DE102004052200A1

DE102004052200A1 - Mehrstufige Ladungspumpenschaltung

Info

Publication number: DE102004052200A1
Application number: DE102004052200A
Authority: DE
Inventors: Wook-Ghee Hahn; Dae-Seok Byeon
Original assignee: Samsung Electronics Co Ltd
Current assignee: Samsung Electronics Co Ltd
Priority date: 2003-10-27
Filing date: 2004-10-20
Publication date: 2005-06-09
Also published as: JP2005130697A; KR20050040072A; US20050088220A1; KR100510552B1

Abstract

Die Erfindung bezieht sich auf eine Ladungspumpenschaltung mit einer Mehrzahl von Verstärkerstufen (60, 70, 80, 90), welche Eingabeknoten (16, 17, 18, 19) und Verstärkungskonten (O6, O7, O8, O9) umfassen und welche in Reihe geschaltet sind, wobei die jeweilige Verstärkerstufe einen Ladungstransfertransistor (P61, P71, P81, P91) mit einem ersten Anschluss, welcher mit einem der Eingabeknoten verbunden ist, und einem zweiten Anschluss, welcher mit einem der Verstärkungsknoten verbunden ist, und einen ersten Schalttransistor (P62, P72, P82, P92), umfasst. DOLLAR A Erfindungsgemäß ist der erste Schalttransistor darauf ausgelegt, einen Spannungspegel an einem Volumenbereich (B6, B7, B8, B9) des Ladungstransfertransistors gleich einem Spannungspegel am ersten Anschluss des Ladungstransfertransistors zu machen, während Ladungen durch den Ladungstransfertransistor (P61, P71, P81, P91) übertragen werden, wobei ein Gate des ersten Schalttransistors mit einem Gate des Ladungstransfertransistors verbunden ist. DOLLAR A Verwendung z. B. für nichtflüchtige, lösch- und programmierbare Halbleiterspeicherbausteine.

Description

Die Erfindung betrifft eine Ladungspumpenschaltung mit mehreren Anhebestufen.
Allgemein führen nichtflüchtige, lösch- und programmierbare Speicherbauelemente Lösch- und/oder Programmiervorgänge für Speicherzellen unter Verwendung von Fowler-Nordheim-Tunneln oder Kanalinjektion heißer Elektronen aus. Dafür ist eine hohe Spannung erforderlich, welche höher als eine von außen zugeführte Versorgungsspannung ist. Die hohe Spannung kann durch einen externen Anschluss bereitgestellt werden oder in einem Chip erzeugt und benutzt werden. Um eine so hohe Spannung innerhalb eines Chips zu erzeugen, ist eine Generatorschaltung für die hohe Spannung erforderlich und ein solcher Generator wird auch als Ladungspumpenschaltung bezeichnet.
Durch Reduzierungen der für Chips zur Verfügung gestellten Versorgungsspannung, wie sie in jüngerer Zeit erfolgen, wird es schwierig, die hohe Spannung innerhalb der Chips zu erzeugen. Es sind daher Ladungspumpenschaltungen erforderlich, welche effizient arbeiten.
1 zeigt ein Schaltbild einer herkömmlichen Ladungspumpenschaltung. Wie aus 1 ersichtlich ist, umfasst die herkömmliche Ladungspumpenschaltung eine Ladungsversorgungseinheit 10 und eine Mehrzahl von in Reihe geschalteten Anhebe- bzw. Verstärkungsstufen 20, 30, 40 und 50.
Die Verstärkungsstufen 20, 30, 40 und 50 umfassen jeweils Ladungstransfertransistoren P21, P31, P41 und P51, erste Schalttransistoren P22, P32, P42 und P52, zweite Schalttransistoren P23, P33, P43 und P53, dritte Schalttransistoren P24, P34, P44 und P54, erste Kondensatoren C21, C31, C41 und C51, zweite Kondensatoren C22, C32, C42 und C52, dritte Kondensatoren C23, C33, C43 und C53, erste Dioden D21, D31, D41 und D51 und zweite Dioden D22, D32, D42 und D52.
Die Ladungstransfertransistoren P21, P31, P41 und P51 übertragen Ladungen von Eingabeknoten I2, I3, I4 und I5, d.h. Ladungen, welche von einer vorherigen Verstärkungsstufe verstärkt werden, zu Verstärkungsknoten O2, O3, O4 und O5. Die ersten Schalttransistoren P22, P32, P42 und P52 und die zweiten Schalttransistoren P23, P33, P43 und P53 sind vorgesehen, um Spannungen an Volumenpunkten B2, B3, B4 und B5 der Ladungstransfertransistoren P21, P31, P41 und P51 auf der höheren der Spannungen an den Eingabeknoten I2, I3, I4 und I5 und der Spannungen an den Verstärkungsknoten O2, O3, O4 und O5 zu halten.
Die dritten Schalttransistoren P24, P34, P44 und P54, die ersten Kondensatoren C21, C31, C41 und C51, die zweiten Kondensatoren C22, C32, C42 und C52, die dritten Kondensatoren C23, C33, C43 und C53, die ersten Dioden D21, D31, D41 und D51 und die zweiten Dioden D22, D32, D42 und D52 führen eine Ladungsverstärkung bzw. -anhebung durch. Ein Signal PUMPEN gibt eine Ladungszufuhreinheit 10 frei, während Signale PS1 und PS2 den Verstärkungsvorgang steuern. Die endgültige verstärkte Spannung ist mit VPP bezeichnet.
Werden die an den Eingabeknoten I2, I3, I4 und I5 eingegebenen Ladungen bzw. die von einer vorherigen Verstärkungsstufe verstärkten Ladungen über die Ladungstransfertransistoren P21, P31, P41 und P51 zu einer jeweils nächsten Verstärkungsstufe übertragen, dann sollten die Ladungstransfertransistoren P21, P31, P41 und P51 den Ladungstransfer nicht begrenzen. In anderen Worten ausgedrückt, die Ladungsübertragungseffizienz der Ladungstransfertransistoren P21, P31, P41 und P51 sollte hoch sein.
In herkömmlichen Ladungspumpenschaltungen nehmen die Spannungspegel an den Verstärkungsknoten O2, O3, O4 und O5, die mit Gates der ersten Transistoren P22, P32, P42 und P52 verbunden sind, jedoch zu, während Ladungen über die Ladungstransfertransistoren P21, P31, P41 und P51 übertragen werden. Daraus resultiert, dass die ersten Schalttransistoren P22, P32, P42 und P52 sperrend geschaltet werden, die Spannungen an den Volumenpunkten B2, B3, B4 und B5 der Ladungstransfertransistoren P21, P31, P41 und P51 nicht mehr entladen werden und die höchsten Spannungen an den Eingabeknoten I2, I3, I4 und I5 gehalten werden.
Daher werden die Ladungstransfertransistoren P21, P31, P41 und P51 durch einen Volumen- bzw. Substratvorspannungseffekt beeinflusst. Infolge dessen nehmen die Schwellwertspannungen der Ladungstransfertransistoren P21, P31, P41 und P51 zu und die Ladungsübertragungseffizienz der Ladungstransfertransistoren P21, P31, P41 und P51 nimmt ab. Ein solches Phänomen verschlechtert die Pumpeffizienz der Ladungspumpenschaltung.

Es ist Aufgabe der Erfindung, eine Ladungspumpenschaltung der eingangs genannten Art mit vergleichsweise hoher Ladungstransfereffizienz zur Verfügung zu stellen.

Die Erfindung löst diese Aufgabe durch eine Ladungspumpenschaltung mit den Merkmalen des Patentanspruchs 1 oder 3. Bei der erfindungsgemäßen Ladungspumpenschaltung wird der Substratvorspannungseffekt der Ladungstransfertransistoren vergleichsweise gering gehalten bzw. vermieden, was eine entsprechend hohe Ladungstransfereffizienz ermöglicht.

Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind in den abhängigen Ansprüchen angegeben.

Vorteilhafte, nachfolgend beschriebene Ausführungsformen der Erfindung sowie das zu deren besserem Verständnis oben erläuterte, herkömmliche Ausführungsbeispiel sind in den Zeichnungen dargestellt. Es zeigen:
1 ein Schaltbild einer herkömmlichen Ladungspumpenschaltung,
2 ein Schaltbild einer erfindungsgemäßen Ladungspumpenschaltung,
3A ein Diagramm eines Simulationsergebnisses der herkömmlichen Ladungspumpenschaltung aus 1 und
3B ein Diagramm eines Simulationsergebnisses der erfindungsgemäßen Ladungspumpenschaltung aus 2.
2 zeigt ein Schaltbild einer erfindungsgemäßen Ladungspumpenschaltung, die eine Ladungszufuhreinheit 100 und eine Mehrzahl von in Reihe geschalteten Anhebe- bzw. Verstärkungsstufen 60, 70, 80 und 90 umfasst.
Die Ladungszufuhreinheit 100 führt in Reaktion auf ein Freigabesignal PUMPEN Ladungen einem Eingabeknoten I6 der ersten Verstärkungsstufe 60 unter der Mehrzahl von Verstärkungsstufen 60, 70, 80, 90 zu. Die Ladungszufuhreinheit 100 umfasst einen PMOS-Transistor P101. Eine Versorgungsspannung VDD wird an eine Source des PMOS-Transistors P101 angelegt, ein Freigabesignal PUMPEN wird an ein Gate des PMOS-Transistors P101 angelegt und eine Drain des PMOS-Transistors P101 ist mit dem Eingabeknoten I6 der ersten Verstärkungsstufe 60 verbunden.
Die Verstärkungsstufen 60, 70, 80 und 90 umfassen jeweils Ladungstransfertransistoren P61, P71, P81 und P91, erste Schalttransistoren P62, P72, P82 und P92, zweite Schalttransistoren P63, P73, P83 und P93, dritte Schalttransistoren P64, P74, P84 und P94, erste Kondensatoren C61, C71, C81 und C91, zweite Kondensatoren C62, C72, C82 und C92, dritte Kondensatoren C63, C73, C83 und C93, erste Dioden D61, D71, D81 und D91 und zweite Dioden D62, D72, D82 und D92.
Die Ladungstransfertransistoren P61, P71, P81 und P91 übertragen Ladungen von Eingabeknoten I6, I7, I8 und I9, d.h. Ladungen, welche von einer vorherigen Verstärkungsstufe verstärkt bzw. von der Ladungszufuhreinheit 100 zugeführt werden, zu Verstärkungsknoten O6, O7, O8 und O9 und sind als PMOS-Transistoren ausgeführt. In jedem PMOS-Transistor ist ein Anschluss, d.h. der Source- oder Drainanschluss, mit einem der Eingabeknoten I6, I7, I8 und I9 verbunden und der andere Anschluss, d.h. der Drain- oder Sourceanschluss, ist mit einem der Verstärkungsknoten O5, O7, O8 und O9 verbunden. Die Ladungstransfertransistoren P61, P71, P81 und P91 sind in floatenden, d.h. potentialfreien Mulden vom n-Typ gebildet, die in einem Halbleitersubstrat ausgebildet sind.
Die ersten Schalttransistoren P62, P72, P82 und P92 machen die Spannungspegel an Volumenpunkten B6, B7, B8 und B9 der Ladungstransfertransistoren P61, P71, P81 und P91 gleich den Spannungspegeln an den Eingabeknoten I6, I7, I8 und I9, während Ladungen durch die Ladungstransfertransistoren P61, P71, P81 und P91 übertragen werden. Die zweiten Schalttransistoren P63, P73, P83 und P93 machen die Spannungspegel an den Volumenpunkten B6, B7, B8 und B9 der Ladungstransfertransistoren P61, P71, P81 und P91 gleich den Spannungspegeln an den Verstärkungsknoten O6, O7, O8 und O9.
Die einen, ersten Anschlüsse der ersten Schalttransistoren P62, P72, P82 und P92 sind mit Anschlüssen der Ladungstransfertransistoren P61, P71, P81 und P91 verbunden, d.h. jeweils mit den Eingabeknoten I6, I7, I8 und I9. Die anderen, zweiten Anschlüsse der ersten Schalttransistoren P62, P72, P82 und P92 sind jeweils mit einem der Volumenpunkte B6, B7, B8 und B9 der Ladungstransfertransistoren P61, P71, P81 und P91 verbunden. Außerdem sind die Gates der ersten Schalttransistoren P62, P72, P82 und P92 jeweils mit einem der Gates der Ladungstransfertransistoren P61, P71, P81 und P91 verbunden. Die einen, ersten Anschlüsse der zweiten Schalttransistoren P63, P73, P83 und P93 sind mit den zweiten Anschlüssen der Ladungstransfertransistoren P61, P71, P81 und P91 verbunden, d.h. jeweils mit einem der Verstärkungsknoten O6, O7, O8 und O9. Die anderen, zweiten Anschlüsse der zweiten Schalttransistoren P63, P73, P83 und P93 sind jeweils mit einem der Volumenpunkte B6, B7, B8 und B9 der Ladungstransfertransistoren P61, P71, P81 und P91 verbunden. Die Gates der zweiten Schalttransistoren P63, P73, P83 und P93 sind jeweils mit einem der Anschlüsse der Ladungstransfertransistoren P61, P71, P81 und P91 verbunden, d.h. mit je einem der Eingabeknoten I6, I7, I8 und I9.
Die dritten Schalttransistoren P64, P74, P84 und P94, die ersten Kondensatoren C61, C71, C81 und C91, die zweiten Kondensatoren C62, C72, C82 und C92, die dritten Kondensatoren C63, C73, C83 und C93, die ersten Dioden D61, D71, D81 und D91 und die zweiten Dioden D62, D72, D82 und D92 führen eine Ladungsverstärkung durch. Steuersignale PS1 und PS2 steuern den Verstärkungsvorgang und sind zueinander 180° phasenverschoben.
Die einen, ersten Anschlüsse der dritten Schalttransistoren P64, P74, P84 und P94 sind jeweils mit einem der negativen Anschlüsse der zweiten Dioden D62, D72, D82 und D92 verbunden. Die anderen, zweiten Anschlüsse der dritten Schalttransistoren P64, P74, P84 und P94 sind jeweils einem der Verstärkungsknoten O6, O7, O8 und O9 verbunden. Die Gates der dritten Schalttransistoren P64, P74, P84 und P94 sind mit je einem Gate der Ladungstransfertransistoren P61, P71, P81 und P91 verbunden.
Die einen, ersten Anschlüsse der ersten Kondensatoren C61, C71, C81 und C91 sind mit den Steuersignalen PS1, PS2, PS1 bzw. PS2 verbunden. Die anderen, zweiten Anschlüsse der ersten Kondensatoren C61, C71, C81 und C91 sind jeweils mit einem der Gates der Ladungstransfertransistoren P61, P71, P81 und P91 verbunden. Die einen, ersten Anschlüsse der zweiten Kondensatoren C62, C72, C82 und C92 sind mit den Steuersignalen PS2, PS1, PS2 bzw. PS1 verbunden. Die anderen, zweiten Anschlüsse der zweiten Kondensatoren C62, C72, C82 und C92 sind jeweils mit einem der negativen Anschlüsse der zweiten Dioden D62, D72, D82 und D92 verbunden. Die einen, ersten Anschlüsse der dritten Kondensatoren C63, C73, C83 und C93 sind jeweils mit einem der Verstärkungsknoten O6, O7, O8 und O9 verbunden. Die anderen, zweiten Anschlüsse der dritten Kondensatoren C63, C73, C83 und C93 sind mit den Steuersignalen PS1, PS2, PS1 bzw. PS2 verbunden.
Die positiven Anschlüsse der ersten Dioden D61, D71, D81 und D91 sind jeweils mit einem der Verstärkungsknoten O6, O7, O8 und O9 ver bunden. Die negativen Anschlüsse der ersten Dioden D61, D71, D81 und D91 sind jeweils mit einem der Gates der Ladungstransfertransistoren P61, P71, P81 und P91 verbunden. Die positiven Anschlüsse der zweiten Dioden D62, D72, D82 und D92 sind ebenfalls jeweils mit einem der Gates der Ladungstransfertransistoren P61, P71, P81 und P91 verbunden. Hierbei sind die ersten Schalttransistoren P62, P72, P82 und P92, die zweiten Schalttransistoren P63, P73, P83 und P93 und die dritten Schalttransistoren P64, P74, P84 und P94 als PMOS-Transistoren ausgeführt.
Wie oben erwähnt, sind in der erfindungsgemäßen Ladungspumpenschaltung die Gates der ersten Schalttransistoren P62, P72, P82 und P92 mit den Gates der Ladungstransfertransistoren P61, P71, P81 und P91 verbunden und die Gates der Ladungstransfertransistoren P61, P71, P81 und P91 sind über die ersten Kondensatoren C61, C71, C81 und C91 mit den Steuersignalen PS1, PS2, PS1 bzw. PS2 verbunden.
Während die Ladungen über die Ladungstransfertransistoren P61, P71, P81 und P91 übertragen werden, d.h. die Steuersignale PS1, PS2, PS1 und PS2 sind auf einem niedrigen Pegel, bleiben die ersten Schalttransistoren P62, P72, P82 und P92 in einem leitenden Zustand. Daraus resultiert, dass die Spannungspegel der Volumenpunkte bzw. -bereiche B6, B7, B8 und B9 der Ladungstransfertransistoren P61, P71, P81 und P91 praktisch gleich denen der Eingabeknoten I6, I7, I8 und I9 sind. In anderen Worten ausgedrückt, die Spannungspegel der Volumenbereiche B6, B7, B8 und B9, welche in einer frühen Stufe der Ladungsübertragung einen hohen Pegel haben, nehmen mit geringer werdenden Spannungspegeln an den Eingabeknoten I6, I7, I8 und I9 durch die Ladungsübertragung ab.
Als Konsequenz wird der Substratvorspannungseffekt der Ladungstransfertransistoren P61, P71, P81 und P91 vermindert und die Schwellwert spannungen der Ladungstransfertransistoren P61, P71, P81 und P91 nehmen nicht zu. Daraus resultiert, dass die Ladungstransfereffizienz der Ladungstransfertransistoren P61, P71, P81 und P91 und folglich auch die Pumpeffizienz der Ladungspumpenschaltung verbessert wird.
3A zeigt ein Simulationsergebnis der herkömmlichen Ladungspumpenschaltung aus 1, und 3B zeigt ein Simulationsergebnis der erfindungsgemäßen Ladungspumpenschaltung aus 2.
In 3A repräsentieren Ii, Oi und Bi den Verlauf von Spannungen am Eingabeknoten, am Verstärkungsknoten bzw. am Volumenbereich eines der Ladungstransfertransistoren P21, P31, P41 und P51 in der herkömmlichen Ladungspumpenschaltung aus 1. In 3B repräsentieren Ij, Oj und Bj den Verlauf von Spannungen am Eingabeknoten, am Verstärkungsknoten bzw. am Volumenbereich eines der Ladungstransfertransistoren P61, P71, P81 und P91 in der Ladungspumpenschaltung aus 2. PS1 und PS2 repräsentieren die Steuersignale, die an die Ladungstransfertransistoren P21, P31, P41 und P51 sowie P61, P71, P81 und P91 angelegt werden.
Wie aus 3A ersichtlich ist, wird in der herkömmlichen Ladungspumpenschaltung, während Ladungen durch die Ladungstransfertransistoren P21, P31, P41 und P51 übertragen werden, d.h. wenn das Steuersignal PS1 für die Transistoren P21 und P41 auf einem niedrigen Pegel ist und das Signal PS2 für die Transistoren P31 und P51 auf einem niedrigen Pegel ist, die Spannung Bi an den Volumenbereichen der Ladungstransfertransistoren P21, P31, P41 und P51 nicht entladen und bleibt auf der höchsten Spannung Ii am Eingabeknoten. Im Gegensatz dazu nimmt, wie aus 3B ersichtlich ist, bei der erfindungsgemäßen Ladungspumpenschaltung, während das Steuersignal PS1 auf einem niedrigen Pegel ist, die Spannung Bj an den Volumenbereichen der Ladungstransfertransistoren P61, P71, P81 und P91 von einem hohen Spannungspegel in einer frühen Stufe des Ladungsübertragungsvorgangs annähernd auf die Spannung Ij am Eingabeknoten ab.
Nachfolgend wird die Funktionsweise der erfindungsgemäßen Ladungspumpenschaltung detaillierter beschrieben. Wechselt das Freigabesignal PUMPEN auf einen niedrigen Pegel und beginnen die Steuersignale PS1 und PS2 mit sich gegenseitig ausschließenden Pulsvorgängen, dann wird der Eingabeknoten I6 der ersten Verstärkerstufe 60 mit der Versorgungsspannung VDD verbunden und die Verstärkungsstufen 60, 70, 80 und 90 beginnen einen Ladungspumpvorgang. Hierbei sinkt, wenn das Steuersignal PS1 auf einem niedrigen Pegel ist und das Steuersignal PS2 auf einem hohen Pegel ist, die Spannung am Gate des Ladungstransfertransistors P61 unter die Spannung an der Source des Ladungstransfertransistors P61, d.h. am Eingabeknoten I6, um einen Betrag ab, der gleich oder größer als die Schwellwertspannung des Ladungstransfertransistors P61 ist. Daher wird der Ladungstransfertransistor P61 leitend geschaltet und Ladungen, welche von der Versorgungsspannung VDD fließen, werden zum Verstärkungsknoten O6 übertragen.
Danach sinkt, wenn das Steuersignal PS1 einen hohen Pegel annimmt und das Steuersignal PS2 einen niedrigen Pegel annimmt, die Spannung am Gate des Ladungstransfertransistors P71 unter die Spannung am Eingabeknoten I7 um einen Betrag ab, der gleich oder größer als die Schwellwertspannung des Ladungstransfertransistors P71 ist, und der Ladungstransfertransistor P71 wird leitend geschaltet. Daraus resultiert, dass Ladungen am Verstärkungsknoten O6, d.h. am Eingabeknoten I7, zum Verstärkungsknoten O7 übertragen werden. Hierbei nimmt die Spannung am Gate des Ladungstransfertransistors P61 durch den Ladungstransfer vom Verstärkungsknoten O6 über die Diode D61 zum Gate des Ladungstransfertransistors P61 zu. Als Konsequenz fließen die Ladungen am Verstärkungsknoten O6 nicht zum Eingabeknoten I6 zurück.
Die oben beschriebenen Vorgänge laufen nacheinander in den in Reihe geschalteten Verstärkerstufen ab und Ladungen werden so von der Versorgungsspannung VDD zur letzten Verstärkerstufe 90 übertragen. Einige der Ladungen werden zum Erhöhen der Spannungen an den Verstärkungsknoten O6, O7, O8 und O9 benutzt. Die zur letzten Verstärkerstufe 90 übertragenen Ladungen werden zu einem Anschluss für die Spannung VPP übertragen, wenn das Steuersignal PS1 einen niedrigen Pegel annimmt. Durch dieses Verfahren nehmen die Spannungen an den Verstärkungsknoten O6, O7, O8 und O9 und die Spannung VPP graduell zu.
Wie oben ausgeführt, vermindert die erfindungsgemäße Ladungspumpenschaltung den Substratvorspannungseffekt der Ladungstransfertransistoren, wodurch deren Ladungstransfereffizienz und Ladungspumpeffizienz verbessert wird.

Claims

Ladungspumpenschaltung mit – einer Mehrzahl von Verstärkungsstufen (60, 70, 80, 90), welche Eingabeknoten (I6, I7, I8, I9) und Verstärkungsknoten (O6, O7, O8, O9) umfassen und in Reihe geschaltet sind, wobei die jeweilige Verstärkungsstufe einen Ladungstransfertransistor (P61, P71, P81, P91) mit einem ersten Anschluss, welcher mit einem der Eingabeknoten (I6, I7, I8, I9) verbunden ist, und einem zweiten Anschluss, welcher mit einem der Verstärkungsknoten (O6, O7, O8, O9) verbunden ist, und einen ersten Schalttransistor (P62, P72, P82, P92) umfasst, dadurch gekennzeichnet, dass – der erste Schalttransistor (P62, P72, P82, P92) der jeweiligen Verstärkungsstufe (60, 70, 80, 90) darauf ausgelegt ist, einen Spannungspegel an einem Volumenbereich (B6, B7, B8, B9) des zugehörigen Ladungstransfertransistors (P61, P71, P81, P91) gleich einem Spannungspegel am ersten Anschluss des Ladungstransfertransistors zu machen, während Ladungen durch den Ladungstransfertransistor (P61, P71, P81, P91) übertragen werden, wobei ein Gate des ersten Schalttransistors mit einem Gate des Ladungstransfertransistors verbunden ist.
Ladungspumpenschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die jeweilige Verstärkungsstufe (60, 70, 80, 90) einen zweiten Schalttransistor (P63, P73, P83, P93) umfasst, welcher den Spannungspegel am Volumenbereich des Ladungstransfertransistors (P61, P71, P81, P91) gleich einem Spannungspegel am zweiten Anschluss des Ladungstransfertransistors macht, wobei ein Gate des zweiten Schalttransistors mit dem ersten Anschluss des Ladungstransfertransistors verbunden ist.
Ladungspumpenschaltung mit – einer Mehrzahl von Verstärkungsstufen (60, 70, 80, 90), welche Eingabeknoten (I6, I7, I8, I9) und Verstärkungsknoten (O6, O7, O8, O9) umfassen und in Reihe geschaltet sind, wobei die jeweilige Verstärkungsstufe einen Ladungstransfertransistor (P61, P71, P81, P91) mit einem ersten Anschluss, welcher mit einem der Eingabeknoten (I6, I7, I8, I9) verbunden ist, und einem zweiten Anschluss, welcher mit einem der Verstärkungsknoten (O6, O7, O8, O9) verbunden ist, einen ersten Schalttransistor (P62, P72, P82, P92), dessen einer Anschluss mit dem ersten Anschluss des Ladungstransfertransistors verbunden ist und dessen anderer Anschluss mit einem Volumenbereich (B6, B7, B8, B9) des Ladungstransfertransistors (P61, P71, P81, P91) verbunden ist, und einen zweiten Schalttransistor (P63, P73, P83, P93) umfasst, dessen einer Anschluss mit dem zweiten Anschluss des Ladungstransfertransistors verbunden ist, dessen anderer Anschluss mit dem Volumenbereich des Ladungstransfertransistors verbunden ist und dessen Gate mit dem ersten Anschluss des Ladungstransfertransistors verbunden ist, dadurch gekennzeichnet, dass – ein Gate des ersten Schalttransistors (P62, P72, P82, P92) mit einem Gate des Ladungstransfertransistors (P61, P71, P81, P91) verbunden ist.
Ladungspumpenschaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, gekennzeichnet durch eine Ladungszufuhreinheit (100), welche Ladungen in Reaktion auf ein Freigabesignal (PUMPEN) einem Eingabeknoten (I6) einer ersten Verstärkungsstufe (60) unter der Mehrzahl von Verstärkungsstufen (60, 70, 80, 90) zuführt.
Ladungspumpenschaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass die jeweilige Verstärkungsstufe folgende Komponenten umfasst: – einen ersten Kondensator (C61, C71, C81, C91), dessen einer Anschluss mit dem einen von einem ersten und einem zweiten Steuersignal (PS1, PS2) verbunden ist und dessen anderer Anschluss mit dem Gate des Ladungstransfertransistors (P61, P71, P81, P91) verbunden ist, – einen zweiten Kondensator (C62, C72, C82, C92), dessen einer Anschluss mit dem anderen von dem ersten und zweiten Steuersignal (PS2, PS1) verbunden ist, – einen dritten Kondensator (C63, C73, C83, C93), dessen einer Anschluss mit einem der Verstärkungsknoten (O6, O7, O8, O9) verbunden ist und dessen anderer Anschluss mit dem ersten oder dem zweiten Steuersignal (PS1, PS2) verbunden ist, – eine erste Diode (D61, D71, D81, D91), deren positiver Anschluss mit einem der Verstärkungsknoten (O6, O7, O8, O9) verbunden ist und deren negativer Anschluss mit dem Gate des Ladungstransfertransistors (P61, P71, P81, P91) verbunden ist, – eine zweite Diode (D62, D72, D82, D92), deren positiver Anschluss mit dem Gate des Ladungstransfertransistors (P61, P71, P81, P91) verbunden ist und deren negativer Anschluss mit dem anderen Anschluss des zweiten Kondensators (C62, C72, C82, C92) verbunden ist, und – einen dritten Schalttransistor (P64, P74, P84, P94), dessen einer Anschluss mit dem negativen Anschluss der zweiten Diode (D62, D72, D82, D92) verbunden ist, dessen anderer Anschluss mit einem der Verstärkungsknoten (O6, O7, O8, O9) verbunden ist und dessen Gate mit dem Gate des Ladungstransfertransistors (P61, P71, P81, P91) verbunden ist.
Ladungspumpenschaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Ladungstransfertransistoren und die ersten bis dritten Schalttransistoren jeweils als PMOS-Transistor ausgeführt sind.