DE10117486A1 - Verfahren zur Herstelung eines Halbleiterbauelements sowie ein nach dem Verfahren hergestelltes Halbleiterbauelement - Google Patents
Verfahren zur Herstelung eines Halbleiterbauelements sowie ein nach dem Verfahren hergestelltes HalbleiterbauelementInfo
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Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2867178A1 (fr) * | 2004-03-03 | 2005-09-09 | Bosch Gmbh Robert | Composant micromecanique et procede de fabrication de ce composant |
| DE102012200983A1 (de) * | 2011-12-23 | 2013-06-27 | Continental Automotive Gmbh | Sensorelement mit Luftdruckmessung |
| DE102007055779B4 (de) * | 2006-12-22 | 2013-08-14 | Denso Corporation | Halbleitervorrichtung zum Erfassen einer Flussrate von Fluid |
| DE10343792B4 (de) * | 2003-09-22 | 2014-12-18 | Robert Bosch Gmbh | Heissfilmluftmassensensor mit poröser Stützstruktur und Porositätsgradient unter der Sensormembran sowie Herstellungsverfahren |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10064494A1 (de) * | 2000-12-22 | 2002-07-04 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements sowie ein nach dem Verfahren hergestelltes Halbleiterbauelement, wobei das Halbleiterbauelement insbesondere eine bewegliche Masse aufweist |
| DE10144873A1 (de) * | 2001-09-12 | 2003-03-27 | Bosch Gmbh Robert | Mikromechanischer Wärmeleitfähigkeitssensor mit poröser Abdeckung |
| DE10219247A1 (de) * | 2002-04-30 | 2003-12-18 | Bosch Gmbh Robert | Temperatursensor und Verfahren zu dessen Herstellung |
| DE10306129A1 (de) * | 2003-02-14 | 2004-08-26 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines Bauelementes mit einem Halbleiterträger sowie Bauelement |
| DE102004015442A1 (de) * | 2004-03-30 | 2005-10-20 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zum Verschließen von perforierten Membranen |
| DE102005029841B4 (de) * | 2004-07-28 | 2013-09-05 | Robert Bosch Gmbh | Mikromechanischer Drucksensor mit beheiztem Passivierungsmittel und Verfahren zu seiner Steuerung |
| NL1028867C2 (nl) * | 2005-04-26 | 2006-10-27 | Xycarb Ceramics B V | Inrichting voor het ondersteunen van een substraat alsmede een werkwijze voor het vervaardigen van een dergelijke inrichting. |
| TW200807652A (en) * | 2006-04-20 | 2008-02-01 | Koninkl Philips Electronics Nv | Thermal isolation of electronic devices in submount used for LEDs lighting applications |
| KR100942439B1 (ko) * | 2007-12-28 | 2010-02-17 | 전자부품연구원 | 마이크로 가스센서 및 제조방법 |
| US8304785B2 (en) * | 2008-07-29 | 2012-11-06 | Industrial Technology Research Institute | LED structure, manufacturing method thereof and LED module |
| EP2348292A1 (en) * | 2010-01-13 | 2011-07-27 | Sensirion AG | Sensor device |
| US8735286B2 (en) | 2010-10-29 | 2014-05-27 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Deposition-free sealing for micro- and nano-fabrication |
| WO2012126862A1 (de) | 2011-03-18 | 2012-09-27 | Hörmann KG Antriebstechnik | Bauwerkszugangsvorrichtung sowie bauelement hierfür |
| DE102012201304A1 (de) * | 2012-01-31 | 2013-08-01 | Robert Bosch Gmbh | Mikromechanische Feststoffelektrolyt-Sensorvorrichtung und entsprechendes Herstellungsverfahren |
| US9200973B2 (en) * | 2012-06-28 | 2015-12-01 | Intel Corporation | Semiconductor package with air pressure sensor |
| DE102016119031B4 (de) * | 2016-10-07 | 2025-08-14 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Wärmeisoliertes Mikrosystem |
| CN116854027A (zh) * | 2023-06-21 | 2023-10-10 | 北京大学 | 体硅内空腔结构及其制备方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5231878A (en) * | 1991-12-23 | 1993-08-03 | Ford Motor Company | Mass air flow sensor |
| DE19518371C1 (de) * | 1995-05-22 | 1996-10-24 | Forschungszentrum Juelich Gmbh | Verfahren zur Strukturierung porösen Siliciums, sowie eine poröses Silicium enthaltende Struktur |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61170618A (ja) * | 1985-01-24 | 1986-08-01 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 流速検出用半導体センサ |
| DE4331798B4 (de) * | 1993-09-18 | 2004-08-26 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zur Herstellung von mikromechanischen Bauelementen |
| GR1003010B (el) | 1997-05-07 | 1998-11-20 | "����������" | Ολοκληρωμενος αισθητηρας ροης αεριων χρησιμοποιωντας τεχνολογια πορωδους πυριτιου |
| DE19752208A1 (de) | 1997-11-25 | 1999-06-02 | Bosch Gmbh Robert | Thermischer Membransensor und Verfahren zu seiner Herstellung |
| DE10032579B4 (de) * | 2000-07-05 | 2020-07-02 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements sowie ein nach dem Verfahren hergestelltes Halbleiterbauelement |
| DE10046622B4 (de) * | 2000-09-20 | 2010-05-20 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zur Herstellung einer Membransensoreinheit sowie Membransensoreinheit |
| FI112644B (fi) | 2000-11-10 | 2003-12-31 | Vaisala Oyj | Pintamikromekaaninen absoluuttipaineanturi ja menetelmä sen valmistamiseksi |
-
2001
- 2001-04-07 DE DE10117486A patent/DE10117486A1/de not_active Withdrawn
-
2002
- 2002-02-21 WO PCT/DE2002/000608 patent/WO2002081363A2/de not_active Ceased
- 2002-02-21 JP JP2002579360A patent/JP2004524983A/ja active Pending
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- 2002-02-21 EP EP02712794A patent/EP1379463B1/de not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5231878A (en) * | 1991-12-23 | 1993-08-03 | Ford Motor Company | Mass air flow sensor |
| DE19518371C1 (de) * | 1995-05-22 | 1996-10-24 | Forschungszentrum Juelich Gmbh | Verfahren zur Strukturierung porösen Siliciums, sowie eine poröses Silicium enthaltende Struktur |
Non-Patent Citations (5)
| Title |
|---|
| LAMMEL G. et al.: Free-standing, mobile 3D porous silicon microstructures. In: Sensors and Actuators 85(2000), pp. 356-60 * |
| LANG Walter et al.: Porous Silicon Technology for Thermal Sensors. In: Sensors and Materials, Vol. 8, No. 6(1996) pp.327-44 * |
| MIZUSHIMA I. et al.: Empty-space-in-silicon tech- nique for fabricating silicon-on-nothing structure. In: Applied Physics Letters, Vol. 77, No. 20, 13.12.2000, pp. 3290-92 * |
| TABATA, OSAMU et al.: Monolithic Pressure-Flow Sensor. In: IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. ED-34, No. 12, Dec. 1987, pp.2456-62 * |
| TJERKSTRA R.W. et al.: Multi-Walled Microchannels: Free-Standing Porous Silicon Membranen for Use in gammaTAS. In: Journal of Microelecdtromechanical Systems, Vol. 9, No. 4, Dec. 2000, pp. 495-501 * |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10343792B4 (de) * | 2003-09-22 | 2014-12-18 | Robert Bosch Gmbh | Heissfilmluftmassensensor mit poröser Stützstruktur und Porositätsgradient unter der Sensormembran sowie Herstellungsverfahren |
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