DE102004046995A1 - Lichtemittierende Diode - Google Patents

Lichtemittierende Diode Download PDF

Info

Publication number
DE102004046995A1
DE102004046995A1 DE102004046995A DE102004046995A DE102004046995A1 DE 102004046995 A1 DE102004046995 A1 DE 102004046995A1 DE 102004046995 A DE102004046995 A DE 102004046995A DE 102004046995 A DE102004046995 A DE 102004046995A DE 102004046995 A1 DE102004046995 A1 DE 102004046995A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
light
reflection
emitting diode
emitting element
diode according
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE102004046995A
Other languages
English (en)
Inventor
Yasuki Fujiyoshida Kuwabara
Toshiyuki Fujiyoshida Wakatsuki
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Citizen Electronics Co Ltd
Original Assignee
Citizen Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Citizen Electronics Co Ltd filed Critical Citizen Electronics Co Ltd
Publication of DE102004046995A1 publication Critical patent/DE102004046995A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58Optical field-shaping elements
    • H01L33/60Reflective elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01068Erbium [Er]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01078Platinum [Pt]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01079Gold [Au]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/12Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204Optical Diode
    • H01L2924/12041LED
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901Structure
    • H01L2924/1904Component type
    • H01L2924/19041Component type being a capacitor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483Containers
    • H01L33/486Containers adapted for surface mounting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52Encapsulations
    • H01L33/54Encapsulations having a particular shape

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

Eine lichtemittierende Diode, die Folgendes aufweist: DOLLAR A ein Grundsubstrat mit einem Paar von Elektroden; eine Reflexionsschale, die auf dem Grundsubstrat installiert ist; ein lichtemittierendes Element, das am Boden der Reflektionsschale angeordnet ist; und ein Harzdichtmittel, dass das lichtemittierende Element umschließt; wobei das lichtemittierende Element elektrisch mit den Elektroden über eine Öffnung, die im Boden der Reflektionsschale ausgebildet ist, verbunden ist; wobei die Reflektionsschale einen Filmkörper aufweist, der in einer Schalenform gehalten wird und einen Metallfilm, der auf einer Oberfläche des Filmkörpers ausgebildet ist. Dieser Aufbau macht die Steuerung der Lichtrichtercharakteristik leicht und kann Licht mit einer schmalen Richtcharakteristik erzeugen.

Description

  • Hintergrund der Erfindung
  • Gebiet der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine lichtemittierende Diode, die verwendet wird zum Beleuchten unterschiedlicher elektronischer Geräte und die in den letzten Jahren auch verwendet wurde zum Beleuchten von Autoarmaturenbrettern und bezieht sich insbesondere auf eine lichtemittierende Diode, die mit einen Reflektionsschale versehen ist, um ein Beleuchtungslicht mit einer gewünschten Richtcharakteristik bzw. Gerichtetheit (directivity) zu erhalten.
  • Beschreibung verwandter Technik
  • Ein Beispiel einer lichtemittierenden Diode dieser Art ist in der Japanischen Patentveröffentlichung Nr. 2002-324917 offenbart. Diese lichtemittierende Diode weist, wie in 1 gezeigt ist, ein Grundsubstrat 2 auf, das auf einer Hauptplatine bzw. einem Mother-Board 1 angebracht ist, ein lichtemittierendes Element 3, das auf einer Oberseite des Basissubstrats 2 platziert ist, eine Reflektionsschale 4, die angeordnet ist um das lichtemittierende Element 3 zu umgeben, ein Harzdichtmittel 5, das das lichtemittierende Element 3 und die Reflektionsschale 4 abdichtet, und ein kuppelförmiges Lichtsammelglied 6, das auf dem Harzdichtmittel 5 platziert ist.
  • Bei einer solchen lichtemittierenden Diode wird Licht, das von dem lichtemittierenden Element 3 emittiert wird, durch eine Innenumfangsoberfläche der Reflektionsschale 4 reflektiert, um eine nach oben gerichtete Richtcharakteristik zu erhalten, und geht dann durch einen Linsenteil 7 des Lichtsammelgliedes 6 hindurch, um eine stärkere Richtcharakteristik bzw. Gerichtetheit zu erhalten.
  • In den letzten Jahren gab es eine wachsende Nachfrage hinsichtlich einer lichtemittierenden Diode mit einer sogenannten schmalen Richtcharakteristik bzw. Gerichtetheit, welche von einem lichtemittierenden Element emittiertes Licht fokussiert, und das fokussierte Licht auf einen Punkt leuchtet. Um eine solche schmale Richtcharakteristik unter Verwendung nur einer Reflektionsschale zu realisieren, ist ein Rauheitshöhenrating bzw. eine -güte der Reflektionsschalenoberfläche erforderlich, die kleiner oder gleich einer Hälfte der Wellenlänge λ des emittierten Lichts von dem lichtemittierenden Element ist, um die Lichtrichtcharakteristik zu steuern.
  • Das Rauheitshöhenrating bzw. die -güte ist definiert als ein Maß des Oberflächenfinish oder des arithmetischen Mittels gegenüber einer vollständig flachen Oberfläche.
  • Jedoch gibt es bei der herkömmlichen lichtemittierenden Diode, die oben beschrieben ist, eine Grenze hinsichtlich des Rauheitshöhenratings der Schalenoberflächen, da viele der Reflektionsschalen aus Harz geformte bzw. aus Harz spritzgegossene Produkte sind. Selbst wenn die Oberfläche der Reflektionsschale mit einem abgeschiedenen Metallfilm versehen oder mit einem Metallfilm plattiert ist, ist ein Oberflächenrauheitshöhenrating, das kleiner oder gleich einer Hälfte der Wellenlänge λ des emittierten Lichts von dem lichtemittierenden Element ist, was notwendig ist zum Steuern der Lichtrichtcharakteristik schwierig zu erreichen. Somit erzeugt die herkömmliche Reflektionsschale gestreute Lichtstrahlen, was es unmöglich macht, eine gewünschte schmale Richtcharakteristik nur mit einer herkömmlichen Reflektionsschale zu realisieren. Es war daher notwendig, ein zusätzliches Glied vorzusehen, wie zum Beispiel das Lichtsammelglied 6, was die Vorrichtung viel teurer macht. Andere Probleme der herkömmlichen Vorrichtung umfassen eine nicht gleichförmige Farbe von emittiertem Licht infolge chromatischer Aberration und eine erhöhte Größe der lichtemittierenden Diode.
  • Zusammenfassung der Erfindung
  • Ein Ziel der vorliegenden Erfindung liegt im Vorsehen einer lichtemittierenden Diode, die in der Lage ist, Licht mit einer schmalen Richtcharakteristik zu erzeugen durch Verbessern der Funktionen einer Reflektionsschale ohne die Verwendung eines zusätzlichen Gliedes, wie beispielsweise eines Lichtsammelgliedes, wie es im Stand der Technik der Fall ist.
  • Um das obige Ziel zu erreichen, weist die lichtemittierende Diode gemäß der vorliegenden Erfindung Folgendes auf: ein Grundsubstrat mit einem Paar von darauf angeordneten Elektroden; eine Reflektionsschale, die an dem Grundsubstrat installiert ist; ein lichtemittierendes Element, das angeordnet ist, um am Boden der Reflektionsschale angeordnet zu werden; und ein Harzdichtmittel, das das lichtemittierende Element einschließt; wobei das lichtemittierende Element elektrisch mit dem Paar von Elektroden verbunden ist über eine Öffnung, die in dem Boden der Reflektionsschale ausgebildet ist; wobei die Reflektionsschale einen Filmkörper aufweist, der in einer Schalenform gehalten wird, und einen Metallfilm besitzt, der auf einer Oberfläche des Filmkörpers ausgebildet ist.
  • Das Grundsubstrat dieser Erfindung kann ein Glasepoxysubstrat oder ein flexibles Schaltungssubstrat verwenden, das mit einem Elektrodenmuster darauf ausgebildet ist. Um Licht mit einer schmalen Richtcharakteristik bzw. Gerichtetheit zu erzeugen, ist es zweckmäßig, dass die Reflektionsschale als eine fast halbkreisförmige Schalenform mit einem tiefen Boden ausgebildet ist.
  • Der Filmkörper dieser Erfindung kann zum Beispiel aus einem Polyimidfilm durch Pressformen bzw. Formpressen ausgebildet sein. Der Polyimidfilm be sitzt Vorteile, wie beispielsweise ein sehr feines Oberflächenrauheitshöhenrating bzw. eine -güte und einen hohen Wärmewiderstand. Die Form des geformten Filmkörpers hängt ab von den Formen der positiven und negativen Formen, die für die Pressformen verwendet werden.
  • Bei einem Ausführungsbeispiel dieser Erfindung ist auf der Oberfläche des Filmkörpers Aluminium oder Silber abgeschieden, das eine hohe Reflektionswirkung besitzt. Diese Metallabscheidung wird im Allgemeinen durch Verdampfung erreicht. Das Oberflächenrauheitshöhenrating des abgeschiedenen Metallfilms ist kleiner als oder gleich einer Hälfte der Wellenlänge γ des von dem lichtemittierenden Elements emittierten Lichts. Während die Oberflächenrauheit auf Rauheit auf weniger oder gleich der halben Wellenlänge γ gehalten wird, kann die Diffusion des reflektierten Lichts verringert oder minimiert werden, wodurch leicht Licht mit einer schmalen Richtcharakteristik bzw. Gerichtetheit erzeugt werden kann.
  • Bei einem weiteren Ausführungsbeispiel dieser Erfindung ist das lichtemittierende Element Flip-Chip angebracht an den Elektroden des Grundsubstrats über Ansätze bzw. Fahnen, wie beispielsweise Lötansätze bzw. -fahnen, Goldansätze usw. Dieses Anbringungsverfahren ermöglicht eine Größenreduktion der Reflektionsschale, was wiederum zu einer schmalen Richtcharakteristik führt. Die in dem Boden der Reflektionsschale ausgebildete Öffnung, durch die die Ansätze mit den Elektroden des Grundsubstrats verbunden werden, müssen nur groß genug sein, um die Ansätze aufzunehmen. Dies ermöglicht es, eine weite Reflektionsoberfläche unterhalb des lichtemittierenden Elements anzubringen (Bodenseite der Reflektionsschale), was zu einer effizienteren Extraktion von nach oben reflektiertem Licht beisteuert. In einem noch weiteren Ausführungsbeispiel dieser Erfindung kann ein Rahmen zum Stützen der Reflektionsschale an der Rückseite der Reflektionsschale angeordnet sein. Das Tragen der Reflektionsschale mit dem Rahmen erleichtert die Handhabung der lichtemittierenden Diode. Ferner kann durch Vorsehen von Freiräumen in dem Rahmen auf der Rückseite der Reflektionsschale und das Installieren elektronischer Bauteile in diesen Freiräumen eine weitere Größenreduzierung realisiert werden. Die elektronischen Bauteile umfassen z.B. eine Zenerdiode, einen Kondensator und einen Widerstand, die alle verwendet werden, um eine Ansammlung elektrostatischer Ladungen in der lichtemittierenden Diode zu verhindern.
  • Durch die erfindungsgemäße Verwendung eines Films mit einem feinen Oberflächenrauheitshöhenrating bzw. einer hohen Oberflächenrauheitshöhengüte als Reflektionsschale der lichtemittierenden Diode, wird die Steuerung der Lichtcharakteristik vereinfacht, wodurch es möglich ist, Licht mit einer schmalen Richtcharakteristik unter Verwendung eines einfachen Aufbaus ohne ein zusätzliches Lichtsammelglied zu erzeugen.
  • Kurze Beschreibung der Zeichnungen
  • 1 ist eine Querschnittansicht eines Beispiels einer herkömmlichen lichtemittierenden Diode.
  • 2 ist eine perspektivische Ansicht, die ein Ausführungsbeispiel einer lichtemittierenden Diode gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt.
  • 3 ist eine Querschnittansicht der lichtemittierenden Diode entlang der Linie A-A in 2.
  • 4 ist eine vergrößerte Ansicht eines Teils B der lichtemittierenden Diode gemäß 3.
  • 5 ist eine vergrößerte Ansicht eines weiteren Ausführungsbeispiels, ähnlich zu 4.
  • 6 ist eine Querschnittansicht des zweiten Ausführungsbeispiels, ähnlich zu 3.
  • Detaillierte Beschreibung des bevorzugten Ausführungsbeispiels Nachfolgend werden Ausführungsbeispiele der lichtemittierenden Diode dieser Erfindung im Detail unter Bezugnahme auf die Zeichnungen beschrieben. 2 ist eine perspektivische Ansicht, die einen Gesamtaufbau der lichtemittierenden Diode als ein Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigt.
  • 3 ist eine Querschnittansicht entlang der Linie A-A in 2. 4 ist eine vergrößerte Ansicht eines Teils B gemäß 3.
  • Wie in den 2 bis 4 dargestellt ist, besitzt eine lichtemittierende Diode 11 dieser Erfindung ein annähernd quadratisches Grundsubstrat 12 mit einem Paar von Elektroden, die an einer Oberfläche eines Glasepoxysubstrats ausgebildet ist, ein lichtemittierendes Element 13, das an einem annähernd mittigen Teil einer Oberseite des Grundsubstrats 12 angeordnet ist, eine Reflektionsschale 14, die angeordnet ist, um das lichtemittierende Element 13 zu umgeben, um eine Richtcharakteristik bzw. Gerichtetheit von Licht, das von dem lichtemittierenden Element 13 emittiert wird, zu steuern, und einen Rahmen 15, der an einer Rückseite der Reflektionsschale 14 angeordnet ist, um diese zu tragen bzw. zu stützen.
  • Die gepaarten Elektroden, die auf dem Grundsubstrat 12 ausgebildet sind, sind als eine Kathode 16 und eine Anode 17 ausgebildet, die voneinander beabstandet sind, und zwar annähernd am Mittelteil des Grundsubstrats 12. Am Mittelteil des Grundsubstrats 12, wo die Kathode 16 und die Anode 17 zueinander weisen, sind diese Elektroden mit Vorsprüngen 18, 19 versehen, an denen das lichtemittierende Element 13 angebracht ist. Die Kathode 16 und die Anode 17 sind auch zur Rückseite des Grundsubstrats 12 zur elektrischen Verbindung mit der Hauptplatine bzw. dem Mother-Board (nicht gezeigt) zurückgefaltet.
  • Das lichtemittierende Element 13 dieses Ausführungsbeispiels ist in unterschiedlichen Lichtfarben erhältlich und es gibt keine Einschränkung hinsichtlich der Farbauswahl. Ein Paar von Ansätzen 20, 21, wie beispielsweise Lötansätzen bzw. -fahnen, Goldansätzen usw., die unter dem lichtemittierenden Element 13 vorgesehen sind, stellen eine elektrische Leitung des lichtemittierenden Elements 13 zu der Kathode 16 und der Anode 17 sicher. Insbesondere sind die gepaarten Ansätze 20, 21 an den Vorsprüngen 18, 19 der Kathode 16 und der Anode 17 befestigt. Eine Flip-Chip Anbringung unter Verwendung der Ansätze 20, 21 hat zur Größenreduzierung der Reflektionsschale 14 bei getragen, was einen Aufbau mit einer schmalen Richtcharakteristik, der Eigenschaft dieser Erfindung, vorsieht. Statt der Verwendung der Ansätze 20, 21 können natürlich auch Leitungsmittel unter Verwendung von Verbindungsdrähten verwendet werden.
  • Die Reflektionsschale 14, die angeordnet ist, um das lichtemittierende Element 13 zu umgeben, weist einen Filmkörper 25 auf, der in einer Schalenform gehalten wird, und besitzt einen Metallfilm 26, der über die Oberfläche des Filmkörper 25 beschichtet ist. Bei diesem Ausführungsbeispiel ist der Filmkörper 25 durch Formen eines Polyimidfilms mit einer Dicke von ungefähr 25 μm in eine Schalenform hergestellt.
  • Ein beispielhafter Vorgang zum Formen des Filmkörpers 25 umfasst das Halten eines Polyimidfilms zwischen erwärmten positiven und negativen Formen und Pressformen bzw. Formpressen desselben. Der Polyimidfilm besitzt ein sehr geringes Rauheitshöhenrating bzw. eine hohe Rauheitsgüte auf seiner Oberfläche, und besitzt ferner einen hohen Wärmewiderstand von ungefähr 400°C und kann somit gut einer Erwärmungstemperatur von 250 bis 300°C in einem Reflow-Ofen widerstehen. Andere Filme als ein Polyimidfilm können verwendet werden, und es kann auch ein sogenanntes flexibles Substrat verwendet werden, auf dem leitende Schaltungsmuster ausgebildet sind.
  • Der Schmalheitsgrad der Lichtrichtcharakteristik bzw. Gerichtetheit hängt ab von der Form der Schale des geformten Filmkörpers 25. Um eine schmale Richtcharakteristik zu erhalten, was Ziel der Erfindung ist, ist es zweckmäßig, eine fast halbkreisförmige Schalenform mit einem tiefen Boden, d.h. eine Parabolform, wie sie in 2 und 3 gezeigt ist, zu verwenden. Indem das lichtemittierende Element 13 im Brennpunkt dieser Parabolform bzw. dieses Paraboloids platziert wird, können die Strahlen von emittiertem Licht von dem lichtemittierenden Element 13 in nach oben gerichtete parallele Strahlen umgelenkt werden, indem sie durch die Innenumfangsoberfläche der Reflektionsschale 14 reflektiert werden. Die Tiefe und Größe der nahezu parabolischen Reflektionsschale 14 mit dem lichtemittierenden Element, angeordnet in ihrem Brennpunkt, wird dadurch bestimmt, wie eng bzw. schmal der Winkel der Richtcharakteristik des Lichts von dem lichtemittierenden Element sein soll.
  • Die Innenumfangsoberfläche des schalenförmigen Filmkörpers 25 ist durch Dampfabscheidung mit dem Metallfilm 26 beschichtet. Metalle, die für den Metallfilm 26 ausgewählt werden, umfassen Aluminium und Silber, die leicht eine Spiegeloberfläche mit einer hohen Reflektivität bilden. Da der Metallfilm 26 durch Verdampfung auf der Oberfläche des Filmkörpers 25 ausgebildet wird, die selbst ein geringes Oberflächenrauheitshöhenrating besitzt, kann der Metallfilm 26 leicht ein Oberflächenrauheitshöhenrating besitzen, das kleiner oder gleich einer Hälfte der Wellenlänge λ des von dem lichtemittierenden Elements stammenden Lichts ist. Somit kann verhindert werden, dass Licht, das durch den Metallfilm 26 reflektiert wird, gestreut wird, wodurch die Steuerung von Licht für eine schmale Richtcharakteristik leichter wird.
  • Bei diesem Ausführungsbeispiel besitzt die Reflektionsschale 14 an ihrem Boden eine kreisförmige Öffnung 27 mit einer Größe, die zu der des lichtemittierenden Elements 13 passt. Das lichtemittierende Element 13 ist oberhalb der Öffnung 27 angeordnet, so dass die Ansätze 20, 21 des lichtemittierenden Elements 13 jeweils mit den Vorsprüngen 18, 19 der Kathode und Anode 16, 17 verbunden sind, welche durch die Öffnung 27 frei liegen.
  • 5 zeigt ein weiteres Beispiel der Öffnung, die im Boden der Reflektionsschale 14 ausgebildet ist. Bei diesem Ausführungsbeispiel sind nur kleine Öffnungen 28, 29, welche hinsichtlich ihrer Größe zu den Paar Ansätzen 20, 21 des lichtemittierenden Elements 13 passen, in dem Boden der Reflektionsschale 14 ausgebildet. Dieser Aufbau kann eine große Reflektionsoberfläche 40 unterhalb des lichtemittierenden Elements 13 (Bodenseite der Reflektionsschale 14, die mit dem Metallfilm 26 versehen ist) sicherstellen. Somit wird ein Reflektionsverlust von Licht, das von der Unterseite des lichtemittierenden Elements 13 emittiert wird, reduziert, was eine effizientere Extrahierung von nach oben reflektiertem Licht ermöglicht.
  • Bei jedem der obigen Ausführungsbeispiele deckt ein Harzdichtmittel 22 in der Reflektionsschale 14 nur einen oberen Teil des lichtemittierenden Elements 13 ab. Das in der Reflektionsschale 14 installierte Harzdichtmittel 22 beeinflusst nicht die Gesamtgeometrie der lichtemittierenden Diode 11 und kann somit die Diode hinsichtlich der Größe klein halten. Ferner ist das Harzdichtmittel 22 konvex wie eine Linse geformt. Somit wird das von dem lichtemittierenden Element emittierte Licht in derselben Richtung fokussiert, wie der Richtcharakteristik der Reflektionsschale 14, was ein reflektiertes Licht mit einer sehr schmalen Richtcharakteristik bzw. Gerichtetheit (directivity) erzeugt. Das Harzdichtmittel 22 ist zum Beispiel aus Epoxidharz mit Lichtübertragungsfähigkeit ausgebildet.
  • Bei diesem Ausführungsbeispiel ist ein Rahmen 15 zum Tragen der Reflektionsschale 14 auf der Rückseite der Reflektionsschale 14 angeordnet. Die Reflektionsschale 14, obwohl sie aus einem dünnen Film ausgebildet ist, hält sich selbst in der Form einer Schale. In Anbetracht einer leichten Handhabung, wird die Reflektionsschale 14 jedoch durch den Rahmen 15 getragen bzw. gestützt. Der Rahmen 15 ist ein Block aus geformtem bzw. spritzgegossenem Harz dessen Größe hinsichtlich der Außenabmessung im Wesentlichen gleich den Abmessungen des Grundsubstrats 12 ist, und er besitzt eine große Ausnehmung 30 an einem Mittelteil der Oberseite davon, um die Reflektionsschale 14 aufzunehmen. Die Ausnehmung 30 erstreckt sich vertikal durch den Rahmen 15 und verjüngt sich progressiv von der Oberseite zum Boden davon, um sich an die Parabolform der Reflektionsschale 14 anzupassen. Die Öffnung der Ausnehmung 30 an der Oberseite des Rahmens ist annähernd an die Form des oberen Endes der Reflektionsschale 14 angepasst, und die Tiefe der Ausnehmung 30 passt fast mit der Höhe der Reflektionsschale 14 zusammen. Bei diesem Ausführungsbeispiel besitzt die Reflektionsschale 14 einen sich nach außen erstreckenden Flansch 31 entlang ihres gesamten Umfangs, der auf einer Öffnungskante 32 der Ausnehmung 30 auf der Oberseite platziert ist, um die Reflektionsschale 14 zu tragen.
  • Während bei diesem Ausführungsbeispiel, wie in den 2 und 3 dargestellt ist, die Reflektionsschale 14 durch den Rahmen 15 nur über den sich außen erstreckenden Flansch 31 getragen wird, ist es auch möglich, eine Rückseite 33 der Reflektionsschale 14 mit einer Innenumfangsfläche 34 der Ausnehmung 30 zu unterstützen bzw. zu tragen.
  • Bei der lichtemittierenden Diode 11, die wie oben beschrieben aufgebaut ist, wird dem von dem lichtemittierenden Element 13 emittierten Licht eine nach oben gerichtete Richtcharakteristik durch die Reflektionsschale 14 gegeben, und da das Streuen von Licht an der Oberfläche der Reflektionsschale 14 verhindert wird, kann die Steuerung der voreingestellten Richtcharakteristik leicht erreicht werden. Dies ermöglicht wiederum, dass Licht mit einer schmalen Richtcharakteristik leicht erzeugt wird, und zwar allein durch die oben genannte Reflektionsschale 14.
  • Da bei der obigen lichtemittierenden Diode 11 es keine Notwendigkeit gibt, zusätzlich ein Lichtsammelglied mit einem Linsenteil vorzusehen, wie bei dem herkömmlichen Aufbau, um ein in einen schmalen Winkel gerichtetes Licht zu erzeugen, wird der Aufbau der lichtemittierenden Diode einfach und die Herstellungskosten können stark verringert werden. Ferner kann eine nicht gleichförmige Farbe des Lichtes infolge chromatischer Aberration, die auftritt, wenn das Licht durch den Linsenteil des Lichtsammelgliedes hindurchgeht, eliminiert werden. Dieser Aufbau ermöglicht auch eine Größenreduktion der lichtemittierenden Diode.
  • 6 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel der lichtemittierenden Diode gemäß dieser Erfindung, bei dem nicht nur das lichtemittierende Element 13, sondern auch andere elektronische Bauteile auf dem Grundsubstrat 12 angebracht sind.
  • Bei diesem Ausführungsbeispiel werden ein Raum 35 zwischen der Rückseite 33 der Reflektionsschale 14 und der Innenumfangsoberfläche 34 der Ausnehmung 30 und Freiräume 36, 37, die in dem Rahmen 15 ausgebildet sind, verwendet, um unterschiedliche elektronische Bauteile 38, 39 zu installieren. Einer der Freiräume 36 steht mit dem Freiraum 35, der auf der Rückseite der Reflektionsschale 14 gebildet wird, in Verbindung, so dass dort ein relativ großes elektronisches Bauteil 38 installiert werden kann. Ein weiterer Freiraum 37 ist unabhängig von dem Freiraum 35 vorgesehen. Die elektronischen Bauteile 38, 39 umfassen zum Beispiel eine Zenerdiode, einen Kondensator und einen Widerstand, die alle verwendet werden, um eine Akkumulation von elektrostatischen Ladungen in der lichtemittierenden Diode 11 zu verhindern. Die Anzahl und das Volumen der Freiräume 35, 36 und 37 wird ordnungsgemäß ausgewählt, um mit der Größe und der Anzahl von elektronischen Bauteilen 38, 39, die darin aufgenommen werden sollen, zurecht zukommen. Diese beeinträchtigen nicht die Geometrie der Reflektionsschale 14.
  • Durch die Verwendung des Freiraums 35, der zwischen der Reflektionsschale 14 und dem Rahmen 15 gebildet ist, und der Freiräume 36, 37 in dem Rahmen 15, zur Aufnahme der elektronischen Bauteile 38, 39, kann die Anforderung hinsichtlich einer Größenreduktion der lichtemittierenden Diode 11 erfüllt werden.
  • Obwohl bei den obigen Ausführungsbeispielen die Reflektionsschale 14 im Inneren als hohl und offen beschrieben wurde, kann eine Abdeckung an der Oberseite der Reflektionsschale 14 vorgesehen sein, um ihr hohles Inneres einzuschließen. Ferner kann das Innere der Reflektionsschale 14 auch mit einem abdichtenden Harz gefüllt sein. In diesem Fall kann das Harzdichtmittel 22 bei den zuvor genannten Ausführungsbeispielen, das nur das lichtemittierende Element 13 abdichtet, weggelassen werden.

Claims (10)

  1. Eine lichtemittierende Diode, die Folgendes aufweist: ein Grundsubstrat mit einem Paar von Elektroden; eine Reflektionsschale, die auf dem Grundsubstrat installiert ist; ein lichtemittierendes Element, das am Boden der Reflektionsschale angeordnet ist; und ein Harzdichtmittel, dass das lichtemittierende Element umschließt; wobei das lichtemittierende Element elektrisch mit den Elektroden verbunden ist durch eine Öffnung, die in dem Boden der Reflektionsschale ausgebildet ist; wobei die Reflektionsschale einen Filmkörper aufweist, der in einer Schalenform gehalten wird und einen Metallfilm, der auf einer Oberfläche des Filmkörpers ausgebildet ist.
  2. Lichtemittierende Diode nach Anspruch 1, wobei die Reflektionsschale eine fast halbkreisförmige Schalenform mit einem tiefen Boden besitzt.
  3. Lichtemittierende Diode nach Anspruch 1, wobei der Filmkörper ein aus Polyimid geformter Film ist.
  4. Lichtemittierende Diode nach Anspruch 1, wobei der Metallfilm ein abgeschiedener Film aus Silber oder Aluminimum ist.
  5. Lichtemittierende Diode nach Anspruch 1 oder 4, wobei der Metallfilm eine Oberflächenrauheitshöhengüte bzw. ein Oberflächenrauheitshöhenrating besitzt, das kleiner oder gleich einer halben Wellenlänge des Lichts ist, das von dem lichtemittierenden Element emittiert wird.
  6. Lichtemittierende Diode nach Anspruch 1, wobei das Harzdichtmittel in der Form einer konvexen Linse ausgebildet ist und das lichtemittierende Element in der Reflektionsschale umschließt.
  7. Lichtemittierende Diode nach Anspruch 1, wobei das lichtemittierende Element als Flip-Chip auf den Elektrodenteilen auf dem Grundsubstrat angebracht ist über Ansätze bzw. Fahnen und wobei die Öffnung, die in dem Boden der Reflektionsschale ausgebildet ist, eine Größe besitzt, die den Ansätzen entspricht.
  8. Lichtemittierende Diode nach Anspruch 1, wobei ein Rahmen zum Tragen der Reflektionsschale auf der Rückseite der Reflektionsschale angeordnet ist.
  9. Lichtemittierende Diode nach Anspruch 8, wobei der Rahmen mit einem Freiraum ausgebildet ist, zum Installieren elektronischer Bauteile.
  10. Lichtemittierende Diode nach Anspruch 9, wobei die elektronischen Bauteile wenigstens eines der Folgenden umfassen: eine Zehnerdiode, einen Kondensator bzw. einen Widerstand.
DE102004046995A 2003-09-30 2004-09-28 Lichtemittierende Diode Withdrawn DE102004046995A1 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003340988A JP4773048B2 (ja) 2003-09-30 2003-09-30 発光ダイオード
JP2003-340988 2003-09-30

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102004046995A1 true DE102004046995A1 (de) 2005-06-09

Family

ID=34373429

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102004046995A Withdrawn DE102004046995A1 (de) 2003-09-30 2004-09-28 Lichtemittierende Diode

Country Status (4)

Country Link
US (1) US7238967B2 (de)
JP (1) JP4773048B2 (de)
CN (1) CN100386893C (de)
DE (1) DE102004046995A1 (de)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012041983A1 (de) * 2010-10-01 2012-04-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Reflektorelement, optoelektronisches bauelement und verfahren zur herstellung eines reflektorelements und eines optoelektronischen bauelements
DE102012107829A1 (de) * 2012-08-24 2014-02-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements

Families Citing this family (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10229067B4 (de) * 2002-06-28 2007-08-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
DE10250383B4 (de) * 2002-10-29 2007-05-10 Diemount Gmbh Leuchtdiodenanordnung mit Reflektor
US7866853B2 (en) * 2004-11-19 2011-01-11 Fujikura Ltd. Light-emitting element mounting substrate and manufacturing method thereof, light-emitting element module and manufacturing method thereof, display device, lighting device, and traffic light
JP2006245336A (ja) * 2005-03-03 2006-09-14 Koito Mfg Co Ltd 発光装置
WO2007054859A2 (en) * 2005-11-09 2007-05-18 Philips Intellectual Property & Standards Gmbh Miniature optical component
JP2007165803A (ja) * 2005-12-16 2007-06-28 Sharp Corp 発光装置
US8044412B2 (en) 2006-01-20 2011-10-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd Package for a light emitting element
RU2406924C2 (ru) * 2006-03-23 2010-12-20 Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. Осветительное устройство с органическими светодиодами
DE112007000775B4 (de) 2006-03-28 2012-12-06 Kyocera Corp. Lichtemittierende Vorrichtung
TWI306674B (en) * 2006-04-28 2009-02-21 Delta Electronics Inc Light emitting apparatus
TWI321857B (en) * 2006-07-21 2010-03-11 Epistar Corp A light emitting device
US20080144322A1 (en) * 2006-12-15 2008-06-19 Aizar Abdul Karim Norfidathul LED Light Source Having Flexible Reflectors
KR100845856B1 (ko) * 2006-12-21 2008-07-14 엘지전자 주식회사 발광 소자 패키지 및 그 제조방법
JP5183965B2 (ja) * 2007-05-09 2013-04-17 昭和電工株式会社 照明装置の製造方法
US8026533B2 (en) * 2007-07-19 2011-09-27 Nichia Corporation Light emitting device and method of manufacturing the same
DE102007046339A1 (de) * 2007-09-27 2009-04-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lichtquelle mit veränderlicher Abstrahlcharakteristik
JP5288161B2 (ja) 2008-02-14 2013-09-11 東芝ライテック株式会社 発光モジュール及び照明装置
JP5495495B2 (ja) * 2008-02-18 2014-05-21 シチズン電子株式会社 表面実装型発光ダイオード
DE102008021661A1 (de) * 2008-04-30 2009-11-05 Ledon Lighting Jennersdorf Gmbh LED-Modul mit Rahmen und Leiterplatte
WO2010001309A1 (en) * 2008-07-01 2010-01-07 Koninklijke Philips Electronics N.V. Close proximity collimator for led
TWI422018B (zh) * 2008-08-20 2014-01-01 Pixart Imaging Inc 感測模組
KR101515833B1 (ko) * 2008-10-08 2015-05-04 삼성전자주식회사 광학 장치
KR101047791B1 (ko) * 2008-11-18 2011-07-07 엘지이노텍 주식회사 발광 다이오드 패키지 및 그 제조방법
JP5280818B2 (ja) 2008-11-28 2013-09-04 シャープ株式会社 発光装置
US8089075B2 (en) * 2009-04-17 2012-01-03 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. LFCC package with a reflector cup surrounded by a single encapsulant
US8101955B2 (en) * 2009-04-17 2012-01-24 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. PLCC package with a reflector cup surrounded by an encapsulant
TWI416767B (zh) * 2009-06-03 2013-11-21 Kwo Ger Metal Technology Inc LED luminous module process method
DE102010027212A1 (de) * 2010-07-15 2012-01-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Bauelement
TWI438889B (zh) * 2010-12-01 2014-05-21 Hon Hai Prec Ind Co Ltd 發光二極體封裝結構
KR101529127B1 (ko) * 2011-08-29 2015-06-16 펜월 컨트롤즈 오브 재팬, 리미티드 광전식 연기 감지기
DE102011056706B4 (de) * 2011-12-20 2016-12-15 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen, Anordnung und optoelektronisches Halbleiterbauteil
JP6257513B2 (ja) 2012-03-15 2018-01-10 株式会社小糸製作所 発光装置および車両用灯具
JP6409928B2 (ja) * 2012-08-31 2018-10-24 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
CN102956798B (zh) * 2012-11-27 2015-06-03 华南理工大学 一种高出光率led反光杯及其制造方法
JP6048880B2 (ja) * 2013-01-25 2016-12-21 パナソニックIpマネジメント株式会社 発光素子用パッケージ及びそれを用いた発光装置
USD758977S1 (en) * 2015-06-05 2016-06-14 Kingbright Electronics Co. Ltd. LED component
DE102015116263A1 (de) 2015-09-25 2017-03-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Herstellung eines elektronischen Bauelements
KR102340515B1 (ko) * 2015-11-02 2021-12-16 엘지전자 주식회사 백라이트 유닛 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
JP7266961B2 (ja) * 2015-12-31 2023-05-01 晶元光電股▲ふん▼有限公司 発光装置
DE102017115656A1 (de) * 2017-07-12 2019-01-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements und optoelektronisches Bauelement
DE102017128457A1 (de) * 2017-11-30 2019-06-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Herstellung optoelektronischer bauelemente
WO2020045604A1 (ja) * 2018-08-31 2020-03-05 パナソニックIpマネジメント株式会社 半導体素子搭載用パッケージ及び半導体装置
US11896878B2 (en) * 2020-12-31 2024-02-13 Sports Virtual Training Systems, Inc. Computer trackable football, system and method of manufacturing

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5812961U (ja) * 1981-07-16 1983-01-27 株式会社東芝 ハ−メチツクシ−ル型光半導体装置
JPH06101593B2 (ja) * 1986-07-28 1994-12-12 三菱電線工業株式会社 発光ダイオ−ド構造物
US4935665A (en) * 1987-12-24 1990-06-19 Mitsubishi Cable Industries Ltd. Light emitting diode lamp
JPH03128958U (de) * 1990-04-06 1991-12-25
JP3948789B2 (ja) * 1997-07-02 2007-07-25 シチズン電子株式会社 赤外線データ通信モジュール
JPH1178115A (ja) * 1997-09-12 1999-03-23 Ricoh Co Ltd 光学装置
JP3428440B2 (ja) * 1998-06-19 2003-07-22 松下電器産業株式会社 半導体発光装置及びこれを備えた表示装置構造
JP2000183407A (ja) * 1998-12-16 2000-06-30 Rohm Co Ltd 光半導体装置
JP4625997B2 (ja) * 1999-07-22 2011-02-02 日亜化学工業株式会社 発光ダイオード
JP4125848B2 (ja) * 1999-12-17 2008-07-30 ローム株式会社 ケース付チップ型発光装置
JP2002223006A (ja) * 2001-01-26 2002-08-09 Toyoda Gosei Co Ltd 反射型発光ダイオード
JP2002324917A (ja) * 2001-04-26 2002-11-08 Citizen Electronics Co Ltd 表面実装型発光ダイオード及びその製造方法
JP4114364B2 (ja) * 2001-11-08 2008-07-09 日亜化学工業株式会社 発光装置およびその製造方法
US20030219919A1 (en) * 2002-05-23 2003-11-27 Wang Der-Nan Package method for enhancing the brightness of LED
CN1463047A (zh) * 2002-05-30 2003-12-24 光颉科技股份有限公司 提高发光二极管亮度的封装方法
KR20040092512A (ko) * 2003-04-24 2004-11-04 (주)그래픽테크노재팬 방열 기능을 갖는 반사판이 구비된 반도체 발광장치

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012041983A1 (de) * 2010-10-01 2012-04-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Reflektorelement, optoelektronisches bauelement und verfahren zur herstellung eines reflektorelements und eines optoelektronischen bauelements
DE102012107829A1 (de) * 2012-08-24 2014-02-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
US9356211B2 (en) 2012-08-24 2016-05-31 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic component and method of producing an optoelectronic component
DE102012107829B4 (de) 2012-08-24 2024-01-25 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronische Bauelemente und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements

Also Published As

Publication number Publication date
JP4773048B2 (ja) 2011-09-14
CN1604350A (zh) 2005-04-06
CN100386893C (zh) 2008-05-07
US7238967B2 (en) 2007-07-03
JP2005109172A (ja) 2005-04-21
US20050067628A1 (en) 2005-03-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102004046995A1 (de) Lichtemittierende Diode
DE102004046994A1 (de) Lichtemittierende Diode
DE69831700T2 (de) Struktur zum Abschirmen einer elektronischen Schaltung vor Funkwellen
DE60318611T2 (de) Lichtemittierende Diode
DE112006000694B4 (de) Gehäuse für Lichtemissionsvorrichtung, lichtemittierende Vorrichtung und Beleuchtungsvorrichtung
DE102006004406B4 (de) Leuchtdiode mit elektrisch leitenden elastischen Elementen und zugehöriges Gerät
DE10227515B4 (de) Lichtdiode mit Keramiksubstrat und Reflektor
DE10234778B4 (de) Chip-Leiterplatten-Anordnung für optische Mäuse (Computer-Mäuse) und zugehöriger Linsendeckel
DE102011116534B4 (de) Strahlungsemittierendes Bauelement
EP2583319B1 (de) Optoelektronisches bauteil
DE202010017509U1 (de) Lichtemittierende Vorrichtung und Beleuchtungssystem
DE102006061118A1 (de) Licht aussendende Vorrichtung, Verfahren zu deren Herstellung und Baugruppe
WO2002069618A2 (de) Digitale kamera mit einem empfindlichen sensor
EP1717871B1 (de) Oberflächenmontierbares optoelektronisches Bauelement
DE10105802A1 (de) Reflektorbehaftetes Halbleiterbauelement
DE102016120635B4 (de) Laserbauelement und verfahren zum herstellen eines laserbauelements
DE112008004155T5 (de) Verfahren zum Herstellen eines Substrats für eine Baugruppe mit lichtemittierendem Elementsowie Baugruppe mit lichtemittierendem Element unter Verwendung eines derartigen Substrats
DE102009051746A1 (de) Optoelektronisches Bauelement
DE102009019412A1 (de) Verfahren zur Herstellung einer Leiterplatte mit LEDs und gedruckter Reflektorfläche sowie Leiterplatte, hergestellt nach dem Verfahren
DE112008004058T5 (de) Substrat für Baugruppe mit lichtemittierendem Element und Baugruppe mit lichtemittierendem Element
DE102008019667A1 (de) LED-Modul mit einer Plattform mit einer Zentralausnehmung
DE102010012602A1 (de) Strahlungsemittierendes Halbleiterbauteil
DE112011101327T5 (de) Licht aussendende Vorrichtung
DE19945919A1 (de) Licht ausstrahlende Halbleiter-Vorrichtung mit einem Reflektor
DE102012107829A1 (de) Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements

Legal Events

Date Code Title Description
8110 Request for examination paragraph 44
R016 Response to examination communication
R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee