DE10047135A1 - Verfahren zum Herstellen eines Kunststoff umhüllten Bauelementes und Kunststoff umhülltes Bauelement - Google Patents

Verfahren zum Herstellen eines Kunststoff umhüllten Bauelementes und Kunststoff umhülltes Bauelement

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Abstract

Die Erfindung beschreibt ein Verfahren zum Herstellen eines Bauelementes mit den folgenden Schritten: In einem ersten Schritt wird zumindest eine integrierte Schaltung mit einer aktiven Hauptseite, auf der sich eine Mehrzahl an Kontaktpads der integrierten Schaltung befinden, bereitgestellt. In einem zweiten Schritt wird die zumindest eine integrierte Schaltung auf ein Grundsubstrat aufgebracht, wobei die aktive Hauptseite dem Grundsubstrat zugewandt ist. Anschließend wird die zumindest eine, auf dem Grundsubstrat aufgebrachte integrierte Schaltung mit einer Vergußmasse umhüllt. In einem nächsten Schritt werden zumindest Teile des Grundsubstrates von der zumindest einen umhüllten integrierten Schaltung entfernt. Die Kontaktpads der zumindest einen integrierten Schaltung werden mit elektrisch leitenden Höckern verbunden, die ihrerseits direkt auf das Grundsubstrat aufgebracht werden.

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines Kunststoff umhüllten Bauelementes gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruches 1. Ferner wird ein nach diesem Verfahren hergestelltes Bauelement gemäß dem Oberbegriff der Patentan­ sprüche 11 und 12 beschrieben.
Die vorliegende Erfindung eignet sich für nieder- oder hoch­ frequente Anwendungen, bei denen das Bauelement wenige Kon­ takte aufweist. Dies könnten beispielsweise Halbleiterschal­ ter, Dioden oder dergleichen sein. Die Erfindung ist jedoch ohne weiteres auch bei anderen Arten von Bauelementen anwend­ bar, wie beispielsweise bei Speicherbauelementen oder Logik­ bauelementen.
Üblicherweise werden bei derartigen Bauelementen die inte­ grierten Schaltungen auf Metall-Leadframes, auf Laminat- oder Keramiksubstrate als Chipträger montiert. Die integrierte Schaltung wird anschließend entweder in einer Drahtbond- Technik oder einer Flip-Chip-Technik kontaktiert. Für einen mechanischen Schutz erfolgt eine Verkapselung der integrier­ ten Schaltung, beispielsweise durch Umpressen mittels Trans­ fermolding. Die externen Kontakte des Bauelementes befinden sich häufig an der Unterseite des Gehäuses. Da diese Bauele­ mente dann keine üblichen Pinanschlüsse aufweisen, spricht man von sogenannten "Leadless-Bauelementen" sowie von "Lead­ less-Chip-Carriern" (LCC). Mit derartigen Bauelementen kann im Vergleich zu herkömmlichen Bauweisen bei gleicher Fläche eine deutlich höhere Zahl von Anschlüssen (externen Kontak­ ten) realisiert werden. Alternativ könnte bei einer gleichen Anzahl von externen Kontakten gegenüber einem herkömmlich aufgebauten Bauelement eine deutlich kleinere Fläche erzielt werden, wobei gleichzeitig eine geringere Bauhöhe möglich ist. Durch die kurzen Signalwege und die kompakte Bauweise des Bauelementes ergeben sich vor allem bei hochfrequenten Anwendungen Vorteile. Die kleinen Bauteilabmessungen wirken sich zudem günstig auf die mechanische Belastbarkeit sowie die Befestigung auf einem Substrat aus.
Aus der EP 0 773 584 A2 sind verschiedene Bauelemente be­ kannt, die sowohl auf die Verwendung eines Metall-Leadframes als auch auf ein Keramik-Substrat verzichten. Die dort be­ schriebenen Halbleiterbauelemente weisen ein Gehäuse aus ei­ ner Plastikvergußmasse auf, das den Halbleiterchip umgibt. Die externen Kontakte sind dabei auf einer Hauptfläche des Halbleiterbauelementes angeordnet. In der Fig. 35 ist bei­ spielsweise ein Bauelement gezeigt, bei dem die externen Kon­ takte in Form einfacher Metallisierungen ausgebildet sind, wobei diese bündig mit der Hauptfläche des Halbleiterbauele­ mentes abschließen. Die Kontaktpads der integrierten Schal­ tung sind dabei in Flip-Chip-Technik mit diesen Metallisie­ rungen elektrisch verbunden. Das dort gezeigte Halbleiterbau­ element erfordert eine sehr aufwendige Prozeßfolge bei der Herstellung. Die Herstellung von Einzelhalbleitern erfordert jedoch möglichst einfache Verfahrensschritte, kostengünstige Materialien und Gehäusebauformen.
Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht deshalb darin, ein Bauelement anzugeben, das auf möglichst einfache Weise mit bekannten Herstellungsverfahren herstellbar ist und das mit wenigen externen Kontakten ausgebildet ist. Weiterhin ist es Aufgabe der Erfindung, ein Bauelement anzugeben, welches kompakte Außenmasse aufweist und bezüglich weiterer Verarbei­ tungsschritte Vorteile aufweist.
Das erfindungsgemäße Herstellungsverfahren umfaßt die folgen­ den Schritte: In einem ersten Schritt wird zumindest eine in­ tegrierte Schaltung mit einer aktiven Hauptseite bereitge­ stellt, auf der sich eine Mehrzahl an Kontaktpads der inte­ grierten Schaltung befinden. In einem zweiten Schritt wird die zumindest eine integrierte Schaltung auf ein Grundsub­ strat aufgebracht, wobei die aktive Hauptseite der integrier­ ten Schaltung dem Grundsubstrat zugewandt ist. In einem drit­ ten Schritt wird die zumindest eine, auf dem Grundsubstrat aufgebrachte integrierte Schaltung mit einer Vergußmasse um­ hüllt. Anschließend werden zumindest Teile des Grundsubstra­ tes von der zumindest einen umhüllten, integrierten Schaltung entfernt. Erfindungsgemäß ist vorgesehen, daß die Kontaktpads der zumindest einen integrierten Schaltung mit über elek­ trisch leitenden Höckern verbunden werden, die direkt auf das Grundsubstrat aufgebracht werden.
Mit anderen Worten bedeutet dies, daß eine integrierte Schal­ tung in Flip-Chip-Technik auf ein Grundsubstrat aufgebracht wird, anschließend mit einer Vergußmasse umhüllt wird und in einem weiteren Schritt das Grundsubstrat entfernt wird. Da eine derartige Anordnung auf die Verwendung von Bonddrähten verzichten kann, läßt sich ein in seiner Dicke reduziertes Bauelement herstellen. Durch das Plastikgehäuse ist ein Schutz der empfindlichen integrierten Schaltung gewährlei­ stet. Nach dem Entfernen des Grundsubstrates verbleiben auf der Unterseite des Bauelementes externe Kontakte.
Als Grundsubstrat können die aus dem Stand der Technik be­ kannten Materialien verwendet werden, so daß eine kostengün­ stige Herstellung möglich ist. Insbesondere kommt ein norma­ les Leadframematerial, welches beispielsweise aus Kupfer be­ steht, in Betracht.
Durch das Umhüllen der auf das Grundsubstrat aufgebrachten integrierten Schaltung kann die Größe des resultierenden Bau­ elementes frei bestimmt werden. Es ist somit möglich, ein in seinen Abmessungen möglichst kleines Bauelement herzustellen. Andererseits kann die Größe des Bauelementes jedoch auch an die bestehenden Werkzeugmaschinen angepaßt werden, das heißt die Umhüllung kann eine von der Größe der integrierten Schal­ tung aufweisende Fläche aufweisen.
In einer Ausgestaltung sieht die Erfindung vor, daß der Schritt des Aufbringens der zumindest einen integrierten Schaltung auf das Grundsubstrat eine Verbindung der Höcker mit dem Grundsubstrat mittels Thermokompression oder Legieren vorsieht. Somit können die aus dem Stand der Technik bekann­ ten Verbindungstechniken angewendet werden.
Das Entfernen des Grundsubstrates von der zumindest einen um­ hüllten integrierten Schaltung kann durch Ätzen, Delaminie­ ren, Schleifen oder Sägen geschehen.
In einer ersten Variante des erfindungsgemäßen Verfahrens wird das Grundsubstrat vollständig entfernt, wobei Teile der Höcker auf der Unterseite des umhüllten Bauelementes zugäng­ lich sind und externe Kontakte bilden. Das resultierende Bau­ element ist somit nur wenig größer als die integrierte Schal­ tung und die mit den Kontaktpads verbundenen Höcker.
In einer zweiten Variante des erfindungsgemäßen Verfahrens werden die Höcker auf Erhebungen des Grundsubstrates aufge­ bracht, die einstückig mit diesem oder zusammengesetzt ausge­ bildet sind, wobei die Erhebungen nach dem Entfernen des Grundsubstrates externe Kontakte bilden. Das Vorsehen der Er­ hebungen des Grundsubstrates, die die externen Kontakte des fertig hergestellten Bauelementes bilden, ermöglichen eine Vergrößerung der Kontaktstruktur gegenüber einem konventio­ nellen Flip-Chip-"Footprint". Insbesondere können derartige Dimensionen gewählt werden, die in der Leiterplattentechnolo­ gie anwendbar sind. Auf diese Weise läßt sich das Bauelement auf einfache Weise auf ein weiteres Substrat aufbringen und mit diesem elektrisch kontaktieren.
Vorteilhafterweise werden die externen Kontakte nach dem Ent­ fernen des Grundsubstrates veredelt, d. h. mit einer lötbaren Oberfläche versehen. Insbesondere können weitere "Solder­ bumps" oder Metallschichten auf die externen Kontakte aufgebracht werden, um eine bessere Verbindbarkeit mit einem wei­ teren Substrat zu ermöglichen.
Vorzugsweise wird eine Mehrzahl an integrierten Schaltungen auf das Substrat aufgebracht, die in einem Schritt mit einer Vergußmasse umhüllt werden. Nach dem Umhüllen befinden sich somit alle integrierten Schaltungen in einem Plastikgehäuse. Anschließend können diese umhüllten integrierten Schaltungen durch Sägen, Schneiden oder mittels Wasserstrahl vereinzelt werden.
Die Höcker können vor dem Schritt des Aufbringens der zumin­ dest einen integrierten Schaltung auf das Grundsubstrat auf die Kontaktpads der integrierten Schaltung aufgebracht wer­ den. Alternativ können die Höcker vor dem Schritt des Auf­ bringens der zumindest einen integrierten Schaltung auf das Grundsubstrat korrespondierend mit den Kontaktpads auf das Grundsubstrat aufgebracht werden.
Das erfindungsgemäße Bauelement weist eine integrierte Schal­ tung auf die auf ihrer aktiven Hauptseite Kontaktpads bein­ haltet, die mit elektrisch leitenden Höckern verbunden sind. Eine Vergußmasse umhüllt die integrierte Schaltung vollstän­ dig. Gemäß einer ersten Variante sind Teile der Höcker auf der Unterseite des umhüllten Bauelementes zugänglich, die mit der durch die Umhüllung gebildeten Unterseite in einer Fläche liegen und externe Kontakte bilden.
In einer anderen Variante des erfindungsgemäßen Bauelementes sind die Höcker mit elektrisch leitenden Bereichen eines Grundsubstrates verbunden, die in der Vergußmasse gelegen sind und auf der Unterseite des umhüllten Bauelementes von externen Kontakten zugänglich sind. Die leitenden Bereiche des Grundsubstrates stellen dabei die oben genannten Erhöhun­ gen, die einstückig mit dem Grundsubstrat verbunden sind, dar. Diese leitenden Bereiche sind im Querschnitt flach, tra­ pezförmig oder T-förmig ausgebildet.
Die Erfindung wird anhand der nachfolgenden Figuren näher er­ läutert. Es zeigen:
Fig. 1 ein erstes Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen Bauelementes im Querschnitt,
Fig. 2 eine Draufsicht auf die Unterseite des Bauelementes aus Fig. 1,
Fig. 3 bis 6 verschiedene Verfahrensschritte während der Herstellung des erfindungsgemäßen Bauelementes gemäß Fig. 1,
Fig. 7 ein zweites Ausführungsbeispiel eines er­ findungsgemäßen Bauelementes im Quer­ schnitt,
Fig. 8 eine Draufsicht auf die Unterseite des Bauelementes aus Fig. 7 und
Fig. 9 bis 12 verschiedene Verfahrensschritte während der Herstellung des Bauelementes gemäß Fig. 7.
Fig. 1 zeigt ein erstes Ausführungsbeispiel eines erfin­ dungsgemäßen Bauelementes im Querschnitt. Dieses zeichnet sich dadurch aus, daß das fertiggestellte Bauelement in sei­ nen Abmaßen nur wenig größer als die integrierte Schaltung 1 als solches ist. In der Fig. 1 ist eine integrierte Schal­ tung 1 dargestellt, die auf ihrer aktiven Hauptseite 5 bei­ spielhaft vier Kontaktpads 11 aufweist. Auf diesen sind in bekannter Weise Höcker 2 aufgebracht. Die integrierte Schal­ tung 1 und die Höcker 2 sind von einer Vergußmasse 3 umgeben. Die Vergußmasse 3 ist dabei derart ausgebildet, daß Teile der Höcker 2 von der Unterseite 8 des Bauelementes her zugänglich sind und externe Kontakte 9 bilden. Aus der Fig. 2, welche eine Draufsicht auf die Unterseite 8 des Bauelementes der Fig. 1 zeigt, ist gut ersichtlich, daß nur diejenigen Bereiche der Höcker von der Unterseite 8 her zugänglich sind, die wäh­ rend des Herstellungsverfahrens mit dem später beschriebenen Grundsubstrat in Verbindung standen.
Das erfindungsgemäße Bauelement weist den Vorteil auf, daß dieses einen mechanischen Schutz der integrierten Schaltung 1 gewährleistet, wobei die Abmaße jedoch nur unwesentlich grö­ ßer sind. Insbesondere ist mit dem in Fig. 1 vorgestellten Bauelement eine geringe Bauhöhe realisierbar, da auf die Ver­ wendung von Bonddrähten verzichtet werden kann. Weiterhin er­ gibt sich bauartbedingt ein Korrisionsschutz. Die Erfindung ermöglicht somit eine billigere Herstellung eines Flip-Chip- Bauelementes aufgrund eines einfacheren Bauelementaufbaus. Zudem ist bei der Montage auf ein Substrat kein "Underfill" notwendig. Die Vergußmasse selbst ist bereits in der Lage, mechanische Belastungen, z. B. aufgrund unterschiedlicher thermischer Ausdehnungskoeffizienten, aufzunehmen.
Die Fig. 3 bis 6 zeigen verschiedene Verfahrensschritte zur Herstellung des Bauelementes gemäß Fig. 1. In Fig. 3 ist lediglich ein Grundsubstrat 4 dargestellt, das im Quer­ schnitt eine ebene Oberfläche aufweist. In einem weiteren Verfahrensschritt (Fig. 4) werden auf eine Oberseite 6 meh­ rere integrierte Schaltungen 1 aufgebracht. Dabei sind deren aktive Oberflächen 5 dem Grundsubstrat 4 zugewandt. Die Kon­ taktpads der integrierten Schaltungen 1 werden dabei über elektrisch leitende Höcker 2 mit dem Grundsubstrat 4 verbun­ den. Die Höcker 2 können dabei bereits vor dem Aufbringen der integrierten Schaltungen 1 auf das Grundsubstrat 4 mit den Kontaktpads 11 verbunden worden sein. Alternativ wäre es auch denkbar, die Höcker 2 zunächst auf das Grundsubstrat 4 aufzu­ bringen, wobei deren Anordnung korrespondierend zu den Kon­ taktpads der integrierten Schaltungen zu wählen wäre. Erst anschließend könnten dann die integrierten Schaltungen auf die Höcker 2 aufgebracht werden. Die mechanische Verbindung zwischen dem Grundsubstrat 4 und den Höckern 2 kann durch üb­ liche Standardprozesse, zum Beispiel Thermokompression oder Legieren realisiert werden.
In einem weiteren Verfahrensschritt gemäß Fig. 5 werden vor­ zugsweise alle auf der Oberseite 6 des Grundsubstrates 4 be­ findlichen integrierten Schaltungen mit einer Vergußmasse 3 umhüllt. Denkbar wäre natürlich auch, jede einzelne der inte­ grierten Schaltungen 1 mit einer separaten Umhüllung zu ver­ sehen.
In einem weiteren Verfahrensschritt wird das Substrat von den umhüllten integrierten Schaltungen 1 abgelöst. Die nach wie vor in einer einzigen Umhüllung befindlichen integrierten Schaltungen 1 können nun voneinander, zum Beispiel durch Sä­ gen, getrennt werden (Fig. 6).
Wie aus der obigen Beschreibung ersichtlich ist, weist nicht nur das fertiggestellte Bauelement gegenüber konventionellen Bauelementen Vorteile auf, es läßt sich auch mit wenigen ein­ fachen Standardschritten herstellen. Insbesondere können die bekannten Herstellungsverfahren angewendet werden. Als Grund­ substrat kommt insbesondere ein einfacher Leadframeträger aus Kupfer in Betracht. Prinzipiell kann jedoch jedes beliebige Material verwendet werden, sofern eine mechanische Verbindung zwischen den Höckern 2 und dem Grundsubstrat möglich ist.
Wie aus der Fig. 6 und der Fig. 1 ersichtlich ist, schlie­ ßen die externen Kontakte 9 in etwa bündig mit der Unterseite 8 des Bauelementes ab. Um ein derartiges Bauelement mit einer Leiterplatte oder einem anderartigen Substrat elektrisch ver­ binden zu können, kann es vorteilhaft sein, auf die elektri­ schen Kontakte 9 nochmals Höcker aufwachsen zu lassen. Dieses Veredeln der elektrischen Kontakte 9 kann beispielsweise mit­ tels Solderbumps oder Metallschichten galvanisch oder chemisch geschehen. Das Veredeln der externen Kontakte 9 kann dabei vor dem Trennen der integrierten Schaltungen erfolgen.
Fig. 7 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel eines erfin­ dungsgemäßen Bauelementes. Die integrierte Schaltung 1 ist über die elektrisch leitenden Höcker 2 mit elektrisch leiten­ den Bereichen 10 verbunden. Diese schließen an der Unterseite in etwa bündig mit der Umhüllung 3 ab. Mittels der leitenden Bereiche 10 ist es möglich, gegenüber der ersten Ausgestal­ tungsvariante gemäß den Fig. 1 bis 6 wesentlich größere elektrische externe Kontakte 9 vorzusehen. Dies wird insbe­ sondere aus der Fig. 8, welche eine Draufsicht auf die Un­ terseite 8 des Bauelementes aus Fig. 7 zeigt, deutlich.
Das Herstellungsverfahren ist in den Fig. 9 bis 12 in ver­ schiedenen Verfahrensschritten dargestellt.
Das Grundsubstrat 4 weist nunmehr auf seiner Oberseite Erhö­ hungen 10 auf. Diese können T-förmig (vgl. Bezugszeichen 10a) oder im Querschnitt trapezförmig (vgl. Bezugszeichen 10b) ausgebildet sein. Prinzipiell kann eine derartige Erhöhung 10 jede beliebige Form aufweisen, sofern ein Abstand gegenüber der Hauptfläche 6 des Grundsubstrates sichergestellt ist.
Die Höcker 2 der integrierten Schaltung 1 werden nunmehr auf diese Erhöhungen 10 aufgebracht und mit diesen mittels Ther­ mokompression oder Legieren verbunden. Anschließend werden die Mehrzahl nebeneinander auf dem Grundsubstrat 4 aufge­ brachten integrierten Schaltungen mit einer Vergußmasse 3 um­ hüllt.
Daran schließt sich das Entfernen des Grundsubstrates 4 an, wobei jedoch bei dem vorliegenden Ausführungsbeispiel nicht das gesamte Grundsubstrat mit der Grundplatte 4a und den Er­ höhungen 10 entfernt wird, sondern lediglich die Grundplatte 4a. Nach dem Entfernen dieser Grundplatte verbleiben die Er­ höhungen 10 nunmehr innerhalb des umhüllten Bauelementes.
Diese bilden dann die externen Kontakte 9, wie aus der Fig. 12 ersichtlich ist. Das Grundsubstrat dient nur als Zwischen­ träger für die Montage und wird im wesentlichen entfernt.
Somit ist auf einfache Weise eine Vergrößerung der externen Kontakte gegenüber den konventionellen Flip-Chip-Bauformen möglich. Insbesondere können diejenigen Dimensionen reali­ siert werden, die in der Leiterplattentechnologie verwendet werden. Das entsprechend der Fig. 9 ausgestaltete Grundsub­ strat kann einstückig oder zusammengesetzt aufgebaut sein. Als Grundplatte 4a (Substratträger) kommt Kupfer in Betracht. Die T-förmigen Erhöhungen können aus Ni/Au oder anderen, ge­ eigneten Materialien bestehen.
Auch die externen Kontakte 9 gemäß der zweiten Variante der Erfindung können ausschließend galvanisch bzw. chemisch ver­ edelt werden.

Claims (13)

1. Verfahren zum Herstellen eines Bauelementes mit den fol­ genden Schritten:
  • - Bereitstellen zumindest einer integrierten Schaltung (1) mit einer aktiven Hauptseite (5), auf der sich eine Mehr­ zahl an Kontaktpads (11) der integrierten Schaltung (1) befindet,
  • - Aufbringen der zumindest einen integrierten Schaltung (1) auf ein Grundsubstrat (4), wobei die aktive Hauptseite (5) dem Grundsubstrat zugewandt ist,
  • - Umhüllen der zumindest einen, auf dem Grundsubstrat (4) aufgebrachten integrierten Schaltung (1) mit einer Verguß­ masse (3),
  • - Entfernen von zumindest Teilen des Grundsubstrates (4) von der zumindest einen umhüllten integrierten Schaltung (1),
dadurch gekennzeichnet, daß
die Kontaktpads (11) der zumindest einen integrierten Schal­ tung (1) mit elektrisch leitenden Höckern (2) verbunden wer­ den, die direkt auf das Grundsubstrat (4) aufgebracht werden.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Schritt des Aufbringens der zumindest einen integrierten Schaltung (1) auf das Grundsubstrat (4) eine Verbindung der Höcker (2) mit dem Grundsubstrat mittels Thermokompression oder Legieren vorsieht.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Entfernen des Grundsubstrates (4) durch Ätzen, Delaminie­ ren, Schleifen oder Sägen vorgesehen ist.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß das Grundsubstrat (4) vollständig entfernt wird, wobei Teile der Höcker (2) auf der Unterseite (8) des umhüllten Bauele­ mentes zugänglich sind und externe Kontakte (9) bilden.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Höcker (2) auf Erhebungen (10) des Grundsubstrates (4) aufgebracht werden, die einstückig mit diesem oder zusammen­ gesetzt ausgebildet sind, wobei die Erhebungen nach dem Ent­ fernen des Grundsubstrates externe Kontakte (9) bilden.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die externen Kontakte (9) nach dem Entfernen des Grundsub­ strates (4) veredelt werden.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß eine Mehrzahl an integrierten Schaltungen (1) auf das Grund­ substrat (4) aufgebracht wird, die in einem Schritt mit einer Vergußmasse (3) umhüllt werden.
8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die gemeinsam umhüllten, integrierten Schaltungen (1) durch Sägen oder Schneiden vereinzelt werden.
9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Höcker (2) vor dem Schritt des Aufbringens der zumindest einen integrierten Schaltung (1) auf das Grundsubstrat (4) auf die Kontaktpads (11) der integrierten Schaltung (1) auf­ gebracht werden.
10. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Höcker (2) vor dem Schritt des Aufbringens der zumindest einen integrierten Schaltung (1) auf das Grundsubstrat (4) mit den Kontaktpads korrespondierend auf das Grundsubstrat (4) aufgebracht werden.
11. Bauelement mit einer integrierten Schaltung (1), die auf ihrer aktiven Hauptseite (5) Kontaktpads (11) aufweist, die mit elektrisch leitenden Höckern verbunden sind und mit einer Vergußmasse (3), die die integrierte Schaltung (1) vollstän­ dig umhüllt, dadurch gekennzeichnet, daß Teile der Höcker (2) auf der Unterseite (8) des umhüllten Bauelementes zugänglich sind, die mit der durch die Umhüllung gebildeten Unterseite (8) in einer Fläche liegen und externe Kontakte (9) bilden.
12. Bauelement mit einer integrierten Schaltung (1), die auf ihrer aktiven Hauptseite (5) Kontaktpads (11) aufweist, die mit elektrisch leitenden Höckern (2) verbunden sind und mit einer Vergußmasse (3), die die integrierte Schaltung (1) vollständig umhüllt, dadurch gekennzeichnet, daß die Höcker mit elektrisch leitenden Bereichen (10) eines Grundsubstrates (4) verbunden sind, die in der Vergußmasse (3) gelegen sind und auf der Unterseite (8) des umhüllten Bauelementes zur Bildung von externen Kontakten (9) zugäng­ lich sind.
13. Bauelement nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß die leitenden Bereiche (10) des Grundsubstrates (4) im Quer­ schnitt flach, trapezförmig oder T-förmig ausgebildet sind.
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