DE10115229A1

DE10115229A1 - Oszillator, Verfahren zum Herstellen eines Oszillators und Kommunikationsvorrichtung mit einem Oszillator

Info

Publication number: DE10115229A1
Application number: DE10115229A
Authority: DE
Inventors: Shinji Goma; Masao Uno
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2000-03-28
Filing date: 2001-03-28
Publication date: 2003-04-24
Anticipated expiration: 2021-03-29
Also published as: US20010033203A1; JP3871490B2; DE10115229B4; US6559729B2; JP2001274623A

Abstract

Ein Oszillator, der sowohl eine reduzierte Herstellungszeit als auch reduzierte Kosten besitzt, kann ohne Verschlechterung seiner elektrischen Charakteristika miniaturisiert hergestellt werden. Dazu werden Übertragungsleitungen, die Resonanzschaltungen bilden, auf einer Schaltungsanordnungsplatine vorgesehen. In diesem Zustand wird die Impedanz jeder Übertragungsleitung gemessen. Danach werden gemäß der Übertragungsleitungsimpedanz Chipkomponenten, die Impedanzen aufweisen, die notwendig sind, um eine vorbestimmte Frequenz zu erhalten, ausgewählt und auf dem Schaltungssubstrat befestigt. Mit dieser Anordnung kann ohne das Trimmen der Übertragungsleitungen ein Oszillator hergestellt werden, der bei der vorbestimmten Schwingfrequenz schwingt. Somit ist keine Zeit zum Durchführen von Frequenzeinstellungen und keine Trimmvorrichtung erforderlich. Daher tritt keine Verschlechterung der elektrischen Charakteristika aufgrund eines Lasertrimmens auf. Zusätzlich ist es nicht notwendig, im voraus Elektrodenflächen zum Durchführen von Frequenzeinstellungen vorzusehen. Folglich kann der gesamte Oszillator miniaturisiert werden.

Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf Oszillatoren, Verfahren zum Herstellen von Oszillatoren und Kommunikationsvorrichtungen, die Oszillatoren beinhalten.
Herkömmlicherweise umfaßt ein Oszillator, der für eine Hochfrequenzschaltung, wie z. B. eine Mikrowellenbandfrequenzschaltung verwendet wird, eine Resonanzschaltung, die aus Übertragungsleitungen, beispielsweise Mikrostreifenleitungen, und Chipkomponenten, wie z. B. Kapazitätselementen, die auf einem Schaltungssubstrat angeordnet sind, besteht, und einen Verstärker, der ein Resonanzsignal, das von der Resonanzschaltung ausgegeben wird, verstärkt.
Bei jedem solchen herkömmlichen Oszillator, der durch das Häusen von Oszillationsschaltungen, die aus Komponenten, die auf gedruckten Schaltungssubstraten angebracht sind, bestehen, gebildet wird, wären zunächst Elektrodenstrukturen in Oszillationsschaltungs-Bildungsabschnitten auf einer gedruckten Schaltungsplatinenanordnung, die verwendet wird, um eine Mehrzahl von Oszillatoren zu bilden, gebildet. Danach werden Chipkomponenten auf den Elektrodenstrukturen befestigt, wobei Verbindungen durch Aufschmelzlöten (Reflow-Löten) hergestellt werden. Danach wird die gedruckte Schaltungsanordnungsplatine in Oszillationsschaltungs- Bildungsabschnitte unterteilt, um Oszillations-Frequenz- Einstellungen für die Abschnitte durchzuführen. Schließlich wird eine Metallabdeckung an der Anordnungsplatine angebracht, um eine Produkt fertigzustellen.
Bei den herkömmlichen Oszillatoren, bei denen die Resonanzschaltungen Übertragungsleitungen, wie z. B. Mikrostreifenleitungen, die auf der gedruckten Schaltungsanordnungsplatine gebildet sind, aufweisen, existieren jedoch Schwankungen hinsichtlich der Impedanz zwischen den Übertragungsleitungen, spezieller Schwankungen hinsichtlich der Induktivität zwischen denselben. Überdies existieren Schwankungen hinsichtlich der Impedanz zwischen den Chipkomponenten, wie z. B. den Chipkondensatoren, die zusammen mit den Übertragungsleitungen die Resonanzschaltung bilden. Folglich variieren die Oszillationsfrequenzen bzw. Schwingfrequenzen der Oszillatoren dahingehend, daß sie höher oder tiefer als ein konzipierter Wert sind. Somit ist ein Trimmen von jeder der Übertragungsleitungen, die auf der Schaltungsanordnungsplatine angeordnet sind, erforderlich, um Einstellungen durchzuführen, um eine vorbestimmte Schwingfrequenz zu erhalten. Schließlich bewirkt ein solches Verfahren die folgenden Probleme.
Da eine Zeit zur Frequenzeinstellungszeit benötigt wird, ist die Herstellungszeit verlängert, wodurch erhöhte Kosten entstehen. Darüber hinaus wird für ein Lasertrimmen eine aufwendige Lasertrimmvorrichtung benötigt. Da das zeitverbrauchende Lasertrimmen die Übertragungsleitungen karbonisiert, ist ferner eine geringere Güte Q der Resonatoren die Folge, wodurch die Charakteristika der Oszillatoren schlechter werden, beispielsweise die C/N-Verhältnis- Charakteristika (C/N = carbon/nitrogen).
Da überdies Elektrodenflächen, die zum Trimmen verwendet werden, erforderlich sind, kann der gesamte Oszillator nicht miniaturisiert werden.
Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein Verfahren zum Herstellen eines miniaturisierten Oszillators und einen miniaturisierten Oszillator zu schaffen, der trotz eines verringerten Herstellungsaufwands keine verschlechterten elektrischen Charakteristika aufweist.
Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren zum Herstellen eines Oszillators nach Anspruch 1 und einen Oszillator nach Anspruch 4 gelöst.
Gemäß einem ersten Aspekt schafft die vorliegende Erfindung ein Verfahren zum Herstellen eines Oszillators, der eine Resonanzschaltung, die eine Übertragungsleitung, die auf einem Schaltungssubstrat gebildet ist, und Chipkomponenten, die auf dem Schaltungssubstrat befestigt sind, umfasst, und eine Verstärkungsschaltung aufweist, die ein Resonanzsignal der Resonanzschaltung verstärkt. Das Verfahren zum Herstellen eines Oszillators umfaßt die Schritte des Messens der Impedanz der Übertragungsleitung der Resonanzschaltung in einem Zustand, in dem die Übertragungsleitung auf dem Schaltungssubstrat angeordnet ist, des Aussortierens der Impedanzen von Chipkomponenten, die für einen Einbau in die Resonanzschaltung vorgesehen sind, des Auswählens von Chipkomponenten, die Impedanzen aufweisen, die erforderlich sind, um eine vorbestimmte Schwingfrequenz von den Chipkomponenten zu erhalten, gemäß der Übertragungsleitungimpedanz, um dieselben auf dem Schaltungssubstrat zu befestigen, und Befestigen der Chipkomponenten auf dem Schaltungssubstrat.
Wie oben dargelegt ist, werden gemäß der Impedanz der Übertragungsleitung, die auf dem Schaltungssubstrat gebildet ist, die Chipkomponenten, die Impedanzen aufweisen, die erforderlich sind, um die vorbestimmte Oszillationsfrequenz zu erhalten, ausgewählt und auf dem Schaltungssubstrat befestigt. Bei dieser Vorgehensweise kann ohne ein Trimmen der Übertragungsleitung ein Oszillator erhalten werden, der bei der vorbestimmten Schwingfrequenz schwingt. Folglich ist keine Frequenzeinstellungszeit erforderlich und es ist nicht notwendig, eine Trimmvorrichtung zu verwenden, weshalb keine Verschlechterung der elektrischen Charakteristika aufgrund eines Lasertrimmens und dergleichen bewirkt wird. Darüber hinaus kann der gesamte Oszillator miniaturisiert werden, da es nicht notwendig ist, im voraus eine Elektrodenfläche zum Durchführen von Frequenzeinstellungen anzuordnen.
Ferner kann bei dem oben beschriebenen Oszillatorherstellungsverfahren das Schaltungssubstrat eine Schaltungsanordnungsplatine sein, auf der eine Mehrzahl von Oszillatorbildungsabschnitten vorgesehen ist, wobei in diesem Zustand ein Messen der Impedanz jeder Übertragungsleitung und das Befestigen der Chipkomponenten durchgeführt werden kann. Auf diese Weise werden im Zustand der Schaltungsanordnungsplatine bzw. der Schaltungssammelplatine die Chipkomponenten, die z. B. Chipkondensatoren, einzeln ausgewählt und gemäß den Impedanzen der Übertragungsleitungen, die in den Abschnitten, in denen die Oszillationsschaltungen gebildet werden, angeordnet sind, befestigt. Da es somit nicht notwendig ist, die Impedanzen der Übertragungsleitungen als einzelne Komponenten zu messen, können die Übertragungsleitungsimpedanzen einfach gemessen werden.
Gemäß einem zweiten Aspekt schafft die vorliegende Erfindung einen Oszillator, der eine Resonanzschaltung, die eine Übertragungsleitung, die auf einem Schaltungssubstrat gebildet ist, und Chipkomponenten, die auf dem Schaltungssubstrat befestigt sind, umfasst, eine Verstärkungsschaltung, die mit der Resonanzschaltung verbunden ist, um ein Resonanzsignal, das von der Resonanzschaltung ausgegeben wird, zu verstärken, und eine Elektrodenfläche aufweist, die auf dem Schaltungssubstrat gebildet ist, um mit der Übertragungsleitung elektrisch verbunden zu sein, und die verwendet ist, um mit der Sonde einer Meßvorrichtung, die die Impedanz der Übertragungsleitung mißt, in Kontakt gebracht zu werden. Bei der Verwendung des Schaltungssubstrats, das den Oszillator aufweist, kann die Übertragungsleitungsimpedanz einfach gemessen werden. Da die Position der Elektrodenfläche auf dem Schaltungssubstrat festgelegt ist, kann die Messung der Übertragungsleitungsimpedanz automatisiert werden.
Gemäß einem dritten Aspekt schafft die vorliegende Erfindung eine Kommunikationsvorrichtung, die den Oszillator mit der obigen Struktur beinhaltet. Beispielsweise kann die Kommunikationsvorrichtung durch die Verwendung des Oszillators als eine Lokaloszillatorschaltung gebildet sein. Bei dieser Anordnung kann eine kompakte und preisgünstige Kommunikationsvorrichtung erhalten werden.
Bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung werden nachfolgend bezugnehmend auf die beiliegenden Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 ein Schaltungsdiagramm eines spannungsgesteuerten Oszillators gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung;
Fig. 2A bis 2C eine Draufsicht zur Veranschaulichung einer Schaltungsanordnungsplatine, die die spannungsgesteuerten Oszillatoren, die auf derselben gebildet sind, umfaßt, und vergrößerte Ansichten zum Veranschaulichen eines Oszillationsschaltungsabschnitts; und
Fig. 3 ein Blockdiagramm einer Kommunikationsvorrichtung, die den spannungsgesteuerten Oszillator beinhaltet.
Die Struktur eines spannungsgesteuerten Oszillators gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel wird bezugnehmend auf die Fig. 1 und 2A bis 2C näher erläutert.
In Fig. 1 bezeichnet das Bezugszeichen 1 eine Resonanzschaltung. Die Resonanzschaltung 1 umfaßt Mikrostreifenleitungen L1 und L2, Chipkondensatoren C1, C2 und C3, eine Varaktordiode VD und einen Bypasskondensator Cp.
Das Bezugszeichen Q1 bezeichnet einen Oszillationstransistor. Der Kollektor des Oszillationstransistors Q1 ist bei hohen Frequenzen bzw. hochfrequenzmäßig durch den Bypasskondensator Cp geerdet. Ein Widerstand R4 und ein Kondensator C4 sind zwischen dem Emitter des Oszillationstransistors Q1 und Masse angeordnet. Zusätzlich ist ein Kondensator C5 zwischen den Emitter des Oszillationstransistors Q1 und die Basis desselben geschaltet. Da der Kollektor des Oszillationstransistors Q1 bei hohen Frequenzen über den Bypasskondensator Cp geerdet ist, ist schließlich die Resonanzschaltung 1 äquivalent zwischen den Kollektor des Oszillationstransistors Q1 und die Basis desselben geschaltet. Mit dieser Anordnung ist eine Oszillationsschaltung vom modifizierten Colpitts-Typ gebildet.
Ein Transistor Q2 ist ein Puffertransistor. Widerstände R1, R2 und R3 bilden eine Basis-Vorspannungsschaltung der Transistoren Q1 und Q2. Eine Leistungsversorgungsspannung wird über eine Mikrostreifenleitung L3 an den Kollektor des Transistors Q2 angelegt. Zusätzlich ist eine Mikrostreifenleitung L4 zwischen den Emitter des Transistors Q2 und den Kollektor des Transistors Q1 geschaltet. Ein Signal von dem Emitter des Transistors Q1 wird über einen Kondensator C6 in die Basis des Transistors Q2 eingegeben. Dann wird ein Oszillationssignal von dem Kollektor des Transistors Q2 über einen Kondensator C7 ausgegeben.
Da sich die Kapazität der Varaktordiode VD mit einer Steuerspannung, die von einem Steuerspannungsanschluß angelegt wird, ändert, wird die Resonanzfrequenz der Resonanzschaltung 1, d. h. die Schwingfrequenz des Oszillators, durch die Steuerspannung gesteuert. Der Änderungsbereich der Schwingfrequenz bezüglich der Steuerspannung ist durch die Kapazitätsänderungscharakteristika der Varaktordiode VD bezüglich der Änderungen der angelegten Spannung und die Werte von L1, C1, C2 und C3 bestimmt. Wie nachfolgend beschrieben wird, wird, bevor die Kondensatoren C1, C2 und C3, die Varaktordiode VD und dergleichen auf dem Schaltungssubstrat befestigt werden, die Impedanz der Mikrostreifenleitung L1, und speziell die Induktivität derselben, gemessen. Gemäß dem gemessenen Impedanzwert, werden selektiv die Chipkondensatoren C1, C2 und C3 und die Varaktordiode VD mit Kapazitäten, die notwendig sind, um bei der vorbestimmten Resonanzfrequenz in Resonanz zu treten, befestigt.
Jede der Fig. 2A, 2B und 2C zeigt eine Draufsicht des Schaltungssubstrats einschließlich des spannungsgesteuerten Oszillators, der auf demselben gebildet ist. Fig. 2A zeigt eine Draufsicht einer gedruckten Schaltungsanordnungsplatine (Wafer), bevor Chipkomponenten befestigt werden. Jeder Abschnitt, der in Fig. 2A gezeigt ist, ist ein Oszillationsschaltungs-Bildungsabschnitt, aus dem schließlich ein Oszillator gebildet wird.
Fig. 2B zeigt eine vergrößerte Ansicht von einem der Oszillationsschaltungsabschnitte. In dieser Figur ist nur eine Resonanzschaltung gezeigt. Die Bezugszeichen P1 bis P4 bezeichnen Elektrodenflächen zum Befestigen der Chipkondensatoren C1, C2 und C3, während das Bezugszeichen P7 ein Durchgangsloch bezeichnet, das elektrisch mit einer Masseelektrode verbunden ist. Die Mikrostreifenleitung L1 ist zwischen dem Durchgangsloch P7 und der Elektrodenfläche P1 gebildet. Zusätzlich bezeichnen die Bezugszeichen P5 und P6 Masseelektroden. Die Elektrodenfläche P3 ist mit der Oszillationsschaltung verbunden, während die Elektrodenfläche P4 mit der Varaktordiode VD verbunden ist. Wie in Fig. 2B gezeigt ist, wird, bevor Chipkomponenten befestigt werden, die Sonde einer Meßvorrichtung mit jeder der Elektrodenflächen P1 und P6 in Kontakt gebracht, um die Impedanz der Mikrostreifenleitung L1 zu messen.
Gemäß Fig. 2C sind gemäß der Impedanz der Leitung L1 die Chipkondensatoren C1, C2 und C3 mit Kapazitäten, die erforderlich sind, um die vorbestimmte Schwingfrequenz zu erhalten, ausgewählt und auf den Elektrodenflächen befestigt.
Allgemein kann die Resonanzfrequenz einer LC- Resonanzschaltung durch folgenden Ausdruck erhalten werden: 1/{2π√(LC)}. Ein Ausdruck zum Erhalten der Oszillationsfrequenz eines spannungsgesteuerten Oszillators ist tatsächlich komplizierter, da die Werte einer Mehrzahl von Komponenten die Schwingfrequenz beeinflussen. Jedoch kann die Schwingfrequenz grundsätzlich näherungsweise nach der obigen Gleichung berechnet werden. Folglich kann die Schwingfrequenz durch das Steuern der Induktivitätskomponente und der Kapazitätskomponente der Resonanzschaltung gesteuert werden.
Als nächstes wird das detaillierte Beispiel eines spannungsgesteuerten Oszillators für das 900 MHz-Band gezeigt.
Zunächst wird in dem Zustand der gedruckten Schaltungsanordnungsplatine, der in Fig. 2A gezeigt ist, die Impedanz einer Mikrostreifenleitung jedes Abschnitts durch die Verwendung eines Netzwerkanalysators oder eines Impedanzanalysators gemessen. Die Impedanzwerte werden als Daten gespeichert, zusätzlich zu der Kontrollnummer der gedruckten Schaltungsanordnungsplatine und der Nummern, die den Positionen der Abschnitte, die auf der gedruckten Schaltungsanordnungsplatine gebildet sind, entsprechen. Die Impedanzwerte der Mikrostreifenleitungen tendieren gemäß den Charakteristika eines Verfahrens zum Herstellen eines gedruckten Schaltungssubstrats dazu, zwischen benachbarten Abschnitten näherungsweise gleich zu sein. Folglich kann statt des einzelnen Erhaltens eines Impedanzwerts für jeden Abschnitt ein repräsentativer Wert des Blocks, der durch Gruppieren der Mehrzahl von Abschnitten erhalten wird, zur Speicherung als Daten erhalten werden.
Zusätzlich zu der Impedanzmessung der Mikrostreifenleitungen wird die Kapazität jedes Chipkondensators, der auf dem Schaltungssubstrat befestigt werden soll, im voraus gemessen, um durch das Einstellen bestimmter Kapazitätsspezifikationen unterteilt und ausgewählt zu werden.
Um die Schwingfrequenz des spannungsgesteuerten Oszillators in einen gewünschten Zielfrequenzbereich einzustellen, werden die Impedanzen der Mikrostreifenleitungen und der Kapazitäten der Chipkondensatoren in geeigneter Weise kombiniert. Diese Kombinationen werden basierend auf experimentellen Daten und Simulationsergebnissen in einer Entwurfsphase bestimmt. Basierend auf den obigen Daten werden Chipkondensatoren mit Kapazitäten, die gemäß der Impedanz der Mikrostreifenleitungen der Abschnitte ausgewählt werden, befestigt. Da bei dieser Anordnung die Schwingfrequenz des spannungsgesteuerten Oszillators in den Zielbereich fällt, sind keine nachfolgenden Frequenzeinstellungen erforderlich.
Beispielsweise werden Kondensatoren C1 mit Kapazitäten von 3,25 bis 3,30 pF, Kondensatoren C2 mit Kapazitäten von 2,15 bis 2,20 pF und Kondensatoren C3 mit Kapazitäten von 2,65 bis 2,70 pF ausgewählt und auf 20 Schaltungssubstratteilen befestigt, deren Mikrostreifenleitungen gemessene Induktivitätswerte von 3,8 bis 3,9 nH aufweisen. Bei dieser Vorgehensweise fiel die Schwingfrequenz in einen Bereich von 914 bis 926 MHz. Mit anderen Worten heißt das, daß, wenn die gemessenen Induktivitätswerte der Mikrostreifenleitungen in dem Bereich von 3,8 bis 3,9 nH fallen, die Oszillationsfrequenz in dem Bereich von 914 bis 926 MHz eingestellt werden kann, indem selektiv Chipkondensatoren befestigt werden, die durch Kapazitätsspezifikationen klassifiziert sind, die die Kapazitäten von 3,25 bis 3,30 pF für die Kondensatoren C1, die Kapazitäten von 2,15 bis 2,20 pF für die Kondensatoren C2 und die Kapazitäten 2,65 bis 2,79 pF für die Kondensatoren C3 umfassen.
Wenn die Kapazitätsspezifikationen der Kondensatoren und der Bereich der Induktivität der Mikrostreifenleitung in kleinere Segmente weiter unterteilt werden, kann die gewünschte Schwingfrequenz in einen schmaleren Bereich eingestellt werden.
Wie es oben erwähnt wurde, ist es nicht notwendig, Frequenzeinstellungen durchzuführen. Somit können spezieller die folgenden Vorteile erhalten werden.
Die Reduzierung um 8 Yen wird wie folgt spezifiziert:
Lasertrimmvorrichtung: 30 Millionen Yen
Ein Satz von Kondensatorkapazitätsauswahlvorrichtungen: 22 Millionen Yen
Unterschied: 8 Millionen Yen.
Der Satz von Kondensatorkapazitätsauswahlvorrichtungen umfaßt eine Impedanzmeßvorrichtung zum Messen der Impedanzen der Streifenleitungen.
Wenn angenommen wird, daß in diesem Fall eine Gesamtzahl von 1 Million Produkte hergestellt werden, ist eine Reduzierung von 8 Yen die Folge (8 Millionen Yen/1 Million Stücke).
Als nächstes wird auf Fig. 3 eingegangen, die ein Blockdiagramm des strukturellen Beispiels einer Kommunikationsvorrichtung gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel der Erfindung zeigt. In Fig. 3 bezeichnet das Bezugszeichen VCO den obigen spannungsgesteuerten Oszillator. Das Bezugszeichen PLL-IC bezeichnet eine PLL-Steuerschaltung, in die ein Ausgangssignal von dem VCO eingegeben wird. Die PLL-IC führt einen Phasenvergleich zwischen dem Eingangssignal und dem Oszillationssignal eines Temperatur-kompensierten Kristalloszillators TCXO durch und gibt ein Steuersignal aus, um eine vorbestimmte Frequenz und eine vorbestimmte Phase zu erhalten. Der VCO empfängt an seinem Steueranschluß über ein Tiefpaßfilter LPF eine Steuerspannung und schwingt bei einer Frequenz entsprechend der Steuerspannung. Das Schwingungsausgangssignal wird als Lokaloszillatorsignal zu Mischerschaltungen MIXa und MIXb übertragen. Die Mischerschaltung MIXa mischt ein Zwischenfrequenzsignal, das von einer Sendeschaltung Tx ausgegeben wird, und das Lokaloszillatorsignal, um dieselben in ein Sendefrequenzsignal umzuwandeln. Dieses Signal wird durch eine Verstärkungsschaltung AMPa verstärkt und von einer Antenne ANT über einen Duplexer DPX ausgegeben. Ein Signal, das von der Antenne ANT empfangen wird, wird durch eine Verstärkungsschaltung AMPb über den Duplexer DPX verstärkt. Die Mischerschaltung MIXb mischt das Signal, das von der Verstärkungsschaltung AMPb ausgegeben wird, und das Lokaloszillatorsignal, um dasselbe in ein Zwischenfrequenzsignal umzuwandeln. Eine Empfangsschaltung Rx führt die Signalverarbeitung des Zwischenfrequenzsignals durch, um das empfangene Signal zu erhalten.
Da der spannungsgesteuerte Oszillator VCO, der bei der Kommunikationsvorrichtung verwendet wird, ein hohes C/N- Verhältnis aufweist, kann die Vorrichtung hinsichtlich wesentlichen Verhaltensmerkmale gute Charakteristika aufweisen, beispielsweise Nachbarkanal-Auswahlcharakteristika, Wechselmodulations-Verzerrungscharakteristika und Charakteristika hinsichtlich unnötiger Strahlung. Zusätzlich kann die Kommunikationsvorrichtung miniaturisiert sein und mit geringen Kosten hergestellt werden.
Wie oben beschrieben wurde, kann gemäß der vorliegenden Erfindung, ohne Übertragungsleitungen zu trimmen, ein Oszillator, der bei einer vorbestimmten Frequenz schwingt, hergestellt werden. Da somit Frequenzeinstellungen einfach durchgeführt werden können und keine Trimmvorrichtung erforderlich ist, kann eine Kostenreduzierung erhalten werden. Da darüber hinaus keine Verschlechterung der elektrischen Charakteristika aufgrund eines Lasertrimmens stattfindet, kann ein hohes C/N-Verhältnis erhalten werden. Da es zusätzlich nicht notwendig ist, im voraus Elektrodenflächen zum Durchführen von Frequenzeinstellungen anzuordnen, kann die gesamte Struktur des Oszillators miniaturisiert werden.
Da eine Übertragungsleitungs-Impedanzmessung nicht für eine einzelne Komponente erforderlich ist, kann eine Impedanzmessung sehr effizient durchgeführt werden.
Da die Impedanz von jeder der Übertragungsleitungen, die auf dem gedruckten Schaltungssubstrat angeordnet sind, um Oszillatoren zu bilden, ohne weiteres gemessen werden kann, und die Position jeder Elektrodenfläche auf dem Schaltungssubstrat festgelegt ist, kann die Übertragungsleitungs- Impedanzmessung automatisiert werden.
Wenn beispielsweise der Oszillator mit der obigen Struktur als eine Lokaloszillatorschaltung verwendet wird, kann darüber hinaus die Kommunikationsvorrichtung kompakt ausgebildet sein und mit geringen Kosten hergestellt werden.

Claims

1. Verfahren zum Herstellen eines Oszillators, der eine Resonanzschaltung, die eine Übertragungsleitung (L1), die auf einem Schaltungssubstrat gebildet ist, und Chipkomponenten (C1, C2, C3), die auf dem Schaltungssubstrat befestigt sind, umfasst, und eine Verstärkungsschaltung, die ein Resonanzsignal der Resonanzschaltung verstärkt, aufweist, wobei das Verfahren folgende Schritte aufweist:
Messen der Impedanz der Übertragungsleitung (L1) der Resonanzschaltung in einem Zustand, in dem die Übertragungsleitung (L1) auf dem Schaltungssubstrat angeordnet ist;
Auswählen von Chipkomponenten (C1, C2, C3), die Impedanzen aufweisen, die erforderlich sind, um eine vorbestimmte Oszillationsfrequenz zu erhalten, für eine Befestigung auf dem Schaltungssubstrat gemäß der Übertragungsleitungsimpedanz; und
Befestigen der Chipkomponenten (C1, C2, C3) auf dem Schaltungssubstrat.

2. Verfahren zum Herstellen eines Oszillators gemäß Anspruch 1, das ferner einen Schritt des Aussortierens der Impedanzen der Chipkomponenten (C1, C2, C3), die für einen Einbau in die Resonanzschaltung vorgesehen werden, aufweist.

3. Verfahren zum Herstellen eines Oszillators gemäß Anspruch 1 oder 2, bei dem das Schaltungssubstrat eine Schaltungsanordnungsplatine ist, auf der eine Mehrzahl von Oszillatorbildungsabschnitten vorgesehen ist, wobei in diesem Zustand die Schritte des Messens der Impedanz jeder Übertragungsleitung und des Befestigens der Chipkomponenten durchgeführt werden.

4. Oszillator mit folgenden Merkmalen:
einer Resonanzschaltung, die eine Übertragungsleitung (L1), die auf einem Schaltungssubstrat gebildet ist, und Chipkomponenten (C1, C2, C3), die auf dem Schaltungssubstrat befestigt sind, aufweist;
einer Verstärkungsschaltung, die mit der Resonanzschaltung verbunden ist, um ein Resonanzsignal, das von der Resonanzschaltung ausgegeben wird, zu verstärken; und
einer Elektrodenfläche, die auf dem Schaltungssubstrat gebildet ist, um mit der Übertragungsleitung (L1) elektrisch verbunden zu sein und um verwendet zu werden, um mit der Sonde einer Messvorrichtung, die die Impedanz der Übertragungsleitung (L1) mißt, in Kontakt gebracht zu werden.

5. Kommunikationsvorrichtung, die den Oszillator gemäß Anspruch 4 beinhaltet.