DE102004011850A1 - Beschichtungs- und Bearbeitungsvorrichtung und Verfahren - Google Patents

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Abstract

Eine Beschichtungs- und Bearbeitungsvorrichtung ist mit einem Drehfutter (2, 2A), das ein viereckiges Substrat horizontal hält und das Substrat in einer horizontalen Ebene dreht, einer Beschichtungslösungsdüse (39) zum Zuführen einer Beschichtungslösung zu einer vorderseitigen Oberfläche des Substrats, das horizontal von dem Drehfutter gehalten wird, und einem Zuführungsmechanismus eines Lösungsmittels (41, 43, 64), der in dem Drehfutter zum Zuführen eines Lösungsmittels zu einer rückseitigen Oberfläche des Substrats vorgesehen ist, wobei das der rückseitigen Oberfläche des Substrats zugeführte Lösungsmittel zu der rückseitigen Oberfläche und Seitenfläche eines jeden Eckabschnittes des Substrats durch Zentrifugalkraft gelangen kann, um dadurch die anhaftende Beschichtungslösung zu entfernen.

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft eine Beschichtungs- und Bearbeitungsvorrichtung zum Auftragen einer Beschichtungslösung und zum Entfernen der Beschichtungslösung, die ungewollt auf den rückseitigen und seitlichen Oberflächen eines Masken-Substrats haftet, das einem Belichtungsschritt einer photolithographischen Bearbeitung für eine Halbleiter-Vorrichtung unterzogen werden soll, und ein Verfahren zum Beschichten und Entfernen der Beschichtungslösung.
  • Bei der Fertigung einer Halbleitervorrichtung und einer Flüssigkristall-Anzeige-Vorrichtung (LCD) wird photolithographisch ein vorgegebenes Muster auf einem Fotolackfilm auf einem Substrat unter Verwendung eines Masken-Substrats (Belichtungsschablone) gebildet, d. h. es wird eine sogenannte photolithographische Bearbeitung ausgeführt. Das vorgegebene Muster des Masken-Substrats wird gebildet, indem ein Fotolackbeschichtungsfilm auf einer der Oberflächen des Masken-Substrats durch Rotations-Beschichtung und Belichtung des Fotolackbeschichtungsfilms gebildet wird, um ihn zu entwickeln.
  • In der japanischen Patentanmeldung KOKAI Nr. 2000-271524 wird eine Beschichtungsvorrichtung zum Bilden eines Fotolackbeschichtungsfilms durch Aufbringen einer Fotolacklösung auf einem viereckigen Substrat durch Rotations-Beschichtung beschrieben. Die Beschichtungsvorrichtung hat ein Drehfutter mit einer rechteckigen Ausnehmung in der oberen Oberfläche. Wenn das viereckige Substrat in der rechteckigen Ausnehmung platziert ist, ist die obere Oberfläche des Substrats auf einer Ebene mit dem Drehfutter. Während das in der Ausnehmung platzierte viereckige Substrat mittels eines Drehfutters rotiert, wird der oberen Oberfläche des Substrats eine Fotolacklösung zugeführt. Nachdem die Zuführung der Fotolacklösung gestoppt wurde, rotiert das Substrat weiter, damit ein Luftstrom von der Mitte des Substrats zu dem Umfang entlang der Oberflä che des Substrats entsteht. Durch den Luftstrom verdunstet ein Lösungsmittel aus der Fotolacklösung. Dies wird „Rotations-Trocknung" genannt. Das hat zur Folge, dass ein gewünschter Fotolackbeschichtungsfilm gebildet wird.
  • Wenn die Maßhaltigkeit eines Maskenmusters gering ist, wird die Genauigkeit der Leitungsbreite bei allen Halbleiter-Wafern bedeutend beeinträchtigt, die mit dem Muster als eine Maske belichtet wurden. Daher ist es erforderlich, möglichst zu verhindern, dass Fremdkörper an dem Masken-Substrat haften bleiben. Die Wahrscheinlichkeit, dass Fremdkörper an dem Masken-Substrat haften bleiben, ist am größten, wenn das Substrat unmittelbar nach einem Beschichtungsprozess weitergeleitet wird. Wenn ein Übergabe-Armelement ein Masken-Substrat weiterleitet, sollte möglichst verhindert werden, dass das Übergabe-Armelement in Kontakt mit dem Masken-Substrat kommt. Tatsächlich sind, wie in der 8A gezeigt ist, die Bereiche 11, mit denen das Übergabe-Armelement in Kontakt sein kann, auf nur vier Ecken und die Mitte der vier Seiten des Substrats G beschränkt. Da der Übergabe-Arm daran gehindert wird, mit einer rückseitigen Oberfläche 13b und einer Seitenfläche 13e des Masken-Substrats in Berührung zu kommen, kann das Haltestück 52 des Übergabe-Armelements nur mit einer abgeschrägten C Ebene 13c in Kontakt kommen, wie in der 8C gezeigt ist.
  • Wenn jedoch eine Fotolacklösung auf einem Masken-Substrat unter Einsatz einer herkömmlichen Vorrichtung aufgetragen wird, läuft die Fotolacklösung in die Ausnehmung, haftet sich an die Seifenflächen und rückseitige Oberfläche des Masken-Substrats und die haftende Fotolacklösung wird an ein Übergabe-Armelement abgegeben, wobei eine Kreuzkontamination verursacht wird. Die Kreuzkontamination geschieht häufig insbesondere an den Eckabschnitten des Substrats.
  • Wenn die Fotolacklösung einem auf einem Drehfutter rotierenden Substrat G zugeführt wird, wird sie radial entlang der Oberfläche (obere Oberfläche) 13a des Substrats G verteilt und von dem Substrat G durch Zentrifugalkraft abgeschüttelt. Wenn jedoch, wie in der 1 gezeigt ist, eine Fotolacklösung 100 von der Mitte des Substrates 13a den Umfang des Substrates G erreicht, ändert ein Teil der Fotolacklösung seine für die Ecken des Substrates [bestimmte] Richtung, wobei sie in einen Zwischenraum zwischen der Seitenfläche 13e und der inneren peripheren Oberfläche der Ausnehmung des Drehfutters eindringt. Weiterhin kann die Fotolacklösung möglicherweise die rückseitige Oberfläche 13b des Substrats G erreichen. Die Ecken des Substrates G werden von Haltestücken 52 des Übergabe-Armelementes gehalten, die Fotolacklösung 100 wird von dem Substrat G auf das Haltestück 52 und weiter von dem Haltestück 52 auf ein anderes Substrat G übertragen, wobei eine Kreuz-Kontamination verursacht wird. Außerdem trocknet die so übergebene Fotolacklösung in Partikel ein, die sich auf einem anderen Substrat ablagern können.
  • Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, eine Beschichtungs- und Bearbeitungsvorrichtung und ein Verfahren zum Auftragen einer Beschichtungslösung und zum Entfernen einer unnötigen Beschichtungslösung zu schaffen, die sich an den Seitenflächen und an der rückseitigen Oberfläche eines viereckigen Substrats abgelagert hat.
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung ist eine Beschichtungs- und Bearbeitungsvorrichtung vorgesehen mit:
    einem Drehfutter, das ein viereckiges Substrat horizontal hält und das Substrat in einer horizontalen Ebene dreht;
    einer Beschichtungslösungsdüse zum Zuführen einer Beschichtungslösung zu einer vorderseitigen Oberfläche des Substrats, das horizontal von dem Drehfutter gehalten wird; und
    einem Spülflüssigkeitszuführungs-Mechanismus, der in dem Drehfutter zum Zuführen einer Spülflüssigkeit zu einer rückseitigen Oberfläche des Substrats vorgesehen ist, in der die der rückseitigen Oberfläche des Substrats zugeführte Spülflüssigkeit auf die rückseitige Oberfläche und Seitenfläche eines jeden Eckabschnittes des Substrats durch Zentrifugalkraft gelangen kann, die durch die Rotation des Drehfutters erzeugt wird und die anhaftende Beschichtungslösung entfernt wird.
  • Da gemäß der vorliegenden Erfindung ein viereckiges Substrat, ein Drehfutter und eine Spülflüssigkeitszuführungs-Einheit synchron rotieren, wirken die Zentrifugalkraft und die Spannung der Oberfläche zusammen, mit dem Ergebnis, dass der abgelagerte Fotolack wirkungsvoll von der rückseitigen Oberfläche und den Seitenflächen der Eckabschnitte eines Substrats entfernt werden kann. Daher kann die Fotolacklösung nicht auf das Übergabe-Armelement übergehen, wenn die Eckabschnitte des Substrats von dem Übergabe-Armelement gehalten werden. Auf diese Art und Weise kann eine Kreuz-Kontamination über das Übergabe-Armelement wirksam verhindert werden.
  • Die Spülflüssigkeitszuführungs-Einheit für hat eine Spülflüssigkeitszuführungs-Öffnung an dem mit einem der Eckabschnitte des Substrats korrespondierenden Abschnitt.
  • Das Drehfutter hat eine Halteplatte, die der rückseitigen Oberfläche des Substrats gegenüberliegt, und Substrathalteelemente zum Halten der peripheren Kante des Substrats mit einem Zwischenraum zwischen dem Substrat und der Substrathalteplatte.
  • Weiterhin hat die Spülflüssigkeitszuführungs-Einheit eine Vielzahl von Düsen zum Aufsprühen einer Spülflüssigkeit auf die untere Oberfläche einer rotierenden Halteplatte und Führungskanäle zum Führen der Spülflüssigkeit zu dem Zwischenraum zwischen der rückseitigen Oberfläche des Substrats und der Halteplatte mit Hilfe von Zentrifugalkraft.
  • Die Führungskanäle sind Durchgangslöcher, die radial in einem konzentrischen Kreis um ein Rotationszentrum der Halteplatte angeordnet sind.
  • Weiterhin sind die Führungskanäle schräg nach außen von der unteren Oberfläche zu der oberen Oberfläche der Halteplatte durchführende Durchgangslöcher, um die Spülflüssigkeit, die auf der unteren Oberfläche der Halteplatte durch die Düsen aufgetragen wird, in Richtung der rückseitigen Oberfläche des Substrats gleichmäßig zuzuführen.
  • Jeder der Führungskanäle, die als Spülflüssigkeitszuführungs-Öffnung dienen, ist an einer mit einem der Eckabschnitte des Substrats korrespondierenden Position der Halteplatte ausgebildet.
  • Die Führungskanäle sind dicht an den entsprechenden Eckabschnitten des Substrats ausgebildet, um den Raum zwischen den Diagonallinien des Substrats zu überbrücken.
  • Eine Abdeckung mit einer Spülflüssigkeits-Auffangeinheit ist an der rückseitigen Oberflächenseite der Halteplatte vorgesehen; und die Spülflüssigkeit in der Spülflüssigkeits-Auffangeinheit wird auf die rückseitige Oberfläche durch den Führungskanal gebracht.
  • Eine Wandung ist weiterhin entlang des Umfangs der Halteplatte vorgesehen, ausgenommen um die Substrat-Eckabschnitte, um den Seitenflächen des Substrats gegenüberzuliegen.
  • Ausschnitte sind derart ausgebildet, dass die Eckabschnitte des Substrats freiliegen, das von dem Drehfutter gehalten wird, und das Substrat wird übergeben, während es von dem Übergabe-Armelement an den rückseitigen Oberflächen der freiliegenden Eckabschnitte gehalten wird.
  • An den innenliegenden Oberflächen sind Abstandshalter vorgesehen, um sich mit der zwischen ihnen gesetzten Diagonallinie zum Ausrichten des durch das Dreh futter gehaltenen Substrats und zum Lenken der Spülflüssigkeit in Richtung der Verlängerung der Diagonallinie des Substrats gegenüberzuliegen.
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung ist ein Verfahren zum Auftragen einer Beschichtungslösung auf einem viereckigen Substrat und zum Entfernen einer Beschichtungslösung, die ungewollt an einer rückseitigen Oberfläche und Seitenfläche des viereckigen Substrats haftet, mit den Schritten vorgesehen:
    • a) horizontales Halten des viereckigen Substrats durch ein Drehfutter;
    • b) Zuführen einer Beschichtungslösung aus einer Beschichtungslösungsdüse zu einer Oberfläche des durch das Drehfutter gehaltenen Substrats und Verteilung der Beschichtungslösung mit Hilfe von Zentrifugalkraft durch Rotation des Drehfutters um eine vertikale Achse; und
    • c) Zuführen einer Spülflüssigkeit zu einer rückseitigen Oberfläche des Substrates aus einer Spülflüssigkeitszuführungs-Einheit, während das Drehfutter und die Spülflüssigkeitszuführungs-Einheit synchron um die vertikale Achse rotieren, wobei die Spülflüssigkeit die Eckabschnitte des Substrats mit Hilfe von Zentrifugalkraft erreicht, um die Beschichtungslösung abzuwaschen.
  • In Schritt a) wird der Umfang des Substrats durch das an der Halteplatte vorgesehene Substrathalteelement mit einem Zwischenraum zwischen dem Substrat und der Halteplatte gehalten; und in Schritt c) wird die Spülflüssigkeit dem Zwischenraum zugeführt.
  • In Schritt c) wird die Spülflüssigkeit durch einen Führungskanal zugeführt, der als eine Spülflüssigkeitzuführungs-Öffnung dient, die an einer Position der Halteplatte ausgebildet ist, die mit einem der Eckabschnitte des Substrats korrespondiert.
  • Die Führungskanäle sind Durchgangslöcher, die radial in einem konzentrischen Kreis um ein Rotationszentrum der Halteplatte angeordnet sind. Weiterhin sind die Führungskanäle schräg nach außen von der unteren Oberfläche zu der oberen Oberfläche der Halteplatte durchgehende Durchgangslöcher, um die an der unteren Oberfläche der Halteplatte durch die Düse versprühte Spülflüssigkeit gleichmäßig in Richtung der rückseitigen Oberfläche des Substrats zu führen.
  • In dem Schritt c) wird das Substrat durch das Drehfutter abwechselnd mit einer vorbestimmten niedrigen Rotationsgeschwindigkeit und einer hohen Rotationsgeschwindigkeit innerhalb eines Bereiches von 200 bis 1.500 U/min. gedreht.
  • In Schritt c) fallen eine Beschleunigungsrate zum Wechseln von der niedrigen Rotationsgeschwindigkeit auf die hohe Rotationsgeschwindigkeit und eine Verzögerungsrate zum Wechseln von der hohen Rotationsgeschwindigkeit auf die niedrige Rotationsgeschwindigkeit innerhalb des Bereiches von 1.000 bis 5.000 U/min∙sec.
  • 1 – ist eine schematische, perspektivische Ansicht des Oberflächenzustands eines Substrats, wenn ein Fotolack durch eine herkömmliche Vorrichtung aufgetragen wird;
  • 2 – ist eine schematischer Querschnitt einer Beschichtungs- und Bearbeitungsvorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zusammen mit einem Blockdiagramm, das periphere Elemente zeigt;
  • 3 – ist eine teilweise auseinandergerissene perspektivische An-Sicht eines Drehfutters gemäß einer Ausführungsform der Erfindung;
  • 4A – ist eine Draufsicht auf ein Drehfutter von oben gesehen;
  • 4B – ist eine vergrößerte Draufsicht, die einen Teil eines Drehfutters von oben gesehen zeigt;
  • 5 – ist eine Draufsicht auf ein Drehfutter von oben gesehen gemäß einer anderen Ausführungsform;
  • 6 – ist eine Draufsicht eines Drehfutters von unten gesehen gemäß einer anderen Ausführungsform;
  • 7 – ist eine Draufsicht eines Drehfutters gemäß eines wesentlichen Teils eines Übergabe-Arms für die Übergabe eines viereckigen Substrats an ein Drehfutter;
  • 8A – ist eine schematische Draufsicht auf ein viereckiges Substrat;
  • 8B – ist ein Teilquerschnitt eines viereckigen Substrats;
  • 8C – ist eine vergrößerte Seitenansicht, die einen Teil eines viereckigen Substrats zeigt, das von einem Übergabe-Arm gehalten wird;
  • 8D – ist eine vergrößerte Draufsicht, die einen Teil eines viereckigen Substrats zeigt, das von einem Übergabe-Arm gehalten wird;
  • 9A-9D – sind Querschnitte, die Schritte zur Reinigung der rückseitigen Oberfläche eines Substrats durch ein Beschichtungsund Bearbeitungsverfahren gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigen;
  • 10 – ist eine Zeittafel für einen Schritt zur Reinigung einer rückseitigen Oberfläche in einem Beschichtungs- und Bearbeitungsverfahren gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
  • 11 – ist eine schematische perspektivische Ansicht des Zustands, wenn die Eckabschnitte der rückseitigen Oberfläche eines Substrats mit einer Spülflüssigkeit gereinigt werden;
  • 12A – ist eine Draufsicht auf ein Drehfutter gemäß einer anderen Ausführungsform;
  • 12B – ist eine Teilschnittansicht eines Drehfutters gemäß einer anderen Ausführungsform;
  • 13 – ist eine teilweise auseinandergerissene perspektivische Ansicht eines Drehfutters gemäß einer anderen Ausführungsform;
  • 14 – ist eine perspektivische Ansicht eines Drehfutters gemäß einer anderen Ausführungsform;
  • 15 – ist eine vergrößerte Draufsicht auf einen Teil einer Spülflüssigkeitszuführungs-Einheit gemäß einer anderen Ausführungsform;
  • 16 – ist eine vergrößerte Draufsicht auf einen Teil einer Spülflüssigkeitszuführungs-Einheit gemäß einer anderen Ausführungsform;
  • 17 – ist eine vergrößerte Draufsicht auf einen Teil einer Spülflüssigkeitszuführungseinheit gemäß einer anderen Ausführungsform;
  • 18 – ist eine vergrößerte Draufsicht auf einen Teil eines Drehfutters gemäß einer anderen Ausführungsform;
  • 19 – ist eine schematische Draufsicht auf die gesamte Beschichtungs- und Entwicklungsvorrichtung; und
  • 20 – ist eine schematische, perspektivische Ansicht der gesamten Beschichtungs- und Entwicklungsvorrichtung;
  • Detaillierte Beschreibung der Erfindung
  • Bevorzugte Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung werden mit Bezug auf die beiliegenden Zeichnungen erklärt.
  • Wie in der 2 gezeigt, ist ein Drehfutter 2 in einer Schale 3 der Beschichtungs- und Bearbeitungsvorrichtung untergebracht. Das Drehfutter 2 nimmt ein Masken-Substrat G (Werkstück) von einem in der 7 gezeigten Übergabe-Armmechanismus 5 auf und führt an dem Substrat G [eine] vorbestimmte Beschichtungsbehandlung aus. Das Masken-Substrat G (Werkstück) ist aus rechteckigen Quarzglas mit einer Seitenlänge L1 von 152 ± 0,4 mm gebildet, auf dem ein Chrom-Oxid (Cr2O3)-Beschichtungsfilm aufgetragen wird und auf dem Chrom-Oxid außerdem ein Fotolackbeschichtungsfilm gebildet wird. Die Dicke des Masken-Substrats G beträgt 6,35 ± 0,1 mm (ein Viertel-Zoll) und die projektierte Länge der C-Ebene beträgt 0,2 bis 0,6 mm.
  • Das Drehfutter 2 hat eine Halteplatte 23 zum Halten eines viereckigen Substrats G. Die Halteplatte 23 ist mit einer Antriebseinheit 22 über eine Drehachse 21 verbunden. Die Antriebseinheit 22, die durch eine Steuerung 60 gesteuert wird, dreht das Drehfutter 2 um die Z-Achse und bewegt das Drehfutter entlang der Z-Achse auf und ab.
  • Nachstehend wird die Spülflüssigkeitszuführungs-Einheit erklärt.
  • Die Spülflüssigkeitszuführungs-Einheit ist unterhalb des Drehfutters 2 zum Reinigen der rückseitigen Oberfläche und Seitenflächen des Substrats G vorgesehen. Die Spülflüssigkeitszuführungs-Einheit beinhaltet eine Spülflüssigkeitszuführungs-Quelle 64, eine Vielzahl von Düsen, eine Abdeckung, einen Führungskanal, der an einer Halteplatte 23 vorgesehen ist. Eine Vielzahl von Düsen 41 steht mit der Spülflüssigkeitszuführungs-Quelle 64 in Verbindung und wird von einer kreisförmigen Platte 32 derart gehalten, dass jede der Düsen der unteren Oberfläche der Halteplatte 23 gegenüberliegt. Die Düsen 41 sind an der kreisförmigen Platte 32 angebracht. Diese Düsen sind in zwei Gruppen unterteilt, die axialsymmetrisch mit Bezug auf die Welle 21 und derart schräg angeordnet sind, dass sie sich gegenüberliegen.
  • Die Abdeckung 40 hat eine deutliche Schalenform mit einem großen Loch am Boden, wie in der 3 gezeigt ist, und ist an dem unteren Teil der Halteplatte 23 angebracht, um die gesamte untere Oberfläche der Halteplatte 23 abzudec ken. Der obere Teil der Abdeckung 40 ist vollständig geöffnet und der untere Teil davon hat ein mittiges Loch 40b. Ein Spülflüssigkeits-Auffangabschnitt 40a, der sich an dem unteren Abschnitt von dem Umfang nach innen erstreckend ausgebildet ist, definiert eine mittige Öffnung 40b. Die Spülflüssigkeit, die aus den Düsen 41 austritt, passiert die mittige Öffnung 40b der Abdeckung 40, trifft auf die untere Oberfläche der Halteplatte 23 auf, steuert auf den Führungskanal 43 entlang der unteren Oberfläche der Halteplatte 23 mittels Zentrifugalkraft zu, läuft durch den Führungskanal 43 und erreicht die untere Oberfläche des Substrats G.
  • Weiterhin ist ein bogenförmiger Führungskanal 43, der die Halteplatte 23 passiert, dicht an einer Ecke des Substrats G, insbesondere 20 mm innerhalb der Ecke, vorgesehen. Insbesondere wird die von den Düsen 41 abgelassene Spülflüssigkeit einem Zwischenraum zwischen der Oberfläche der Abdeckung 40 und der rückseitigen Oberfläche der Halteplatte 23 zugeführt, passiert den Spülflüssigkeits-Auffangabschnitt 40a und wird in Richtung der rückseitigen Oberfläche des Substrats G aus dem Führungskanal 43 zugeführt.
  • Die Führungskanäle 43 sind derart angeordnet, dass die Abstandshalter 27 zu dem Zeitpunkt gereinigt werden, wenn die rückseitige Oberfläche des Substrats G gereinigt wird. Insbesondere sind die Führungskanäle 43 vorgesehen, um den Bereich zu umfassen, der von Linien eingegrenzt ist, die die Mitte des Substrats G und die Abstandshalter 27 verbinden. Durch diese Anordnung erlangt der Führungskanal 43 eine Funktion zum Regulieren des Stromes einer Spülflüssigkeit in Richtung der Eckabschnitte des Substrats G, wie nachstehend beschrieben wird.
  • Bei dieser Ausführungsform sind die Führungskanäle dicht an den Eckabschnitten angeordnet, so dass sie die Diagonallinien des Substrats überspannen. Die Führungskanäle können jedoch außerhalb der Diagonallinien angeordnet sein, solange die Spülflüssigkeit den Eckabschnitt des Substrats erreicht.
  • Weiterhin ist an der Oberfläche der Halteplatte 23 ein Vorsprung 44 vorgesehen, zum Beispiel in der Nähe der Mitte jeder einzelnen Seite des Substrats G. Die Vorsprünge 44 dienen als Substrathalteelemente zum Halten der rückseitigen Oberfläche des Substrats G, während es leicht nach oben von der Oberfläche der Halteplatte 23 abgesetzt ist, um zu verhindern, dass Fremdkörper an der rückseitigen Oberfläche des Substrats haften bleiben. Genauer gesagt, der Zwischenraum zwischen dem Substrat G und der Halteplatte 23 wird gebildet, indem das Substrat leicht von der Oberfläche der Halteplatte 23 abgehoben wird. Eine aus dem Führungskanal 43 zugeführte Spülflüssigkeit strömt durch den Zwischenraum, um die Eckabschnitte des Substrats zu reinigen.
  • Die Vorsprünge 44 und die Abstandshalter 27, insbesondere mit dem Substrat in Kontakt stehenden Teile davon, werden mit Polyether-Ether-Keton (PEEK) überzogen, um das Substrat G vor Schäden zu schützen.
  • Das PEEK kann Kohlenstoff-Fasern enthalten. Der andere Abschnitt des Drehfutters kann geeigneterweise aus Aluminium, einer Aluminium-Legierung, nichtrostendem, mit Fluor überzogenem Stahl, Polyether-Ether-Keton (PEEK) oder einer Kombination davon gebildet sein.
  • Wie in der 2 gezeigt, ist ein erster Führungsring 31 vorgesehen, um den seitlichen Umfang des Drehfutters 2 zu umgeben. Der erste Führungsring 31 hat eine obere Oberfläche, die praktisch eben mit der des Drehfutters 2 ist. Die untere Oberfläche des ersten Führungsringes 31 fällt schräg nach unten und nach außen ab (die innere, untere Oberfläche ist höher als die äußere, untere Oberfläche). An der unteren Seite des Drehfutters 2 ist die kreisförmige Platte 32 angeordnet, um die Rotationswelle des Drehfutters 2 zu umgeben. Weiterhin ist ein zweiter Führungsring 33 (mit einem winkelförmigen Abschnitt) ausgebildet, um den äußeren Umfang der kreisförmigen Platte 32 zu umgeben. Der zweite Führungsring 32 hat den gleichen Außenradius wie der erste Führungsring 31, und die äußere periphere Kante ist gekrümmt und erstreckt sich unterhalb.
  • Eine äußerer Schale 3 ist vorgesehen, um die Führungsringe 31 und 33 zu umgeben. Die äußere Schale 3 hat einen größeren Öffnungsabschnitt als das Dreh futter 2 an dem oberen Bereich, um das Drehfutter 2 nach oben und nach unten zu bewegen. Zwischen der Seitenumfangsfläche und den äußeren Umfangsflächen der ersten und zweiten Führungsringe ist ein Zwischenraum, der als Luftkanal 34 dient, ausgebildet.
  • In dem Bodenabschnitt des äußeren Bechers 3 befindet sich ein kurviger und abbiegender Kanal, der mit Hilfe des Außenumfangs des zweiten Führungsringes 33 gebildet wird. Der kurvige und abbiegende Teil dient als ein Luft/Flüssigkeits-Trennungsabschnitt. Überschüssige Beschichtungsflüssigkeit passiert eine äußere Kammer 35 und wird aus einer Ablassöffnung 36 abgelassen, wobei ein Gas durch eine innere Kammer 37a strömt und aus einer Abgasöffnung 37 durch die Ansaugkraft einer Pumpe (nicht gezeigt) ausgestoßen wird. Es ist anzumerken, dass die Ablassmenge der Schale gemäß der vorliegenden Erfindung zum Beispiel 260 bis 270 Pa (entspricht 900 Zoll-Wassersäule) beträgt, was ungefähr 5 bis 6 Mal soviel ist, wie bei einer allgemein üblichen Silikon-Wafer-Beschichtungsvorrichtung. Da die Schale eine größere Ablassmenge als eine Silikon-Wafer-Beschichtungsvorrichtung aufweist ist es daher bei einer Beschichtungs- und Bearbeitungsvorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung möglich, zu verhindern, dass Fremdkörper an dem Substrat G haften bleiben, sogar dann, wenn eine geringe Menge an Fremdkörpern in der Schale vorhanden ist.
  • Weiterhin ist an der oberen Oberfläche eine Ringplatte 38 vorgesehen, die einen Innendurchmesser von z. B. 100 bis 160 mm hat, der kleiner als der Durchmesser des Öffnungsabschnittes der äußeren Schale 3 ist, und einen größeren Außendurchmesser als der Öffnungsabschnitt der äußeren Schale 3. Die Ringplatte 38 wird durch einen Antriebsmechanismus (nicht gezeigt) nach oben und nach unten bewegbar gehalten. Weiterhin ist eine Düse 39 vorgesehen, um der oberen Oberfläche des Masken-Substrats G gegenüberzuliegen, und wird von dem Drehfutter 2 gehalten. Die Düse 39 steht mit einer Fotolack-Zuführungsquelle 63 über eine Leitung in Verbindung. Die Fotolack-Zuführungsquelle 63 hat eine eingebaute Mengenflusssteuerung (MFC) zur Steuerung der Zuführungsmenge einer Fotolacklösung. Die Betätigung der MFC-Steuerung wird durch eine Steuerung 60 gesteuert. Die Düse 39 wird nach oben und nach unten bewegbar innerhalb einer X-Y Ebene durch eine Vielzahl von Bewegungsmechanismen (nicht gezeigt) gehalten.
  • Nunmehr bezugnehmend auf die 3, 4A und 4B wird das Drehfutter 2 detailliert erklärt.
  • Die Halteplatte 23 des Drehfutters 2 zum Halten eines Substrats G ist ein Rechteck, das ein bißchen größer als das Substrat ist. Die Halteplatte 23 hat Wände 24, die entlang der Seiten des Rechtecks mit Ausnahme der Eckabschnitte ausgebildet sind. Ein Ausnehmungsabschnitt wird von der Halteplatte 23 und den Wänden 24 gebildet. Wenn ein Substrat G in die Ausnehmung platziert wird, liegt die Halteplatte 23 der rückseitigen Oberfläche des Substrats G gegenüber. Weiterhin sind an den Eckabschnitten Ausschnitte 25 ausgebildet, indem ein Teil der Halteplatte 23 rechteckig ausgeschnitten wurde. Wenn ein Substrat G auf die Halteplatte 23 platziert wird, ist daher jeder Eckabschnitt des Substrats G (zum Beispiel ungefähr 3 bis 7 mm) außerhalb der Halteplatte 23 freiliegend. Ein Übergabe-Armmechanismus 5 hält die freiliegenden Abschnitte, wenn das Substrat G auf- und abgeladen wird.
  • An der oberen Kante einer jeden Wand 24 ist ein Luftströmungs-Steuerungselement 26 (flaches Blech) ausgebildet. Das Luftströmungs-Steuerungselement 26 ist eine flache, horizontal angeordnete Ebene, die derart angeordnet ist, dass sie mit der Oberfläche des Substrats G bündig ist. Wie von oben gesehen, ist der Umfang des Luftströmungs-Steuerungselementes 26 bogenartig geformt. Genauer gesagt, das Flachblech-Luftströmungs-Steuerungselement 26 ist entlang der Seite des Substrats G mit einem Zwischenraum zu diesem angeordnet, um nahezu bündig mit der Oberfläche des Substrats G zu sein. Das Luftströmungs-Steuerungselement 26 ist zum Beispiel an einer Position, die 0,5 mm niedriger ist als die Ebene des Substrates G, und ist nicht an dem Eckabschnitt des Substrats G ausgebildet.
  • In der Nähe eines jeden Eckabschnitts des Drehfutters 2 sind ein Paar Abstandshalter 27 angeordnet und entsprechend an den Wänden 24 befestigt, wodurch ein Zwischenraum geschaffen wird, zum Beispiel ungefähr 1,5 mm, zwischen dem Substrat G auf der Halteplatte 23 und der Wand 24. Der Abstandshalter hat eine Form wie z. B. eine dreieckige Pyramide oder ein Zylinder, wodurch der Abstandshalter in punkt- oder linienförmigen Kontakt mit dem Seitenumfang des Substrats G gebracht wird. Der Abstandshalter hat auch eine Ausrichtfunktion zum Halten eines Substrats G in einer gewünschten Position auf dem Drehfutter 2. Da das Substrat G durch vier Paare von Abstandshaltern 27 von dem Umfang gehalten wird, wackelt es nicht auf dem Drehfutter 2, wenn das Substrat G gedreht wird.
  • Nachstehend wird ein Drehfutter 2A gemäß einer anderen Ausführungsform erklärt.
  • Die 5 ist eine Draufsicht von der oberen Oberflächenseite auf das Drehfutter 2A gesehen, und die 6 ist eine Draufsicht von der rückwärtigen Oberflächenseite auf das Drehfutter 2A gesehen. Das Drehfutter 2A hat im Wesentlichen eine rechteckige Abdeckung 23A auf der rückseitigen Oberfläche. Der periphere Flansch 23f der Abdeckung 23A ist durch eine Schraube an dem Umfang der Öffnung eines Luftströmungs-Steuerungselementes 26A befestigt. Da die Öffnung des Luftströmungs-Steuerungselementes 26A rechteckig ist und die Eckabschnitte der im Wesentlichen rechteckigen Abdeckung 23A teilweise ausgeschnitten sind, sind Luftströmungsöffnungen 25 an den Abschnitten entsprechend den Eckabschnitten des Substrats G bei einer Draufsicht ausgebildet. Die Größe und Form der Luftströmungsöffnungen 25 werden durch die Maße der Öffnung des Luftströmungs-Steuerungselementes 26 und der Ausschnitte an den vier Ecken der Abdeckung 23A festgelegt. Bei dieser Ausführungsform ist die Luftströmungsöffnung 25 fächerförmig mit einem Radius von 5 bis 10 mm. An dem peripheren Abschnitt des Luftströmungs-Steuerungselementes 26A sind eine Vielzahl von Abstandshaltern 27A und Vorsprünge positioniert, damit verhindert wird, dass das Substrat G auf dem Drehfutter 2A wackelt.
  • Die Abdeckung 23A hat 72 Flüssigkeitszuführungs-Öffnungen 43, die radial und konzentrisch angeordnet sind. Genauer gesagt, diese Flüssigkeitszuführungs-Öffnungen haben die gleiche Form und Größe und sind in regelmäßigen Abständen angeordnet. Wie in der 9B gezeigt ist, wird, wenn eine Spülflüssigkeit R aus den Düsen 41 in Richtung der Abdeckung 23A abgestrahlt wird, die rückseitige Oberfläche des Substrats G mit der Spülflüssigkeit R gereinigt, wie in der 9C gezeigt ist. Da die Flüssigkeitszuführungs-Öffnungen 43 radial angeordnet sind, wird die Spülflüssigkeit R in jede Richtung zugeführt, um die gesamte rückseitige Oberfläche des Substrats G ausreichend zu reinigen.
  • Nachstehend werden der Übergabe-Armmechanismus 5 und das Masken-Substrat G mit Bezug auf die 7, 8A bis 8D erklärt.
  • Der Übergabe-Armmechanismus 5 hat ein horizontales Armelement 51, das von einem XYZθ-Antriebsmechanismus (nicht gezeigt) zur Übergabe eines Masken-Substrats G zwischen dem Drehfutter und dem Übergabe-Armmechanismus 5 angetrieben wird. Das horizontale Armelement 51 hat einen runden (bogenförmigen) Armhauptkörper mit einem offenen Ende, und vier Haltestücke 52, wie in der 7 gezeigt ist. Die vier Haltestücke 52 zeigen jeweils von der innenliegenden Umlauffläche des bogenförmigen Armkörpers nach innen und stützen die C-Ebene 13c des Eckabschnitts des Masken-Substrats G.
  • Um die Verunreinigung des Masken-Substrats G mit Fremdkörpern zu verhindern, dürfen andere Elemente nicht mit der rückseitigen Oberfläche 13b und Seitenfläche 13e in Berührung sein. Die Bereiche 1 1, mit denen andere Elemente in Kontakt sein können, befinden sich nur an den Ecken und in den mittleren Abschnitten der vier Seiten. Weiterhin berührt jedes der Haltelemente 52 eines Armelementes das Masken-Substrat G nur an der C-Ebene 13c, wie in der 8C gezeigt ist, und sind nicht mit der rückseitigen Oberfläche 13b und der Seitenfläche 13e des Substrats G in Kontakt. Insbesondere hat das Haltestück 52 eine konische Führungsfläche 52a, einen spitzen Stopper-Abschnitt 52b und einen gekrümmten Abschnitt 52c. Wenn das Masken-Substrat G dem Übergabe-Armmechanismus 5 übergeben wird, gleitet es entlang der konischen Führungsfläche 52a, währenddessen es nur an der C-Ebene 13c mit dem Haltestück 52 in Berührung ist, und hält an, wenn die C-Ebene 13c den gekrümmten Abschnitt 52c erreicht. Da der innere Durchmesser eines imaginären Kreises, der den spitzen Stopper-Abschnitte 52b verbindet, kleiner als der Außendurchmesser des Masken-Substrats G ist, kann das Masken-Substrat G nicht von den Haltestücken 52 abfallen. Wie in der 8D von oben gesehen, hat das Haltestück 52 ein Paar gekrümmte Abschnitte 52c. Eine Ecke des Masken-Substrats G ist mit dem Paar gekrümmter Abschnitte 52c in Kontakt.
  • Wie in der 8B gezeigt, hat das Masken-Substrat G einen Chrom-Oxid (Cr2O3) – Beschichtungsfilm 12b auf einem transparenten Substrat 12a aus Quarzglass, und es wird ein Fotolackbeschichtungsfilm 12c auf dem Beschichtungsfilm gebildet. Der Chrom-Oxid-Beschichtungsfilm 12b hat eine Durchschnittsdicke von 30 bis 60 nm und der Fotolackbeschichtungsfilm 12c hat eine Durchschnittsdicke von 400 bis 500 nm.
  • Das Masken-Substrat G hat eine Seitenlänge L1 von 152 ± 0,4 mm und eine Dicke von 6,35 ± 0,1 mm (ein Viertel Zoll). Die projektierte Länge der C-Ebene 13c beträgt 0,2 bis 0,6 mm.
  • Es wird der Fall kurz erklärt, in dem ein Masken-Substrat G von dem Übergabe-Armmechanismus 5 an das Drehfutter 2 übergeben wird. Zuerst wird der das Substrat G haltende Übergabe-Armmechanismus 5 über das Drehfutter bewegt. Dann wird das Armelement 51 nach unten bewegt, während das Haltestück 52 die Luftströmungs-Öffnung 25 passiert. Auf diese Weise wird der von dem Armelement 51 umgebene Bereich (Substrat) mit Bezug auf das Drehfutter 2 bewegt, wodurch das Substrat G auf der Halteplatte 23 montiert wird. Wenn das Substrat G von dem Drehfutter 2 abgenommen wird, wird die vorstehend genannte Betätigung in umgekehrter Weise ausgeführt.
  • Nachstehend wird ein Verfahren zur Bildung eines Beschichtungsfilms auf der Oberfläche des Substrats G unter Einsatz der vorgenannten Beschichtungs- und Bearbeitungsvorrichtung erklärt.
  • Zuerst wird das Drehfutter 2 nach oben über die äußere Schale 3 bewegt bis in den Zustand, in dem die Ringplatte 38 in die vorbestimmte höchste Position gesetzt ist, und ein Substrat G wird von einem Übergabe-Armmechanismus 5 dem Drehfutter übergeben. Dann bewegt sich das Drehfutter 2 nach unten, wobei es das Substrat G hält, und außerdem bewegt sich die Ringplatte 38 nach unten in die vorbestimmte unterste Position. Anschließend wird die Beschichtungslösungsdüse 39 zu einer Position geführt, die der Mitte des Substrats G gegenüberliegt. Danach strömt eine Beschichtungslösung, eine Fotolacklösung, in Richtung des Mittelteils des Substrats G aus der Beschichtungslösungsdüse 39 aus und das Substrat G wird anschließend mit hoher Geschwindigkeit synchron zusammen mit dem Drehfutter 2 für 2 bis 3 Sekunden mit einer ersten Rotationsgeschwindigkeit gedreht, zum Beispiel mit 2.500 U/min.. Die dem Substrat G zugeführte Fotolacklösung verbreitet sich in Richtung der peripheren Kante des Substrats G durch Zentrifugalkraft, die durch die Rotation des Substrats G vorhanden ist, und abschließend wird eine überschüssige Fotolacklösung von dem Substrat abgeschüttelt. Anschließend wird, während die Beschichtungslösungsdüse 39 zurückbewegt wird, das Substrat G zusammen mit dem Drehfutter 2 mit einer niedrigen zweiten Rotationsgeschwindigkeit, wie z. B. 1000 U/min., 15 bis 30 Sekunden lang rotiert, um dadurch die Verdampfung eines Lösungsmittels (Verdünner) zu beschleunigen, das in einer Fotolacklösung auf der Oberfläche des Substrats G enthalten ist. Daraus resultiert, dass ein Fotolackfilm mit einer Dicke von ungefähr 0,6 μm aus den verbleibenden Fotolackkomponenten auf der Oberfläche des Substrats G gebildet wird. Eine Fotolacklösung kann außerdem aus der Beschichtungslösungsdüse 39 zugeführt werden, während das Drehfutter 2 rotiert.
  • Nachstehend wird ein Schritt zur Spülung der rückseitigen Oberfläche des Substrats G (nachstehend als ein „Rückseiten-Spülschritt" bezeichnet) mit Bezug auf die Zeichnungen 9A bis 9D, 10 und 11 erklärt.
  • An der Seitenfläche und rückseitigen Oberfläche des Substrats, das mit der Fotolacklösung beschichtet ist, haben sich Fotolackkomponenten 200 abgelagert, wie durch schraffierte Linien in der 9A gezeigt ist. Zur Entfernung der Fotolackkomponenten strömt eine Spülflüssigkeit R aus den Spülflüssigkeits-Auslassdüsen 41, währenddessen das Substrat G zum Beispiel mit 500 U/min. rotiert. Genauer gesagt, die Spülflüssigkeit R wird aus den in einer zickzackförmigen Weise angeordneten Düsen derartig gesprüht, dass das Spray sich überkreuzend in Richtung einer innenseitigen Position von der Abdeckung 40, die an der rückseitigen Oberfläche der Halteplatte 23 angebracht ist, mit einer Strömungsrate von 60 ml/min. strömt. Da die Zentrifugalkraft wirkt, wird die Spülflüssigkeit R ebenfalls entlang der rückseitigen Oberfläche der Halteplatte 23 gelenkt und einem Zwischenraum zwischen der Abdeckung 40 und der Halteplatte 23 zugeführt. Die Spülflüssigkeit R kann direkt dem Zwischenraum zwischen der Abdeckung 40 und der Halteplatte 23 zugeführt werden.
  • Die Spülflüssigkeit R wird zu einem Spülflüssigkeits-Auffangabschnitt 40a durch Zentrifugalkraft (Zentripetalkraft) gelenkt, passiert den Führungskanal 43, wird in einen Zwischenraum zwischen dem Substrat G und der Halteplatte 23 eingeführt, radial um das Rotationszentrum zentrifugal versprüht und verteilt.
  • Dadurch werden, wie in der 1 1 gezeigt ist, zwei Ströme der Spülflüssigkeit R gebildet: einer wird in Richtung des Eckabschnitts und der andere in Richtung der Wand 24 geleitet. Der zuletzt genannte Strom trifft auf die Oberfläche der Wand 24 und ändert die Richtung. Da der Abstandshalter 27 jedoch den Strom daran hindert, sich nach innen auszubreiten, wird der Strom letztendlich in Richtung des Eckabschnitts des Substrats G geleitet. Wie erläutert, strömt die Spülflüssigkeit R, die von jeder der Flüssigkeitszuführungs-Öffnungen 43 zugeführt wird, in Richtung des entsprechenden Eckabschnitts der rückseitigen Oberfläche des Substrats G und wird dann verteilt.
  • Wie in der 9C gezeigt, verläuft die Spülflüssigkeit R, die den Umfang der Luftströmungs-Öffnung 25 erreicht hat, weiter nach außen, währenddessen sie an der rückseitigen Oberflächenseite des Substrats G aufgrund der Oberflächenspannung haften bleibt. Die Spülflüssigkeit R, die sich über den Umfang des Eckabschnitts des Substrats G hinaus ausgebreitet hat, läuft teilweise auf die Seitenfläche des Substrats. Wenn die Spülflüssigkeit R abgeschüttelt wird, die die Ecke des Eckabschnitts des Substrats G erreicht hat, läuft sie zu der Seitenfläche aufgrund der Oberflächenspannung. Folglich kann eine aufgehende Ecke 300 gereinigt werden.
  • Die Grenze zwischen der rückseitigen Oberfläche 13b und der Seitenfläche 13e des Substrats G und die zwischen der Oberfläche 13a und der Seitenfläche 13e sind außerdem gerundet, um die C-Ebenen 13c zu bilden, wie in der 8c gezeigt ist. Die Spülflüssigkeit R strömt entlang der rückseitigen Oberfläche 13b und dann entlang der C-Ebene 13c und läuft zu der Seitenfläche 13e, um die Oberfläche 13e zu reinigen.
  • Nach 5 bis 30 Sekunden ab Initiierung der Zuführung der Spülflüssigkeit R wird die Zuführung der Spülflüssigkeit R gestoppt und das Drehfutter wird für mehrere Sekunden gedreht, um die Spülflüssigkeit R abzuschütteln. Nach Beendigung der Reinigung wird die Ringplatte 38 nach oben bewegt, und dann wird das Drehfutter 2 angehoben, und der Übergabe-Armmechanismus 5 nimmt das Substrat durch die Substrathaltestücke 52 auf und lädt es ab, wie in der 9D gezeigt ist.
  • Eine Ausführungsform des Rückseiten-Spülschrittes wird mit Bezug auf die 10 erklärt.
  • Nachdem die Übergabe eines Masken-Substrats G an das Drehfutter 2 beendet wurde, wird die Rotation des Drehfutters 2 zuerst mit einer niedrigen Geschwindigkeit von 200 U/min. zum Zeitpunkt 1 (t1) gestartet. Zum Zeitpunkt 2 (t2) wird die Geschwindigkeit auf 1.500 U/min. mit einer Beschleunigungsrate von 1.000 bis 5.000 U/min∙sec erhöht und bei 1.500 U/min. für 3 Sekunden (t3 bis t4) beibehalten. Während dieses Zeitraums wird von den Düsen 41 eine Spülflüssigkeit auf die Halteplatte 23 gesprüht. Zu dem Zeitpunkt t4 wird die Rotationsgeschwindigkeit auf 200 U/min. mit einer Verzögerungsrate von 1.000 bis 5.000 U/min∙sec reduziert und bei 200 U/min. für 3 Sekunden (t5 bis t6) aufrechterhalten. Während dieses Zeitraums wird die Spülflüssigkeit kontinuierlich aus den Düsen 41 gesprüht. Zu einem Zeitpunkt t6 wird die Rotationsgeschwindigkeit auf 1.500 U/min. mit einer Beschleunigungsrate von 1.000 bis 5.000 U/min∙sec erhöht und bei 1.500 U/min. für 3 Sekunden (t7 bis t8) aufrechterhalten. Während dieses Zeitraumes wird die Spülflüssigkeit kontinuierlich aus den Düsen 41 gesprüht. Zum Zeitpunkt t8 wird die Rotationsgeschwindigkeit auf 200 U/min. mit einer Verzögerungsrate von 1.000 bis 5.000 U/min∙sec reduziert und bei 200 U/min. für 3 Sekunden (t9 bis t10) aufrechterhalten. Während dieses Zeitraums wird die Spülflüssigkeit kontinuierlich aus den Düsen 41 gesprüht. Zum Zeitpunkt t10 wird die Rotationsgeschwindigkeit auf 1.500 U/min. mit einer Beschleunigungsrate von 1.000 bis 5.000 U/min∙sec erhöht und bei 1.500 U/min. für 3 Sekunden (t11 bis t12) aufrechterhalten. Während dieses Zeitraumes wird die Spülflüssigkeit kontinuierlich aus den Düsen 41 gesprüht. Zum Zeitpunkt t12 wird die Zuführung der Spülflüssigkeit aus den Düsen 41 gestoppt und die Rotationsgeschwindigkeit wird mit einer Verzögerungsrate von 1.000 bis 5.000 U/min∙sec reduziert. Auf diese Weise wird die Rotation des Drehfutters 2 beendet. Die Hochgeschwindigkeits-Rotation und die Niedriggeschwindigkeits-Rotation des Drehfutters werden abwechselnd dreimal wiederholt. Auf diese Art und Weise wird die Fotolackablagerung erfolgreich vollständig von der rückseitigen Oberfläche 13b und der Seitenfläche 13e des Masken-Substrats G entfernt. Die Fotolackablagerung kann insbesondere zufriedenstellend durch abwechselnde Änderung der Niedriggeschwindigkeits-Rotation und der Hochgeschwindigkeits-Rotation des Drehfutters 2 von der C-Ebene 13c des Masken-Substrats G entfernt werden.
  • Wenn die Rotationsgeschwindigkeit während des Niedriggeschwindigkeits-Rotationsbetriebes niedriger als 200 U/min. (z. B. 100 U/min.) ist, läuft der Fotolack von der oberen Oberfläche auf die untere Oberfläche. Da ein derartiger Nachteil entsteht, wird der niedrigste Wert der Rotationsgeschwindigkeit des Substrats auf 200 U/min. während des Rückseiten-Spülschrittes eingestellt. Wenn die Rotationsgeschwindigkeit andererseits während des Hochgeschwindigkeits-Rotationsbetriebes 1.500 U/min. überschreitet, ist es wahrscheinlich, dass die Spülflüssigkeit von der Halteplatte 23 abgewiesen wird. Dadurch spritzt die Spülflüssigkeit in Richtung der Düsen 41 zurück und verläuft an dem Umfang des Drehfutters. Aus diesem Grund wird der obere Wert der Rotationsgeschwindigkeit des Substrats während des Rückseiten-Spülschrittes auf 1.500 U/min. eingestellt.
  • Gemäß der vorstehend genannten Ausführungsform wird eine Spülflüssigkeit einem Zwischenraum zwischen dem Substrat G und der Halteplatte 23 zugeführt, während das Substrat G und die Halteplatte 23 synchron rotieren. Durch diese Konstitution wirken die Zentrifugalkraft, die durch die Rotation erzeugt wird, und die Oberflächenspannung der Spülflüssigkeit zusammen, die auf das Substrat G gebracht wird, um die rückseitige Oberfläche und Seitenfläche des Eckabschnittes des Substrats G zu reinigen. Folglich kann die Fotolacklösung entfernt werden, die zumindest an der Seitenfläche dicht an dem Boden und der rückseitigen Oberfläche des Eckabschnitts während der Fotolackbeschichtungszeit haften geblieben ist. Daher kann, sogar wenn die rückseitige Oberfläche des Eckabschnitts von dem Übergabe-Armmechanismus 5 gehalten wird, eine Verschmutzung der Substrathaltestücke 52 des Übergabe-Armmechanismus 5 verhindert werden. Auch wenn die Substrate G in und aus der Vorrichtung einzeln durch den Über gabe-Armmechanismus 5 auf- oder abgeladen werden, können die Eckabschnitte des Substrates G deshalb nicht verunreinigt werden. Weiterhin kann, wenn das Substrat G übergeben wird, ohne von dem Übergabe-Armmechanismus 5 an den vier Ecken gehalten zu werden, zum Beispiel in dem Fall, wenn eine andere Einheit das Substrat G an den vier Ecken hält, eine sogenannte Kreuz-Kontamination verhindert werden.
  • Weiterhin ist gemäß der vorstehend genannten Ausführungsformen der Führungskanal 43 an einer Position angeordnet, die einem der Eckabschnitte des Substrats G entspricht, insbesondere an einer Position, von der eine Spülflüssigkeit zugeführt wird, die Spülflüssigkeit die Ecken des Substrats erreichen kann, zum Beispiel an den Diagonallinien des Substrats G. Bei dieser Anordnung kann die Spülflüssigkeit dynamisch (positiv) in Richtung eines zu reinigenden Zieles zugeführt werden, d. h. zu den Eckabschnitten des Substrats G. Weiterhin kann, da der Spülflüssigkeits-Auffangabschnitt 40a bereitgestellt ist, die Spülflüssigkeit in dem Führungskanal 43 durch die Hilfe von Zentrifugalkraft (Zentripetalkraft) aufgefangen werden, im Vergleich zu dem Fall, in dem die Spülflüssigkeit von der Mitte des Substrats G zugeführt wird, und die Menge der Spülflüssigkeit kann reduziert werden. Dadurch kann die vorliegenden Erfindung die Kosten vorteilhafterweise senken.
  • Weiterhin wird, durch die Bereitstellung der Wand 24 entlang des Umfangs des Substrats G, eine Spülflüssigkeit in Richtung der Eckabschnitte selbstverständlich ohne weiteres Zutun zugeführt. Zusätzlich können die Abstandshalter gereinigt werden, da ein Führungskanal 43 derart ausgebildet ist, dass er den Raum zwischen den Linien überbrückt, die das Zentrum des Substrats G und ein Paar Abstandshalter 27 verbinden. Da die Spülflüssigkeit auf die Wand 24 trifft und in den Zwischenraum zwischen dem Substrat G und der Wand 24 strömt, wird durch die Abstandshalter 27 geregelt, dass sich der Abstand nicht nach innen ausbreitet. Dadurch kann die Spülflüssigkeit in Richtung der Eckabschnitte auf jeden Fall zugeführt werden.
  • Gemäß der Ausführungsform sind die Ausschnitte 25 in dem Drehfutter 2 ausgebildet und das Substrat G wird zu und von dem Übergabe-Armmechanismus durch Halten der Eckabschnitte des Substrats G weiterbefördert, die in den Ausschnitten 25 freiliegen.
  • Daher kann das Auf- und Abladen des Substrats G leicht ausgeführt werden.
  • Die Abdeckung 40 der vorliegenden Erfindung beschränkt sich nicht auf den Aufbau mit einem Spülflüssigkeits-Auffangabschnitt 40a (sie kann teilweise erweitert sein). Zum Beispiel kann die Abdeckung 40, wie in den 12A und 12B gezeigt ist, in Form einer Wanne wie ein Ring sein, die die Führungskanäle 43 abdeckt und enthält. Auch wenn die Abdeckung ringförmig ist, strömt die Spülflüssigkeit, die aus den Spülflüssigkeits-Auslassdüsen 41 in Richtung der rückseitigen Oberfläche der Halteplatte 23 ausströmt, entlang der rückseitigen Oberfläche der Halteplatte 23 durch Zentrifugalkraft und erreicht die Wanne, spritzt aus dem Führungskanal 43 heraus und wird dem Substrat G zugeführt. Daher können die gleichen Effekte erzielt werden, wie vorstehend erwähnt wurde.
  • Weiterhin beschränkt sich der Aufbau des Drehfutters der vorliegenden Erfindung nicht auf den, der Wände 24 an dem Drehfutter 2 aufweist. Es kann der Aufbau des in der 13 gezeigten Drehfutters verwendet werden. Insbesondere weist das Drehfutter die Führungskanäle 43, Ausschnitte 25, die Halteplatte 23 zum Platzieren eines Substrats G in der Mitte davon und Abstandshalter 28 auf, die an dem Umfang des Substrathaltebereichs und der Luftströmungs-Steuerungselemente 26 vorgesehen sind. Die äußere Kante des Luftströmungs-Steuerungselementes 26 weist die gleiche Form wie die Halteplatte 23 auf. Jedes der Luftströmungs-Steuerungselemente 26 wird durch den Abstandshalter an dem inneren Umfang gehalten. Auch in diesem Fall wird die aus dem Führungskanal 43 in einen Zwischenraum zwischen dem Substrat G und der Halteplatte 23 zugeführte Spülflüssigkeit in Richtung der Eckabschnitte des Substrats durch Zentrifugalkraft, die durch synchrone Rotation des Substrats G und der Halteplatte 23 erzeugt wird, gelenkt. Daher können die Eckabschnitte gereinigt werden.
  • Folglich können die gleichen Effekte erzielt werden, wie vorstehend erwähnt wurde.
  • Weiterhin ist bei der vorliegenden Erfindung der Aufbau des Drehfutters 2 nicht darauf beschränkt, dass er Ausschnitte 25 aufweist. Es kann der in der 14 gezeigte Aufbau verwendet werden. Insbesondere sind ein Drehfutter mit einem Führungskanal 43, eine kreisförmige Halteplatte 23 mit einem Substrathaltebereich in der Mitte, ein Luftströmungs-Steuerungselement 26 mit einem Öffnungsbereich entsprechend dem Substrathaltebereich, und ein Abstandshalter 28 vorhanden, der das Element 26 hält. Auch in diesem Fall kann eine Spülflüssigkeit zur Seitenfläche des Substrats aufgrund der Oberflächenspannung laufen. Daher können die gleichen Effekte erzielt werden, wie vorstehend erwähnt wurde. Jedoch liegen in diesem Fall die Eckabschnitte des Substrats G nicht außerhalb der Halteplatte 23 frei. Damit der Übergabe-Armmechanismus 5 das Substrat G halten kann, sind z. B. Durchgangslöcher in der Oberfläche der Halteplatte 23 ausgebildet und ein durch jedes der Durchgangslöcher passierendes Substrat-Hebeelement ist vorgesehen. Das Substrat G wird durch die Substrat-Hebeelemente durch die Löcher angehoben und dem Übergabe-Armmechanismus 5 übergeben.
  • Bei der vorliegenden Erfindung können, wie in der 15 gezeigt ist, Flüssigkeitsströmungs-Führungselemente 16 an der Oberfläche der Halteplatte 23 vorgesehen sein, um die Richtung des Stromes der Spülflüssigkeit zu steuern. Auch mit diesem Aufbau können die gleichen Effekte erreicht werden, wie vorstehend erwähnt wurde.
  • Die Anordnung der Flüssigkeitsströmungs-Führungselemente 16 kann vorzugsweise zweckabhängig festgelegt werden, insbesondere, ob eine Spülflüssigkeit in Richtung der Eckabschnitte auf jeden Fall gelenkt wird oder nicht oder ob eine Spülflüssigkeit derart gelenkt wird, dass die Abstandshalter 27 garantiert gereinigt werden.
  • Weiterhin ist bei der vorliegenden Erfindung die Form des Führungskanals 43 nicht auf eine Fächerform beschränkt. Es können rundförmige Führungskanäle nebeneinander angeordnet sein, wie in der 16 gezeigt ist. Wie die Führungskanäle 43 anzuordnen sind, wird vorzugsweise bestimmt, indem ein einleitender Test durchgeführt wird.
  • Bei der vorliegenden Erfindung brauchen die Führungskanäle 43 nicht unbedingt in der Oberfläche der Halteplatte 23 ausgebildet sein und sie können in der innenliegenden Seitenfläche der Wand 24 ausgebildet sein. Auch in diesem Fall werden die gleichen Effekte erzielt, wie vorstehend erwähnt, indem eine Spülflüssigkeit einem Zwischenraum zwischem dem Substrat G und der Halteplatte 23 zugeführt wird. Weiterhin kann ein Führungskanal 43 vorgesehen sein, um eine Spülflüssigkeit direkt der Seitenfläche eines jeden Eckabschnittes des Substrats G zuzuführen.
  • Bei der vorliegenden Erfindung brauchen die Ausschnitte 25 nicht immer in einer rechtwinkligen Form ausgeführt sein und sie können in einer Bogenform ausgebildet werden. Damit eine Spülflüssigkeit den Ecken des Substrats G auf jeden Fall zugeführt wird, kann sich der Substrathaltebereich in den Ausschnitt hinein erstrecken, wie in der 18 gezeigt, und sich weiter leicht schräg nach oben erstrecken. Auch bei diesem Aufbau können die gleichen Effekte erzielt werden, wie vorstehend erwähnt wurde.
  • Weiterhin ist bei der vorliegenden Erfindung das Substrat G nicht auf ein Masken-Substrat beschränkt und es kann ein Glassubstrat für eine Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung und ebenfalls ein Halbleiterwafer sein. Bei der vorliegenden Erfindung ist das Beschichtungsverfahren nicht auf ein Verfahren zum Beschichten einer Fotolacklösung beschränkt und es kann ein Entwicklungsverfahren sein, das durchgeführt wird, indem ein Entwickler einem Substrat nach der Belichtung zugeführt wird, oder ein Reinigungsverfahren sein, das ausgeführt wird, indem eine Spülflüssigkeit einem Substrat zugeführt wird.
  • Schließlich wird eine Beschichtungs- und Entwicklungsvorrichtung mit einer Beschichtungs- und Bearbeitungsvorrichtung der vorliegenden Erfindung als eine Beschichtungseinheit U1 mit Bezug auf die 19 und 20 erklärt.
  • In der Zeichnung hat ein Trägerblock B1 einen Träger-Montageabschnitt 71 zum Montieren eines Trägers 70, der eine Vielzahl von Substraten G speichert, und ein Übergabemittel 72. An der Rückseite des Trägerblocks B1 ist ein Bearbeitungsblock B2 daran angeschlossen. In dem Bearbeitungsblock B2 ist der vorstehend genannte Übergabe-Armmechanismus 5 als ein Haupt-Übergabemittel vorgesehen. In der Umgebung des Übergabe-Armmechanismus 5 sind eine Beschichtungseinheit U1 und eine Entwicklungseinheit U2 zum Entwickeln eines Substrats G nach der Belichtung an der rechten Seite angeordnet und eine Reinigungseinheit U3 zum Reinigen eines Substrats G, von dem Trägerblock B1 aus gesehen, an der linken Seite angeordnet. Weiterhin sind Regale U4 und U5, in denen Heiz/Kühleinheiten zum Erwärmen und Kühlen eines Substrats und Übergabe-Einheiten zur Übergabe eines Substrats in multiplen Ebenen übereinandergestapelt sind, an der vorderen oder hinteren Seite angeordnet. Weiterhin ist der Übergabe-Armmechanismus 5 konfiguriert, um sich aufwärts und abwärts, nach vorn und nach hinten zu bewegen und um die vertikale Achse zu rotieren, wodurch eine Übergabe eines Substrats G an und von der Beschichtungseinheit U 1, Entwicklungseinheit U2, Reinigungseinheit U3 und Stapeleinheiten U4 und U5 ermöglicht wird. Weiterhin ist der Bearbeitungsblock B2 mit einem Belichtungsblock B4 über einen Übergangsblock B3 verbunden. In dem Belichtungsblock B3 wird ein mit einem Fotolackfilm beschichtetes Substrat G belichtet, indem eine vorbestimmte Maske verwendet wird. In dem Übergangsblock B3 ist ein Übergabemittel 73 vorgesehen, das konfiguriert ist, um ein Substrat G zwischen einer Übergabe-Einheit, einer der Einheiten, die in der Stapeleinheit U5 gestapelt sind, und dem Belichtungsblock 4 weiterzuleiten.
  • Der Durchlauf eines Substrats G wird nun kurz erklärt. Wenn der die Substrate G speichernde Träger 70 in den Träger-Montageabschnitt 71 von außen geladen wird, wird ein Substrat G aus einer Kassette C durch das Übergabemittel 72 ge nommen und an den Übergabe-Armmechanismus 5 über eine Übergabe-Einheit weitergeleitet, die in der Stapeleinheit U4 gelagert ist, und dann nacheinander in dieser Reihenfolge in die Reinigungseinheit U3, Heizeinheit, Kühleinheit und Beschichtungseinheit U1 geladen. Auf diese Art und Weise wird zum Beispiel ein Fotolackfilm gebildet. Anschließend wird das Substrat in der Heizeinheit vorgetrocknet und auf eine vorbestimmte Temperatur in der Kühleinheit abgekühlt und danach von dem Übergabemittel 73 in den Belichtungsblock B4 geladen und dann belichtet. Danach wird das Substrat G in die Heizeinheit geladen, in der es nach der Belichtung auf eine vorbestimmte Temperatur erwämt wird. Das resultierende Substrat wird auf eine vorbestimmte Temperatur in der Kühleinheit abgekühlt und dann in der Entwicklungseinheit U2 entwickelt. Das Substrat G, das den vorbestimmten Behandlungen unterzogen wurde und auf dem, zum Beispiel, ein Fotolackmuster gebildet ist, wird an den Träger 70 zurückgegeben.
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung werden ein Substrat und eine Spülflüssigkeitszuführungs-Einheit synchron rotiert, um der rückseitigen Oberfläche des Substrats eine Spülflüssigkeit zuzuführen, wobei die Seitenflächen der Eckabschnitte und die rückseitige Oberfläche des Substrats gereinigt werden. Deshalb kann das Substrat weitergeleitet werden, währenddessen die vier Ecken davon gehalten werden.

Claims (18)

  1. Eine Beschichtungs- und Bearbeitungsvorrichtung gekennzeichnet durch: ein Drehfutter (2, 2A), das ein viereckiges Substrat horizontal hält und das Substrat in einer horizontalen Ebene dreht; eine Beschichtungslösungsdüse (39) zum Zuführen einer Beschichtungslösung zu einer vorderseitigen Oberfläche des Substrats, das horizontal von dem Drehfutter gehalten wird; und einen Spülflüssigkeitszuführungs-Mechanismus (41, 43, 64), der in dem Drehfutter zum Zuführen einer Spülflüssigkeit zu einer rückseitigen Oberfläche des Substrats vorgesehen ist, wobei die der rückseitigen Oberfläche des Substrats zugeführte Spülflüssigkeit zu der rückseitigen Oberfläche und Seitenfläche eines jeden Eckabschnittes des Substrats durch Zentrifugalkraft gelangen kann, die durch die Rotation des Drehfutters erzeugt wird, und dabei die anhaftende Beschichtungslösung entfernt.
  2. Vorrichtung nach Anspruch 1 dadurch gekennzeichnet, dass der Spülflüssigkeitszuführungs-Mechanismus eine Spülflüssigkeitszuführungs-Öffnung 43 an der mit jeden der Eckabschnitte des Substrats korrespondierenden Position hat.
  3. Vorrichtung nach Anspruch 1 dadurch gekennzeichnet, dass das Drehfutter weiterhin aufweist: eine Halteplatte (23, 23A), die der rückseitigen Oberfläche des Substrats gegenüberliegt, und Substrathalteelemente (44, 44A), die an der Halteplatte (23, 23A) zum Halten des peripheren Teils des Substrats mit einem Zwischenraum zwischen dem Substrat und der Halteplatte vorgesehen sind; ferner der Spülflüssigkeitszuführungs-Mechanismus folgendes aufweist eine Vielzahl von Düsen (41), die die Spülflüssigkeit zu einer unteren Oberfläche der Halteplatte (23, 23A) während der Rotation zuführen, und Führungskanäle (43, 43A) zum Führen der Spülflüssigkeit zu einem Zwischenraum zwischen der rückseitigen Oberfläche des Substrats und der Halteplatte mit Hilfe von Zentrifugalkraft.
  4. Vorrichtung gemäß Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Führungskanäle radial in einem konzentrischen Kreis um ein Rotationszentrum der Halteplatte (23A) angeordnete Durchgangslöcher (43A) sind.
  5. Vorrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Führungskanäle schräg nach außen von der unteren Oberfläche zu der oberen Oberfläche der Halteplatte durchführende Durchgangslöcher (43, 43A) sind, um die Spülflüssigkeit, die auf der unteren Oberfläche der Halteplatte durch die Düsen aufgetragen wird, in Richtung der rückseitigen Oberfläche des Substrats gleichmäßig zuzuführen.
  6. Vorrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass einer der Führungskanäle (43, 43A), die als Spülflüssigkeitszuführungs-Öffnung dienen, an einer mit einem der Eckabschnitte des Substrats korrespondierenden Position der Halteplatte ausgebildet ist.
  7. Vorrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Führungskanäle (43) dicht an den entsprechenden Eckabschnitten des Substrats ausgebildet sind, um die Diagonallinien des Substrats zu überbrücken.
  8. Vorrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass eine Abdeckung (40) mit einem Spülflüssigkeits-Auffangabschnitt (40a) an der rückwärtigen Oberflächenseite der Halteplatte (23, 23A) vorgesehen ist; und die Spülflüssigkeit in dem Spülflüssigkeits-Auffangabschnitt der rückseitigen Oberfläche durch den Führungskanal (43, 43A) zugeführt wird.
  9. Vorrichtung nach Anspruch 3 weiterhin gekennzeichnet durch eine Wandung (24) entlang des Umfangs der Halteplatte mit Ausnahme der Substrat-Eckabschnitte, um den Seitenflächen des Substrats gegenüberzuliegen.
  10. Vorrichtung nach Anspruch 8, weiterhin gekennzeichnet durch Ausschnitte (25, 25A), die derart geformt sind, dass die Eckabschnitte des durch das Drehfutter gehaltenen Substrats beim Übergeben des Substrats freiliegen, wobei es von dem Übergabe-Armelement an den rückseitigen Oberflächen der freiliegenden Eckabschnitte gehalten wird.
  11. Vorrichtung nach Anspruch 3 weiterhin gekennzeichnet durch ein Paar Abstandshalter (27, 27A), die an den innenliegenden Oberflächen vorgesehen sind, um sich mit der zwischen ihnen gesetzten Diagonallinie gegenüberzuliegen, zum Ausrichten des durch das Drehfutter gehaltenen Substrats und zum Leiten der Spülflüssigkeit in Erstreckungsrichtung der Diagonallinie des Substrats.
  12. Verfahren zum Auftragen einer Beschichtungslösung auf einem viereckigen Substrat und zum Entfernen einer Beschichtungslösung, die ungewollt an einer rückseitigen Oberfläche und Seitenfläche des rechteckigen Substrates haftet, gekennzeichnet durch die Schritte: a) horizontales Halten des rechteckigen Substrats durch ein Drehfutter (2, 2A); b) Zuführen einer Beschichtungslösung aus einer Beschichtungslösungsdüse zu einer Oberfläche des durch das Drehfutter gehaltenen Substrats und Verteilen der Beschichtungslösung mit Hilfe von Zen trifugalkraft durch Rotation des Drehfutters um eine vertikale Achse; und c) Zuführen einer Spülflüssigkeit zu einer rückseitigen Oberfläche des Substrats aus einer Spülflüssigkeitszuführungs-Einheit, während das Drehfutter und die Spülflüssigkeitszuführungs-Einheit synchron um die vertikale Achse rotieren, damit die Spülflüssigkeit die Eckabschnitte des Substrats mit Hilfe von Zentrifugalkraft erreicht, um die Beschichtungslösung abzuwaschen.
  13. Verfahren gemäß Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass in dem Schritt a) der Umfang des Substrats durch das Substrathalteelement (44, 44A) gehalten wird, das an der Halteplatte mit einem Zwischenraum zwischen dem Substrat und der Halteplatte (23, 23A) vorgesehen ist; und in dem Schritt c) die Spülflüssigkeit dem Zwischenraum zugeführt wird.
  14. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass in dem Schritt c) die Spülflüssigkeit durch einen Führungskanal (43, 43A) zugeführt wird, der als eine Spülflüssigkeitszuführungs-Öffnung dienend an einer Position der Halteplatte (23, 23A) ausgebildet ist, die mit einem der Eckabschnitte des Substrats korrespondiert.
  15. Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dass die Führungskanäle (43A) Durchgangslöcher sind, die radial in einem konzentrischen Kreis um ein Rotationszentrum der Halteplatte (23A) angeordnet sind.
  16. Verfahren nach Anspruch 13 dadurch gekennzeichnet, dass die Führungskanäle schräg nach außen von der unteren Oberfläche zu der oberen Oberfläche der Halteplatte durchführende Durchgangslöcher (23, 23A) sind, um die auf die untere Oberfläche der Halteplatte durch die Düsen versprühte Spülflüssigkeit in Richtung der rückseitigen Oberfläche des Substrats zu leiten.
  17. Verfahren nach Anspruch 12 dadurch gekennzeichnet, dass in dem Schritt c) das Substrat durch das Drehfutter abwechselnd mit einer vorbestimmten niedrigen Rotationsgeschwindigkeit und hohen Rotationsgeschwindigkeit innerhalb eines Bereiches von 200 bis 1.500 U/min. gedreht wird.
  18. Verfahren nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, dass in Schritt c) eine Beschleunigungsrate zum Wechseln von der niedrigen Rotationsgeschwindigkeit auf die hohe Rotationsgeschwindigkeit und eine Verzögerungsrate zum Wechseln von der hohen Rotationsgeschwindigkeit auf die niedrige Rotationsgeschwindigkeit innerhalb des Bereiches von 1.000 bis 5.000 U/min∙sec fällt.
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Families Citing this family (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003203401A (ja) * 2001-12-28 2003-07-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd 塗布方法、および樹脂層形成法
TW200802563A (en) * 2006-04-18 2008-01-01 Tokyo Electron Ltd Liquid processing apparatus
EP1848025B1 (de) 2006-04-18 2009-12-02 Tokyo Electron Limited Flüssigkeitsverarbeitungsvorrichtung
KR101062253B1 (ko) * 2006-06-16 2011-09-06 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 액 처리 장치
JP4900949B2 (ja) * 2007-03-01 2012-03-21 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP4825178B2 (ja) * 2007-07-31 2011-11-30 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP4901650B2 (ja) * 2007-08-31 2012-03-21 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法および記憶媒体
US8927058B2 (en) * 2008-07-07 2015-01-06 United Microelectronics Corp. Photoresist coating process
DE102009007260B3 (de) * 2009-02-03 2010-06-10 Suss Microtec Lithography Gmbh Vorrichtung zum Beschichten eines Substrats
CN102270592A (zh) * 2011-01-19 2011-12-07 沈阳芯源微电子设备有限公司 一种半导体方形基片旋转自动紧固装置
CN102489464B (zh) * 2011-11-24 2014-05-21 深圳深爱半导体股份有限公司 匀胶清洗装置及匀胶清洗方法
CN103186049A (zh) * 2011-12-30 2013-07-03 北大方正集团有限公司 一种涂胶显影机及其使用方法
JP2013215643A (ja) * 2012-04-05 2013-10-24 Olympus Corp スピンコート方法およびスピンコート装置
US9028915B2 (en) * 2012-09-04 2015-05-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method of forming a photoresist layer
JP6022430B2 (ja) * 2012-11-21 2016-11-09 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
US9589818B2 (en) * 2012-12-20 2017-03-07 Lam Research Ag Apparatus for liquid treatment of wafer shaped articles and liquid control ring for use in same
KR101543691B1 (ko) 2013-08-30 2015-08-11 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치 세정 방법
WO2016044273A1 (en) * 2014-09-15 2016-03-24 Mtd Products Inc Collapsible cart
KR102373977B1 (ko) * 2015-10-05 2022-03-15 삼성전자주식회사 기판 처리 장치
JP7074688B2 (ja) * 2016-07-01 2022-05-24 カーボン,インコーポレイテッド 液体を節約する特徴を有する多層薄膜をスピンコーティングする方法及びシステム
KR102424630B1 (ko) * 2016-07-27 2022-07-25 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 도포막 형성 방법, 도포막 형성 장치 및 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체
JP6439766B2 (ja) * 2016-09-23 2018-12-19 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像方法及び塗布、現像装置
US10083852B1 (en) * 2017-05-12 2018-09-25 Kla-Tencor Corporation Floating wafer chuck
US10670540B2 (en) 2018-06-29 2020-06-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Photolithography method and photolithography system
US11020766B2 (en) 2018-09-28 2021-06-01 Service Support Specialties, Inc. Spin coating apparatus, system, and method
JP7314634B2 (ja) * 2019-06-11 2023-07-26 東京エレクトロン株式会社 塗布装置及び塗布方法
CN110385238B (zh) * 2019-08-16 2020-11-03 吉林华微电子股份有限公司 匀胶机改造方法
JP7352419B2 (ja) * 2019-09-13 2023-09-28 株式会社Screenホールディングス ノズル内部における気液界面の検出方法および基板処理装置
CN112547436B (zh) * 2020-11-30 2021-08-31 北京中科开迪软件有限公司 一种用于光盘生产的胶水供给设备
CN112885712B (zh) * 2021-01-21 2022-04-26 长鑫存储技术有限公司 晶圆边缘的清洗方法以及清洗装置
US20220230873A1 (en) * 2021-01-21 2022-07-21 Changxin Memory Technologies, Inc. Cleaning method and cleaning device for wafer edge
KR20220108560A (ko) * 2021-01-27 2022-08-03 삼성전자주식회사 기판 처리 장치
KR102646843B1 (ko) * 2022-11-10 2024-03-13 세메스 주식회사 기판처리장치

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01236967A (ja) 1988-03-18 1989-09-21 Pioneer Electron Corp 回転式膜形成装置における基板保持台
JPH04171072A (ja) 1990-11-05 1992-06-18 Toshiba Corp 塗布方法およびその装置
JPH05185012A (ja) 1991-12-27 1993-07-27 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板端縁洗浄装置
JPH05200350A (ja) 1992-01-27 1993-08-10 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板端縁洗浄装置
JPH05253528A (ja) 1992-03-16 1993-10-05 Asahi Optical Co Ltd スピンコータによる角型基板への液塗布方法および装置
SG130022A1 (en) * 1993-03-25 2007-03-20 Tokyo Electron Ltd Method of forming coating film and apparatus therefor
JPH0766105A (ja) 1993-08-27 1995-03-10 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
US5626913A (en) 1994-03-09 1997-05-06 Tokyo Electron Limited Resist processing method and apparatus
US5718763A (en) 1994-04-04 1998-02-17 Tokyo Electron Limited Resist processing apparatus for a rectangular substrate
TW285779B (de) * 1994-08-08 1996-09-11 Tokyo Electron Co Ltd
DE29505960U1 (de) * 1995-04-06 1996-08-08 STEAG HamaTech AG, 75447 Sternenfels Anordnung zum Beschichten von Substraten
TW359854B (en) 1996-06-21 1999-06-01 Tokyo Electron Ltd Processing apparatus and processing method
TW357389B (en) 1996-12-27 1999-05-01 Tokyo Electric Ltd Apparatus and method for supplying process solution to surface of substrate to be processed
JP3265238B2 (ja) * 1997-08-01 2002-03-11 東京エレクトロン株式会社 液膜形成装置及びその方法
EP0898301B1 (de) 1997-08-18 2006-09-27 Tokyo Electron Limited Doppelseitenreinigungsmaschine für ein Substrat
JP2000271524A (ja) * 1999-03-25 2000-10-03 Tokyo Electron Ltd 処理装置及び処理方法
US6261635B1 (en) * 1999-08-27 2001-07-17 Micron Technology, Inc. Method for controlling air over a spinning microelectronic substrate
JP3519669B2 (ja) 2000-04-25 2004-04-19 東京エレクトロン株式会社 現像処理方法及び現像処理装置
JP4532776B2 (ja) * 2001-05-07 2010-08-25 パナソニック株式会社 基板洗浄方法及び電子デバイスの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
DE102004011850B4 (de) 2008-12-04
US8277884B2 (en) 2012-10-02
JP3890025B2 (ja) 2007-03-07
JP2004273845A (ja) 2004-09-30
US20040180141A1 (en) 2004-09-16
US7615117B2 (en) 2009-11-10
US20100034969A1 (en) 2010-02-11

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