DE10322021A1 - Lichtsender mit einer spannungsabhängigen Widerstandsschicht - Google Patents

Lichtsender mit einer spannungsabhängigen Widerstandsschicht Download PDF

Info

Publication number
DE10322021A1
DE10322021A1 DE10322021A DE10322021A DE10322021A1 DE 10322021 A1 DE10322021 A1 DE 10322021A1 DE 10322021 A DE10322021 A DE 10322021A DE 10322021 A DE10322021 A DE 10322021A DE 10322021 A1 DE10322021 A1 DE 10322021A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
layer
light transmitter
electrode
group
material selected
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
DE10322021A
Other languages
English (en)
Inventor
Wen-Huang Liu
Po-Chun Liu
Min-Hsun Hsieh
Tzu-Feng Tseng
Chen Ou
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Epistar Corp
Original Assignee
Epistar Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Epistar Corp filed Critical Epistar Corp
Publication of DE10322021A1 publication Critical patent/DE10322021A1/de
Ceased legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/0556—Disposition
    • H01L2224/05568—Disposition the whole external layer protruding from the surface
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/05573—Single external layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/05599—Material
    • H01L2224/056—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
    • H01L2224/0601—Structure
    • H01L2224/0603—Bonding areas having different sizes, e.g. different heights or widths
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
    • H01L2224/061—Disposition
    • H01L2224/06102—Disposition the bonding areas being at different heights
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/14—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of a plurality of bump connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/17—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of a plurality of bump connectors
    • H01L2224/1701—Structure
    • H01L2224/1703—Bump connectors having different sizes, e.g. different diameters, heights or widths
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L24/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L24/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L24/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

Ein Lichtsender beinhaltet einen emittierenden Stapel, eine erste Elektrode, eine zweite Elektrode und eine spannungsabhängige Widerstandsschicht. Der emittierende Stapel weist einen ersten Oberflächenbereich und einen zweiten Oberflächenbereich auf. Die erste Elektrode ist auf dem ersten Oberflächenbereich des emittierenden Stapels angeordnet. Die zweite Elektrode ist auf dem zweiten Oberflächenbereich des emittierenden Stapels angeordnet. Die spannungsabhängige Widerstandsschicht ist mit der ersten und zweiten Elektrode verbunden und wird während der Bildung des Lichtsenders gebildet, wodurch die Ausbeute des Lichtsenders verbessert wird.

Description

  • 1. Gebiet der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung betrifft einen Lichtsender und insbesondere einen Lichtsender mit einer spannungsabhängigen Widerstandsschicht.
  • Lichtsender werden weithin in optischen Anzeigen, Laserdioden, Verkehrsampeln, Datenspeicherungsvorrichtungen, Beleuchtungsanlagen und medizinischen Anlagen verwendet.
  • Es wird auf 1 Bezug genommen. 1 zeigt einen gepackten Lichtsender 100 des Standes der Technik. Wie in 1 gezeigt, ist ein Lichtsender 100 mit einer Gruppe von Zenerdioden 104 zum Abgeben von statischer Elektrizität gepackt, um eine Beschädigung des Lichtsenders 102 zu vermeiden. Die Zenerdioden 104 werden jedoch verbunden, wenn der Lichtsender 102 gepackt wird. Daher existiert kein Element, um die statische Elektrizität vor dem Packen des Lichtsenders 102 zu entladen. Außerdem kann der Lichtsender 102 durch statische Elektrizität beschädigt werden, bevor er gepackt wird. Des weiteren verkompliziert die Einführung der Zenerdioden 104 den Packprozess, wodurch Zusatzkosten verursacht werden.
  • Es wird auf 2 Bezug genommen. 2 zeigt eine mit einer Siliziumdotierten Diode 152 gebondete Leuchtdiode 150, wie sie in der veröffentlichten US-Patentanmeldung 2002/0179914 offenbart ist. Die Silizium-dotierte Diode 152 ist mit der Leuchtdiode 150 durch eine kovalente Bindung verbunden: Die Silizium-dotierte Diode 152 wird dazu verwendet, auf der Leuchtdiode 150 akkumulierte statische Elektrizität abzugeben, um eine Beschädigung der Leuchtdiode zu verhindern. Die kovalente Bindung zwischen der Silizium-dotierten Diode 152 und der Leuchtdiode 150 wird jedoch gebildet, nachdem die Leuchtdiode 150 ausgebildet wurde. Daher kann die Leuchtdiode 15O beschädigt werden, bevor die kovalente Bindung gebildet wird. Außerdem verursacht die kovalente Bindung auch zusätzlichen Aufwand für die Struktur.
    •
  • Die vorliegende Erfindung soll daher einen Lichtsender mit einer spannungsabhängigen Widerstandsschicht bereit stellen, um die zuvor geschilderten Probleme zu lösen.
  • Gemäß der ersten beanspruchten Erfindung umfasst der Lichtsender ein Substrat und einen auf dem Substrat ausgebildeten emittierenden Stapel. Der emittierende Stapel umfasst eine erste Kontaktschicht mit einem ersten Oberflächenbereich und einem zweiten Oberflächenbereich, eine auf dem ersten Oberflächenbereich ausgebildete erste Mantelschicht, eine auf der ersten Mantelschicht ausgebildete emittierende Schicht, eine auf der emittierenden Schicht ausgebildete zweite Mantelschicht und eine auf der zweiten Mantelschicht ausgebildete zweite Kontaktschicht. Der Lichtsender umfasst weiterhin eine auf dem zweiten Oberflächenbereich der ersten Kontaktschicht ausgebildete erste Elektrode, eine auf der zweiten Kontaktschicht ausgebildete zweite Elektrode, und eine auf dem emittierenden Stapel ausgebildete und mit der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode verbundene spannungsabhängige Widerstandsschicht.
  • Gemäß der zweiten beanspruchten Erfindung umfasst der Lichtsender ein transparentes Substrat und einen auf dem transparenten Substrat ausgebildeten emittierenden Stapel. Der emittierende Stapel umfasst eine erste Kontaktschicht mit einem ersten Oberflächenbereich und einem zweiten Oberflächenbereich, eine auf dem ersten Oberflächenbereich . ausgebildete erste Mantelschicht, eine auf der ersten Mantelschicht ausgebildete emittierende Schicht, eine auf der emittierenden Schicht ausgebildete zweite Mantelschicht, und eine auf der zweiten Mantelschicht ausgebildete zweite Kontaktschicht. Der Lichtsender umfasst weiterhin eine auf dem zweiten Oberflächenbereich der ersten Kontaktschicht ausgebildete erste Elektrode, eine auf der zweiten Kontaktschicht ausgebildete zweite Elektrode, eine auf der ersten Elektrode ausgebildete erste Lotschicht, eine auf der zweiten Elektrode ausgebildete zweite Lotschicht, eine auf der ersten Lotschicht ausgebildete erste Metallschicht, eine auf der zweiten Lotschicht ausgebildete zweite Metallschicht, und eine mit der ersten Metallschicht und der zweiten Metallschicht verbundene spannungsabhängige Widerstandsschicht, und einen auf der ersten Metallschicht, der zweiten Metallschicht und der spannungsabhängigen Widerstandsschicht ausgebildeten Träger.
  • Gemäß der dritten beanspruchten Erfindung umfasst der Lichtsender eine erste Elektrode, ein auf der ersten Elektrode ausgebildetes leitfähiges Substrat, eine auf dem leitfähigen Substrat ausgebildete Schicht eines verteilten Bragg-Reflektors, eine auf der Schicht eines verteilten Bragg-Reflektors ausgebildete erste Mantelschicht, eine auf der ersten Mantelschicht ausgebildete emittierende Schicht, eine auf der emittierenden Schicht ausgebildete zweite Mantelschicht, eine auf der zweiten Mantelschicht ausgebildete zweite Kontaktschicht eine auf der zweiten Kontaktschicht ausgebildete zweite Elektrode, und eine mit der ersten, Elektrode und der zweiten Elektrode verbundene spannungsabhängige Widerstandsschicht.
  • Diese und andere Ziele der beanspruchten Erfindung werden ohne Zweifel für den Fachmann nach dem Studium der folgenden detaillierten Beschreibung des bevorzugten Ausführungsform deutlich, die in den verschiedenen Figuren und Zeichnungen dargestellt ist.
    •
  • 1 zeigt einen gepackten Lichtsender des Standes der Technik.
  • 2 zeigt eine mit einer Silizium-dotierten Diode verbundene, in der veröffentlichten US-Patentanmeldung 2002/0179914 offenbarte Leuchtdiode.
  • 3 zeigt einen ersten Lichtsender gemäß der vorliegenden Erfindung.
  • 4 zeigt eine Strom-.Spannungs-Beziehung der. spannungsabhängigen Widerstandsschicht in 3..
  • 5 ist ein Ersatzschaltbild des Lichtsenders in 3.
  • 6 zeigt einen zweiten Lichtsender gemäß der vorliegenden Erfindung.
  • 7 zeigt einen dritten Lichtsender gemäß der vorliegenden Erfindung.
  • Detaillierte Beschreibung
  • Es wird auf 3 Bezug genommen. 3 zeigt einen ersten Lichtsender 1 gemäß der vorliegenden Erfindung. Der Lichtsender 1 umfasst ein Substrat 10 und einen auf dem Substrat 10 ausgebildeten emittierenden Stapel 9. Der emittierende Stapel 9 umfasst eine erste Kontaktschicht 11 mit einem ersten Oberflächenbereich und einem zweiten Oberflächenbereich, eine auf dem ersten Oberflächenbereich ausgebildete erste Mantelschicht 12, eine auf der ersten Mantelschicht 12 ausgebildete emittierende Schicht 13, eine auf der emittierenden Schicht 13 ausgebildete zweite Mantelschicht 14 und eine auf der zweiten Mantelschicht 14 ausgebildete zweite Kontaktschicht 15. Der Lichtsender 1 umfasst weiterhin eine auf dem zweiten Oberflächenbereich der ersten Kontaktschicht 11 ausgebildete erste Elektrode 16, eine auf der zweiten Kontaktschicht 15 ausgebildete zweite Elektrode 17, und eine auf dem emittierenden Stapel 9 ausgebildete und mit der ersten Elektrode 16 und der zweiten Elektrode 17 verbundene spannungsabhängige Widerstandsschicht 18.
  • Es wird auf 4 Bezug genommen. 4 zeigt eine Strom-Spannungs-Beziehung der spannungsabhängigen Widerstandsschicht 18. Wenn die Spannung über der spannungsabhängigen Widerstandsschicht 18 zwischen -VS und VS liegt, zeigt die spannungsabhängigen Widerstandsschicht 18 einen sehr hohen Widerstand, und der Strom ist minimal. Wenn die Spannung über der spannungsabhängigen Widerstandsschicht 18 nicht zwischen -VS und VS liegt, verringert sich der Widerstand der spannungsabhängigen Widerstandsschicht 18, wenn die Spannung ansteigt. Daher werden, wenn die durch statische Elektrizität induzierte Spannung über der spannungsabhängigen Widerstandsschicht 18 höher als VS oder niedriger als -VS ist, elektrische Ladungen durch die spannungsabhängige Widerstandsschicht 18 abgegeben.
  • Es wird auf 5 Bezug genommen. 5 ist ein Ersatzschaltbild des Lichtsenders 1. Wenn die durch statische Elektrizität induzierte Spannung über der spannungsabhängigen Widerstandsschicht 18 höher als Vs oder niedriger als -Vs ist, werden elektrische Ladungen eher durch die spannungsabhängige Widerstandsschicht 18 als durch den emittierenden Stapel 9 abgegeben, somit wird verhindert, dass der emittierende Stapel 9 durch elektrische Ladungen beschädigt wird.
  • Es wird auf 6 Bezug genommen. 6 zeigt einen zweiten Lichtsender 2 gemäß der vorliegenden Erfindung. Der Lichtsender 2 umfasst ein transparentes Substrat 20 und einen auf dem transparenten Substrat 20 ausgebildeten emittierenden Stapel 19. Der emittierende Stapel 19 umfasst eine erste Kontaktschicht 21 mit einem ersten Oberflächenbereich und einem zweiten Oberflächenbereich, eine auf dem ersten Oberflächenbereich ausgebildete erste Mantelschicht 22, eine auf der ersten Mantelschicht 22 ausgebildete emittierende Schicht 23, eine auf der emittierenden Schicht 23 ausgebildete zweite Mantelschicht 24, und eine auf der zweiten Mantelschicht 24 ausgebildete zweite Kontaktschicht 25. Der Lichtsender 2 umfasst weiterhin eine auf dem zweiten Oberflächenbereich der ersten Kontaktschicht 21 ausgebildete erste Elektrode 26, eine auf der zweiten Kontaktschicht 25 ausgebildete zweite Elektrode 27, eine auf der ersten Elektrode 26 ausgebildete erste Lotschicht 28, eine auf der zweiten Elektrode 27 ausgebildete zweite Lotschicht 29, eine auf der ersten Lotschicht 28 ausgebildete erste Metallschicht 200, eine auf der zweiten Lotschicht 29 ausgebildete zweite Metallschicht 201, und eine mit der ersten Metallschicht 200 und der zweiten Metallschicht 201 verbundene spannungsabhängige Widerstandsschicht 202, und einen auf der ersten Metallschicht 200, der zweiten Metallschicht 201 und der spannungsabhängigen Widerstandsschicht 202 ausgebildeten Träger 203.
  • Es wird auf 7 Bezug genommen. 7 zeigt einen dritten Lichtsender 3 gemäß der vorliegenden Erfindung. Der Lichtsender 3 umfasst eine erste Elektrode 36, ein auf der ersten Elektrode 36 ausgebildetes leitfähiges Substrat 30, eine auf dem leitfähigen Substrat 30 ausgebildete Schicht 31 eines verteilten Bragg-Reflektors, eine auf der Schicht 31 eines verteilten Bragg-Reflektors ausgebildete erste Mantelschicht 32, eine auf der ersten Mantelschicht 32 ausgebildete emittierende Schicht 33, eine auf der emittierenden Schicht 33 ausgebildete zweite Mantelschicht 34, eine auf der zweiten Mantelschicht 34 ausgebildete zweite Kontaktschicht 35, eine auf der zweiten Kontaktschicht 35 ausgebildete zweite Elektrode 37, und eine mit der ersten Elektrode 36 und der zweiten Elektrode 37 verbundene spannungsabhängige Widerstandsschicht 38.
  • Eine erste transparente Oxidleitungsschicht 7 kann zwischen. der ersten Elektrode 16, 26 und dem zweiten Oberflächenbereich der ersten Kontaktschicht 11, 21 des Lichtsenders 1,2 angeordnet sein. Eine zweite transparente Oxidleitungsschicht 8 kann zwischen der zweiten Elektrode 17, 27, 37 und dem zweiten Kontaktschicht 15, 25, 35 des Lichtsenders 1,2, 3 angeordnet sein. Das Substrat 10 umfasst zumindest ein Material ausgewählt aus einer Gruppe bestehend aus Si, GaAs, SiC, GaP, AlGaAs, GaAsP, Al2O3, Glassmaterialien, und andere austauschbare Materialien. Das transparente Substrat 20 umfasstzumindest ein Material ausgewählt aus einer Gruppe bestehend aus GaP, AlGaAs, GaAsP, Al2O3, Glassmaterialien, und andere austauschbare Materialien. Das leitfähige Substrat 30 umfasst zumindest ein Material ausgewählt aus einer Gruppe bestehend aus GaP, AlGaAs, GaAsP, SiC, GaAs, Si, und andere austauschbare Materialien. Jede der transparenten Oxidleitungsschichten umfasst zumindest ein Material ausgewählt aus einer Gruppe bestehend aus Indium-Zinn-Oxid, Cadmium-Zinn-Oxid, Antimon-Zinn-Oxid, Zinkoxid, Zink-Zinn-Oxid, und andere austauschbare Materialien. Die erste Mantelschicht 12, 22, 32 umfasst zumindest ein Material ausgewählt aus einer Gruppe bestehend aus AlGaInP, AlN, GaN, AlGaN, InGaN, AlGaInN Si, GaAs, SiC, GaP, AlGaAs, GaAsP, Al2O3, Glassmaterialien, und andere austauschbare Materialien. Die emittierende Schicht 13, 23, 33 umfasst zumindest ein Material ausgewählt aus einer Gruppe bestehend aus AlGaInP, GaN, AlGaN, InGaN, AlGaInN, und andere austauschbare Materialien. Die zweite Mantelschicht 14, 24, 34 umfasst zumindest ein Material ausgewählt aus einer Gruppe bestehend aus AlGaInP, AlN, GaN, AlGaN, InGaN, AlGaInN und andere austauschbare Materialien. Die erste Kontaktschicht 11, 21 umfasst zumindest ein Material ausgewählt aus einer Gruppe bestehend aus GaP, GaAs, GaAsP, InGaP, AlGaAlP, AlGaAs, GaN, InGaN, AlGaN, AlGaInN und andere austauschbare Materialien. Die zweite Kontaktschicht 15, 25, 35 umfasst zumindest ein Material ausgewählt aus einer Gruppe bestehend aus GaP, GaAs, GaAsP, InGaP, AlGaAlP, AlGaAs, GaN, InGaN, AlGaN, AlGaInN und andere austauschbare Materialien. Die Schicht 31 eines verteilten Bragg-Reflektors umfasst zumindest ein Material ausgewählt aus einer Gruppe bestehend aus AlAs, GaAs, AlGaAs und andere austauschbare Materialien. Die spannungsabhängige Widerstandsschicht 18, 202, 38 umfasst zumindest ein Material ausgewählt aus einer Gruppe beste hend aus ZnO, CaF2, ZnS, TiO2, Al-Al2O3-Au, Co-NiO, Polymethylmethacrylat, SrTiO3, und andere austauschbare Materialien.
  • Im Vergleich zum Stand der Technik wird die spannungsabhängige Widerstandsschicht 18, 202, 38, die dazu verwendet wird, elektrische Ladungen abzugeben, während der Bildung des Lichtsenders 1,2, 3 gebildet, somit wird die Ausbeute des Lichtsenders 1, 2, 3 deutlich erhöht. Des weiteren ist, nachdem der Lichtsender 1, 2, 3 gebildet ist, kein nachfolgender Prozess benötigt, um eine Beschädigung durch statische Elektrizitätsentladungen zu vermeiden.
  • Die Fachleute werden einfach feststellen, dass zahlreiche Modifikationen und Änderungen des Lichtsenders durchgeführt werden können, während die Lehren der Erfindung beibehalten werden. Folglich sollte die obige Offenbarung so ausgelegt werden, dass sie lediglich durch Maß und Ziel der anhängenden Ansprüche begrenzt werden.

Claims (25)

  1. Lichtsender, umfassend: einen emittierenden Stapel mit einem ersten Oberflächenbereich und einem zweiten Oberflächenbereich; eine auf dem ersten Oberflächenbereich des emittierenden Stapels ausgebildete erste Elektrode; eine auf dem zweiten Oberflächenbereich des emittierenden Stapels ausgebildete zweite Elektrode; und eine mit der ersten und der zweiten Elektrode verbundene spannungsabhängige Widerstandsschicht.
  2. Lichtsender nach Anspruch 1, worin die ersten und zweiten Oberflächenbereiche auf der selben Seite des emittierenden Stapels liegen.
  3. Lichtsender nach Anspruch 1, worin die ersten und zweiten Oberflächenbereiche auf verschiedenen Seiten des emittierenden Stapels liegen.
  4. Lichtsender nach Anspruch 1, weiterhin umfassend ein Substrat, wobei der emittierende Stapel umfasst: eine auf dem Substrat ausgebildete erste Kontaktschicht; eine auf einem ersten Oberflächenbereich der ersten Kontaktschicht ausgebildete erste Mantelschicht; eine auf der ersten Mantelschicht ausgebildete emittierende Schicht; eine auf der emittierenden Schicht ausgebildete zweite Mantelschicht; eine auf der zweiten Mantelschicht ausgebildete zweite Kontaktschicht; wobei die erste Elektrode auf einem zweiten Oberflächenbereich der ersten Kontaktschicht, und die zweite Elektrode auf der zweiten Kontaktschicht angeordnet ist.
  5. Lichtsender nach Anspruch 4, worin das Substrat mindestens ein Material umfasst, ausgewählt aus einer Gruppe bestehend aus Si, GaAs, SiC> GaP, AlGaAs, GaAsP, Al2O3, und Glasmaterialien.
  6. Lichtsender nach Anspruch 4, worin jede der Kontaktschichten mindestens ein Material umfasst, ausgewählt aus einer Gruppe bestehend aus GaP, GaAs, GaAsP, InGaP, AlGaInP, AlGaAs, GaN, InGaN, AlGaN, und Al-GaInN.
  7. Lichtsender nach Anspruch 4, worin jede der Mantelschichten mindestens ein Material umfasst, ausgewählt aus einer Gruppe bestehend aus AlGaInP, AlN, GaN, AlGaN, InGaN, und AlGaInN.
  8. Lichtsender nach Anspruch 4, worin die emittierende Schicht mindestens ein Material umfasst, ausgewählt aus einer Gruppe bestehend aus AlGaInP, GaN, InGaN, und AlGaInN.
  9. Lichtsender nach Anspruch 4, weiterhin umfassend eine zwischen der ersten Elektrode und dem zweiten Oberflächenbereich der ersten Kontaktschicht ausgebildete erste transparente Oxidleitungsschicht, und eine zwischen der zweiten Elektrode und der zweiten Kontaktschicht ausgebildete zweite transparente Oxidleitungsschicht, wobei jede der transparenten Oxidleitungsschichten mindestens ein Material umfasst, ausgewählt aus einer Gruppe bestehend aus Indium-Zinn-Oxid, Cadmium-Zinn-Oxid, Antimon-Zinn-Oxid, Zinkoxid, und Zink-Zinn-Oxid.
  10. Lichtsender nach Anspruch 1, worin die spannungsabhängige Widerstandsschicht mindestens ein Material umfasst, ausgewählt aus einer Gruppe bestehend aus ZnO, CaF2, ZnS, TiO2, Al-Al2O3-Au, Co-NiO, Polymethylmethacrylat, und SrTi03.
  11. Lichtsender, umfassend: ein transparentes Substrat; eine auf dem Substrat ausgebildete erste Kontaktschicht, wobei die erste Kontaktschicht einen ersten Oberflächenbereich und einen zweiten Oberflächenbereich aufweist; eine auf dem ersten Oberflächenbereich ausgebildete erste Mantelschicht; eine auf der ersten Mantelschicht ausgebildete emittierende Schicht; eine auf der emittierenden Schichtausgebildete zweite Mantelschicht; eine auf der zweiten Mantelschicht ausgebildete zweite Kontaktschicht; eine auf dem zweiten Oberflächenbereich ausgebildete erste Elektrode; eine auf der zweiten Kontaktschicht ausgebildete zweite Elektrode; eine auf der ersten Elektrode ausgebildete erste Lotschicht; eine auf der zweiten Elektrode ausgebildete zweite Lotschicht; eine auf der ersten Lotschicht ausgebildete erste Metallschicht; eine auf der zweiten Lotschicht ausgebildete zweite Metallschicht; und eine mit der ersten und der zweiten Metallschicht verbundene spannungsabhängige Widerstandsschicht.
  12. Lichtsender nach Anspruch 11, worin das transparente Substrat mindestens ein Material umfasst, ausgewählt aus einer Gruppe bestehend aus GaP, AlGaAs, GaAsP, Al2O3, und Glasmaterialien.
  13. Lichtsender nach Anspruch 11, worin jede der Kontaktschichten mindestens ein Material umfasst, ausgewählt aus einer Gruppe bestehend aus GaP, GaAs, GaAsP, InGaP, AlGaInP, AlGaAs, GaN, InGaN, AlGaN, und AlGaInN.
  14. Lichtsender nach Anspruch 11, worin jede der Mantelschichten mindestens ein Material umfasst, ausgewählt aus einer Gruppe bestehend aus AlGaInP, AlN, GaN, AlGaN, InGaN, und AlGaInN.
  15. Lichtsender nach Anspruch 11, worin die emittierende Schicht mindestens ein Material umfasst, ausgewählt aus einer Gruppe bestehend aus AlGaInP, GaN, InGaN, und AlGaInN.
  16. Lichtsender nach Anspruch 11, weiterhin umfassend eine zwischen der ersten Elektrode und dem zweiten Oberflächenbereich der ersten Kontaktschicht ausgebildete erste transparente Oxidleitungsschicht, und eine zwischen der zweiten Elektrode und der zweiten Kontaktschicht ausgebildete zweite transparente Oxidleitungsschicht, wobei jede der transparenten Oxidleitungsschichten mindestens ein Material umfasst, ausgewählt aus einer Gruppe bestehend aus Indium-Zinn-Oxid, Cadmium-Zinn-Oxid, Antimon-Zinn-Oxid, Zinkoxid, und Zink-Zinn-Oxid.
  17. Lichtsender nach Anspruch 1 1, worin die spannungsabhängige Widerstandsschicht mindestens ein Material umfasst, ausgewählt aus einer Gruppe bestehend aus ZnO, CaF2, ZnS, TiO2, Al-Al2O3-Au, Co-NiO, Polymethylmethacrylat, und SrTiO3.
  18. Lichtsender, umfassend: eine erste Elektrode; ein auf der ersten Elektrode ausgebildetes leitfähiges Substrat; eine auf dem leitfähigen Substrat ausgebildete Schicht eines verteilten Bragg-Reflektors; eine auf der Schicht eines verteilten Bragg-Reflektors ausgebildete erste Mantelschicht; eine auf der ersten Mantelschicht ausgebildete emittierende Schicht; eine auf der emittierenden Schicht ausgebildete zweite Mantelschicht; eine auf der zweiten Mantelschicht ausgebildete zweite Kontaktschicht; eine auf der zweiten Kontaktschicht ausgebildete zweite Elektrode; und eine mit der ersten und der zweiten Elektrode verbundene spannungsabhängige Widerstandsschicht.
  19. Lichtsender nach Anspruch 18, worin das leitfähige Substrat mindestens ein Material umfasst, ausgewählt aus einer Gruppe bestehend aus GaP, AlGaAs, GaAsP, SiC, Si, und GaAs.
  20. Lichtsender nach Anspruch 18, worin die Schicht eines verteilten Bragg-Reflektors mindestens ein Material umfasst, ausgewählt aus einer Gruppe bestehend aus AlAs, GaAs, und AlGaAs.
  21. Lichtsender nach Anspruch 18, worin jede der Mantelschichten mindestens ein Material umfasst, ausgewählt aus einer Gruppe bestehend aus AlGaInP, AlN, GaN, AlGaN, InGaN, und AlGaInN.
  22. Lichtsender nach Anspruch 18, worin die emittierende Schicht mindestens ein Material umfasst, ausgewählt aus einer Gruppe bestehend aus AlGaInP, GaN, InGaN, und AlGaInN.
  23. Lichtsender nach Anspruch 18, worin die zweite Kontaktschicht mindestens ein Material umfasst, ausgewählt aus einer Gruppe bestehend aus GaP, GaAs, GaAsP, InGaP, LaGaInP, AlGaAs, GaN, InGaN, AlGaN, und AlGaInN.
  24. Lichtsender nach Anspruch 18, weiterhin umfassend eine zwischen der zweiten Elektrode und der zweiten Kontaktschicht ausgebildete zweite transparente Oxidleitungsschicht, wobei die zweite transparente Oxidleitungsschicht mindestens ein Material umfasst, ausgewählt aus einer Gruppe bestehend aus Indium-Zinn-Oxid, Cadmium-Zinn-Oxid, Antimon-Zinn-Oxid, Zinkoxid; und Zink-Zinn-Oxid.
  25. Lichtsender nach Anspruch 18, worin die spannungsabhängige Widerstandsschicht mindestens ein Material umfasst, ausgewählt aus einer Gruppe bestehend aus ZnO, CaF2, ZnS, TiO2, Al-Al2O3-Au, Co-NiO, Polymethylmethacrylat, und SrTiO3.
DE10322021A 2002-12-26 2003-05-16 Lichtsender mit einer spannungsabhängigen Widerstandsschicht Ceased DE10322021A1 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW091138188A TW577184B (en) 2002-12-26 2002-12-26 Light emitting layer having voltage/resistance interdependent layer
TW91138188/2002 2002-12-26

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE10322021A1 true DE10322021A1 (de) 2004-07-22

Family

ID=32590653

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE10322021A Ceased DE10322021A1 (de) 2002-12-26 2003-05-16 Lichtsender mit einer spannungsabhängigen Widerstandsschicht

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7095765B2 (de)
JP (1) JP2005005281A (de)
KR (1) KR100579202B1 (de)
DE (1) DE10322021A1 (de)
TW (1) TW577184B (de)

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006080426A (ja) * 2004-09-13 2006-03-23 Sharp Corp 発光ダイオード
US7274040B2 (en) * 2004-10-06 2007-09-25 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Contact and omnidirectional reflective mirror for flip chipped light emitting devices
TWI244748B (en) * 2004-10-08 2005-12-01 Epistar Corp A light-emitting device with a protecting structure
TWI291243B (en) 2005-06-24 2007-12-11 Epistar Corp A semiconductor light-emitting device
EP1750309A3 (de) * 2005-08-03 2009-07-29 Samsung Electro-mechanics Co., Ltd Licht-emittierende Vorrichtung mit Schutzelement
US8030575B2 (en) * 2005-12-29 2011-10-04 Sensor Electronic Technology, Inc. Mounting structure providing electrical surge protection
WO2007081719A2 (en) 2006-01-05 2007-07-19 Illumitex, Inc. Separate optical device for directing light from an led
KR100688037B1 (ko) * 2006-09-30 2007-03-02 에피밸리 주식회사 3족 질화물 반도체 발광소자
WO2008026902A1 (en) * 2006-08-31 2008-03-06 Epivalley Co., Ltd. Iii-nitride semiconductor light emitting device
JP2010506402A (ja) 2006-10-02 2010-02-25 イルミテックス， インコーポレイテッド Ｌｅｄのシステムおよび方法
US8148733B2 (en) 2007-06-12 2012-04-03 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. Vertical LED with current guiding structure
US7759670B2 (en) * 2007-06-12 2010-07-20 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. Vertical LED with current guiding structure
US8546818B2 (en) 2007-06-12 2013-10-01 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. Vertical LED with current-guiding structure
EP2240968A1 (de) 2008-02-08 2010-10-20 Illumitex, Inc. System und verfahren zur bildung einer emitterschicht
TW201034256A (en) 2008-12-11 2010-09-16 Illumitex Inc Systems and methods for packaging light-emitting diode devices
US8449128B2 (en) 2009-08-20 2013-05-28 Illumitex, Inc. System and method for a lens and phosphor layer
US8585253B2 (en) 2009-08-20 2013-11-19 Illumitex, Inc. System and method for color mixing lens array
JP2011199006A (ja) * 2010-03-19 2011-10-06 Sharp Corp 窒化物半導体レーザ素子
US9246061B2 (en) 2011-03-14 2016-01-26 Koninklijke Philips N.V. LED having vertical contacts redistruted for flip chip mounting
KR101393605B1 (ko) 2012-08-01 2014-05-09 광전자 주식회사 요철형 질화갈륨층을 가진 알루미늄갈륨인듐인계 발광다이오드 및 그 제조 방법
KR101412142B1 (ko) * 2012-09-13 2014-06-25 광전자 주식회사 엔형 질화갈륨 윈도우층을 가진 알루미늄갈륨인듐인계 발광다이오드 및 그 제조 방법
JP6355492B2 (ja) * 2013-10-03 2018-07-11 アルパッド株式会社 複合樹脂及び電子デバイス

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3743897A (en) 1971-08-05 1973-07-03 Gen Electric Hybrid circuit arrangement with metal oxide varistor shunt
DE3477437D1 (de) * 1983-06-28 1989-04-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd Voltage-dependent, non-linear resistor porcelain composition
US5358880A (en) * 1993-04-12 1994-10-25 Motorola, Inc. Method of manufacturing closed cavity LED
EP1450415A3 (de) * 1993-04-28 2005-05-04 Nichia Corporation Halbleitervorrichtung aus einer galliumnitridartigen III-V-Halbleiterverbindung
JP3643665B2 (ja) 1996-12-20 2005-04-27 シャープ株式会社 半導体発光素子
CN100485985C (zh) * 1997-01-09 2009-05-06 日亚化学工业株式会社 氮化物半导体元器件
EP0921577A4 (de) 1997-01-31 2007-10-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd Lichtemittierendes bauelement; halbleiter lichtemittierende vorrichtung, und deren herstellungsverfahren
PL202938B1 (pl) * 2000-02-16 2009-08-31 Nichia Corp Azotkowe półprzewodnikowe urządzenie laserowe
US6693352B1 (en) * 2000-06-05 2004-02-17 Emitronix Inc. Contact structure for group III-V semiconductor devices and method of producing the same
AT410266B (de) * 2000-12-28 2003-03-25 Tridonic Optoelectronics Gmbh Lichtquelle mit einem lichtemittierenden element
TW493287B (en) 2001-05-30 2002-07-01 Epistar Corp Light emitting diode structure with non-conductive substrate
TW492202B (en) 2001-06-05 2002-06-21 South Epitaxy Corp Structure of III-V light emitting diode (LED) arranged in flip chip configuration having structure for preventing electrostatic discharge

Also Published As

Publication number Publication date
TW577184B (en) 2004-02-21
TW200411954A (en) 2004-07-01
KR100579202B1 (ko) 2006-05-11
US7095765B2 (en) 2006-08-22
KR20040057890A (ko) 2004-07-02
JP2005005281A (ja) 2005-01-06
US20040125838A1 (en) 2004-07-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE10322021A1 (de) Lichtsender mit einer spannungsabhängigen Widerstandsschicht
DE102005016845B4 (de) Leuchtdiodenarray mit einer Haftschicht
DE10112542B9 (de) Strahlungsemittierendes optisches Bauelement
DE112011106156B4 (de) Lichtemittierende Diodeneinheit auf Waferebene
DE102005031612B4 (de) LED mit einem omnidirektionalen Reflektor und einer transparenten, leitenden Schicht und omnidirektionaler Reflektor für eine LED
DE102008063757B4 (de) Halbleiterbauteil
DE102014011893B4 (de) Leuchtdiode
DE202015009890U1 (de) Leuchtdiode
DE19829666B4 (de) Lichtemittierende Diode mit asymmetrischer Energiebandstruktur
DE102005031613A1 (de) LED und LED-Array mit einer jeweiligen Kleberschicht
DE112011103819T5 (de) Lichtemittierender Diodenchip mit Elektrodenfeld
DE102005006822A1 (de) Lichtemissions-Bauteil mit organischem Kleber und mit Vertikalstruktur
DE112006002927T5 (de) Licht emittierende Diode mit ITO-Schicht und Verfahren zur Herstellung einer solchen
DE202008018175U1 (de) Lichtemittierende Halbleitervorrichtung
DE102011112706B4 (de) Optoelektronisches Bauelement
DE112005003422T5 (de) Lichtemittierende Einrichtung mit mehreren in Reihe geschalteten lichtemittierenden Zellen und Verfahren zu deren Herstellung
DE10357783B4 (de) Nitrid-Lichtemissionsbauteil
DE102012106143A1 (de) Nitrid-Halbleiter-Leuchtdiodenvorrichtung
DE202007019397U1 (de) Lichtemittierende Halbleitervorrichtung
DE112016002539T5 (de) Leuchtdiode
DE102019211971B4 (de) Halbleitermodul
DE102010035966A1 (de) Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips
DE10208171A1 (de) Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement mit vertikaler Emissionsrichtung und Herstellungsverfahren dafür
DE112007002696T5 (de) Licht emittierende Vorrichtung
DE102013109781A1 (de) Lichtemittierende Halbleitervorrichtung

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8131 Rejection