DE102005031613A1 - LED und LED-Array mit einer jeweiligen Kleberschicht - Google Patents
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- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 title claims abstract description 32
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 26
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 claims abstract description 23
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 78
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 23
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 12
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 claims description 10
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910020658 PbSn Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 101150071746 Pbsn gene Proteins 0.000 claims description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 4
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 claims description 3
- BEQNOZDXPONEMR-UHFFFAOYSA-N cadmium;oxotin Chemical compound [Cd].[Sn]=O BEQNOZDXPONEMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- SKRWFPLZQAAQSU-UHFFFAOYSA-N stibanylidynetin;hydrate Chemical compound O.[Sn].[Sb] SKRWFPLZQAAQSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 3
- BNEMLSQAJOPTGK-UHFFFAOYSA-N zinc;dioxido(oxo)tin Chemical compound [Zn+2].[O-][Sn]([O-])=O BNEMLSQAJOPTGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
- H01L33/642—Heat extraction or cooling elements characterized by the shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
- Illuminated Signs And Luminous Advertising (AREA)
- Adhesive Tapes (AREA)
Abstract
Die Erfindung betrifft eine LED mit einer Kleberschicht (13), die durch Wärmepfade ersetzt ist. Die Kleberschicht dient dazu, ein Substrat (11) und einen LED-Stapel (17 bis 21) miteinander zu verbinden. Die Wärmepfade bestehen aus Erhebungen aus Metall oder einem Halbleiter, die die Kleberschicht ganz oder teilweise durchdringen. Durch sie ist die Wärmeabfuhreffizienz der LED verbessert, wodurch die Stabilität und der Lichtemissionswirkungsgrad derselben verbessert sind.
Description
- Die Erfindung betrifft eine LED (Leuchtdiode) und ein LED-Array mit einer jeweiligen Kleberschicht.
- LEDs werden derzeit in weitem Umfang verwendet, z. B. in optischen Displays, Verkehrszeichen, Datenspeichereinrichtungen, Kommunikationsgeräten, Beleuchtungsvorrichtungen und medizinischen Geräten. Daher ist die Erhöhung der Helligkeit von LEDs ein wichtiger Faktor.
- Das Dokument TW-B-550834 offenbart eine LED und deren Herstellverfahren, bei dem eine LED-Epitaxiestruktur auf einem ersten, Licht absorbierenden Substrat hergestellt wird und eine dielektrische Polymer-Kleberschicht dazu verwendet wird, die Oberfläche derselben mit einem zweiten Substrat hoher Wärmeleitfähigkeit zu verbinden. Dadurch wird die Wärmeabfuhreffizienz des Chips verbessert und der Lichtemissions-Wirkungsgrad der LED erhöht. Gemäß dem oben genannten Dokument wird die Epitaxieschicht auf dem ersten Substrat hergestellt, und die Kleberschicht wird dazu verwendet, die Epitaxieschicht mit dem zweiten Substrat zu verbinden. Dann wird das erste Substrat entfernt, um den Wärmewiderstand zu verringern, die Wärmeabfuhreffizienz zu erhöhen und den Lichtemissions-Wirkungsgrad zu verbessern. Da jedoch der Wärmewiderstand der LED ungefähr der Summe der Wärmewiderstände der Epitaxieschicht, der dielektrischen Kleberschicht und des zweiten Substrats entspricht, wobei die Wärmeleitfähigkeit der dielektrischen Kleberschicht ungefähr zwischen 0,1 und 0,3 W/mk beträgt, kann die LED die Wärmeabfuhrcharakteristik des zweiten Substrats mit hoher Wärmeleitfähigkeit nicht gut nutzen, weswegen die LED insgesamt den Nachteil schlechter Wärmeabfuhr zeigt.
- Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine LED und ein LED-Array mit einer jeweiligen Kleberschicht mit guter Wärmeabfuhr zu schaffen.
- Diese Aufgabe ist durch die LED und das LED-Array gemäß den beigefügten Ansprüchen 1 bzw. 2 gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen sind Gegenstand abhängiger Ansprüche.
- Bei den erfindungsgemäßen Bauelementen liegt ein Substrat mit hoher Wärmeabfuhr vor, auf dem eine Kleberschicht ausgebildet ist, die von einen Wärmepfad bildenden Erhebungen auf dem Substrat durchsetzt ist. Durch diese Erhebungen wird Wärme von der darüber liegenden Schicht gut zum darunter liegenden Substrat mit hoher Wärmeabfuhr übertragen. Diese Wärmepfade bestehen aus Erhebungen aus einem Metall oder einem Halbleiter. Durch sie kann die durch einen LED-Stapel erzeugte Wärme gut zum Substrat mit hoher Wärmeabfuhr abgeführt werden.
- Eine bevorzugte Ausführungsform einer LED verfügt über das genannte Substrat mit hoher Wärmeabfuhr, die genannte, darauf ausgebildete Kleberschicht mit den genannten Wärmepfad-Erhebungen, eine auf der Kleberschicht ausgebildete Reflexionsschicht, eine auf dieser ausgebildete elektrisch isolierende Schicht und eine auf dieser ausgebildete transparente, leitende Schicht, wobei die Erhebungen zumindest teilweise durch die Kleberschicht dringen. Ferner verfügt die Oberseite der transparenten, leitenden Schicht über ein erstes und ein zweites Oberflächengebiet. Auf dem ersten Oberflächengebiet ist eine erste Kontaktschicht ausgebildet, auf der eine erste Mantelschicht, eine Lichtemissionsschicht, eine zweite Mantelschicht, eine zweite Kontaktschicht und eine erste Drahtbondelektrode in der genannten Reihenfolge ausgebildet sind, während auf dem zweiten Oberflächengebiet eine zweite Drahtbondelektrode ausgebildet ist. Zusätzlich kann zwischen dem Substrat mit hoher Wärmeabfuhr und der Kleberschicht eine weitere elektrisch isolierende Schicht ausgebildet sein.
- Die Erfindung wird anhand von durch die
1 bis3 veranschaulichten Ausführungsformen näher erläutert, wobei jede dieser Figuren eine andere bevorzugte Ausführungsform der Erfindung durch ein schematisches Schnittbild veranschaulicht. - Ausführungsform 1
- Die in der
1 dargestellte Ausführungsform einer erfindungsgemäßen LED verfügt über ein Substrat11 mit hoher Wärmeabfuhr, eine Kleberschicht13 , die vollständig durch Wärmepfad-Erhebungen12 durchdrungen wird, die auf dem Substrat11 ausgebildet sind, eine darauf ausgebildete Reflexionsschicht14 , eine darauf ausgebildete elektrisch isolierende Schicht15 sowie eine auf dieser ausgebildete transparente, leitende Schicht16 . Die Erhebungen12 durchdringen die Kleberschicht13 , um Wärmepfade zu bilden. Die Oberfläche der transparenten, leitenden Schicht16 verfügt über ein erstes und ein zweites Oberflächengebiet. Auf dem ersten Oberflächengebiet sind eine erste Kontaktschicht17 , eine erste Mantelschicht18 , eine Licht emittierende Schicht19 , eine zweite Mantelschicht20 , eine zweite Kontaktschicht21 und eine erste Drahtbondelektrode9 in der genannten Reihenfolge ausgebildet, während auf dem zweiten Oberflächengebiet eine zweite Drahtbondelektrode8 ausgebildet ist. Ferner kann zwischen dem Substrat mit hoher Wärmeabfuhr und der Kleberschicht eine weitere elektrisch isolierende Schicht ausgebildet sein. - Ausführungsform 2
- Die in der
2 dargestellte Ausführungsform einer erfindungsgemäßen LED verfügt über ein Substrat10 mit hoher Wärmeabfuhr mit mehreren Wärmeabfuhr-Erhebungen, eine auf diesem hergestellte elektrisch isolierende Schicht111 , eine auf dieser hergestellte Kleberschicht13 sowie eine auf der elektrisch isolierenden Schicht111 und der Kleberschicht13 hergestellte transparente, leitende Schicht. Die Erhebungen durchdringen die Kleberschicht13 ganz oder teilweise. Die transparente, leitende Schicht1G verfügt über ein erstes und ein zweites Oberflächengebiet. Der weitere Aufbau ist derselbe wie bei der ersten Ausführungsform. - Ausführungsform 3
- Die
3 veranschaulicht eine Ausführungsform eines erfindungsgemäßen LED-Arrays, das mit mehreren LEDs gemäß der Ausführungsform 1 versehen ist. Demgemäß befinden sich an der Oberfläche der elektrisch isolierenden Schicht15 mehrere erste und mehrere zweite Oberflächengebiete, wobei auf den ersten Oberflächengebieten jeweils eine transparente, leitende Schicht16 ausgebildet ist. Auch die Oberflächen der transparenten, leitenden Schichten1G verfügen über mehrere erste und zweite Oberflächengebiete, auf denen jeweils ein LED-Stapel mit dem vorstehend beschriebenen Aufbau aufgebracht ist. Genauer gesagt, verfügt jeder LED-Stapel über eine erste Kontaktschicht17 , eine erste Mantelschicht18 , eine Licht emittierende Schicht19 , eine zweite Mantelschicht20 , eine zweite Kontaktschicht21 , eine elektrisch isolierende Schicht112 auf dem zweiten Oberflächengebiet der elektrisch isolierenden Schicht15 und dem LED-Stapel, eine Elektrode7 auf den zweiten Oberflächengebieten der transparenten, leitenden Schichten16 in Verbindung mit der zweiten Kontaktschicht21 des benachbarten LED-Stapels, eine erste Drahtbondelektrode9 , die auf einer spezifischen zweiten Kontaktschicht21 ausgebildet ist, und eine zweite Drahtbondelektrode8 , die auf dem zweiten Oberflächengebiet einer spezifischen transparenten, leitenden Schicht ausgebildet ist. Diese LED-Stapel werden bedarfsabhängig elektrisch miteinander verbunden, um ein LED-Array zu bilden. - Das Substrat mit hoher Wärmeabfuhr besteht aus einem Material, das aus der aus GaP, Si, SiC und Metall bestehenden Gruppe ausgewählt ist.
- Die oben genannte Wärmepfad-Erhebung kann aus einem Metall oder einem Halbleiter bestehen, und sie besteht aus einem Material, das aus der aus In, Sn, Al, Au, Pt, Zn, Ge, Ag, Ti, Pb, Pd, Cu, AuBe, AuGe, Ni, PbSn, AuZn, GaP, Si, SiC und dergleichen bestehenden Gruppe ausgewählt ist.
- Die Kleberschicht besteht aus einem Material, das aus der aus PI, BCB, PFCB und dergleichen bestehenden Gruppe ausgewählt ist.
- Die Reflexionsschicht besteht aus einem Material, das aus der aus In, Sn, Al, Au, Pt, Zn, Ag, Ti, Pb, Pd, Ge, Cu, Au-Be, AuGe, Ni, PbSn und AuZn bestehenden Gruppe ausgewählt ist.
- Die elektrisch isolierende Schicht besteht aus einem Material, das aus der aus SiNx, SiO2, Al2O3, TiO2 und dergleichen bestehenden Gruppe ausgewählt ist.
- Die transparente, leitende Schicht besteht aus einem Material, das aus der aus Indiumzinnoxid, Cadmiumzinnoxid, Antimonzinnoxid, Zinkoxid und Zinnzinkoxid bestehenden Gruppe ausgewählt ist.
- Die erste Kontaktschicht besteht aus einem Material, das aus der aus GaP, GaAs, GaAsP, InGaP, AlGaInP, AlGaAs, GaN, InGaN und AlGaN bestehenden Gruppe ausgewählt ist.
- Die erste Mantelschicht besteht aus einem Material, das aus der aus AlGaInP, AlInP, AlN, GaN, AlGaN, InGaN und AlGaInN bestehenden Gruppe ausgewählt ist.
- Die Licht emittierende Schicht besteht aus einem Material, das aus der aus AlGaInP, InGaP, GaN, AlGaN, InGaN und Al-GaInN bestehenden Gruppe ausgewählt ist.
- Die zweite Mantelschicht besteht aus einem Material, das aus der aus AlGaInP, AlInP, AlN, GaN, AlGaN, InGaN und AlGaInN bestehenden Gruppe ausgewählt ist.
- Die zweite Kontaktschicht besteht aus einem Material, das aus der aus GaP, GaAs, GaAsP, InGaP, AlGaInP, AlGaAs, GaN, InGaN und AlGaN bestehenden Gruppe ausgewählt ist.
Claims (20)
- LED mit einer Kleberschicht (
13 ), mit: – einem Substrat (11 ) mit hoher Wärmeabfuhr; – einer elektrisch isolierenden Schicht (15 ); – einem auf der elektrisch isolierenden Schicht hergestellten LED-Stapel (17 bis21 ) und – der genannten Kleberschicht zwischen dem Substrat mit hoher Wärmeabfuhr und der elektrisch isolierenden Schicht, wobei diese Kleberschicht ganz oder teilweise von mindestens einer Wärmepfad-Erhebung durchdrungen ist. - LED-Array mit einer Kleberschicht (
13 ), mit: – einem Substrat (11 ) mit hoher Wärmeabfuhr; – einer elektrisch isolierenden Schicht (15 ); – mehreren, auf der elektrisch isolierenden Schicht ausgebildeten LED-Stapeln (17 bis21 ), die elektrisch miteinander verbunden sind, um ein LED-Array zu bilden; und – der genannten Kleberschicht zwischen dem Substrat mit hoher Wärmeabfuhr und der elektrisch isolierenden Schicht, wobei diese Kleberschicht ganz oder teilweise von mindestens einer Wärmepfad-Erhebung durchdrungen ist. - LED nach Anspruch 1 oder LED-Array nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen dem Substrat (
11 ) mit hoher Wärmeabfuhr und der Kleberschicht (13 ) eine elektrisch isolierende Schicht ausgebildet ist, oder eine elektrisch isolierende Schicht gleichzeitig zwischen dem Substrat mit hoher Wärmeabfuhr und der Kleberschicht sowie zwischen dieser und dem LED-Stapel ausgebildet ist. - LED oder LED-Array nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass die elektrisch isolierende Schicht aus einem Material besteht, das aus der aus SiNx, SiO2, Al203, TiO2 und dergleichen bestehenden Gruppe ausgewählt ist.
- LED nach Anspruch 1 oder LED-Array nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die elektrisch isolierende Schicht aus einem Material besteht, das aus der aus SiNx, SiO2, Al2O3, TiO2 und dergleichen bestehenden Gruppe ausgewählt ist.
- LED nach Anspruch 1 oder LED-Array nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen der elektrisch isolierenden Schicht (
15 ) und dem LED-Stapel (17 bis21 ) eine transparente, leitende Schicht (1G ) ausgebildet ist. - LED oder LED-Array nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass die transparente, leitende Schicht (
1G ) aus einem Material besteht, das aus der aus Indiumzinnoxid, Cadmiumzinnoxid, Antimonzinnoxid, Zinkoxid und Zinnzinkoxid bestehenden Gruppe ausgewählt ist. - LED nach Anspruch 1 oder LED-Array nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass auf dem LED-Stapel eine transparente, leitende Schicht ausgebildet ist.
- LED oder LED-Array nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass die transparente, leitende Schicht (
16 ) aus einem Material besteht, das aus der aus Indiumzinnoxid, Cadmiumzinnoxid, Antimonzinnoxid, Zinkoxid und Zinnzinkoxid bestehenden Gruppe ausgewählt ist. - LED nach Anspruch 1 oder LED-Array nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen der Kleberschicht (
13 ) und der elektrisch isolierenden Schicht (15 ) eine Reflexionsschicht (14 ) ausgebildet ist. - LED oder LED-Array nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass die Reflexionsschicht aus einem Material besteht, das aus der aus In, Sn, Al, Au, Pt, Zn, Ag, Ti, Pb, Pd, Ge, Cu, AuBe, AuGe, Ni, PbSn und AuZn bestehenden Gruppe ausgewählt ist.
- LED nach Anspruch 1 oder LED-Array nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die mindestens eine Wärmepfad-Erhebung aus einem Metall oder einem Halbleiter besteht, das aus der aus In, Sn, Al, Au, Pt, Zn, Ge, Ag, Ti, Pb, Pd, Cu, AuBe, AuGe, Ni, PbSn, AuZn, GaP, Si, SiC und dergleichen bestehenden Gruppe ausgewählt ist.
- LED nach Anspruch 1 oder LED-Array nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Kleberschicht (
13 ) aus einem Material besteht, das aus der PI, BCB, PFCB und dergleichen bestehenden Gruppe ausgewählt ist. - LED nach Anspruch 1 oder LED-Array nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat (
11 ) mit hoher Wärmeabfuhr aus einem Material besteht, das aus der aus GaP, Si, SiC und dergleichen bestehenden Gruppe ausgewählt ist. - LED oder LED-Array nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass der LED-Stapel Folgendes aufweist: – eine erste Kontaktschicht (
17 ); – eine darauf vorhandene erste Mantelschicht (18 ); – eine darauf vorhandene Licht emittierende Schicht (19 ); – eine darauf vorhandene zweite Mantelschicht (20 und – eine darauf vorhandene zweite Kontaktschicht (21 ). - LED oder LED-Array nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Kontaktschicht aus einem Material, das aus der aus GaP, GaAs, GaAsP, InGaP, AlGaInP, AlGaAs, GaN, InGaN und AlGaN bestehenden Gruppe ausgewählt ist.
- LED oder LED-Array nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Mantelschicht aus einem Material, das aus der aus AlGaInP, AlInP, AlN, GaN, AlGaN, InGaN und AlGaInN bestehenden Gruppe ausgewählt ist.
- LED oder LED-Array nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, dass die Licht emittierende Schicht aus einem Material besteht, das aus der aus AlGaInP, InGaP, GaN, AlGaN, InGaN und AlGaInN bestehenden Gruppe ausgewählt ist.
- LED oder LED-Array nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, dass die zweite Mantelschicht aus einem Material besteht, das aus der aus AlGaInP, AlInP, AlN, GaN, AlGaN, InGaN und AlGaInN bestehenden Gruppe ausgewählt ist.
- LED oder LED-Array nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, dass die zweite Kontaktschicht aus einem Material besteht, das aus der aus GaP, GaAs, GaAsP, InGaP, AlGaInP, AlGaAs, GaN, InGaN und AlGaN bestehenden Gruppe ausgewählt ist.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW093120423A TWI302038B (en) | 2004-07-07 | 2004-07-07 | Light emitting diode having an adhesive layer and heat paths |
| TW93120423 | 2004-07-07 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE102005031613A1 true DE102005031613A1 (de) | 2006-02-09 |
| DE102005031613B4 DE102005031613B4 (de) | 2012-03-01 |
Family
ID=35540441
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE102005031613A Active DE102005031613B4 (de) | 2004-07-07 | 2005-07-06 | LED und LED-Array mit einer jeweiligen Kleberschicht |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20060006524A1 (de) |
| JP (1) | JP4459871B2 (de) |
| DE (1) | DE102005031613B4 (de) |
| TW (1) | TWI302038B (de) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI352437B (en) * | 2007-08-27 | 2011-11-11 | Epistar Corp | Optoelectronic semiconductor device |
| TWI301331B (en) * | 2006-05-17 | 2008-09-21 | Epistar Corp | Light emitting device |
| US20090323341A1 (en) * | 2007-06-28 | 2009-12-31 | Boundary Net, Incorporated | Convective cooling based lighting fixtures |
| US20090002289A1 (en) * | 2007-06-28 | 2009-01-01 | Boundary Net, Incorporated | Composite display |
| US20100019997A1 (en) * | 2008-07-23 | 2010-01-28 | Boundary Net, Incorporated | Calibrating pixel elements |
| US20100020107A1 (en) * | 2008-07-23 | 2010-01-28 | Boundary Net, Incorporated | Calibrating pixel elements |
| US20100019993A1 (en) * | 2008-07-23 | 2010-01-28 | Boundary Net, Incorporated | Calibrating pixel elements |
| TWI499099B (zh) | 2009-12-30 | 2015-09-01 | Epistar Corp | 具有保護層之半導體發光元件 |
| CN102412365B (zh) * | 2010-09-25 | 2015-07-29 | 禾正实业股份有限公司 | Led的散热模块结构 |
| US8803183B2 (en) | 2010-10-13 | 2014-08-12 | Ho Cheng Industrial Co., Ltd. | LED heat-conducting substrate and its thermal module |
| CN102569623A (zh) * | 2010-12-14 | 2012-07-11 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 半导体发光芯片及其制造方法 |
| TWI429848B (zh) * | 2011-11-25 | 2014-03-11 | Ind Tech Res Inst | 均熱結構與其製法及具有該均熱結構之散熱模組 |
| JP2013120824A (ja) * | 2011-12-07 | 2013-06-17 | Citizen Holdings Co Ltd | 発光デバイス |
| KR102212752B1 (ko) * | 2014-03-21 | 2021-02-05 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 및 조명시스템 |
Family Cites Families (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60136788A (ja) * | 1983-12-26 | 1985-07-20 | 日本ビクター株式会社 | Ｌｅｄ平面パネルデイスプレイの製作法 |
| US5172301A (en) * | 1991-10-08 | 1992-12-15 | Lsi Logic Corporation | Heatsink for board-mounted semiconductor devices and semiconductor device assembly employing same |
| JPH0786470A (ja) * | 1993-06-23 | 1995-03-31 | Omron Corp | パワー半導体素子の実装方法 |
| US6045240A (en) * | 1996-06-27 | 2000-04-04 | Relume Corporation | LED lamp assembly with means to conduct heat away from the LEDS |
| EP1006574A1 (de) * | 1998-05-12 | 2000-06-07 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Kunststoffhalbleiterpackung und herstellungsverfahren einer gedruckten leiterplatte |
| US6258627B1 (en) * | 1999-01-19 | 2001-07-10 | International Business Machines Corporation | Underfill preform interposer for joining chip to substrate |
| WO2001051580A1 (fr) * | 2000-01-13 | 2001-07-19 | Nitto Denko Corporation | Feuille adhesive poreuse, plaquette a semi-conducteurs munie de la feuille adhesive poreuse, et procede de fabrication associe |
| US6614103B1 (en) * | 2000-09-01 | 2003-09-02 | General Electric Company | Plastic packaging of LED arrays |
| JP2002164570A (ja) * | 2000-11-24 | 2002-06-07 | Shiro Sakai | 窒化ガリウム系化合物半導体装置 |
| TW550834B (en) * | 2002-02-15 | 2003-09-01 | United Epitaxy Co Ltd | Light emitting diode and its manufacturing method |
| US6874910B2 (en) * | 2001-04-12 | 2005-04-05 | Matsushita Electric Works, Ltd. | Light source device using LED, and method of producing same |
| US6636539B2 (en) * | 2001-05-25 | 2003-10-21 | Novalux, Inc. | Method and apparatus for controlling thermal variations in an optical device |
| TW543128B (en) * | 2001-07-12 | 2003-07-21 | Highlink Technology Corp | Surface mounted and flip chip type LED package |
| US6498355B1 (en) * | 2001-10-09 | 2002-12-24 | Lumileds Lighting, U.S., Llc | High flux LED array |
| US6531328B1 (en) * | 2001-10-11 | 2003-03-11 | Solidlite Corporation | Packaging of light-emitting diode |
| DE10158754A1 (de) * | 2001-11-30 | 2003-06-18 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Lichtemittierendes Halbleiderbauelement |
| TW567618B (en) * | 2002-07-15 | 2003-12-21 | Epistar Corp | Light emitting diode with adhesive reflection layer and manufacturing method thereof |
| TW544958B (en) * | 2002-07-15 | 2003-08-01 | Epistar Corp | Light emitting diode with an adhesive layer and its manufacturing method |
| DE10307280B4 (de) * | 2002-11-29 | 2005-09-01 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zum Herstellen eines lichtemittierenden Halbleiterbauelements |
| TW571449B (en) * | 2002-12-23 | 2004-01-11 | Epistar Corp | Light-emitting device having micro-reflective structure |
| US6999318B2 (en) * | 2003-07-28 | 2006-02-14 | Honeywell International Inc. | Heatsinking electronic devices |
| US6806112B1 (en) * | 2003-09-22 | 2004-10-19 | National Chung-Hsing University | High brightness light emitting diode |
| US20060151801A1 (en) * | 2005-01-11 | 2006-07-13 | Doan Trung T | Light emitting diode with thermo-electric cooler |
-
2004
- 2004-07-07 TW TW093120423A patent/TWI302038B/zh active
-
2005
- 2005-06-29 US US11/160,589 patent/US20060006524A1/en not_active Abandoned
- 2005-06-30 JP JP2005192118A patent/JP4459871B2/ja active Active
- 2005-07-06 DE DE102005031613A patent/DE102005031613B4/de active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE102005031613B4 (de) | 2012-03-01 |
| JP4459871B2 (ja) | 2010-04-28 |
| TW200603429A (en) | 2006-01-16 |
| TWI302038B (en) | 2008-10-11 |
| US20060006524A1 (en) | 2006-01-12 |
| JP2006024928A (ja) | 2006-01-26 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
| R016 | Response to examination communication | ||
| R016 | Response to examination communication | ||
| R079 | Amendment of ipc main class |
Free format text: PREVIOUS MAIN CLASS: H01L0033000000 Ipc: H01L0033640000 |
|
| R018 | Grant decision by examination section/examining division | ||
| R079 | Amendment of ipc main class |
Free format text: PREVIOUS MAIN CLASS: H01L0033000000 Ipc: H01L0033640000 Effective date: 20111019 Free format text: PREVIOUS MAIN CLASS: H01L0033000000 Ipc: H01L0033640000 |
|
| R020 | Patent grant now final |
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