JP2003218130A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 表面欠陥が生じにくく信頼性の高い半導体装
置を提供する。 【解決手段】 この半導体装置は，ショットキ層１１８
と，ショットキ層を覆うキャップ層１２０と，キャップ
層を貫通しショットキ層に到達する下部構造１５２と，
下部構造よりも拡大した断面を有しキャップ層上に乗り
上げる上部構造１５４との２段構造を有するショットキ
電極とを含むことを特徴とする。かかる構成によれば，
化学的に不安定なショットキ層がキャップ層に覆われる
とともに，表面欠陥が生じやすい，ショットキ層／キャ
ップ層とショットキ電極との境界領域についても，ショ
ットキ電極の上部構造により，覆われるので，表面欠陥
が生じにくく，したがって高い信頼性を有する半導体装
置を高い歩留まりで製造することが可能となる。
置を提供する。 【解決手段】 この半導体装置は，ショットキ層１１８
と，ショットキ層を覆うキャップ層１２０と，キャップ
層を貫通しショットキ層に到達する下部構造１５２と，
下部構造よりも拡大した断面を有しキャップ層上に乗り
上げる上部構造１５４との２段構造を有するショットキ
電極とを含むことを特徴とする。かかる構成によれば，
化学的に不安定なショットキ層がキャップ層に覆われる
とともに，表面欠陥が生じやすい，ショットキ層／キャ
ップ層とショットキ電極との境界領域についても，ショ
ットキ電極の上部構造により，覆われるので，表面欠陥
が生じにくく，したがって高い信頼性を有する半導体装
置を高い歩留まりで製造することが可能となる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，半導体装置および
その製造方法に関し，特に電界効果トランジスタなどの
ショットキー電極を有する半導体装置の構造に関するも
のである。
その製造方法に関し，特に電界効果トランジスタなどの
ショットキー電極を有する半導体装置の構造に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】従来，化合物半導体を用いた電界効果ト
ランジスタ（以下，ＦＥＴという。）が知られている。
そして，ＦＥＴの中で，高出力，高効率特性を得ること
ができる素子として，ダブルへテロ（ＤＨ）接合型高電
子移動度電界効果トランジスタ（以下，ＨＥＭＴとい
う。）が注目されている。かかるＨＥＭＴについては，
例えば，“Ｈｉｇｈ Ｐｏｗｅｒ Ｐｓｅｕｄｏｍｏｒｐ
ｈｉｃ Ｄｏｕｂｌｅ−ｈｅｔｅｒｏｊｕｎｃｔｉｏｎ
Ｆｉｅｌｄ Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｓ Ｗ
ｉｔｈ ２６Ｖ Ｇａｔｅ−ｄｒａｉｎ Ｂｒｅａｋｄｏ
ｗｎ Ｖｏｌｔａｇｅｓ”， Ｋ． Ｍａｔｓｕｎａｇ
ａ， Ｎ． Ｉｗａｔａ ａｎｄＭ． Ｋｕｚｕｈａｒａ，
Ｉｎｓｔ． Ｐｈｙｓ． Ｃｏｎｆ． Ｓｅｒ． Ｎｏ．１
２９ Ｃｈａｐｔｅｒ９． ｐｐ．７４９−７５４（１９
９２）に記載されている。
ランジスタ（以下，ＦＥＴという。）が知られている。
そして，ＦＥＴの中で，高出力，高効率特性を得ること
ができる素子として，ダブルへテロ（ＤＨ）接合型高電
子移動度電界効果トランジスタ（以下，ＨＥＭＴとい
う。）が注目されている。かかるＨＥＭＴについては，
例えば，“Ｈｉｇｈ Ｐｏｗｅｒ Ｐｓｅｕｄｏｍｏｒｐ
ｈｉｃ Ｄｏｕｂｌｅ−ｈｅｔｅｒｏｊｕｎｃｔｉｏｎ
Ｆｉｅｌｄ Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｓ Ｗ
ｉｔｈ ２６Ｖ Ｇａｔｅ−ｄｒａｉｎ Ｂｒｅａｋｄｏ
ｗｎ Ｖｏｌｔａｇｅｓ”， Ｋ． Ｍａｔｓｕｎａｇ
ａ， Ｎ． Ｉｗａｔａ ａｎｄＭ． Ｋｕｚｕｈａｒａ，
Ｉｎｓｔ． Ｐｈｙｓ． Ｃｏｎｆ． Ｓｅｒ． Ｎｏ．１
２９ Ｃｈａｐｔｅｒ９． ｐｐ．７４９−７５４（１９
９２）に記載されている。
【０００３】さらに，ＨＥＭＴの中には，ガリウム砒素
（ＧａＡｓ）から成る基板と，インジウムガリウム砒素
（ＩｎＧａＡｓ）から成るチャネル層とを組み合わせる
ものが知られている。かかるＨＥＭＴ構造は，チャネル
層が，基板として用いられているガリウム砒素（ＧａＡ
ｓ）と格子定数が異なるため結晶格子が歪んでいるイン
ジウムガリウム砒素（ＩｎＧａＡｓ）を含むため，擬格
子（ｐｓｕｄｏｍｏｒｐｈｉｃ）ＨＥＭＴ（以下，ＰＨ
ＥＭＴという。）と称されている。また，ＰＨＥＭＴに
おいては，チャネル層のポテンシャル井戸に電子を供給
するための電子供給層としてｎ形アルミガリウム砒素
（ＡｌＧａＡｓ）を用い，ゲート電極のショットキ障壁
高さを大きくするために，ショットキ層として，無添加
（φ）のＡｌＧａＡｓが用いられている。
（ＧａＡｓ）から成る基板と，インジウムガリウム砒素
（ＩｎＧａＡｓ）から成るチャネル層とを組み合わせる
ものが知られている。かかるＨＥＭＴ構造は，チャネル
層が，基板として用いられているガリウム砒素（ＧａＡ
ｓ）と格子定数が異なるため結晶格子が歪んでいるイン
ジウムガリウム砒素（ＩｎＧａＡｓ）を含むため，擬格
子（ｐｓｕｄｏｍｏｒｐｈｉｃ）ＨＥＭＴ（以下，ＰＨ
ＥＭＴという。）と称されている。また，ＰＨＥＭＴに
おいては，チャネル層のポテンシャル井戸に電子を供給
するための電子供給層としてｎ形アルミガリウム砒素
（ＡｌＧａＡｓ）を用い，ゲート電極のショットキ障壁
高さを大きくするために，ショットキ層として，無添加
（φ）のＡｌＧａＡｓが用いられている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら，かかる
ＰＨＥＭＴ構造においては，ショットキ層として，化学
的に活性なＡｌ原子を含むφ−ＡｌＧａＡｓを使用する
ため，ショットキ層のφ−ＡｌＧａＡｓがゲート金属に
より完全に覆われずに，露出部分を生じると，後工程で
ＳｉＯ２やＳｉＮなどの絶縁膜で覆っても，φ−ＡｌＧ
ａＡｓ表面に存在するＡｌ原子が空気中の元素や工程中
に付着した材料や不純物と結合し，電気的に作用する深
い準位を禁制帯中に形成してしまう。これはＰＨＥＭＴ
が動作中に特性が変動する原因となり，素子の信頼性を
著しく損なう結果となっていた。
ＰＨＥＭＴ構造においては，ショットキ層として，化学
的に活性なＡｌ原子を含むφ−ＡｌＧａＡｓを使用する
ため，ショットキ層のφ−ＡｌＧａＡｓがゲート金属に
より完全に覆われずに，露出部分を生じると，後工程で
ＳｉＯ２やＳｉＮなどの絶縁膜で覆っても，φ−ＡｌＧ
ａＡｓ表面に存在するＡｌ原子が空気中の元素や工程中
に付着した材料や不純物と結合し，電気的に作用する深
い準位を禁制帯中に形成してしまう。これはＰＨＥＭＴ
が動作中に特性が変動する原因となり，素子の信頼性を
著しく損なう結果となっていた。
【０００５】本発明は，従来のＰＨＥＭＴのような半導
体装置が有する上記問題点に鑑みてなされたものであ
り，化学的に活性なショットキ層の表面を化学的に安定
なキャップ層で覆うとともに，キャップ層による覆いが
不完全になり易い領域をゲート電極で埋設することによ
り，表面欠陥が生じにくく，したがって歩留まりが高
く，信頼性の高い，新規かつ改良された半導体装置およ
びその製造方法を提供することを目的としている。
体装置が有する上記問題点に鑑みてなされたものであ
り，化学的に活性なショットキ層の表面を化学的に安定
なキャップ層で覆うとともに，キャップ層による覆いが
不完全になり易い領域をゲート電極で埋設することによ
り，表面欠陥が生じにくく，したがって歩留まりが高
く，信頼性の高い，新規かつ改良された半導体装置およ
びその製造方法を提供することを目的としている。
【０００６】さらに，本発明の別の目的は，チャネル層
中の二次元電子ガスと向き合うショットキ電極の最下端
面を小さく構成して，高い相互コンダクタンスｇｍ，低
いゲート・ソース間容量Ｃｇｓを得ることにより，高い
遮断周波数ｆＴを有する，新規かつ改良されたＰＨＥＭ
Ｔのような半導体装置およびその製造方法を提供するこ
とである。
中の二次元電子ガスと向き合うショットキ電極の最下端
面を小さく構成して，高い相互コンダクタンスｇｍ，低
いゲート・ソース間容量Ｃｇｓを得ることにより，高い
遮断周波数ｆＴを有する，新規かつ改良されたＰＨＥＭ
Ｔのような半導体装置およびその製造方法を提供するこ
とである。
【０００７】さらに，本発明の別の目的は，ゲート・ド
レイン間の耐圧特性を低下させることなく，高い相互コ
ンダクタンスｇｍ，低いゲート・ソース間容量Ｃｇｓを
得ることにより，高い遮断周波数ｆＴを有する，新規か
つ改良されたＰＨＥＭＴのような半導体装置およびその
製造方法を提供することである。
レイン間の耐圧特性を低下させることなく，高い相互コ
ンダクタンスｇｍ，低いゲート・ソース間容量Ｃｇｓを
得ることにより，高い遮断周波数ｆＴを有する，新規か
つ改良されたＰＨＥＭＴのような半導体装置およびその
製造方法を提供することである。
【０００８】さらに，本発明の別の目的は，ゲート電
極，ソース電極，ドレイン電極を作り込んでから，半導
体装置の特性を最適化することが可能であり，したがっ
て，製造工程における設計の自由度を向上させることが
可能な，新規かつ改良された半導体装置およびその製造
方法を提供することである。
極，ソース電極，ドレイン電極を作り込んでから，半導
体装置の特性を最適化することが可能であり，したがっ
て，製造工程における設計の自由度を向上させることが
可能な，新規かつ改良された半導体装置およびその製造
方法を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に，本発明の第１の観点によれば，請求項１に記載のよ
うに，ショットキ層と，ショットキ層を覆うキャップ層
と，キャップ層を貫通しショットキ層の深さ方向の一部
にまで到達する下部構造と，下部構造よりも拡大した断
面を有しキャップ層上に乗り上げる上部構造との２段構
造を有するショットキ電極とを含むことを特徴とする半
導体装置が提供される。かかる構成によれば，化学的に
不安定なショットキ層がキャップ層に覆われるととも
に，表面欠陥が生じやすい，ショットキ層／キャップ層
とショットキ電極との境界領域についても，ショットキ
電極の上部構造により，覆われるので，表面欠陥が生じ
にくく，したがって高い信頼性を有する半導体装置を高
い歩留まりで製造することが可能となる。さらに，チャ
ネル層中の電子と向き合うショットキ電極の最下端面を
小さく構成することが可能となるので，高い相互コンダ
クタンスｇｍ，低いゲート・ソース間容量Ｃｇｓを得る
ことにより，高い遮断周波数ｆＴを有する半導体装置を
得ることができる。
に，本発明の第１の観点によれば，請求項１に記載のよ
うに，ショットキ層と，ショットキ層を覆うキャップ層
と，キャップ層を貫通しショットキ層の深さ方向の一部
にまで到達する下部構造と，下部構造よりも拡大した断
面を有しキャップ層上に乗り上げる上部構造との２段構
造を有するショットキ電極とを含むことを特徴とする半
導体装置が提供される。かかる構成によれば，化学的に
不安定なショットキ層がキャップ層に覆われるととも
に，表面欠陥が生じやすい，ショットキ層／キャップ層
とショットキ電極との境界領域についても，ショットキ
電極の上部構造により，覆われるので，表面欠陥が生じ
にくく，したがって高い信頼性を有する半導体装置を高
い歩留まりで製造することが可能となる。さらに，チャ
ネル層中の電子と向き合うショットキ電極の最下端面を
小さく構成することが可能となるので，高い相互コンダ
クタンスｇｍ，低いゲート・ソース間容量Ｃｇｓを得る
ことにより，高い遮断周波数ｆＴを有する半導体装置を
得ることができる。
【００１０】上記課題を解決するために，本発明の第２
の観点によれば，請求項２に記載のように，ショットキ
層と，ショットキ層を覆うキャップ層と，少なくともキ
ャップ層のショットキ電極形成領域に形成されるスペー
サ絶縁層と，キャップ層およびスペーサ絶縁層を貫通し
ショットキ層の深さ方向の一部にまで到達する下部構造
と，下部構造よりも拡大した断面を有しキャップ層に乗
り上げる上部構造との２段構造を有するショットキ電極
とを含むことを特徴とする半導体装置が提供される。か
かる構成によれば，請求項１に記載の発明と同様に，化
学的に不安定なショットキ層がキャップ層に覆われると
ともに，表面欠陥が生じやすい，ショットキ層／キャッ
プ層とショットキ電極との境界領域についても，ショッ
トキ電極の上部構造により，覆われるので，表面欠陥が
生じにくく，したがって高い信頼性を有する半導体装置
を高い歩留まりで製造することが可能となる。また，シ
ョットキ電極の上部構造がスペーサ絶縁層の上に乗って
いるので，ゲート・ソース間容量を軽減することができ
る。
の観点によれば，請求項２に記載のように，ショットキ
層と，ショットキ層を覆うキャップ層と，少なくともキ
ャップ層のショットキ電極形成領域に形成されるスペー
サ絶縁層と，キャップ層およびスペーサ絶縁層を貫通し
ショットキ層の深さ方向の一部にまで到達する下部構造
と，下部構造よりも拡大した断面を有しキャップ層に乗
り上げる上部構造との２段構造を有するショットキ電極
とを含むことを特徴とする半導体装置が提供される。か
かる構成によれば，請求項１に記載の発明と同様に，化
学的に不安定なショットキ層がキャップ層に覆われると
ともに，表面欠陥が生じやすい，ショットキ層／キャッ
プ層とショットキ電極との境界領域についても，ショッ
トキ電極の上部構造により，覆われるので，表面欠陥が
生じにくく，したがって高い信頼性を有する半導体装置
を高い歩留まりで製造することが可能となる。また，シ
ョットキ電極の上部構造がスペーサ絶縁層の上に乗って
いるので，ゲート・ソース間容量を軽減することができ
る。
【００１１】さらに，請求項３に記載のように，キャッ
プ層は，少なくともショットキ電極が形成される薄層化
領域を含むように構成すれば，ソース抵抗を減少させる
ことにより，ゲート・ソース間容量Ｃｇｓをあまり増加
させずに，相互コンダクタンスｇｍを増加させることが
可能なので，高い遮断周波数ｆＴを得ることできる。
プ層は，少なくともショットキ電極が形成される薄層化
領域を含むように構成すれば，ソース抵抗を減少させる
ことにより，ゲート・ソース間容量Ｃｇｓをあまり増加
させずに，相互コンダクタンスｇｍを増加させることが
可能なので，高い遮断周波数ｆＴを得ることできる。
【００１２】また，請求項４に記載のように，キャップ
層は，少なくともショットキ電極の上部構造が形成され
る領域の外側部に薄層化領域を含むように構成すれば，
ゲート電極，ソース電極，ドレイン電極を作り込んでか
ら，薄層化領域を調整することにより，半導体装置の特
性を最適化することが可能であり，したがって，製造工
程における設計の自由度を向上させることが可能であ
る。
層は，少なくともショットキ電極の上部構造が形成され
る領域の外側部に薄層化領域を含むように構成すれば，
ゲート電極，ソース電極，ドレイン電極を作り込んでか
ら，薄層化領域を調整することにより，半導体装置の特
性を最適化することが可能であり，したがって，製造工
程における設計の自由度を向上させることが可能であ
る。
【００１３】さらに，請求項５に記載のように，ショッ
トキ電極は，ソース電極とドレイン電極との間に形成さ
れるゲート電極であり，ゲート電極は，ソース電極側に
オフセットされて形成されれば，ソース抵抗を軽減し，
ゲート・ドレイン間の耐圧特性を向上させることができ
る。
トキ電極は，ソース電極とドレイン電極との間に形成さ
れるゲート電極であり，ゲート電極は，ソース電極側に
オフセットされて形成されれば，ソース抵抗を軽減し，
ゲート・ドレイン間の耐圧特性を向上させることができ
る。
【００１４】さらにまた，請求項６に記載のように，シ
ョットキ電極は，ソース電極とドレイン電極との間に形
成されるゲート電極であり，薄層化領域をソース電極側
およびドレイン電極側に対称に形成しても良いし，ある
いは，請求項７に記載のように，薄層化領域をソース電
極側とドレイン電極側に非対称にかつドレイン電極側に
長く形成しても良いし，あるいは請求項８に記載のよう
に，薄層化領域をドレイン電極側にのみ形成しても良
い。特に，後者の場合には，ゲート・ドレイン間の耐圧
特性を低下させずに，高性能の半導体装置を提供するこ
とができる。
ョットキ電極は，ソース電極とドレイン電極との間に形
成されるゲート電極であり，薄層化領域をソース電極側
およびドレイン電極側に対称に形成しても良いし，ある
いは，請求項７に記載のように，薄層化領域をソース電
極側とドレイン電極側に非対称にかつドレイン電極側に
長く形成しても良いし，あるいは請求項８に記載のよう
に，薄層化領域をドレイン電極側にのみ形成しても良
い。特に，後者の場合には，ゲート・ドレイン間の耐圧
特性を低下させずに，高性能の半導体装置を提供するこ
とができる。
【００１５】また，請求項９に記載のように，ショット
キ層がＡｌＧａＡｓから成り，キャップ層がＧａＡｓか
ら成る場合であれば，化学的に活性なショットキ層を化
学的に安定なキャップ層で覆うことにより，高い信頼性
を有する半導体装置を提供することが可能である。
キ層がＡｌＧａＡｓから成り，キャップ層がＧａＡｓか
ら成る場合であれば，化学的に活性なショットキ層を化
学的に安定なキャップ層で覆うことにより，高い信頼性
を有する半導体装置を提供することが可能である。
【００１６】さらに，請求項１０に記載のように，ショ
ットキ層の下層に，少なくとも一対の電子供給層とチャ
ネル層が形成されていれば，高性能で，かつ高い信頼性
を有する高電子移動度電界効果トランジスタを製造する
ことが可能である。
ットキ層の下層に，少なくとも一対の電子供給層とチャ
ネル層が形成されていれば，高性能で，かつ高い信頼性
を有する高電子移動度電界効果トランジスタを製造する
ことが可能である。
【００１７】さらに，請求項１１のようにキャップ層が
キャリア密度が１×１０16ｃｍ―3以下の不純物を有す
るＧａＡｓであることにより，ゲート・ソース間リーク
電流を小さくでき，かつゲート・ドレイン間耐圧を向上
させることができる。
キャリア密度が１×１０16ｃｍ―3以下の不純物を有す
るＧａＡｓであることにより，ゲート・ソース間リーク
電流を小さくでき，かつゲート・ドレイン間耐圧を向上
させることができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下に添付図面を参照しながら，
本発明にかかる半導体装置を電界効果トランジスタに適
用したいくつかの好適な実施形態について詳細に説明す
ることにする。なお，以下の説明および添付図面におい
て，略同一の機能構成を有する部材については同一符号
を付することにより重複説明を省略することにする。
本発明にかかる半導体装置を電界効果トランジスタに適
用したいくつかの好適な実施形態について詳細に説明す
ることにする。なお，以下の説明および添付図面におい
て，略同一の機能構成を有する部材については同一符号
を付することにより重複説明を省略することにする。
【００１９】（第１の実施の形態）図１には，本発明の
第１の実施形態にかかるＰＨＥＭＴ１００の概略的な構
造が示されている。図示のように，ＰＨＥＭＴ１００
は，半絶縁性ＧａＡｓから成る基板１０２上に，φ−Ｇ
ａＡｓから成る第１バッファ層１０４，φ−ＡｌＧａＡ
ｓから成る第２バッファ層１０６，ｎ+ＡｌＧａＡｓか
ら成る第１電子供給層１０８，φ−ＡｌＧａＡｓから成
る第１スペーサ層１１０，φ−ＩｎＧａＡｓから成るチ
ャネル層１１２，φ−ＡｌＧａＡｓから成る第２スペー
サ層１１４，ｎ+ ＡｌＧａＡｓから成る第２電子供給層
１１６が順次積層されている。さらに，その第２電子供
給層１１６上には，φ−ＡｌＧａＡｓから成るショット
キ層１１８が約５００オングストロームの厚みで形成さ
れ，さらにそのショットキ層１１８の上に，ＧａＡｓか
ら成るキャップ層１２０が，ドナ密度，約３Ｅ１７ｃｍ
−３，厚み，約２５０オングストロームで形成されてい
る。
第１の実施形態にかかるＰＨＥＭＴ１００の概略的な構
造が示されている。図示のように，ＰＨＥＭＴ１００
は，半絶縁性ＧａＡｓから成る基板１０２上に，φ−Ｇ
ａＡｓから成る第１バッファ層１０４，φ−ＡｌＧａＡ
ｓから成る第２バッファ層１０６，ｎ+ＡｌＧａＡｓか
ら成る第１電子供給層１０８，φ−ＡｌＧａＡｓから成
る第１スペーサ層１１０，φ−ＩｎＧａＡｓから成るチ
ャネル層１１２，φ−ＡｌＧａＡｓから成る第２スペー
サ層１１４，ｎ+ ＡｌＧａＡｓから成る第２電子供給層
１１６が順次積層されている。さらに，その第２電子供
給層１１６上には，φ−ＡｌＧａＡｓから成るショット
キ層１１８が約５００オングストロームの厚みで形成さ
れ，さらにそのショットキ層１１８の上に，ＧａＡｓか
ら成るキャップ層１２０が，ドナ密度，約３Ｅ１７ｃｍ
−３，厚み，約２５０オングストロームで形成されてい
る。
【００２０】そして，キャップ層１２０上には，オーム
性電極形成部にｎ+ＧａＡｓから成るｎ+層１２２が，ド
ナ密度約４Ｅ１８ｃｍ−３，厚み１０００オングストロ
ームで形成され，そのｎ+層１２２上に，第１および第
２のオーム性電極１２４，１２６が形成されている。な
お，図中，左側の第１オーム性電極１２４はソース電極
であり，右側の第２オーム性電極１２６はドレイン電極
として構成されている。さらに，ソース電極１２４とド
レイン電極１２６との間には本実施の形態にかかるショ
ットキ電極であるゲート電極１５０が形成されている。
性電極形成部にｎ+ＧａＡｓから成るｎ+層１２２が，ド
ナ密度約４Ｅ１８ｃｍ−３，厚み１０００オングストロ
ームで形成され，そのｎ+層１２２上に，第１および第
２のオーム性電極１２４，１２６が形成されている。な
お，図中，左側の第１オーム性電極１２４はソース電極
であり，右側の第２オーム性電極１２６はドレイン電極
として構成されている。さらに，ソース電極１２４とド
レイン電極１２６との間には本実施の形態にかかるショ
ットキ電極であるゲート電極１５０が形成されている。
【００２１】図示のようにゲート電極１５０は，その断
面の下部構造と上部構造とが階段状に形成されており，
その階段部の下部構造１５２は，キャップ層１２０を貫
通してショットキ層１１８にまで到達しており，さらに
上部構造１５４はキャップ層１２０上に乗り上げるよう
に構成されている。なお，ゲート電極１５０の階段部の
段差は，本実施の形態では，例えば５００オングストロ
ーム程度にすることができる。また，本実施の形態にお
いては，ゲート電極１５０はソース１２４側にオフセッ
トされており，ソース抵抗の低減と，ゲートドレイン間
耐圧の向上が図られている。本実施の形態では， ソー
ス側のｎ+層１２２とゲート電極１５０との間隔は，例
えば，０．６μｍ程度であり，ドレイン側のｎ+層１２
２とゲート電極１５０との間隔は，例えば，１．５μｍ
程度である。
面の下部構造と上部構造とが階段状に形成されており，
その階段部の下部構造１５２は，キャップ層１２０を貫
通してショットキ層１１８にまで到達しており，さらに
上部構造１５４はキャップ層１２０上に乗り上げるよう
に構成されている。なお，ゲート電極１５０の階段部の
段差は，本実施の形態では，例えば５００オングストロ
ーム程度にすることができる。また，本実施の形態にお
いては，ゲート電極１５０はソース１２４側にオフセッ
トされており，ソース抵抗の低減と，ゲートドレイン間
耐圧の向上が図られている。本実施の形態では， ソー
ス側のｎ+層１２２とゲート電極１５０との間隔は，例
えば，０．６μｍ程度であり，ドレイン側のｎ+層１２
２とゲート電極１５０との間隔は，例えば，１．５μｍ
程度である。
【００２２】次に，図２を参照しながら，第１の実施形
態にかかるＰＨＥＭＴ１００の動作について説明する。
図示のようにＰＨＥＭＴ１００は，ソース電極１２４が
接地され，ドレイン電極１２６に正電圧（Ｖｄｓ），ゲ
ート１５０に負電圧（Ｖｇｓ）を印加することにより，
発振や増幅などの動作を行うことができる。動作時に
は，図示のように，ソース電極１２４からは電子がチャ
ネル層１１２中に供給され，電子は，ソース・ドレイン
間の電界に加速されて，すぐ飽和速度に達し，チャネル
層１１２中をほぼ飽和速度で走行してドレイン電極１２
６に達し，ドレイン電流（Ｉｄｓ）となる。チャネル層
１１２を走行している高速の電子の一部は，基板１０２
へ漏れ出したり，ショットキ層１１８へ飛び込むことが
ある。これらの電子は，ＦＥＴの構造中に電子トラップ
として作用する深い準位が存在する場合は，そこにトラ
ップされるため，ＦＥＴとしての動作中に，電荷が蓄積
され，しきい値電圧Ｖｔｈ，相互コンダクタンスｇｍ，
ドレイン電流のＩｄｓの変化を生ずることになり，回路
としての性能を著しく損なう場合がある。しかしなが
ら，本実施の形態にかかるＰＨＥＭＴ１００の構造によ
れば，化学的に不安定なＡｌＧａＡｓから成るショット
キ層１１８が，導電層であるキャップ層１２０に全面的
に覆われているため，その表面の不完全性に起因する深
い準位が形成されないので，上記のような性能の劣化は
起こらない。
態にかかるＰＨＥＭＴ１００の動作について説明する。
図示のようにＰＨＥＭＴ１００は，ソース電極１２４が
接地され，ドレイン電極１２６に正電圧（Ｖｄｓ），ゲ
ート１５０に負電圧（Ｖｇｓ）を印加することにより，
発振や増幅などの動作を行うことができる。動作時に
は，図示のように，ソース電極１２４からは電子がチャ
ネル層１１２中に供給され，電子は，ソース・ドレイン
間の電界に加速されて，すぐ飽和速度に達し，チャネル
層１１２中をほぼ飽和速度で走行してドレイン電極１２
６に達し，ドレイン電流（Ｉｄｓ）となる。チャネル層
１１２を走行している高速の電子の一部は，基板１０２
へ漏れ出したり，ショットキ層１１８へ飛び込むことが
ある。これらの電子は，ＦＥＴの構造中に電子トラップ
として作用する深い準位が存在する場合は，そこにトラ
ップされるため，ＦＥＴとしての動作中に，電荷が蓄積
され，しきい値電圧Ｖｔｈ，相互コンダクタンスｇｍ，
ドレイン電流のＩｄｓの変化を生ずることになり，回路
としての性能を著しく損なう場合がある。しかしなが
ら，本実施の形態にかかるＰＨＥＭＴ１００の構造によ
れば，化学的に不安定なＡｌＧａＡｓから成るショット
キ層１１８が，導電層であるキャップ層１２０に全面的
に覆われているため，その表面の不完全性に起因する深
い準位が形成されないので，上記のような性能の劣化は
起こらない。
【００２３】また，一般に，ＦＥＴの高周波動作の周波
数上限は，次式（１）で示される，遮断周波数ｆＴで表
される。
数上限は，次式（１）で示される，遮断周波数ｆＴで表
される。
【００２４】
ｆＴ＝ｇｍ／（２πＣｇｓ） ・・・ （１）
なお，式（１）において，ｇｍは相互コンダクタンスで
あり，Ｃｇｓはゲート・ソース間容量である。また，ゲ
ート・ソース間容量Ｃｇｓは，ゲートとチャネルとの間
の静電容量とゲートとソース側のｎ+層やオーム性電極
との静電容量の和である。
あり，Ｃｇｓはゲート・ソース間容量である。また，ゲ
ート・ソース間容量Ｃｇｓは，ゲートとチャネルとの間
の静電容量とゲートとソース側のｎ+層やオーム性電極
との静電容量の和である。
【００２５】上式（１）から分かるように，ＦＥＴの高
周波性を向上させるためには，ゲート・ソース間容量Ｃ
ｇｓを小さくする必要がある。この点，本実施の形態に
かかるゲート電極１５０の構造によれば，階段状に構成
されたゲート電極１５０の最下端面は，上部に比較して
小面積でショットキ層１１８と接しているため，ゲート
・ソース間容量Ｃｇｓの主たる部分である，ゲートとチ
ャネル間の容量Ｃｃｈが小さくなっている。また，ゲー
トの最下端面のソース・ドレイン方向の長さ（ゲート
長：Ｌｇ）が短いため，相互コンダクタンスｇｍが向上
しており，遮断周波数ｆＴはさらに向上する。
周波性を向上させるためには，ゲート・ソース間容量Ｃ
ｇｓを小さくする必要がある。この点，本実施の形態に
かかるゲート電極１５０の構造によれば，階段状に構成
されたゲート電極１５０の最下端面は，上部に比較して
小面積でショットキ層１１８と接しているため，ゲート
・ソース間容量Ｃｇｓの主たる部分である，ゲートとチ
ャネル間の容量Ｃｃｈが小さくなっている。また，ゲー
トの最下端面のソース・ドレイン方向の長さ（ゲート
長：Ｌｇ）が短いため，相互コンダクタンスｇｍが向上
しており，遮断周波数ｆＴはさらに向上する。
【００２６】以上のように，この第１の実施形態にかか
るＰＨＥＭＴ１００においては，ＡｌＧａＡｓから成る
ショットキ層１１８の上部にＧａＡｓから成るキャップ
層１２０を設けて，化学的に活性なＡｌＧａＡｓの表面
を化学的に安定なＧａＡｓで覆っている。そして，キャ
ップ層１２０を貫通してショットキ層１１８に至るくぼ
みをエッチング形成し，そのくぼみに，ゲート電極１５
０の階段部の下部１５２を埋め込むとともに，その階段
部の上部によりキャップ層１２０を覆うようにして，ゲ
ート電極１５０を構成しているので，ゲート電極１５０
形成時にも，化学的に活性なＡｌＧａＡｓ（ショットキ
層１１８）が表面に露出することない。そのため，信頼
性の高い製品を提供できる。同時に，チャネル層１１８
中の電子と向き合うゲート電極１５０の最下端面を小さ
くできるため，高い相互コンダクタンスｇｍを確保でき
るとともに，ゲート・ソース間容量Ｃｇｓを低くするこ
とができ，その結果，遮断周波数ｆＴの高いＰＨＥＭＴ
が実現できる。
るＰＨＥＭＴ１００においては，ＡｌＧａＡｓから成る
ショットキ層１１８の上部にＧａＡｓから成るキャップ
層１２０を設けて，化学的に活性なＡｌＧａＡｓの表面
を化学的に安定なＧａＡｓで覆っている。そして，キャ
ップ層１２０を貫通してショットキ層１１８に至るくぼ
みをエッチング形成し，そのくぼみに，ゲート電極１５
０の階段部の下部１５２を埋め込むとともに，その階段
部の上部によりキャップ層１２０を覆うようにして，ゲ
ート電極１５０を構成しているので，ゲート電極１５０
形成時にも，化学的に活性なＡｌＧａＡｓ（ショットキ
層１１８）が表面に露出することない。そのため，信頼
性の高い製品を提供できる。同時に，チャネル層１１８
中の電子と向き合うゲート電極１５０の最下端面を小さ
くできるため，高い相互コンダクタンスｇｍを確保でき
るとともに，ゲート・ソース間容量Ｃｇｓを低くするこ
とができ，その結果，遮断周波数ｆＴの高いＰＨＥＭＴ
が実現できる。
【００２７】（第２の実施の形態）図３は，本発明の第
２の実施形態にかかるＰＨＥＭＴ２００の概略を示す構
造図である。図示のように，ＰＨＥＭＴ２００において
は，φ−ＡｌＧａＡｓから成るショットキ層２１８の厚
みは，約５００オングストロームであり，その上に，ド
ナ密度，約３Ｅ１７ｃｍ３，のｎ形のＧａＡｓから成る
キャップ層２２０が，約５００オングストロームの厚み
で形成されている。なお，本実施の形態において特徴的
なのは，キャップ層２２０のゲート電極形成領域（以
下，薄層化領域と称する。）２２０ａが，ゲート電極２
５０に対して略対称にエッチングされて，厚み，約２５
０オングストロームに薄層化されている点である。そし
て，ゲート電極２５０は，この薄層化領域２２０ａにキ
ャップ層２２０を貫通してショットキ層２１８に到達す
るように形成されたくぼみに埋め込まれるように形成さ
れる。すなわち，ゲート電極２５０は，第１の実施形態
と同様に，その断面の下端が階段状になり，その最下端
２５２は，φ−ＡｌＧａＡｓから成るショットキ層２１
８に入り込んでおり，その上段２５４は，ｎ形のＧａＡ
ｓから成るキャップ層２２０に乗り上げている。
２の実施形態にかかるＰＨＥＭＴ２００の概略を示す構
造図である。図示のように，ＰＨＥＭＴ２００において
は，φ−ＡｌＧａＡｓから成るショットキ層２１８の厚
みは，約５００オングストロームであり，その上に，ド
ナ密度，約３Ｅ１７ｃｍ３，のｎ形のＧａＡｓから成る
キャップ層２２０が，約５００オングストロームの厚み
で形成されている。なお，本実施の形態において特徴的
なのは，キャップ層２２０のゲート電極形成領域（以
下，薄層化領域と称する。）２２０ａが，ゲート電極２
５０に対して略対称にエッチングされて，厚み，約２５
０オングストロームに薄層化されている点である。そし
て，ゲート電極２５０は，この薄層化領域２２０ａにキ
ャップ層２２０を貫通してショットキ層２１８に到達す
るように形成されたくぼみに埋め込まれるように形成さ
れる。すなわち，ゲート電極２５０は，第１の実施形態
と同様に，その断面の下端が階段状になり，その最下端
２５２は，φ−ＡｌＧａＡｓから成るショットキ層２１
８に入り込んでおり，その上段２５４は，ｎ形のＧａＡ
ｓから成るキャップ層２２０に乗り上げている。
【００２８】そして，キャップ層２２０のオーム性電極
形成領域には， ｎ+ＧａＡｓから成るｎ+層２２２が形
成され，そのｎ+層２２２上に，それぞれ，ソース，ド
レインと成るオーム性電極２２４，２２６が形成されて
いる。また，第１の実施形態と同様に，ゲート電極２５
０は，ソース２２４側にオフセットされており，ソース
抵抗の低減とゲート・ドレイン間耐圧の向上が図られて
いる。なお，ショットキ層２１８の下層には，図示は省
略するが，第１の実施形態と同様の構造が作り込まれて
いる。
形成領域には， ｎ+ＧａＡｓから成るｎ+層２２２が形
成され，そのｎ+層２２２上に，それぞれ，ソース，ド
レインと成るオーム性電極２２４，２２６が形成されて
いる。また，第１の実施形態と同様に，ゲート電極２５
０は，ソース２２４側にオフセットされており，ソース
抵抗の低減とゲート・ドレイン間耐圧の向上が図られて
いる。なお，ショットキ層２１８の下層には，図示は省
略するが，第１の実施形態と同様の構造が作り込まれて
いる。
【００２９】次に，この第２の実施形態にかかるＰＨＥ
ＭＴ２００の動作について説明する。この第２の実施形
態にかかるＰＨＥＭＴ２００のゲート２５０の構造は，
第１の実施形態とほぼ同様であるので，第１の実施形態
とほぼ同様に動作する。さらに，ＰＨＥＭＴ２００にお
いては，キャップ層２２０に薄層化領域２２０ａを形成
することにより， ｎ+層２２２を介してソース電極２２
４やドレイン電極２２６が形成されるキャップ層２２０
の厚みを，第１の実施形態に比較して，相対的に厚く構
成することができるので，ソース抵抗を低減することが
できる。図示の例では，キャップ層２２０を，第１の実
施形態に比較して，約２倍に厚くしているので，ソース
抵抗が約３０％低減している。したがって，相互コンダ
クタンスｇｍは，約２０％向上させることができるのに
対して，ゲート・ソース間容量Ｃｇｓは，約５％程度の
微増にとどめることが可能である。さらに，ゲート・ド
レイン間耐圧は，キャップ層２２０が，第１の実施形態
にかかるキャップ層１２０の約２倍の厚みになっている
が，ゲート近傍領域２２０ａにおいては薄層化され，第
１の実施例にかかるキャップ層１２０の厚みと実質的に
同一の厚みなので，数ボルトの低下に止めることができ
る。
ＭＴ２００の動作について説明する。この第２の実施形
態にかかるＰＨＥＭＴ２００のゲート２５０の構造は，
第１の実施形態とほぼ同様であるので，第１の実施形態
とほぼ同様に動作する。さらに，ＰＨＥＭＴ２００にお
いては，キャップ層２２０に薄層化領域２２０ａを形成
することにより， ｎ+層２２２を介してソース電極２２
４やドレイン電極２２６が形成されるキャップ層２２０
の厚みを，第１の実施形態に比較して，相対的に厚く構
成することができるので，ソース抵抗を低減することが
できる。図示の例では，キャップ層２２０を，第１の実
施形態に比較して，約２倍に厚くしているので，ソース
抵抗が約３０％低減している。したがって，相互コンダ
クタンスｇｍは，約２０％向上させることができるのに
対して，ゲート・ソース間容量Ｃｇｓは，約５％程度の
微増にとどめることが可能である。さらに，ゲート・ド
レイン間耐圧は，キャップ層２２０が，第１の実施形態
にかかるキャップ層１２０の約２倍の厚みになっている
が，ゲート近傍領域２２０ａにおいては薄層化され，第
１の実施例にかかるキャップ層１２０の厚みと実質的に
同一の厚みなので，数ボルトの低下に止めることができ
る。
【００３０】以上のように，第２の実施形態にかかるＰ
ＨＥＭＴ２００によっても，第１の実施形態にかかるＰ
ＨＥＭＴ１００と同様の効果を得ることが可能である。
さらに，第２の実施形態にかかるＰＨＥＭＴ２００にお
いては，キャップ層２２０の厚みを厚くし，ゲート近傍
２２０ａをエッチングして薄層化し，その部分の厚みを
第１の実施形態と同様にしてあるので，相互コンダクタ
ンスｇｍは大幅に向上させることが可能であるが，ゲー
ト・ソース間容量Ｃｇｓの増加は最小限に抑えることが
できるため，遮断周波数ｆＴをさらに向上することがで
きる。
ＨＥＭＴ２００によっても，第１の実施形態にかかるＰ
ＨＥＭＴ１００と同様の効果を得ることが可能である。
さらに，第２の実施形態にかかるＰＨＥＭＴ２００にお
いては，キャップ層２２０の厚みを厚くし，ゲート近傍
２２０ａをエッチングして薄層化し，その部分の厚みを
第１の実施形態と同様にしてあるので，相互コンダクタ
ンスｇｍは大幅に向上させることが可能であるが，ゲー
ト・ソース間容量Ｃｇｓの増加は最小限に抑えることが
できるため，遮断周波数ｆＴをさらに向上することがで
きる。
【００３１】（第３の実施の形態）図４は，本発明の第
３の実施形態にかかるＰＨＥＭＴ３００の概略を示す構
造図である。この第３の実施形態にかかるＰＨＥＭＴ３
００の構造は，ほぼ第２の実施形態にかかるＰＨＥＭＴ
２００とほぼ同様である。図示のように，ＰＨＥＭＴ３
００においては，φ−ＡｌＧａＡｓから成るショットキ
層３１８の厚みは，約５００オングストロームであり，
その上に，ドナ密度，約３Ｅ１７ｃｍ３，のｎ形のＧａ
Ａｓから成るキャップ層３２０が，約５００オングスト
ロームの厚みで形成されている。さらに，キャップ層３
２０のゲート電極形成領域（以下，薄層化領域と称す
る。）３２０ａが，第２の実施形態と同様に，エッチン
グされて，厚み，約２５０オングストロームに薄層化さ
れている。ただし，この第３の実施形態においては，エ
ッチング領域の長さは，ソース側長さ３２１ｓは第２の
実施形態と同様であるが，ドレイン側長さ３２１ｄは相
対的に大きくとられており，図示の例では，ゲート・ド
レイン間におけるキャップ層２２０露出部の長さの約半
分を占めている。
３の実施形態にかかるＰＨＥＭＴ３００の概略を示す構
造図である。この第３の実施形態にかかるＰＨＥＭＴ３
００の構造は，ほぼ第２の実施形態にかかるＰＨＥＭＴ
２００とほぼ同様である。図示のように，ＰＨＥＭＴ３
００においては，φ−ＡｌＧａＡｓから成るショットキ
層３１８の厚みは，約５００オングストロームであり，
その上に，ドナ密度，約３Ｅ１７ｃｍ３，のｎ形のＧａ
Ａｓから成るキャップ層３２０が，約５００オングスト
ロームの厚みで形成されている。さらに，キャップ層３
２０のゲート電極形成領域（以下，薄層化領域と称す
る。）３２０ａが，第２の実施形態と同様に，エッチン
グされて，厚み，約２５０オングストロームに薄層化さ
れている。ただし，この第３の実施形態においては，エ
ッチング領域の長さは，ソース側長さ３２１ｓは第２の
実施形態と同様であるが，ドレイン側長さ３２１ｄは相
対的に大きくとられており，図示の例では，ゲート・ド
レイン間におけるキャップ層２２０露出部の長さの約半
分を占めている。
【００３２】ゲート電極３５０の構造については，第２
の実施形態とほぼ同様であり，ゲート電極３５０は，薄
層化領域３２０ａにキャップ層３２０を貫通してショッ
トキ層３１８に到達するように形成されたくぼみに埋め
込まれるように形成される。すなわち，ゲート電極３５
０は，先の実施形態と同様に，その断面の下端が階段状
になり，その下部構造３５２は，φ−ＡｌＧａＡｓから
成るショットキ層３１８に入り込んでおり，その上部構
造３５４は，ｎ形のＧａＡｓから成るキャップ層３２０
に乗り上げている。
の実施形態とほぼ同様であり，ゲート電極３５０は，薄
層化領域３２０ａにキャップ層３２０を貫通してショッ
トキ層３１８に到達するように形成されたくぼみに埋め
込まれるように形成される。すなわち，ゲート電極３５
０は，先の実施形態と同様に，その断面の下端が階段状
になり，その下部構造３５２は，φ−ＡｌＧａＡｓから
成るショットキ層３１８に入り込んでおり，その上部構
造３５４は，ｎ形のＧａＡｓから成るキャップ層３２０
に乗り上げている。
【００３３】そして，キャップ層３２０のオーム性電極
形成領域には， ｎ+ＧａＡｓから成るｎ+層３２２が形
成され，そのｎ+層３２２上に，それぞれ，ソース電
極，ドレイン電極と成るオーム性電極３２４，３２６が
形成されている。また，第１および第２の実施形態と同
様に，ゲート電極３５０は，ソース３２４側にオフセッ
トされており，ソース抵抗の低減とゲート・ドレイン間
耐圧の向上が図られている。なお，ショットキ層３２０
の下層には，図示は省略するが，第１の実施形態と同様
の構造が作り込まれている。
形成領域には， ｎ+ＧａＡｓから成るｎ+層３２２が形
成され，そのｎ+層３２２上に，それぞれ，ソース電
極，ドレイン電極と成るオーム性電極３２４，３２６が
形成されている。また，第１および第２の実施形態と同
様に，ゲート電極３５０は，ソース３２４側にオフセッ
トされており，ソース抵抗の低減とゲート・ドレイン間
耐圧の向上が図られている。なお，ショットキ層３２０
の下層には，図示は省略するが，第１の実施形態と同様
の構造が作り込まれている。
【００３４】以上のように構成された第３の実施形態に
かかるＰＨＥＭＴ３００において，ゲート電極３５０か
らソース電極３２４にかけての構造は，第２の実施形態
とほぼ同様である。したがって，ソース抵抗を約３０％
低減させることが可能であり，相互コンダクタンスｇｍ
を約２０％向上させることができる一方，ゲート・ソー
ス間容量Ｃｇｓは約５％程度の微増にとどめることがで
きる。さらに，第２の実施形態と同様に，キャップ層２
２０は，第１の実施形態に比較して約２倍の厚みになっ
ているが，ゲート・ドレイン間の約半分程度までエッチ
ングされて薄層化されているため，ゲート・ドレイン間
耐圧については，第１の実施形態とほぼ同様の値を得る
ことが可能である。すなわち，この第３の実施形態にか
かるＰＨＥＭＴ３００によれば，第２の実施形態と同様
の効果を得ることが可能であるとともに，第２の実施形
態の場合に生じていたゲート・ドレイン間耐圧の低下を
最小限に抑えることが可能である。
かかるＰＨＥＭＴ３００において，ゲート電極３５０か
らソース電極３２４にかけての構造は，第２の実施形態
とほぼ同様である。したがって，ソース抵抗を約３０％
低減させることが可能であり，相互コンダクタンスｇｍ
を約２０％向上させることができる一方，ゲート・ソー
ス間容量Ｃｇｓは約５％程度の微増にとどめることがで
きる。さらに，第２の実施形態と同様に，キャップ層２
２０は，第１の実施形態に比較して約２倍の厚みになっ
ているが，ゲート・ドレイン間の約半分程度までエッチ
ングされて薄層化されているため，ゲート・ドレイン間
耐圧については，第１の実施形態とほぼ同様の値を得る
ことが可能である。すなわち，この第３の実施形態にか
かるＰＨＥＭＴ３００によれば，第２の実施形態と同様
の効果を得ることが可能であるとともに，第２の実施形
態の場合に生じていたゲート・ドレイン間耐圧の低下を
最小限に抑えることが可能である。
【００３５】（第４の実施の形態）図５は，本発明の第
４の実施形態にかかるＰＨＥＭＴ４００の概略を示す構
造図である。この第４の実施形態にかかるＰＨＥＭＴ４
００の構造も，先の実施形態とほぼ同様であり，φ−Ａ
ｌＧａＡｓから成るショットキ層４１８の厚みは，約５
００オングストロームであり，その上に，ドナ密度，約
３Ｅ１７ｃｍ３，のｎ形のＧａＡｓから成るキャップ層
４２０が，約５００オングストロームの厚みで形成され
ている。ゲート電極４５０の構造については，第１の実
施形態とほぼ同様であり，ゲート電極４５０は，キャッ
プ層４２０を貫通してショットキ層４１８に到達するよ
うに形成されたくぼみに埋め込まれるように形成され
る。すなわち，ゲート電極４５０は，先の実施形態と同
様に，その断面の下端が階段状になり，その最下端４５
２は，φ−ＡｌＧａＡｓから成るショットキ層４１８に
入り込んでおり，その上段４５４は，ｎ形のＧａＡｓか
ら成るキャップ層４２０に乗り上げている。ただし，キ
ャップ層４２０の厚みは，第１の実施形態の場合に比較
して，約２倍の厚みに構成されているので，ゲート電極
４５０の最下端が十分にショットキ層４１８に到達する
ように，階段部の段差は約７５０オングストロームに構
成されている。
４の実施形態にかかるＰＨＥＭＴ４００の概略を示す構
造図である。この第４の実施形態にかかるＰＨＥＭＴ４
００の構造も，先の実施形態とほぼ同様であり，φ−Ａ
ｌＧａＡｓから成るショットキ層４１８の厚みは，約５
００オングストロームであり，その上に，ドナ密度，約
３Ｅ１７ｃｍ３，のｎ形のＧａＡｓから成るキャップ層
４２０が，約５００オングストロームの厚みで形成され
ている。ゲート電極４５０の構造については，第１の実
施形態とほぼ同様であり，ゲート電極４５０は，キャッ
プ層４２０を貫通してショットキ層４１８に到達するよ
うに形成されたくぼみに埋め込まれるように形成され
る。すなわち，ゲート電極４５０は，先の実施形態と同
様に，その断面の下端が階段状になり，その最下端４５
２は，φ−ＡｌＧａＡｓから成るショットキ層４１８に
入り込んでおり，その上段４５４は，ｎ形のＧａＡｓか
ら成るキャップ層４２０に乗り上げている。ただし，キ
ャップ層４２０の厚みは，第１の実施形態の場合に比較
して，約２倍の厚みに構成されているので，ゲート電極
４５０の最下端が十分にショットキ層４１８に到達する
ように，階段部の段差は約７５０オングストロームに構
成されている。
【００３６】さらに，本実施の形態に特徴的な点は，キ
ャップ層４２０の構造である。すなわち，キャップ層４
２０のゲート電極形成部分４２０ａにおいては，約５０
０オングストロームの厚みが確保されているが，ゲート
電極４５０の上段部４５４の外側領域４２０ｂが，ゲー
ト電極４５０に対して対称にエッチングされて，厚み約
２５０オングストロームに薄層化されている。
ャップ層４２０の構造である。すなわち，キャップ層４
２０のゲート電極形成部分４２０ａにおいては，約５０
０オングストロームの厚みが確保されているが，ゲート
電極４５０の上段部４５４の外側領域４２０ｂが，ゲー
ト電極４５０に対して対称にエッチングされて，厚み約
２５０オングストロームに薄層化されている。
【００３７】その他の点については，先の実施形態とほ
ぼ同様であり，キャップ層４２０のオーム性電極形成領
域には， ｎ+ＧａＡｓから成るｎ+層４２２が形成さ
れ，そのｎ+層４２２上に，それぞれ，ソース電極，ド
レイン電極と成るオーム性電極４２４，４２６が形成さ
れている。また，第１および第２の実施形態と同様に，
ゲート電極４５０は，ソース電極４２４側にオフセット
されており，ソース抵抗の低減とゲート・ドレイン間耐
圧の向上が図られている。なお，ショットキ層４２０の
下層には，図示は省略するが，第１の実施形態と同様の
構造が作り込まれている。
ぼ同様であり，キャップ層４２０のオーム性電極形成領
域には， ｎ+ＧａＡｓから成るｎ+層４２２が形成さ
れ，そのｎ+層４２２上に，それぞれ，ソース電極，ド
レイン電極と成るオーム性電極４２４，４２６が形成さ
れている。また，第１および第２の実施形態と同様に，
ゲート電極４５０は，ソース電極４２４側にオフセット
されており，ソース抵抗の低減とゲート・ドレイン間耐
圧の向上が図られている。なお，ショットキ層４２０の
下層には，図示は省略するが，第１の実施形態と同様の
構造が作り込まれている。
【００３８】以上のように構成された第４の実施形態に
かかるＰＨＥＭＴ４００は，ゲート上段部４５４の下に
厚いキャップ層４２０ａがある点を除けば，第２の実施
形態と同様であるので，第２の実施形態と同様に，ソー
ス抵抗を約３０％低減させ，相互コンダクタンスｇｍを
約２０％向上させることができる。さらに，第４の実施
形態においては，ゲート・ソース間容量Ｃｇｓについて
も，ゲート電極４５０周辺のキャップ層４２０ｂが掘り
込んであるので，ゲート電極４５０と接するキャップ層
４２０に空乏領域を形成できるので，第２の実施形態と
実質的に同一の効果を得ることができる。さらにまた，
ゲート・ドレイン間耐圧も，ゲート電極４５０周辺のキ
ャップ層４２０ｂが掘り込んであるので，第２の実施形
態の場合と実質的に同一である。
かかるＰＨＥＭＴ４００は，ゲート上段部４５４の下に
厚いキャップ層４２０ａがある点を除けば，第２の実施
形態と同様であるので，第２の実施形態と同様に，ソー
ス抵抗を約３０％低減させ，相互コンダクタンスｇｍを
約２０％向上させることができる。さらに，第４の実施
形態においては，ゲート・ソース間容量Ｃｇｓについて
も，ゲート電極４５０周辺のキャップ層４２０ｂが掘り
込んであるので，ゲート電極４５０と接するキャップ層
４２０に空乏領域を形成できるので，第２の実施形態と
実質的に同一の効果を得ることができる。さらにまた，
ゲート・ドレイン間耐圧も，ゲート電極４５０周辺のキ
ャップ層４２０ｂが掘り込んであるので，第２の実施形
態の場合と実質的に同一である。
【００３９】本実施の形態にかかるＰＨＥＭＴ４００の
特徴的な点は，ゲート電極４５０の形成後に，ゲート周
辺のキャップ層４２０ｂを掘り込むことが可能な点であ
る。かかる構成により，本実施の形態にかかるＰＨＥＭ
Ｔ４００によれば，第２実施形態と同様の効果に加え
て，各種ＦＥＴの特性，特にゲート・ドレイン耐圧や，
相互コンダクタンスｇｍを逐一検出しながら，ゲート電
極周辺のキャップ層４２０ｂのエッチング量を調整し
て，ゲート・ドレイン耐圧や，相互コンダクタンスｇｍ
を最適値に調整することができる。したがって，製造工
程における設計上の余裕を持たせることができる。もち
ろん，第２の実施形態の場合と同様に，ゲート・ソース
間容量Ｃｇｓの増加は最小限に抑えることができるた
め，高い遮断周波数ｆＴも確保することが可能である。
特徴的な点は，ゲート電極４５０の形成後に，ゲート周
辺のキャップ層４２０ｂを掘り込むことが可能な点であ
る。かかる構成により，本実施の形態にかかるＰＨＥＭ
Ｔ４００によれば，第２実施形態と同様の効果に加え
て，各種ＦＥＴの特性，特にゲート・ドレイン耐圧や，
相互コンダクタンスｇｍを逐一検出しながら，ゲート電
極周辺のキャップ層４２０ｂのエッチング量を調整し
て，ゲート・ドレイン耐圧や，相互コンダクタンスｇｍ
を最適値に調整することができる。したがって，製造工
程における設計上の余裕を持たせることができる。もち
ろん，第２の実施形態の場合と同様に，ゲート・ソース
間容量Ｃｇｓの増加は最小限に抑えることができるた
め，高い遮断周波数ｆＴも確保することが可能である。
【００４０】（第５の実施形態）図６は，本発明の第５
の実施形態にかかるＰＨＥＭＴ５００の概略を示す構造
図である。この第５の実施形態にかかるＰＨＥＭＴ５０
０の構造は，第４の実施形態とほぼ同様であり，φ−Ａ
ｌＧａＡｓから成るショットキ層５１８の厚みは，約５
００オングストロームであり，その上に，ドナ密度，約
３Ｅ１７ｃｍ３，のｎ形のＧａＡｓから成るキャップ層
５２０が，約５００オングストロームの厚みで形成され
ている。ゲート電極５５０の構造についても，第４の実
施形態とほぼ同様であり，ゲート電極５５０は，キャッ
プ層５２０を貫通してショットキ層５１８に到達するよ
うに形成されたくぼみに埋め込まれるように形成され
る。すなわち，ゲート電極５５０は，先の実施形態と同
様に，その断面の下端が階段状になり，その下段５５２
は，φ−ＡｌＧａＡｓから成るショットキ層５１８に入
り込んでおり，その上段５５４は，ｎ形のＧａＡｓから
成るキャップ層５２０に乗り上げている。ただし，キャ
ップ層５２０の厚みは，第１の実施形態の場合に比較し
て，約２倍の厚みに構成されているので，ゲート電極５
５０の最下端が十分にショットキ層５１８に到達するよ
うに，階段部の段差は約７５０オングストロームに構成
されている。
の実施形態にかかるＰＨＥＭＴ５００の概略を示す構造
図である。この第５の実施形態にかかるＰＨＥＭＴ５０
０の構造は，第４の実施形態とほぼ同様であり，φ−Ａ
ｌＧａＡｓから成るショットキ層５１８の厚みは，約５
００オングストロームであり，その上に，ドナ密度，約
３Ｅ１７ｃｍ３，のｎ形のＧａＡｓから成るキャップ層
５２０が，約５００オングストロームの厚みで形成され
ている。ゲート電極５５０の構造についても，第４の実
施形態とほぼ同様であり，ゲート電極５５０は，キャッ
プ層５２０を貫通してショットキ層５１８に到達するよ
うに形成されたくぼみに埋め込まれるように形成され
る。すなわち，ゲート電極５５０は，先の実施形態と同
様に，その断面の下端が階段状になり，その下段５５２
は，φ−ＡｌＧａＡｓから成るショットキ層５１８に入
り込んでおり，その上段５５４は，ｎ形のＧａＡｓから
成るキャップ層５２０に乗り上げている。ただし，キャ
ップ層５２０の厚みは，第１の実施形態の場合に比較し
て，約２倍の厚みに構成されているので，ゲート電極５
５０の最下端が十分にショットキ層５１８に到達するよ
うに，階段部の段差は約７５０オングストロームに構成
されている。
【００４１】さらに，本実施の形態に特徴的な点は，キ
ャップ層５２０の構造である。すなわち，キャップ層５
２０は，ゲート電極形成部分５２０ａにおいては，約５
００オングストロームの厚みが確保されているが，ゲー
ト電極５５０の上段部５５４のドレイン側領域５２０ｂ
においては，ゲート電極５５０に対してエッチングされ
て，厚み約２５０オングストロームに薄層化されてい
る。
ャップ層５２０の構造である。すなわち，キャップ層５
２０は，ゲート電極形成部分５２０ａにおいては，約５
００オングストロームの厚みが確保されているが，ゲー
ト電極５５０の上段部５５４のドレイン側領域５２０ｂ
においては，ゲート電極５５０に対してエッチングされ
て，厚み約２５０オングストロームに薄層化されてい
る。
【００４２】その他の点については，先の実施形態とほ
ぼ同様であり，キャップ層５２０のオーム性電極形成領
域には， ｎ+ＧａＡｓから成るｎ+層５２２が形成さ
れ，そのｎ+層５２２上に，それぞれ，ソース電極，ド
レイン電極と成るオーム性電極５２４，５２６が形成さ
れている。また，先の実施形態と同様に，ゲート電極５
５０は，ソース５２４側にオフセットされており，ソー
ス抵抗の低減とゲート・ドレイン間耐圧の向上が図られ
ている。なお，ショットキ層５２０の下層には，図示は
省略するが，第１の実施形態と同様の構造が作り込まれ
ている。
ぼ同様であり，キャップ層５２０のオーム性電極形成領
域には， ｎ+ＧａＡｓから成るｎ+層５２２が形成さ
れ，そのｎ+層５２２上に，それぞれ，ソース電極，ド
レイン電極と成るオーム性電極５２４，５２６が形成さ
れている。また，先の実施形態と同様に，ゲート電極５
５０は，ソース５２４側にオフセットされており，ソー
ス抵抗の低減とゲート・ドレイン間耐圧の向上が図られ
ている。なお，ショットキ層５２０の下層には，図示は
省略するが，第１の実施形態と同様の構造が作り込まれ
ている。
【００４３】上記のように構成された第５の実施形態に
かかるＰＨＥＭＴ５００によれば，ゲート・ソース間の
全長においてキャップ層５２０（５２０ａ）が厚くなっ
ているため，第１の実施形態に比べて，ソース抵抗を約
３５％低減することが可能であり，したがって相互コン
ダクタンスｇｍを約２５％向上させることができる。そ
れに伴い，ゲート・ソース間容量Ｃｇｓは，約１０％程
度増加する。また，ゲート電極５５０のドレイン５２６
側のキャップ層５２０ｂが掘り込んであるので，ゲート
・ドレイン間耐圧も第１および第３の実施形態と変わら
ない。
かかるＰＨＥＭＴ５００によれば，ゲート・ソース間の
全長においてキャップ層５２０（５２０ａ）が厚くなっ
ているため，第１の実施形態に比べて，ソース抵抗を約
３５％低減することが可能であり，したがって相互コン
ダクタンスｇｍを約２５％向上させることができる。そ
れに伴い，ゲート・ソース間容量Ｃｇｓは，約１０％程
度増加する。また，ゲート電極５５０のドレイン５２６
側のキャップ層５２０ｂが掘り込んであるので，ゲート
・ドレイン間耐圧も第１および第３の実施形態と変わら
ない。
【００４４】また本実施の形態にかかるＰＨＥＭＴ５０
０は，第４の実施形態と同様に，ゲート電極５５０形成
後に，ゲート・ソース間のキャップ層５２０ｂを掘り込
むことが可能であり，したがって，ＦＥＴのゲート・ド
レイン耐圧や相互コンダクタンスｇｍを検出しながら，
キャップ層５２０ｂに対するエッチング量を調整して，
ゲート・ドレイン耐圧や相互コンダクタンスｇｍを最適
値にすることができる。したがって，製造工程において
設計上の余裕を持たせることができる。
０は，第４の実施形態と同様に，ゲート電極５５０形成
後に，ゲート・ソース間のキャップ層５２０ｂを掘り込
むことが可能であり，したがって，ＦＥＴのゲート・ド
レイン耐圧や相互コンダクタンスｇｍを検出しながら，
キャップ層５２０ｂに対するエッチング量を調整して，
ゲート・ドレイン耐圧や相互コンダクタンスｇｍを最適
値にすることができる。したがって，製造工程において
設計上の余裕を持たせることができる。
【００４５】さらに，本実施の形態は，ＰＨＥＭＴ５０
０のしきい値電圧がより正側である場合，例えば＋０.
１Ｖのエンハンスメントモードの場合に特に有利であ
る。すなわち，かかる場合には，チャネル層の２次元電
子ガスは，表面空乏の影響で減少しやすいことが知られ
ているが，本実施の形態の場合には，ソース５２４側の
キャップ層５２０ａが，ゲート電極５５０側面まで厚く
構成されているので，空乏が生じにくく，よって高い相
互コンダクタンスｇｍの特性が得られる。
０のしきい値電圧がより正側である場合，例えば＋０.
１Ｖのエンハンスメントモードの場合に特に有利であ
る。すなわち，かかる場合には，チャネル層の２次元電
子ガスは，表面空乏の影響で減少しやすいことが知られ
ているが，本実施の形態の場合には，ソース５２４側の
キャップ層５２０ａが，ゲート電極５５０側面まで厚く
構成されているので，空乏が生じにくく，よって高い相
互コンダクタンスｇｍの特性が得られる。
【００４６】以上のように，第５の実施形態にかかるＰ
ＨＥＭＴ５００によれば，第３の実施形態にかかるＰＨ
ＥＭＴ３００と同様の効果に加えて，ゲート・ソース間
の全長においてキャップ層５２０ａを構成するととも
に，ゲート電極５５０形成後にゲート電極５５０のドレ
イン電極５２６側のキャップ層５２０ｂを掘り込んで薄
層化しているので，ゲート・ソース間容量Ｃｇｓは微増
するものの，相互コンダクタンスｇｍおよびゲート・ド
レイン耐圧はともに大きく調整することが可能であり，
所望の特性を有する半導体装置を提供することができ
る。
ＨＥＭＴ５００によれば，第３の実施形態にかかるＰＨ
ＥＭＴ３００と同様の効果に加えて，ゲート・ソース間
の全長においてキャップ層５２０ａを構成するととも
に，ゲート電極５５０形成後にゲート電極５５０のドレ
イン電極５２６側のキャップ層５２０ｂを掘り込んで薄
層化しているので，ゲート・ソース間容量Ｃｇｓは微増
するものの，相互コンダクタンスｇｍおよびゲート・ド
レイン耐圧はともに大きく調整することが可能であり，
所望の特性を有する半導体装置を提供することができ
る。
【００４７】（第６の実施の形態）図７には，本発明の
第６の実施形態にかかるＰＨＥＭＴ６００が示されてい
る。このＰＨＥＭＴ６００も，先の実施形態と同様に，
約５００オングストローム厚みの，φ−ＡｌＧａＡｓか
ら成るショットキ層６１８上に，ドナ密度，約３Ｅ１７
ｃｍ３，の，ｎ形のＧａＡｓから成るキャップ層６２０
が約２５０オングストロームの厚みで形成されている。
さらに，キャップ層６２０のオーム性電極形成領域に
は，ドナ密度，約４Ｅ１８ｃｍ−３のｎ+ＧａＡｓから
成るｎ+層６２２が，厚み，約１０００オングストロー
ムで形成され，そのｎ+層６２２ａ，６２２ｂ上に，そ
れぞれ，ソース電極，ドレイン電極と成るオーム性電極
６２４，６２６が形成されている。
第６の実施形態にかかるＰＨＥＭＴ６００が示されてい
る。このＰＨＥＭＴ６００も，先の実施形態と同様に，
約５００オングストローム厚みの，φ−ＡｌＧａＡｓか
ら成るショットキ層６１８上に，ドナ密度，約３Ｅ１７
ｃｍ３，の，ｎ形のＧａＡｓから成るキャップ層６２０
が約２５０オングストロームの厚みで形成されている。
さらに，キャップ層６２０のオーム性電極形成領域に
は，ドナ密度，約４Ｅ１８ｃｍ−３のｎ+ＧａＡｓから
成るｎ+層６２２が，厚み，約１０００オングストロー
ムで形成され，そのｎ+層６２２ａ，６２２ｂ上に，そ
れぞれ，ソース電極，ドレイン電極と成るオーム性電極
６２４，６２６が形成されている。
【００４８】さらに，本実施の形態において特徴的な点
は，ソース電極，ドレイン電極が形成されるｎ+層６２
２ａ，６２２ｂ間において露出するキャップ層６２０上
に，ＳｉＮなどの絶縁膜から成るスペーサ絶縁膜層６６
０が，約２５０オングストロームの厚みで形成されてい
る点である。そして，ゲート電極６５０は，スペーサ絶
縁膜層６６０とキャップ層６２０を貫通してショットキ
層６１８に到達するように形成されたくぼみに埋め込ま
れるように形成されている。すなわち，ゲート電極６５
０は，先の実施形態と同様に，その断面の下端が階段状
になり，その下段６５２は，φ−ＡｌＧａＡｓから成る
ショットキ層６１８に入り込んでおり，その上段６５４
は，ＳｉＮなどの絶縁膜から成るスペーサ絶縁層６６０
に乗り上げている。なお，ゲート電極６５０の下段６５
２が十分にショットキ層６１８に到達するように，ゲー
ト電極６５０の階段部の段差は約７５０オングストロー
ムに構成されている。また，ショットキ層６１８の下層
には，図示は省略しているが，第１の実施形態と同様の
構造が形成されている。
は，ソース電極，ドレイン電極が形成されるｎ+層６２
２ａ，６２２ｂ間において露出するキャップ層６２０上
に，ＳｉＮなどの絶縁膜から成るスペーサ絶縁膜層６６
０が，約２５０オングストロームの厚みで形成されてい
る点である。そして，ゲート電極６５０は，スペーサ絶
縁膜層６６０とキャップ層６２０を貫通してショットキ
層６１８に到達するように形成されたくぼみに埋め込ま
れるように形成されている。すなわち，ゲート電極６５
０は，先の実施形態と同様に，その断面の下端が階段状
になり，その下段６５２は，φ−ＡｌＧａＡｓから成る
ショットキ層６１８に入り込んでおり，その上段６５４
は，ＳｉＮなどの絶縁膜から成るスペーサ絶縁層６６０
に乗り上げている。なお，ゲート電極６５０の下段６５
２が十分にショットキ層６１８に到達するように，ゲー
ト電極６５０の階段部の段差は約７５０オングストロー
ムに構成されている。また，ショットキ層６１８の下層
には，図示は省略しているが，第１の実施形態と同様の
構造が形成されている。
【００４９】以上のように構成された第６の実施形態に
かかるＰＨＥＭＴ６００においては，キャップ層６２０
の上部にスペーサ絶緑膜層６６０が形成されており，ゲ
ート電極６５０の上段６５４がスペーサ絶縁膜層６６０
の上に乗っている点を除けば，第１の実施形態と同様で
あるので，第１の実施形態と実質的に同様の効果を奏す
ることができる。さらに，本実施の形態においては，ゲ
ート電極６５０の上段６５４がスペーサ絶縁膜層６６０
の上に乗っているため，ゲート・ソース間容量Ｃｇｓを
約５％程度軽減しながら，相互コンダクタンスｇｍ，お
よびゲート・ドレイン間耐圧については，第１の実施形
態とほぼ同様の値を確保することができる。
かかるＰＨＥＭＴ６００においては，キャップ層６２０
の上部にスペーサ絶緑膜層６６０が形成されており，ゲ
ート電極６５０の上段６５４がスペーサ絶縁膜層６６０
の上に乗っている点を除けば，第１の実施形態と同様で
あるので，第１の実施形態と実質的に同様の効果を奏す
ることができる。さらに，本実施の形態においては，ゲ
ート電極６５０の上段６５４がスペーサ絶縁膜層６６０
の上に乗っているため，ゲート・ソース間容量Ｃｇｓを
約５％程度軽減しながら，相互コンダクタンスｇｍ，お
よびゲート・ドレイン間耐圧については，第１の実施形
態とほぼ同様の値を確保することができる。
【００５０】（第７の実施の形態）図８には，第７の実
施形態にかかるＰＨＥＭＴ７００の概略構成が示されて
いる。このＰＨＥＭＴ７００の概略構成は，ほぼ第６の
実施形態と同様である。すなわち，ＰＨＥＭＴ７００
も，先の実施形態と同様に，約５００オングストローム
厚みの，φ−ＡｌＧａＡｓから成るショットキ層７１８
上に，ドナ密度，約３Ｅ１７ｃｍ３，の，ｎ形のＧａＡ
ｓから成るキャップ層７２０が約５００オングストロー
ムの厚みで形成されている。さらに，キャップ層７２０
のオーム性電極形成領域には，ドナ密度，約４Ｅ１８ｃ
ｍ−３のｎ+ＧａＡｓから成るｎ+層７２２が，厚み，約
１０００オングストロームで形成され，そのｎ+層７２
２ａ，７２２ｂ上に，それぞれ，ソース電極，ドレイン
電極と成るオーム性電極７２４，７２６が形成されてい
る。
施形態にかかるＰＨＥＭＴ７００の概略構成が示されて
いる。このＰＨＥＭＴ７００の概略構成は，ほぼ第６の
実施形態と同様である。すなわち，ＰＨＥＭＴ７００
も，先の実施形態と同様に，約５００オングストローム
厚みの，φ−ＡｌＧａＡｓから成るショットキ層７１８
上に，ドナ密度，約３Ｅ１７ｃｍ３，の，ｎ形のＧａＡ
ｓから成るキャップ層７２０が約５００オングストロー
ムの厚みで形成されている。さらに，キャップ層７２０
のオーム性電極形成領域には，ドナ密度，約４Ｅ１８ｃ
ｍ−３のｎ+ＧａＡｓから成るｎ+層７２２が，厚み，約
１０００オングストロームで形成され，そのｎ+層７２
２ａ，７２２ｂ上に，それぞれ，ソース電極，ドレイン
電極と成るオーム性電極７２４，７２６が形成されてい
る。
【００５１】さらに，第６の実施形態と同様に，ソース
電極，ドレイン電極が形成されるｎ+層７２２ａ，７２
２ｂ間において露出するキャップ層７２０上に，ＳｉＮ
などの絶縁膜から成るスペーサ絶縁膜層７６０が，約２
５０オングストロームの厚みで形成されている。そし
て，ゲート電極７５０は，スペーサ絶縁膜層７６０とキ
ャップ層７２０を貫通してショットキ層７１８に到達す
るように形成されたくぼみに埋め込まれるように形成さ
れる。すなわち，ゲート電極７５０は，先の実施形態と
同様に，その断面の下端が階段状になり，その下段７５
２は，φ−ＡｌＧａＡｓから成るショットキ層７１８に
入り込んでおり，その上段７５４は，ＳｉＮなどの絶縁
膜から成るスペーサ絶縁層７６０に乗り上げている。な
お，ゲート電極７５０の下段７５２が十分にショットキ
層７１８に到達するように，ゲート電極７５０の階段部
の段差は約１０００オングストロームに構成されてい
る。また，ショットキ層７１８の下層には，図示は省略
しているが，第１の実施形態と同様の構造が形成されて
いる。
電極，ドレイン電極が形成されるｎ+層７２２ａ，７２
２ｂ間において露出するキャップ層７２０上に，ＳｉＮ
などの絶縁膜から成るスペーサ絶縁膜層７６０が，約２
５０オングストロームの厚みで形成されている。そし
て，ゲート電極７５０は，スペーサ絶縁膜層７６０とキ
ャップ層７２０を貫通してショットキ層７１８に到達す
るように形成されたくぼみに埋め込まれるように形成さ
れる。すなわち，ゲート電極７５０は，先の実施形態と
同様に，その断面の下端が階段状になり，その下段７５
２は，φ−ＡｌＧａＡｓから成るショットキ層７１８に
入り込んでおり，その上段７５４は，ＳｉＮなどの絶縁
膜から成るスペーサ絶縁層７６０に乗り上げている。な
お，ゲート電極７５０の下段７５２が十分にショットキ
層７１８に到達するように，ゲート電極７５０の階段部
の段差は約１０００オングストロームに構成されてい
る。また，ショットキ層７１８の下層には，図示は省略
しているが，第１の実施形態と同様の構造が形成されて
いる。
【００５２】この第７の実施形態の特徴的な点は，第６
の実施形態と異なり，ゲート電極７５０のドレイン電極
７２６側キャップ層７２０ａがスペーサ絶縁層７６０と
ともにエッチングされ，厚み，約２５０オングストロー
ムに薄層化されている点である。
の実施形態と異なり，ゲート電極７５０のドレイン電極
７２６側キャップ層７２０ａがスペーサ絶縁層７６０と
ともにエッチングされ，厚み，約２５０オングストロー
ムに薄層化されている点である。
【００５３】以上のように構成された第７の実施形態に
かかるＰＨＥＭＴ７００においては，キャップ層７２０
の上部にスペーサ絶緑膜層７６０が形成されており，ゲ
ート電極７５０の上段７５４がスペーサ絶縁膜層７２０
の上に乗っている点を除けば，第５の実施形態と実質的
に同様であるので，第５の実施形態と同様の効果を奏す
ることが可能である。すなわち，ゲート電極７５０の上
段７５４がスペーサ層７２０上に乗っているため，ゲー
ト・ソース間容量Ｃｇｓは，約５％程度減少させること
ができる。また，相互コンダクタンスｇｍおよびゲート
・ドレイン間耐圧については，第５の実施形態の場合と
ほぼ同様の値を維持することができる。このように，本
実施形態によれば，相互コンダクタンスｇｍを変化させ
ることなく，ゲート・ソース間容量Ｃｇｓを減少させる
ことができるので，遮断周波数ｆＴを向上させることが
できる。
かかるＰＨＥＭＴ７００においては，キャップ層７２０
の上部にスペーサ絶緑膜層７６０が形成されており，ゲ
ート電極７５０の上段７５４がスペーサ絶縁膜層７２０
の上に乗っている点を除けば，第５の実施形態と実質的
に同様であるので，第５の実施形態と同様の効果を奏す
ることが可能である。すなわち，ゲート電極７５０の上
段７５４がスペーサ層７２０上に乗っているため，ゲー
ト・ソース間容量Ｃｇｓは，約５％程度減少させること
ができる。また，相互コンダクタンスｇｍおよびゲート
・ドレイン間耐圧については，第５の実施形態の場合と
ほぼ同様の値を維持することができる。このように，本
実施形態によれば，相互コンダクタンスｇｍを変化させ
ることなく，ゲート・ソース間容量Ｃｇｓを減少させる
ことができるので，遮断周波数ｆＴを向上させることが
できる。
【００５４】（第８の実施形態）図９〜図１６は，本発
明の第８の実施形態を示す工程フロー図である。この第
８の実施形態は，第１の実施形態にかかるＰＨＥＭＴ１
００とほぼ同様の構造を有する半導体装置８００を製造
するための工程である。
明の第８の実施形態を示す工程フロー図である。この第
８の実施形態は，第１の実施形態にかかるＰＨＥＭＴ１
００とほぼ同様の構造を有する半導体装置８００を製造
するための工程である。
【００５５】図９に示すように，まず，半絶縁性ＧａＡ
ｓ基板８０２上に分子線エピタキシャル成長法（ＭＢＥ
法）により，第１の実施形態にかかるＰＨＥＭＴ１００
に相当するすべての化合物半導体層をエピタキシャル成
長させたエピウエハ８００を製造する。すなわち，図示
の例では，エピウエハ８００は，下層から順に，半絶縁
性ＧａＡｓ基板８０２，φ−ＧａＡｓから成る第１バッ
ファ層８０４，φ−ＡｌＧａＡｓから成る第２バッファ
層８０６， ｎ+ＡｌＧａＡｓから成る第１電子供給層８
０８，φ−ＡｌＧａＡｓから成る第１スペーサ層８１
０，φ−ＩｎＧａＡｓから成るチャネル層８１２，φ−
ＡｌＧａＡｓから成る第２スペーサ層８１４， ｎ+Ａｌ
ＧａＡｓから成る第２電子供給層８１６，φ−ＡｌＧａ
Ａｓから成るショットキ層８１８，ｎ−ＧａＡｓから成
るキャップ層８２０を順次積層し，そして，最上層にｎ
+ＧａＡｓ層８２２が積層されている。
ｓ基板８０２上に分子線エピタキシャル成長法（ＭＢＥ
法）により，第１の実施形態にかかるＰＨＥＭＴ１００
に相当するすべての化合物半導体層をエピタキシャル成
長させたエピウエハ８００を製造する。すなわち，図示
の例では，エピウエハ８００は，下層から順に，半絶縁
性ＧａＡｓ基板８０２，φ−ＧａＡｓから成る第１バッ
ファ層８０４，φ−ＡｌＧａＡｓから成る第２バッファ
層８０６， ｎ+ＡｌＧａＡｓから成る第１電子供給層８
０８，φ−ＡｌＧａＡｓから成る第１スペーサ層８１
０，φ−ＩｎＧａＡｓから成るチャネル層８１２，φ−
ＡｌＧａＡｓから成る第２スペーサ層８１４， ｎ+Ａｌ
ＧａＡｓから成る第２電子供給層８１６，φ−ＡｌＧａ
Ａｓから成るショットキ層８１８，ｎ−ＧａＡｓから成
るキャップ層８２０を順次積層し，そして，最上層にｎ
+ＧａＡｓ層８２２が積層されている。
【００５６】次いで，エピウエハ８００上に，図１０に
示すように，電子走行領域となる部分の上に，フォトリ
ソグラフィ技術を用いて，必要なレジストを残したパタ
ーン８３０を形成し，レジストで覆われていない領域
（絶縁領域）８３２に，酸素イオンを第１および第２バ
ッファ層８０４，８０６より深くイオン注入し，絶縁領
域８３２を形成して，素子間分離を行う。
示すように，電子走行領域となる部分の上に，フォトリ
ソグラフィ技術を用いて，必要なレジストを残したパタ
ーン８３０を形成し，レジストで覆われていない領域
（絶縁領域）８３２に，酸素イオンを第１および第２バ
ッファ層８０４，８０６より深くイオン注入し，絶縁領
域８３２を形成して，素子間分離を行う。
【００５７】次いで，レジスト８３０を除去した後，図
１１に示すように，真空蒸着・リフトオフ法を用いて，
ＡｕＧｅから成るオーム性電極８２４，８２６を形成す
る。
１１に示すように，真空蒸着・リフトオフ法を用いて，
ＡｕＧｅから成るオーム性電極８２４，８２６を形成す
る。
【００５８】次いで，フォトリソグラフィ技術を用い
て，図１２に示すように，オーム性電極８２４，８２６
で挟まれた領域に開口部が形成されるように，レジスト
パターン８３４を形成し，このレジストパターン８３４
をマスクとして， ｎ+−ＧａＡｓ層８２２を，Ｃｌ２を
含む混合ガスを用いた反応性イオンエッチング（ＲＩ
Ｅ）により除去し，ソース電極およびドレイン電極形成
領域に，それぞれ， ｎ+領域８２２ａ，８２２ｂを形成
する。
て，図１２に示すように，オーム性電極８２４，８２６
で挟まれた領域に開口部が形成されるように，レジスト
パターン８３４を形成し，このレジストパターン８３４
をマスクとして， ｎ+−ＧａＡｓ層８２２を，Ｃｌ２を
含む混合ガスを用いた反応性イオンエッチング（ＲＩ
Ｅ）により除去し，ソース電極およびドレイン電極形成
領域に，それぞれ， ｎ+領域８２２ａ，８２２ｂを形成
する。
【００５９】次いで，レジストパターン８３４を除去し
た後，ウエハ全面にスペーサ絶縁膜層８６０としてＳｉ
Ｎ膜を堆積する。その後，ホトリソグラフィ技術を用い
て，オーム性電極８２４，８２６の上部のみを開口部と
したレジストパターンを形成し（図示せず），不要なＳ
ｉＮ膜を除去し，図１３に示す形状を得る。
た後，ウエハ全面にスペーサ絶縁膜層８６０としてＳｉ
Ｎ膜を堆積する。その後，ホトリソグラフィ技術を用い
て，オーム性電極８２４，８２６の上部のみを開口部と
したレジストパターンを形成し（図示せず），不要なＳ
ｉＮ膜を除去し，図１３に示す形状を得る。
【００６０】次いで，ｉ線レジストＦＳＭＲ（冨士薬品
工業製）を用い，ｉ線ステッパ露光により，図１４に示
すようなオーバーハング形状を有するレジストパターン
８３６を，スペーサ絶縁層８６０が露出している領域に
形成する。続いて，ＳＦ６ガスを用いたＲＩＥ（ウエハ
はカソード電極上に載置される。）により，レジストの
開口部の長さＬ１，約０．５μｍにほぼ等しい長さＬ
２，約０．５５μｍにわたり，スペーサ絶縁膜８６０を
エッチングする。このとき，プラズマ中のＦイオンの運
動方向を上下方向に制御し，エッチングの異方性を高め
るために，反応室のガス圧は１ｐａ（パスカル）程度に
調整することが好ましい。
工業製）を用い，ｉ線ステッパ露光により，図１４に示
すようなオーバーハング形状を有するレジストパターン
８３６を，スペーサ絶縁層８６０が露出している領域に
形成する。続いて，ＳＦ６ガスを用いたＲＩＥ（ウエハ
はカソード電極上に載置される。）により，レジストの
開口部の長さＬ１，約０．５μｍにほぼ等しい長さＬ
２，約０．５５μｍにわたり，スペーサ絶縁膜８６０を
エッチングする。このとき，プラズマ中のＦイオンの運
動方向を上下方向に制御し，エッチングの異方性を高め
るために，反応室のガス圧は１ｐａ（パスカル）程度に
調整することが好ましい。
【００６１】次いで，Ｃｌ２を含むガスに切り替えて，
キャップ層（ｎ−ＧａＡｓ）８２０を完全に除去し，さ
らに，ショットキ層（φ−ＡｌＧａＡｓ）８１８の一部
を除去する。次いで，ガスを，再度ＳＦ６に戻し，プラ
ズマエッチング（ウエハはアノード電極上に載置され
る。）により，スペーサ絶縁膜層８６０の開口部に残っ
ていた端部を除去し，図１５においてＬ３で示す領域ま
で後退させる。このときには，プラズマ中のＦイオンの
運動方向を等方向に制御するため，反応室のガス圧は２
０Ｐａ程度に調整することが好ましい。以上のようなプ
ラズマエッチングを行うには，通常のＲＩＥ装置におい
て，上下の平行平板型電極へのＲＦ電源の配線を逆に切
り替えればよく，ウエハを反応室から出さずに一連の加
工を行うことができ，再現性が高い処理を実現できる。
以上のようにして，長さＬ３，約１．０μｍを有するス
ペーサ絶縁膜層８６０の開口部８６０ａを得ることがで
きる。
キャップ層（ｎ−ＧａＡｓ）８２０を完全に除去し，さ
らに，ショットキ層（φ−ＡｌＧａＡｓ）８１８の一部
を除去する。次いで，ガスを，再度ＳＦ６に戻し，プラ
ズマエッチング（ウエハはアノード電極上に載置され
る。）により，スペーサ絶縁膜層８６０の開口部に残っ
ていた端部を除去し，図１５においてＬ３で示す領域ま
で後退させる。このときには，プラズマ中のＦイオンの
運動方向を等方向に制御するため，反応室のガス圧は２
０Ｐａ程度に調整することが好ましい。以上のようなプ
ラズマエッチングを行うには，通常のＲＩＥ装置におい
て，上下の平行平板型電極へのＲＦ電源の配線を逆に切
り替えればよく，ウエハを反応室から出さずに一連の加
工を行うことができ，再現性が高い処理を実現できる。
以上のようにして，長さＬ３，約１．０μｍを有するス
ペーサ絶縁膜層８６０の開口部８６０ａを得ることがで
きる。
【００６２】次いで，ゲート電極８５０の材料を，真空
蒸着・リフトオフ法により，図１６に示すように形成
し，ＰＨＥＭＴ８００が完成する。このときゲート電極
８５０の端部の長さＬ４は，真空蒸着による蒸発物質の
入射角の広がりにより，約０．８μｍとなる。ゲート電
極底部８５２の長さＬ２は，約０．５５μｍであるの
で，ゲート電極８５０の端部８５４が，ｎ−ＧａＡｓキ
ャップ層８２０に乗り上げる長さＬ５は，約０．１２５
μｍ程度に十分に長く取ることが可能である。
蒸着・リフトオフ法により，図１６に示すように形成
し，ＰＨＥＭＴ８００が完成する。このときゲート電極
８５０の端部の長さＬ４は，真空蒸着による蒸発物質の
入射角の広がりにより，約０．８μｍとなる。ゲート電
極底部８５２の長さＬ２は，約０．５５μｍであるの
で，ゲート電極８５０の端部８５４が，ｎ−ＧａＡｓキ
ャップ層８２０に乗り上げる長さＬ５は，約０．１２５
μｍ程度に十分に長く取ることが可能である。
【００６３】以上のように，本実施形態においては，ゲ
ート電極８５０を形成するためのレジスト開口パターン
８３６をマスクとし，まず，異方性エッチングを用いて
スペーサ絶縁膜層８６０に同寸法の開口部８６０ａを形
成し，さらに同レジスト開口パターン８３６を用いて，
ｎ−ＧａＡｓキャップ層８２０を除去し，その下層のシ
ョットキ層８１８の一部をエッチングし，その後，エッ
チング条件を等法性エッチングに切り替えることによ
り，スペーサ絶縁膜８６０の端部を除去し，さらに同レ
ジスト開口パターン８３６を用いて，ゲート電極８５０
を真空蒸着・リフトオフにより形成している。このよう
に，本実施の形態においては，ＲＩＥ装置の反応室から
ウエハを大気中に出さずに，連続処理できるため，ウエ
ハ上の反応生成物と大気中の水分等が接触し，エッチン
グを阻害する副産物が発生することがない。したがっ
て，再現性良く，下地加工ができ，また，ゲート電極８
５０の上段８５４がキャップ層（ｎ−ＧａＡｓ）８２０
に完全に乗り上げるので，化学的に不安定なショットキ
層（φ−ＡｌＧａＡｓ）８１８を全く露出させない，Ｐ
ＨＥＭＴ８００を実現することができる。
ート電極８５０を形成するためのレジスト開口パターン
８３６をマスクとし，まず，異方性エッチングを用いて
スペーサ絶縁膜層８６０に同寸法の開口部８６０ａを形
成し，さらに同レジスト開口パターン８３６を用いて，
ｎ−ＧａＡｓキャップ層８２０を除去し，その下層のシ
ョットキ層８１８の一部をエッチングし，その後，エッ
チング条件を等法性エッチングに切り替えることによ
り，スペーサ絶縁膜８６０の端部を除去し，さらに同レ
ジスト開口パターン８３６を用いて，ゲート電極８５０
を真空蒸着・リフトオフにより形成している。このよう
に，本実施の形態においては，ＲＩＥ装置の反応室から
ウエハを大気中に出さずに，連続処理できるため，ウエ
ハ上の反応生成物と大気中の水分等が接触し，エッチン
グを阻害する副産物が発生することがない。したがっ
て，再現性良く，下地加工ができ，また，ゲート電極８
５０の上段８５４がキャップ層（ｎ−ＧａＡｓ）８２０
に完全に乗り上げるので，化学的に不安定なショットキ
層（φ−ＡｌＧａＡｓ）８１８を全く露出させない，Ｐ
ＨＥＭＴ８００を実現することができる。
【００６４】（第９の実施形態）図１７〜図１９に示す
第９の実施形態は，第８の実施形態と同様に，第１の実
施形態とほぼ同様の構造を有するＰＨＥＭＴ１００（９
００）を製造するための製造工程である。なお，以下の
工程に関する説明において，実質的に同工程により形成
された構造については，下位の二桁について同一符号を
付することにより重複説明を省略することにする。
第９の実施形態は，第８の実施形態と同様に，第１の実
施形態とほぼ同様の構造を有するＰＨＥＭＴ１００（９
００）を製造するための製造工程である。なお，以下の
工程に関する説明において，実質的に同工程により形成
された構造については，下位の二桁について同一符号を
付することにより重複説明を省略することにする。
【００６５】この第９の実施形態においても，第８の実
施形態にかかる製造工程とほぼ同様に，図１３に示す構
造を製造した後，図１７に示すように，レジスト解像度
が高いｉ線ポジレジスト（東京応化製ＴＨＭＲ）を用い
て，開口部の長さＬ１が，約０．３μｍの第１レジスト
パターン９３６ａを形成する。そして，この第１レジス
トパターン９３６ａを用いて，第８の実施形態と同様
に，スペーサ絶縁膜９６０をエッチングするとともに，
キャップ層９２０の除去を行い，さらに，ショットキ層
９１８の一部をエッチングする。なお，本実施形態の場
合には，キャップ層９２０とショットキ層９１８の開口
部の長さＬ２は，約０．３５μｍである。
施形態にかかる製造工程とほぼ同様に，図１３に示す構
造を製造した後，図１７に示すように，レジスト解像度
が高いｉ線ポジレジスト（東京応化製ＴＨＭＲ）を用い
て，開口部の長さＬ１が，約０．３μｍの第１レジスト
パターン９３６ａを形成する。そして，この第１レジス
トパターン９３６ａを用いて，第８の実施形態と同様
に，スペーサ絶縁膜９６０をエッチングするとともに，
キャップ層９２０の除去を行い，さらに，ショットキ層
９１８の一部をエッチングする。なお，本実施形態の場
合には，キャップ層９２０とショットキ層９１８の開口
部の長さＬ２は，約０．３５μｍである。
【００６６】その後，第１レジストパターン９３６ａを
全部除去し，ウエハを洗浄した後，図１８に示すよう
に，ｉ線ネガレジストＦＳＭＲを用いて，開口部の長さ
Ｌ６，約０．４μｍの第２レジストパターン９３６ｂを
形成する。そして，第８の実施形態と同様に，スペーサ
絶縁膜層９６０の端部のエッチングを行った後，ゲート
電極９５０の材料を，真空蒸着・リフトオフすることに
より，図１９に示すようなＰＨＥＭＴ９００が完成す
る。なお，図１８においては，各部寸法の関係を示すた
めに，真空蒸着後のゲート電極９５０の形状のみを示し
ており，さらに，図面が繁雑になるのを回避するため
に，第２レジストパターン９３６ｂ上の堆積金属は示し
ていない。
全部除去し，ウエハを洗浄した後，図１８に示すよう
に，ｉ線ネガレジストＦＳＭＲを用いて，開口部の長さ
Ｌ６，約０．４μｍの第２レジストパターン９３６ｂを
形成する。そして，第８の実施形態と同様に，スペーサ
絶縁膜層９６０の端部のエッチングを行った後，ゲート
電極９５０の材料を，真空蒸着・リフトオフすることに
より，図１９に示すようなＰＨＥＭＴ９００が完成す
る。なお，図１８においては，各部寸法の関係を示すた
めに，真空蒸着後のゲート電極９５０の形状のみを示し
ており，さらに，図面が繁雑になるのを回避するため
に，第２レジストパターン９３６ｂ上の堆積金属は示し
ていない。
【００６７】図示のように，本実施の形態によれば，ゲ
ート電極９５０の端部９５４の寸法Ｌ４は，約０．７μ
ｍとなり，ゲート電極９５４のキャップ層９２０への乗
り上げの長さＬ５は，約０．１７５μｍ程度に構成する
ことができる。したがって，第１レジストパターン９３
６ａと第２レジストパターン９３６ｂの合わせずれが，
例えば，最大±０．０７μｍ程度あった場合でも，十分
に対応することが可能である。
ート電極９５０の端部９５４の寸法Ｌ４は，約０．７μ
ｍとなり，ゲート電極９５４のキャップ層９２０への乗
り上げの長さＬ５は，約０．１７５μｍ程度に構成する
ことができる。したがって，第１レジストパターン９３
６ａと第２レジストパターン９３６ｂの合わせずれが，
例えば，最大±０．０７μｍ程度あった場合でも，十分
に対応することが可能である。
【００６８】以上のように，本実施形態によれば，ゲー
ト電極９５０を形成するためのレジストパターン９３６
（９３６ａ，９３６ｂ）として二種を用い，まず，解像
度の高いポジレジストを用いて第１レジストパターン９
３６ａを形成した後，任意の微少寸法でキャップ層９２
０，ショットキ層９１８のエッチングを行い，一旦，第
１レジストパターン９３６ａを除去してから，改めてオ
ーバーハング形状が得られるネガレジストを用いて第２
レジストパターン９３６ｂを形成し，ゲート電極９５０
の材料を真空蒸着・リフトオフするようにしている。し
たがって，半導体素子の電気的特性のほとんどを決定す
るゲート電極９５０の下部９５２の寸法を，より容易に
小さく加工することが可能である。また，第１レジスト
パターン９３６ａと第２レジストパターン９３６ｂの露
光時におけるマスクの合わせずれが生じても，ゲート電
極端部９５４が，キャップ層（ｎ−ＧａＡｓ）９２０上
に完全に乗り上げる構造となっているので，化学的に不
安定なショットキ層（φ−ＡｌＧａＡｓ）９１８を外部
に全く露出させない，高い安定性と信頼性を有するＰＨ
ＥＭＴ９００が実現できる。
ト電極９５０を形成するためのレジストパターン９３６
（９３６ａ，９３６ｂ）として二種を用い，まず，解像
度の高いポジレジストを用いて第１レジストパターン９
３６ａを形成した後，任意の微少寸法でキャップ層９２
０，ショットキ層９１８のエッチングを行い，一旦，第
１レジストパターン９３６ａを除去してから，改めてオ
ーバーハング形状が得られるネガレジストを用いて第２
レジストパターン９３６ｂを形成し，ゲート電極９５０
の材料を真空蒸着・リフトオフするようにしている。し
たがって，半導体素子の電気的特性のほとんどを決定す
るゲート電極９５０の下部９５２の寸法を，より容易に
小さく加工することが可能である。また，第１レジスト
パターン９３６ａと第２レジストパターン９３６ｂの露
光時におけるマスクの合わせずれが生じても，ゲート電
極端部９５４が，キャップ層（ｎ−ＧａＡｓ）９２０上
に完全に乗り上げる構造となっているので，化学的に不
安定なショットキ層（φ−ＡｌＧａＡｓ）９１８を外部
に全く露出させない，高い安定性と信頼性を有するＰＨ
ＥＭＴ９００が実現できる。
【００６９】（第１０の実施の形態）次に，第１０の実
施の形態として，図３に示す第２の実施形態にかかるＰ
ＨＥＭＴ２００の構造を製造するいくつかの製造工程に
ついて説明する。なお，本実施形態においても，先に説
明した実施形態と実質的に同工程により形成された構造
については，下位の二桁に同一符号を付することにより
重複説明を省略することにする。
施の形態として，図３に示す第２の実施形態にかかるＰ
ＨＥＭＴ２００の構造を製造するいくつかの製造工程に
ついて説明する。なお，本実施形態においても，先に説
明した実施形態と実質的に同工程により形成された構造
については，下位の二桁に同一符号を付することにより
重複説明を省略することにする。
【００７０】まず第１の製造方法によれば，第８の実施
形態の工程フローで参照された図９に示す工程におい
て，エピウエハ８００のｎ−ＧａＡｓキャップ層８２０
の厚みを約２倍程度に設定し，図９〜図１５に示す工程
と同様の工程を行う。次いで，スペーサ絶縁膜層８６０
の開口部８６０ａに露出するｎ−ＧａＡｓキャップ層８
２０のみをエッチングし，ショットキ層（φ−ＡｌＧａ
Ａｓ）８１８をエッチングしない化学的選択性のあるエ
ッチング液で，エッチング処理を行った後，ゲート電極
材料を真空蒸着・リフトオフすることにより，図３に示
すような第２の実施形態にかかるＰＨＥＭＴ２００の構
造を得ることができる。
形態の工程フローで参照された図９に示す工程におい
て，エピウエハ８００のｎ−ＧａＡｓキャップ層８２０
の厚みを約２倍程度に設定し，図９〜図１５に示す工程
と同様の工程を行う。次いで，スペーサ絶縁膜層８６０
の開口部８６０ａに露出するｎ−ＧａＡｓキャップ層８
２０のみをエッチングし，ショットキ層（φ−ＡｌＧａ
Ａｓ）８１８をエッチングしない化学的選択性のあるエ
ッチング液で，エッチング処理を行った後，ゲート電極
材料を真空蒸着・リフトオフすることにより，図３に示
すような第２の実施形態にかかるＰＨＥＭＴ２００の構
造を得ることができる。
【００７１】また，第２の製造方法によれば，第８の実
施形態の工程フローにおいて参照された図９〜図１３の
工程を行った後，図１４において参照されたショットキ
層８２０のエッチング量を少なめに調整する。そして，
図１５において参照された構造を作成した後，スペーサ
絶縁膜層８６０の開口部８６０ａに露出するキャップ層
（ｎ−ＧａＡｓ）８２０とショットキ層（φ−ＡｌＧａ
Ａｓ）８１８を両方エッチングする化学的選択性のない
エッチング液で，エッチング処理を行った後，ゲート電
極材料を真空蒸着・リフトオフすることにより，図３に
示すような第２の実施形態にかかるＰＨＥＭＴ２００の
構造を得ることができる。
施形態の工程フローにおいて参照された図９〜図１３の
工程を行った後，図１４において参照されたショットキ
層８２０のエッチング量を少なめに調整する。そして，
図１５において参照された構造を作成した後，スペーサ
絶縁膜層８６０の開口部８６０ａに露出するキャップ層
（ｎ−ＧａＡｓ）８２０とショットキ層（φ−ＡｌＧａ
Ａｓ）８１８を両方エッチングする化学的選択性のない
エッチング液で，エッチング処理を行った後，ゲート電
極材料を真空蒸着・リフトオフすることにより，図３に
示すような第２の実施形態にかかるＰＨＥＭＴ２００の
構造を得ることができる。
【００７２】あるいは，第３の製造方法によれば，第９
の実施形態の工程フローにおける図１７に示す工程を行
った後，図１８に示すように，第２レジストパターン９
３６ｂを形成し，スペーサ絶縁膜層９６０の端部のエッ
チングを終了した後，化学的選択性のあるエッチング液
か，または化学的選択性のないエッチング液でエッチン
グ処理を行い，さらに，ゲート電極材料を真空蒸着・リ
フトオフすることにより，図３に示すような第２の実施
形態にかかるＰＨＥＭＴ２００の構造を得ることができ
る。
の実施形態の工程フローにおける図１７に示す工程を行
った後，図１８に示すように，第２レジストパターン９
３６ｂを形成し，スペーサ絶縁膜層９６０の端部のエッ
チングを終了した後，化学的選択性のあるエッチング液
か，または化学的選択性のないエッチング液でエッチン
グ処理を行い，さらに，ゲート電極材料を真空蒸着・リ
フトオフすることにより，図３に示すような第２の実施
形態にかかるＰＨＥＭＴ２００の構造を得ることができ
る。
【００７３】以上説明したように，本実施形態によれ
ば，第１の実施の形態にかかるＰＨＥＭＴ１００に比較
して，エピウエハのｎ−ＧａＡｓキャップ層８２０（９
２０）の厚みを約２倍に設定し，ゲート電極材料を真空
蒸着・リフトオフするために，オーバーハング形状を有
するレジストパターン８３６（９３６）を形成し，スペ
ーサ絶縁膜層８６０（９６０）の端部をエッチングした
後，さらに露出しているｎ−ＧａＡｓキャップ層８２０
（９２０）を約半分の厚みにまでエッチングし，その
後，ゲート電極材料を真空蒸着・リフトオフすることに
より，第２の実施形態にかかるＰＨＥＭＴ２００の構造
を実現することができる。
ば，第１の実施の形態にかかるＰＨＥＭＴ１００に比較
して，エピウエハのｎ−ＧａＡｓキャップ層８２０（９
２０）の厚みを約２倍に設定し，ゲート電極材料を真空
蒸着・リフトオフするために，オーバーハング形状を有
するレジストパターン８３６（９３６）を形成し，スペ
ーサ絶縁膜層８６０（９６０）の端部をエッチングした
後，さらに露出しているｎ−ＧａＡｓキャップ層８２０
（９２０）を約半分の厚みにまでエッチングし，その
後，ゲート電極材料を真空蒸着・リフトオフすることに
より，第２の実施形態にかかるＰＨＥＭＴ２００の構造
を実現することができる。
【００７４】（第１１の実施の形態）次に，図２０〜図
２２を参照しながら，第１１の実施の形態として，図４
に示す第３の実施形態にかかるＰＨＥＭＴ３００の構造
を製造するいくつかの製造工程について説明する。な
お，本実施形態においても，先に説明した実施形態と実
質的に同工程により形成された構造については，下位の
二桁に同一符号を付することにより重複説明を省略する
ことにする。
２２を参照しながら，第１１の実施の形態として，図４
に示す第３の実施形態にかかるＰＨＥＭＴ３００の構造
を製造するいくつかの製造工程について説明する。な
お，本実施形態においても，先に説明した実施形態と実
質的に同工程により形成された構造については，下位の
二桁に同一符号を付することにより重複説明を省略する
ことにする。
【００７５】第３の実施形態にかかるＰＨＥＭＴ３００
を製造するにあたっては，まず，第９の実施形態にかか
る工程フローと同様に，ｎ−ＧａＡｓキャップ層９２０
の厚みを第１の実施形態にかかるＰＨＥＭＴ１００のｎ
−ＧａＡｓキャップ層８２０の約２倍に設定し，すでに
説明した工程を経て，図１７において参照される工程に
示すような構造を作成する。その後，図２０に示すよう
に，ｉ線ポジレジストを用いて，閉口部の長さＬ６が，
約２．５μｍの第１レジストパターン１１３６ａを形成
する。そして，この第１レジストパターン１１３６ａを
用いて，スペーサ絶縁膜層１１６０のエッチングを行
い，スペーサ絶縁膜層１１６０の開口部１１６０ａに露
出するｎ−ＧａＡｓキャップ層１１２０のみをエッチン
グし，ショットキ層（φ−ＡｌＧａＡｓ）１１１８をエ
ッチングしない化学的選択性のあるエッチング液でエッ
チング処理を行う。
を製造するにあたっては，まず，第９の実施形態にかか
る工程フローと同様に，ｎ−ＧａＡｓキャップ層９２０
の厚みを第１の実施形態にかかるＰＨＥＭＴ１００のｎ
−ＧａＡｓキャップ層８２０の約２倍に設定し，すでに
説明した工程を経て，図１７において参照される工程に
示すような構造を作成する。その後，図２０に示すよう
に，ｉ線ポジレジストを用いて，閉口部の長さＬ６が，
約２．５μｍの第１レジストパターン１１３６ａを形成
する。そして，この第１レジストパターン１１３６ａを
用いて，スペーサ絶縁膜層１１６０のエッチングを行
い，スペーサ絶縁膜層１１６０の開口部１１６０ａに露
出するｎ−ＧａＡｓキャップ層１１２０のみをエッチン
グし，ショットキ層（φ−ＡｌＧａＡｓ）１１１８をエ
ッチングしない化学的選択性のあるエッチング液でエッ
チング処理を行う。
【００７６】次いで，図２１に示すように，ｉ線ネガレ
ジストを用いて，開口部にオーバーハング形状を有する
第２レジストパターン１１３６ｂを形成した後，ゲート
電極材料を真空蒸着・リフトオフすることにより，図２
２に示すようなＰＨＥＭＴ１１００を実現することがで
きる。
ジストを用いて，開口部にオーバーハング形状を有する
第２レジストパターン１１３６ｂを形成した後，ゲート
電極材料を真空蒸着・リフトオフすることにより，図２
２に示すようなＰＨＥＭＴ１１００を実現することがで
きる。
【００７７】本実施形態によれば，エピウエハのｎ−Ｇ
ａＡｓキャップ層１１２０の厚みを，第１の実施形態に
かかるＰＨＥＭＴ構造に比較して，約２倍に設定し，さ
らにゲート電極１１５０の底部形状を２段構造にするた
めの細い溝を形成し，その溝に対して非対称的にレジス
トの開口部を形成し，露出しているスペーサ絶縁膜層１
１６０ａをエッチングした後，ｎ−ＧａＡｓキャップ層
１１２０を約半分の厚みにエッチングし，それから，ゲ
ート電極材料を真空蒸着・リフトオフすることにより，
第３の実施形態にかかるＰＨＥＭＴ１１００を実現する
ことができる。
ａＡｓキャップ層１１２０の厚みを，第１の実施形態に
かかるＰＨＥＭＴ構造に比較して，約２倍に設定し，さ
らにゲート電極１１５０の底部形状を２段構造にするた
めの細い溝を形成し，その溝に対して非対称的にレジス
トの開口部を形成し，露出しているスペーサ絶縁膜層１
１６０ａをエッチングした後，ｎ−ＧａＡｓキャップ層
１１２０を約半分の厚みにエッチングし，それから，ゲ
ート電極材料を真空蒸着・リフトオフすることにより，
第３の実施形態にかかるＰＨＥＭＴ１１００を実現する
ことができる。
【００７８】（第１２の実施の形態）次に，第１２の実
施の形態として，図５に示す第４の実施形態にかかるＰ
ＨＥＭＴ４００の構造を製造する製造工程について説明
する。なお，本実施形態においても，先に説明した実施
形態と実質的に同工程により形成された構造について
は，下位の二桁に同一符号を付することにより重複説明
を省略することにする。
施の形態として，図５に示す第４の実施形態にかかるＰ
ＨＥＭＴ４００の構造を製造する製造工程について説明
する。なお，本実施形態においても，先に説明した実施
形態と実質的に同工程により形成された構造について
は，下位の二桁に同一符号を付することにより重複説明
を省略することにする。
【００７９】まず，第８の実施形態の工程フローにおけ
る図９に示す構造を作成するにあたり，エピウエハのｎ
−ＧａＡｓキャップ層８２０の厚みを，第１の実施形態
にかかるＰＨＥＭＴ１００に比較して，約２倍に設定
し，図１０〜図１６において参照される工程を終了した
後，露出しているソース電極８２４，ゲート電極８５
０，ドレイン電極８２６の各電極を用いて，ＦＥＴ特性
を測定する。この状態では，ソース抵抗は十分小さく，
相互コンダクタンスｇｍが大きいが，ゲートとドレイン
の間の逆方向耐圧は小さいものとする。次いで，図１６
に参照されるように，ゲート電極８５０とスペーサ絶縁
膜８６０の間隙部に露出しているｎ−ＧａＡｓキャップ
層８２０のエッチングを行い，再度ＦＥＴ特性を測定す
る。ｎ−ＧａＡｓキャップ層８２０のエッチングによ
り，ゲートとドレインの間の逆方向耐圧とソース抵抗は
上昇し始め，相互コンダクタンスｇｍは減少し始める。
このように，エッチングとＦＥＴ特性測定を繰り返し，
所望のＦＥＴ特性になったところで工程を終了する。
る図９に示す構造を作成するにあたり，エピウエハのｎ
−ＧａＡｓキャップ層８２０の厚みを，第１の実施形態
にかかるＰＨＥＭＴ１００に比較して，約２倍に設定
し，図１０〜図１６において参照される工程を終了した
後，露出しているソース電極８２４，ゲート電極８５
０，ドレイン電極８２６の各電極を用いて，ＦＥＴ特性
を測定する。この状態では，ソース抵抗は十分小さく，
相互コンダクタンスｇｍが大きいが，ゲートとドレイン
の間の逆方向耐圧は小さいものとする。次いで，図１６
に参照されるように，ゲート電極８５０とスペーサ絶縁
膜８６０の間隙部に露出しているｎ−ＧａＡｓキャップ
層８２０のエッチングを行い，再度ＦＥＴ特性を測定す
る。ｎ−ＧａＡｓキャップ層８２０のエッチングによ
り，ゲートとドレインの間の逆方向耐圧とソース抵抗は
上昇し始め，相互コンダクタンスｇｍは減少し始める。
このように，エッチングとＦＥＴ特性測定を繰り返し，
所望のＦＥＴ特性になったところで工程を終了する。
【００８０】以上説明したように，本実施形態によれ
ば，エピウエハのｎ−ＧａＡｓキャップ層８２０の厚み
を，第１の実施形態にかかるＰＨＥＭＴ１００構造に比
較して，約２倍に設定し，ゲート電極端部８５４とスペ
ーサ絶縁膜８６０の空隙を利用して，そこに露出してい
るｎ−ＧａＡｓキャップ層８２０を，ＦＥＴ特性を見な
がらエッチングし，設計値である約半分の厚みに徐々に
調整することができるので，所望の電気的特性を再現性
艮く得ることが出来る。
ば，エピウエハのｎ−ＧａＡｓキャップ層８２０の厚み
を，第１の実施形態にかかるＰＨＥＭＴ１００構造に比
較して，約２倍に設定し，ゲート電極端部８５４とスペ
ーサ絶縁膜８６０の空隙を利用して，そこに露出してい
るｎ−ＧａＡｓキャップ層８２０を，ＦＥＴ特性を見な
がらエッチングし，設計値である約半分の厚みに徐々に
調整することができるので，所望の電気的特性を再現性
艮く得ることが出来る。
【００８１】（第１３の実施の形態）次に，第１３の実
施の形態として，図６に示す第５の実施形態にかかるＰ
ＨＥＭＴ５００の構造を製造する製造工程について説明
する。なお，本実施形態においても，先に説明した実施
形態と実質的に同工程により形成された構造について
は，下位の二桁に同一符号を付することにより重複説明
を省略することにする。
施の形態として，図６に示す第５の実施形態にかかるＰ
ＨＥＭＴ５００の構造を製造する製造工程について説明
する。なお，本実施形態においても，先に説明した実施
形態と実質的に同工程により形成された構造について
は，下位の二桁に同一符号を付することにより重複説明
を省略することにする。
【００８２】まず，第８の実施形態にかかる工程フロー
と同様に，エピウエハのｎ−ＧａＡｓキャップ層の厚み
を，第１の実施形態にかかるＰＨＥＭＴ１００構造の約
２倍に設定し，図９〜図１６において参照される工程を
順次終了する。次いで，図２３に示すように，レジスト
パターン１３３８を形成する。その際に，ゲート電極１
３５０からドレイン電極１３２６側の一部に，レジスト
パターン１３３８の開口部を設け，その開口部に露出す
るスペーサ絶縁膜層１３６０の一部をエッチングして除
去する。次いで，図２４に示すように，新たにレジスト
パターン１３４０を形成し，ゲート電極１３５０とソー
ス電極１３２４側のスペーサ絶縁膜１３６０ａの間隙を
覆う。その後，露出しているソース電極１３２４，ゲ−
ト電極１３５０，ドレイン電極１３２６の各電極を用い
て，ＦＥＴ特性を測定する。この状態では，ソース抵抗
は十分小さく，相互コンダクタンスｇｍは大きいが，ゲ
ートとドレインの間の逆方向耐圧は小さいものとする。
と同様に，エピウエハのｎ−ＧａＡｓキャップ層の厚み
を，第１の実施形態にかかるＰＨＥＭＴ１００構造の約
２倍に設定し，図９〜図１６において参照される工程を
順次終了する。次いで，図２３に示すように，レジスト
パターン１３３８を形成する。その際に，ゲート電極１
３５０からドレイン電極１３２６側の一部に，レジスト
パターン１３３８の開口部を設け，その開口部に露出す
るスペーサ絶縁膜層１３６０の一部をエッチングして除
去する。次いで，図２４に示すように，新たにレジスト
パターン１３４０を形成し，ゲート電極１３５０とソー
ス電極１３２４側のスペーサ絶縁膜１３６０ａの間隙を
覆う。その後，露出しているソース電極１３２４，ゲ−
ト電極１３５０，ドレイン電極１３２６の各電極を用い
て，ＦＥＴ特性を測定する。この状態では，ソース抵抗
は十分小さく，相互コンダクタンスｇｍは大きいが，ゲ
ートとドレインの間の逆方向耐圧は小さいものとする。
【００８３】次いで，図２４に示すゲート電極１３５０
とドレイン電極１３２６側のスペーサ絶縁膜層１３６０
との間隙部に露出しているｎ−ＧａＡｓキャップ層１３
２０のエッチングを行い，再度ＦＥＴ特性を測定する。
ｎ−ＧａＡｓキャップ層１３２０のエッチングにより，
ゲート電極１３５０とドレイン電極１３２６間の逆方向
耐圧は上昇し始めるが，ソース抵抗や相互コンダクタン
スｇｍは変化しない。このエッチングとＦＥＴ特性測定
を繰り返し，所望のゲートとドレインの間の逆方向耐圧
を有するＦＥＴ特性になったところで工程を終了する。
とドレイン電極１３２６側のスペーサ絶縁膜層１３６０
との間隙部に露出しているｎ−ＧａＡｓキャップ層１３
２０のエッチングを行い，再度ＦＥＴ特性を測定する。
ｎ−ＧａＡｓキャップ層１３２０のエッチングにより，
ゲート電極１３５０とドレイン電極１３２６間の逆方向
耐圧は上昇し始めるが，ソース抵抗や相互コンダクタン
スｇｍは変化しない。このエッチングとＦＥＴ特性測定
を繰り返し，所望のゲートとドレインの間の逆方向耐圧
を有するＦＥＴ特性になったところで工程を終了する。
【００８４】このように，本実施形態によれば，エピウ
エハのｎ−ＧａＡｓキャップ層の厚みを，第１の実施の
形態にかかるＰＨＥＭＴ１００に比較して，約２倍に設
定し，ゲート電極１３５０の端部とスペーサ絶縁膜層１
３６０との間に形成される空隙を，ドレイン電極１３２
６側にのみ設け，その空隙を利用して，そこに露出して
いるドレイン電極１３２６側のｎ−ＧａＡｓキャップ層
１３２０を，ＦＥＴ特性を見ながらエッチングし，設計
値である約半分の厚みに調整することにより，所望の電
気的特性を再現性良く得ることが出来る。
エハのｎ−ＧａＡｓキャップ層の厚みを，第１の実施の
形態にかかるＰＨＥＭＴ１００に比較して，約２倍に設
定し，ゲート電極１３５０の端部とスペーサ絶縁膜層１
３６０との間に形成される空隙を，ドレイン電極１３２
６側にのみ設け，その空隙を利用して，そこに露出して
いるドレイン電極１３２６側のｎ−ＧａＡｓキャップ層
１３２０を，ＦＥＴ特性を見ながらエッチングし，設計
値である約半分の厚みに調整することにより，所望の電
気的特性を再現性良く得ることが出来る。
【００８５】（第１４の実施形態）第１４の実施形態
は，第６の実施形態にかかる構造を有するＰＨＥＭＴ６
００と同様の構造を有する半導体素子を製造するための
工程である。第８の実施形態にかかる工程フローと同様
に，図９〜図１４に参照される工程を順次終了する。こ
こで，図１４に参照される構造のエッチング領域Ａを拡
大すると，図２５に示すように，スペーサ絶縁膜層８６
０の端部８６０ｅとｎ−ＧａＡｓキャップ層８２０のエ
ッチング領域には，オフセット部分，すなわち，サイド
エッチングによるアンダ−カット部８２０ｕが微小なが
ら存在することが分かる。かかるアンダーカット部８２
０ｕは，Ｃｌ２を含むガスを用いたエッチングのプラズ
マ運動の等方性成分が微小ながら存在するために生じた
ものである。かかるアンダーカット部８２０ｕを放置し
たまま，ゲート金属を蒸着すると，スペーサ絶縁膜層８
６０の陰となるアンダーカット部８２０ｕには，ｎ−Ｇ
ａＡｓキャップ層８２０の側壁の一部が蒸着されないお
それがある。
は，第６の実施形態にかかる構造を有するＰＨＥＭＴ６
００と同様の構造を有する半導体素子を製造するための
工程である。第８の実施形態にかかる工程フローと同様
に，図９〜図１４に参照される工程を順次終了する。こ
こで，図１４に参照される構造のエッチング領域Ａを拡
大すると，図２５に示すように，スペーサ絶縁膜層８６
０の端部８６０ｅとｎ−ＧａＡｓキャップ層８２０のエ
ッチング領域には，オフセット部分，すなわち，サイド
エッチングによるアンダ−カット部８２０ｕが微小なが
ら存在することが分かる。かかるアンダーカット部８２
０ｕは，Ｃｌ２を含むガスを用いたエッチングのプラズ
マ運動の等方性成分が微小ながら存在するために生じた
ものである。かかるアンダーカット部８２０ｕを放置し
たまま，ゲート金属を蒸着すると，スペーサ絶縁膜層８
６０の陰となるアンダーカット部８２０ｕには，ｎ−Ｇ
ａＡｓキャップ層８２０の側壁の一部が蒸着されないお
それがある。
【００８６】かかる事態を回避するために，図１４の工
程終了後，図２６に示すように，直ちにＲＩＥ装置のガ
スをＯ２に切り替え，Ｏ２プラズマでレジスト１４２６
を等方的に灰化（アッシング）し，レジストパターン１
４２６の開口部を長さＬ８，例えば約０．１μｍ後退さ
せる。次いで，ＳＦ６を用いたＲＩＥにより，レジスト
パターン１４３６の開口部に等しく，スペーサ絶縁膜層
１４６０の開口部１４６０ｅをエッチングして後退させ
る。次いで，ゲート電極１４５０の材料を真空蒸着・リ
フトオフ法により，図２７に示すように形成し，ＰＨＥ
ＭＴ１４００が完成する。なお，本実施の形態において
は，ゲート電極１４５０の両端部１４５４間の長さＬ４
は，約１．０μｍとなり，ゲート電極１４５０底部の長
さＬ２は，約０．５５μｍで，第８の実施形態と同じ長
さのままである。
程終了後，図２６に示すように，直ちにＲＩＥ装置のガ
スをＯ２に切り替え，Ｏ２プラズマでレジスト１４２６
を等方的に灰化（アッシング）し，レジストパターン１
４２６の開口部を長さＬ８，例えば約０．１μｍ後退さ
せる。次いで，ＳＦ６を用いたＲＩＥにより，レジスト
パターン１４３６の開口部に等しく，スペーサ絶縁膜層
１４６０の開口部１４６０ｅをエッチングして後退させ
る。次いで，ゲート電極１４５０の材料を真空蒸着・リ
フトオフ法により，図２７に示すように形成し，ＰＨＥ
ＭＴ１４００が完成する。なお，本実施の形態において
は，ゲート電極１４５０の両端部１４５４間の長さＬ４
は，約１．０μｍとなり，ゲート電極１４５０底部の長
さＬ２は，約０．５５μｍで，第８の実施形態と同じ長
さのままである。
【００８７】このように，本実施形態では，ゲート電極
１４５０を形成するためのレジスト開口パターン１４３
６をマスクとし，異方性エッチングを用いてスペーサ絶
縁膜１４６０に同寸法の開口部を設け，さらに同レジス
ト開口パターン１４３６を用いて，ｎ−ＧａＡｓキャッ
プ層１４２０を除去し，その下のショットキ層１４１８
の一部をエッチングし，その後レジスト閉口部Ｌ８を後
退させ，さらにスペーサ絶縁膜１４６０の開口部１４６
０ｅを後退させ，後退したレジスト開口パターン１４６
０を用いてゲート電極１４５０を真空蒸着・リフトオフ
により形成するように構成している。その結果，ＲＩＥ
装置の反応室からウエハを大気中に出さずに連続的に処
理できるため，ウエハ上の反応生成物と大気中の水分等
が接触し，エッチングを阻害する副産物が発生すること
がないので，再現性良く下地加工ができる。さらにゲー
ト電極端部１４５４がスペーサ絶縁膜１４６０に乗り上
げるため，ゲート電極端部１４５４が形成するゲート容
量の一部が低減され，かつゲート金属１４５４がキャッ
プ層（ｎ−ＧａＡｓ）１４２０に完全に乗り上げる構成
となるので，不安定なショットキ層（φ−ＡｌＧａＡ
ｓ）１４１４を全く露出させないＰＨＥＭＴ１４００が
実現できる。
１４５０を形成するためのレジスト開口パターン１４３
６をマスクとし，異方性エッチングを用いてスペーサ絶
縁膜１４６０に同寸法の開口部を設け，さらに同レジス
ト開口パターン１４３６を用いて，ｎ−ＧａＡｓキャッ
プ層１４２０を除去し，その下のショットキ層１４１８
の一部をエッチングし，その後レジスト閉口部Ｌ８を後
退させ，さらにスペーサ絶縁膜１４６０の開口部１４６
０ｅを後退させ，後退したレジスト開口パターン１４６
０を用いてゲート電極１４５０を真空蒸着・リフトオフ
により形成するように構成している。その結果，ＲＩＥ
装置の反応室からウエハを大気中に出さずに連続的に処
理できるため，ウエハ上の反応生成物と大気中の水分等
が接触し，エッチングを阻害する副産物が発生すること
がないので，再現性良く下地加工ができる。さらにゲー
ト電極端部１４５４がスペーサ絶縁膜１４６０に乗り上
げるため，ゲート電極端部１４５４が形成するゲート容
量の一部が低減され，かつゲート金属１４５４がキャッ
プ層（ｎ−ＧａＡｓ）１４２０に完全に乗り上げる構成
となるので，不安定なショットキ層（φ−ＡｌＧａＡ
ｓ）１４１４を全く露出させないＰＨＥＭＴ１４００が
実現できる。
【００８８】（第１５の実施形態）第１５の実施形態
は，第７の実施形態にかかる構造を有する半導体素子を
製造するための工程である。第１４の実施形態にかかる
工程フローと同様に，図９に示すエピウエハのｎ−Ｇａ
Ａｓキャップ層の厚みを，第１の実施形態にかかるＰＨ
ＥＭＴ１００の約２倍に設定し，図１０から図１４にお
いて参照された工程を順次実施する。その後，図２６お
よび図２７に示す工程を行い，所望のゲート電極１４５
０を形成する。その後，第１３の実施形態にかかる工程
フローと同様に，図２３の工程を行い，レジストパター
ン１４３８を形成し，ゲート電極１４５０からドレイン
電極１４２６側の一部にレジストの開口部を設け，その
開口部に露出するスペーサ絶縁膜１４６０の一部をエッ
チングして除去する。さらにレジストパターン１４３８
を除去した後，露出しているソース電極１４２４，ゲー
ト電極１４５０，ドレイン電極１４２６の各電極を用い
て，ＦＥＴ特性を測定する。この状態では，ソース抵抗
は十分小さく，相互コンダクタンスｇｍが大きいが，ゲ
ートとドレインの間の逆方向耐圧は小さいものとする。
は，第７の実施形態にかかる構造を有する半導体素子を
製造するための工程である。第１４の実施形態にかかる
工程フローと同様に，図９に示すエピウエハのｎ−Ｇａ
Ａｓキャップ層の厚みを，第１の実施形態にかかるＰＨ
ＥＭＴ１００の約２倍に設定し，図１０から図１４にお
いて参照された工程を順次実施する。その後，図２６お
よび図２７に示す工程を行い，所望のゲート電極１４５
０を形成する。その後，第１３の実施形態にかかる工程
フローと同様に，図２３の工程を行い，レジストパター
ン１４３８を形成し，ゲート電極１４５０からドレイン
電極１４２６側の一部にレジストの開口部を設け，その
開口部に露出するスペーサ絶縁膜１４６０の一部をエッ
チングして除去する。さらにレジストパターン１４３８
を除去した後，露出しているソース電極１４２４，ゲー
ト電極１４５０，ドレイン電極１４２６の各電極を用い
て，ＦＥＴ特性を測定する。この状態では，ソース抵抗
は十分小さく，相互コンダクタンスｇｍが大きいが，ゲ
ートとドレインの間の逆方向耐圧は小さいものとする。
【００８９】次いで，図示しないが，ゲート電極１４５
０とドレイン電極１４２６側のスペーサ絶縁膜層１４６
０との間隙部に露出しているｎ−ＧａＡｓキャップ層１
４２０のエッチングを行い，再度ＦＥＴ特性を測定す
る。ｎ−ＧａＡｓキャップ層１４２０のエッチングによ
り，ゲートとドレインの間の逆方向耐圧は上昇し始める
が，ソース抵抗や相互コンダクタンスｇｍは変化しな
い。このエッチングとＦＥＴ特性測定を繰り返し，所望
のゲートとドレインの間の逆方向耐圧を有するＦＥＴ特
性になったところで工程を終了する。
０とドレイン電極１４２６側のスペーサ絶縁膜層１４６
０との間隙部に露出しているｎ−ＧａＡｓキャップ層１
４２０のエッチングを行い，再度ＦＥＴ特性を測定す
る。ｎ−ＧａＡｓキャップ層１４２０のエッチングによ
り，ゲートとドレインの間の逆方向耐圧は上昇し始める
が，ソース抵抗や相互コンダクタンスｇｍは変化しな
い。このエッチングとＦＥＴ特性測定を繰り返し，所望
のゲートとドレインの間の逆方向耐圧を有するＦＥＴ特
性になったところで工程を終了する。
【００９０】このように本実施形態によれば，エピウエ
ハのｎ−ＧａＡｓキャップ層の厚みを，第１の実施形態
にかかるＰＨＥＭＴ１００に比較して，約２倍に設定
し，ゲート電極１４５０の端部とスペーサ絶縁膜層１４
６０との間に形成される空隙を，ドレイン電極１４２６
側にのみ設け，その空隙を利用して，そこに露出してい
るドレイン電極１４２６側のｎ−ＧａＡｓキャップ層１
４２０を，ＦＥＴ特性を見ながらエッチングし，設計値
である約半分の厚みに段階的に調整することができるの
で，少ない工程数で，所望の電気的特性を再現性良く得
ることができる。また，ゲート電極４５０の端部におい
て形成されるゲート容量の一部を低減することができ
る。
ハのｎ−ＧａＡｓキャップ層の厚みを，第１の実施形態
にかかるＰＨＥＭＴ１００に比較して，約２倍に設定
し，ゲート電極１４５０の端部とスペーサ絶縁膜層１４
６０との間に形成される空隙を，ドレイン電極１４２６
側にのみ設け，その空隙を利用して，そこに露出してい
るドレイン電極１４２６側のｎ−ＧａＡｓキャップ層１
４２０を，ＦＥＴ特性を見ながらエッチングし，設計値
である約半分の厚みに段階的に調整することができるの
で，少ない工程数で，所望の電気的特性を再現性良く得
ることができる。また，ゲート電極４５０の端部におい
て形成されるゲート容量の一部を低減することができ
る。
【００９１】（第１６の実施の形態）図２８には，本発
明の第１６の実施の形態にかかるＰＨＥＭＴ１５００の
概略的な構造が示されている。
明の第１６の実施の形態にかかるＰＨＥＭＴ１５００の
概略的な構造が示されている。
【００９２】図示のように，ＰＨＥＭＴ１５００は，半
絶縁性ＧａＡｓから成る基板１５０２上に，φ−ＧａＡ
ｓから成る第１バッファ層１５０４，φ−ＡｌＧａＡｓ
から成る第２バッファ層１５０６， ｎ+ ＡｌＧａＡｓ
から成る第１電子供給層１５０８，φ−ＡｌＧａＡｓか
ら成る第１スペーサ層１５１０，φ−ＩｎＧａＡｓから
成るチャネル層１５１２，φ−ＡｌＧａＡｓから成る第
２スペーサ層１５１４，ｎ+ＡｌＧａＡｓから成る第２
電子供給層１５１６が順次積層されている。さらに，そ
の第２電子供給層１５１６上には，φ−ＡｌＧａＡｓか
ら成るショットキ層１５１８が約５００オングストロー
ムの厚みで形成され，さらにそのショットキ層１５１８
の上に，φ-ＧａＡｓから成るキャップ層１５２０が 厚
み，約２５０オングストロームで形成されている。ここ
で，φ-ＧａＡｓはシリコンのようなＮ型となる不純物
を添加していないＧａＡｓである。 本実施の形態で使
用する分子線ビームエピタキシー法（ＭＢＥ法）で工業
的に作られるφ-ＧａＡｓはｐ型であり，正孔密度が１
Ｘ１０15ｃｍ-3位である。
絶縁性ＧａＡｓから成る基板１５０２上に，φ−ＧａＡ
ｓから成る第１バッファ層１５０４，φ−ＡｌＧａＡｓ
から成る第２バッファ層１５０６， ｎ+ ＡｌＧａＡｓ
から成る第１電子供給層１５０８，φ−ＡｌＧａＡｓか
ら成る第１スペーサ層１５１０，φ−ＩｎＧａＡｓから
成るチャネル層１５１２，φ−ＡｌＧａＡｓから成る第
２スペーサ層１５１４，ｎ+ＡｌＧａＡｓから成る第２
電子供給層１５１６が順次積層されている。さらに，そ
の第２電子供給層１５１６上には，φ−ＡｌＧａＡｓか
ら成るショットキ層１５１８が約５００オングストロー
ムの厚みで形成され，さらにそのショットキ層１５１８
の上に，φ-ＧａＡｓから成るキャップ層１５２０が 厚
み，約２５０オングストロームで形成されている。ここ
で，φ-ＧａＡｓはシリコンのようなＮ型となる不純物
を添加していないＧａＡｓである。 本実施の形態で使
用する分子線ビームエピタキシー法（ＭＢＥ法）で工業
的に作られるφ-ＧａＡｓはｐ型であり，正孔密度が１
Ｘ１０15ｃｍ-3位である。
【００９３】そして，キャップ層１５２０上には，オー
ム性電極形成部にｎ+ＧａＡｓから成るｎ+層１５２２
が，ドナ密度約４Ｅ１８ｃｍ−３，厚み１０００オング
ストロームで形成され，そのｎ+層１５２２上に，第１
および第２のオーム性電極１５２４，１５２６が形成さ
れている。なお，図中，左側の第１オーム性電極１５２
４はソース電極であり，右側の第２オーム性電極１５２
６はドレイン電極として構成されている。さらに，ソー
ス電極１５２４とドレイン電極１５２６との間には本実
施の形態にかかるショットキ電極であるゲート電極１５
５０が形成されている。
ム性電極形成部にｎ+ＧａＡｓから成るｎ+層１５２２
が，ドナ密度約４Ｅ１８ｃｍ−３，厚み１０００オング
ストロームで形成され，そのｎ+層１５２２上に，第１
および第２のオーム性電極１５２４，１５２６が形成さ
れている。なお，図中，左側の第１オーム性電極１５２
４はソース電極であり，右側の第２オーム性電極１５２
６はドレイン電極として構成されている。さらに，ソー
ス電極１５２４とドレイン電極１５２６との間には本実
施の形態にかかるショットキ電極であるゲート電極１５
５０が形成されている。
【００９４】図示のようにゲート電極１５５０は，その
断面の下部構造と上部構造とが階段状に形成されてお
り，その階段部の下部構造１５５２は，キャップ層１５
２０を貫通してショットキ層１５１８にまで到達してお
り，さらに上部構造１５５４はキャップ層１５２０上に
乗り上げるように構成されている。なお，ゲート電極１
５５０の階段部の段差は，本実施の形態では，例えば５
００オングストローム程度にすることができる。
断面の下部構造と上部構造とが階段状に形成されてお
り，その階段部の下部構造１５５２は，キャップ層１５
２０を貫通してショットキ層１５１８にまで到達してお
り，さらに上部構造１５５４はキャップ層１５２０上に
乗り上げるように構成されている。なお，ゲート電極１
５５０の階段部の段差は，本実施の形態では，例えば５
００オングストローム程度にすることができる。
【００９５】また本実施の形態では， ソース側のｎ+層
１５２２とゲート電極１５５０との間隔ａ１は，例え
ば，０．４μｍ程度であり，ドレイン側のｎ+層１５２
２とゲート電極１５５０との間隔ａ２は，例えば，０．
６μｍ程度である。本実施の形態では，前記各間隔は，
第１の実施の形態のソース側のｎ+層１２２とゲート電
極１５０との間隔及びドレイン側のｎ+層１２２とゲー
ト電極１５０の各間隔に比べて，１／２以下に設定され
ている。
１５２２とゲート電極１５５０との間隔ａ１は，例え
ば，０．４μｍ程度であり，ドレイン側のｎ+層１５２
２とゲート電極１５５０との間隔ａ２は，例えば，０．
６μｍ程度である。本実施の形態では，前記各間隔は，
第１の実施の形態のソース側のｎ+層１２２とゲート電
極１５０との間隔及びドレイン側のｎ+層１２２とゲー
ト電極１５０の各間隔に比べて，１／２以下に設定され
ている。
【００９６】本実施の形態のＰＨＥＭＴ１５００動作に
ついては，第１の実施の形態にかかるＰＨＥＭＴ１００
の動作とほぼ同様であるので省略する。
ついては，第１の実施の形態にかかるＰＨＥＭＴ１００
の動作とほぼ同様であるので省略する。
【００９７】第１の実施の形態のようにＰＨＥＭＴ１５
００は，増幅動作に於いて，ソース電極１５２４が接地
され，ドレイン電極１５２６に正電圧（Ｖｄｓ），ゲー
ト１５０に負電圧（Ｖｇｓ）が印加される。
００は，増幅動作に於いて，ソース電極１５２４が接地
され，ドレイン電極１５２６に正電圧（Ｖｄｓ），ゲー
ト１５０に負電圧（Ｖｇｓ）が印加される。
【００９８】この時，ＰＨＭＴに要求される特性として
は，相互コンダクタンス ｇｍ＝ｄ（Ｉｄｓ）／ｄ（Ｖ
ｄｓ）が大きいこと，オン抵抗Ｒｏｎ＝ｄ（Ｖｄｓ）／
ｄ（Ｉｄｓ）が小さいこと，ソース・ゲート間リーク電
流Ｉｇｓｏが小さいこと，ゲート・ドレイン間耐圧ＢＶ
ｇｄが大きいことが求められる。ここでｄは微少変化分
を示す記号である。
は，相互コンダクタンス ｇｍ＝ｄ（Ｉｄｓ）／ｄ（Ｖ
ｄｓ）が大きいこと，オン抵抗Ｒｏｎ＝ｄ（Ｖｄｓ）／
ｄ（Ｉｄｓ）が小さいこと，ソース・ゲート間リーク電
流Ｉｇｓｏが小さいこと，ゲート・ドレイン間耐圧ＢＶ
ｇｄが大きいことが求められる。ここでｄは微少変化分
を示す記号である。
【００９９】図２９は，オン抵抗Ｒｏｎの抵抗成分を説
明するための図である。オン抵抗Ｒｏｎは以下の各抵抗
成分からなっている。
明するための図である。オン抵抗Ｒｏｎは以下の各抵抗
成分からなっている。
【０１００】Ｒｏｎ＝Ｒｓ１＋Ｒｓ２＋Ｒｃｈ＋Ｒｄ１
＋Ｒｄ２Ｒｓ１，Ｒｓ２はそれぞれソース電極１５２４
からチャネル層１５１２までの縦方向の抵抗，ドレイン
電極１５２６からチャネル層１５１２までの縦方向の抵
抗である。ＲＳ２，Ｒｃｈ，Ｒｄ１はチャネル層１５１
２中の横方向の抵抗である。
＋Ｒｄ２Ｒｓ１，Ｒｓ２はそれぞれソース電極１５２４
からチャネル層１５１２までの縦方向の抵抗，ドレイン
電極１５２６からチャネル層１５１２までの縦方向の抵
抗である。ＲＳ２，Ｒｃｈ，Ｒｄ１はチャネル層１５１
２中の横方向の抵抗である。
【０１０１】ここで，本実施の形態のキャップ層１５２
０はφ-ＧａＡｓから構成されており，第１の実施の形
態のキャップ層１２０はｎ−ＧａＡｓから構成されてい
る。本実施の形態に於いて，Ｒｓ１，Ｒｄ２の一部を構
成するキャップ層１５２０の抵抗は，第１の実施の形態
のキャップ層１２０の抵抗に比べて大きい。しかしなが
ら，Ｒｓ１，Ｒｄ２を構成する各抵抗成分に於いて，シ
ョットキ層１５１８の抵抗成分がその他の層の抵抗成分
に比べて非常に大きいので，Ｒｓ１，Ｒｓ２の増加は，
それぞれ５％程度に押さえられる。
０はφ-ＧａＡｓから構成されており，第１の実施の形
態のキャップ層１２０はｎ−ＧａＡｓから構成されてい
る。本実施の形態に於いて，Ｒｓ１，Ｒｄ２の一部を構
成するキャップ層１５２０の抵抗は，第１の実施の形態
のキャップ層１２０の抵抗に比べて大きい。しかしなが
ら，Ｒｓ１，Ｒｄ２を構成する各抵抗成分に於いて，シ
ョットキ層１５１８の抵抗成分がその他の層の抵抗成分
に比べて非常に大きいので，Ｒｓ１，Ｒｓ２の増加は，
それぞれ５％程度に押さえられる。
【０１０２】また上記記載の通り，本実施の形態では，
第１の実施の形態と比べて，ソース側のｎ+層とゲート
電極との間隔ａ１及びドレイン側のｎ+層とゲート電極
との間隔ａ２がそれぞれ１／２以下に設定されている。
よって，本実施の形態では，第１の実施の形態に比べ
て，Ｒｓ２，Ｒｄ１がそれぞれ６０％減少している。よ
って本実施の形態では，第１の実施の形態に比べて，Ｒ
ｏｎが４０％減少している。
第１の実施の形態と比べて，ソース側のｎ+層とゲート
電極との間隔ａ１及びドレイン側のｎ+層とゲート電極
との間隔ａ２がそれぞれ１／２以下に設定されている。
よって，本実施の形態では，第１の実施の形態に比べ
て，Ｒｓ２，Ｒｄ１がそれぞれ６０％減少している。よ
って本実施の形態では，第１の実施の形態に比べて，Ｒ
ｏｎが４０％減少している。
【０１０３】ここで，ソース側のｎ+層とゲート電極と
の距離，ドレイン側のｎ+層１５２４とゲート電極１５
５０との距離が，本実施の形態と第１の実施の形態とで
同一であると仮定すると，ソースからゲートに流れるソ
ース・ゲート間リーク電流Ｉｇｓｏは本実施の形態の方
が小さくなり，ゲート・ドレイン間耐圧は本実施の形態
の方が高くなる。本実施の形態のソース側のｎ＋層１５
２４とゲート電極１５５０との距離が第１の実施の形態
のソース側のｎ＋層１２４とゲート電極１５０との距離
の１／２程度で，また本実施の形態のドレイン側のｎ+
層１５２６とゲート電極１５５０との距離が第１の実施
の形態のドレイン側のｎ+層１２４とゲート電極１５０
との距離の１／２程度であることを考慮すると，ソース
・ゲート間リーク電流Ｉｇｓｏは及びゲート・ドレイン
間耐圧は，本実施の形態と第１の実施の形態とでほぼ同
一に維持できる。
の距離，ドレイン側のｎ+層１５２４とゲート電極１５
５０との距離が，本実施の形態と第１の実施の形態とで
同一であると仮定すると，ソースからゲートに流れるソ
ース・ゲート間リーク電流Ｉｇｓｏは本実施の形態の方
が小さくなり，ゲート・ドレイン間耐圧は本実施の形態
の方が高くなる。本実施の形態のソース側のｎ＋層１５
２４とゲート電極１５５０との距離が第１の実施の形態
のソース側のｎ＋層１２４とゲート電極１５０との距離
の１／２程度で，また本実施の形態のドレイン側のｎ+
層１５２６とゲート電極１５５０との距離が第１の実施
の形態のドレイン側のｎ+層１２４とゲート電極１５０
との距離の１／２程度であることを考慮すると，ソース
・ゲート間リーク電流Ｉｇｓｏは及びゲート・ドレイン
間耐圧は，本実施の形態と第１の実施の形態とでほぼ同
一に維持できる。
【０１０４】また相互コンダクタンスｇｍはゲート直下
の真性ｇｍ（ｇｍ０）とソース抵抗（Ｒｓ１＋Ｒｓ２）
から１／ｇｍ＝１／ｇｍ０＋Ｒｓ１＋Ｒｓ２と表わされ
る。ここで本実施の形態では，第１の実施の形態に比べ
てＲｓ１＋Ｒｓ２は大きく低減されている。よって本実
施の形態のｇｍは，第１の実施の形態のｇｍに対して，
２０％増加している。
の真性ｇｍ（ｇｍ０）とソース抵抗（Ｒｓ１＋Ｒｓ２）
から１／ｇｍ＝１／ｇｍ０＋Ｒｓ１＋Ｒｓ２と表わされ
る。ここで本実施の形態では，第１の実施の形態に比べ
てＲｓ１＋Ｒｓ２は大きく低減されている。よって本実
施の形態のｇｍは，第１の実施の形態のｇｍに対して，
２０％増加している。
【０１０５】また，ゲート電極１５５０がφ-ＧａＡｓ
キャップ層１５２０に対して形成する容量は，ゲート電
極１５０がｎ―ＧａＡｓキャップ層１２０に対して形成
する容量より小さい。よって，この容量が一部の容量と
なっているゲート・ソース間容量（Ｃｇｓ）及びゲート
・ドレイン間容量（Ｃｇｄ）も本実施の形態の方が第１
の形態に比べて，低減できる。
キャップ層１５２０に対して形成する容量は，ゲート電
極１５０がｎ―ＧａＡｓキャップ層１２０に対して形成
する容量より小さい。よって，この容量が一部の容量と
なっているゲート・ソース間容量（Ｃｇｓ）及びゲート
・ドレイン間容量（Ｃｇｄ）も本実施の形態の方が第１
の形態に比べて，低減できる。
【０１０６】本実施の形態では，キャップ層として，φ
−ＧａＡｓを示したが，本実施の形態で示したソース・
ドレイン間リーク電流Ｉｇｓｏ又はゲート・ドレイン間
耐圧ＢＶｇｄの改善が得られるＧａＡｓキャップ層は，
ｎ型，ｐ型に関わらず，キャリア密度１Ｘ１０16ｃｍ―
3以下であれば良い。
−ＧａＡｓを示したが，本実施の形態で示したソース・
ドレイン間リーク電流Ｉｇｓｏ又はゲート・ドレイン間
耐圧ＢＶｇｄの改善が得られるＧａＡｓキャップ層は，
ｎ型，ｐ型に関わらず，キャリア密度１Ｘ１０16ｃｍ―
3以下であれば良い。
【０１０７】それは，ゲート電極とキャップ層との間で
形成されるショットキ障壁の空乏層の長さＬｄｐが，Ｌ
ｄｐ＝（２εｓ（Ｖｂｉ−Ｖ−ｋＴ／ｑ）／ｑＮｘ）1/
2（εｓはキャップ層の誘電率，Ｖｂｉはビルトインポ
テンシャル，Ｖはソース・ゲート間又はドレイン・ゲー
ト間電圧），ｋはボルツマン定数，Ｔは絶対温度，ｑは
素電荷，Ｎｘはドナ密度又は正孔密度）であらわされ，
Ｖ＝０として，室温でＮｘ＝１０16ｃｍ-3の時，Ｌｄｐ
＝０．３３μｍ，Ｎｘ＝１０15ｃｍ―3の時，Ｌｄｐ＝
１μｍであるためである。
形成されるショットキ障壁の空乏層の長さＬｄｐが，Ｌ
ｄｐ＝（２εｓ（Ｖｂｉ−Ｖ−ｋＴ／ｑ）／ｑＮｘ）1/
2（εｓはキャップ層の誘電率，Ｖｂｉはビルトインポ
テンシャル，Ｖはソース・ゲート間又はドレイン・ゲー
ト間電圧），ｋはボルツマン定数，Ｔは絶対温度，ｑは
素電荷，Ｎｘはドナ密度又は正孔密度）であらわされ，
Ｖ＝０として，室温でＮｘ＝１０16ｃｍ-3の時，Ｌｄｐ
＝０．３３μｍ，Ｎｘ＝１０15ｃｍ―3の時，Ｌｄｐ＝
１μｍであるためである。
【０１０８】すなわち，Ｎｘ＝１０15ｃｍ―3であれ
ば，キャップ層はゲートバイアス０Ｖで完全に空乏化
し，Ｎｘ＝１０16ｃｍ-3であれば，キャップ層はソース
に対して−数ボルトのゲートバイアスで完全に空乏化す
るため，ゲート電極のリーク電流は小さくなり，ゲート
・ドレイン間耐圧は大きくなる。
ば，キャップ層はゲートバイアス０Ｖで完全に空乏化
し，Ｎｘ＝１０16ｃｍ-3であれば，キャップ層はソース
に対して−数ボルトのゲートバイアスで完全に空乏化す
るため，ゲート電極のリーク電流は小さくなり，ゲート
・ドレイン間耐圧は大きくなる。
【０１０９】以上のように，この第１６の実施形態にか
かるＰＨＥＭＴ１５００においては，キャップ層１５２
０をφ-ＧａＡｓ としたので，ソース・ゲート間リーク
電流Ｉｇｓｏ やゲート・ドレイン間耐圧ＢＶｇｄを第
１の実施の形態とほぼ同程度に維持しつつ，ソース電極
・ゲート電極間の距離及びドレイン電極・ゲート電極間
の距離を縮小することができる。よって，オン抵抗Ｒｏ
ｎ及び相互コンダクタンスのｇｍの特性が向上する。
かるＰＨＥＭＴ１５００においては，キャップ層１５２
０をφ-ＧａＡｓ としたので，ソース・ゲート間リーク
電流Ｉｇｓｏ やゲート・ドレイン間耐圧ＢＶｇｄを第
１の実施の形態とほぼ同程度に維持しつつ，ソース電極
・ゲート電極間の距離及びドレイン電極・ゲート電極間
の距離を縮小することができる。よって，オン抵抗Ｒｏ
ｎ及び相互コンダクタンスのｇｍの特性が向上する。
【０１１０】（第１７の実施の形態）図３０には，本発
明の第１７の実施の形態にかかるＰＨＥＭＴ１６００の
概略的な構造が示されている。
明の第１７の実施の形態にかかるＰＨＥＭＴ１６００の
概略的な構造が示されている。
【０１１１】図示のように，ＰＨＥＭＴ１６００は，半
絶縁性ＧａＡｓから成る基板１６０２上に，φ−ＧａＡ
ｓから成る第１バッファ層１６０４，φ−ＡｌＧａＡｓ
から成る第２バッファ層１６０６， ｎ+ ＡｌＧａＡｓ
から成る第１電子供給層１６０８，φ−ＡｌＧａＡｓか
ら成る第１スペーサ層１６１０，φ−ＩｎＧａＡｓから
成るチャネル層１６１２，φ−ＡｌＧａＡｓから成る第
２スペーサ層１６１４，ｎ+ＡｌＧａＡｓから成る第２
電子供給層１６１６が順次積層されている。さらに，そ
の第２電子供給層１６１６上には，φ−ＡｌＧａＡｓか
ら成るショットキ層１６１８が約２５０オングストロー
ムの厚みで形成され，さらにそのショットキ層１６１８
の上に，φ-ＧａＡｓから成るキャップ層１６２０が 厚
み，約５００オングストロームで形成されている。ここ
で，φ-ＧａＡｓはシリコンのようなＮ型となる不純物
を添加していないＧａＡｓである。工業的に作られるφ
-ＧａＡｓはｐ型であり，正孔密度が１Ｘ１０15ｃｍ-3
位である。
絶縁性ＧａＡｓから成る基板１６０２上に，φ−ＧａＡ
ｓから成る第１バッファ層１６０４，φ−ＡｌＧａＡｓ
から成る第２バッファ層１６０６， ｎ+ ＡｌＧａＡｓ
から成る第１電子供給層１６０８，φ−ＡｌＧａＡｓか
ら成る第１スペーサ層１６１０，φ−ＩｎＧａＡｓから
成るチャネル層１６１２，φ−ＡｌＧａＡｓから成る第
２スペーサ層１６１４，ｎ+ＡｌＧａＡｓから成る第２
電子供給層１６１６が順次積層されている。さらに，そ
の第２電子供給層１６１６上には，φ−ＡｌＧａＡｓか
ら成るショットキ層１６１８が約２５０オングストロー
ムの厚みで形成され，さらにそのショットキ層１６１８
の上に，φ-ＧａＡｓから成るキャップ層１６２０が 厚
み，約５００オングストロームで形成されている。ここ
で，φ-ＧａＡｓはシリコンのようなＮ型となる不純物
を添加していないＧａＡｓである。工業的に作られるφ
-ＧａＡｓはｐ型であり，正孔密度が１Ｘ１０15ｃｍ-3
位である。
【０１１２】そして，キャップ層１６２０上には，ｎ−
ＡｌＧａＡｓであるエッチストップ層１６２１が，ドナ
密度４Ｅ１８ｃｍ-3，厚み３０オングストロームで形成
される。エッチストップ層１６２１上には，オーム性電
極形成部にｎ+ＧａＡｓから成るｎ+層１６２２が，ドナ
密度約４Ｅ１８ｃｍ−３，厚み１０００オングストロー
ムで形成され，そのｎ+層１６２２上に，第１および第
２のオーム性電極１６２４，１６２６が形成されてい
る。なお，図中，左側の第１オーム性電極１６２４はソ
ース電極であり，右側の第２オーム性電極１６２６はド
レイン電極として構成されている。さらに，ソース電極
１６２４とドレイン電極１６２６との間には本実施の形
態にかかるショットキ電極であるゲート電極１６５０が
形成されている。
ＡｌＧａＡｓであるエッチストップ層１６２１が，ドナ
密度４Ｅ１８ｃｍ-3，厚み３０オングストロームで形成
される。エッチストップ層１６２１上には，オーム性電
極形成部にｎ+ＧａＡｓから成るｎ+層１６２２が，ドナ
密度約４Ｅ１８ｃｍ−３，厚み１０００オングストロー
ムで形成され，そのｎ+層１６２２上に，第１および第
２のオーム性電極１６２４，１６２６が形成されてい
る。なお，図中，左側の第１オーム性電極１６２４はソ
ース電極であり，右側の第２オーム性電極１６２６はド
レイン電極として構成されている。さらに，ソース電極
１６２４とドレイン電極１６２６との間には本実施の形
態にかかるショットキ電極であるゲート電極１６５０が
形成されている。
【０１１３】図示のようにゲート電極１６５０は，その
断面の下部構造と上部構造とが階段状に形成されてお
り，その階段部の下部構造１６５２は，エッチストップ
層１６２１及びキャップ層１６２０を貫通してショット
キ層１６１８に接し，さらに上部構造１６５４はエッチ
ストップ層１６２１及びキャップ層１６２０上に乗り上
げるように構成されている。なお，ゲート電極１６５０
の階段部の段差は，本実施の形態では，例えば５３０オ
ングストローム程度にすることができる。
断面の下部構造と上部構造とが階段状に形成されてお
り，その階段部の下部構造１６５２は，エッチストップ
層１６２１及びキャップ層１６２０を貫通してショット
キ層１６１８に接し，さらに上部構造１６５４はエッチ
ストップ層１６２１及びキャップ層１６２０上に乗り上
げるように構成されている。なお，ゲート電極１６５０
の階段部の段差は，本実施の形態では，例えば５３０オ
ングストローム程度にすることができる。
【０１１４】また本実施の形態では， ソース側のｎ+層
１６２２とゲート電極１６５０との間隔は，例えば，
０．４μｍ程度であり，ドレイン側のｎ+層１６２２と
ゲート電極１６５０との間隔は，例えば，０．６μｍ程
度である。本実施の形態では，前記各間隔は，第１の実
施の形態のソース側のｎ+層とゲート電極との間隔及び
ドレイン側のｎ+層とゲート電極との間隔の各間隔に比
べて，１／２以下に設定されている。
１６２２とゲート電極１６５０との間隔は，例えば，
０．４μｍ程度であり，ドレイン側のｎ+層１６２２と
ゲート電極１６５０との間隔は，例えば，０．６μｍ程
度である。本実施の形態では，前記各間隔は，第１の実
施の形態のソース側のｎ+層とゲート電極との間隔及び
ドレイン側のｎ+層とゲート電極との間隔の各間隔に比
べて，１／２以下に設定されている。
【０１１５】本実施の形態のＰＨＥＭＴ１６００は，
ｎ+層１６２２とキャップ層１６２０との間にこれら層
と材料の異なるエッチストップ層１６２１が形成されて
いるので，製造工程中， ｎ+層１６２２及びエッチスト
ップ層１６２１のエッチングを選択的に停止することが
できるので，キャップ層１６２０の厚みを設計値通りに
することができる為，Ｃｇｓ，Ｃｇｄの安定なＰＨＥＭ
Ｔを実現できる。
ｎ+層１６２２とキャップ層１６２０との間にこれら層
と材料の異なるエッチストップ層１６２１が形成されて
いるので，製造工程中， ｎ+層１６２２及びエッチスト
ップ層１６２１のエッチングを選択的に停止することが
できるので，キャップ層１６２０の厚みを設計値通りに
することができる為，Ｃｇｓ，Ｃｇｄの安定なＰＨＥＭ
Ｔを実現できる。
【０１１６】（第１８の実施の形態）図３１には，本発
明の第１８の実施形態にかかるＰＨＥＭＴ１７００が示
されている。このＰＨＥＭＴ１７００も，第１６の実施
形態と同様に，約２５０オングストローム厚みの，φ−
ＡｌＧａＡｓから成るショットキ層１７１８上に，φ−
ＧａＡｓから成るキャップ層１７２０が約２５０オング
ストロームの厚みで形成されている。さらに，キャップ
層１７２０のオーム性電極形成領域には，ドナ密度，約
４Ｅ１８ｃｍ−３のｎ+ＧａＡｓから成るｎ+層１７２２
ａ，ｂが，厚み，約１０００オングストロームで形成さ
れ，そのｎ+層１７２２ａ，１７２２ｂ上に，それぞ
れ，ソース電極，ドレイン電極と成るオーム性電極１７
２４，１７２６が形成されている。
明の第１８の実施形態にかかるＰＨＥＭＴ１７００が示
されている。このＰＨＥＭＴ１７００も，第１６の実施
形態と同様に，約２５０オングストローム厚みの，φ−
ＡｌＧａＡｓから成るショットキ層１７１８上に，φ−
ＧａＡｓから成るキャップ層１７２０が約２５０オング
ストロームの厚みで形成されている。さらに，キャップ
層１７２０のオーム性電極形成領域には，ドナ密度，約
４Ｅ１８ｃｍ−３のｎ+ＧａＡｓから成るｎ+層１７２２
ａ，ｂが，厚み，約１０００オングストロームで形成さ
れ，そのｎ+層１７２２ａ，１７２２ｂ上に，それぞ
れ，ソース電極，ドレイン電極と成るオーム性電極１７
２４，１７２６が形成されている。
【０１１７】さらに，本実施の形態において特徴的な点
は，ソース電極，ドレイン電極が形成されるｎ+層１７
２２ａ，１７２２ｂ間において，キャップ層１７２０上
に，ＳｉＯ２であるスペーサ絶縁膜層１７６０が，約５
００オングストロームの厚みで形成されている点であ
る。そして，ゲート電極１７５０は，スペーサ絶縁膜層
１７６０とキャップ層１７２０を貫通してショットキ層
１７１８に接するように形成されたくぼみに埋め込まれ
るように形成されている。すなわち，ゲート電極１７５
０は，第１６の実施形態と同様に，その断面の下端が階
段状になり，その下段１７５２は，φ−ＡｌＧａＡｓか
ら成るショットキ層１７１８に接しており，その上段１
７５４は，スペーサ絶縁層１７６０に乗り上げている。
なお，ゲート電極１７５０の下段１７５２が十分にショ
ットキ層１７１８に到達するように，ゲート電極１７５
０の階段部の段差は約７５０オングストロームに構成さ
れている。また，ショットキ層１７１８の下層には，図
示は省略しているが，第１６の実施形態と同様の構造が
形成されている。
は，ソース電極，ドレイン電極が形成されるｎ+層１７
２２ａ，１７２２ｂ間において，キャップ層１７２０上
に，ＳｉＯ２であるスペーサ絶縁膜層１７６０が，約５
００オングストロームの厚みで形成されている点であ
る。そして，ゲート電極１７５０は，スペーサ絶縁膜層
１７６０とキャップ層１７２０を貫通してショットキ層
１７１８に接するように形成されたくぼみに埋め込まれ
るように形成されている。すなわち，ゲート電極１７５
０は，第１６の実施形態と同様に，その断面の下端が階
段状になり，その下段１７５２は，φ−ＡｌＧａＡｓか
ら成るショットキ層１７１８に接しており，その上段１
７５４は，スペーサ絶縁層１７６０に乗り上げている。
なお，ゲート電極１７５０の下段１７５２が十分にショ
ットキ層１７１８に到達するように，ゲート電極１７５
０の階段部の段差は約７５０オングストロームに構成さ
れている。また，ショットキ層１７１８の下層には，図
示は省略しているが，第１６の実施形態と同様の構造が
形成されている。
【０１１８】以上のように構成された第１８の実施形態
にかかるＰＨＥＭＴ１７００においては，キャップ層１
７２０の上部にスペーサ絶緑膜層１７６０が形成されて
おり，ゲート電極１７５０の上段１７５４がスペーサ絶
縁膜層１７６０の上に乗っている点を除けば，第１６の
実施形態と同様であるので，第１６の実施形態と実質的
に同様の効果を奏することができる。さらに，本実施の
形態においては，ゲート電極１７５０の上段１７５４
が，比誘電率が１３であるＧａＡｓより小さい比誘電率
を持つＳｉＯ２（比誘電率４）であるスペーサ絶縁膜層
１７６０の上に乗っているため，ゲート・ソース間容量
Ｃｇｓを約２％程度軽減しながら，相互コンダクタンス
ｇｍ，およびゲート・ドレイン間耐圧については，第１
６の実施形態とほぼ同様の値を確保することができる。
にかかるＰＨＥＭＴ１７００においては，キャップ層１
７２０の上部にスペーサ絶緑膜層１７６０が形成されて
おり，ゲート電極１７５０の上段１７５４がスペーサ絶
縁膜層１７６０の上に乗っている点を除けば，第１６の
実施形態と同様であるので，第１６の実施形態と実質的
に同様の効果を奏することができる。さらに，本実施の
形態においては，ゲート電極１７５０の上段１７５４
が，比誘電率が１３であるＧａＡｓより小さい比誘電率
を持つＳｉＯ２（比誘電率４）であるスペーサ絶縁膜層
１７６０の上に乗っているため，ゲート・ソース間容量
Ｃｇｓを約２％程度軽減しながら，相互コンダクタンス
ｇｍ，およびゲート・ドレイン間耐圧については，第１
６の実施形態とほぼ同様の値を確保することができる。
【０１１９】（第１９の実施の形態）図３２には，本発
明の第１９の実施形態にかかるＰＨＥＭＴ１８００が示
されている。このＰＨＥＭＴ１８００も，第１６の実施
形態と同様に，約２５０オングストローム厚みの，φ−
ＡｌＧａＡｓから成るショットキ層１８１８上に，φ−
ＧａＡｓから成るキャップ層１８２０が約２５０オング
ストロームの厚みで形成されている。さらに，キャップ
層１８２０のオーム性電極形成領域には，ドナ密度，約
４Ｅ１８ｃｍ−３のｎ+ＧａＡｓから成るｎ+層が，厚
み，約１０００オングストロームで形成され，そのｎ+
層上に，それぞれ，ソース電極，ドレイン電極と成るオ
ーム性電極が形成されている。（図示せず）さらに，
ソース電極，ドレイン電極が形成されるｎ+層間におい
て露出するキャップ層１８２０上に，ＳｉＯ２であるス
ペーサ絶縁膜層１８６０が，約５００オングストローム
の厚みで形成されている点である。そして，ゲート電極
１８５０は，スペーサ絶縁層１８６０とキャップ層１８
２０を貫通してショットキ層１８１８に接するように形
成されたくぼみに埋め込まれるように形成されている。
すなわち，ゲート電極１８５０は，第１８の実施形態と
同様に，その断面の下端が階段状になり，その下段１８
５２は，φ−ＡｌＧａＡｓから成るショットキ層１８１
８に接しており，その上段１８５４は，スペーサ絶縁層
１８６０に乗り上げている。なお，ゲート電極１８５０
の下段１８５２が十分にショットキ層１８１８に到達す
るように，ゲート電極１８５０の階段部の段差は約７５
０オングストロームに構成されている。また，ショット
キ層１８１８の下層には，図示は省略しているが，第１
６の実施形態と同様の構造が形成されている。
明の第１９の実施形態にかかるＰＨＥＭＴ１８００が示
されている。このＰＨＥＭＴ１８００も，第１６の実施
形態と同様に，約２５０オングストローム厚みの，φ−
ＡｌＧａＡｓから成るショットキ層１８１８上に，φ−
ＧａＡｓから成るキャップ層１８２０が約２５０オング
ストロームの厚みで形成されている。さらに，キャップ
層１８２０のオーム性電極形成領域には，ドナ密度，約
４Ｅ１８ｃｍ−３のｎ+ＧａＡｓから成るｎ+層が，厚
み，約１０００オングストロームで形成され，そのｎ+
層上に，それぞれ，ソース電極，ドレイン電極と成るオ
ーム性電極が形成されている。（図示せず）さらに，
ソース電極，ドレイン電極が形成されるｎ+層間におい
て露出するキャップ層１８２０上に，ＳｉＯ２であるス
ペーサ絶縁膜層１８６０が，約５００オングストローム
の厚みで形成されている点である。そして，ゲート電極
１８５０は，スペーサ絶縁層１８６０とキャップ層１８
２０を貫通してショットキ層１８１８に接するように形
成されたくぼみに埋め込まれるように形成されている。
すなわち，ゲート電極１８５０は，第１８の実施形態と
同様に，その断面の下端が階段状になり，その下段１８
５２は，φ−ＡｌＧａＡｓから成るショットキ層１８１
８に接しており，その上段１８５４は，スペーサ絶縁層
１８６０に乗り上げている。なお，ゲート電極１８５０
の下段１８５２が十分にショットキ層１８１８に到達す
るように，ゲート電極１８５０の階段部の段差は約７５
０オングストロームに構成されている。また，ショット
キ層１８１８の下層には，図示は省略しているが，第１
６の実施形態と同様の構造が形成されている。
【０１２０】本実施の形態に於いて特徴的な点は，ゲー
ト電極１８５０に接するキャップ層１８２０の側壁が４
５°傾いていることである。これにより，ゲート電極と
ショットキ層とが接している部分の長さは，第１８の実
施の形態より，５００オングストロームだけ短くなって
いる。第１８，１９の実施の形態に於いて，スペーサ絶
縁膜間のゲート電極の長さを０．５５μｍと仮定する
と，第１８の実施の形態では，ゲート電極がショットキ
層に接している部分の長さ（ゲート長）は０．５５μｍ
であり，本実施の形態ではゲート長が０．５μｍとな
る。よって本実施の形態では，第１８の実施の形態に対
して，ゲート長が１０％短縮されているので，相互コン
ダクタンスｇｍの１０％の増加及びソース・ゲート間容
量Ｃｇｓの１０％の低減が図れる。
ト電極１８５０に接するキャップ層１８２０の側壁が４
５°傾いていることである。これにより，ゲート電極と
ショットキ層とが接している部分の長さは，第１８の実
施の形態より，５００オングストロームだけ短くなって
いる。第１８，１９の実施の形態に於いて，スペーサ絶
縁膜間のゲート電極の長さを０．５５μｍと仮定する
と，第１８の実施の形態では，ゲート電極がショットキ
層に接している部分の長さ（ゲート長）は０．５５μｍ
であり，本実施の形態ではゲート長が０．５μｍとな
る。よって本実施の形態では，第１８の実施の形態に対
して，ゲート長が１０％短縮されているので，相互コン
ダクタンスｇｍの１０％の増加及びソース・ゲート間容
量Ｃｇｓの１０％の低減が図れる。
【０１２１】（第２０の実施形態）図３３〜図４１は，
本発明の第２０の実施形態を示す工程フロー図である。
この第２０の実施形態は，第１６の実施形態にかかるＰ
ＨＥＭＴ１５００とほぼ同様の構造を有する半導体装置
１９００を製造するための工程である。
本発明の第２０の実施形態を示す工程フロー図である。
この第２０の実施形態は，第１６の実施形態にかかるＰ
ＨＥＭＴ１５００とほぼ同様の構造を有する半導体装置
１９００を製造するための工程である。
【０１２２】図３３に示すように，まず，半絶縁性Ｇａ
Ａｓ基板１９０２上に分子線エピタキシャル成長法（Ｍ
ＢＥ法）により，第１６の実施形態にかかるＰＨＥＭＴ
１５００に相当するすべての化合物半導体層をエピタキ
シャル成長させたエピウエハ１９００を製造する。すな
わち，図示の例では，エピウエハ１９００は，下層から
順に，半絶縁性ＧａＡｓ基板１９０２，φ−ＧａＡｓか
ら成る第１バッファ層１９０４，φ−ＡｌＧａＡｓから
成る第２バッファ層１９０６，ｎ＋ＡｌＧａＡｓから成
る第１電子供給層１９０８，φ−ＡｌＧａＡｓから成る
第１スペーサ層１９１０，φ−ＩｎＧａＡｓから成るチ
ャネル層１９１２，φ−ＡｌＧａＡｓから成る第２スペ
ーサ層１９１４，ｎ＋ＡｌＧａＡｓから成る第２電子供
給層１９１６，φ−ＡｌＧａＡｓから成るショットキ層
１９１８，φ−ＧａＡｓから成るキャップ層１９２０を
順次積層し，そして，最上層にｎ+ＧａＡｓ層１９２２
が積層されている。
Ａｓ基板１９０２上に分子線エピタキシャル成長法（Ｍ
ＢＥ法）により，第１６の実施形態にかかるＰＨＥＭＴ
１５００に相当するすべての化合物半導体層をエピタキ
シャル成長させたエピウエハ１９００を製造する。すな
わち，図示の例では，エピウエハ１９００は，下層から
順に，半絶縁性ＧａＡｓ基板１９０２，φ−ＧａＡｓか
ら成る第１バッファ層１９０４，φ−ＡｌＧａＡｓから
成る第２バッファ層１９０６，ｎ＋ＡｌＧａＡｓから成
る第１電子供給層１９０８，φ−ＡｌＧａＡｓから成る
第１スペーサ層１９１０，φ−ＩｎＧａＡｓから成るチ
ャネル層１９１２，φ−ＡｌＧａＡｓから成る第２スペ
ーサ層１９１４，ｎ＋ＡｌＧａＡｓから成る第２電子供
給層１９１６，φ−ＡｌＧａＡｓから成るショットキ層
１９１８，φ−ＧａＡｓから成るキャップ層１９２０を
順次積層し，そして，最上層にｎ+ＧａＡｓ層１９２２
が積層されている。
【０１２３】次いで，エピウエハ１９００上に，図３４
に示すように，電子走行領域となる部分の上に，フォト
リソグラフィ技術を用いて，必要なレジストを残したパ
ターン１９３０を形成し，レジストで覆われていない領
域（絶縁領域）１９３２に，酸素イオンを第１および第
２バッファ層１９０４，１９０６より深くイオン注入
し，絶縁領域１９３２を形成して，素子間分離を行う。
に示すように，電子走行領域となる部分の上に，フォト
リソグラフィ技術を用いて，必要なレジストを残したパ
ターン１９３０を形成し，レジストで覆われていない領
域（絶縁領域）１９３２に，酸素イオンを第１および第
２バッファ層１９０４，１９０６より深くイオン注入
し，絶縁領域１９３２を形成して，素子間分離を行う。
【０１２４】次いで，レジスト１９３０を除去した後，
図３５に示すように，真空蒸着・リフトオフ法を用い
て，ＡｕＧｅから成るオーム性電極１９２４，１９２６
を形成する。
図３５に示すように，真空蒸着・リフトオフ法を用い
て，ＡｕＧｅから成るオーム性電極１９２４，１９２６
を形成する。
【０１２５】次いで，フォトリソグラフィ技術を用い
て，図３６に示すように，オーム性電極１９２４，１９
２６で挟まれた領域に開口部が形成されるように，レジ
ストパターン１９３４を形成し，このレジストパターン
１９３４をマスクとして， ｎ+−ＧａＡｓ層１９２２
を，Ｃｌ２を含む混合ガスを用いた反応性イオンエッチ
ング（ＲＩＥ）により除去し，ソース電極およびドレイ
ン電極形成領域に，それぞれ， ｎ+領域１９２２ａ，１
９２２ｂを形成する。
て，図３６に示すように，オーム性電極１９２４，１９
２６で挟まれた領域に開口部が形成されるように，レジ
ストパターン１９３４を形成し，このレジストパターン
１９３４をマスクとして， ｎ+−ＧａＡｓ層１９２２
を，Ｃｌ２を含む混合ガスを用いた反応性イオンエッチ
ング（ＲＩＥ）により除去し，ソース電極およびドレイ
ン電極形成領域に，それぞれ， ｎ+領域１９２２ａ，１
９２２ｂを形成する。
【０１２６】次いで，レジストパターン１９３４を除去
した後，ウエハ全面にスペーサ絶縁層１９６０としてＳ
ｉＯ２膜を堆積する。その後，ホトリソグラフィ技術を
用いて，オーム性電極１９２４，１９２６の上部のみを
開口部としたレジストパターンを形成し（図示せず），
不要なＳｉＯ２膜を除去し，図３７に示す形状を得る。
した後，ウエハ全面にスペーサ絶縁層１９６０としてＳ
ｉＯ２膜を堆積する。その後，ホトリソグラフィ技術を
用いて，オーム性電極１９２４，１９２６の上部のみを
開口部としたレジストパターンを形成し（図示せず），
不要なＳｉＯ２膜を除去し，図３７に示す形状を得る。
【０１２７】次いで，ｉ線レジストＦＳＭＲ（冨士薬品
工業製）を用い，ｉ線ステッパ露光により，図３８に示
すようなオーバーハング形状を有するレジストパターン
１９３６を，スペーサ絶縁膜１９６０が露出している領
域に形成する。続いて，ＣＦ４を含むガスを用いたＲＩ
Ｅ（ウエハはカソード電極上に載置される。）により，
レジストの開口部の長さＬ１，約０．５μｍにほぼ等し
い長さＬ２，約０．５５μｍにわたり，スペーサ絶縁膜
１９６０をエッチングする。このとき，プラズマ中のＦ
イオンの運動方向を上下方向に制御し，エッチングの異
方性を高めるために，反応室のガス圧は１ｐａ（パスカ
ル）程度に調整することが好ましい。
工業製）を用い，ｉ線ステッパ露光により，図３８に示
すようなオーバーハング形状を有するレジストパターン
１９３６を，スペーサ絶縁膜１９６０が露出している領
域に形成する。続いて，ＣＦ４を含むガスを用いたＲＩ
Ｅ（ウエハはカソード電極上に載置される。）により，
レジストの開口部の長さＬ１，約０．５μｍにほぼ等し
い長さＬ２，約０．５５μｍにわたり，スペーサ絶縁膜
１９６０をエッチングする。このとき，プラズマ中のＦ
イオンの運動方向を上下方向に制御し，エッチングの異
方性を高めるために，反応室のガス圧は１ｐａ（パスカ
ル）程度に調整することが好ましい。
【０１２８】次いで，燐酸，過酸化水素水，水の混合液
からなるエッチング液を用いて，キャップ層１９２０の
エッチングを行うと，図３９のようなエッチング速度が
遅い（１１１）Ａ面が露出し，いわゆる順メサ形状のエ
ッチング溝ができる。ここで，スペーサ絶縁膜１９６０
の端部がオーバハング形状となるため，Ｏ２プラズマを
用いてレジストパターン１９３６のアッシングを行い，
レジストパターン１９３６の開口部の長さをＬ３に広げ
る。次いで，ＳＦ６ガスを用いたＲＩＥにより，スペー
サ絶縁膜１９６０の開口部をエッチングして広げ，図４
０に示すようにスペーサ絶縁膜１９６０の開口端部をキ
ャップ層１９２０の開口端部に合わせる。
からなるエッチング液を用いて，キャップ層１９２０の
エッチングを行うと，図３９のようなエッチング速度が
遅い（１１１）Ａ面が露出し，いわゆる順メサ形状のエ
ッチング溝ができる。ここで，スペーサ絶縁膜１９６０
の端部がオーバハング形状となるため，Ｏ２プラズマを
用いてレジストパターン１９３６のアッシングを行い，
レジストパターン１９３６の開口部の長さをＬ３に広げ
る。次いで，ＳＦ６ガスを用いたＲＩＥにより，スペー
サ絶縁膜１９６０の開口部をエッチングして広げ，図４
０に示すようにスペーサ絶縁膜１９６０の開口端部をキ
ャップ層１９２０の開口端部に合わせる。
【０１２９】次いで，ゲート電極１９５０の材料を，真
空蒸着・リフトオフ法により，図４１に示すように形成
し，ＰＨＥＭＴ１９００が完成する。このときゲート電
極１９５０の端部から端部までの長さＬ４は，真空蒸着
による蒸発物質の入射角の広がりにより，約０．８μｍ
となる。ゲート電極底部１９５２の長さＬ５は，約０．
４５μｍであるので，ゲート電極１９５０の端部１９５
４が，ｎ−ＧａＡｓキャップ層８２０に乗り上げる長さ
Ｌ６は，約０．１μｍ程度に十分に長く取ることが可能
である。
空蒸着・リフトオフ法により，図４１に示すように形成
し，ＰＨＥＭＴ１９００が完成する。このときゲート電
極１９５０の端部から端部までの長さＬ４は，真空蒸着
による蒸発物質の入射角の広がりにより，約０．８μｍ
となる。ゲート電極底部１９５２の長さＬ５は，約０．
４５μｍであるので，ゲート電極１９５０の端部１９５
４が，ｎ−ＧａＡｓキャップ層８２０に乗り上げる長さ
Ｌ６は，約０．１μｍ程度に十分に長く取ることが可能
である。
【０１３０】以上のように，本実施形態においては，ゲ
ート電極１９５０を形成するためのレジスト開口パター
ン１９３６をマスクとし，まず，異方性エッチングを用
いてスペーサ絶縁膜層１９６０に同寸法の開口部を形成
し，さらに同レジスト開口パターン１９３６を用いて，
φ−ＧａＡｓキャップ層１９２０を順メサが現れるよう
にウエットエッチングし，その後，レジストパターンを
アッシングして，開口部を広げ，異方性エッチングをし
て，スペーサ絶縁膜１９６０の端部の絶縁膜を除去し，
スペーサ絶縁膜１９６０の端部とφ−ＧａＡｓの端部と
を合わせ，さらに同レジスト開口パターン１９３６を用
いて，ゲート電極１９５０を真空蒸着・リフトオフによ
り形成している。
ート電極１９５０を形成するためのレジスト開口パター
ン１９３６をマスクとし，まず，異方性エッチングを用
いてスペーサ絶縁膜層１９６０に同寸法の開口部を形成
し，さらに同レジスト開口パターン１９３６を用いて，
φ−ＧａＡｓキャップ層１９２０を順メサが現れるよう
にウエットエッチングし，その後，レジストパターンを
アッシングして，開口部を広げ，異方性エッチングをし
て，スペーサ絶縁膜１９６０の端部の絶縁膜を除去し，
スペーサ絶縁膜１９６０の端部とφ−ＧａＡｓの端部と
を合わせ，さらに同レジスト開口パターン１９３６を用
いて，ゲート電極１９５０を真空蒸着・リフトオフによ
り形成している。
【０１３１】このように，本実施の形態においては，
ゲート電極１９５０の上段１９５４がキャップ層（φ−
ＧａＡｓ）１９２０に完全に乗り上げるので，化学的に
不安定なショットキ層（φ−ＡｌＧａＡｓ）１９１８を
全く露出させない，ＰＨＥＭＴ１９００を実現すること
ができる。
ゲート電極１９５０の上段１９５４がキャップ層（φ−
ＧａＡｓ）１９２０に完全に乗り上げるので，化学的に
不安定なショットキ層（φ−ＡｌＧａＡｓ）１９１８を
全く露出させない，ＰＨＥＭＴ１９００を実現すること
ができる。
【０１３２】（第２１の実施形態）図４２〜図４６は，
本発明の第２１の実施形態を示す工程フロー図である。
この第２１の実施形態は，第１７の実施形態にかかるＰ
ＨＥＭＴ１６００とほぼ同様の構造を有する半導体装置
２０００を製造するための工程である。
本発明の第２１の実施形態を示す工程フロー図である。
この第２１の実施形態は，第１７の実施形態にかかるＰ
ＨＥＭＴ１６００とほぼ同様の構造を有する半導体装置
２０００を製造するための工程である。
【０１３３】まず，半絶縁性ＧａＡｓ基板２００２上に
分子線エピタキシャル成長法（ＭＢＥ法）により，第１
７の実施形態にかかるＰＨＥＭＴ１６００に相当するす
べての化合物半導体層をエピタキシャル成長させたエピ
ウエハ２０００を製造する。すなわち， エピウエハ２
０００は，下層から順に，半絶縁性ＧａＡｓ基板２００
２−ＧａＡｓから成る第１バッファ層２００４，φ−Ａ
ｌＧａＡｓから成る第２バッファ層２００６， ｎ+Ａｌ
ＧａＡｓから成る第１電子供給層２００８，φ−ＡｌＧ
ａＡｓから成る第１スペーサ層２０１０，φ−ＩｎＧａ
Ａｓから成るチャネル層２０１２，φ−ＡｌＧａＡｓか
ら成る第２スペーサ層２０１４， ｎ+ＡｌＧａＡｓから
成る第２電子供給層２０１６，φ−ＡｌＧａＡｓから成
るショットキ層２０１８，φ−ＧａＡｓから成るキャッ
プ層２０２０， ｎ+ＡｌＧａＡｓから成るエッチストッ
プ層２０２１を順次積層し，そして，最上層にｎ+Ｇａ
Ａｓ層２０２２が積層されている。このエピウエハ２０
００に対して，第２０の実施の形態の図３４，図３５に
示す処理と同様な処理を施す。
分子線エピタキシャル成長法（ＭＢＥ法）により，第１
７の実施形態にかかるＰＨＥＭＴ１６００に相当するす
べての化合物半導体層をエピタキシャル成長させたエピ
ウエハ２０００を製造する。すなわち， エピウエハ２
０００は，下層から順に，半絶縁性ＧａＡｓ基板２００
２−ＧａＡｓから成る第１バッファ層２００４，φ−Ａ
ｌＧａＡｓから成る第２バッファ層２００６， ｎ+Ａｌ
ＧａＡｓから成る第１電子供給層２００８，φ−ＡｌＧ
ａＡｓから成る第１スペーサ層２０１０，φ−ＩｎＧａ
Ａｓから成るチャネル層２０１２，φ−ＡｌＧａＡｓか
ら成る第２スペーサ層２０１４， ｎ+ＡｌＧａＡｓから
成る第２電子供給層２０１６，φ−ＡｌＧａＡｓから成
るショットキ層２０１８，φ−ＧａＡｓから成るキャッ
プ層２０２０， ｎ+ＡｌＧａＡｓから成るエッチストッ
プ層２０２１を順次積層し，そして，最上層にｎ+Ｇａ
Ａｓ層２０２２が積層されている。このエピウエハ２０
００に対して，第２０の実施の形態の図３４，図３５に
示す処理と同様な処理を施す。
【０１３４】次いで，フォトリソグラフィ技術を用い
て，図４２に示すように，オーム性電極２０２４，２０
２６で挟まれた領域に開口部が形成されるように，レジ
ストパターン２０３４を形成し，このレジストパターン
２０３４をマスクとして， ｎ+−ＧａＡｓ層２０２２
を， ｎ+ＡｌＧａＡｓに対して選択的にエッチングす
る，Ｃｌ２を含む混合ガスＡを用いた反応性イオンエッ
チング（ＲＩＥ）により除去し，ソース電極およびドレ
イン電極形成領域に，それぞれ， ｎ+領域２０２２ａ，
２０２２ｂを形成する。このとき，エッチングで露出す
る面はｎ+ＡｌＧａＡｓのエッチストップ層２０２１で
ある。
て，図４２に示すように，オーム性電極２０２４，２０
２６で挟まれた領域に開口部が形成されるように，レジ
ストパターン２０３４を形成し，このレジストパターン
２０３４をマスクとして， ｎ+−ＧａＡｓ層２０２２
を， ｎ+ＡｌＧａＡｓに対して選択的にエッチングす
る，Ｃｌ２を含む混合ガスＡを用いた反応性イオンエッ
チング（ＲＩＥ）により除去し，ソース電極およびドレ
イン電極形成領域に，それぞれ， ｎ+領域２０２２ａ，
２０２２ｂを形成する。このとき，エッチングで露出す
る面はｎ+ＡｌＧａＡｓのエッチストップ層２０２１で
ある。
【０１３５】次いで，ｉ線レジストＴＨＭＲ（東京応化
製）を用い，ｉ線ステッパ露光により，図４４に示すよ
うな開口部Ｌ１＝０．３μｍのレジストパターン２０３
６を形成する。このレジストパターン２０３６をマスク
として， φ−ＧａＡｓ及びｎ＋ＡｌＧａＡｓを共にエ
ッチングする，Ｃｌ２を含む混合ガスＢを用いた反応性
イオンエッチング（ＲＩＥ）により除去し，エッチスト
ップ層２０２１及びキャップ層２０２０の一部をエッチ
ングする。続いて，前記の混合ガスＡを用いたＲＩＥ
（ウエハはカソード電極上に載置される。）により，レ
ジストの開口部の長さＬ１，約０．３μｍにほぼ等しい
長さＬ２，約０．３５μｍにわたり，キャップ層２０２
０をエッチングする。
製）を用い，ｉ線ステッパ露光により，図４４に示すよ
うな開口部Ｌ１＝０．３μｍのレジストパターン２０３
６を形成する。このレジストパターン２０３６をマスク
として， φ−ＧａＡｓ及びｎ＋ＡｌＧａＡｓを共にエ
ッチングする，Ｃｌ２を含む混合ガスＢを用いた反応性
イオンエッチング（ＲＩＥ）により除去し，エッチスト
ップ層２０２１及びキャップ層２０２０の一部をエッチ
ングする。続いて，前記の混合ガスＡを用いたＲＩＥ
（ウエハはカソード電極上に載置される。）により，レ
ジストの開口部の長さＬ１，約０．３μｍにほぼ等しい
長さＬ２，約０．３５μｍにわたり，キャップ層２０２
０をエッチングする。
【０１３６】次いで，レジストパターン２０３４を除去
し，ウエハ２０００を洗浄した後，ｉ線レジストＦＳＭ
Ｒ（冨士薬品工業製）を用い，ｉ線ステッパ露光によ
り，図４３に示すような開口部の長さＬ３＝０．４μｍ
のオーバーハング形状を有するレジストパターン２０３
８を形成する。
し，ウエハ２０００を洗浄した後，ｉ線レジストＦＳＭ
Ｒ（冨士薬品工業製）を用い，ｉ線ステッパ露光によ
り，図４３に示すような開口部の長さＬ３＝０．４μｍ
のオーバーハング形状を有するレジストパターン２０３
８を形成する。
【０１３７】次いで，ゲート電極２０５０の材料を，真
空蒸着・リフトオフ法により，図４４に示すように形成
する。このときゲート電極２０５０の端部が，ｎ＋Ａｌ
ＧａＡｓエッチストップ層２０２１に乗り上がる。
空蒸着・リフトオフ法により，図４４に示すように形成
する。このときゲート電極２０５０の端部が，ｎ＋Ａｌ
ＧａＡｓエッチストップ層２０２１に乗り上がる。
【０１３８】この後，レジストパターン２０３８を除去
し，新たに，図４５に示すように，ｎ+ ＧａＡｓ層２０
２２上に，レジストパターン２０４０を形成する。この
後，ウエットエッチングを行い，ゲート電極２０５０で
覆われていないエッチストップ層２０２１を除去し，レ
ジストパターン２０４０を除去することにより，図４６
に示すＰＨＥＭＴ２０００が完成する。
し，新たに，図４５に示すように，ｎ+ ＧａＡｓ層２０
２２上に，レジストパターン２０４０を形成する。この
後，ウエットエッチングを行い，ゲート電極２０５０で
覆われていないエッチストップ層２０２１を除去し，レ
ジストパターン２０４０を除去することにより，図４６
に示すＰＨＥＭＴ２０００が完成する。
【０１３９】本実施の形態によれば， ｎ+ＧａＡｓ層２
０２２とφ―ＧａＡｓであるキャップ層２０２０との間
にｎ+ＡｌＧａＡｓ層２０２１とを形成することによ
り， ｎ+ＧａＡｓ層のエッチングに於いて，φ−ＧａＡ
ｓがエッチストップ層２０２１によって，エッチングさ
れないので，ゲート・ソース間容量Ｃｇｓ，ゲート・ド
レイン間容量Ｃｇｄが小さく，安定したＰＨＥＭＴを実
現できる。
０２２とφ―ＧａＡｓであるキャップ層２０２０との間
にｎ+ＡｌＧａＡｓ層２０２１とを形成することによ
り， ｎ+ＧａＡｓ層のエッチングに於いて，φ−ＧａＡ
ｓがエッチストップ層２０２１によって，エッチングさ
れないので，ゲート・ソース間容量Ｃｇｓ，ゲート・ド
レイン間容量Ｃｇｄが小さく，安定したＰＨＥＭＴを実
現できる。
【０１４０】第１６の実施の形態のＨＥＭＴは，キャッ
プ層をｎ＋ＧａＡｓからφＧａＡｓに変更したこと，寸
法を変更した以外は，第１の実施の形態のＨＥＭＴと製
造方法と同様であるので説明を省略する。
プ層をｎ＋ＧａＡｓからφＧａＡｓに変更したこと，寸
法を変更した以外は，第１の実施の形態のＨＥＭＴと製
造方法と同様であるので説明を省略する。
【０１４１】また第１８の実施の形態のＨＥＭＴ１９０
０はスペーサ絶縁膜のエッチングに続いてキャップ層を
異方性エッチングする以外は第１９の実施の形態のＨＥ
ＭＴの製造方法と同様であるので説明を省略する。
０はスペーサ絶縁膜のエッチングに続いてキャップ層を
異方性エッチングする以外は第１９の実施の形態のＨＥ
ＭＴの製造方法と同様であるので説明を省略する。
【０１４２】
【発明の効果】以上説明したように，本発明にかかる半
導体装置およびその製造方法によれば，化学的に不安定
なショットキ層がキャップ層に覆われるとともに，表面
欠陥が生じやすい，ショットキ層／キャップ層とショッ
トキ電極との境界領域についても，ショットキ電極の上
部構造により，覆われるので，表面欠陥が生じにくく，
したがって高い信頼性を有する半導体装置を高い歩留ま
りで製造することが可能となる。さらに，チャネル層中
の電子と向き合うショットキ電極の最下端面を小さく構
成することが可能となるので，高い相互コンダクタンス
ｇｍ，低いゲート・ソース間容量Ｃｇｓを得ることによ
り，高い遮断周波数ｆＴを有する半導体装置を得ること
ができる。
導体装置およびその製造方法によれば，化学的に不安定
なショットキ層がキャップ層に覆われるとともに，表面
欠陥が生じやすい，ショットキ層／キャップ層とショッ
トキ電極との境界領域についても，ショットキ電極の上
部構造により，覆われるので，表面欠陥が生じにくく，
したがって高い信頼性を有する半導体装置を高い歩留ま
りで製造することが可能となる。さらに，チャネル層中
の電子と向き合うショットキ電極の最下端面を小さく構
成することが可能となるので，高い相互コンダクタンス
ｇｍ，低いゲート・ソース間容量Ｃｇｓを得ることによ
り，高い遮断周波数ｆＴを有する半導体装置を得ること
ができる。
【図１】本発明の第１の実施形態にかかるＰＨＥＭＴの
概略構成を示す断面図である。
概略構成を示す断面図である。
【図２】図１に示すＰＨＥＭＴの動作を示す説明図であ
る。
る。
【図３】本発明の第２の実施形態にかかるＰＨＥＭＴの
概略構成を示す断面図である。
概略構成を示す断面図である。
【図４】本発明の第３の実施形態にかかるＰＨＥＭＴの
概略構成を示す断面図である。
概略構成を示す断面図である。
【図５】本発明の第４の実施形態にかかるＰＨＥＭＴの
概略構成を示す断面図である。
概略構成を示す断面図である。
【図６】本発明の第５の実施形態にかかるＰＨＥＭＴの
概略構成を示す断面図である。
概略構成を示す断面図である。
【図７】本発明の第６の実施形態にかかるＰＨＥＭＴの
概略構成を示す断面図である。
概略構成を示す断面図である。
【図８】本発明の第７の実施形態にかかるＰＨＥＭＴの
概略構成を示す断面図である。
概略構成を示す断面図である。
【図９】本発明の第８の実施形態にかかるＰＨＥＭＴ製
造の一工程の概略構成を示す断面図である。
造の一工程の概略構成を示す断面図である。
【図１０】本発明の第８の実施形態にかかるＰＨＥＭＴ
製造の一工程の概略構成を示す断面図である。
製造の一工程の概略構成を示す断面図である。
【図１１】本発明の第８の実施形態にかかるＰＨＥＭＴ
製造の一工程の概略構成を示す断面図である。
製造の一工程の概略構成を示す断面図である。
【図１２】本発明の第８の実施形態にかかるＰＨＥＭＴ
製造の一工程の概略構成を示す断面図である。
製造の一工程の概略構成を示す断面図である。
【図１３】本発明の第８の実施形態にかかるＰＨＥＭＴ
製造の一工程の概略構成を示す断面図である。
製造の一工程の概略構成を示す断面図である。
【図１４】本発明の第８の実施形態にかかるＰＨＥＭＴ
製造の一工程の概略構成を示す断面図である。
製造の一工程の概略構成を示す断面図である。
【図１５】本発明の第８の実施形態にかかるＰＨＥＭＴ
製造の一工程の概略構成を示す断面図である。
製造の一工程の概略構成を示す断面図である。
【図１６】本発明の第８の実施形態にかかるＰＨＥＭＴ
製造の一工程の概略構成を示す断面図である。
製造の一工程の概略構成を示す断面図である。
【図１７】本発明の第９の実施形態にかかるＰＨＥＭＴ
製造の一工程の概略構成を示す断面図である。
製造の一工程の概略構成を示す断面図である。
【図１８】本発明の第９の実施形態にかかるＰＨＥＭＴ
製造の一工程の概略構成を示す断面図である。
製造の一工程の概略構成を示す断面図である。
【図１９】本発明の第９の実施形態にかかるＰＨＥＭＴ
製造の一工程の概略構成を示す断面図である。
製造の一工程の概略構成を示す断面図である。
【図２０】本発明の第１１の実施形態にかかるＰＨＥＭ
Ｔ製造の一工程の概略構成を示す断面図である。
Ｔ製造の一工程の概略構成を示す断面図である。
【図２１】本発明の第１１の実施形態にかかるＰＨＥＭ
Ｔ製造の一工程の概略構成を示す断面図である。
Ｔ製造の一工程の概略構成を示す断面図である。
【図２２】本発明の第１１の実施形態にかかるＰＨＥＭ
Ｔ製造の一工程の概略構成を示す断面図である。
Ｔ製造の一工程の概略構成を示す断面図である。
【図２３】本発明の第１３の実施形態にかかるＰＨＥＭ
Ｔ製造の一工程の概略構成を示す断面図である。
Ｔ製造の一工程の概略構成を示す断面図である。
【図２４】本発明の第１３の実施形態にかかるＰＨＥＭ
Ｔ製造の一工程の概略構成を示す断面図である。
Ｔ製造の一工程の概略構成を示す断面図である。
【図２５】本発明の第８の実施形態にかかるＰＨＥＭＴ
のエッチング部分を拡大して示す断面図である。
のエッチング部分を拡大して示す断面図である。
【図２６】本発明の第１４の実施形態にかかるＰＨＥＭ
Ｔ製造の一工程の概略構成を示す断面図である。
Ｔ製造の一工程の概略構成を示す断面図である。
【図２７】本発明の第１４の実施形態にかかるＰＨＥＭ
Ｔ製造の一工程の概略構成を示す断面図である。
Ｔ製造の一工程の概略構成を示す断面図である。
【図２８】本発明の第１６の実施形態にかかるＰＨＥＭ
Ｔの概略構成を示す断面図である。
Ｔの概略構成を示す断面図である。
【図２９】図２８のＰＨＥＭＴのオン抵抗の各抵抗成分
を説明するための図である。
を説明するための図である。
【図３０】本発明の第１７の実施形態にかかるＰＨＥＭ
Ｔの概略構成を示す断面図である。
Ｔの概略構成を示す断面図である。
【図３１】本発明の第１８の実施形態にかかるＰＨＥＭ
Ｔの概略構成を示す断面図である。
Ｔの概略構成を示す断面図である。
【図３２】本発明の第１９の実施形態にかかるＰＨＥＭ
Ｔの概略構成を示す断面図である。
Ｔの概略構成を示す断面図である。
【図３３】本発明の第２０の実施形態にかかるＰＨＥＭ
Ｔ製造の一工程の概略構成を示す断面図である。
Ｔ製造の一工程の概略構成を示す断面図である。
【図３４】本発明の第２０の実施形態にかかるＰＨＥＭ
Ｔ製造の一工程の概略構成を示す断面図である。
Ｔ製造の一工程の概略構成を示す断面図である。
【図３５】本発明の第２０の実施形態にかかるＰＨＥＭ
Ｔ製造の一工程の概略構成を示す断面図である。
Ｔ製造の一工程の概略構成を示す断面図である。
【図３６】本発明の第２０の実施形態にかかるＰＨＥＭ
Ｔ製造の一工程の概略構成を示す断面図である。
Ｔ製造の一工程の概略構成を示す断面図である。
【図３７】本発明の第２０の実施形態にかかるＰＨＥＭ
Ｔ製造の一工程の概略構成を示す断面図である。
Ｔ製造の一工程の概略構成を示す断面図である。
【図３８】本発明の第２０の実施形態にかかるＰＨＥＭ
Ｔ製造の一工程の概略構成を示す断面図である。
Ｔ製造の一工程の概略構成を示す断面図である。
【図３９】本発明の第２０の実施形態にかかるＰＨＥＭ
Ｔ製造の一工程の概略構成を示す断面図である。
Ｔ製造の一工程の概略構成を示す断面図である。
【図４０】本発明の第２０の実施形態にかかるＰＨＥＭ
Ｔ製造の一工程の概略構成を示す断面図である。
Ｔ製造の一工程の概略構成を示す断面図である。
【図４１】本発明の第２０の実施形態にかかるＰＨＥＭ
Ｔ製造の一工程の概略構成を示す断面図である。
Ｔ製造の一工程の概略構成を示す断面図である。
【図４２】本発明の第２１の実施形態にかかるＰＨＥＭ
Ｔ製造の一工程の概略構成を示す断面図である。
Ｔ製造の一工程の概略構成を示す断面図である。
【図４３】本発明の第２１の実施形態にかかるＰＨＥＭ
Ｔ製造の一工程の概略構成を示す断面図である。
Ｔ製造の一工程の概略構成を示す断面図である。
【図４４】本発明の第２１の実施形態にかかるＰＨＥＭ
Ｔ製造の一工程の概略構成を示す断面図である。
Ｔ製造の一工程の概略構成を示す断面図である。
【図４５】本発明の第２１の実施形態にかかるＰＨＥＭ
Ｔ製造の一工程の概略構成を示す断面図である。
Ｔ製造の一工程の概略構成を示す断面図である。
【図４６】本発明の第２１の実施形態にかかるＰＨＥＭ
Ｔ製造の一工程の概略構成を示す断面図である。
Ｔ製造の一工程の概略構成を示す断面図である。
１００ ＰＨＥＭＴ
１０２ 基板
１０４ 第１バッファ層
１０６ 第２バッファ層
１０８ 第１電子供給層
１１０ 第１スペーサ層
１１２ チャネル層
１１４ 第２スペーサ層
１１６ 第２電子供給層
１１８ ショットキ層
１２０ キャップ層
１２２ ｎ＋層
１２４ オーム性電極（ソース電極）
１２６ オーム性電極（ドレイン電極）
１５０ ショットキ電極（ゲート電極）
１５２ 下部構造
１５４ 上部構造
フロントページの続き
(72)発明者 星 真一
東京都港区虎ノ門１丁目７番12号 沖電気
工業株式会社内
(72)発明者 齊▲藤▼ 正
東京都港区虎ノ門１丁目７番12号 沖電気
工業株式会社内
(72)発明者 山本 伸介
東京都港区虎ノ門１丁目７番12号 沖電気
工業株式会社内
(72)発明者 伊東 祐子
東京都港区虎ノ門１丁目７番12号 沖電気
工業株式会社内
(72)発明者 髭本 信雅
東京都港区虎ノ門１丁目７番12号 沖電気
工業株式会社内
Ｆターム(参考） 4M104 AA05 CC03 EE01 EE17 FF07
FF27 FF31 GG12 HH16
5F102 FA01 GB01 GC01 GD01 GJ05
GK05 GK06 GK08 GL04 GM06
GN05 GN08 GQ03 GR03 GR04
GR06 GR12 GS04 GV08 HC01
HC07 HC11 HC16 HC19 HC29
Claims (13)
- 【請求項１】 無添加のアルミガリウム砒素からなるシ
ョットキ層と，前記ショットキ層を覆うキャップ層と，
前記キャップ層を貫通し前記ショットキ層の深さ方向の
一部にまで到達する下部構造と，前記下部構造よりも拡
大した断面を有し前記キャップ層上に乗り上げる上部構
造との２段構造を有するショットキ電極と，を含むこと
を特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 無添加のアルミガリウム砒素からなるシ
ョットキ層と，前記ショットキ層を覆うキャップ層と，
少なくとも前記キャップ層のショットキ電極形成領域に
形成されるスペーサ絶縁層と，前記キャップ層および前
記スペーサ絶縁層を貫通し前記ショットキ層の深さ方向
の一部にまで到達する下部構造と，前記下部構造よりも
拡大した断面を有し前記キャップ層に乗り上げる上部構
造との２段構造を有するショットキ電極と，を含むこと
を特徴とする半導体装置。 - 【請求項３】 前記キャップ層は，少なくとも前記ショ
ットキ電極が形成される薄層化領域を含むことを特徴と
する請求項１または２に記載の半導体装置。 - 【請求項４】 前記キャップ層は，少なくとも前記ショ
ットキ電極の上部構造が形成される領域の外側部に薄層
化領域を含むことを特徴とする請求項１または２に記載
の半導体装置。 - 【請求項５】 前記ショットキ電極は，ソース電極とド
レイン電極との間に形成されるゲート電極であり，前記
ゲート電極は，ソース電極側にオフセットされて形成さ
れることを特徴とする請求項１，２，３または４のいず
れかに記載の半導体装置。 - 【請求項６】 前記ショットキ電極は，ソース電極とド
レイン電極との間に形成されるゲート電極であり，前記
薄層化領域は，前記ソース電極側および前記ドレイン電
極側に対称に形成されることを特徴とする請求項３，４
または５のいずれかに記載の半導体装置。 - 【請求項７】 前記ショットキ電極は，ソース電極とド
レイン電極との間に形成されるゲート電極であり，前記
薄層化領域は，前記ソース電極側および前記ドレイン電
極側に非対称に前記ドレイン電極側に長くなるように形
成されることを特徴とする請求項３，４または５のいず
れかに記載の半導体装置。 - 【請求項８】 前記ショットキ電極は，ソース電極とド
レイン電極との間に形成されるゲート電極であり，前記
薄層化領域は，前記ドレイン電極側にのみ形成されるこ
とを特徴とする請求項３，４または５のいずれかに記載
の半導体装置。 - 【請求項９】 前記ショットキ層はＡｌＧａＡｓから成
り，前記キャップ層はＧａＡｓから成ることを特徴とす
る請求項１，２，３，４，５，６，７または８のいずれ
かに記載の半導体装置。 - 【請求項１０】 前記ショットキ層の下層には，少なく
とも一対の電子供給層とチャネル層が形成されているこ
とを特徴とする請求項１，２，３，４，５，６，７、８
または９のいずれかに記載の半導体装置。 - 【請求項１１】 前記キャップ層は，キャリア密度が１
×１０16ｃｍ-3以下の不純物を有するＧａＡｓ層から成
ることを特徴とする請求項１，２，３，４，５，６，７
または８のいずれかに記載の半導体装置。 - 【請求項１２】 前記スペーサ絶縁層は酸化膜であるこ
とを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。 - 【請求項１３】 前記ショットキ電極の下部構造の，前
記ショットキ層と接する底部の長さは前記下部構造の上
部の長さより短いことを特徴とする請求項１乃至１２い
ずれかに記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003035083A JP2003218130A (ja) | 1998-05-01 | 2003-02-13 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10-122107 | 1998-05-01 | ||
| JP12210798 | 1998-05-01 | ||
| JP2003035083A JP2003218130A (ja) | 1998-05-01 | 2003-02-13 | 半導体装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31206398A Division JP3534624B2 (ja) | 1998-05-01 | 1998-11-02 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003218130A true JP2003218130A (ja) | 2003-07-31 |
Family
ID=27666012
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003035083A Pending JP2003218130A (ja) | 1998-05-01 | 2003-02-13 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003218130A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008288289A (ja) * | 2007-05-16 | 2008-11-27 | Oki Electric Ind Co Ltd | 電界効果トランジスタとその製造方法 |
| JP2009054831A (ja) * | 2007-08-28 | 2009-03-12 | Fujitsu Ltd | 化合物半導体装置とその製造方法 |
| US7595531B2 (en) | 2006-09-15 | 2009-09-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device |
| US8134182B2 (en) | 2005-12-20 | 2012-03-13 | Sony Corporation | Field-effect transistor, semiconductor device including the field-effect transistor, and method of producing semiconductor device |
| JP2013191868A (ja) * | 2006-11-20 | 2013-09-26 | Panasonic Corp | 半導体装置 |
-
2003
- 2003-02-13 JP JP2003035083A patent/JP2003218130A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP2009054831A (ja) * | 2007-08-28 | 2009-03-12 | Fujitsu Ltd | 化合物半導体装置とその製造方法 |
| US8916459B2 (en) | 2007-08-28 | 2014-12-23 | Fujitsu Limited | Compound semiconductor device with mesa structure |
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