DE102006061435A1

DE102006061435A1 - Verfahren und Vorrichtung zum Aufspritzen insbesondere einer Leiterbahn, elektrisches Bauteil mit einer Leiterbahn sowie Dosiervorrichtung

Info

Publication number: DE102006061435A1
Application number: DE102006061435A
Authority: DE
Inventors: Robert Dipl.-Ing. Süß-Wolf; Marco Dipl.-Ing.(FH) De Paolis; Dieter Geist; Gerhard Dipl.-Ing. Reichinger; Gerard Dipl.-Ing.(Fh) Pieper
Original assignee: Leoni AG
Current assignee: Leoni AG
Priority date: 2006-12-23
Filing date: 2006-12-23
Publication date: 2008-06-26
Also published as: JP5193225B2; EP2104750B1; JP2010514919A; US8241710B2; EP2104750A2; WO2008077608A2; US20090314520A1; WO2008077608A3

Abstract

Um ein schonendes Aufspritzen insbesondere einer Leiterbahn (2) auf einem Substrat (4) zu ermöglichen, ist ein Spritzverfahren vorgesehen, bei dem in einer Spritzlanze (6) ein kaltes Plasma (22) mit einer Plasmatemperatur kleiner 3000 K erzeugt wird und wobei in die Spritzlanze (6) mit Hilfe eines Trägergases (T) ein Pulver (P) eingebracht wird, das zu einer stirnendseitigen Austrittsöffnung (16) geführt wird, dort austritt und auf das Substrat (4) auftrifft.

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren sowie eine Vorrichtung zum Aufspritzen einer Bahn, insbesondere einer Leiterbahn auf ein Substrat. Die Erfindung betrifft weiterhin ein elektrisches Bauteil mit einer elektrisch leitfähigen Leiterbahn sowie eine Dosiervorrichtung zum dosierten Zuführen von Pulver.
Zur Erzeugung von Bahnen, insbesondere von Leiterbahnen auf einem insbesondere isolierenden Substrat ist die Verwendung von unterschiedlichsten Spritzverfahren bekannt. So wird beispielsweise in der EP 1 363 811 B1 ein Verfahren zum Aufspritzen einer Leiterbahn auf ein Substrat mit Hilfe des Flammspritzens und/oder des Kaltgasspritzens beschrieben. Daneben wird als Spritzverfahren beispielsweise auch Plasmaspritzen eingesetzt. Aus der DE 103 20 379 A1 ist die Aufbringung einer Heizleiterbahn insbesondere mittels des Flammspritzens für unterschiedlichste Anwendungen zu entnehmen.
Es hat sich jedoch gezeigt, dass die bekannten Spritzverfahren für einen kostengünstigen, flexiblen Einsatz zur Erzeugung insbesondere von elektrischen Bauteilen mit der aufgespritzten Leiterbahn teilweise aufwändig und daher nicht mehr wirtschaftlich sind.
In der Leiterplattentechnologie werden unterschiedliche Spritzverfahren regelmäßig eingesetzt, jedoch üblicherweise unter Verwendung einer Spritzmaske, wobei die Spritzmaske das aufzubringende Leiterbahnmuster zeigt. Dieses Verfahren bietet sich nur bei hohen Stückzahlen an. Insbesondere sind bei den Verfahren mit Maskenunterstützung keine flexiblen Leiterbahnverläufe möglich.
Auch hat sich gezeigt, dass die Verbindung zwischen den aufgespritzten Partikeln und dem Substrat teilweise mangelhaft ist oder zumindest in Abhängigkeit der gewählten Materialpaarungen starken Schwankungen unterworfen ist. Auch die Qualität der aufgespritzten Bahn ist stark vom Material des Substrats abhängig.
Bei den Spritzverfahren werden die aufzubringenden Teilchen erhitzt und/oder stark beschleunigt. Aufgrund der relativ großen thermischen und/oder kinetischen Energie der Teilchen wird insbesondere bei sehr dünnen Substraten im Bereich kleiner 1 mm teilweise ein unerwünschtes Durchschlagen des Substrats, zumindest ein Beschädigen des Substrats hervorgerufen.
Um eine sichere und dauerhafte Verbindung des Substrats mit den aufgespritzten Partikeln zu gewährleisten, ist weiterhin oftmals eine Vorbehandlung des Substrats erforderlich. Teilweise ist auch vorgesehen, dass vor dem Aufbringen der eigentlichen Bahn eine Keimschicht aufgebracht wird.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, das Aufspritzen einer Bahn, insbesondere einer Leiterbahn, auf einem Substrat zu ermöglichen, bei dem die Qualität der aufgespritzten Bahn möglichst unabhängig von dem verwendeten Material des Substrats ist und der Verlauf der Leiterbahn frei gewählt werden kann.
Die Aufgabe wird gemäß der Erfindung gelöst durch ein Verfahren mit den Merkmalen des Anspruchs 1. Danach wird insbesondere eine Leiterbahn auf ein Substrat mit Hilfe einer sich in Längsrichtung erstreckenden Spritzlanze aufgebracht. Diese wird hierbei mit einer Relativgeschwindigkeit relativ zu dem Substrat bewegt, um somit maskenfrei und ohne Begrenzungen den Verlauf der Leiterbahn frei wählen zu können. Das Spritzverfahren beruht hierbei auf einem atmosphärischen, kalten Plasmaspritzen, bei dem der Spritzlanze ein ionisierbares Gas zugeführt wird, welches durch einen in der Spritzlanze erzeugten Lichtbogen ionisiert wird. Hierbei entsteht ein kaltes Plasma mit einer Plasmatemperatur kleiner 2000 K. Gleichzeitig wird in die Spritzlanze mit Hilfe eines Trägergasstromes ein Pulver eingebracht, welches vom Plasma in Richtung zu einer stirnendseitigen Austrittsöffnung der Spritzlanze mitgeführt wird, dort austritt und anschließend auf dem Substrat auftritt und dort die Leiterbahn ausbildet.
Durch Verwenden eines kalten Plasmas mit einer Plasmatemperatur kleiner 3000 K und insbesondere kleiner 2000 K ist zum einen der technologische Aufwand für das Spritzverfahren sehr gering und mit nur geringen Investitionskosten verbunden. Gleichzeitig erfolgt durch das kalte Plasma ein vergleichsweise geringer Energieeintrag in das aufzubringende Material, so dass dieses auf das Substrat sehr schonend aufgebracht wird. Selbst dünne Substratschichten kleiner 1 mm bis hin zu wenigen μm werden daher beim Spritzverfahren nicht zerstört. Dadurch eignet sich dieses Verfahren insbesondere auch zum Aufspritzen von Bahnen, insbesondere Leiterbahnen auf extremen Dünnschicht-Substraten.
Da das Pulver zusätzlich innerhalb der Spritzlanze beigefügt wird, ist ein sehr kontrolliertes Verfahren ermöglicht. Insbesondere lässt sich durch die Wahl der Größe der Austrittsöffnung ein begrenzter, ausreichend dünner Spritzstrahl einstellen, so dass zur Erzeugung von Bahnen mit scharfen Begrenzungen keine Masken oder derlei erforderlich und vorgesehen sind. Vielmehr sind Bahnbreiten im Bereich von unter 1 mm bis zu beispielsweise mehreren 10 mm mit hoher Bahnbreitengenauigkeit erreichbar.
Es hat sich gezeigt, dass mit einem derartigen Verfahren die Bahnen auf den unterschiedlichsten Materialien in vergleichbar guter Qualität aufgebracht werden können. Als Substratmaterial eignen sich beispielsweise Kunststoffe, wie PE, ABS, gefüllte oder auch ungefüllte Polymere, sowie Glimmer, Pappe, Papier, Porzellan, Keramiken, wie SIC, Glas etc. Als Pulver werden insbesondere Metallpulver verwendet. Sollen Leiterbahnen erzeugt werden, wird als Pulver vorzugsweise Zinn oder eine Zinnlegierung und alternativ Kupfer oder eine Kupferlegierung herangezogen. Zinn oder eine Zinnlegierung eignet sich für dieses Verfahren insbesondere bei Dünnschichtsubstraten, da aufgrund der geringen Erweichungstemperatur von Zinn ein sehr geringer Energieeintrag erforderlich ist und damit die Zinn-Partikel sehr materialschonend aufgebracht werden können. Neben den nicht-metallischen Substraten können prinzipiell auch metallische Substrate beispielsweise zu Beschichtungszwecken herangezogen werden.
Von besonderem Vorteil ist, dass dieses Verfahren zu qualitativ guten Bahnen, insbesondere Leiterbahnen, führt, ohne dass eine Vorbehandlung des Substrats erforderlich und daher auch nicht vorgesehen ist. Auch die hohe Flexibilität durch das maskenfreie Aufbringen macht dieses Verfahren besonders wirtschaftlich. Maßgebend hierfür ist, dass für unterschiedliche Substratmaterialien keine Anpassung der Prozessparameter erforderlich ist. Das bedeutet, dass in Abhängigkeit des speziellen Geräteaufbaus der Spritzvorrichtung unabhängig von der Wahl des Substratmaterials lediglich ein Parametersatz eingestellt zu werden braucht und mit diesem Parametersatz die unterschiedlichsten Substratmaterialien behandelt werden können.
Für die wirtschaftliche Anwendung ist es unabdingbar, dass das Verfahren zuverlässig in einem kontinuierlichen Prozess integriert werden kann. Erst dies ermöglicht es, das Verfahren beispielsweise im Rahmen einer Produktionsstraße an einem Förderband einzusetzen. Mit dem Verfahren bzw. der entsprechenden Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens muss daher ein mehrstündiger und vorzugsweise auch mehrtägiger Betrieb ohne Wartungsarbeiten und Unterbrechungen ermöglicht sein. Aufgrund des direkten Einbringens des Pulvers in die Spritzlanze und der dort ablaufenden Prozesse zur Erzeugung des Plasmas besteht jedoch die Gefahr, dass durch Ablagerungen des zugeführten Pulvers innerhalb der Spritzlanze ein kontinuierlicher Betrieb gefährdet ist.
Gemäß einer bevorzugten Weiterbildung ist daher unter einem Winkel schräg zur Längsrichtung an der Spritzlanze ein Zuführstutzen für das Pulver vorgesehen. Hierbei sind der Winkel, der Gasstrom, also im Wesentlichen der Strom des ionisierten Gases, sowie der Trägergasstrom, derart aufeinander abgestimmt, dass das Pulver vom Zuführstutzen entlang einer bogenförmigen Bahn zur Austrittsöffnung gelangt, ohne dass es in Kontakt mit Einrichtungen oder Wandungen der Spritzlanze kommt. Durch diese spezielle Einstellung der Prozessparameter, in Abhängigkeit der genannten Bedingungen sowie eventuell weiterer Bedingungen, ist sichergestellt, dass es beispielsweise zu keinen Anbackungen im Bereich der Austrittsöffnung kommt, die diese allmählich zusetzen würden. Auch ist durch diese Maßnahmen verhindert, dass sich einzelne Partikel beispielsweise an den Innenwänden der Spritzlanze oder auch an einer Kathode zur Erzeugung des Lichtbogens ablagern. Der Winkel liegt hierbei vorzugsweise zwischen 20° und 70°, insbesondere im Bereich zwischen 20° und 30°. Unter diesem Winkel ergibt sich eine besonders geringe Ablenkung bei gleichzeitig kompakter Ausgestaltung, so dass das Pulver auf einem annähernd direkten Weg zur Austrittsöffnung gelangt.
Um einen kontinuierlichen und störungsfreien Betrieb zuverlässig zu erhalten ist die Austrittsöffnung von den Zuführstutzen vorzugsweise etwa lediglich wenige Zentimeter, bevorzugt lediglich etwa 1 cm beabstandet. Bezugspunkt ist hierbei eine Mittenlinie des Zuführstutzens. Gleichzeitig oder alternativ ist der Zuführstutzen zu der Kathode im Bereich von etwa 5–7 cm beabstandet. Dieser Abstand wird hierbei in Abhängigkeit des verwendeten Materials für das Pulver eingestellt. Je niedrig schmelzender das Material ist, desto kleiner ist der Abstand zu der Kathode. Bei der Verwendung von Zinn liegt dieser Abstand daher im unteren Bereich von 5 cm, wohingegen bei der Verwendung des im Vergleich zum Zinn höher schmelzenden Kupfers der Abstand im oberen Bereich liegt.
Weiterhin ist für einen kontinuierlichen Betrieb gemäß einer zweckdienlichen Weiterbildung vorgesehen, dass das ionisierbare Gas sowie das Trägergas etwa unter dem gleichen Druck in die Spritzlanze einströmen. Es herrschen daher möglichst gleichmäßige Bedingungen innerhalb der Spritzlanze und es treten keine übermäßigen Turbulenzen auf. Derartige Turbulenzen würden in nachteiliger Weise dazu führen, dass das zugeführte Pulver nicht zielgerichtet zu der Austrittsöffnung gelangen könnte. Der Druck liegt hierbei vorzugsweise im Bereich zwischen 1 und 10 bar (1·10⁵–10·10⁵ Pa). Insbesondere liegt er im Bereich von 2·10⁵ Pa.
Zweckdienlicherweise ist weiterhin vorgesehen, dass sowohl das ionisierbare Gas als auch das Trägergas aus einer gleichen Gasquelle stammen. Ein Gesamt-Gasvolumenstrom wird daher aufgeteilt in einen Volumenstrom für das ionisierbare Gas und in einen für das Trägergas. Hierdurch weisen die beiden Volumen ströme etwa das gleiche Druckniveau auf. Zweckdienlicherweise liegt hierbei der Anteil des Trägergases am Gesamt-Gasvolumenstrom bei etwa 5–15% und insbesondere bei etwa 8%. Der Volumenstrom des Trägergases liegt vorzugsweise zwischen 10 und 25 l/min und insbesondere im Bereich zwischen 15–19 l/min.
Bevor das Trägergas mit dem Pulver der Spritzlanze zugeführt wird, wird das Trägergas durch eine Dosiervorrichtung geleitet, um das Pulver aufzunehmen. Diese Dosiervorrichtung umfasst hierbei in einer zweckdienlichen Ausgestaltung einen Pulvervorratsbehälter sowie eine Dosierkammer, in die das Pulver aus dem Pulvervorratsbehälter unter Ausnutzung der Gravitationskraft über ein Dosierrohr auf einen vorzugsweise rotierenden Dosierteller dosiert wird. Vom Dosierteller wird das Pulver mittels einer Sauglanze aufgenommen. Um dies zu erreichen wird das Trägergas über einen Einlass in die Dosierkammer eingeleitet, so dass innerhalb der Dosierkammer etwa der Druck des Trägergrasstroms herrscht. Das Trägergas verlässt die Dosierkammer wieder über die Sauglanze. Beim Einströmen in die Öffnung der Sauglanze wird das in unmittelbarer Nähe dieser Öffnung befindliche Pulver mitgerissen und dann durch den Trägergasstrom mitgetragen.
Um eine möglichst gleichmäßige und kontinuierliche Zuleitung von Pulver auf den Dosierteller zu gewährleisten, wird der Pulvervorratsbehälter zweckdienlicherweise mit Druck, insbesondere mit dem Druck des Trägergases, beaufschlagt. Hierdurch wird durch eine konstruktiv einfache Art und Weise das Pulver in Richtung auf das Dosierrohr gedrückt, so dass sich vor dem Dosierrohr keine Hohlräume ausbilden. Ergänzend oder alternativ hierzu wird das Pulver zumindest im Bereich seines Eintritts in das Dosierrohr Vibrationen ausgesetzt. Hierzu ist der Pulvervorratsbehälter mit einem geeigneten Vibrator ausgebildet. Beispielsweise vibriert der Behälter in seinem unteren Bereich oder ein Vibrationselement dringt direkt in den Pulvervorrat ein.
Vorzugsweise weist der Dosierteller eine umlaufende Nut auf, in die das Dosierrohr und die Sauglanze bevorzugt an etwa gegenüberliegenden Positionen eintauchen. Die Breite der Nut ist hierbei lediglich geringfügig, beispielsweise um ein geringes Toleranz- oder Spaltmaß von wenigen Zehntel-Millimeter, größer als der Außendurchmesser insbesondere der Sauglanze. Insgesamt wird hierdurch im Bereich der Öffnung der Sauglanze, die in der Nut liegt, eine hohe Einströmgeschwindigkeit erreicht, so dass das Pulver zuverlässig mitgerissen wird.
Die Dosierung wird hierbei zweckdienlicherweise derart eingestellt, dass eine Pulverauftragsrate im Bereich von 1–20 g/min und insbesondere von etwa 5 g/min eingestellt wird. Bei einer Pulverauftragsrate von 5 g/min bei der Verwendung insbesondere von Zinn wird hierbei der Volumenstrom des Trägergases auf etwa 17 l/min eingestellt.
Zur Erzeugung der Bahn mit einer möglichst scharten und gleichmäßigen Begrenzung der Bahnbreite ist die Spritzlanze zweckdienlicherweise in einem Spritzabstand im Bereich zwischen 3 und 35 mm vom Substrat beabstandet. Bei der Verwendung von Zinn hat sich ein Spritzabstand im Bereich von etwa 10 mm als besonders vorteilhaft herausgestellt.
Weiterhin ist vorgesehen, dass die Spritzlanze mit einer Relativgeschwindigkeit im Bereich von 10 mm/min–90 mm/min bezüglich des Substrats verfahren wird. Prinzipiell ist es hierbei auch möglich, dass das Substrat verfahren und die Spritzlanze ortsfest gehalten wird.
Zweckdienlicherweise wird die Breite der aufgespritzten Bahn durch Einstellung der Relativgeschwindigkeit eingestellt. Je höher die Geschwindigkeit ist, desto schmaler ist Bahn. Untersuchungen haben zudem gezeigt, dass durch Variation der Relativgeschwindigkeit es ermöglicht ist, eine Unterbrechung der Bahn zu erzielen, ohne den eigentlichen Spritzetrieb unterbrechen zu müssen. Dies wird nun vorzugsweise dafür herangezogen, um Unterbrechungen der Leiterbahn allein durch eine Erhöhung der Relativgeschwindigkeit zu erzielen. Hierdurch besteht die vorteilhafte Möglichkeit, unterschiedliche elektrische Leiterbahnen, die nicht in elektrischem Kontakt miteinander stehen, in einem kontinuierlichen Spritzverfahren zu erzeugen, ohne dass der Spritzbetrieb eingestellt werden müsste. Um die Unterbrechung auszubilden, wird die Relativgeschwindigkeit kurzfristig auf einen Wert insbesondere größer 100 mm pro Minute erhöht.
Zweckdienlicherweise dient die aufgebrachte leitfähige Bahn als Heizleiterbahn, die insbesondere mäanderförmig aufgebracht wird. Bevorzugt ist diese Heizleiterbahn zur Beheizung eines Spiegels, insbesondere eines Kraftfahrzeug-Spiegels vorgesehen.
Daneben sind prinzipiell eine Vielzahl von weiteren Anwendungsmöglichkeiten gegeben, um die elektrisch leitfähige Bahn für Heizzwecke oder zur Beheizung von speziellen Bauteilen heranzuziehen.
Generell wird die Leiterbahn für elektrische Bauteile herangezogen, bei denen die elektrische Leitfähigkeit ausgenutzt wird. Insbesondere dient hierbei die Leiterbahn mit ihrem direkten Aufbringen auf ein Bauteil, beispielsweise auf ein Kraftfahrzeug-Bauteil, zur Stromführung im Rahmen eines Bordnetzes. Die Leiterbahn kann aufgrund ihrer Leitfähigkeit aber auch als Abschirmung, als elektrischer Kontakt, als Antenne etc. ausgebildet sein. Die Ausbildung der Antenne ist hierbei insbesondere im Rahmen einer so genannten RFID-Anwendung (Radio Frequency Identification) vorgesehen sein. Durch die Ausbildung unterschiedlich breiter Leiterbahnteilstücke können auch Sicherungselemente etc. ausgebildet werden.
Daneben besteht mit diesem Verfahren prinzipiell auch die Möglichkeit, Beschichtungen etc. vorzunehmen.
Zweckdienlicherweise wird dieses Verfahren eingesetzt, um die erzeugte Bahn durchgehend auf einander angrenzende Substrate unterschiedlicher Materialien aufzubringen. Hierbei wird in vorteilhafter Weise ausgenutzt, dass die Haftung nahezu materialunabhängig ist. Materialübergänge können daher problemlos überspritzt werden. Dies ist insbesondere bei Hybridbauteilen von besonderem Vorteil, bei denen unterschiedliche Materialien miteinander verbunden sind.
Das Verfahren eignet sich insbesondere auch zur Durchkontaktierung von Leiterplatten, beispielsweise in der Leistungselektronik. Hierzu wird ein Durchtrittsloch in der Leiterplatte für eine Leistungselektronik mit der elektrisch leitfähigen Beschichtung versehen. Hierbei kann vorgesehen sein, dass die Relativgeschwindigkeit gleich null ist.
Die Aufgabe wird gemäß der Erfindung weiterhin gelöst durch eine Vorrichtung zum Aufspritzen einer Bahn, insbesondere Leiterbahn, mit den Merkmalen des Anspruchs 22.
Zweckdienlicherweise ist die Spritzlanze zweiteilig ausgebildet und umfasst ein Plasmarohr, an das ein Lanzenkopf austauschbar befestigt ist. Der Lanzenkopf weist den Zuführstutzen sowie die Austrittsöffnung auf. Durch die Austauschbarkeit können durch unterschiedlich ausgebildete Lanzenköpfe unterschiedliche Bahnen erzeugt werden, die sich beispielsweise im Hinblick auf Ihre Bahnbreite unterscheiden. Auch besteht die Möglichkeit, durch unterschiedlich ausgebildete Lanzenköpfe, bei denen beispielsweise die Lage und Orientierung des Zuführstutzens unterschiedlich ist, die Lanzenköpfe an unterschiedliche Pulverarten anzupassen. Zweckdienlicherweise sind hierbei die unterschiedlich ausgebildeten Lanzenköpfe automatisch und in einfacher Weise austauschbar, indem sie in einer Wechseleinheit, beispielsweise einem Revolverkopf, aufbewahrt sind.
Die Aufgabe wird weiterhin gelöst durch eine Dosiervorrichtung zum dosierten Zuführen von Pulver in einem Trägergasstrom zu einer Spritzlanze gemäß Anspruch 25 sowie durch ein elektrisches Bauteil gemäß Anspruch 26. Das elektrische Bauteil ist insbesondere ein beheizbarer Spiegel.
Die im Hinblick auf das Verfahren angeführten Vorteile und bevorzugten Ausgestaltungen sind sinngemäß auch auf die Vorrichtung, die Dosiervorrichtung, und/oder das elektrische Bauteil übertragbar.
Ausführungsbeispiele der Erfindung werden im Folgenden anhand der Zeichnung näher erläutert. Es zeigen hierin jeweils in schematischen und teilweise stark vereinfachten Darstellungen:
1 eine Querschnittsdarstellung durch eine Spritzlanze zur Erläuterung des Spritzverfahrens,
2 eine Querschnittdarstellung einer Dosiervorrichtung,
3 eine Aufsicht auf einen Dosierteller,
4 eine schematische Darstellung zur Erläuterung des Gesamtprozesses sowie
5A, 5B eine Schnittansicht bzw. Aufsicht auf einen beheizbaren Spiegel.
In den Figuren sind gleich wirkende Teile mit den gleichen Bezugszeichen versehen.
Zum Aufbringen einer Bahn, insbesondere einer Leiterbahn 2 auf ein Substrat 4, insbesondere aus einem Isolationsmaterial, wird die in 1 dargestellte Spritzlanze 6 verwendet. Zum Erzeugen der Leiterbahn 2 wird die Spritzlanze 6 relativ zum Substrat verfahren. Hierbei wird die Spritzlanze 6 insbesondere an einer Verstelleinrichtung befestigt, die eine Verstellmöglichkeit entlang von drei Achsen aufweist, also innerhalb der durch das Substrat 4 definierten X-Y-Ebene als auch innerhalb einer Z-Richtung, die durch die Längsrichtung 8 der Spritzlanze definiert ist. Die Verstelleinrichtung ist hierbei beispielsweise eine mehrachsige, mit Linearantrieben ausgebildete Einrichtung. Alternativ hierzu ist die Verstelleinrichtung ein mehrachsiger, insbesondere sechsachsiger Industrieroboter. In diesem Fall ist die Spritzlanze 6 an einer Roboterhand des Industrieroboters befestigt.
Die Spritzlanze 6 wird über dem Substrat 4 verfahren, um ein durch die Bewegung der Spritzlanze 6 definiertes Leiterbahnmuster zu erzeugen. Es wird hierbei keinerlei Maskierungshilfe verwendet. Das Leiterbahnmuster wird allein durch die Relativbewegung des Substrats 4 bezüglich der Spritzlanze 6 definiert. Auch ist keinerlei Vorbehandlung des Substrats 4 vorgesehen. Vielmehr wird die Leiterbahn 2 unmittelbar auf die Oberfläche des Substrats 4 aufgebracht.
An der Spritzlanze 6 kann bei Bedarf eine Saugglocke 10 befestigt sein, die in 1 punktiert dargestellt ist. An dieser Saugglocke ist ein hier nicht näher dargestellter Sauganschluss angeordnet, mit dessen Hilfe ein Unterdruck in der Saugglocke 10 eingestellt wird. Hierdurch besteht die Möglichkeit, überschüssiges Material abzusaugen und gegebenenfalls einer Wiederverwertung zuzuführen. Die Verwendung einer derartigen Saugglocke ist beispielsweise bei einem aus der WO 02/058887 A1 zu entnehmenden Beschichtungsverfahren bekannt. Vorzugsweise erfolgt das Aufbringen der Leiterbahn 2 ohne Saugglocke 10. Dies bringt insbesondere bei dreidimensional konturierten Substraten 4 Vorteile, da eine Abdichtung zur Erzeugung des Unterdrucks in der Saugglocke 4 in diesen Fällen nicht oder nur sehr schwer möglich ist. Vielmehr kann ohne Saugglocke 10 die Spritzlanze 6 frei und beliebig auch über komplexe Oberflächenstrukturen des Substrats 4 geführt werden.
Die Spritzlanze 6 selbst ist ein in etwa rohrförmiges Gebilde, das sich in Längsrichtung 8 erstreckt. Die Spritzlanze 6 ist in zwei Modulteile unterteilt, nämlich einen unteren Lanzenkopf 6A und ein oberes Plasmarohr 6B. Diese beiden Bauteile sind miteinander lösbar befestigt. Innerhalb des Plasmarohrs 6B wird das Plasma im Betrieb erzeugt. Im Lanzenkopf 6A erfolgt die Zuführung des Pulvers in die Spritzlanze 6. Insbesondere ist der Lanzenkopf 6A angeschraubt oder auch durch eine Schnellverbindungsart, wie beispielsweise eine Bajonettverbindung, an dem Plasmarohr 6B befestigt. Durch diese lösbare Befestigung lässt sich der Lanzenkopf 6A problemlos austauschen und durch einen anderen ersetzten. Insbesondere lässt sich durch diese Maßnahme ein einfacher „Werkzeugwechsel" durchführen, um beispielsweise Leiterbahnen 2 mit unterschiedlichen Leiterbahnbreiten zu erzeugen.
Im bzw. am Plasmarohr 6B ist eine Kathode 12 sowie eine Zuführung 14 für ein ionisierbares Gas, insbesondere Stickstoff N vorgesehen. An seiner Oberseite ist die Spritzlanze 6 durch einen isolierenden Deckel verschlossen. Gegenüberliegend am andern stirnseitigen Ende weist die Spritzlanze 6 eine Austrittsöffnung 16 auf. Im unteren Bereich unterhalb der Kathode 12 und als Teil des Lanzenkopfes 6A ist seitlich ein Zuführstutzen 18 angeordnet. Die Spritzlanze 6 zumindest im unteren Bereich unterhalb der Kathode weist einen Innendurchmesser d1 im Bereich von etwa 1 cm und beispielsweise von 8 mm auf. Der Durchmesser d2 der Austrittsöffnung 16 liegt bei diesem Ausführungsbeispiel im Bereich von wenigen Millimetern, beispielsweise von 3 mm. Der Innendurchmesser d1 beträgt allgemein etwa das zwei- bis fünffache des Durchmessers d2 der Austrittsöffnung 16. Prinzipiell lässt sich die Austrittsöffnung über einen weiten Bereich beispielsweise von 0,2 mm bis zu 10 mm oder auch darüber variieren. Bei den größeren Durchmessern wird der ein entsprechend größerer Innendurchmesser d1 gewählt.
Der Zuführstutzen 18 ist von der Austrittsöffnung 16 um einen Abstand a1 zu der Austrittsöffnung 16 beabstandet. Gleichzeitig ist der Zuführstutzen 18 zu der Kathode 12 um einen Abstand a2 beabstandet. Der Abstand wird hierbei jeweils gemessen ausgehend von der Mitte der Eintrittsöffnung des Zuführstutzens 18. Der Abstand a1 beträgt etwa 1 cm, insbesondere bei der Verwendung von Zinn als Spritzmaterial. Der Abstand a2 liegt demgegenüber in einem Bereich von 5–7 cm, bei Zinn wird ein Abstand von etwa 5 cm eingestellt. Der unterschiedliche Abstand a1, a2 wird durch die Wahl von unterschiedlich ausgebildeten Lanzenköpfen 6A eingestellt. In Abhängigkeit von unterschiedlichen Spritzmaterialien werden daher vorzugsweise unterschiedliche Lanzenköpfe 6A herangezogen.
Die Austrittsöffnung 16 ist wiederum um einen Spritzabstand a3 von der Oberfläche des Substrats 4 beabstandet. Dieser Abstand liegt im Bereich zwischen 3 und 35 mm. Bei Zinn hat sich ein Abstand von etwa 1 cm als geeignet herausgestellt. Durch diesen vergleichsweise sehr kurzen Spritzabstand a3 lassen sich diskrete, scharf begrenzte Leiterbahnen 2 problemlos erzeugen.
Im Betrieb wird an die Kathode 12 eine Spannung, insbesondere eine Wechselspannung, angelegt. Im Ausführungsbeispiel wird hierbei eine Wechselspannung mit einer Frequenz von mehreren kHz, insbesondere von 14 kHz angelegt. Durch diese hohe Spannung entsteht ein nicht ortsfester Lichtbogen 20 zwischen der Kathode und der als Anode wirkenden zylinderförmigen Wandung der Spritzlanze 6. Die elektrische Leistung, mit der die Spritzlanze 6 betrieben wird, liegt im Ausführungsbeispiel vorzugsweise im Bereich von einigen 100 Watt, beispielsweise im Bereich zwischen 300 und 500 W.
Gleichzeitig wird von oben über die Zuführung 14 das ionisierbare Gas G, im Ausführungsbeispiel Stickstoff, unter einem Druck im Bereich von einigen bar, vorzugsweise von 2 bar zugeführt. Das Gas G wird aufgrund des Lichtbogens 20 ionisiert und bildet ein Plasma 22. Dieses ist in der 1 schematisch durch eine Plasma-Wolke dargestellt. Dieses Plasma 22 breitet sich in Richtung zur Austrittsöffnung 16 aus, wie durch die Pfeile dargestellt ist. Aufgrund der nur geringen elektrischen Leistung, die eingebracht wird, handelt es sich hierbei um ein kaltes Plasma mit Temperaturen deutlich unter 3000 K.
Weiterhin wird über den Zuführstutzen 18 ein Partikelstrom T_P in den Innenraum der Spritzlanze 6 im Bereich des Lanzenkopfs 6A eingebracht. Der Partikelstrom T_P ist gebildet durch einen Volumenstrom eines Trägergases T, im Ausführungsbeispiel ebenfalls Stickstoff, sowie von einzelnen Partikeln eines Pulvers P, das als Spritzmaterial herangezogen wird. Im Ausführungsbeispiel wird als Pulver P ein Zinnpulver verwendet mit einer Teilchengröße im Bereich von beispielsweise 1 μm bis 100 μm Partikeldurchmesser, Der Volumenstrom des Trägergases T ist beispielsweise auf 17 Liter pro Minute eingestellt. Gleichzeitig ist der Partikelstrom des Pulvers P auf 5 Gramm pro Minute eingestellt. Das Trägergas T wird ebenfalls unter einem Druck von wenigen Bar, vorzugsweise unter dem gleichen Druck wie das Gas G, also im Ausführungsbeispiel von 2 bar, zugeführt. Der Partikelstrom T_P tritt hierbei zu der Mittenrotationsachse der Spritzlanze 6 und damit zu der Längsrichtung 8 unter einem Winkel α in die Spritzlanze 8 ein. Der Winkel α entspricht hierbei dem Winkel, unter dem der Zuführstutzen 18 gegenüber der Längsrichtung 8 geneigt ist. Der Winkel α liegt in einem Bereich zwischen 20 und 30°.
Durch die im Ausführungsbeispiel gewählten Prozessparameter wird in Verbindung mit dem Winkel α erreicht, dass der Partikelstrom T_P bogenförmig zu der Austrittsöffnung 16 gelangt, ohne dass einzelne Partikel des Pulvers P mit der Kathode 12 oder einem Wandungsbereich an der Austrittsöffnung 16 in Kontakt kommen. Es bilden sich daher keine den kontinuierlichen Betrieb störende Ablagerungen etc. Insgesamt haben sich die hier beschriebenen Prozessparameter als besonders vorteilhaft bei der Verwendung von Zinn als Pulver P herausgestellt. Insbesondere die dynamischen Prozessparameter, die Volumenströme des Gases G, des Trägergases T sowie der Massenstrom des Pulvers P haben sich als besonders vorteilhaft erwiesen, um einen stabilen dauerhaften Betrieb zu erreichen. Die Zuführung des Partikeistroms T_P ist besonders kritisch, um einen dauerhaften Betrieb sicherzustellen.
Von entscheidender Bedeutung für den erforderlichen kontinuierlichen Betrieb ist daher insbesondere auch die Zudosierung des Partikeistroms T_P. Dessen Bereitstellung wird nunmehr im Zusammenhang mit den 2 und 3 näher ausgeführt. 2 zeigt hierbei eine schematische Querschnittsdarstellung einer Dosiervorrichtung 24. Diese umfasst einen Pulvervorratsbehälter 26, der auf eine Dosierkammer 28 aufgesetzt ist. In dem Pulvervorratsbehälter 26 wird das Pulver P bevorratet. Über Versorgungsleitungen 30 lässt sich in Verbindung mit einem Füllstandssensor 32 automatisch eine zu jeder Zeit ausreichende Menge an Pulver P bereitstellen. Am unteren Ende der Dosierkammer 28 ist diese trichterförmig ausgebildet und mündet in ein Dosierrohr 34, welches in die Dosierkammer 28 eindringt. Das Dosierrohr 34 endet mit seiner Mündungsöffnung in einer Ringnut 36 eines über einen Elektromotor 38 rotierbaren Dosiertellers 40. Die Drehgeschwindigkeit des Dosiertellers 40 ist in Abhängigkeit der gewünschten Auftragsrate Variierbar und beträgt beispielsweise 5 bis 45 Umdrehungen pro Minute, bei einem Durchmesser der Ringnut 36 von etwa 25 mm. Gegenüberliegend zum Dosierrohr 34 taucht in die Ringnut 36 eine Sauglanze 42 mit ihrer Eintrittsöffnung ein. Die Sauglanze 42 sowie das Dosierrohr 34 weisen den gleichen Innendurchmesser von wenigen mm, beispielsweise von etwa 2 mm auf. Korrespondierend hierzu weist die Ringnut 36 eine Breite auf, die etwas oberhalb des Außendurchmessers der Sauglanze 42 bzw. des Dosierrohrs 34 liegt. Im Ausführungsbeispiel weist die Ringnut 36 daher eine Breite von etwa 2 mm auf. Gleichzeitig weist die Ringnut 36 eine Tiefe von wenigen Millimetern, beispielsweise von etwa 1 mm auf.
Beim Betrieb wird über eine Zuleitung 44 das Trägergas in die Dosierkammer 28 geleitet. Über eine Zweigleitung 46 wird zugleich auch der Pulvervorratsbehälter 26 mit dem Druck des Trägergases T beaufschlagt. Die Versorgungsleitungen 30 sind üblicherweise über hier nicht näher dargestellte Ventile gesperrt, so dass das Trägergas T nicht über diese Leitungen entweicht. Durch diese Maßnahme ist der Pulvervorratsbehälter 26 unter Druck gesetzt, so dass das Pulver P in Richtung zu dem Trichter gedrückt wird. Zusätzlich ist ein Vibrationselement (nicht dargestellt) vorgesehen, welches dafür sorgt, dass das Pulver P gleichmäßig über das Dosierrohr 34 nachgeführt wird. Das Pulver P gelangt über das Dosierrohr 34 in die Ringnut 36. Durch die Rotation des Dosiertellers 40 wird die Ringnut 36 kontinuierlich über das Dosierrohr 34 mit Pulver zumindest teilweise angefüllt.
Über die Sauglanze 42 verlässt das Trägergas T die Dosierkammer 28 wieder. Hierzu strömt das Trägergas T über die in der Ringnut 36 angeordnete Öffnung der Sauglanze 42 in diese ein. Hierbei wird das sich in der Ringnut 36 befindliche Pulver P mitgerissen und vollständig mit eingesaugt, so dass über die Sauglanze 42 der Partikelstrom T_P aus der Dosiereinrichtung 24 entweicht und zu dem Zuführstutzen 18 der Spritzlanze 6 zugeführt wird.
Das Gesamtverfahren wird nochmals anhand der 4 beschrieben.
Aus einer zentralen Gasversorgung 48 (Inertgas, insbesondere Stickstoff) wird ein Gesamt-Gasstrom G_G bereitgestellt. Dieser wird über ein hochgenaues Druck-Steuergerät 50 geführt und auf den gewünschten Betriebsdruck von im Ausführungsbeispiel 2 bar gedrosselt. Im Anschluss an das Drucksteuergerät 50 wird der Gesamt-Gasstrom G_G in den Gasstrom G und den Trägergasstrom T aufgeteilt. Der Gasstrom G wird der Zuführung 14 der Spritzlanze 6 zugeleitet. Der Träger gasstrom T wird der Dosiereinrichtung 24 zugeführt und dort wiederum aufgeteilt, wie zu 2 beschrieben. In der Dosiereinrichtung 34 vermischt sich das Trägergas T mit dem Pulver P und wird als Partikelstrom T_P dem Zuführstutzen 18 zugeführt. Abgesehen von dem durch die zentrale Gasversorgung 48 bereitgestellten Druck sind keine weiteren Fördereinrichtungen vorgesehen. Der gesamte Prozess wird insbesondere automatisch gesteuert und geregelt mit Hilfe einer Steuereinrichtung 52. Diese steuert und regelt daher die einzelnen Komponenten wie Spritzlanze 6, Dosiereinrichtung 24, Drucksteuergerät 50 sowie eine Pulverversorgungseinheit 54, für die gegebenenfalls eine Pulverfördereinrichtung vorgesehen sein kann. Insbesondere steuert die Steuereinheit 52 auch die Energieversorgung der Spritzlanze 6 und übernimmt beispielsweise auch die Ansteuerung eines Industrieroboters, mit dessen Hilfe die Spritzlanze 6 verfahren wird. Die Steuereinheit 52 kann hierbei auf mehrere Einzelkomponenten aufgeteilt sein.
In der 4 ist weiterhin beispielhaft eine Wechseleinheit 56 dargestellt, die Parkpositionen für mehrere unterschiedliche Lanzenköpfe 6A bereitstellt. die Wechseleinheit ist beispielsweise ein insbesondere unmittelbar an der Verstelleinrichtung (Roboterhand) angeordnetes (Dreh-)Magazin (Revolverkopf). Hiermit ist ein schneller und automatischer Wechsel des Lanzenkopfes 6A ermöglicht. Somit ist es mit nur einer Verstelleinrichtung möglich, unterschiedlichste Leiterbahnen 2 zu erzeugen.
Anhand der 5A, 5B wird nunmehr ein Anwendungsfall für das Aufbringen einer Leiterbahn 2 auf ein elektrisches Bauteil am Beispiel eines beheizbaren Spiegels 60 dargestellt. Der Spiegel 60 umfasst, wie aus 5A zu entnehmen ist, eine Glasschicht 61, auf die eine aus Chrom bestehende Reflexionsschicht 62 aufgebracht ist. An diese schließt sich wiederum eine Grundschicht 64, insbesondere bestehend aus einem Decklack an. Auf dieser ist die Leiterbahn 2 mäanderförmig ausgebildet. Ihre Enden sind mit elektrischen Kontakten 66 versehen. Diese dienen zum Anschluss von Leitungen 68, beispielsweise über Stecker 70. Über die mäanderförmige Leiterbahn 2 ist eine Splitterschutzschicht 72 angebracht, auf der wiederum eine Trägerplatte 74 angeordnet ist. Die Reflexionsschicht 62 weist eine Dicke von wenigen μm auf. Auch die Grundschicht 64 weist eine Dicke im μm-Bereich auf und ist geringer als 1 mm.
Mit dem hier beschriebenen Verfahren lässt sich die Leiterbahn 2 als Heizbahn aufbringen, ohne dass die Grundschicht 64 übermäßig beansprucht und insbesondere beschädigt wird. Durch diese Maßnahme ist daher ein effizientes, schnelles und zugleich betriebssicheres Aufbringen der als Heizbahn ausgeführten Leiterbahn 2 ermöglicht.
Neben diesem hier beschriebenen speziellen Anwendungsgebiet für einen elektrisch beheizbaren Spiegel 60 lassen sich mit dem hier beschriebenen Verfahren auch die unterschiedlichsten elektrischen Bauteile mit einer Leiterbahn 2 versehen. Beispielsweise lassen sich hierdurch ganze Kabelsätze unmittelbar auf einem Bauteil durch Aufspritzen generieren. Grundsätzlich lässt sich die Leiterbahn 2 als Heizleiter auf den unterschiedlichsten Substraten und für unterschiedlichste Anwendungen aufbringen. Mit der Leiterbahn 2 lassen sich auch elektrische Funktionselemente, wie beispielsweise Antennen, Widerstände, Abschirmungen etc. ausbilden, indem die Eigenschaften der Leiterbahn 2 geeignet eingestellt werden. Schließlich bietet sich dieses Verfahren auch zur Ausbildung von Kontakten und Kontaktelementen an. Beispielsweise zur Durchkontaktierung von Leiterplatten insbesondere in der Leistungselektronik oder auch zur Kontaktierung von Piezo-Elementen.
Insgesamt zeichnet sich das hier beschriebene Verfahren durch seine sehr hohe Flexibilität, seinen universellen Einsatz auf unterschiedlichsten Materialien, seine Dauerbetriebsfähigkeit sowie die schonende Behandlung des Substrats 4 aufgrund der nur geringen eingebrachten Energie aus.

2: Leiterbahn
4: Substrat
6: Spritzlanze
6A: Lanzenkopf
6B: Plasmarohr
8: Längsrichtung
10: Saugglocke
12: Kathode
14: Zuführung
16: Austrittsöffnung
18: Zuführstutzen
20: Lichtbogen
22: Plasma
24: Dosiereinrichtung
26: Pulvervorratsbehälter
28: Dosierkammer
30: Versorgungsleitung
32: Füllstandssensor
34: Dosierrohr
36: Ringnut
38: Elektromotor
40: Dosierteller
42: Sauglanze
44: Zuleitung
46: Zweigleitung
48: zentrale Gasversorgung
50: Drucksteuergerät
52: Steuereinheit
54: Pulverversorgungseinheit
60: beheizbarer Spiegel
61: Glasschicht
62: Reflexionsschicht
64: Grundschicht
66: Kontakt
68: Leitung
70: Stecker
72: Splitterschutz
74: Trägerplatte
a1: Abstand 18–16
a2: Abstand 18–20
a3: Spritzabstand
d1: Innendurchmesser Spritzlanze
d2: Durchmesser Austrittsöffnung
α: Winkel
G: ionisierbares Gas
P: Pulver
T: Trägergas
T_P: Partikelstrom
T_G: Gesamt-Gasstrom

Claims

Verfahren zum Aufspritzen einer Bahn, insbesondere einer Leiterbahn (2), auf ein Substrat (4) mit Hilfe einer sich in einer Längsrichtung (8) erstreckenden Spritzlanze (6), die mit einer Relativgeschwindigkeit relativ zu dem Substrat (4) bewegt wird, wobei der Spritzlanze (6) unter atmosphärischen Bedingungen ein ionisierbares Gas (G) zugeführt wird, das durch einen in der Spritzlanze (6) erzeugten Lichtbogen (20) ionisiert wird, so dass ein kaltes Plasma (22) mit einer Plasmatemperatur kleiner 3000 K erzeugt wird, und wobei in die Spritzlanze (6) mit Hilfe eines Trägergases (T) ein Pulver (P) eingebracht wird, das vom Plasma (22) in Richtung zu einer stirnendseitigen Austrittsöffnung (16) der Spritzlanze (6) mitgeführt wird, dort austritt und auf das Substrat (4) auftrifft.
Verfahren nach Anspruch 1, bei dem die Spritzlanze (6) einen unter einem Winkel (α) schräg zur Längsrichtung (8) orientierten Zuführstutzen (18) für das Pulver (P) aufweist, wobei der Winkel (α), die Strömung des ionisierbaren Gases (G) sowie des Trägergases (T) derart aufeinander abgestimmt sind, dass das Pulver (P) vom Zuführstutzen (18) entlang einer bogenförmigen Bahn zur Austrittsöffnung (16) gelangt, ohne dass es in Kontakt mit Einrichtungen (12) oder Wandungen der Spritzlanze (6) kommt.
Verfahren nach Anspruch 2, bei dem der Winkel (α) etwa zwischen 20° und 70° liegt.
Verfahren nach Anspruch 2 oder 3, bei dem der Zuführstutzen (18) in Längsrichtung (8) etwa 1 cm von der Austrittsöffnung (16) beabstandet ist.
Verfahren nach einem der Ansprüche 2 bis 4, bei dem der Zuführstutzen (18) in Längsrichtung (8) im Bereich von 5 bis 7 cm von einer Kathode (12) der Spritzlanze (6) beabstandet ist.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem das ionisierbare Gas (G) sowie das Trägergas (T) etwa unter dem gleichen Druck, insbesondere im Bereich von etwa 1·10⁵–10·10⁵ Pa, in die Spritzlanze (6) einströmen.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem für das ionisierbare Gas (G) und das Trägergas (T) eine gleiche Gasquelle (48) herangezogen wird und ein Gesamt-Gasvolumenstrom (G_G) in einen Volumenstrom für das der Spritzlanze (6) zugeführte Gas (G) und in einen Volumenstrom für das Trägergas (T) aufgezweigt wird.
Verfahren nach Anspruch 7, bei dem der Anteil des Trägergases (T) am Gesamt-Gasvolumenstrom (G_G) etwa 5–15%, insbesondere etwa 8% beträgt.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, insbesondere nach Anspruch 7 oder 8, bei dem das insbesondere abgezweigte Trägergas (T) durch eine Dosiervorrichtung (24) geleitet wird, um das Pulver (P) aufzunehmen.
Verfahren nach Anspruch 9, bei dem die Dosiervorrichtung (24) einen Pulvervorratsbehälter (26) sowie eine Dosierkammer (28) umfasst, in die das Pulver (P) aus dem Pulvervorratsbehälter (26) unter Ausnutzung der Gravitationskraft über ein Dosierrohr (34) auf einen insbesondere rotierenden Dosierteller (40) dosiert wird und von diesem von einer Sauglanze (42) aufgenommen wird, indem das Trägergas (T) in die Dosierkammer (28) eingeleitet wird und in die Sauglanze (42) unter Mitreißen des Pulvers (10) einströmt.
Verfahren nach Anspruch 10, bei dem der Pulvervorratsbehälter (26) mit dem Druck des Trägergases (T) beaufschlagt wird.
Verfahren nach Anspruch 10 oder 11, bei dem das Pulver (P) zumindest im Bereich seines Eintritts in das Dosierrohr (34) Vibrationen ausgesetzt wird.
Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 12, bei dem der Dosierteller (40) eine umlaufende Nut (36) aufweist, in die das Dosierrohr (34) und die Sauglanze (42) eintauchen.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem als Pulver (P) ein Zinn-, Zinnlegierungs-Pulver oder ein Kupfer-, Kupferlegierungs-Pulver verwendet wird.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem eine Pulverauftragsrate im Bereich von 1 bis 20g/min, insbesondere von etwa 5g/min eingestellt wird.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die Spritzlanze (6) in einem Spritzabstand (a3) im Bereich zwischen 3 und 35 mm über das Substrat (4) verfahren wird.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die Spritzlanze (6) bezüglich des Substrats (4) mit einer Relativgeschwindigkeit im Bereich von 10 mm/min bis 90 mm/min verfahren wird.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die Breite der aufgespritzten Bahn (2) durch Einstellung der Relativgeschwindigkeit eingestellt wird.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem eine Unterbrechung der aufgespritzten Bahn (2) bei kontinuierlichem Spritzbetrieb erreicht wird, indem die Relativgeschwindigkeit im Bereich der Unterbrechung stark und insbesondere auf einen Wert größer 100 mm/min erhöht wird.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem eine mäanderförmige Heizleiterbahn (2) erzeugt wird, die insbesondere zur elektrischen Beheizung eines Spiegels (60) dient.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die Bahn (2) durchgehend auf aneinander angrenzende Substrate (4) unterschiedlicher Materialien aufgebracht wird.
Vorrichtung zum Aufspritzen einer Bahn, insbesondere einer Leiterbahn (2), auf einem Substrat (4), umfassend eine sich in einer Längsrichtung (8) erstreckenden Spritzlanze (6), die mit einer Relativgeschwindigkeit relativ zu dem Substrat (4) verfahrbar ist, wobei der Spritzlanze (6) ein ionisierbares Gas (G) zuführbar ist, das durch einen in der Spritzlanze (6) erzeugbaren Lichtbogen (20) ionisierbar ist, so dass ein kaltes Plasma mit einer Plasmatemperatur kleiner 2000 K erzeugbar ist, und wobei in die Spritzlanze (6) mit Hilfe eines Trägergases (T) ein Pulver (P) zuführbar ist, das im Betrieb vom Plasma in Richtung zu einer stirnendseitigen Austrittsöffnung (16) der Spritzlanze (6) mitgeführt wird, dort austritt und auf das Substrat (4) auftrifft.
Vorrichtung nach Anspruch 22, bei der die Spritzlanze (6) ein Plasmarohr (6B) aufweist, an das ein Lanzenkopf (6A) austauschbar befestigt ist, der den Zuführstutzen (18) aufweist.
Vorrichtung nach Anspruch 23, bei der unterschiedlich ausgebildete Lanzenköpfe (6A) in einer Wechseleinheit (56) angeordnet sind.
Dosiervorrichtung (24) zum dosierten Zuführen von Pulver (P) in einem Trägergas (T) zu der Vorrichtung nach einem der Ansprüche 22 bis 24, umfassend einen Pulvervorratsbehälter (26) sowie eine Dosierkammer (28), in die das Pulver (P) aus dem Pulvervorratsbehälter (26) unter Ausnutzung der Gravitationskraft über ein Dosierrohr (34) auf einen insbesondere von einem Motor (38) antreibbaren Dosierteller (40) dosierbar ist, und mit einer am Dosierteller (40) endenden Sauglanze (6) zum Einsaugen des Pulvers (P) vom Dosierteller (40) und mit einem Einlass, über den beim Betrieb das Trägergas (T) eingebracht wird und in die Sauglanze (42) unter Mitreißen des Pulvers (P) einströmt.
Elektrisches Bauteil (60) mit einer elektrisch leitfähigen Leiterbahn (2), die mit einem Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 21 auf ein Substrat (4) des Bauteils (60) aufgebracht wurde.
Elektrisches Bauteil, das als beheizbarer Spiegel (60) ausgebildet ist, bei dem die Leiterbahn (2) als mäanderförmige Heizbahn ausgebildet ist.