DE1004668B - Transistor-Gegentaktverstaerker, insbesondere im B-Betrieb - Google Patents
Transistor-Gegentaktverstaerker, insbesondere im B-BetriebInfo
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- H—ELECTRICITY
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- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/30—Single-ended push-pull [SEPP] amplifiers; Phase-splitters therefor
- H03F3/3066—Single-ended push-pull [SEPP] amplifiers; Phase-splitters therefor the collectors of complementary power transistors being connected to the output
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- H—ELECTRICITY
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- H03F3/26—Push-pull amplifiers; Phase-splitters therefor
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Description
DEUTSCHES
Die Erfindung bezieht sich auf eine Verstärkerschaltung, bei der die zu verstärkenden Signalschwingungen
über einen Eingangstransformator zwei in Gegentakt geschalteten, abwechselnd während eines
Teiles der Schwingungsperiode nicht leitenden und zweckmäßig als B-Verstärker arbeitenden Transistoren
zugeführt werden. Es zeigt sich, daß bei einer solchen Schaltungsanordnung unerwünschte höhere Harmonische
der zu verstärkenden Signalschwingungen auftreten können.
Der Erfindung liegt die Erkenntnis zugrunde, daß diese Harmonischen davon herrühren, daß die
Transistoreingangskreise abwechselnd leitend und nicht leitend sind, wodurch Harmonische des Eingangsstromes
erzeugt werden, indem der durch den Eingangstransformator (gegebenenfalls mit seiner
Eingangsimpedanz) und die Schaltkapazitäten zwischen den Basis- und Emittorelektroden der Transistoren
gebildete Resonanzkreis angestoßen wird.
Die Erfindung schlägt ein einfaches Mittel vor, um diesem Übelstand abzuhelfen, und weist das Merkmal
auf, daß zum Unterdrücken dieser unerwünschten höheren Harmonischen der Signalschwingungen in
einem gemeinsamen Zweig zwischen dem Eingangstransformator und den entsprechenden Elektroden der
beiden Transistoren ein in bezug auf die Signalfrequenz geringer, aber für die zu unterdrückenden
höheren Harmonischen hoher Scheinwiderstand liegt.
Die Erfindung wird an Hand der Zeichnung beispielsweise näher erläutert.
Fig. 1 zeigt das Erfindungsprinzip;
Fig. 2, 3 und 4 zeigen Strom-Zeit-Diagramme zur Erläuterung der Wirkungsweise der Schaltungsanordnung
nach Fig. 1;
Fig. 5 zeigt eine Weiterbildung und Fig. 6 eine Abwandlung von Fig. 1.
In Fig. 1 werden die zu verstärkenden Signalschwingungen mit breitem Frequenzband, die an den
Klemmen 1 auftreten, über einen Transformator 2 den beiden in Gegentakt geschalteten Transistoren 3 und 4
zugeführt, so daß über einen Gegentaktausgangstransformator 5 verstärkte Signalschwingungen erzeugt
werden. Die Transistoren 3 und 4 arbeiten wegen des Fehlens irgendeiner Vorspannungsquelle
zwischen ihren Emittor- und Basiselektroden im wesentlichen in B-Schaltung, d.h., daß sie abwechselnd
während der halben Schwingungsperiode der Signalschwingungen leitend bzw. nicht leitend sind.
Es ist festgestellt worden, daß die über den Transformator 5 abgenommenen Schwingungen einen unerwünscht
starken Anteil an Harmonischen (Welligkeit) haben können, wie z. B. in Fig. 2 für sinusförmige
Erregung veranschaulicht ist. Diese Erscheinung läßt sich dadurch erklären, daß in den
Transistor-Gegentaktverstärker,
insbesondere im B-Betrieb
insbesondere im B-Betrieb
Anmelder:
N. V. Philips' Gloeilampenfabrieken,
Eindhoven (Niederlande)
Eindhoven (Niederlande)
Vertreter: Dr. rer. nat. P. Roßbach, Patentanwalt,
Hamburg I1 Mönckebergstr. 7
Hamburg I1 Mönckebergstr. 7
Beanspruchte Priorität:
Niederlande vom 2. März 1955
Niederlande vom 2. März 1955
Johannes Ensink und Anne Klaasen, Hilversum
(Niederlande),
sind als Erfinder genannt worden
sind als Erfinder genannt worden
geschlossenen Scheifen 7 bzw. 8 die in den Fig. 3 bzw. 4 dargestellten Ströme fließen. In den Augenblicken
a, b, c, d, in denen die Transistoren vom leitenden in den nicht leitenden Zustand oder umgekehrt
übergehen, werden nämlich die von den Selbstinduktionen des Eingangstransformators 2 und den
Schaltkapazitäten 9 bzw. 10 zwischen den Emittor- und den Basiselektroden der Transistoren 3 und 4 gebildeten
Resonanzkreise angestoßen, wodurch die der Resonanzfrequenz dieser Reihenkreise entsprechende
Harmonische mit beträchtlicher Amplitude über dem Ausgangstransformator 5 auftritt.
Durch Anordnung eines Scheinwiderstandes 12 von einer für die Signalfrequenz geringen, aber für die
betreffende Harmonische 'hohen Impedanz wird diese Harmonische stark unterdrückt. Der Scheinwiderstand
12 ist vorzugsweise als ein auf die betreffende Harmonische abgestimmter gedämpfter Parallelresonanzkreis
ausgebildet, der aus einer Induktivität 13, einem Kondensator 14 und einem Dämpfungswiderstand
15 besteht. In einem praktischen Ausführungsbeispiel, bei dem die Signalfrequenz 4 kHz
betrug und die Harmonischen zwischen 40 und 60 kHz lagen, wurden zu diesem Zweck eine Induktivität 13
von 1 mH mit einem Eigenwiderstand von 20 Ohm, ein Kondensator 14 von 30 000 pF und ein Widerstand
15 von 300 Ohm gewählt.
In Fig. 5 ist die Schaltung nach Fig. 1 mit einem Vorverstärker 20 versehen, an dem eine an einer
Wicklung 21 des Transformators 5 erzeugte Gegenkopplungsspannung wirksam ist. Infolge Phasendrehung
in den verschiedenen Verstärkerstufen wird
609 840/303
damit parallel zum Transformator 2 eine Reaktanz wirksam, welche die Frequenz der zu unterdrückenden
Harmonischen verschiebt. Die Resonanzfrequenz des Kreises 12 muß dann dieser verschobenen Frequenz
entsprechen. Der Spannungsteiler 22, 23 ermöglicht sowohl eine genaue B-Schaltung als auch eine A-B-Schaltung
der Transistoren 3 und 4.
Bei der Abwandlung nach Fig. 6 kommen zwei Transistoren 25 und 26 von entgegengesetztem Leitungstyp
zur Verwendung, so daß der Eingangstransformator 2 einphasig ausgebildet sein kann. Die
an Hand der Fig. 2, 3 und 4 beschriebenen Wirkungen bleiben aber genau die gleichen und können mittels
eines entsprechenden Scheinwiderstandes 12 unterdrückt werden.
Claims (3)
1. Verstärkerschaltung, bei der die Signalschwingungen über einen Eingangstransformator
zwei in Gegentakt geschalteten, abwechselnd während eines Teiles der Schwingungsperiode nicht
leitenden und vorzugsweise als B-Verstärker arbeitenden Transistoren zugeführt werden, dadurch
gekennzeichnet, daß zum Unterdrücken der in den Eingangskreisen der abwechselnd leitenden
und nicht leitenden Transistoren erzeugten höheren Harmonischen der Signalschwingungen in einem
gemeinsamen Zweig zwischen dem Eingangstransformator und den entsprechenden Elektroden
der beiden Transistoren ein in bezug auf die Signalfrequenz geringer, aber für die höheren
Harmonischen hoher Scheinwiderstand liegt (Fig. 1 und 6).
2. Schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Scheinwiderstand aus einem gedämpften
Parallelresonanzkreis besteht, dessen Resonanzfrequenz der Frequenz der zu unterdrückenden
Harmonischen entspricht.
3. Abwandlung der Verstärkerschaltung nach Anspruch 1 in der Hinsicht, daß vom Ausgang der
Gegentakrverstärkerstufe (3, 4) einer Vorstufe (20) eine Gegenkopplungsspannung zugeführt ist,
die eine Reaktanzwirkung parallel zum Gegentakteingangstransformator (2) erzeugt, so· daß die
Frequenz der unerwünschten Harmonischen verschoben wird (Fig. 5).
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
© 609 840/303 3.
Applications Claiming Priority (1)
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