DE10322021A1 - Lichtsender mit einer spannungsabhängigen Widerstandsschicht - Google Patents

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Abstract

Ein Lichtsender beinhaltet einen emittierenden Stapel, eine erste Elektrode, eine zweite Elektrode und eine spannungsabhängige Widerstandsschicht. Der emittierende Stapel weist einen ersten Oberflächenbereich und einen zweiten Oberflächenbereich auf. Die erste Elektrode ist auf dem ersten Oberflächenbereich des emittierenden Stapels angeordnet. Die zweite Elektrode ist auf dem zweiten Oberflächenbereich des emittierenden Stapels angeordnet. Die spannungsabhängige Widerstandsschicht ist mit der ersten und zweiten Elektrode verbunden und wird während der Bildung des Lichtsenders gebildet, wodurch die Ausbeute des Lichtsenders verbessert wird.

Description

  • 1. Gebiet der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung betrifft einen Lichtsender und insbesondere einen Lichtsender mit einer spannungsabhängigen Widerstandsschicht.
  • Lichtsender werden weithin in optischen Anzeigen, Laserdioden, Verkehrsampeln, Datenspeicherungsvorrichtungen, Beleuchtungsanlagen und medizinischen Anlagen verwendet.
  • Es wird auf 1 Bezug genommen. 1 zeigt einen gepackten Lichtsender 100 des Standes der Technik. Wie in 1 gezeigt, ist ein Lichtsender 100 mit einer Gruppe von Zenerdioden 104 zum Abgeben von statischer Elektrizität gepackt, um eine Beschädigung des Lichtsenders 102 zu vermeiden. Die Zenerdioden 104 werden jedoch verbunden, wenn der Lichtsender 102 gepackt wird. Daher existiert kein Element, um die statische Elektrizität vor dem Packen des Lichtsenders 102 zu entladen. Außerdem kann der Lichtsender 102 durch statische Elektrizität beschädigt werden, bevor er gepackt wird. Des weiteren verkompliziert die Einführung der Zenerdioden 104 den Packprozess, wodurch Zusatzkosten verursacht werden.
  • Es wird auf 2 Bezug genommen. 2 zeigt eine mit einer Siliziumdotierten Diode 152 gebondete Leuchtdiode 150, wie sie in der veröffentlichten US-Patentanmeldung 2002/0179914 offenbart ist. Die Silizium-dotierte Diode 152 ist mit der Leuchtdiode 150 durch eine kovalente Bindung verbunden: Die Silizium-dotierte Diode 152 wird dazu verwendet, auf der Leuchtdiode 150 akkumulierte statische Elektrizität abzugeben, um eine Beschädigung der Leuchtdiode zu verhindern. Die kovalente Bindung zwischen der Silizium-dotierten Diode 152 und der Leuchtdiode 150 wird jedoch gebildet, nachdem die Leuchtdiode 150 ausgebildet wurde. Daher kann die Leuchtdiode 15O beschädigt werden, bevor die kovalente Bindung gebildet wird. Außerdem verursacht die kovalente Bindung auch zusätzlichen Aufwand für die Struktur.
    •
  • Die vorliegende Erfindung soll daher einen Lichtsender mit einer spannungsabhängigen Widerstandsschicht bereit stellen, um die zuvor geschilderten Probleme zu lösen.
  • Gemäß der ersten beanspruchten Erfindung umfasst der Lichtsender ein Substrat und einen auf dem Substrat ausgebildeten emittierenden Stapel. Der emittierende Stapel umfasst eine erste Kontaktschicht mit einem ersten Oberflächenbereich und einem zweiten Oberflächenbereich, eine auf dem ersten Oberflächenbereich ausgebildete erste Mantelschicht, eine auf der ersten Mantelschicht ausgebildete emittierende Schicht, eine auf der emittierenden Schicht ausgebildete zweite Mantelschicht und eine auf der zweiten Mantelschicht ausgebildete zweite Kontaktschicht. Der Lichtsender umfasst weiterhin eine auf dem zweiten Oberflächenbereich der ersten Kontaktschicht ausgebildete erste Elektrode, eine auf der zweiten Kontaktschicht ausgebildete zweite Elektrode, und eine auf dem emittierenden Stapel ausgebildete und mit der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode verbundene spannungsabhängige Widerstandsschicht.
  • Gemäß der zweiten beanspruchten Erfindung umfasst der Lichtsender ein transparentes Substrat und einen auf dem transparenten Substrat ausgebildeten emittierenden Stapel. Der emittierende Stapel umfasst eine erste Kontaktschicht mit einem ersten Oberflächenbereich und einem zweiten Oberflächenbereich, eine auf dem ersten Oberflächenbereich . ausgebildete erste Mantelschicht, eine auf der ersten Mantelschicht ausgebildete emittierende Schicht, eine auf der emittierenden Schicht ausgebildete zweite Mantelschicht, und eine auf der zweiten Mantelschicht ausgebildete zweite Kontaktschicht. Der Lichtsender umfasst weiterhin eine auf dem zweiten Oberflächenbereich der ersten Kontaktschicht ausgebildete erste Elektrode, eine auf der zweiten Kontaktschicht ausgebildete zweite Elektrode, eine auf der ersten Elektrode ausgebildete erste Lotschicht, eine auf der zweiten Elektrode ausgebildete zweite Lotschicht, eine auf der ersten Lotschicht ausgebildete erste Metallschicht, eine auf der zweiten Lotschicht ausgebildete zweite Metallschicht, und eine mit der ersten Metallschicht und der zweiten Metallschicht verbundene spannungsabhängige Widerstandsschicht, und einen auf der ersten Metallschicht, der zweiten Metallschicht und der spannungsabhängigen Widerstandsschicht ausgebildeten Träger.
  • Gemäß der dritten beanspruchten Erfindung umfasst der Lichtsender eine erste Elektrode, ein auf der ersten Elektrode ausgebildetes leitfähiges Substrat, eine auf dem leitfähigen Substrat ausgebildete Schicht eines verteilten Bragg-Reflektors, eine auf der Schicht eines verteilten Bragg-Reflektors ausgebildete erste Mantelschicht, eine auf der ersten Mantelschicht ausgebildete emittierende Schicht, eine auf der emittierenden Schicht ausgebildete zweite Mantelschicht, eine auf der zweiten Mantelschicht ausgebildete zweite Kontaktschicht eine auf der zweiten Kontaktschicht ausgebildete zweite Elektrode, und eine mit der ersten, Elektrode und der zweiten Elektrode verbundene spannungsabhängige Widerstandsschicht.
  • Diese und andere Ziele der beanspruchten Erfindung werden ohne Zweifel für den Fachmann nach dem Studium der folgenden detaillierten Beschreibung des bevorzugten Ausführungsform deutlich, die in den verschiedenen Figuren und Zeichnungen dargestellt ist.
    •
  • 1 zeigt einen gepackten Lichtsender des Standes der Technik.
  • 2 zeigt eine mit einer Silizium-dotierten Diode verbundene, in der veröffentlichten US-Patentanmeldung 2002/0179914 offenbarte Leuchtdiode.
  • 3 zeigt einen ersten Lichtsender gemäß der vorliegenden Erfindung.
  • 4 zeigt eine Strom-.Spannungs-Beziehung der. spannungsabhängigen Widerstandsschicht in 3..
  • 5 ist ein Ersatzschaltbild des Lichtsenders in 3.
  • 6 zeigt einen zweiten Lichtsender gemäß der vorliegenden Erfindung.
  • 7 zeigt einen dritten Lichtsender gemäß der vorliegenden Erfindung.
  • Detaillierte Beschreibung
  • Es wird auf 3 Bezug genommen. 3 zeigt einen ersten Lichtsender 1 gemäß der vorliegenden Erfindung. Der Lichtsender 1 umfasst ein Substrat 10 und einen auf dem Substrat 10 ausgebildeten emittierenden Stapel 9. Der emittierende Stapel 9 umfasst eine erste Kontaktschicht 11 mit einem ersten Oberflächenbereich und einem zweiten Oberflächenbereich, eine auf dem ersten Oberflächenbereich ausgebildete erste Mantelschicht 12, eine auf der ersten Mantelschicht 12 ausgebildete emittierende Schicht 13, eine auf der emittierenden Schicht 13 ausgebildete zweite Mantelschicht 14 und eine auf der zweiten Mantelschicht 14 ausgebildete zweite Kontaktschicht 15. Der Lichtsender 1 umfasst weiterhin eine auf dem zweiten Oberflächenbereich der ersten Kontaktschicht 11 ausgebildete erste Elektrode 16, eine auf der zweiten Kontaktschicht 15 ausgebildete zweite Elektrode 17, und eine auf dem emittierenden Stapel 9 ausgebildete und mit der ersten Elektrode 16 und der zweiten Elektrode 17 verbundene spannungsabhängige Widerstandsschicht 18.
  • Es wird auf 4 Bezug genommen. 4 zeigt eine Strom-Spannungs-Beziehung der spannungsabhängigen Widerstandsschicht 18. Wenn die Spannung über der spannungsabhängigen Widerstandsschicht 18 zwischen -VS und VS liegt, zeigt die spannungsabhängigen Widerstandsschicht 18 einen sehr hohen Widerstand, und der Strom ist minimal. Wenn die Spannung über der spannungsabhängigen Widerstandsschicht 18 nicht zwischen -VS und VS liegt, verringert sich der Widerstand der spannungsabhängigen Widerstandsschicht 18, wenn die Spannung ansteigt. Daher werden, wenn die durch statische Elektrizität induzierte Spannung über der spannungsabhängigen Widerstandsschicht 18 höher als VS oder niedriger als -VS ist, elektrische Ladungen durch die spannungsabhängige Widerstandsschicht 18 abgegeben.
  • Es wird auf 5 Bezug genommen. 5 ist ein Ersatzschaltbild des Lichtsenders 1. Wenn die durch statische Elektrizität induzierte Spannung über der spannungsabhängigen Widerstandsschicht 18 höher als Vs oder niedriger als -Vs ist, werden elektrische Ladungen eher durch die spannungsabhängige Widerstandsschicht 18 als durch den emittierenden Stapel 9 abgegeben, somit wird verhindert, dass der emittierende Stapel 9 durch elektrische Ladungen beschädigt wird.
  • Es wird auf 6 Bezug genommen. 6 zeigt einen zweiten Lichtsender 2 gemäß der vorliegenden Erfindung. Der Lichtsender 2 umfasst ein transparentes Substrat 20 und einen auf dem transparenten Substrat 20 ausgebildeten emittierenden Stapel 19. Der emittierende Stapel 19 umfasst eine erste Kontaktschicht 21 mit einem ersten Oberflächenbereich und einem zweiten Oberflächenbereich, eine auf dem ersten Oberflächenbereich ausgebildete erste Mantelschicht 22, eine auf der ersten Mantelschicht 22 ausgebildete emittierende Schicht 23, eine auf der emittierenden Schicht 23 ausgebildete zweite Mantelschicht 24, und eine auf der zweiten Mantelschicht 24 ausgebildete zweite Kontaktschicht 25. Der Lichtsender 2 umfasst weiterhin eine auf dem zweiten Oberflächenbereich der ersten Kontaktschicht 21 ausgebildete erste Elektrode 26, eine auf der zweiten Kontaktschicht 25 ausgebildete zweite Elektrode 27, eine auf der ersten Elektrode 26 ausgebildete erste Lotschicht 28, eine auf der zweiten Elektrode 27 ausgebildete zweite Lotschicht 29, eine auf der ersten Lotschicht 28 ausgebildete erste Metallschicht 200, eine auf der zweiten Lotschicht 29 ausgebildete zweite Metallschicht 201, und eine mit der ersten Metallschicht 200 und der zweiten Metallschicht 201 verbundene spannungsabhängige Widerstandsschicht 202, und einen auf der ersten Metallschicht 200, der zweiten Metallschicht 201 und der spannungsabhängigen Widerstandsschicht 202 ausgebildeten Träger 203.
  • Es wird auf 7 Bezug genommen. 7 zeigt einen dritten Lichtsender 3 gemäß der vorliegenden Erfindung. Der Lichtsender 3 umfasst eine erste Elektrode 36, ein auf der ersten Elektrode 36 ausgebildetes leitfähiges Substrat 30, eine auf dem leitfähigen Substrat 30 ausgebildete Schicht 31 eines verteilten Bragg-Reflektors, eine auf der Schicht 31 eines verteilten Bragg-Reflektors ausgebildete erste Mantelschicht 32, eine auf der ersten Mantelschicht 32 ausgebildete emittierende Schicht 33, eine auf der emittierenden Schicht 33 ausgebildete zweite Mantelschicht 34, eine auf der zweiten Mantelschicht 34 ausgebildete zweite Kontaktschicht 35, eine auf der zweiten Kontaktschicht 35 ausgebildete zweite Elektrode 37, und eine mit der ersten Elektrode 36 und der zweiten Elektrode 37 verbundene spannungsabhängige Widerstandsschicht 38.
  • Eine erste transparente Oxidleitungsschicht 7 kann zwischen. der ersten Elektrode 16, 26 und dem zweiten Oberflächenbereich der ersten Kontaktschicht 11, 21 des Lichtsenders 1,2 angeordnet sein. Eine zweite transparente Oxidleitungsschicht 8 kann zwischen der zweiten Elektrode 17, 27, 37 und dem zweiten Kontaktschicht 15, 25, 35 des Lichtsenders 1,2, 3 angeordnet sein. Das Substrat 10 umfasst zumindest ein Material ausgewählt aus einer Gruppe bestehend aus Si, GaAs, SiC, GaP, AlGaAs, GaAsP, Al2O3, Glassmaterialien, und andere austauschbare Materialien. Das transparente Substrat 20 umfasstzumindest ein Material ausgewählt aus einer Gruppe bestehend aus GaP, AlGaAs, GaAsP, Al2O3, Glassmaterialien, und andere austauschbare Materialien. Das leitfähige Substrat 30 umfasst zumindest ein Material ausgewählt aus einer Gruppe bestehend aus GaP, AlGaAs, GaAsP, SiC, GaAs, Si, und andere austauschbare Materialien. Jede der transparenten Oxidleitungsschichten umfasst zumindest ein Material ausgewählt aus einer Gruppe bestehend aus Indium-Zinn-Oxid, Cadmium-Zinn-Oxid, Antimon-Zinn-Oxid, Zinkoxid, Zink-Zinn-Oxid, und andere austauschbare Materialien. Die erste Mantelschicht 12, 22, 32 umfasst zumindest ein Material ausgewählt aus einer Gruppe bestehend aus AlGaInP, AlN, GaN, AlGaN, InGaN, AlGaInN Si, GaAs, SiC, GaP, AlGaAs, GaAsP, Al2O3, Glassmaterialien, und andere austauschbare Materialien. Die emittierende Schicht 13, 23, 33 umfasst zumindest ein Material ausgewählt aus einer Gruppe bestehend aus AlGaInP, GaN, AlGaN, InGaN, AlGaInN, und andere austauschbare Materialien. Die zweite Mantelschicht 14, 24, 34 umfasst zumindest ein Material ausgewählt aus einer Gruppe bestehend aus AlGaInP, AlN, GaN, AlGaN, InGaN, AlGaInN und andere austauschbare Materialien. Die erste Kontaktschicht 11, 21 umfasst zumindest ein Material ausgewählt aus einer Gruppe bestehend aus GaP, GaAs, GaAsP, InGaP, AlGaAlP, AlGaAs, GaN, InGaN, AlGaN, AlGaInN und andere austauschbare Materialien. Die zweite Kontaktschicht 15, 25, 35 umfasst zumindest ein Material ausgewählt aus einer Gruppe bestehend aus GaP, GaAs, GaAsP, InGaP, AlGaAlP, AlGaAs, GaN, InGaN, AlGaN, AlGaInN und andere austauschbare Materialien. Die Schicht 31 eines verteilten Bragg-Reflektors umfasst zumindest ein Material ausgewählt aus einer Gruppe bestehend aus AlAs, GaAs, AlGaAs und andere austauschbare Materialien. Die spannungsabhängige Widerstandsschicht 18, 202, 38 umfasst zumindest ein Material ausgewählt aus einer Gruppe beste hend aus ZnO, CaF2, ZnS, TiO2, Al-Al2O3-Au, Co-NiO, Polymethylmethacrylat, SrTiO3, und andere austauschbare Materialien.
  • Im Vergleich zum Stand der Technik wird die spannungsabhängige Widerstandsschicht 18, 202, 38, die dazu verwendet wird, elektrische Ladungen abzugeben, während der Bildung des Lichtsenders 1,2, 3 gebildet, somit wird die Ausbeute des Lichtsenders 1, 2, 3 deutlich erhöht. Des weiteren ist, nachdem der Lichtsender 1, 2, 3 gebildet ist, kein nachfolgender Prozess benötigt, um eine Beschädigung durch statische Elektrizitätsentladungen zu vermeiden.
  • Die Fachleute werden einfach feststellen, dass zahlreiche Modifikationen und Änderungen des Lichtsenders durchgeführt werden können, während die Lehren der Erfindung beibehalten werden. Folglich sollte die obige Offenbarung so ausgelegt werden, dass sie lediglich durch Maß und Ziel der anhängenden Ansprüche begrenzt werden.

Claims (25)

  1. Lichtsender, umfassend: einen emittierenden Stapel mit einem ersten Oberflächenbereich und einem zweiten Oberflächenbereich; eine auf dem ersten Oberflächenbereich des emittierenden Stapels ausgebildete erste Elektrode; eine auf dem zweiten Oberflächenbereich des emittierenden Stapels ausgebildete zweite Elektrode; und eine mit der ersten und der zweiten Elektrode verbundene spannungsabhängige Widerstandsschicht.
  2. Lichtsender nach Anspruch 1, worin die ersten und zweiten Oberflächenbereiche auf der selben Seite des emittierenden Stapels liegen.
  3. Lichtsender nach Anspruch 1, worin die ersten und zweiten Oberflächenbereiche auf verschiedenen Seiten des emittierenden Stapels liegen.
  4. Lichtsender nach Anspruch 1, weiterhin umfassend ein Substrat, wobei der emittierende Stapel umfasst: eine auf dem Substrat ausgebildete erste Kontaktschicht; eine auf einem ersten Oberflächenbereich der ersten Kontaktschicht ausgebildete erste Mantelschicht; eine auf der ersten Mantelschicht ausgebildete emittierende Schicht; eine auf der emittierenden Schicht ausgebildete zweite Mantelschicht; eine auf der zweiten Mantelschicht ausgebildete zweite Kontaktschicht; wobei die erste Elektrode auf einem zweiten Oberflächenbereich der ersten Kontaktschicht, und die zweite Elektrode auf der zweiten Kontaktschicht angeordnet ist.
  5. Lichtsender nach Anspruch 4, worin das Substrat mindestens ein Material umfasst, ausgewählt aus einer Gruppe bestehend aus Si, GaAs, SiC> GaP, AlGaAs, GaAsP, Al2O3, und Glasmaterialien.
  6. Lichtsender nach Anspruch 4, worin jede der Kontaktschichten mindestens ein Material umfasst, ausgewählt aus einer Gruppe bestehend aus GaP, GaAs, GaAsP, InGaP, AlGaInP, AlGaAs, GaN, InGaN, AlGaN, und Al-GaInN.
  7. Lichtsender nach Anspruch 4, worin jede der Mantelschichten mindestens ein Material umfasst, ausgewählt aus einer Gruppe bestehend aus AlGaInP, AlN, GaN, AlGaN, InGaN, und AlGaInN.
  8. Lichtsender nach Anspruch 4, worin die emittierende Schicht mindestens ein Material umfasst, ausgewählt aus einer Gruppe bestehend aus AlGaInP, GaN, InGaN, und AlGaInN.
  9. Lichtsender nach Anspruch 4, weiterhin umfassend eine zwischen der ersten Elektrode und dem zweiten Oberflächenbereich der ersten Kontaktschicht ausgebildete erste transparente Oxidleitungsschicht, und eine zwischen der zweiten Elektrode und der zweiten Kontaktschicht ausgebildete zweite transparente Oxidleitungsschicht, wobei jede der transparenten Oxidleitungsschichten mindestens ein Material umfasst, ausgewählt aus einer Gruppe bestehend aus Indium-Zinn-Oxid, Cadmium-Zinn-Oxid, Antimon-Zinn-Oxid, Zinkoxid, und Zink-Zinn-Oxid.
  10. Lichtsender nach Anspruch 1, worin die spannungsabhängige Widerstandsschicht mindestens ein Material umfasst, ausgewählt aus einer Gruppe bestehend aus ZnO, CaF2, ZnS, TiO2, Al-Al2O3-Au, Co-NiO, Polymethylmethacrylat, und SrTi03.
  11. Lichtsender, umfassend: ein transparentes Substrat; eine auf dem Substrat ausgebildete erste Kontaktschicht, wobei die erste Kontaktschicht einen ersten Oberflächenbereich und einen zweiten Oberflächenbereich aufweist; eine auf dem ersten Oberflächenbereich ausgebildete erste Mantelschicht; eine auf der ersten Mantelschicht ausgebildete emittierende Schicht; eine auf der emittierenden Schichtausgebildete zweite Mantelschicht; eine auf der zweiten Mantelschicht ausgebildete zweite Kontaktschicht; eine auf dem zweiten Oberflächenbereich ausgebildete erste Elektrode; eine auf der zweiten Kontaktschicht ausgebildete zweite Elektrode; eine auf der ersten Elektrode ausgebildete erste Lotschicht; eine auf der zweiten Elektrode ausgebildete zweite Lotschicht; eine auf der ersten Lotschicht ausgebildete erste Metallschicht; eine auf der zweiten Lotschicht ausgebildete zweite Metallschicht; und eine mit der ersten und der zweiten Metallschicht verbundene spannungsabhängige Widerstandsschicht.
  12. Lichtsender nach Anspruch 11, worin das transparente Substrat mindestens ein Material umfasst, ausgewählt aus einer Gruppe bestehend aus GaP, AlGaAs, GaAsP, Al2O3, und Glasmaterialien.
  13. Lichtsender nach Anspruch 11, worin jede der Kontaktschichten mindestens ein Material umfasst, ausgewählt aus einer Gruppe bestehend aus GaP, GaAs, GaAsP, InGaP, AlGaInP, AlGaAs, GaN, InGaN, AlGaN, und AlGaInN.
  14. Lichtsender nach Anspruch 11, worin jede der Mantelschichten mindestens ein Material umfasst, ausgewählt aus einer Gruppe bestehend aus AlGaInP, AlN, GaN, AlGaN, InGaN, und AlGaInN.
  15. Lichtsender nach Anspruch 11, worin die emittierende Schicht mindestens ein Material umfasst, ausgewählt aus einer Gruppe bestehend aus AlGaInP, GaN, InGaN, und AlGaInN.
  16. Lichtsender nach Anspruch 11, weiterhin umfassend eine zwischen der ersten Elektrode und dem zweiten Oberflächenbereich der ersten Kontaktschicht ausgebildete erste transparente Oxidleitungsschicht, und eine zwischen der zweiten Elektrode und der zweiten Kontaktschicht ausgebildete zweite transparente Oxidleitungsschicht, wobei jede der transparenten Oxidleitungsschichten mindestens ein Material umfasst, ausgewählt aus einer Gruppe bestehend aus Indium-Zinn-Oxid, Cadmium-Zinn-Oxid, Antimon-Zinn-Oxid, Zinkoxid, und Zink-Zinn-Oxid.
  17. Lichtsender nach Anspruch 1 1, worin die spannungsabhängige Widerstandsschicht mindestens ein Material umfasst, ausgewählt aus einer Gruppe bestehend aus ZnO, CaF2, ZnS, TiO2, Al-Al2O3-Au, Co-NiO, Polymethylmethacrylat, und SrTiO3.
  18. Lichtsender, umfassend: eine erste Elektrode; ein auf der ersten Elektrode ausgebildetes leitfähiges Substrat; eine auf dem leitfähigen Substrat ausgebildete Schicht eines verteilten Bragg-Reflektors; eine auf der Schicht eines verteilten Bragg-Reflektors ausgebildete erste Mantelschicht; eine auf der ersten Mantelschicht ausgebildete emittierende Schicht; eine auf der emittierenden Schicht ausgebildete zweite Mantelschicht; eine auf der zweiten Mantelschicht ausgebildete zweite Kontaktschicht; eine auf der zweiten Kontaktschicht ausgebildete zweite Elektrode; und eine mit der ersten und der zweiten Elektrode verbundene spannungsabhängige Widerstandsschicht.
  19. Lichtsender nach Anspruch 18, worin das leitfähige Substrat mindestens ein Material umfasst, ausgewählt aus einer Gruppe bestehend aus GaP, AlGaAs, GaAsP, SiC, Si, und GaAs.
  20. Lichtsender nach Anspruch 18, worin die Schicht eines verteilten Bragg-Reflektors mindestens ein Material umfasst, ausgewählt aus einer Gruppe bestehend aus AlAs, GaAs, und AlGaAs.
  21. Lichtsender nach Anspruch 18, worin jede der Mantelschichten mindestens ein Material umfasst, ausgewählt aus einer Gruppe bestehend aus AlGaInP, AlN, GaN, AlGaN, InGaN, und AlGaInN.
  22. Lichtsender nach Anspruch 18, worin die emittierende Schicht mindestens ein Material umfasst, ausgewählt aus einer Gruppe bestehend aus AlGaInP, GaN, InGaN, und AlGaInN.
  23. Lichtsender nach Anspruch 18, worin die zweite Kontaktschicht mindestens ein Material umfasst, ausgewählt aus einer Gruppe bestehend aus GaP, GaAs, GaAsP, InGaP, LaGaInP, AlGaAs, GaN, InGaN, AlGaN, und AlGaInN.
  24. Lichtsender nach Anspruch 18, weiterhin umfassend eine zwischen der zweiten Elektrode und der zweiten Kontaktschicht ausgebildete zweite transparente Oxidleitungsschicht, wobei die zweite transparente Oxidleitungsschicht mindestens ein Material umfasst, ausgewählt aus einer Gruppe bestehend aus Indium-Zinn-Oxid, Cadmium-Zinn-Oxid, Antimon-Zinn-Oxid, Zinkoxid; und Zink-Zinn-Oxid.
  25. Lichtsender nach Anspruch 18, worin die spannungsabhängige Widerstandsschicht mindestens ein Material umfasst, ausgewählt aus einer Gruppe bestehend aus ZnO, CaF2, ZnS, TiO2, Al-Al2O3-Au, Co-NiO, Polymethylmethacrylat, und SrTiO3.
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