht Priorität basierend auf der japanischen Patentanmeldung Nr. 2006-250516 , eingereicht am 15. September 2006, deren Inhalt hiermit durch Verweis in seiner Gesamtheit einbezogen wird.
HINTERGRUND DER ERFINDUNG:
(1) Gebiet der Erfindung;
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Halbleitereinrichtung, und genauer auf eine Verbesserung einer Halbleitereinrichtung mit einer Feldplattenelektrode.
(2) Beschreibung des Standes der Technik;
Halbleitereinrichtungen, die eine Feldplattenelektrode verwenden, um eine elektrische Feldkonzentration in einer Gate-Elektrode zu entspannen, wurden vor kurzem zur praktischen Verwendung gebracht (siehe z.B. die japanische Patentanmeldung Offenlegung Nr. 2000-315804 ).
Der Aufbau eines Beispiels von derartigen herkömmlichen Halbleitereinrichtungen wird in 1 gezeigt. In der Figur be findet sich, ausgebildet auf einem Halbleiterträger 1, eine Operationsschicht 2, auf der eine Source-Elektrode 3 und eine Drain-Elektrode 4 in ohmschen Kontakt damit angeordnet sind. Eine Ausnehmung 5 ist in der Halbleiterschicht zwischen der Source-Elektrode 3 und der Drain-Elektrode 4 ausgebildet. In der Ausnehmung 5 ist eine Gate-Elektrode 6 mit einem Schottky-Übergang ausgebildet, und auf einem Oberflächenschutzfilm 7, der aus einem isolierenden Material hergestellt ist, ist eine Feldplattenelektrode 8 ausgebildet.
Die Ausbildung der Gate-Elektrode 6 in der Ausnehmung 5 dient dem Zweck, die Schottky-Schnittstelle der Gate-Elektrode 6 von der Fläche der Operationsschicht 2 weg zu halten, um den Effekt des Oberflächenpegels zu vermeiden, sodass die Halbleitereinrichtung stabil arbeitet. Die Feldplattenelektrode 8 ist zum Entspannen der elektrischen Feldkonzentration auf der Gate-Elektrode 6 vorgesehen, und spielt eine wichtige Rolle bei der Erhöhung der Ausgabe der Halbleitereinrichtung.
Um den Effekt einer Entspannung der elektrischen Feldkonzentration zu erhöhen, ist es wünschenswert, dass die Feldplattenelektrode 8 nahe der Schottky-Schnittstelle zwischen der Gate-Elektrode 6 und der Operationsschicht 2 angeordnet ist, und in der Kanalrichtung verlängert ist.
In einer herkömmlichen Halbleitereinrichtung, wie in 1 gezeigt, ist jedoch die Gate-Elektrode 6 in der Ausnehmung 5 ausgebildet und die Feldplattenelektrode 8 ist auf der Oberfläche der Operationsschicht 2 ausgebildet. Als ein Ergebnis ist die Feldplattenelektrode 8 von der Gate-Elektrode 6 räumlich weit entfernt. Die elektrische Feldkonzentration auf der Gate-Elektrode 6 wird dadurch nicht ausreichend entspannt. Ferner erhöht eine Verlängerung der Feldplattenelektrode 8 in der Kanalrichtung (C-Richtung) die Rückkopplungskapazität zwischen dem Gate und dem Drain. Dies macht es schwierig, eine stabile Operation einer Halbleitereinrichtung zu erreichen, was dazu führen kann, dass Oszillation verursacht wird.
Wie oben beschrieben, hat eine Halbleitereinrichtung mit einer herkömmlichen Feldplattenelektrode, wie in 1 gezeigt, ein Problem dadurch, dass ein ausreichender Effekt beim Entspannen der elektrischen Feldkonzentration auf der Gate-Elektrode nicht erreicht werden kann, da die Feldplattenelektrode von der Gate-Elektrode räumlich weit entfernt ist. Dies bewirkt einen Schaden für die stabilen Operationen der Halbleitereinrichtung.
Es ist eine Halbleitereinrichtung mit einer Feldplattenelektrode bekannt, die mit einer Gate-Elektrode integriert ist und zu einer Drain-Elektrode um einen vorbestimmten Abstand auf einem Oberflächenschutzfilm herausragt (siehe japanische Patentanmeldung Offenlegung Nr. 2001-144106 ). Eine derartige Halbleitereinrichtung hat jedoch ein Problem dadurch, dass ein herausragender Abschnitt verlängert und verdünnt werden muss, um den Effekt einer Entspannung der elektrischen Feldkonzentration zu erhöhen.
KURZE ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG:
Angesichts der wie oben beschriebenen konventionellen Probleme stellt die vorliegende Erfindung eine Halbleitereinrichtung mit einer Feldplattenelektrode bereit, die erlaubt, dass elektrische Feldkonzentration auf der Gate-Elektrode ausreichend entspannt wird, sodass die Halbleitereinrichtung stabil arbeitet.
Gemäß einem Aspekt der Erfindung wird eine Halbleitereinrichtung bereitgestellt, die enthält: einen Halbleiterträger mit einer Operationsschicht auf der oberen Fläche davon; eine Source-Elektrode und eine Drain-Elektrode, die auf der Opera tionsschicht angeordnet sind; eine Gate-Elektrode, die zwischen der Source-Elektrode und der Drain-Elektrode angeordnet ist; und eine Feldplattenelektrode, die auf einem isolierenden Film angeordnet ist, der zwischen der Gate-Elektrode und der Drain-Elektrode abgelagert ist, wobei mindestens ein Teil der Gate-Elektrode in einer Gate-Ausnehmung angeordnet ist, die in der Operationsschicht ausgebildet ist, die Feldplattenelektrode von der Gate-Elektrode um einen vorbestimmten Abstand getrennt ist und mindestens ein Teil der Feldplattenelektrode in einer Feldplattenausnehmung angeordnet ist, die in der Operationsschicht ausgebildet ist.
Gemäß einem Aspekt der Erfindung kann eine Halbleitereinrichtung mit einer Feldplattenelektrode erhalten werden, die erlaubt, elektrische Feldkonzentration auf der Gate-Elektrode ausreichend zu entspannen, sodass die Halbleitereinrichtung stabil arbeitet, ohne Oszillation zu verursachen.
KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN:
1 ist eine Querschnittsansicht, die den Aufbau einer herkömmlichen Halbleitereinrichtung mit einer Feldplattenelektrode zeigt.
2 ist eine Querschnittsansicht, die den Aufbau einer Halbleitereinrichtung gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt.
3 ist ein Grundriss der Halbleitereinrichtung.
4 ist eine Querschnittsansicht, die den Aufbau einer Halbleitereinrichtung gemäß einer zweiten Ausführungsform zeigt.
5 ist eine Querschnittsansicht, die den Aufbau einer Modifikation einer Feldplattenelektrode in der Ausführungsform zeigt.
6 ist eine Querschnittsansicht, die den Aufbau einer Modifikation einer Gate-Elektrode in der Ausführungsform zeigt.
7 ist eine Querschnittsansicht, die den Aufbau einer Halbleitereinrichtung gemäß einer dritten Ausführungsform der Erfindung zeigt.
DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER ERFINDUNG:
Nachstehend werden Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung mit Bezug auf die begleitenden Zeichnungen beschrieben.
<Erste Ausführungsform>
2 ist eine Querschnittsansicht und 3 ist ein Grundriss einer Halbleitereinrichtung gemäß einer Ausführungsform der Erfindung.
In dieser Halbleitereinrichtung ist eine Operationsschicht 12 auf einem Halbleiterträger 11 ausgebildet, wie in 2 gezeigt. Eine Source-Elektrode 13 und eine Drain-Elektrode 14, die in ohmschem Kontakt mit der Operationsschicht 12 sind, sind um einen vorbestimmten Abstand getrennt voneinander auf der Operationsschicht 12 angeordnet. Eine Gate-Ausnehmung 15g und eine Feldplattenausnehmung 15f sind zwischen beiden Elektroden ausgebildet. Mindestens ein Teil der Gate-Ausnehmung 15g ist in der Operationsschicht 12 ausgebildet, und mindestens ein Teil der Feldplattenausnehmung 15f ist in der Operationsschicht 12 ausgebildet. Die Feldplattenausnehmung 15f ist auf einem isolierenden Film, z.B. einem Oberflächen schutzfilm 17, ausgebildet, der durch Ablagern eines Isolationsmaterials in der Operationsschicht 12 ausgebildet ist.
Eine Gate-Elektrode 16 mit einem Schottky-Übergang ist in der Gate-Ausnehmung 15g ausgebildet. Der Oberflächenschutzfilm 17 ist an der Seitenfläche der Gate-Ausnehmung 15g platziert, während auf dem Boden der Gate-Ausnehmung 15g kein Oberflächenschutzfilm platziert ist.
Eine Feldplattenelektrode 18 ist auf dem Oberflächenschutzfilm 17 ausgebildet, der aus einem isolierenden Material hergestellt ist, auf der Feldplattenausnehmung 15f. Wie in 3 gezeigt, ist die Feldplattenelektrode 18 mit der Gate-Elektrode 16 durch eine Gate-Stromschiene 19 gekoppelt, und beide Elektroden haben das gleiche elektrische Potenzial.
Als der Oberflächenschutzfilm 17 wird SiO₂ mit einer Filmstärke von z.B. 100nm verwendet. Als die Gate-Elektrode 16 wird z.B. WSi/Au verwendet, und als die Feldplattenelektrode 18 wird z.B. Ti/Au verwendet.
Falls die Gate-Ausnehmung 15g und die Feldplattenausnehmung 15f derart ausgebildet sind, dass die Tiefe der Gate-Ausnehmung 15g (Niveau des Bodens der Gate-Ausnehmung 15g) und die der Feldplattenausnehmung 15f (Niveau der Bodenfläche des Oberflächenschutzfilms 17) die gleichen sind (Niveau dp), ist der Abstand zwischen der Bodenkante der Gate-Elektrode 16 und der der Feldplattenelektrode minimal. Der minimale Abstand macht die Feldplattenelektrode beim Entspannen der elektrischen Feldkonzentration auf der Gate-Elektrode am effektivsten. Ferner ist es am leichtesten, eine derartige Halbleitereinrichtung herzustellen, die die Gate-Ausnehmung 15g und die Feldplattenausnehmung 15f mit der gleichen Tiefe enthält wie oben erwähnt.
<Zweite Ausführungsform>
In einer Halbleitereinrichtung gemäß der ersten Ausführungsform der Erfindung sind die Tiefe der Gate-Ausnehmung 15g und die der Feldplattenausnehmung 15f die gleichen. Falls die Tiefe der Feldplattenausnehmung 15f größer als die der Gate-Ausnehmung 15g ist, kann sich der parasitäre Widerstand in einem Kanal CH erhöhen. Es ist deshalb wünschenswert, dass die Tiefe der Feldplattenausnehmung 15f im wesentlichen gleich oder kleiner der der Gate-Ausnehmung 15g ist.
4 ist eine Querschnittsansicht einer Halbleitereinrichtung gemäß einer zweiten Ausführungsform der Erfindung, in der die Tiefe einer Feldplattenausnehmung kleiner als die einer Gate-Ausnehmung ist. In der in 4 gezeigten Halbleitereinrichtung ist eine Operationsschicht 22 auf einem Halbleiterträger 21 ausgebildet. Eine Source-Elektrode 23 und eine Drain-Elektrode 24, die in ohmschem Kontakt mit der Operationsschicht 22 sind, sind um einen vorbestimmten Abstand voneinander getrennt auf der Operationsschicht 22 angeordnet. Eine Gate-Ausnehmung 25g mit einer Tiefe von dpg und eine Feldplattenausnehmung 25f mit einer Tiefe von dpf sind zwischen der Source-Elektrode 23 und der Drain-Elektrode 24 ausgebildet. Die Tiefe dpg der Gate-Ausnehmung 25g und die Tiefe dpf der Feldplattenausnehmung 25f haben eine Beziehung von dpg > dpf.
Eine Gate-Elektrode 26 mit einem Schottky-Übergang ist in der Gate-Ausnehmung 25g ausgebildet. Ein Oberflächenschutzfilm 27 ist an der Seitenfläche der Gate-Ausnehmung 25g vorgesehen, während auf dem Boden der Gate-Ausnehmung 25g kein Oberflächenschutzfilm platziert ist.
Eine Feldplattenelektrode 28 ist auf dem Oberflächenschutzfilm 27 ausgebildet, der aus einem isolierenden Material auf der Feldplattenausnehmung 25f hergestellt ist.
Im Vergleich mit der Halbleitereinrichtung in der ersten Ausführungsform hat eine Halbleitereinrichtung in der zweiten Ausführungsform einen derartigen Aufbau, dass die Tiefe dpf der Feldplattenausnehmung 15f kleiner als die Tiefe dpg der Gate-Ausnehmung 15g ist. Gemäß diesem Aufbau kann der Effekt einer Reduzierung des Widerstands der Drain-Elektrode 24 erhalten werden, obwohl sich der Effekt einer Entspannung der elektrischen Feldkonzentration auf der Gate-Elektrode 26 etwas verringert.
Es wird vermerkt, dass es wünschenswert ist, dass die Tiefe dpf der Feldplattenausnehmung 15f gleich oder größer einer Hälfte der Tiefe dpg der Gate-Ausnehmung 15g ist.
Bezüglich der Feldplattenelektroden 18 und 28 der Halbleitereinrichtungen, die in der ersten Ausführungsform und der zweiten Ausführungsform gezeigt werden, sind die oberen Flächen der Feldplattenelektroden 18 und 28 koplanar mit den oberen Flächen der Oberflächenschutzfilme 17 bzw. 27. Wie in 5 gezeigt, kann jedoch ein derartiger Aufbau, dass die obere Fläche Sf der Feldplattenelektrode 18 oder 28 tiefer als die obere Fläche Sp des Oberflächenschutzfilms 17 oder 27 ist, hergestellt werden.
Bezüglich der Gate-Elektroden 16 und 26 der Halbleitereinrichtungen, die in der ersten Ausführungsform und der zweiten Ausführungsform gezeigt werden, sind die Durchmesser der Gate-Elektroden gleich den inneren Durchmessern der Gate-Ausnehmungen mit den ausgebildeten Oberflächenschutzfilmen. Die Durchmesser der Gate-Elektroden können jedoch kleiner als die inneren Durchmesser der Ausnehmungen mit den ausgebildeten Oberflächenschutzfilmen sein.
Wie in 6 gezeigt, kann mit anderen Worten ein Durchmesser Dg der Gate-Elektrode 16 oder 26 kleiner als ein innerer Durchmesser Di der Gate-Ausnehmung 15g oder 25g mit dem ausgebildeten Oberflächenschutzfilm sein.
Gleichermaßen können bezüglich der Feldplattenelektroden 18 und 28 die Durchmesser der Elektroden kleiner als die inneren Durchmesser der Feldplattenausnehmungen mit den ausgebildeten Oberflächenschutzfilmen sein.
<Dritte Ausführungsform>
In dieser dritten Ausführungsform der Erfindung hat eine Halbleitereinrichtung einen derartigen Aufbau, dass freigelegte obere Teile der Gate-Elektrode und der Feldplattenelektrode groß gemacht sind, um so ihre jeweiligen Ausnehmungen abzudecken.
Mit anderen Worten ist in einer in 7 gezeigten Halbleitereinrichtung eine Operationsschicht 32 auf einem Halbleiterträger 31 ausgebildet. Eine Source-Elektrode 33 und eine Drain-Elektrode 34, die in ohmschem Kontakt mit der Operationsschicht 32 sind, sind um einen vorbestimmten Abstand auf der Operationsschicht 22 getrennt voneinander angeordnet. Eine Gate-Ausnehmung 35g und eine Feldplattenausnehmung 35f sind zwischen beiden Elektroden ausgebildet.
Eine Gate-Elektrode 36 mit einem Schottky-Übergang ist in der Gate-Ausnehmung 35g ausgebildet. Ein Oberflächenschutzfilm 37 ist an der Seitenfläche der Gate-Ausnehmung 35g ausgebildet, während auf dem Boden der Gate-Ausnehmung 35g kein Oberflächenschutzfilm platziert ist.
Eine Feldplattenelektrode 38 ist auf dem Oberflächenschutzfilm 37 ausgebildet, der aus einem isolierenden Material auf der Feldplattenausnehmung 35f hergestellt ist. Ein oberer Abschnitt 36a der Gate-Elektrode 36 ist größer gemacht als ein unterer Abschnitt der Gate-Elektrode 36, um so die Gate-Ausnehmung 35g abzudecken. Ein oberer Abschnitt 38a der Feldplattenelektrode 38 ist auch größer gemacht als ein unterer Abschnitt der Feldplattenelektrode 38, um so die Feldplattenausnehmung 35f abzudecken.
Der Ausdruck "die Ausnehmung abdecken", wie hierin verwendet, bedeutet, in dem Fall der Gate-Ausnehmung, Herstellen des Durchmessers Dog eines Abschnitts, der über die Ausnehmung der Gate-Elektrode 36 hinaus herausragt, größer als der innere Durchmesser Di, gezeigt in 6, der Gate-Ausnehmung mit dem ausgebildeten Oberflächenschutzfilm.
Gleichermaßen bedeutet dieser Ausdruck in dem Fall der Feldplattenausnehmung, Herstellen des Durchmessers Dof eines Abschnitts, der über die Feldplattenausnehmung 35f der Feldplattenelektrode 38 herausragt, größer als der innere Durchmesser Di der Feldplattenausnehmung 35f mit dem ausgebildeten Oberflächenschutzfilm.
Die Tiefe der Gate-Ausnehmung 35g ist im wesentlichen gleich der der Feldplattenausnehmung 35f in dieser Ausführungsform.
In dieser dritten Ausführungsform kann jedoch die Tiefe der Feldplattenausnehmung 35f kleiner als die der Gate-Ausnehmung 35g sein, wie in der zweiten Ausführungsform (4) gezeigt.
In der dritten Ausführungsform kann eine Beziehung zwischen der Gate-Elektrode und der Gate-Ausnehmung oder eine Bezie hung zwischen der Feldplattenelektrode und der Feldplattenausnehmung in einem derartigen Aufbau sein, wie in 6 gezeigt. D.h. die Durchmesser der Elektroden können kleiner als die inneren Durchmesser der Ausnehmungen mit den ausgebildeten Oberflächenschutzfilmen sein.
Obere Teile sowohl der Gate-Elektrode 36 als auch der Feldplattenelektrode 38 sind so groß gemacht, um ihre jeweiligen Ausnehmungen in der dritten Ausführungsform abzudecken. Es kann jedoch nur eine der Gate-Elektrode 36 und der Feldplattenelektrode 38 so groß gemacht werden, um die Ausnehmung abzudecken.
Herstellen des oberen Teils der Elektrode so groß, um die Ausnehmung abzudecken, kann die Widerstände der Gate-Elektrode und der Feldplattenelektrode verringern, und hat einen Vorteil einer Unterstützung der Herstellung einer Halbleitereinrichtung.
Die Erfindung ist nicht auf die obigen Ausführungsformen begrenzt, und kann mit verschiedenen Modifikationen an den Ausführungsformen innerhalb des Bereichs der technischen Idee der Erfindung implementiert werden.

Claims

Eine Halbleitereinrichtung, umfassend: einen Halbleiterträger mit einer Operationsschicht auf einer oberen Fläche davon; eine Source-Elektrode und eine Drain-Elektrode, die auf der Operationsschicht angeordnet sind; eine Gate-Elektrode, die zwischen der Source-Elektrode und der Drain-Elektrode angeordnet ist; und eine Feldplattenelektrode, die mit der Gate-Elektrode gekoppelt und auf einem isolierenden Film angeordnet ist, der zwischen der Gate-Elektrode und der Drain-Elektrode abgelagert ist, wobei mindestens ein Teil der Gate-Elektrode in einer Gate-Ausnehmung angeordnet ist, die in der Operationsschicht ausgebildet ist, die Feldplattenelektrode von der Gate-Elektrode um einen vorbestimmten Abstand getrennt ist und mindestens ein Teil der Feldplattenelektrode in einer Feldplattenausnehmung angeordnet ist, die in der Operationsschicht ausgebildet ist.
Die Halbleitereinrichtung nach Anspruch 1, wobei eine Tiefe der Feldplattenausnehmung im wesentlichen gleich einer Tiefe der Gate-Ausnehmung ist.
Die Halbleitereinrichtung nach Anspruch 1, wobei die Gate-Elektrode so ausgebildet ist, um die Gate-Ausnehmung abzudecken.
Die Halbleitereinrichtung nach Anspruch 1, wobei eine Tiefe der Feldplattenausnehmung kleiner als eine Tiefe der Gate-Ausnehmung ist.
Die Halbleitereinrichtung nach Anspruch 1, wobei die Feldplattenelektrode so ausgebildet ist, um die Feldplattenausnehmung abzudecken.
Eine Halbleitereinrichtung, umfassend: eine Source-Elektrode, die auf einer Operationsschicht eines Halbleiterträgers angeordnet ist, wobei der Halbleiterträger die Operationsschicht auf einer oberen Fläche davon hat; eine Drain-Elektrode, die von der Source-Elektrode um einen vorbestimmten Abstand getrennt angeordnet ist; eine Gate-Ausnehmung, die in der Operationsschicht zwischen der Source-Elektrode und der Doktrin-Elektrode ausgebildet ist; eine Gate-Elektrode mit mindestens einem Teil davon, der in der Gate-Ausnehmung angeordnet ist; eine Feldplattenausnehmung, die mit der Gate-Elektrode gekoppelt und in der Operationsschicht zwischen der Gate-Ausnehmung und der Drain-Elektrode ausgebildet ist, von der Gate-Elektrode um einen vorbestimmten Abstand getrennt; und eine Feldplattenelektrode mit mindestens einem Teil davon, der in der Feldplattenausnehmung angeordnet ist.
Die Halbleitereinrichtung nach Anspruch 6, wobei die Gate-Elektrode in einem Oberflächenschutzfilm angeordnet ist, der in der Gate-Ausnehmung vorgesehen ist, ausschließlich eines Bodens der Gate-Ausnehmung, und die Feldplattenelektrode in einem Oberflächenschutzfilm angeordnet ist, der in der Feldplattenausnehmung vorgesehen ist.
Die Halbleitereinrichtung nach Anspruch 6, wobei eine Tiefe der Feldplattenausnehmung im wesentlichen gleich oder kleiner einer Tiefe der Gate-Ausnehmung ist.
Die Halbleitereinrichtung nach Anspruch 7, wobei ein Durchmesser eines Abschnitts der Feldplattenelektrode größer als ein innerer Durchmesser der Feldplattenausnehmung mit dem vorgesehenen Oberflächenschutzfilm ist, wobei der Abschnitt aus dem Oberflächenschutzfilm herausragt.
Die Halbleitereinrichtung nach Anspruch 7, wobei ein Durchmesser eines Abschnitts der Gate-Elektrode größer als ein innerer Durchmesser der Gate-Ausnehmung mit dem vorgesehenen Oberflächenschutzfilm ist, wobei der Abschnitt aus dem Oberflächenschutzfilm herausragt.