DE10357783B4 - Nitrid-Lichtemissionsbauteil - Google Patents

Nitrid-Lichtemissionsbauteil Download PDF

Info

Publication number
DE10357783B4
DE10357783B4 DE10357783A DE10357783A DE10357783B4 DE 10357783 B4 DE10357783 B4 DE 10357783B4 DE 10357783 A DE10357783 A DE 10357783A DE 10357783 A DE10357783 A DE 10357783A DE 10357783 B4 DE10357783 B4 DE 10357783B4
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
layer
component according
nitride
light emission
group
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
DE10357783A
Other languages
English (en)
Other versions
DE10357783A1 (de
Inventor
Min-Hsun Hsieh
Wen-Huang Liu
Min-Jiunn Jou
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Epistar Corp
Original Assignee
Epistar Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Epistar Corp filed Critical Epistar Corp
Publication of DE10357783A1 publication Critical patent/DE10357783A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE10357783B4 publication Critical patent/DE10357783B4/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0093—Wafer bonding; Removal of the growth substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H01L33/46—Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/26—Materials of the light emitting region
    • H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
    • H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Abstract

Nitrid-Lichtemissionsbauteil mit:
– einer Metall-Reflexionsschicht (11) mit einer Ober- und einer Unterseite;
– einer auf der Oberseite der Metall-Reflexionsschicht hergestellten ersten Reaktionsschicht (120);
– einer auf der ersten Reaktionsschicht hergestellten transparenten Haftschicht (121);
– einer auf der transparenten Haftschicht hergestellten zweiten Reaktionsschicht (122);
– einer Nitrid-Lichtemissions-Stapelschicht, die auf der zweiten Reaktionsschicht ausgebildet ist und über eine erste und eine zweite Fläche verfügt;
– einer ersten Elektrode (17), die auf der ersten Fläche hergestellt ist; und
– einer zweiten Elektrode (18), die auf der zweiten Fläche hergestellt ist.

Description

  • Die Erfindung betrifft ein Lichtemissionsbauteil, insbesondere ein solches aus einem Nitrid.
  • Lichtemissionsdioden haben viele Anwendungen, z. B. in optischen Displays, Verkehrssignalen, Datenspeichern, Kommunikationsgeräten, Beleuchtungseinrichtungen und medizinischen Geräten. Infolgedessen ist es wesentlich, die Helligkeit von Lichtemissionsdioden zu erhöhen.
  • Herkömmlicherweise wird auf einem transparenten Substrat eine Oxid-Reflexionsschicht abgeschieden, um die Helligkeit eines Nitrid-Lichtemissionsbauteils zu erhöhen. Die Oxid-Reflexionsschicht reflektiert von einer Licht emittierenden Stapelschicht emittiertes Licht, um die Gesamthelligkeit zu erhöhen. Jedoch reflektiert eine Oxid-Reflexionsschicht nur Licht mit senkrechtem Einfall und einer speziellen Wellenlänge. Außerdem kann eine Oxid-Reflexionsschicht während des Herstellprozesses durch äußere Kräfte abgezogen werden. Daher ist die Reflexionseffizienz einer Oxid-Reflexionsschicht gering.
  • Weiterhin wird auf dem transparenten Substrat eine Metallschicht abgeschieden, um von der Licht emittierenden Stapelschicht emittiertes Licht zu reflektieren. Die Reflexionseffizienz einer Metallschicht ist besser als die einer Oxid-Reflexionsschicht, jedoch ist die Haftung zwischen dem Substrat und dem Metall schlecht. Um die Haftung zu erhöhen, wird zwischen dem Substrat und der Metallschicht eine Titan- oder Chromschicht hergestellt. Diese absorbiert jedoch Licht, was die Gesamt-Reflexionseffizienz verringert.
  • Die DE 101 18 447 A1 zeigt eine Lichtemissionsdiode mit einem Substrat, auf dem eine erste Reaktionsschicht und darauf eine transparente Haftschicht vorgesehen ist. Auf der transparenten Haftschicht ist eine zweite Reaktionsschicht ausgebildet, auf der eine Nitrid-Lichtemissions-Stapelschicht vorgesehen ist, die eine erste und eine zweite Fläche aufweist. Eine erste Elektrode ist auf der ersten Fläche und eine zweite Elektrode ist auf der zweiten Fläche hergestellt.
  • Die JP 2000-091628 A beschreibt ein Halbleiterlichtemissionselement, bei dem eine Lichtemissions-Stapelschicht auf einem Metallfilm ausgebildet ist, der auf einem Keramiksubstrat 2 hergestellt ist.
  • Die EP 1 115 271 A1 betrifft eine Lichtemissionsdiode, bei der eine Lichtemissions-Stapelschicht auf einem Substrat ausgebildet ist, das aus amorphen, kristallinen oder metallischen Materialien bestehen kann. Als Metalle kommen dabei insbesondere Mo, Al, Pt, Ir, Au und Pd in Frage.
  • Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Lichtemissionsbauteil mit guter Haftung zwischen einer Reflexionsschicht und benachbarten Materialien sowie mit guter Reflexionseffizienz zu schaffen.
  • Diese Aufgabe ist durch das Lichtemissionsbauteil gemäß dem beigefügten Anspruch 1 gelöst.
  • Das erfindungsgemäße Lichtemissionsbauteil verfügt über eine transparente Haftschicht zwischen der Metallschicht und der Lichtemissionsschicht. Licht von der Lichtemissionsschicht durchdringt die transparente Haftschicht und wird durch die Metallschicht reflektiert. Außerdem sind an der Oberseite der transparenten Haftschicht für Kontakt mit der Nitrid-Lichtemissionsschicht und an der Unterseite der transparenten Haftschicht für Kontakt mit der Metallschicht Reaktionsschichten ausgebildet. Die Reaktionsschichten reagieren mit der transparenten Haftschicht, um die Haftung zu erhöhen und für Widerstand gegen ein Abziehen zu sorgen.
  • Darüber hinaus ist auf der anderen Fläche der Metallschicht eine Metallwärmesenke aufplattiert, um die Helligkeit des Lichtemissionsbauteils zu erhöhen.
  • Gemäß einer Ausführungsform ist ein Nitrid-Lichtemissionsbauteil mit Folgendem versehen: einem ersten Substrat; einer auf diesem hergestellten Metall-Reflexionsschicht; einer auf dieser hergestellten ersten Reaktionsschicht; einer auf dieser hergestellten transparente Haftschicht; einer auf dieser hergestellten zweiten Reaktionsschicht; einem auf dieser hergestellten zweiten Substrat; einer auf diesem hergestellten ersten Nitrid-Kontaktschicht, wobei die Oberseite derselben über einen ersten und einen zweiten Abschnitt verfügt; eine erste Nitrid-Mantelschicht, die auf dem ersten Abschnitt ausgebildet ist; eine auf der ersten Nitrid-Mantelschicht hergestellte Nitrid-Lichtemissionsschicht; eine auf dieser hergestellte zweite Nitrid-Mantelschicht; eine auf dieser hergestellte zweite Nitrid-Kontaktschicht; eine auf dieser hergestellte transparente, leitende Schicht; eine auf dieser hergestellte erste Elektrode und eine auf dem zweiten Abschnitt hergestellte zweite Elektrode.
  • Das erste Substrat verfügt über mindestens ein Material, das aus der aus Silicium, GaAs, Glas, Quarz, GaP, GaAsP, AlGaAs und Metall bestehenden Gruppe ausgewählt ist. Das zweite Substrat verfügt über mindestens ein Material, das aus der aus Al2O3, SiC, ZnO und GaN bestehenden Gruppe ausgewählt ist. Die transparente Haftschicht verfügt über mindestens ein Material, das aus der aus PI (Polyimid), BCB (Benzocyclobuten) und PFCB (Perfluorcyclobuten) bestehenden Gruppe ausgewählt ist. Die erste Reaktionsschicht verfügt über mindestens ein Material, das aus der aus SiNx, Ti und Cr bestehenden Gruppe ausgewählt ist. Die zweite Reaktions schicht verfügt über mindestens ein Material, das aus der aus SiNx, Ti und Cr bestehenden Gruppe ausgewählt ist. Die Metall-Reflexionsschicht verfügt über mindestens ein Material, das aus der aus In, Sn, Al, Au, Pt, Zn, Ag, Pb, Pd, Ge, Cu, AuBe, AuGe, Ni, PbSn und AuZn bestehenden Gruppe ausgewählt ist. Die erste Nitrid-Mantelschicht verfügt über mindestens ein Material, das aus der aus AlN, GaN, AlGaN und AlInGaN bestehenden Gruppe ausgewählt ist. Die Nitrid-Lichtemissionsschicht verfügt über mindestens ein Material, das aus der aus GaN, InGaN und AlInGaN bestehenden Gruppe ausgewählt ist. Die zweite Nitrid-Mantelschicht verfügt über mindestens ein Material, das aus der aus AlNGaN, GaN, AlGaN, InGaN und AlInGaN bestehenden Gruppe ausgewählt ist. Die erste Nitrid-Kontaktschicht oder die zweite Nitrid-Kontaktschicht verfügt über mindestens ein Material, das aus der aus GaN, InGaN und AlGaN bestehenden Gruppe ausgewählt ist. Die transparente, leitende Schicht verfügt über mindestens ein Material, das aus der aus Indiumzinnoxid, Cadmiumzinnoxid, Antimonzinnoxid, Zinkoxid und Zinkzinnoxid bestehenden Gruppe ausgewählt ist.
  • Diese und andere Aufgaben der Erfindung gehen aus der folgenden detaillierten Beschreibung von durch die Figuren veranschaulichten bevorzugten Ausführungsformen näher hervor.
  • Die 1 bis 5 sind Seitenansichten eines jeweiligen Nitrid-Lichtemissionsbauteils mit einer reflektierenden Haftschicht gemäß einer ersten bis fünften bevorzugten Ausführungsform der Erfindung.
  • Das in der 1 dargestellte Nitrid-Lichtemissionsbauteil 1 verfügt über ein erstes Substrat 10; eine auf diesem hergestellte Metall-Reflexionsschicht; eine auf dieser hergestellte erste Reaktionsschicht 120; eine auf dieser hergestellte transparente Haftschicht 121; eine auf dieser herge stellte zweite Reaktionsschicht 122; ein auf dieser hergestelltes zweites Substrat 13; eine auf diesem hergestellte erste Nitrid-Kontaktschicht 14, deren Oberseite einen ersten und einen zweiten Abschnitt aufweist; eine auf dem ersten Abschnitt hergestellte erste Nitrid-Mantelschicht 150; eine auf dieser hergestellte Nitrid-Lichtemissionsschicht 151; eine auf dieser hergestellte zweite Nitrid-Mantelschicht 152; eine auf dieser hergestellte zweite Nitrid-Kontaktschicht 16; eine auf dem zweiten Abschnitt hergestellte erste Elektrode 17 und eine auf der zweiten Nitrid-Kontaktschicht 16 hergestellte zweite Elektrode 18.
  • Die Konstruktion des in der 2 dargestellten Nitrid-Lichtemissionsbauteils 2 unterscheidet sich von der der ersten Ausführungsform dadurch, dass das erste Substrat 10 durch eine Metallwärmesenke 20 ersetzt ist, so dass Wärme schnell abgeleitet werden kann.
  • Das in der 3 dargestellte Nitrid-Lichtemissionsbauteil 3 unterscheidet sich von dem der ersten Ausführungsform dadurch, dass nun das erste Substrat 10 ganz weggelassen ist.
  • Die in der 4 dargestellte vierte Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Nitrid-Lichtemissionsbauteils 4 verfügt über ein erstes Substrat 40; eine auf diesem hergestellte Metall-Reflexionsschicht 41; eine auf dieser hergestellte erste Reaktionsschicht 420; eine auf dieser hergestellte transparente Haftschicht 421; eine auf dieser hergestellte zweite Reaktionsschicht 422; eine auf dieser hergestellte transparente, leitende Schicht 43 mit einem ersten und einem zweiten Abschnitt; eine auf dem ersten Abschnitt hergestellte erste Nitrid-Kontaktschicht 44; eine auf dieser hergestellte erste Nitrid-Mantelschicht 450; eine auf dieser hergestellte Nitrid-Lichtemissionsschicht 450; eine auf dieser hergestellte zweite Nitrid-Mantelschicht 452; eine auf die ser hergestellte zweite Nitrid-Kontaktschicht 46; eine auf den zweiten Abschnitt hergestellte erste Elektrode 47 und eine auf der zweiten Nitrid-Kontaktschicht 46 hergestellte zweite Elektrode 48.
  • Die in der 5 dargestellte fünfte Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Nitrid-Lichtemissionsbauteils 5 verfügt über eine Metallwärmesenke 501; ein auf dieser hergestelltes erstes Substrat 50; eine auf diesem hergestellte Metall-Reflexionsschicht 51; einer auf dieser hergestellte erste Reaktionsschicht 520; eine auf dieser hergestellte transparente Haftschicht 521; eine auf dieser hergestellte zweite Reaktionsschicht 522; eine auf dieser hergestellte transparente, leitende Schicht 53, wobei die Oberseite derselben über einen ersten und einen zweiten Abschnitt verfügt; eine auf dem ersten Abschnitt hergestellte erste Nitrid-Kontaktschicht 54; eine auf dieser hergestellte Nitrid-Mantelschicht 450; eine auf dieser hergestellte Nitrid-Lichtemissionsschicht 550; eine auf dieser hergestellte zweite Nitrid-Mantelschicht 552; eine auf dieser hergestellte zweite Nitrid-Kontaktschicht 56; eine auf dem zweiten Abschnitt hergestellte erste Elektrode 57 und eine auf der zweiten Nitrid-Kontaktschicht 56 hergestellte zweite Elektrode 58.
  • Bei jeder dieser bevorzugten Ausführungsformen kann auf der zweiten Nitrid-Kontaktschicht und unter der zweiten Elektrode eine transparente, leitende Schicht angebracht werden, um als ohmsche Kontaktschicht und Stromverteilungsschicht zu wirken.
  • Das erste Substrat 10, 40, 50 verfügt über mindestens ein Material, das aus der aus Silicium, GaAs, Glas, Quarz, GaP, GaAsP, AlGaAs und Metall oder anderen Ersatzmaterialien bestehenden Gruppe ausgewählt ist. Das zweite Substrat verfügt über mindestens ein Material, das aus der aus Al2O3, SiC, ZnO und GaN bestehenden Gruppe ausgewählt ist. Die transparente Haftschicht 121, 421, 521 verfügt über mindestens ein Material, das aus der aus PI, BCB und PFCB bestehenden Gruppe ausgewählt ist. Die erste Reaktionsschicht 120, 420, 520 verfügt über mindestens ein Material, das aus der aus SiNx, Ti und Cr bestehenden Gruppe ausgewählt ist. Die zweite Reaktionsschicht 122,422, 522 verfügt über mindestens ein Material, das aus der aus SiNx, Ti und Cr bestehenden Gruppe ausgewählt ist. Die Metall-Reflexionsschicht 11, 41, 51 verfügt über mindestens ein Material, das aus der aus In, Sn, Al, Au, Pt, Zn, Ag, Pb, Pd, Ge, Cu, AuBe, AuGe, Ni, PbSn und AuZn oder anderen Ersatzmaterialien bestehenden Gruppe ausgewählt ist. Die erste Nitrid-Mantelschicht 150, 450, 550 verfügt über mindestens ein Material, das aus der aus AlN, GaN, AlGaN und AlInGaN bestehenden Gruppe ausgewählt ist. Die Nitrid-Lichtemissionsschicht 151, 451 551 verfügt über mindestens ein Material, das aus der aus GaN, InGaN und AlInGaN bestehenden Gruppe ausgewählt ist. Die zweite Nitrid-Mantelschicht 152, 452, 552 verfügt über mindestens ein Material, das aus der aus AlNGaN, GaN, AlGaN, InGaN und AlInGaN bestehenden Gruppe ausgewählt ist. Die erste Nitrid-Kontaktschicht 14, 44, 54 oder die zweite Nitrid-Kontaktschicht 16, 46, 56 verfügt über mindestens ein Material, das aus der aus GaN, InGaN und AlGaN bestehenden Gruppe ausgewählt ist. Die transparente, leitende Schicht 43, 53 verfügt über mindestens ein Material, das aus der aus Indiumzinnoxid, Cadmiumzinnoxid, Antimonzinnoxid, Zinkoxid und Zinkzinnoxid bestehenden Gruppe ausgewählt ist.

Claims (22)

  1. Nitrid-Lichtemissionsbauteil mit: – einer Metall-Reflexionsschicht (11) mit einer Ober- und einer Unterseite; – einer auf der Oberseite der Metall-Reflexionsschicht hergestellten ersten Reaktionsschicht (120); – einer auf der ersten Reaktionsschicht hergestellten transparenten Haftschicht (121); – einer auf der transparenten Haftschicht hergestellten zweiten Reaktionsschicht (122); – einer Nitrid-Lichtemissions-Stapelschicht, die auf der zweiten Reaktionsschicht ausgebildet ist und über eine erste und eine zweite Fläche verfügt; – einer ersten Elektrode (17), die auf der ersten Fläche hergestellt ist; und – einer zweiten Elektrode (18), die auf der zweiten Fläche hergestellt ist.
  2. Bauteil nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Nitrid-Lichtemissions-Stapelschicht folgendes aufweist: – eine erste Nitrid-Kontaktschicht (14) mit einer ersten und einer zweiten Fläche; – eine auf der ersten Fläche hergestellte erste Nitrid-Mantelschicht (150); – eine auf der ersten Nitrid-Mantelschicht hergestellte Nitrid-Lichtemissionsschicht (151); – eine auf der Nitrid-Lichtemissionsschicht hergestellte zweite Nitrid-Mantelschicht (152); und – eine auf der zweiten Nitrid-Mantelschicht hergestellte zweite Nitrid-Kontaktschicht (16).
  3. Bauteil nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Elektrode auf der zweiten Fläche der ersten Nitrid-Kontaktschicht (14) hergestellt ist und die zweite Elektrode auf der zweiten Nitrid-Kontaktschicht hergestellt ist.
  4. Bauteil nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch ein erstes Substrat, das auf der Unterseite der Metall-Reflexionsschicht ausgebildet ist.
  5. Bauteil nach Anspruch 4, gekennzeichnet durch eine Metallwärmesenke, die auf der Unterseite des ersten Substrats ausgebildet ist.
  6. Bauteil nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch eine Metallwärmesenke, die auf der Unterseite der Metall-Reflexionsschicht ausgebildet ist.
  7. Bauteil nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch ein zweites Substrat, das zwischen der zweiten Reaktionsschicht und der Lichtemissions-Stapelschicht ausgebildet ist.
  8. Bauteil nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch eine transparente, leitende Schicht, die zwischen der zweiten Reaktionsschicht und der Lichtemissions-Stapelschicht ausgebildet ist.
  9. Bauteil nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass die transparente, leitende Schicht eine erste und eine zweite Fläche aufweist, die erste Elektrode auf der ersten Fläche ausgebildet ist, die Lichtemissions-Stapelschicht auf der zweiten Fläche ausgebildet ist und die zweite Elektrode auf der Lichtemissions-Stapelschicht ausgebildet ist.
  10. Bauteil nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Metall-Reflexionsschicht aus mindestens einem Material besteht, das aus der aus In, Sn, Al, Au, Pt, Zn, Ag, Pb, Pd, Ge, Cu, AuBe, AuGe, Ni, PbSn und AuZn bestehenden Materialgruppe ausgewählt ist.
  11. Bauteil nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Reaktionsschicht aus mindestens einem Material besteht, das aus der aus SiNx, Ti und Cr bestehenden Materialgruppe ausgewählt ist.
  12. Bauteil nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die transparente, klebende Schicht aus mindestens einem Material besteht, das aus der aus PI, PCB und PFCB bestehenden Materialgruppe ausgewählt ist.
  13. Bauteil nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die zweite Reaktionsschicht aus mindestens einem Material besteht, das aus der aus SiNx, Ti und Cr ausgewählt ist.
  14. Bauteil nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Nitrid-Kontaktschicht aus mindestens einem Material besteht, das aus der aus GaN, InGaN und AlGaN bestehenden Materialgruppe ausgewählt ist.
  15. Bauteil nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Nitrid-Mantelschicht aus mindestens einem Material besteht, das aus der aus AlN, GaN, AlGaN, InGaN und AlInGaN bestehenden Materialgruppe ausgewählt ist.
  16. Bauteil nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Nitrid-Lichtemissionsschicht aus mindestens einem Material besteht, das aus der aus GaN, InGaN und AlInGaN bestehenden Materialgruppe ausgewählt ist.
  17. Bauteil nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die zweite Nitrid-Mantelschicht aus mindestens einem Material besteht, das aus der aus AlNGaN, GaN, AlGaN, InGaN und AlInGaN bestehenden Materialgruppe ausgewählt ist.
  18. Bauteil nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die zweite Nitrid-Kontaktschicht aus mindestens einem Material besteht, das aus der aus GaN, InGaN und AlGaN bestehenden Materialgruppe ausgewählt ist.
  19. Bauteil nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass das erste Substrat aus mindestens einem Material besteht, das aus der aus Silicium, GaAs, Glas, Quarz, GaP, GaAsP, AlGaAs und Metall bestehenden Materialgruppe ausgewählt ist.
  20. Bauteil nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Metallwärmesenke aus mindestens einem Material besteht, das aus der aus Sn, Al, Au, Pt, Zn, Ag, Pb, Pd, Ge, Cu, Au-Be, AuGe, Ni, PbSn und AuZn bestehenden Materialgruppe ausgewählt ist.
  21. Bauteil nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass das zweite Substrat aus mindestens einem Material besteht, das aus der aus Al2O3, SiC, ZnO und GaN bestehenden Materialgruppe ausgewählt ist.
  22. Bauteil nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass die transparente, leitende Schicht aus mindestens einem Material besteht, das aus der aus Indiumzinnoxid, Cadmiumzinnoxid, Antimonzinnoxid, Zinkoxid und Zinkzinnoxid bestehenden Materialgruppe ausgewählt ist.
DE10357783A 2003-01-30 2003-12-10 Nitrid-Lichtemissionsbauteil Expired - Lifetime DE10357783B4 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW92102926 2003-01-30
TW092102926A TW579610B (en) 2003-01-30 2003-01-30 Nitride light-emitting device having adhered reflective layer

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE10357783A1 DE10357783A1 (de) 2004-08-19
DE10357783B4 true DE10357783B4 (de) 2008-12-04

Family

ID=32734623

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE10357783A Expired - Lifetime DE10357783B4 (de) 2003-01-30 2003-12-10 Nitrid-Lichtemissionsbauteil

Country Status (4)

Country Link
US (1) US7161301B2 (de)
JP (1) JP4113107B2 (de)
DE (1) DE10357783B4 (de)
TW (1) TW579610B (de)

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8063557B2 (en) 2003-07-04 2011-11-22 Epistar Corporation Light-emitting device having wavelength-converting materials therewithin
TWI330413B (en) * 2005-01-25 2010-09-11 Epistar Corp A light-emitting device
KR20050051920A (ko) * 2003-11-28 2005-06-02 삼성전자주식회사 플립칩형 질화물계 발광소자 및 그 제조방법
US20050274971A1 (en) * 2004-06-10 2005-12-15 Pai-Hsiang Wang Light emitting diode and method of making the same
CN1734798B (zh) * 2004-08-02 2010-04-28 晶元光电股份有限公司 具有透明导电层的全方位反射器发光二极管
TWI244748B (en) * 2004-10-08 2005-12-01 Epistar Corp A light-emitting device with a protecting structure
TWI243492B (en) * 2004-11-03 2005-11-11 Epistar Corp Light-emitting diodes
TWI272037B (en) * 2005-03-31 2007-01-21 Au Optronics Corp Organic electroluminescent display panel
US20070019699A1 (en) * 2005-07-22 2007-01-25 Robbins Virginia M Light emitting device and method of manufacture
CN101385145B (zh) * 2006-01-05 2011-06-08 伊鲁米特克斯公司 用于引导来自led的光的分立光学装置
US20100084679A1 (en) * 2006-01-06 2010-04-08 Epistar Corporation Light-emitting device
US8087960B2 (en) * 2006-10-02 2012-01-03 Illumitex, Inc. LED system and method
US20090275266A1 (en) * 2006-10-02 2009-11-05 Illumitex, Inc. Optical device polishing
JP5306589B2 (ja) 2006-11-17 2013-10-02 シャープ株式会社 半導体発光素子及びその製造方法
KR20100122485A (ko) * 2008-02-08 2010-11-22 일루미텍스, 인크. 발광체층 쉐이핑을 위한 시스템 및 방법
EP2280427B1 (de) * 2008-04-25 2013-08-21 LG Innotek Co., Ltd Leuchtdiode
US20100012175A1 (en) 2008-07-16 2010-01-21 Emcore Solar Power, Inc. Ohmic n-contact formed at low temperature in inverted metamorphic multijunction solar cells
TW201034256A (en) * 2008-12-11 2010-09-16 Illumitex Inc Systems and methods for packaging light-emitting diode devices
US8585253B2 (en) 2009-08-20 2013-11-19 Illumitex, Inc. System and method for color mixing lens array
US8449128B2 (en) * 2009-08-20 2013-05-28 Illumitex, Inc. System and method for a lens and phosphor layer
KR102688666B1 (ko) * 2017-01-20 2024-07-25 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 반도체 소자 및 이를 포함하는 반도체 소자 패키지

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000091628A (ja) * 1998-09-09 2000-03-31 Murata Mfg Co Ltd 半導体発光素子
EP1115271A1 (de) * 1999-05-27 2001-07-11 TDK Corporation Lichtemittierende diode
DE10118447A1 (de) * 2000-11-07 2002-05-16 United Epitaxy Co Ltd Leuchtdiode und Verfahren zum Herstellen derselben

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5376580A (en) * 1993-03-19 1994-12-27 Hewlett-Packard Company Wafer bonding of light emitting diode layers
US5670798A (en) * 1995-03-29 1997-09-23 North Carolina State University Integrated heterostructures of Group III-V nitride semiconductor materials including epitaxial ohmic contact non-nitride buffer layer and methods of fabricating same
JP3208073B2 (ja) * 1996-02-09 2001-09-10 松下電器産業株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP3439063B2 (ja) * 1997-03-24 2003-08-25 三洋電機株式会社 半導体発光素子および発光ランプ
JP3517867B2 (ja) * 1997-10-10 2004-04-12 豊田合成株式会社 ＧａＮ系の半導体素子
JP3795298B2 (ja) * 2000-03-31 2006-07-12 豊田合成株式会社 Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法
JP2002170985A (ja) * 2000-09-19 2002-06-14 Natl Science Council Of Roc 緑青白非晶質ｐ−ｉ−ｎ薄膜発光ダイオード及びその製造方法
TW493286B (en) * 2001-02-06 2002-07-01 United Epitaxy Co Ltd Light-emitting diode and the manufacturing method thereof
TW492202B (en) * 2001-06-05 2002-06-21 South Epitaxy Corp Structure of III-V light emitting diode (LED) arranged in flip chip configuration having structure for preventing electrostatic discharge
US6768855B1 (en) * 2001-07-05 2004-07-27 Sandia Corporation Vertically-tapered optical waveguide and optical spot transformer formed therefrom
US20030129447A1 (en) * 2001-09-19 2003-07-10 Eastman Kodak Company Sputtered cathode having a heavy alkaline metal halide-in an organic light-emitting device structure
JP4166455B2 (ja) * 2001-10-01 2008-10-15 株式会社半導体エネルギー研究所 偏光フィルム及び発光装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000091628A (ja) * 1998-09-09 2000-03-31 Murata Mfg Co Ltd 半導体発光素子
EP1115271A1 (de) * 1999-05-27 2001-07-11 TDK Corporation Lichtemittierende diode
DE10118447A1 (de) * 2000-11-07 2002-05-16 United Epitaxy Co Ltd Leuchtdiode und Verfahren zum Herstellen derselben

Also Published As

Publication number Publication date
JP4113107B2 (ja) 2008-07-09
DE10357783A1 (de) 2004-08-19
JP2004235615A (ja) 2004-08-19
TW200414565A (en) 2004-08-01
US20040149996A1 (en) 2004-08-05
US7161301B2 (en) 2007-01-09
TW579610B (en) 2004-03-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE10357783B4 (de) Nitrid-Lichtemissionsbauteil
DE102005006822B4 (de) Lichtemissions-Bauteil mit organischem Kleber und mit Vertikalstruktur
DE102005031612B4 (de) LED mit einem omnidirektionalen Reflektor und einer transparenten, leitenden Schicht und omnidirektionaler Reflektor für eine LED
DE102005013264B4 (de) Herstellverfahren für eine Festkörperelementvorrichtung
DE102005008097A1 (de) Flip-Chip-Lichtemissionsbauteil
DE102005006821B4 (de) Lichtemissions-Bauteil mit organischem Kleber
DE102005031613B4 (de) LED und LED-Array mit einer jeweiligen Kleberschicht
DE102006002683B4 (de) Licht emittierendes Bauteil
DE102014108572B4 (de) Licht emittierendes Element
DE102008063757B4 (de) Halbleiterbauteil
DE10112542B9 (de) Strahlungsemittierendes optisches Bauelement
DE112017006432T5 (de) Hochzuverlässige lumineszenzdiode
DE112015003963T5 (de) Leuchtdiode
DE112011103186T5 (de) Lichtemittierende Diodeneinheit auf Waferebene und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE112014002241T5 (de) Lumineszenzdiodenmodul mit durch Lötpaste verbundener Lumineszenzdiode und Lumineszenzdiode
DE102005040522B4 (de) Licht emittierendes Halbleiterbauteil und Verfahren zur Herstellung eines solchen
DE102008050538A1 (de) Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102005051273B4 (de) Leuchtdiode
DE202006021128U1 (de) Subträger zur Montage einer lichtemittierenden Vorrichtung und Paket für die lichtemittierende Vorrichtung
DE102007021986B4 (de) Halbleitereinrichtung mit integriertem metallischen Kühlkörper und Verfahren zu deren Herstellung
DE102013110114A1 (de) Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils
DE102004061949B4 (de) LED mit organischer Kleberschicht
EP1528603A2 (de) Lumineszenzdiodenchip
WO2019175334A1 (de) Optoelektronischer halbleiterchip und herstellungsverfahren für einen optoelektronischen halbleiterchip
EP2599131A1 (de) Strahlungsemittierender halbleiterchip und verfahren zur herstellung eines strahlungsemittierenden halbleiterchips

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8364 No opposition during term of opposition
R071 Expiry of right