DE102004005645A1

DE102004005645A1 - Verfahren zur Herstellung von Schichtaufbauten zur Signalverteilung

Info

Publication number: DE102004005645A1
Application number: DE102004005645A
Authority: DE
Inventors: Octavio Trovarelli; Axel Brintzinger; Wolfgang Leiberg
Original assignee: Infineon Technologies AG
Current assignee: Infineon Technologies AG
Priority date: 2004-02-04
Filing date: 2004-02-04
Publication date: 2005-09-22
Anticipated expiration: 2024-02-05
Also published as: US20050191837A1; US7393782B2; DE102004005645B4

Abstract

Der Erfindung, die ein Verfahren zur Herstellung von Schichtaufbauten zur Signalverteilung betrifft, wobei auf einer Halbleiterscheibe folgende Prozessschritte durchgeführt werden: Aufbringen einer metallischen Keimschicht, Aufbringen einer Photolackschicht, Erzeugung von im Querschnitt trapezförmigen Öffnungen in der Photolackschicht durch eine photolithographische Strukturierung der Photolackschicht, Elektrolytische Erzeugung von Schichtaufbauten zur Signalverteilung in den Öffnungen der Photolackschicht und Entfernen der Photolackschicht, liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur Herstellung von Schichtaufbauten zur Signalverteilung anzugeben, mit dem eine Korrosion oder Oxidation an den Seitenwänden vermieden und damit die Zuverlässigkeit des Schaltkreises erhöht wird. Dies wird dadurch gelöst, dass nach dem Entfernen der ersten Photolackschicht eine zweite Photolackschicht aufgebracht wird, welche aus positiven Photolack besteht und nach dem Aufbringen komplett belichtet wird.

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Schichtaufbauten zur Signalverteilung wobei auf einer Halbleiterscheibe folgende Prozessschritte durchgeführt werden

– Aufbringen einer metallischen Keimschicht
– Aufbringen einer Photolackschicht
– Erzeugung von im Querschnitt trapezförmigen Öffnungen in der Photolackschicht durch eine photolithographische Strukturierung der Photolackschicht
– Elektrolytische Erzeugung von Schichtaufbauten zur Signalverteilung in den Öffnungen der Photolackschicht
– Entfernen der Photolackschicht.

In der heutigen Halbleitertechnik ist es üblich, dass auf der Halbleiterscheibe platzierte Anschlüsse durch Metallbahnen auf andere Anschlüsse umgeleitet werden. Dies ermöglicht oder vereinfacht eine äußere Beschaltung.

Die Metallbahnen werden in einer eigenen Ebene auf die Halbleiterscheibe aufgebracht, und bestehen aus geschichtetem Metall, wobei üblicherweise die Metalle Kupfer, Nickel und Gold, in dieser Reihenfolge, verwendet werden.

Zur Aufbringung der Metallbahnen wird die Halbleiterscheibe mit einer Kupfer-Keimschicht beschichtet. Anschließend wird eine Photolackschicht aufgebracht, welche mittels einem photolithographischen Verfahren strukturiert wird und so eine Photomaske für den darauf folgenden Elektrolyseprozess bil det.

Die entstandenen Öffnungen werden mittels eines Elektrolyseverfahrens nun schichtweise mit Metall befüllt. Nach dem Entfernen der Photolackschicht sowie dem Ätzen der Kupfer-Keimschicht, welche für das Elektrolyseverfahren notwendig ist, bleiben die Schichtaufbauten zur Signalverteilung zurück.

Üblicherweise wird als obere Schicht der Schichtaufbauten ein Edelmetall, wie z.B. Gold, verwendet dadurch sind die Oberflächen der Schichtaufbauten vor Umwelteinflüssen weitestgehend geschützt. An den Seitenflächen jedoch, sind auch die unedlen Metalle des Schichtaufbaus zugänglich.

Dieser Aspekt erweist sich als Problem, da Oxidations- und Korrosionsprozesse Seitenwänden der Schichtaufbauten angreifen, damit verringert sich die Lebensdauer der Schichtaufbauten und somit auch die Zuverlässigkeit des gesamten Schaltkreises.

Der Erfindung liegt deshalb die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur Herstellung von Schichtaufbauten zur Signalverteilung anzugeben, mit dem eine der Korrosion oder Oxidation an den Seitenwänden vermieden, und damit die Zuverlässigkeit des Schaltkreises erhöht.

Gemäß der Erfindung wird die Aufgabe dadurch gelöst, dass nach dem Entfernen der ersten Photolackschicht eine zweite Photolackschicht aufgebracht wird, welche aus positiven Photolack besteht und nach dem Aufbringen komplett belichtet wird.

Produktionsbedingt erhalten die Schichtaufbauten zur Signalverteilung im Querschnitt die Form eines gleichschenklichen Trapezes, wobei sich die längere der parallelen Seiten an der Oberfläche des Schichtaufbaus befindet. Es ergibt sich somit ein Überhang von der Deckschicht zum Boden der Struktur.

Wird die Struktur nun senkrecht von oben belichtet, wie es in dem erfindungsgemäßen Verfahren der Fall ist, so fällt durch den Überhang ein Schatten, so dass die Seiten des Schichtaufbaus zwangsläufig unbelichtet bleiben.

Wird nun ein positiver Photolack verwendet, wie im erfindungsgemäßen Verfahren beschrieben, so werden nur die unbelichteten Stellen aktiviert. Bereiche, die im Schatten der Belichtung liegen, bleiben somit erhalten.

Dieser Effekt hat zur Folge, dass am Ende des erfindungsgemäßen Verfahrens eine Photolackschicht an den Seiten des Schichtaufbaus verbleibt. Folgt der Belichtung und Entwicklung nun ein Temperprozess, so härten die verbliebenen Teile der Photolackschicht vollständig aus.

Diese gehärtete Photolackschicht schützt wirkungsvoll vor Einwirkungen durch schädliche Umwelteinflüsse, und verhindert damit eine Korrosion der in dem Schichtaufbau verwendeten Metalle.

In einer anderen Ausgestaltung des erfindungsgemäßen Verfahrens wir die aufgebrachte Kupfer-Keimschicht vor dem Aufbringen der zweiten Photolackschicht mittels Ätzen entfernt.

Des weiteren ist es für das erfindungsgemäße Verfahren unerheblich, ob für die Herstellung des Schichtaufbaus zur Signalverteilung ein positiver oder negativer Photolack verwendet wird. Damit kann in einer Variante des erfindungsgemäßen Verfahrens positiver und in einer anderen Variante des er findungsgemäßen Verfahrens negativer Photolack verwendet werden, je nachdem wie es sich technologisch als günstig erweist.

Die erfindungsgemäße Aufgabe wird auch dadurch gelöst, dass der bereits zur Herstellung der Schichtaufbauten verwendete positive Photolack ein zweites weiteres Mal belichtet wird. Diese Belichtung geschieht zweckmäßigerweise über die gesamte Halbleiterscheibe und ohne Belichtungsmaske.

Auch hier entsteht durch die günstige Geometrie der Schichtaufbauten ein Schatten seitlich der Schichtaufbauten. Nach dem Entfernen des belichteten Teils des Photolacks verbleibt somit seitlich der Schichtaufbauten eine Schutzschicht welche, nach dem Aushärten durch einen Temperprozess, die schädlichen Einflüsse der Umwelt auf die Metalle unterbindet und die Schichtaufbauten somit vor den Effekten der Korrosion und Oxidation schützt. Hierbei wird erfindungsgemäß die Tatsache ausgenutzt, dass bei einem positiven Photolack die belichteten Teile entfernt werden, wie dies bei den Öffnungen im ersten Belichtungsschritt geschehen ist.

Die Erfindung soll nachfolgend anhand eines Ausführungsbeispiels näher erläutert werden. In den zugehörigen Zeichnungen zeigt:
1 eine strukturierte Photomaske mit einer trapezförmigen Öffnung im Querschnitt (Stand der Technik),
2 die strukturierte Photomaske mit befüllter Öffnung nach einem Elektrolyseprozess (Stand der Technik),
3 einen Schichtaufbau zu Signalverteilung, nach Entfernen der Photolackschicht (Stand der Technik),
4 den Schichtaufbau zur Signalverteilung nach einem erfindungsgemäßen Aufbringen einer zweiten positiven Photolackschicht,
5 den Schichtaufbau zur Signalverteilung bei einem erfindungsgemäßen Belichten in der positiven Photolackschicht,
6 den Schichtaufbau zur Signalverteilung nach dem Entfernen der positiven Photolackschicht,
7 den Schichtaufbau zur Signalverteilung nach dem Ätzen der Kupfer-Keimschicht,
8 eine strukturierte Photomaske aus positivem Photolack mit einer trapezförmigen Öffnung im Querschnitt (Stand der Technik),
9 die strukturierte Photomaske mit befüllter Öffnung nach einem Elektrolyseprozess (Stand der Technik),
10 den Schichtaufbau zur Signalverteilung bei einem erfindungsgemäßen zweiten Belichten in der positiven Photolackschicht,
11 den Schichtaufbau zur Signalverteilung nach dem Entfernen der positiven Photolackschicht,
12 den Schichtaufbau zur Signalverteilung nach dem Ätzen der Kupfer-Keimschicht,
In den Zeichnungen ist der ist der erfindungsgemäße Herstellungsprozess von Schichtaufbauten zur Signalverteilung nach zwei unterschiedlichen Verfahren dargestellt. 1 bis 7 zeigen dabei ein erstes erfindungsgemäßes Verfahren, 8 bis 12 zeigen ein zweites erfindungsgemäßes Verfahren.
Wie in 1 dargestellt wird auf eine Halbleiterscheibe 3 eine Kupfer-Keimschicht 2 aufgebracht. Die Kupfer-Keimschicht 2 wird anschließend durch einen photolithographischen Prozess strukturiert. Die dabei entstandenen Öffnungen 4 haben näherungsweise die Form eines gleichschenkligen Trapezes, wobei die sich längere der parallelen Seiten an der Oberseite der Öffnung 4 befindet.
Über eine an der Kupfer-Keimschicht 2 angelegte Spannung findet nun ein elektrolytisches Verfahren statt, wobei die Öffnungen 4 schichtweise mit Metall befüllt werden. Bei dem Metall der Deckschicht handelt es sich dabei üblicherweise um eine passivierende Edelmetallschicht, beispielsweise aus Gold. Das Ergebnis dieses Prozesses ist in 2 dargestellt. Die unteren Schichten werden aus elektrisch leitfähigem Material, wie Kupfer oder Nickel, gefertigt und sind, wie in 3 dargestellt nach dem Entfernen der Photolackschicht 1, über die Seitenwände des Schichtaufbaus 5 zugänglich. Dies birgt das Problem, dass die frei zugänglichen unedlen Metalle dem Effekt der Korrosion oder Oxidation ausgesetzt sind.
Dieses Problem wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, dass nun erneut eine Photolackschicht 6 aufgebracht wird, welche aus positivem Photolack besteht. Dieser in 4 dargestellte positive Photolack 6 wird, wie in 5 dargestellt, in einem weitern Prozessschritt belichtet. Durch die senkrecht von oben auftreffende Strahlung und der Geometrie des Schichtaufbaus bilden sich nun Schattenbereiche 7, welche nicht belichtet werden. Da es sich bei dem verwendeten Lack um positiven Photolack handelt, werden im anschließenden Strip-Prozess nur dessen belichtete Stellen entfernt. Dadurch verbleiben an den Seitenflä chen des Schichtaufbaus 5 die unbelichteten Teile des Photolackes 8, dargestellt in 6.
Nach einem Tempern der Photolackreste 8 und dem Ätzen der Kupfer-Keimschicht 2 verbleibt dann ein seitlicher Versiegelter Schichtaufbau zur Signalverteilung.
In einem zweiten erfindungsgemäßen Verfahren, wird die Photolackschicht zum Aufbringen der Schichtaufbauten zur Signalverteilung aus positivem Photolack aufgebracht, wie in 8 dargestellt. Nachdem die positive Photolackschicht 6 in einem photolithographischen Verfahren strukturiert wurde, entsteht eine Öffnung 4, welche näherungsweise die Form eines gleichschenkligen Trapezes hat, wobei die sich längere der parallelen Seiten an der Oberseite der Öffnung befindet.
Durch eine an der Kupfer-Keimschicht 2 angelegte Spannung findet nun ein Elektrolyseprozess statt, wobei der Schichtaufbau zur Signalverteilung 5 aufgebracht wird. Als Resultat dieses Prozessschrittes wird ein Schichtaufbau gemäß 9 erzielt, wie es bereits in 2 und 3 beschrieben wurde. Nach dem Aufbringen des Schichtaufbaus 5 wird der verbliebene positive Photolack 6 nun erneut belichtet. Dabei bildet sich durch die trapezförmige Geometrie des Schichtaufbaus ein Schatten 7, dargestellt in 10. Die Photolackbereiche in diesem Bereich werden nicht belichtet und damit bei dem darauf folgenden Strip-Prozess nicht entfernt. Wie in 11 dargestellt, verbleibt somit ein in Photolack 8 eingeschlossener Schichtaufbau 5. Nachdem die belichteten Teile des Photolackes entfernt sind, erfolgt ein Temper-Prozess, wobei die Photolackreste 8 aushärten. Nach einem anschließenden Ätzen der Kupfer-Keimschicht 2 wird ein Endresultat gemäß 12 erzielt, wobei die Seitenflächen des Schichtaufbaus zur Signalverteilung durch den gehärteten Photolack geschützt sind.

1: strukturierte Photolackschicht
2: Kupfer-Keimschicht
3: Halbleiterscheibe
4: Öffnung der Photolackschicht
5: Schichtaufbau zur Signalverteilung
6: Photolackschicht aus positivem Photolack
7: Schattenbereich
8: unbelichteter Teil des Photolackes

Claims

Verfahren zur Herstellung von Schichtaufbauten zur Signalverteilung, wobei auf einer Halbleiterscheibe folgende Prozessschritte durchgeführt werden – Aufbringen einer metallischen Keimschicht – Aufbringen einer Photolackschicht – Erzeugung von im Querschnitt trapezförmigen Öffnungen in der Photolackschicht durch eine photolithographische Strukturierung der Photolackschicht – Elektrolytische Erzeugung von Schichtaufbauten zur Signalverteilung in den Öffnungen der Photolackschicht – Entfernen der Photolackschicht, dadurch gekennzeichnet, dass nach dem Entfernen der ersten Photolackschicht (1) eine zweite Photolackschicht (6) aus positivem Photolack aufgebracht und danach belichtet wird, anschließend werden die belichteten Teile entfernt.
Verfahren nach Patentanspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass vor dem Aufbringen der zweiten Photolackschicht (6) die metallische Keimschicht (2) durch einen Ätzprozess entfernt wird.
Verfahren nach Patentanspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Photolackschicht (1) aus negativem Photolack aufgebracht wird.
Verfahren nach Patentanspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Photolackschicht (1) aus positivem Photolack aufgebracht.
Verfahren zur Herstellung von Schichtaufbauten zur Signalverteilung, wobei auf einer Halbleiterscheibe folgende Prozessschritte durchgeführt werden – Aufbringen einer metallischen Keimschicht – Aufbringen einer Photolackschicht, welche aus positiven Photolack besteht – Erzeugung von im Querschnitt trapezförmigen Öffnungen in der Photolackschicht durch eine photolithographische Strukturierung der Photolackschicht – Elektrolytische Erzeugung von Schichtaufbauten zur Signalverteilung in den Öffnungen der Photolackschicht, dadurch gekennzeichnet, dass die aufgebrachte Photomaske (6) nach dem Elektrolyseverfahren und vor deren Entfernung ein zweites Mal belichtet wird und anschließend die belichteten Teile entfernt werden.
Verfahren nach den Patentansprüchen 1-5, dadurch gekennzeichnet, dass verbleibende Teile (8) der Photolackschicht (6) nach dem Belichten und Entfernen in einem anschließenden Temperprozessschritt ausgehärtet werden.