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Hintergrund der Erfindung
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Technisches Gebiet
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Die
Erfindung betrifft allgemein das Prüfen eines Speichers.
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Eine
Technik zum Prüfen
von dynamischem Direktzugriffsspeicher (DRAM) erfordert das Schreiben
vorbestimmter Daten in den Speicher, das Lesen von Daten aus dem
Speicher und das Identifizieren, ob die gelesenen Daten mit den
geschriebenen Daten übereinstimmen,
um dabei zu helfen, zu verifizieren, ob der Speicher ordnungsgemäß funktioniert.
Es können
verschiedene Datentopologien in den Speicher geschrieben werden,
um dabei zu helfen, verschiedene Defekte oder Fehler zu erkennen
(z. B. Festkörper '1111', Streifen '1010' usw.). Die Auswahl entsprechender
Prüfdatentopologien
kann zum Beispiel von dem Defekt bzw. den Defekten und/oder dem
Fehler bzw. den Fehlern, die erkannt werden sollen, und der Architektur
des Speichers abhängen.
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Um
eine gewünschte
Prüfdatentopologie
in den Speicher zu schreiben, gibt eine Prüfvorrichtung WRITE-Befehle
an den Speicher aus, die von dem Speicher fordern, für jede Zeile
von Speicherzellen, die geprüft
werden soll, eine Reihe von Schritten auszuführen. Zum Beispiel kann der
Speicher eine Reihe von Schritten zum Aktivieren einer Zeile von
Speicherzellen ausführen,
sequenziell Spalten von Speicherzellen ad ressieren, um Daten gemäß der Prüfdatentopologie
in der aktivierten Zeile und jeder adressierten Spalte gemeinsame
Speicherzellen zu schreiben, und die aktivierte Zeile deaktivieren,
um einen Zugriff auf eine weitere Zeile von Speicherzellen zu erlauben.
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Aus
verschiedenen Gründen
(z. B. Optimierungen von Geometrie, Ausbeute und Geschwindigkeit)
weisen Speicherbausteine häufig
physische Speichertopologien auf, bei denen „Verwürfelungs"-Techniken
verwendet werden, wobei logisch benachbarte Adressen und/oder Daten
nicht physisch benachbart sind. Um einen gewünschten Effekt des Prüfens mit
einer bestimmten Datentopologie zu erzielen, muss folglich dieses
Verwürfeln
berücksichtigt
werden, indem man zum Beispiel in der Prüfvorrichtung, wie durch die
in der Vorrichtung verwendeten bestimmten Verwürfelungsschaltkreise vorgeschrieben,
sequenzielle Adressen in nichtsequenzielle Adressen transformiert
(oder abbildet).
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Die
Kompensation der Verwürfelung
auf diese Weise verkompliziert leider die Entwicklung von Prüfprogrammen.
Es werden deshalb ein Verfahren und eine Vorrichtung benötigt, wodurch
das Prüfen von
Speicherbausteinen bei Verwendung von Verwürfelung erleichtert wird.
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Kurzfassung
der Erfindung
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Ein
oder mehrere offenbarte Verfahren zum Schreiben von Daten in Speicher
gemäß einer
Prüfdatentopologie
umfassen das Schreiben von Daten in eine Anfangszeile von Speicherzellen,
wobei das Schreiben von Daten umfasst: Zwischenspeichern von Daten
in einer Vielzahl von Leseverstärkerzwischenspeichern,
Deaktivieren der Anfangszeile von Speicherzellen unter Behal tung
der zwischengespeicherten Daten in den Leseverstärkerzwischenspeichern, Identifizieren
einer anderen Zeile von Speicherzellen gemäß einer für die Prüfdatentopologie vorbestimmten
Zeilenadressierungssequenz und Aktivieren der anderen Zeile von
Speicherzellen, um die behaltenen zwischengespeicherten Daten in
die andere Zeile zu schreiben.
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Ein
oder mehrere offenbarte Verfahren zum Schreiben von Daten in Speicher
gemäß einer
Prüfdatentopologie
umfassen das Schreiben von Daten in eine Anfangszeile von Speicherzellen
eines Gebiets von Speicherzellen, wobei das Schreiben von Daten
umfasst: Zwischenspeichern von Daten in einer Vielzahl von Leseverstärkerzwischenspeichern, Deaktivieren
der Anfangszeile von Speicherzellen unter Behaltung der zwischengespeicherten
Daten in den Leserverstärkerzwischenspeichern,
Identifizieren einer anderen Zeile von Speicherzellen des Gebiets
gemäß einer
für die
Prüfdatentopologie
vorbestimmten Zeilenadressierungssequenz, Aktivieren der anderen
Zeile von Speicherzellen des Gebiets, um die behaltenen zwischengespeicherten
Daten in die andere Zeile zu schreiben, Deaktivieren der anderen
Zeile von Speicherzellen unter Behaltung der zwischengespeicherten
Daten in den Leseverstärkerzwischenspeichern
und Wiederholen des Identifizierens, Aktivierens und Deaktivierens
einer weiteren Zeile von Speicherzellen des Gebiets.
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Eine
oder mehrere offenbarte Vorrichtungen umfassen ein oder mehrere
Speicherfelder mit Speicherzellen, eine Vielzahl von Leserverstärkerzwischenspeicher,
Adressierungsschaltkreise zum Adressieren von Zeilen eines oder
mehrerer Speicherfelder gemäß einer
für eine
Prüfdatentopologie vorbestimmten
Zeilenadressierungssequenz, und Steuerschaltkreise zur Steuerung
des Schreibens von Daten in eine Anfangszeile von Speicher zellen, zum
Behalten zwischengespeicherter Daten in Leseverstärkerzwischenspeichern
nach Deaktivierung der Anfangszeile und zum Aktivieren einer anderen
Zeile von Speicherzellen zum Schreiben der behaltenen zwischengespeicherten
Daten in die andere Zeile.
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Eine
oder mehrere offenbarte Vorrichtungen umfassen ein oder mehrere
Speicherfelder mit Speicherzellen, Mittel zum Schreiben von Daten
für eine Prüfdatentopologie
in eine Anfangszeile von Speicherzellen, Mittel zum Deaktivieren
der Anfangszeile von Speicherzellen unter Behaltung der Daten, Mittel zum
Identifizieren einer weiteren Zeile von Speicherzellen gemäß einer
für die
Prüfdatentopologie
vorbestimmten Zeilenadressierungssequenz und Mittel zum Aktivieren
der anderen Zeile von Speicherzellen zum Schreiben der behaltenen
Daten in die andere Zeile.
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Ein
oder mehrere offenbarte Systeme umfassen einen Wafer mit einer integrierten
Schaltung mit einem oder mehreren Speicherfeldern mit: Speicherzellen,
einer Vielzahl von Leseverstärkerzwischenspeichern,
Adressierungsschaltkreisen zum Adressieren von Zeilen eines oder
mehrerer Speicherfelder gemäß einer
für eine
Prüfdatentopologie
vorbestimmten Zeilenadressierungssequenz und Steuerschaltkreisen
zum Steuern des Schreibens von Daten in eine Anfangszeile von Speicherzellen,
Behalten zwischengespeicherter Daten in Leseverstärkerzwischenspeichern
nach Deaktivierung einer aktivierten Zeile und Schreiben der behaltenen
zwischengespeicherten Daten in eine oder mehrere anderen Zeilen
von Speicherzellen. Ein oder mehrere offengelegte Systeme umfassen
außerdem
eine Prüfvorrichtung
zum Ausgeben eines oder mehrerer Befehle zum Schreiben von Daten
in ein oder mehrere Speicherfelder gemäß der Prüfdatentopologie an die integrierte
Schaltung.
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Kurze Beschreibung
der Zeichnungen
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Damit
die oben angeführten
Merkmale der vorliegenden Erfindung im Detail verständlich werden,
kann eine konkretere Beschreibung der Erfindung, die oben kurz zusammengefasst
wurde, durch Bezugnahme auf die Ausführungsformen gegeben werden,
wovon einige in den angefügten
Zeichnungen dargestellt sind. Es ist jedoch zu beachten, dass die
angefügten
Zeichnungen nur typische Ausführungsformen
dieser Erfindung darstellen und deshalb nicht als ihren Schutzumfang
einschränkend
zu betrachten sind, da die Erfindung andere gleichermaßen effektive
Ausführungsformen
zulassen kann.
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1 zeigt
für eine
oder mehrere Ausführungsformen
ein System, das eine Prüfvorrichtung und
einen Wafer mit einem Speicher, der Testdatentopographie-Schreibvorgänge unter
Verwendung zwischengespeicherter Leseverstärkerdaten und Zeilenadressenverwürfelung
unterstützt,
umfasst;
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2 zeigt
für eine
oder mehrere Ausführungsformen
ein Flussdiagramm zum Schreiben von Daten gemäß einer Testdatentopographie
in Speicher unter Verwendung zwischengespeicherter Leseverstärkerdaten
und Zeilenadressenverwürfelung;
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3 zeigt
für eine
oder mehrere Ausführungsformen
Adressierungsschaltkreise, die Prüfdatentopologie-Zeilenadressenverwürfelung
unterstützen;
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4 zeigt
für eine
oder mehrere andere Ausführungsformen
Adressierungsschaltkreise, die Prüfdatentopologie-Zeilenadressierungsverwürfelung
unterstützen;
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5 zeigt
für eine
oder mehrere andere Ausführungsformen
Adressierungsschaltkreise, die Prüfdatentopologie-Zeilenadressierungsverwürfelung
unterstützen;
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6 zeigt
für eine
oder mehrere Ausführungsformen
eine beispielhafte Sequenz von Zellenfeldextrahierungen, bei denen
gemeinsame Daten in mehrere Zeilen von Speicherzellen geschrieben
werden;
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7 zeigt
für eine
oder mehrere Ausführungsformen
eine beispielhafte Sequenz von Zellenfeldextrahierungen, wobei gemeinsame
Daten gemäß einer
physischen Festdatentopologie in mehrere Zeilen verschiedener Gebiete
geschrieben werden;
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8 zeigt
für eine
oder mehrere Ausführungsformen
eine beispielhafte Sequenz von Zellenfeldextrahierungen, wobei gemeinsame
Daten gemäß einer
Zeile-9-Doppel-Streifendatentopologie in mehrere Zeilen verschiedener
Gebiete geschrieben werden;
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9 zeigt
für eine
oder mehrere Ausführungsformen
eine beispielhafte Sequenz von Zellenfeldextrahierungen, wobei gemeinsame
Daten gemäß einer
Zeile-C-Doppel-Streifendatentopologie in mehrere Zeilen verschiedener
Gebiete geschrieben werden und
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10 zeigt
für eine
oder mehrere Ausführungsformen
eine beispielhafte Sequenz von Zellenfeldextrahierungen, wobei gemeinsame
Daten gemäß einer
Zeilen-Einzel-Streifendatentopologie in mehrere Zeilen verschiedener
Gebiete geschrieben werden.
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Ausführliche
Beschreibung
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Ausführungsformen
der Erfindung ermöglichen
im Allgemeinen das Schreiben von Daten gemäß einer Prüfdatentopologie unter Verwendung
von zwischengespeicherten Leseverstärkerdaten und Zeilenadressenverwürfelung.
Prüfdatentopographie-Schreibvorgänge in Speicher
für eine
oder mehrere Ausführungsformen
können
dann schneller durchgeführt
werden, so dass Speicher schneller geprüft werden können.
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Ein
Speicherbaustein kann interne Adressierungsschaltkreise enthalten,
die Adressenverwürfelung
berücksichtigen,
indem sie Zeilenadressensequenzen auf der Basis einer bestimmten
Prüfdatentopologie
auswählen
(z. B. Festkörper,
Streifen usw.). Während
des Prüfens
kann folglich eine Prüfvorrichtung
einfach Adressen sequenziell erzeugen, während die internen Adressierungsschaltkreise
die Zeilen gemäß den Adressierungsverwürfelungsschaltkreisen
aktivieren. Da das Programm der Prüfvorrichtung die Verwürfelung
nicht berücksichtigen
muss, kann die Entwicklung des Programms der Prüfvorrichtung sehr erleichtert
werden.
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Im
vorliegenden Gebrauch bedeutet der Ausdruck Verwürfeln im Allgemeinen die Verwendung
von Adressierungsschaltkreisen, die zu logisch benachbarten Speicherzellen
führen,
die physisch nicht benachbart sind. Als Reaktion auf an Adressenanschlüssen eines
Speicherbausteins angelegte sequenzielle Adressen (z. B. 0, 1, 2,
...) können
anders ausgedrückt
nichtsequenzielle Zeilen aktiviert werden, so wie es durch die Verwürfelungsschaltkreise vorgeschrieben
wird (z. B. 0, 2, 4, ...). Im vorliegenden Gebrauch kann der Begriff
Zeile austauschbar mit dem Begriff Wortleitung verwendet werden
und bedeutet im Allgemeinen eine leitfähige Leitung, die in Ver bindung
mit sich kreuzenden Bitleitungen verwendet wird, um eine Vielzahl
von Speicherzellen zu wählen.
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Ein beispielhafter
Speicher einer integrierten Schaltung
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1 zeigt
für eine
oder mehrere Ausführungsformen
einen Speicher einer integrierten Schaltung 101 auf einem
Wafer 100. Der Speicher 101 kann bei einer oder
mehreren Ausführungsformen, wie
in 1 gezeigt, ein oder mehrere Speicherfelder 110,
Leseverstärker
und Zwischenspeicher 112, Adressierungsschaltkreise 120,
Adressendecodierungsschaltkreise 130, Schaltkreise 140 für Dateneingabe/-ausgabe
(E/A) und Steuerschaltkreise 150 umfassen.
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Speicherfeld(er) 110 besitzen
jeweils eine Vielzahl von Speicherzellen. Leseverstärker und
Zwischenspeicher 112 sind so gekoppelt, dass sie Daten lesen
und in adressierte Speicherzellen von Speicherfeld(er) 110 schreiben.
Speicherfeld(er) 110 und Leseverstärker und Zwischenspeicher 112 können gemäß einer
beliebigen geeigneten Speicherarchitektur konfiguriert sein, wie
z. B. eine geeignete Architektur von dynamischem Direktzugriffsspeicher (DRAM).
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Die
Adressierungsschaltkreise 120 geben Adressen aus, die Speicherzellen
von Speicherfeld(ern) 110 identifizieren, auf die zugegriffen
werden soll, und Adressendecodierungsschaltkreise 130 sind
so gekoppelt, dass sie Adressen von den Adressierungsschaltkreisen 120 empfangen
und Zugang zu Speicherzellen von Speicherfeld(ern) 110 ermöglichen,
indem Zeilen und Spalten von Speicherzellen von Speicherfeld(ern) 110 gemäß den empfangenen Adressen
aktiviert und deaktiviert werden. Die Daten-E/A-Schaltkreise 140 sind
so gekoppelt, dass sie Daten zu den Leseverstärkern und Zwischenspeichern 112 senden,
um Daten in das Speicherfeld bzw. die Speicherfelder 110 zu
schreiben und Daten aus den Leseverstärkern und Zwischenspeichern 112 empfangen,
um Daten aus dem Speicherfeld bzw. den Speicherfeldern 110 zu
lesen. Die Steuerschaltkreise 150 steuern die Leseverstärker und
Zwischenspeicher 112, die Adressierungsschaltkreise 120,
die Adressendecodierungsschaltkreise 130 und die Daten-E/A-Schaltkreise 140,
um auf Speicherzellen von Speicherfeld(ern) 110 zuzugreifen.
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Die
Adressierungsschaltkreise 120 sind so gekoppelt, dass sie
in den Speicher 101 eingegebene Adressen empfangen. Die
Daten-E/A-Schaltkreise 140 sind so gekoppelt, dass sie
Dateneingaben in den Speicher 101 empfangen und aus dem
Speicher 101 auszugebende Daten senden. Die Steuerschaltkreise 150 sind
so gekoppelt, dass sie Befehlseingaben für den Speicher 101 empfangen.
Der Speicher 101 kann an beliebige geeignete externe Schaltkreise
gekoppelt werden, um Befehle, Adressen und/oder Daten von solchen
externen Schaltkreisen zu empfangen und/oder Daten zu ihnen zu senden, um
solchen externen Schaltkreisen einen Zugriff auf das Speicherfeld
bzw. die Speicherfelder 110 zu ermöglichen.
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Bei
einer oder mehreren Ausführungsformen kann
der Speicher 101 an eine Prüfvorrichtung 180 gekoppelt
werden, um es der Prüfvorrichtung 180 zu erlauben,
dabei zu helfen, die Schaltkreise des Speichers 101 zu
prüfen.
Bei einer oder mehreren Ausführungsformen
kann die Prüfvorrichtung 180 dabei helfen,
den Speicher 110 zu steuern, um einen beliebigen geeigneten
Prüfdatentopologie-Schreibvorgang
durchzuführen,
um dabei zu helfen, beliebige geeignete, ein oder mehrere, Defekte
und/oder Fehler in dem Speicherfeld bzw. den Speicherfelder 110 und/oder
in den Leseverstärkern
und Zwischenspeichern 112 zu erkennen.
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Bei
einigen Ausführungsformen
können Speicherfelder
in Segmente unterteilt werden. Die Größe und das Layout eines Segments
wird im Allgemeinen durch eine Gruppe von Leseverstärkern (z. B.
gewöhnlich
als „Leseverstärkerstreifen" bezeichnet), die
durch Aktivierung einer einzigen Wortleitung in dem Feld gleichzeitig
aktiviert werden. Ein Segment bedeutet im Allgemeinen eine physische
Stelle in dem Feld. Segmente können
weiter in Gebiete unterteilt werden. Ein Gebiet bedeutet im Allgemeinen eine
Untergruppe von Zeilen innerhalb eines Segments, deren logische
Verbindung mit den Leseverstärkern
identisch ist.
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Eine
Aktivierung von Zeilen derselben Gruppe führt anders ausgedrückt dazu,
dass dieselben physischen Daten in die Zellen geschrieben werden (z.
B. können
in einem ersten Gebiet nur mit TRUE-Bitleitungen verbundene Zellen
adressiert werden, während
in einem zweiten Gebiet nur mit COMPLEMENT-Bitleitungen verbundene Zellen adressiert
werden können).
Die Anzahl der Gebiete innerhalb eines Segments kann auch von der
für ein bestimmtes
Feld-Design verwendeten Bitleitungsarchitektur abhängen. Die
bestimmten Zeilen in einem Gebiet können von der bestimmten gewählten Datentopologie
abhängen.
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Der
Speicher 101 kann bei einer oder mehreren Ausführungsformen
einen Prüfdatentopologie-Schreibvorgang
gemäß einem
Flussdiagramm 200 von 2 durchführen, wobei
dieser Begriff von Segmenten und Gebieten verwendet wird. Mit Bezug auf
Block 202 von 2 empfängt der Speicher 101 einen
oder mehrere Befehle, die einen Testmodus und eine gewählte Datentopologie,
die in das Speicherfeld bzw. die Speicherfelder 110 geschrieben werden
soll, identifizieren. Bei einer oder mehreren Ausführungsformen
kann der identifizierte Testmodus selbst die in das Speicherfeld
bzw. die Speicherfelder 110 zu schreibende Datentopologie
identifizieren. Bei einer oder mehreren Ausführungsformen kann der Speicher 101 als
Reaktion auf einen solchen Befehl bzw. solche Befehle in den identifizierten Prüfmodus versetzt
werden. Der Speicher 101 kann bei einer oder mehreren Ausführungsformen
so konfiguriert werden, dass er in dem identifizierten Prüfmodus nach
der Deaktivierung einer Zeile von Speicherzellen des bzw. der Speicherfeld(er) 110 zwischengespeicherte
Leseverstärkerdaten
behält
und Prüfdatentopologie-Zeilenadressenverwürfelung
verwendet, um Daten gemäß der gewählten Datentopologie
in das Speicherfeld bzw. die Speicherfelder 110 zu schreiben.
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Wie
in 1 dargestellt, können bei einer oder mehreren
Ausführungsformen
die Steuerschaltkreise 150 einen Befehl bzw. Befehle zum
Einleiten einer Prüfung
und/oder zum Wählen
einer Datentopologie von der Prüfvorrichtung 180 empfangen.
Bei einer oder mehreren Ausführungsformen
können
die Steuerschaltkreise 150 ein oder mehrere programmierbare
Register 152 enthalten, in denen ein oder mehrere Werte
gesetzt werden können,
um den Speicher 101 in den identifizierten Prüfmodus zu
versetzen und/oder die gewählte
Datentopologie zu identifizieren.
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Um
die gewählte
Datentopologie in das Speicherfeld bzw. die Speicherfelder 110 zu
schreiben, kann der Speicher 101 bei einer oder mehreren
Ausführungsformen
ein oder mehrere Gebiete von Speicherzellen des Speicherfelds bzw.
der Speicherfelder 110 definieren, die gemeinsame Daten
in jeder der mehreren Zeilen eines Gebiets gemäß der gewählten Datentopologie speichern
sollen. Ein Gebiet kann Zeilen aufweisen, die logisch und/oder physisch
zusammenhängend
sind, und/oder Zeilen, die nicht logisch und/oder physisch zusammenhängend sind. Durch
Verwendung von Zeilenadressenverwürfelung zur Adressierung von
Zeilen eines Gebiets und durch Behalten von gemeinsamen Daten in
den Leseverstärkern
und Zwischenspeichern 112 über Zeilenaktivierungen für das Gebiet
hinweg, kann der Speicher 101 dabei helfen, den Testdatentopographie-Schreibvorgang schneller
durchzuführen.
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Mit
Bezug auf die Blöcke 204, 206, 208, 210, 212, 214, 216 und 218 von 2 kann
der Speicher 101 in jede einer Vielzahl von Zeilen eines
Gebiets der Speicherzellen des Speicherfelds bzw. der Speicherfelder 110 dieselben
Daten schreiben und kann mit Bezug auf den Block 220 Operationen
für die
Blöcke 204–218 wiederholen,
um Daten in ein oder mehrere andere Gebiete zu schreiben, um den
Testdatentopographie-Schreibvorgang
durchzuführen.
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Mit
Bezug auf die Blöcke 204–210 kann
der Speicher 101 einen Anfangsschreibvorgang der gemeinsamen
Daten für
ein Gebiet in eine Anfangszeile der Speicherzellen des Gebiets durchführen. Beim Schreiben
von Daten in die Anfangszeile speichert der Speicher 101 die
Daten in dem Leseverstärker bzw.
den Zwischenspeichern 112 zwischen und behält die zwischengespeicherten
Daten, nachdem die Anfangszeile deaktiviert wird. Bei einer oder
mehreren Ausführungsformen
kann der Speicher 101 den Anfangsschreibvorgang für ein Gebiet
als Reaktion auf einen beliebigen geeigneten, einen oder mehrere,
Befehle von der Prüfvorrichtung 180 durchführen. Der
Speicher 101 kann bei einer oder mehreren Ausführungsformen
den Anfangsschreibvorgang für
ein Gebiet zum Beispiel als Reaktion auf einen WRITE-Befehl durchführen, der
empfangen wird, während
sich der Speicher 101 in einem Prüfmodus befindet.
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Mit
Bezug auf Block 204 kann der Speicher 101 eine
Anfangszeile von Speicherzellen eines Gebiets identifizieren, das
mehreren Zeilen von Speicherzellen gemeinsame Daten gemäß der gewählten Datentopologie
speichern soll. Wie in 1 gezeigt, können bei einer oder mehreren
Ausführungsformen die
Steuerschaltkreise 150 die Adressierungsschaltkreise 120 steuern,
um eine Adresse auszugeben, die die Anfangszeile eines Gebiets gemäß der gewählten Datentopologie
identifiziert. Bei einer oder mehreren Ausführungsformen können die
Adressierungsschaltkreise 120 die Adresse unter der Kontrolle
der Steuerschaltkreise 150 erzeugen. Bei einer oder mehreren
Ausführungsformen
können
die Adressierungsschaltkreise 120 die Adresse als Reaktion
auf eine Adresse erzeugen, die in Verbindung mit einem Befehl aus
der Prüfvorrichtung 180 empfangen
wird.
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Mit
Bezug auf Block 206 kann der Speicher 101 die
Anfangszeile von Speicherzellen des Gebiets aktivieren. Wie in 1 gezeigt,
können
bei einer oder mehreren Ausführungsformen
die Steuerschaltkreise 150 die Adressendecodierungsschaltkreise 130 steuern,
um eine aus den Adressierungsschaltkreisen 120 ausgegebene
Adresse zur Aktivierung der Anfangszeile zu decodieren.
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Mit
Block 208 kann der Speicher 101 gemeinsame Daten
für das
Gebiet in den Leseverstärkern
und Zwischenspeichern 112 zwischenspeichern und kann die
gemeinsamen Daten in die Anfangszeile von Speicherzellen des Gebiets
schreiben.
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Wie
in 1 gezeigt, können
bei einer oder mehreren Ausführungsformen
die Steuerschaltkreise 150 die Daten-E/A-Schaltkreise 140 steuern,
um die Daten zu den Leseverstärkern
und Zwischenspeichern 112 zu senden, um die Daten zwischenzu speichern
und um die Daten in die Anfangszeile der Speicherzellen des Gebiets
zu schreiben. Bei einer oder mehreren Ausführungsformen können die
Daten-E/A-Schaltkreise 140 die Daten unter der Kontrolle
der Steuerschaltkreise 150 erzeugen. Bei einer oder mehreren
Ausführungsformen
können
die Daten-E/A-Schaltkreise 140 die
Daten in Verbindung mit einem Befehl von der Prüfvorrichtung 180 empfangen.
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Mit
Bezug auf Block 210 kann der Speicher 101 die
Anfangszeile von Speicherzellen des Gebiets deaktivieren, während zwischengespeicherte
gemeinsame Daten in den Leseverstärkern und Zwischenspeichern 112 behalten
werden. Wie in 1 dargestellt, können bei
einer oder mehreren Ausführungsformen
die Steuerschaltkreise 150 die Adressierungsschaltkreise 120 und
die Adressendecodierungsschaltkreise 130 steuern, um die
Anfangszeile von Speicherzellen des Gebiets zu deaktivieren. Bei einer
oder mehreren Ausführungsformen
können
die Steuerschaltkreise 150 die Anfangszeile von Speicherzellen
des Gebiets automatisch deaktivieren, nachdem der Schreibvorgang
gemäß Block 208 durchgeführt wurde.
Bei einer oder mehreren Ausführungsformen
können
die Steuerschaltkreise 150 die Anfangszeile von Speicherzellen
des Gebiets als Reaktion auf einen oder mehrere Befehle (von der Prüfvorrichtung 180),
wie zum Beispiel einen PRECHARGE-Befehl, deaktivieren.
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Mit
Bezug auf die Blöcke 212–218 kann
der Speicher 101 einen oder mehrere nachfolgende Schreibvorgänge gemeinsamer
Daten für
das Gebiet in eine oder mehrere andere Zeilen des Gebiets von Speicherzellen
durchführen.
Durch Behalten zwischengespeicherter Daten aus dem Anfangsschreibvorgang
in die Anfangszeile von Speicherzellen des Gebiets kann der Speicher 101 bei
einer oder mehreren Ausführungsformen
einen oder mehrere nachfolgende Schreibvorgänge zwischengespeicherter Daten durchführen, indem
eine oder mehrere andere Zeilen von Speicherzellen des Gebiets aktiviert
werden. Bei einer oder mehreren Ausführungsformen kann der Speicher 101 einen
nachfolgenden Schreibvorgang für
ein Gebiet als Reaktion auf einen beliebigen, einen oder mehrere,
Befehle von der Prüfvorrichtung 180 durchführen. Der
Speicher 101 kann bei einer oder mehreren Ausführungsformen
einen nachfolgenden Schreibvorgang zum Beispiel als Reaktion auf
einen Aktivierungs-, einen Auffrisch- oder WRITE-Befehl durchführen, der
empfangen wird, während
sich der Speicher 101 in einem Prüfmodus befindet.
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Mit
Bezug auf Block 212 kann der Speicher 101 die
nächste
Zeile von Speicherzellen des Gebiets gemäß einer für die gewählte Datentopologie vorbestimmten
Zeilenadressierungssequenz identifizieren. Wie in 1 gezeigt,
können
bei einer oder mehreren Ausführungsformen
die Steuerschaltkreise 150 die Adressierungsschaltkreise 120 steuern,
um gemäß der vorbestimmten
Zeilenadressierungssequenz eine Adresse auszugeben, die eine nächste Zeile
des Gebiets identifiziert. Bei einer oder mehreren Ausführungsformen
können
die Adressierungsschaltkreise 120 die Adresse unter der
Kontrolle der Steuerschaltkreise 150 erzeugen. Bei einer
oder mehreren Ausführungsformen
können
die Adressierungsschaltkreise 120 die Adresse als Reaktion
auf eine Adresse erzeugen, die von der Prüfvorrichtung 180 in
Verbindung mit einem Befehl empfangen wird.
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Mit
Bezug auf Block 214 kann der Speicher 101 die
identifizierte nächste
Zeile von Speicherzellen des Gebiets aktivieren, um in den Leseverstärkern und
Zwischenspeichern 112 zwischengespeicherte gemeinsame Daten
in die identifizierte nächste
Zeile von Speicherzellen des Gebiets zu schreiben. Wie in 1 dargestellt,
können
bei einer oder mehreren Ausführungsformen
die Steuerschaltkreise 150 die Adressendecodierungsschaltkreise 130 steuern,
um eine aus den Adressierungsschaltkreisen 120 ausgegebene
Adresse zu decodieren, um die identifizierte nächste Zeile zu aktivieren.
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Mit
Bezug auf Block 216 kann der Speicher 101 die
identifizierte nächste
Zeile von Speicherzellen des Gebiets deaktivieren, während in
den Leserverstärkern
und Zwischenspeichern 112 zwischengespeicherte gemeinsame
Daten behalten werden. Wie in 1 dargestellt,
können
bei einer oder mehreren Ausführungsformen
die Steuerschaltkreise 150 die Adressierungsschaltkreise 120 und
die Adressendecodierungsschaltkreise 130 steuern, um die
identifizierte nächste
Zeile von Speicherzellen des Gebiets zu deaktivieren. Bei einer
oder mehreren Ausführungsformen
können
die Steuerschaltkreise 150 die identifizierte nächste Zeile
von Speicherzellen des Gebiets automatisch deaktivieren, nachdem
der Schreibvorgang für
Block 214 durchgeführt
wurde. Bei einer oder mehreren Ausführungsformen können die
Steuerschaltkreise 150 die identifizierte nächste Zeile
von Speicherzellen des Gebiets als Reaktion auf einen oder mehrere
Befehle deaktivieren, wie zum Beispiel einen PRECHARGE-Befehl von
der Prüfvorrichtung 180.
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Wenn
mit Bezug auf Block 218 eine andere Zeile von Speicherzellen
des Gebiets mit in den Leseverstärkern
und Zwischenspeichern 112 zwischengespeicherten Daten beschrieben
werden soll, kann der Speicher 101 die Operationen gemäß der Blöcke 212–216 für die andere
Zeile wiederholen. Bei einer oder mehreren Ausführungsformen kann der Speicher 101 die
Operationen gemäß der Blöcke 212–216 für alle Zeilen
des Gebiets wiederholen.
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Wenn
mit Bezug auf Block 220 Zeilen eines anderen Gebiets von
Speicherzellen für
die gewählte Datentopologie
beschrieben werden sollen, kann der Speicher 101 Operationen
gemäß der Blöcke 204–218 für das andere
Gebiet wiederholen. Für
die gewählte
Datentopologie kann das gemeinsame Datenmuster für ein Gebiet von Speicherzellen
von dem für
ein anderes Gebiet verschieden sein oder auch nicht.
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Bei
einer oder mehreren Ausführungsformen kann
der Speicher 101 Operationen gemäß der Blöcke 202–220 für ein Segment
des bzw. der Speicherfelder 110 durchführen und kann Operationen gemäß der Blöcke 202–220 wie
bei Block 222 identifiziert für ein oder mehrere andere Segmente
des bzw. der Speicherfelder 110 wiederholen. Die gewählte Datentopographie
für ein
Segment kann dieselbe wie für ein
anderes Segment sein oder auch nicht.
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Zeilenadressenverwürfelung
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3 zeigt
für eine
oder mehrere Ausführungsformen
Schaltkreise für
die Adressierungsschaltkreise 120 zur Unterstützung von
Prüfdatentopographie-Zeilenadressenverwürfelung.
Wie in 3 dargestellt, können die Adressierungsschaltkreise 120 einen
Zeilenadressengenerator 322 zum Erzeugen von Zeilenadressen
umfassen, um dabei zu helfen, in den Leseverstärkern und Zwischenspeichern 112 zwischengespeicherte
gemeinsame Daten gemäß einer
gewählten
Datentopologie in mehrere Zeilen von Speicherzellen des bzw. der
Speicherfelder 110 zu schreiben. Bei einer oder mehreren
Ausführungsformen
kann der Zeilenadressengenerator 322 Zeilenadressen gemäß einer
vorbestimmten Adressierungssequenz für die gewählte Datentopologie schreiben.
Da der Zeilenadressengenerator 322 selbst Zeilenadressen
zum Schreiben von Prüfdatentopologien
in das Spei cherfeld bzw. die Speicherfelder 110 erzeugt,
kann die Prüfvorrichtung 180 bei
einer oder mehreren Ausführungsformen
den Speicher 101 prüfen,
und sich dabei weniger oder minimiert um die Adressierung des bzw.
der Speicherfelder 110 zur Durchführung von Prüfdatentopologie-Schreibvorgängen kümmern.
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Der
Zeilenadressengenerator 322 kann beliebige geeignete Schaltkreise
zum Erzeugen von Zeilenadressen für eine gewählte Datentopologie umfassen.
Bei einer oder mehreren Ausführungsformen
kann der Zeilenadressengenerator 322 eine oder mehrere
Nachschlagetabellen verwenden, um Zeilenadressen für eine oder
mehrere Datentopologien zu erzeugen. Eine solche Nachschlagetabelle bzw.
solche Nachschlagetabellen können
bei einer oder mehreren Ausführungsformen
programmierbar sein, um eine Programmierung des Speichers 101 zu ermöglichen,
um eine beliebige geeignete eine oder mehrere Datentopologien in
das Speicherfeld bzw. die Speicherfelder 110 zu schreiben.
Bei einer oder mehreren Ausführungsformen
kann der Zeilenadressengenerator 322 festverdrahtet sein,
um Zeilenadressen für
eine oder mehrere Datentopologien zu erzeugen. Wie in 3 dargestellt,
können
bei einer oder mehreren Ausführungsformen
die Steuerschaltkreise 150 den Zeilenadressengenerator 322 steuern,
um Zeilenadressen zur Ausgabe an die Adressendecodierungsschaltkreise 130 zu
erzeugen.
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Wie
in 3 dargestellt, können bei einer oder mehreren
Ausführungsformen
die Adressierungsschaltkreise 120 auch ein Adressenregister 324,
einen Auffrischzähler 326 und
einen Multiplexer (MUX) 328 umfassen, der so gekoppelt
ist, dass er selektiv eine Zeilenadresse aus dem Zeilenadressengenerator 322,
dem Adressenregister 324 oder dem Auffrischzähler 326 unter
der Kontrolle der Steuerschaltkreise 150 an die Adressendecodierungsschaltkreise 130 ausgibt.
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Das
Adressenregister 324 kann so gekoppelt sein, dass es eine
Adresse von beliebigen geeigneten externen Schaltkreisen empfängt, wie
zum Beispiel der Prüfvorrichtung 180,
und kann so gekoppelt werden, dass es einen Teil der Zeilenadresse
einer Adresse in dem Adressenregister 324 zum Beispiel an
dem MUX 328 für
einen Lese- oder Schreibzugriff auf das Speicherfeld bzw. die Speicherfelder 110 ausgibt.
Der Auffrischzähler 326 kann
so gekoppelt sein, dass er eine Zeilenadresse zum Auffrischen einer
Zeile von Speicherzellen des bzw. der Speicherfelder 110 unter
der Kontrolle der Steuerschaltkreise 150 ausgibt.
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4 zeigt
für eine
oder mehrere Ausführungsformen
Schaltkreise für
die Adressierungsschaltkreise 120 mit einem Zeilenadressengenerator 422,
der so gekoppelt ist, dass er einen Teil einer Zeilenadresse einer
Adresse aus dem Adressenregister 324 empfängt, um
als Reaktion auf den empfangenen Teil der Zeilenadresse eine Zeilenadresse
zu erzeugen. Bei einer oder mehreren Ausführungsformen kann der Zeilenadressengenerator 422 Zeilenadressen
gemäß einer
vorbestimmten Adressierungssequenz für eine gewählte Datentopologie erzeugen. Durch
Erzeugen von Zeilenadressen als Reaktion auf Teile einer Zeilenadresse
von von der Prüfvorrichtung 180 empfangenen
Adressen hilft der Zeilenadressengenerator 422 dabei, es
der Prüfvorrichtung 180 zu
erlauben, mit Adressen assoziierte Befehle, wie zum Beispiel einen
WRITE-Befehl, einen ACTIVATE-Befehl
oder einen Nur-RAS-Auffrischbefehl, zu verwenden, um dabei zu helfen,
Prüfdatentopologie-Schreibvorgänge zu steuern.
Als ein Beispiel kann der Zeilenadressengenerator 422 als
Reaktion auf das Empfangen von Teilen von Zeilenadressen, die den
Zeilen 0, 1, 2 und 3 entsprechen, jeweils Zeilenadressen erzeugen,
die den Zeilen 0, 3, 4 bzw. 7 entsprechen.
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Der
Zeilenadressengenerator 422 kann beliebige geeignete Schaltkreise
zum Erzeugen einer Zeilenadresse als Reaktion auf einen empfangenen Teil
einer Zeilenadresse umfassen. Bei einer oder mehreren Ausführungsformen
kann der Zeilenadressengenerator 422 eine oder mehrere
Nachschlagetabellen verwenden, um Zeilenadressen für eine oder mehrere
Datentopologien zu erzeugen. Eine solche Nachschlagetabelle bzw.
solche Nachschlagetabellen können
bei einer oder mehreren Ausführungsformen
programmierbar sein, um eine Programmierbarkeit des Speichers 101 zu
erlauben, um eine beliebige geeignete eine oder mehrere Datentopologien
in das Speicherfeld bzw. die Speicherfelder 110 zu schreiben.
Bei einer oder mehreren Ausführungsformen
kann der Zeilenadressengenerator 422 festverdrahtet sein,
um Zeilenadressen für
eine oder mehrere Datentopologien zu erzeugen.
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Bei
einer oder mehreren Ausführungsformen kann
der Zeilenadressengenerator 422 Zeilenadressen gemäß einer
vorbestimmten Adressierungssequenz für eine gewählte Datentopologie unabhängig von
dem Wert empfangener Teile einer Zeilenadresse erzeugen. Bei einer
oder mehreren Ausführungsformen
kann der Zeilenadressengenerator 422 Zeilenadressen für eine gewählte Datentopologie
abhängig
von dem Wert empfangener Teile einer Zeilenadresse erzeugen.
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5 zeigt
für eine
oder mehrere andere Ausführungsformen
Schaltkreise für
Adressierungsschaltkreise 120 mit einem Zeilenadressengenerator 522,
der so gekoppelt ist, dass er eine Zeilenadresse aus dem Auffrischzähler 326 empfängt, um
als Reaktion auf die empfangene Zeilenadresse eine Zeilenadresse
zu erzeugen. Der Zeilenadressengenerator 522 kann bei einer
oder mehreren Ausführungsformen
Zeilenadressen gemäß einer vorbestimmten Adressierungssequenz
für eine
gewählte
Datentopologie erzeugen. Durch Erzeugen von Zeilenadressen als Reaktion
auf Auffrisch-Zeilenadressen hilft der Zeilenadressengenerator 522 dabei,
es der Prüfvorrichtung 180 zu
ermöglichen,
einen Auffrischbefehl zu verwenden, wie zum Beispiel einen Auffrischbefehl
des Typs CAS-vor-RAS (CAS-before-RAS, CBR), um dabei zu helfen,
Prüfdatentopologie-Schreibvorgänge zu steuern.
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Der
Zeilenadressengenerator 522 kann beliebige geeignete Schaltkreise
umfassen, um eine Zeilenadresse als Reaktion auf eine empfangene Auffrisch-Zeilenadresse
zu erzeugen. Bei einer oder mehreren Ausführungsformen kann der Zeilenadressengenerator 522 eine
oder mehrere Nachschlagetabellen verwenden, um Zeilenadressen für eine oder mehrere
Datentopologien zu erzeugen. Bei einer oder mehreren Ausführungsformen
kann eine solche Nachschlagetabelle bzw. können solche Nachschlagetabellen
programmierbar sein, um eine Programmierung des Speichers 101 zu
erlauben, um eine beliebige geeignete eine oder mehrere Datentopologien in
das Speicherfeld bzw. die Speicherfelder 110 zu schreiben.
Bei einer oder mehreren Ausführungsformen
kann der Zeilenadressengenerator 522 festverdrahtet sein,
um Zeilenadressen für
eine oder mehrere Datentopologien zu erzeugen.
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Obwohl
es in den 3, 4 und 5 nicht
dargestellt ist, können
die Adressierungsschaltkreise 120 auch beliebige geeignete
Schaltkreise zum Erzeugen von Spaltenadressen für den Zugriff auf Speicherzellen
des Speicherfeld bzw. der Speicherfelder 110 umfassen.
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Beispielhafte Prüfdatentopologie-Schreibvorgänge
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6 zeigt
für eine
oder mehrere Ausführungsformen
eine Sequenz von Zellenfeldextrahierungen 601, 602, 603, 603, 605 und 606,
wobei gemeinsame Daten gemäß einer
Prüfdatentopologie
in mehrere Zeilen von Speicherzellen eines Gebiets geschrieben werden.
Die Zellenfeldextrahierungen 601–602 stellen einen
Anfangsschreibvorgang gemeinsamer Daten in sequenziell adressierte
Speicherzellen einer Zeile 0 dar. Die Zellenfeldextrahierungen 603–606 stellen
nachfolgende Schreibvorgänge
(z. B. auf nachfolgende Auffrischvorgänge, Aktivierungsvorgänge usw.
hin) der gemeinsamen Daten in die Speicherzellen der Zeilen 3, 4,
7 bzw. 8 dar. Da die gemeinsamen Daten nach dem Anfangsschreibvorgang
in Zeile 0 in Leseverstärkerzwischenspeichern
behalten werden, werden die gemeinsamen Daten in die Zeilen 3, 4,
7 und 8 nach Aktivierung dieser Zeilen geschrieben.
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7–10 zeigen
das sequenzielle Schreiben von Datenmustern gemäß verschiedener Topologien
gemäß Ausführungsformen
der vorliegenden Erfindung. Wie dargestellt, hängen die Anzahl der Gebiete
sowie die bestimmten Zeilen in jedem Gebiet von der gewählten Datentopologie
ab (und von der gezeigten bestimmten Bitleitungsarchitektur). Beispielsweise
wird die physische Stelle von Zellen relativ zu dem Twist-Gebiet
durch das Zeilenadressenbit 9 (RA<9>) bestimmt. Da die
Verbindungen der Zeilen (Wortleitungen) „vor" und „nach" dem Twist anders mit dem Feld verbunden
sind, können
in bestimmten Fällen
vier Gebiete notwendig sein.
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7 zeigt
für eine
oder mehrere Ausführungsformen
eine Sequenz von Zellenfeldextrahierungen 701, 702, 703 und 704,
wobei gemeinsame Daten in einer Speicherarchitektur mit gefalteter
Bitleitung gemäß einer
physischen Festkörper-Datentopologie (1111)
in mehrere Zeilen verschiedener Gebiete geschrieben werden. Die
Zellenfeldextrahierung 701 stellt Schreibvorgänge gemeinsamer
Daten in die Zeilen 0, 3, 4, 7, 8, und 11 eines ersten Gebiets dar.
Die Zellenfeldextrahierung 702 stellt Schreibvorgänge gemeinsamer
Daten in die Zeilen 1, 2, 5, 6, 9 und 10 eines zweiten Gebiets dar.
Die Zellenfeldextrahierung 703 stellt Schreibvorgänge gemeinsamer Daten
in die Zeilen 12, 15, 16, 19, 20 und 23 eines dritten Gebiets dar.
Die Zellenfeldextrahierung 704 stellt Schreibvorgänge gemeinsamer
Daten in die Zeilen 13, 14, 17, 18, 21 und 22 eines vierten Gebiets dar.
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8 zeigt
für eine
oder mehrere Ausführungsformen
eine Sequenz von Zellenfeldextrahierungen 801 und 802,
wobei gemeinsame Daten in einer Speicherarchitektur mit gefalteter
Bitleitung mit einer Zeile-9-Doppel-Streifendatentopologie (1001) in
mehrere Zeilen verschiedener Gebiete geschrieben werden. Die Zellenfeldextrahierung 801 stellt Schreibvorgänge gemeinsamer
Daten in die Zeilen 0, 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, und 11 eines
ersten Gebiets dar. Die Zellenfeldextrahierung 802 stellt
Schreibvorgänge
gemeinsamer Daten in die Zeilen 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18, 19,
20, 21, 22, und 23 eines zweiten Gebiets dar.
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9 zeigt
für eine
oder mehrere Ausführungsformen
eine Sequenz von Zellenfeldextrahierungen 901, 902, 903 und 904,
wobei gemeinsame Daten in einer Speicherarchitektur mit gefalteter
Bitleitung gemäß einer
Zeilen-C-Doppel-Streifendatentopologie (1100) in mehrere Zeilen
verschiedener Gebiete geschrieben werden. Die Zellenfeldextrahierung 901 stellt
Schreibvorgänge
gemeinsamer Daten in die Zeilen 0, 2, 4, 6, 8 und 10 eines ersten
Gebiets dar. Die Zellenfeldextrahierung 902 stellt Schreibvorgänge gemeinsamer
Daten in die Zeilen 1, 3, 5, 7, 9 und 11 eines zweiten Gebiets dar.
Die Zellenfeld extrahierung 903 stellt Schreibvorgänge gemeinsamer Daten
in die Zeilen 12, 14, 16, 18, 20 und 22 eines dritten Gebiets dar.
Die Zellenfeldextrahierung 904 stellt Schreibvorgänge gemeinsamer
Daten in die Zeilen 13, 15, 17, 19, 21 und 23 eines vierten Gebiets dar.
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10 zeigt
für eine
oder mehrere Ausführungsformen
eine Sequenz von Zellenfeldextrahierungen 1001, 1002, 1003 und 1004,
wobei gemeinsame Daten in einer Speicherarchitektur mit gefalteter Bitleitung
gemäß einer
Zeilen-Einzel-Streifendatentopologie
(1010) in mehrere Zeilen verschiedener Gebiete geschrieben werden.
Die Zellenfeldextrahierung 1001 stellt Schreibvorgänge gemeinsamer
Daten in die Zeilen 0, 1, 4, 5, 8 und 9 eines ersten Gebiets dar.
Die Zellenfeldextrahierung 1002 stellt Schreibvorgänge gemeinsamer
Daten in die Zeilen 2, 3, 6, 7, 10 und 11 eines zweiten Gebiets
dar. Die Zellenfeldextrahierung 1003 stellt Schreibvorgänge gemeinsamer
Daten in die Zeilen 12, 13, 16, 17, 20 und 21 eines dritten Gebiets
dar. Die Zellenfeldextrahierung 1004 stellt Schreibvorgänge gemeinsamer
Daten in die Zeilen 14, 15, 18, 19, 22 und 23 eines vierten Gebiets
dar.
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Schlussfolgerung
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Ausführungsformen
der Erfindung ermöglichen
im Allgemeinen ein Schreiben von Daten in Speicher gemäß einer
Prüfdatentopologie
unter Verwendung von zwischengespeicherten Leseverstärkerdaten
und Zeilenadressenverwürfelung
und wurden deshalb beschrieben.
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Obwohl
das obige Ausführungsformen
der vorliegenden Erfindung betrifft, können andere und weitere Ausführungsformen
der Erfindung konzipiert werden, ohne von deren grundlegendem Schutzumfang
abzuweichen, und ihr Schutzumfang wird durch die folgenden Ansprüche definiert.