DE102004060363A1 - Halbleitersubstrat mit pn-Übergang und Verfahren zur Herstellung - Google Patents

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Abstract

Es wird ein SOI-Substrat mit einem Trägersubstrat, einer dielektrischen Schicht und einer Halbleiterschicht vorgeschlagen, wobei in der Halbleiterschicht ein durchgehender pn-Übergang realisiert ist, der durch Aufbringen unterschiedlich dotierter Teilschichten auf dem SOI-Substrat hergestellt werden kann. Auf diese Weise ist es möglich, ein SOI-Substrat zum Herstellen von Halbleiterbauelementen und insbesondere von Rückseiten-Dioden zu verwenden.

Description

  • Es sind Substrate mit SOI Halbleiter-Schichten (silicon on isolator) bekannt, bei denen eine monokristalline Halbleiter-Schicht über einer dielektrischen Schicht angeordnet ist. Die dielektrische Schicht ist üblicherweise die Deckschicht eines Trägersubstrats. Bekannte Substrate mit SOI-Schichten sind zum Beispiel Halbleiterwafer, die über einer Oxidschicht eine relativ dünne monokristalline Schicht aufweisen. Solche Substrate mit SOI-Schichten sind beispielsweise mit Schichtdicken von ca. 100Å bis 1μm Dicke für Halbleiter-Bauelemente und mit Dicken bis zu 500μm für MEMS Bauelemente (Micro electro mechanical System) bekannt. Sie bieten die Möglichkeit, Strukturierungen bis zur dielektrischen Schicht zu führen und so beispielsweise tief reichende STI-Isolationen (shallow trench Isolation) zu erzeugen, mit denen benachbarte Bauelemente sicher und vollständig gegeneinander isoliert werden können.
  • Allgemein ist es mit Substraten mit SOI-Schichten möglich, Dünnschichtbauelemente auf mechanisch stabilen Trägersubstraten zu realisieren. Auf diese Weise können Bauelemente erzeugt werden, die hohe Arbeitsgeschwindigkeiten bei niedrigem Stromverbrauch aufweisen. Allgemein können auf Substraten mit SOI-Schichten parasitäre Nebeneffekte wesentlich besser vermieden werden, da sämtliche Bulk-Effekte durch die vergrabene dielektrische Schicht minimiert bzw. ausgeschaltet werden können. Auch MEMS Bauelemente sind bereits auf SOI Substraten realisiert worden, insbesondere Trägheitssensoren mit hoher seismischer Masse.
  • Es ist bekannt, Halbleiter Bauelemente in SOI Schichten durch Strukturierung der Oberfläche und insbesondere durch Herstellung dotierter Gebiete in der Oberfläche zu realisieren.
  • Zur Herstellung von Substraten mit SOI-Schichten ist beispielsweise bekannt, zwei Wafer, von denen zumindest einer auf seiner Oberfläche eine Oxidschicht aufweist, mittels Standardwaferbondverfahren miteinander zu verbinden. Möglich ist es auch, die dielektrische Schicht durch Implantation von Sauerstoff in eine gewünschte Tiefe von maximal ca. 1 μm zu erzeugen. Bei wafergebondeten Substraten ist es in der Regel erforderlich, die Halbleiterschicht, die zur SOI-Schicht werden soll, nach dem Waferbonden auf die gewünschte Schichtdicke zu dünnen. Dies kann durch Schleifen erfolgen oder durch Absprengen entlang einer vergrabenen Schicht, die vor dem Bonden durch Implantation von Wasserstoff in den oberen Wafer bis zu einer gegebenen Tiefe von bis ca. 1,5 μm erzeugt werden kann.
  • Aus der US 5899712 A ist ein Verfahren zur Herstellung von Substraten mit SOI-Schichten bekannt, bei dem der Waferbondprozess mehrfach durchgeführt wird, wobei ein Mehrschichtaufbau erhalten wird, dessen Höhe der Anzahl der übereinander gebondeten Wafer mal deren Schichtdicke entspricht. Aus diesem Mehrschichtaufbau werden anschließend Substrate mit jeweils nur einer SOI-Schicht durch entsprechende Sägeverfahren herausgeschnitten.
    •
  • Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein Substrat mit einer SOI-Schicht anzugeben, das die Herstellung weiterer Halbleiter-Bauelemente ermöglicht.
  • Diese Aufgabe wird durch ein Halbleitersubstrat mit Mehrschichtaufbau gemäß Anspruch 1 gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sowie ein Verfahren zur Herstellung des Halbleitersubstrats gehen aus weiteren Ansprüchen hervor.
  • Die Erfindung gibt ein Halbleitersubstrat an, das einen Mehrschichtaufbau aus einem Trägersubstrat, einer dielektrischen Schicht und einer Halbleiterschicht aufweist, wobei in der Halbleiterschicht ein durchgehender pn-Übergang ausgebildet ist. Der pn-Übergang umfasst zumindest eine dotierte erste Teilschicht und zumindest eine entgegengesetzt dotierte zweite Teilschicht. Der pn-Übergang ist bei der Substratherstellung in die Herstellung der Teilschichten integriert mit erzeugt und wird nicht durch nachträgliche Dotierung eines einheitlichen Substrat erreicht.
  • Im erfindungsgemäßen Halbleitersubstrat kann ein Halbleiterbauelement und insbesondere eine Halbleiterschaltung realisiert werden, welches gegenüber oberflächlich strukturierten und daher oberflächlich dotierten Substraten in höherer Schichtdicke einer jeweiligen Teilschicht realisiert werden kann. Insbesondere lässt sich mit dem Halbleitersubstrat ein Bauelement mit großer Raumladungszone realisieren, insbesondere eine Diode.
  • Das erfindungsgemäße Halbleitersubstrat weist zumindest eine monokristalline SOI-Schicht auf. Es verbindet daher die Vorteile eines SOI-Substrates mit der eines dotierten herkömmlichen Wafers. Die dielektrische Schicht ermöglicht ein einfaches Strukturieren bis zur dielektrischen Schicht, die dabei als natürliche Ätzstopschicht oder als sonstige Barriere beim Strukturieren dienen kann.
  • In einer vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung ist eine Teilschicht der Halbleiterschicht im Bereich des pn-Übergangs schwach dotiert. Die andere Teilschicht ist dann vorzugsweise hoch dotiert. Damit ist es möglich die Raumladungszone weiter zu vergrößern und in den Bereich der schwach dotierten Teil schicht zu verschieben. Vorteilhaft ist dann die Dicke dieser Teilschicht höher eingestellt als die der hoch dotierten Teilschicht. Die Halbleiterschicht kann dann nur aus diesen beiden Teilschichten bestehen.
  • In einer weiteren Ausgestaltung der Erfindung umfasst die Halbleiterschicht eine erste, relativ dünne Teilschicht mit einer hohen Dotierung und von einem ersten Leitfähigkeitstyp, darüber eine relativ dazu dickere zweite Teilschicht mit einer schwachen Dotierung vom ersten Leitfähigkeitstyp und darüber eine dritte Teilschicht mit einer schwachen Dotierung vom zweiten Leitfähigkeitstyp. Der pn-Übergang bildet sich zwischen zwei Teilschichten mit jeweils schwacher Dotierung aus und erzeugt dabei eine Raumladungszone, die über relativ große Schichtdickenbereiche der ersten und zweiten dotierten Schicht reicht. Die erste, hochdotierte, dünne Teilschicht dagegen kann zum Anschluss eines in dem Halbleitersubstrat verwirklichten Bauelementes dienen und kann in einfacher Weise durch einen von der Oberfläche des Halbleitersubstrats geführten Graben, der anschließend mit leitfähigem Material gefüllt wird, angeschlossen werden.
  • Möglich ist es auch, in der Halbleiterschicht eine pin Struktur zu realisieren, also zwischen zwei dotierten Teilschichten eine intrinsische bzw. nicht dotierte Teilschicht vorzusehen.
  • Vorzugsweise sind Trägersubstrat und dielektrische Schicht in Form eines mit einer Oxidschicht versehenen Siliziumwafers realisiert. Die Oxidschicht kann in einfacher Weise durch Oxidation des Siliziums in hoher dielektrischer Qualität und Schichtgleichmäßigkeit gebildet werden.
  • In weiterer Ausgestaltung der Erfindung wird über der Halbleiterschicht eine zweite dielektrische Schicht und darüber eine zweite monokristalline Halbleiterschicht angeordnet. Damit wird ein Substrat erhalten, welches zwei durch eine dielektrische Schicht getrennte Halbleiterschichtebenen aufweist, in denen unterschiedliche Bauelemente realisiert werden können. Möglich ist es auch, auf diese Weise eine vertikale Integration gleicher oder zusammenwirkender unterschiedlicher Bauelemente zu realisieren. Im Ergebnis werden miniaturisierte, Halbleitersubstratmaterial sparende Bauelemente mit kurzen Verdrahtungswegen, daher kurzen Schaltungszeiten und geringen ESR-Werten erhalten.
  • In einer Ausgestaltung der Erfindung ist die erste Teilschicht mit der hohen Dotierung vom ersten Leitfähigkeitstyp eine mit Antimon (Sb) dotierte Siliziumschicht. Antimonionen weisen eine geringe Diffusionsgeschwindigkeit im Silizium auf und sind daher besonders geeignet, spätere Be- und Verarbeitungsschritte bei höherer Temperatur zu überstehen, ohne dass dabei eine unzulässig starke Diffusion statt findet.
    •
  • Im Folgenden wird die Erfindung sowie das Verfahren zur Herstellung des Halbleitersubstrats anhand von Ausführungsbeispielen und den dazugehörigen Figuren näher erläutert. Die Figuren dienen alleine zur Veranschaulichung der Erfindung und sind daher nur schematisch und nicht maßstabsgetreu ausgeführt. Gleiche und gleichwirkende Teile sind mit gleichen Bezugszeichen bezeichnet.
  • 1 zeigt ein erstes Ausführungsbeispiel eines Halbleitersubstrats mit pn-Übergang,
  • 2 zeigt ein Halbleitersubstrat mit drei Halbleiterteilschichten,
  • 3 zeigt ein erstes Ausführungsbeispiel zur Herstellung eines Halbleitersubstrats mit pn-Übergang,
  • 4 zeigt eine Variante eines Herstellungsverfahrens,
  • 5 zeigt eine zweite Variante des Herstellungsverfahren,
  • 6 zeigt ein Halbleitersubstrat mit zwei Halbleiterschichtebenen,
  • 7 zeigt ein im Halbleitersubstrat realisiertes Halbleiterbauelement.
  • 1 zeigt ein erstes erfindungsgemäßes Halbleitersubstrat im schematischen Querschnitt. Über einem Trägersubstrat TS ist eine erste dielektrische Schicht DS1 angeordnet, beispielsweise eine Oxidschicht auf einem Siliziumwafer. Darüber befindet sich eine Halbleiterschicht HS, die in eine erste Teilschicht TLS1 und eine darüber angeordnete zweite Teilschicht TLS2 aufgeteilt ist. Die erste Teilschicht weist eine Dotierung vom ersten Leitfähigkeitstyp, die zweite Teilschicht TLS2 eine Dotierung vom zweiten Leitfähigkeitstyp auf. Dadurch bildet sich zwischen den beiden Teilschichten ein Halbleiterübergang HU.
  • 2 zeigt ein zweites Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen Halbleitersubstrats, bei dem die Halbleiterschicht aus drei Teilschichten TLS1 bis TLS3 ausgebildet ist. Über einer ersten Teilschicht TLS1 mit relativ starker Dotierung des ersten Typs und einer zweiten Teilschicht TLS2 mit relativ schwacher Dotierung des ersten Leitfähigkeitstyps ist eine dritte Teilschicht TLS3 mit relativ schwacher Dotierung des zweiten Leitfähigkeitstyps angeordnet. Zwischen zweiter und dritter Teilschicht bildet sich ein Halbleiterübergang HU aus. Die Dicke der ersten Teilschicht, die nur dem elektrischen Anschluss dient, kann dabei klein sein gegen die Dicke der zweiten und dritten Teilschicht, durch die die Raumladungszone bestimm ist.
  • 3 zeigt anhand verschiedener Verfahrensstufen im schematischen Querschnitt die Herstellung eines Halbleitersubstrats gemäß einer ersten Verfahrensvariante. Ausgehend von einem Trägersubstrat TS mit darauf aufgebrachter dielektrischer Schicht DS1, beispielsweise einem oxidiertem Siliziumwafer, wird ein SOI-Substrat (Silicon-On-Isolator) erzeugt, indem ein erstes Halbleitersubstrat HLS1 auf die dielektrische Schicht DS1 gebondet wird. Die feste Verbindung zwischen den beiden Substraten wird mit Hilfe eines Waferbondverfahrens hergestellt, bei dem die in 3b dargestellte SOI Anordnung erhalten wird. In einer Variante kann auch die Oberfläche des Halbleitersubstrat HLS1 eine Oxidschicht aufweisen, wobei dann wahlweise auch auf die Oxidschicht auf der Oberfläche des Trägersubstrats verzichtet werden kann.
  • Üblicherweise ist die Dicke des Halbleitersubstrats HLS1 für den gewünschten Zweck zu hoch, sodass diese dann in einem weiteren Schritt auf eine gewünschte frei wählbare Schichtdicke gedünnt wird, beispielsweise durch Schleifen. Geeignete Schichtdicken können zwischen 100Å und 500 μm liegen, je nach Art des darin zu realisierenden Bauelements.
  • 3c zeigt die Dotierung der nach dem Schleifen erhaltenen ersten Teilschicht TLS1. Diese kann durch Implantation eines Dotierstoffes vom ersten Leitfähigkeitstyp nach dem Schleifen erfolgen. Möglich ist aber stets auch, bereits entsprechend dotiert erzeugte Wafer einzusetzen, die keiner zusätzlichen Dotierung bedürfen. Anschließend wird eine zweite Teilschicht erzeugt, indem ein zweites Halbleitersubstrat HS2 auf die Oberfläche der ersten Teilschicht TLS1 gebondet wird. Das zweite Halbleitersubstrat weist in seiner Oberfläche eine Dotierung vom zweiten Leitfähigkeitstyp auf, die entweder bei der Waferherstellung mit erzeugt oder durch Abscheiden einer dotierten epitaktischen Schicht auf der Oberfläche des zweiten Halbleitersubstrats HLS2 gebildet ist.
  • Nach dem Durchführen eines Waferbondverfahrens und gegebenenfalls Dünnen des zweiten Halbleitersubstrats HS2 auf die für die zweiten Teilschicht TLS2 gewünschte Schichtdicke wird die in 3e dargestellte Anordnung erhalten. Zwischen der ersten Teilschicht TLS1 vom ersten Leitfähigkeitstyp und der zweiten Teilschicht TLS2 vom zweiten Leitfähigkeitstyp bildet sich ein Halbleiterübergang aus.
  • In dem in 3 beschriebenen Verfahren ist es möglich, die Dicke der Teilschichten unabhängig voneinander zu variieren und in Abhängigkeit von einem gewünschten darin zu realisierenden Halbleiterbauelement zu optimieren. So ist es beispielsweise möglich, eine erste Teilschicht relativ dünn, die zweite Teilschicht dagegen relativ dick vorzusehen. Je nach Art des gewünschten Halbleiterbauelements sind dabei Gesamtschichtdicken der Halbleiterschicht HS von 50 bis 200 μm besonders bevorzugt.
  • 4 zeigt eine weitere Verfahrensvariante zur Herstellung eines erfindungsgemäßen Halbleitersubstrats. Diese Variante startet von einem SOI-Substrat, gebildet aus einem Trägersub strat TS, einer dielektrischen Schicht DS1 und einer ersten Teilschicht TLS1. Dieses SOI-Substrat kann entsprechend dem ersten Ausführungsbeispiel erhalten werden, wie zum Beispiel in 3c dargestellt ist. Möglich ist es auch, den ersten Schritt des in 3a dargestellten Verfahrens mit einem entsprechend dotierten oder mit einem eine dotierte epitaktische Schicht aufweisenden ersten Halbleitersubstrat HLS1 durchzuführen, so dass ein SOI-Substrat mit dotierter erster Teilschicht TLS1 erhalten wird. Im nächsten Schritt wird eine zweite Teilschicht TLS2 in einem epitaktischen Verfahren aufgebracht. Vorzugsweise wird die erste Teilschicht stark dotiert, die zweite Teilschicht dagegen schwach dotiert, beide aber unter Verwendung von Dotierstoffen des ersten Leitfähigkeitstyps.
  • Im nächsten Schritt wird eine dritte Teilschicht TLS3 ebenfalls in einem epitaktischen Verfahren aufgebracht, und zwar als schwach mit Dotierstoff vom zweiten Leitfähigkeitstyp dotierte Halbleiterschicht. Möglich ist es beispielsweise, in den Teilschichten TLS1 bis TLS3 die Dotierungen in der Reihenfolge Antimon, Arsen und Bor vorzusehen.
  • 5 zeigt eine weiteres Ausführungsbeispiel, wie ein erfindungsgemäßes Halbleitersubstrat hergestellt werden kann. Es wird wieder von einem SOI-Substrat, wie es in 3c oder 4a dargestellt ist ausgegangen. 5a zeigt dieses Substrat während eines Dotierungsschrittes, mit dem eine starke Dotierung vom ersten Leitfähigkeitstyp erzeugt wird. Selbstverständlich können alle Dotierungen in Wafern, Halbleiterschichten oder in Teilschichten natürlich auch während des Kristallwachstums eingebracht sein und bedürfen daher keiner nachträglichen Dotierung.
  • Darüber wird in einem epitaktischen Prozess eine zweite Teilschicht TLS2 mit einer Dotierung vom ersten Leitfähigkeitstyp, aber einer niedrigeren Dotierstoffkonzentration aufgebracht. 5b zeigt die Anordnung auf dieser Stufe. Darüber wird anschließend mit einem Waferbondverfahren ein zweites Halbleitersubstrat HLS2 aufgebondet, welches zumindest in einem Oberflächenbereich zum Beispiel in Form einer epitaktischen Schicht eine Dotierung vom zweiten Leitfähigkeitstyp aufweist. Anschließend kann die Halbleiterschicht des zweiten Halbleitersubstrats HLS2 auf die gewünschte Dicke der zweiten Teilschicht DLS2 gedünnt werden, beispielsweise durch Schleifen.
  • 6 zeigt ein drittes Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen Halbleitersubstrats, bei dem über der aus drei Teilschichten TLS1, TLS2 und TLS3 gebildeten Halbleiterschicht eine zweite dielektrische Schicht DS2 und darüber eine zweite Halbleiterschicht HS2 angeordnet ist. Dieses kann durch Erzeugen einer zweiten dielektrischen Schicht DS2 mittels Oxidieren der dritten Teilschicht TLS3 des ersten Ausführungsbeispiels und anschließendes Waferbonden eines Halbleitersubstrats und anschließendes Dünnen desselben erhalten werden. Auch in dieser Ausführung ist die zweite Teilschicht optional und kann auch entfallen.
  • 7 zeigt ein erfindungsgemäßes Halbleitersubstrat im schematischen Querschnitt, in dem ein Halbleiterbauelement realisiert ist. Es wird ein beispielsweise gemäß 2 ausgebildetes Halbleitersubstrat eingesetzt. Dieses umfasst die drei Teilschichten TLS1, TLS2 und TLS3, wobei zwischen TLS2 und TLS3 ein Halbleiterübergang HU ausgebildet ist, der die Halbleiterschicht mit den drei Teilschichten zur Diode macht. Zur Kontaktierung der Diode ist ein elektrischer Kontakt zur ersten Teilschicht TLS1 erforderlich. Dazu wird in die Halbleiterschicht ein Graben geätzt, beispielsweise mittels reaktiven Ionenätzens, wobei eine Resistmaske oder eine Hartmaske verwendet werden kann. Die dielektrische Schicht DS1 kann dabei als Ätzstoppschicht dienen.
  • Anschließend wird der Graben mit einem elektrisch leitfähigen Material gefüllt, beispielsweise mit dotiertem Polysilizium. Dadurch wird ein elektrisch leitfähiger Kontakt von der Oberfläche zur ersten Teilschicht TLS1 hergestellt, die aufgrund ihrer starken Dotierung vom ersten Leitfähigkeitstyp eine hohe Leitfähigkeit in der Fläche aufweist. Möglich ist es, für das Halbleiterbauelement mehrere solche Gräben G vorzusehen oder das Halbleiterbauelement gar rahmenförmig mit einem einzigen solchen Graben zu umgeben. Auf der Oberfläche der dritten Teilschicht TLS3 ist der zweite Kontakt K2 der Diode angeordnet, der die dritte Teilschicht TLS3 kontaktiert. Ein erster Kontakt K1 dient zum Anschluss des leitfähigen Materials im Graben G und damit für die Gegenelektrode der Diode. Der Kontakt K1 kann aber auch zur Verbindung und damit zur Verschaltung des Halbleiterbauelements IC mit der Diode eingesetzt werden.
  • Die Erfindung ist nicht auf die Ausführungsbeispiele oder die Figuren beschränkt. Vielmehr ist es möglich, in allen Details von den angegebenen Beispielen abzuweichen. Die Halbleiterschichten sind vorzugsweise Silizium, doch können auch andere Halbleitermaterialien eingesetzt werden. Die Dünnschichten sind vorzugsweise Oxidschichten, doch können auch andere dielektrische Materialien hergenommen werden. Das Trägersubstrat ist vorzugsweise ebenfalls eine Siliziumhalbleiterwafer, kann aber auch ein beliebig anderes mechanisch stabiles und vorzugsweise kristallines Material sein. Die Dicken der Teil schichten können unabhängig voneinander gewählt werden. Möglich ist es auch, eine Halbleiterschicht mit mehr als drei Teilschichten zu realisieren, sofern zwischen zwei der Teilschichten ein Halbleiterübergang ausgebildet ist.
  • Das nur beispielhaft in 7 angegebene Halbleiterbauelement kann beliebig variiert werden, wobei 7 nur sehr allgemeine Strukturen für ein solches Bauelement angibt.

Claims (12)

  1. Halbleitersubstrat mit Mehrschichtaufbau, aufweisend – ein Trägersubstrat (TS), – eine dielektrische Schicht (DS1) und – eine Halbleiterschicht (HS), in der durchgehend ein pn Übergang (HU) ausgebildet ist.
  2. Halbleitersubstrat nach Anspruch 1, bei dem die Halbleiterschicht (HS) eine monokristalline SOI Schicht umfasst.
  3. Halbleitersubstrat nach Anspruch 1 oder 2, bei dem die Halbleiterschicht (HS) im Bereich des pn-Übergangs (HU) schwach dotiert ist.
  4. Halbleitersubstrat nach Anspruch 3, bei dem die Halbleiterschicht (HS) eine erste relativ dünne Teilschicht (TLS1) mit einer hohen Dotierung von einem ersten Leitfähigkeitstyp, eine relativ dazu dickere zweite Teilschicht (TLS2) mit einer schwachen Dotierung vom ersten Leitfähigkeitstyp und eine dritte Teilschicht (TLS3) mit einer schwachen Dotierung vom zweiten Leitfähigkeitstyp aufweist.
  5. Halbleitersubstrat nach einem der Ansprüche 1 bis 4, bei dem das Trägersubstrat (TS) und die dielektrische Schicht (DS1) von einem Siliziumwafer mit einer Oxidschicht gebildet werden.
  6. Halbleitersubstrat nach einem der Ansprüche 1 bis 5, bei dem über der Halbleiterschicht (HS), in der der pn-Übergang vorgesehen ist, eine zweite dielektrische Schicht (DS2) und darüber eine zweite monokristalline Halbleiterschicht (HS2) angeordnet ist.
  7. Halbleitersubstrat nach einem der Ansprüche 4 bis 6, bei dem die erste Teilschicht (TLS1) mit der hohen Dotierung vom ersten Leitfähigkeitstyp eine mit Antimon dotierte Siliziumschicht ist.
  8. Verfahren zur Herstellung eines Halbleitersubstrat mit Mehrschichtaufbau – bei dem auf einem Trägersubstrat (TS) in Waferform eine Oxidschicht (DS1) und darüber eine erste dotierte Teilschicht (TLS1) einer Halbleiterschicht (HS) angeordnet werden – bei dem über der ersten dotierten Teilschicht (TLS1) zumindest eine weitere dotierte Teilschicht (TLS3) der Halbleiterschicht erzeugt wird, deren Dotierung von einem der ersten Teilschicht entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp ist, so dass sich ein Halbleiterübergang (HU) ausbildet.
  9. Verfahren nach Anspruch 8, – bei dem auf der Oberfläche zumindest eines aus Trägersubstrat (TS) und einem Halbleiterwafer (HLS) eine Oxidschicht (DS1) erzeugt wird – bei dem Trägersubstrat (TS) und Halbleiterwafer unter Einbettung der Oxidschicht mit einem Waferbondverfahren verbunden werden, – bei dem die Schichtdicke des Halbleiterwafers reduziert wird, wobei eine erste Teilschicht (TLS1) erhalten wird, – bei dem in der Teilschicht eine Dotierung vom ersten Leitfähigkeitstyp vorgesehen wird.
  10. Verfahren nach Anspruch 8 oder 9, bei dem die weitere Teilschicht (TLS2, TLS3) dotiert durch Epitaxie abgeschieden wird.
  11. Verfahren nach Anspruch 8 oder 9, bei dem die weitere Teilschicht (TLS2, TlS3) durch Waferbonden mit einem dotierten zweiten Halbleiterwafer (HLS2) und anschließendes Dünnen auf die Dicke der weiteren Teilschicht erzeugt wird.
  12. Verfahren nach einem der Ansprüche 8 bis 11, – bei dem zwischen der ersten dotierten Teilschicht (TLS1) und der weiteren dotierten Teilschicht (TLS2) eine zweite schwach dotierte oder intrinsische Teilschicht (TLS2) der Halbleiterschicht erzeugt wird.
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