DE10056882A1 - Verfahren zum Kalibrieren eines Testsystems für Halbleiterbauelemente und Testsubstrat - Google Patents
Verfahren zum Kalibrieren eines Testsystems für Halbleiterbauelemente und TestsubstratInfo
- Publication number
- DE10056882A1 DE10056882A1 DE10056882A DE10056882A DE10056882A1 DE 10056882 A1 DE10056882 A1 DE 10056882A1 DE 10056882 A DE10056882 A DE 10056882A DE 10056882 A DE10056882 A DE 10056882A DE 10056882 A1 DE10056882 A1 DE 10056882A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- needle
- connection contact
- contact surfaces
- test
- test substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/12—Testing dielectric strength or breakdown voltage ; Testing or monitoring effectiveness or level of insulation, e.g. of a cable or of an apparatus, for example using partial discharge measurements; Electrostatic testing
- G01R31/14—Circuits therefor, e.g. for generating test voltages, sensing circuits
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
Zum Kalibrieren eines Testsystems für Halbleiterbauelemente wird ein Testsubstrat (1) verwendet, das paarweise einander zugeordnete Anschlusskontaktflächen (21, 22, 23, 24, 31, 32, 33, 34) aufweist, die paarweise in unterschiedlichen Abständen zueinander angeordnet und mit Leiterbahnen (10, 20, 30, 40) etwa gleicher Länge verbunden sind. Dadurch wird eine Angleichung aller Signalwege erreicht. Auf die Anschlusskontaktflächen eines Paares werden jeweils eine Nadel einer Nadelkarte bzw. eine Referenznadel aufgesetzt, so dass das Testsystem bis zu einem jeweiligen Anschlusskontakt eines Bauelements kalibriert werden kann.
Description
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Kali
brieren eines Testsystems, bei dem zu testende Halbleiterbau
elemente mittels einer Nadelkarte kontaktiert werden.
Neue Generationen von Halbleiterspeichern arbeiten bei Takt
frequenzen von weit über 200 MHz. Die Ausbeute funktionsfähi
ger Bauelemente lässt sich erhöhen, und die Kosten für das
Einbauen der Chips in ihr Gehäuse und den anschließenden Test
der Komponenten lassen sich einsparen, wenn die erforderli
chen Testprozeduren auf der Wafer-Ebene durchgeführt werden
können.
Die Verbindung zwischen dem Testsystem und dem Bauelement
wird durch eine Nadelkarte hergestellt. Bisher werden die
Testsysteme nur ohne Nadelkarte kalibriert. Beeinträchtigun
gen des Signals und Laufzeitfehler in der Nadelkarte können
daher nicht berücksichtigt werden. Um bei dem Test die zeit
kritischen Parameter angemessen berücksichtigen zu können,
muss bei der Kalibrierung der gesamte Signalweg bis zum Kon
taktpunkt mit dem zu testenden Bauelement einbezogen werden.
Ein Test von Bauelementen, die für hohe Taktfrequenzen vorge
sehen sind, ist andernfalls nur unzureichend durchführbar.
Um eine ausreichende Kalibrierung des Testsystems durchführen
zu können, ist daher die Kontaktierung jeweils einer Nadel
der Nadelkarte mit einer Referenznadel als Bezugspunkt erfor
derlich. Diese Referenznadel kann ein von der Nadelkarte un
abhängiger elektrischer Anschluss sein oder auch eine der Na
deln der Nadelkarte selbst, die als Referenznadel ausgewählt
wird. In Anbetracht der Vielzahl zu kontaktierender Nadeln
erfordert das Kalibrierungsverfahren eine automatische Kon
taktierung.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, anzugeben, wie ein
Testsystem, das zum Testen von Halbleiterbauelementen auf Wa
fer-Ebene verwendet wird und bei dem ein zu testendes Bauele
ment mittels einer Nadelkarte kontaktiert wird, so kalibriert
werden kann, dass die Nadelkarte in die Kalibrierung mit ein
bezogen wird.
Diese Aufgabe wird mit dem Verfahren mit den Merkmalen des
Anspruchs 1 gelöst. Das Verfahren ist ausführbar unter Ver
wendung eines Testsubstrates mit den Merkmalen des Anspruchs
5. Ausgestaltungen ergeben sich aus den abhängigen Ansprü
chen.
Zum Kalibrieren eines Testsystems für Halbleiterbauelemente
wird ein Testsubstrat verwendet, das paarweise einander zuge
ordnete Anschlusskontaktflächen aufweist, die entsprechend
dieser paarweisen Zuordnung in unterschiedlichen Abständen
zueinander angeordnet und mit Leiterbahnen etwa gleicher Län
ge verbunden sind. Auf die Anschlusskontaktflächen eines Paa
res werden jeweils eine Nadel einer Nadelkarte bzw. eine Re
ferenznadel aufgesetzt, so dass ein Anschluss kalibriert wer
den kann. Auf diese Weise werden die von Paar zu Paar unter
schiedlich zueinander positionierten Anschlusskontaktflächen
mit einer jeweiligen Nadel der Nadelkarte und der Referenzna
del kontaktiert, so dass alle Nadeln der Nadelkarte in die
Kalibrierung mittels des durch die Referenznadel gegebenen
Bezugspunktes einbezogen werden können. Dadurch, dass die
Leiterbahnen, die die beiden Anschlusskontaktflächen jedes
Paares miteinander verbinden, etwa dieselbe Länge besitzen,
wird eine Angleichung aller Signalwege erreicht.
Es folgt eine genauere Beschreibung eines Beispiels des er
findungsgemäßen Verfahrens und eines Beispiels eines dafür
verwendbaren Testsubstrates anhand der Fig. 1 und 2.
Die Fig. 1 zeigt eine bei dem erfindungsgemäßen Verfahren
verwendete Anordnung in einem schematisierten Querschnitt.
Die Fig. 2 zeigt ein erfindungsgemäßes Testsubstrat in Auf
sicht.
Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren wird ein Testsubstrat 1
entsprechend Fig. 1 verwendet, das z. B. eine Siliziumschei
be sein kann. Auf dem Testsubstrat sind Anschlusskontaktflä
chen (pads) 21, 22, 23, 24 und weitere Anschlusskontaktflä
chen 31, 32, 33, 34 angebracht, die paarweise einander zuge
ordnet und mit einer jeweiligen Leiterbahn 10, 20, 30, 40
elektrisch leitend miteinander verbunden sind. Die Paare ein
ander zugeordneter Anschlusskontaktflächen müssen nicht not
wendig disjunkt sein, d. h. je nach Anwendung des Verfahrens
können insbesondere mehrere Anschlusskontaktflächen über eine
jeweilige Leiterbahn mit derselben weiteren Anschlusskontakt
fläche verbunden sein. Auf die Anschlusskontaktflächen 21,
22, 23, 24 wird jeweils eine Nadel 5 einer Nadelkarte 6 auf
gesetzt, die mit einer elektrischen Anschlusszuleitung 7 zu
dem Testsystem versehen ist. Auf die weitere Anschlusskon
taktfläche 31, 32, 33, 34, die der jeweiligen Anschlusskon
taktfläche zugeordnet ist, wird die Referenznadel 4 einer
ebenfalls über eine Anschlusszuleitung 7 mit dem Testsystem
verbundenen Vorrichtung aufgesetzt. Das Kontaktieren der An
schlusskontaktflächen mit den Nadeln kann automatisiert,
z. B. mittels eines Roboters, erfolgen.
Fig. 2 zeigt ein in diesem Beispiel scheibenförmiges Test
substrat 1 in Aufsicht. Es ist anhand dieser stark verein
fachten und schematisierten Darstellung erkennbar, dass die
Anschlusskontaktflächen 21, 22, 23, 24 paarweise mit zugeord
neten Anschlusskontaktflächen 31, 32, 33, 34 mittels einer
jeweiligen Leiterbahn 10, 20, 30, 40 elektrisch leitend ver
bunden sind. Die paarweise einander zugeordneten Anschluss
kontaktflächen sind in unterschiedlichen Abständen zueinander
angeordnet. Die zur Kontaktierung mit einer Referenznadel
vorgesehenen weiteren Anschlusskontaktflächen 31, 32, 33, 34
sind hier auf einer Geraden angeordnet. Das ermöglicht es,
diese weiteren Anschlusskontaktflächen nacheinander mit der
selben Referenznadel zu kontaktieren, indem das Testsubstrat
1 unter den Nadeln von links nach rechts oder von rechts nach
links entsprechend der Ausrichtung der Fig. 2 verschoben
wird.
Der unterschiedliche Abstand der Anschlusskontaktflächen der
einzelnen Paare trägt dem Umstand Rechnung, dass die Nadeln
der zu kalibrierenden Nadelkarte unterschiedliche Abstände zu
der Referenznadel besitzen. Da die Laufzeit eines Kalibrie
rungssignals für alle Paare kontaktierter Anschlusskontakt
flächen bis zur Referenznadel hin gleich sein muss, sind die
Leiterbahnen so strukturiert, dass die leitenden Verbindungen
zwischen den jeweils einander zugeordneten Anschlusskontakt
flächen alle etwa dieselbe Länge besitzen. Für jede Art von
zu testenden Bauelementen wird eine eigene Nadelkarte mit
spezieller Geometrie verwendet, so dass zur Durchführung des
Verfahrens ein individuell gestaltetes Testsubstrat 1 verwen
det wird.
Für die Kalibrierung kann insbesondere eine Halterung verwen
det werden, in die Wafer mit hergestellten Halbleiterbauele
menten zu Testzwecken eingesetzt werden. Eine solche Halte
rung (so genannter "Prober") ermöglicht eine genaue Positio
nierung des Testsubstrates 1 in Bezug auf die Nadelkarte. Zur
Kalibrierung müssen die Anschlusskontaktflächen nacheinander
mit den einzelnen Nadeln der Nadelkarte verbunden werden und
die weiteren Anschlusskontaktflächen, die diesen Anschluss
kontaktflächen jeweils zugeordnet sind, mit einer Referenzna
del. Zu diesem Zweck wird vorzugsweise das Testsubstrat in
der Richtung aufeinander folgender weiterer Anschlusskontakt
flächen bezüglich der Referenznadel verschoben. Die Referenz
nadel wird dann nacheinander auf die weiteren Anschlusskon
taktflächen aufgesetzt. Die damit jeweils elektrisch leitend
verbundene Kontaktfläche 21, 22, 23, 24 dient dann der leitenden
Verbindung einer jeweiligen Nadel der Nadelkarte mit
der Referenznadel.
Ein besonderer Vorteil dieses Verfahrens liegt daher darin,
dass Vorrichtungen zum Testen von Halbleiter-Wafern mit Bau
elementen für die erfindungsgemäße Kalibrierung verwendet
werden können. Das beschriebene Verfahren bietet eine einfa
che Möglichkeit, Anschlussnadeln einer Nadelkarte nacheinan
der mit einer jeweiligen Referenznadel elektrisch leitend zu
verbinden. Eine problemlos realisierbare Modifikation des
Testsubstrates gestattet es außerdem, gleichzeitig eine Mehr
zahl von Nadeln mit einer einzigen Referenznadel oder mit je
weils einer Referenznadel aus einer Vielzahl von Referenzna
deln zu verbinden. Verschiedene Kalibrierungsschritte unter
Verwendung verschiedener Kalibrierungssignale, die voneinan
der unabhängig eingesetzt werden können, können daher gleich
zeitig parallel verlaufend durchgeführt werden, was das ge
samte Kalibrierungsverfahren abkürzt und weiter vereinfacht.
Alle derartigen Ausgestaltungen und Modifikationen des Ver
fahrens lassen sich auf einfache Weise realisieren, indem nur
die Strukturierung der Leiter auf dem verwendeten Testsub
strat geeignet angepasst wird.
Claims (5)
1. Verfahren zum Kalibrieren eines Testsystems,
das zum Testen von Halbleiterbauelementen verwendet wird und
bei dem ein zu testendes Bauelement mittels einer Nadelkarte
(6) kontaktiert wird,
dadurch gekennzeichnet, dass
das Testsystem einschließlich der Nadelkarte kalibriert wird,
indem
ein Testsubstrat (1) verwendet wird, das voneinander elek trisch isolierte Anschlusskontaktflächen (21, 22, 23, 24) für eine Nadel (5) einer Nadelkarte und voneinander elek trisch isolierte weitere Anschlusskontaktflächen (31, 32, 33, 34) für eine Referenznadel (4) sowie Leiterbahnen (10, 20, 30, 40) aufweist, die jeweils bestimmte Anschlusskon taktflächen mit bestimmten weiteren Anschlusskontaktflächen elektrisch leitend verbinden,
mindestens einmal mindestens eine Nadel einer Nadelkarte auf eine Anschlusskontaktfläche (21; 22; 23; 24) gesetzt wird und dazu eine Referenznadel (4) auf eine mit dieser Anschlusskontaktfläche elektrisch leitend verbundene weite re Anschlusskontaktfläche gesetzt wird, und
die Referenznadel als Referenzpunkt einer Kalibrierung ver wendet wird.
ein Testsubstrat (1) verwendet wird, das voneinander elek trisch isolierte Anschlusskontaktflächen (21, 22, 23, 24) für eine Nadel (5) einer Nadelkarte und voneinander elek trisch isolierte weitere Anschlusskontaktflächen (31, 32, 33, 34) für eine Referenznadel (4) sowie Leiterbahnen (10, 20, 30, 40) aufweist, die jeweils bestimmte Anschlusskon taktflächen mit bestimmten weiteren Anschlusskontaktflächen elektrisch leitend verbinden,
mindestens einmal mindestens eine Nadel einer Nadelkarte auf eine Anschlusskontaktfläche (21; 22; 23; 24) gesetzt wird und dazu eine Referenznadel (4) auf eine mit dieser Anschlusskontaktfläche elektrisch leitend verbundene weite re Anschlusskontaktfläche gesetzt wird, und
die Referenznadel als Referenzpunkt einer Kalibrierung ver wendet wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem
das Testsubstrat in eine Halterung gesetzt wird und
die Halterung oder das Testsubstrat in der Halterung weiter
bewegt wird, um die Nadeln einer Nadelkarte aufeinander fol
gend mit verschiedenen Anschlusskontaktflächen des Testsub
strates zu verbinden.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, bei dem
ein Testsubstrat verwendet wird, dessen Leiterbahnen zwischen
einer Anschlusskontaktfläche und einer damit verbundenen wei
teren Anschlusskontaktfläche in etwa dieselbe Länge besitzen.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, bei dem
ein Testsubstrat verwendet wird, auf dem die weiteren An
schlusskontaktflächen auf einer Geraden angeordnet sind.
5. Testsubstrat zum Kalibrieren eines Testsystems für Halb
leiterbauelemente,
das paarweise einander zugeordnete Anschlusskontaktflächen
aufweist, die paarweise in unterschiedlichen Abständen zuein
ander angeordnet und mit Leiterbahnen etwa gleicher Länge
verbunden sind.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10056882A DE10056882C2 (de) | 2000-11-16 | 2000-11-16 | Verfahren zum Kalibrieren eines Testsystems für Halbleiterbauelemente und Testsubstrat |
US09/992,290 US6724181B2 (en) | 2000-11-16 | 2001-11-16 | Method of calibrating a test system for semiconductor components, and test substrate |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10056882A DE10056882C2 (de) | 2000-11-16 | 2000-11-16 | Verfahren zum Kalibrieren eines Testsystems für Halbleiterbauelemente und Testsubstrat |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE10056882A1 true DE10056882A1 (de) | 2002-06-06 |
DE10056882C2 DE10056882C2 (de) | 2003-06-05 |
Family
ID=7663563
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE10056882A Expired - Fee Related DE10056882C2 (de) | 2000-11-16 | 2000-11-16 | Verfahren zum Kalibrieren eines Testsystems für Halbleiterbauelemente und Testsubstrat |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6724181B2 (de) |
DE (1) | DE10056882C2 (de) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10350337A1 (de) * | 2003-10-29 | 2005-06-16 | Infineon Technologies Ag | Booster-Schaltung |
DE102004057772B3 (de) * | 2004-11-30 | 2006-05-24 | Infineon Technologies Ag | Einsetzbare Kalibriervorrichtung |
US7061260B2 (en) | 2003-07-21 | 2006-06-13 | Infineon Technologies Ag | Calibration device for the calibration of a tester channel of a tester device and a test system |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7250626B2 (en) * | 2003-10-22 | 2007-07-31 | Cascade Microtech, Inc. | Probe testing structure |
DE102004031436B4 (de) * | 2004-06-29 | 2006-07-27 | Infineon Technologies Ag | Einrichtung und Verfahren zum Kalibrieren eines Halbleiter-Bauelement-Test-Systems, insbesondere einer probecard bzw. eines Halbleiter-Bauelement-Testgeräts |
US7595629B2 (en) * | 2004-07-09 | 2009-09-29 | Formfactor, Inc. | Method and apparatus for calibrating and/or deskewing communications channels |
DE102004035556B3 (de) * | 2004-07-22 | 2005-12-08 | Infineon Technologies Ag | Verfahren und Einrichtung, insbesondere probecard, zum Kalibrieren eines Halbleiter-Baulement-Test-Systems, insbesondere eines Halbleiter-Bauelement-Testgeräts |
US7323897B2 (en) * | 2004-12-16 | 2008-01-29 | Verigy (Singapore) Pte. Ltd. | Mock wafer, system calibrated using mock wafer, and method for calibrating automated test equipment |
JP5260172B2 (ja) * | 2008-07-31 | 2013-08-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 被検査体の検査方法及び被検査体の検査用プログラム |
US10768238B2 (en) * | 2017-08-21 | 2020-09-08 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Inspection method of electrical storage device and manufacturing method thereof |
JP6939527B2 (ja) * | 2017-12-25 | 2021-09-22 | トヨタ自動車株式会社 | 蓄電デバイスの検査方法および製造方法 |
CN111123321A (zh) * | 2019-12-03 | 2020-05-08 | 深圳华大北斗科技有限公司 | 导航产品测试系统及方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2184849A (en) * | 1985-06-13 | 1987-07-01 | Plessey Co Plc | Calibrating microwave integrated circuit test systems |
DE19817763A1 (de) * | 1998-04-21 | 1999-11-04 | Texas Instruments Deutschland | Verfahren zum Eichen einer Meßvorrichtung |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5162728A (en) * | 1990-09-11 | 1992-11-10 | Cray Computer Corporation | Functional at speed test system for integrated circuits on undiced wafers |
US5485080A (en) * | 1993-09-08 | 1996-01-16 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of Commerce | Non-contact measurement of linewidths of conductors in semiconductor device structures |
US6326801B1 (en) * | 1996-10-31 | 2001-12-04 | Texas Instruments Incorporated | Wafer of semiconductor material with dies, probe areas and leads |
US6239590B1 (en) * | 1998-05-26 | 2001-05-29 | Micron Technology, Inc. | Calibration target for calibrating semiconductor wafer test systems |
DE19952943C2 (de) | 1999-11-03 | 2003-07-03 | Infineon Technologies Ag | Nadelkarten-Justageeinrichtung zur Planarisierung von Nadelsätzen einer Nadelkarte |
US6476630B1 (en) * | 2000-04-13 | 2002-11-05 | Formfactor, Inc. | Method for testing signal paths between an integrated circuit wafer and a wafer tester |
-
2000
- 2000-11-16 DE DE10056882A patent/DE10056882C2/de not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-11-16 US US09/992,290 patent/US6724181B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2184849A (en) * | 1985-06-13 | 1987-07-01 | Plessey Co Plc | Calibrating microwave integrated circuit test systems |
DE19817763A1 (de) * | 1998-04-21 | 1999-11-04 | Texas Instruments Deutschland | Verfahren zum Eichen einer Meßvorrichtung |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7061260B2 (en) | 2003-07-21 | 2006-06-13 | Infineon Technologies Ag | Calibration device for the calibration of a tester channel of a tester device and a test system |
DE10333101B4 (de) * | 2003-07-21 | 2008-05-21 | Qimonda Ag | Kalibrierungseinrichtung für die Kalibrierung eines Testerkanals einer Testereinrichtung, Testersystem und Verfahren zum Kalibrieren eines Testerkanals |
DE10350337A1 (de) * | 2003-10-29 | 2005-06-16 | Infineon Technologies Ag | Booster-Schaltung |
DE102004057772B3 (de) * | 2004-11-30 | 2006-05-24 | Infineon Technologies Ag | Einsetzbare Kalibriervorrichtung |
US7414421B2 (en) | 2004-11-30 | 2008-08-19 | Infineon Technologies Ag | Insertable calibration device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE10056882C2 (de) | 2003-06-05 |
US20020075030A1 (en) | 2002-06-20 |
US6724181B2 (en) | 2004-04-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE10060438B4 (de) | Testanordnung zum parallelen Test einer Mehrzahl von integrierten Schaltkreisen und Testverfahren | |
DE2319011C2 (de) | Verfahren zum Prüfen eines Leiternetzes auf einem isolierenden Substrat und Anordnung zur Durchführung des Verfahrens | |
DE19837138B4 (de) | Prüfkarte zum Prüfen von Chips mit integrierten Schaltungen | |
DE10056882C2 (de) | Verfahren zum Kalibrieren eines Testsystems für Halbleiterbauelemente und Testsubstrat | |
DE10392309T5 (de) | Eine Anschlusseinheit, eine Platine zum Befestigen eines Prüflings, eine Nadelkarte und eine Bauelemente-Schnittstellenpartie | |
DE10129282A1 (de) | Anschlußstruktur und zugehöriger Verbindungsmechanismus | |
EP0838688B1 (de) | Vorrichtung und Verfahren zum Prüfen von Leiterplatten | |
DE10143173A1 (de) | Wafersonde | |
DE19507127A1 (de) | Adaptersystem für Baugruppen-Platinen, zu verwenden in einer Prüfeinrichtung | |
DE10044408A1 (de) | Pinblockstruktur zur Halterung von Anschlußpins | |
DE69019436T2 (de) | Adapter für integrierte Schaltkreiselemente und Verfahren unter Verwendung des Adapters zur Prüfung von zusammengebauten Elementen. | |
DE10042224C2 (de) | Modultestsockel für Prüfadapter | |
DE112010000706B4 (de) | Prüfvorrichtung | |
DE10259790A1 (de) | Prüfplatine zum Prüfen von Halbleitervorrichtungen | |
DE19961791C2 (de) | Anordnung zum Testen von Chips mittels einer gedruckten Schaltungsplatte | |
EP0288528B1 (de) | Vorrichtung zum prüfen von elektrischen leiterplatten | |
EP0875767B1 (de) | Vorrichtung und Verfahren zum Prüfen von unbestückten Leiterplatten | |
DE10318181A1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur konfigurierbaren Hardwareverstärkten-Programmerzeugung | |
DE19931278B4 (de) | Prüfkarte und IC-Prüfgerät | |
DE10043193B4 (de) | Prüfgerät für Halbleitersubstrate | |
DE10260238B4 (de) | Adapter zum Testen einer oder mehrerer Leiteranordnungen und Verfahren | |
WO2009050127A2 (de) | Sondenhaltervorrichtung | |
DE10060585A1 (de) | Vorrichtung und Verfahren zur Untersuchung einer integrierten Halbleiterschaltung | |
DE102004034357A1 (de) | Prüfkarten Trägerelement | |
DE69430036T2 (de) | Testvorrichtung für integrierte Schaltungen |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
8304 | Grant after examination procedure | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |