DE3319943A1 - Hochfrequenz-impulsverstaerker - Google Patents

Hochfrequenz-impulsverstaerker

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DE3319943A1
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Peter Dipl.-Ing. Honold
Peter 8000 München Schucht
Hans-Jürgen Dipl.-Ing. 8025 Unterhaching Weiner
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Siemens AG
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K5/00Manipulating of pulses not covered by one of the other main groups of this subclass
    • H03K5/01Shaping pulses
    • H03K5/02Shaping pulses by amplifying

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Description

  • 4. Hochfrequenzverstärker nach Anspruch 1,
  • dadurch gekennzeichnet, daß die beiden Transistoren (2,15) eng benachbart auf einem gemeinsamen Träger oder Flansch (21) in getrennten Gehäusen angeordnet sind.
  • Hochfrequenz-Impulsverstärker.
  • Die Erfindung bezieht sich auf einen Hochfrequenzverstärker, bestehend aus einer in Basisschaltung ausgeführten Leistungstransistor-Verstärkerstufe oder aus mehreren solchen in Kette geschalteten Verstärkerstufen, zur Verstärkung von jeweils emitterseitig über ein Eingangsanpassungsnetzwerk eingegebenen Hochfrequenzimpulsen, die verstärkt kollektorseitig über ein Ausgangsanpassungsnetzwerk abgenommen werden und eine vorgegebene Hüllkurvenform aufweisen sollen, auf eine hohe Ausgangsleistung, wobei ebenfalls emitterseitig an jede dieser Verstärkerstufen zusätzlich jeweils eine von einem Pulsgeber gesteuerte, mit einem Transistor versehene Konstantstromquelle angeschlossen ist, die der Kollektor-Emitter-Strecke des jeweiligen Leistungstransistors für die Dauer eines jeden vom Pulsgeber abgegebenen Impulses einen dem Impulsverlauf entsprechenden Strom einprägt, wobei der vom Pulsgeber abgegebene Impulsverlauf im wesentlichen identisch mit der Hüllkurvenform des zu verstärkenden Hochfrequenzimpulses ist.
  • Ein derartiger Hochfrequenzimpulsverstärker ist in der DE-PS 29 04 011 beschrieben. Bei dieser bekannten Schaltung treten bei der praktischen Realisierung mit diskreten Transistorbauelementen unvermeidbare Leitungslängen der Zuführungsleitungen und damit störende Schaltungsinduktivitäten auf. Diese wiederum bedingen Betriebsspannungen, die im Vergleich zu den theoretisch erreichbaren Werten verhältnismäßig hoch sind, was zu einem schlechteren Wirkungs- grad des gesamten Hochfrequenzverstärkers führt.
  • Aufgabe der Erfindung ist es, eine technisch einfache Maßnahme anzugeben, die ein Arbeiten mit geringeren Betriebsspannungen und damit auch einen besseren Wirkungsgrad des aus der DE-PS 29 04 011 bekannten Hochfrequenz-Impulsverstärkers ermöglicht.
  • Gemäß der Erfindung, die sich auf einen Hochfrequenzverstärker der eingangs genannten Art bezieht, wird diese Aufgabe dadurch gelöst, daß der für die Verstärkung der Hochfrequenzimpulse vorgesehene Leistungstransistor einer Verstärkerstufe und der Transistor der dieser Verstärkerstufe zugeordneten Konstantstromquelle baulich miteinander vereinigt sind. Neben dem Wegfall der sonst störenden Zuleitungsinduktivitäten der Transistoren ergibt sich durch den baulich kompakteren Aufbau eine erhebliche Platzersparnis, so daß sich der Hochfrequenzverstärker mit seiner Konstantstromquelle auf kleinerem Raum aufbauen läßt.
  • Der Hochfrequenz-Leistungstransistor einer Verstärkerstufe und der dieser Stufe zugeordnete Konstantstromquellentransistor lassen sich in vorteilhafter Weise entweder monolithisch oder hybrid in einem Gehäuse integrieren, oder aber auch auf einem gemeinsamen Träger oder Flansch in zwei eng benachbarten Gehäusen anordnen.
  • Die Erfindung wird im folgenden anhand von drei Figuren erläutert.
  • Es zeigen Fig. 1 das Schaltbild einer aus der DE-PS 29 04 011 bekannten Verstärkerstufe mit einer Konstantstromquelle, Fig. 2 als Ausführungsbeispiel die schematisierte Schrägansicht einer Anordnung, bei welcher der Hochfrequenz-Leistungstransistor und der zugeordnete Konstantstromquellentransistor eng benachbart auf einem gemeinsamen Träger angeordnet sind, und Fig. 3 das Anschlußschema der Anordnung nach Fig.2.
  • Fig. 1 zeigt die bekannte Schaltung einer Transistor-Verstärkerstufe 1 für Hochfrequenz-Impulse mit hoher Ausgangsleistung z.B. in einem Sekundärradar-Sender. Der Hochfrequenz-Leistungstransistor 2 ist in Basisschaltung betrieben. Die zu verstärkenden Hochfrequenz-Impulse 3 werden über ein Eingangs-Anpassungsnetzwerk 4 der Emitterseite des Transistors 2 zugeführt. Die verstärkten Hochfrequenz-Impulse 5 werden über ein Ausgangsanpassungsnetzwerk 6 an einem Ausgang 19 abgenommen. Die Betriebsgleichspannungszuführung für den Transistor 2 erfolgt über eine Hochfrequenzdrossel 7 und einen Durchführungskondensator 8.
  • Ein als schaltfester Elektrolytkondensator ausgebildeter Kondensator 9 liefert den notwendigen Impulsstrom für den Sender.
  • Die Verstärkerstufe 1 wird über den Emitter des Transistors 2 mittels einer Steuerleitung 12 strommäßig gesteuert.
  • Die Steuerleitung 12 führt zu einer von einem Pulsgeber 29 getasteten Konstantstromquelle, welche einen Transistor 15 aufweist. Zugeführt wird der Konstantstromquelle aus dem Impulsgeber 29 die impulsförmige Eingangsspannung mit konstantem Impulsdach an einem am Steuereingang 16 liegenden Spannungsteiler 14, dessen Abgriff mit der Basis des Transistors 15 verbunden ist. Bei der Tastung der Steuerschaltung am Eingang 16 wird somit auch der am Emitter mit einem Widerstand 17 und am Kollektor mit einem Widerstand 18 beschaltete Transistor 15 durchgesteuert. Ein konstanter Stromfluß im Kollektor des Transistors 15, der im wesentlichen unabhängig von der Kollektorspannung am Transistor 2 ist, bestimmt wesentlich die am Ausgang 19 ausgekoppelte; Hf-Leistung und wird durch den Emitterwiderstand 17 des Transistors 15 bei einer konstanten Ansteuerung einer Basis erzwungen. Mit "20" ist ein Kondensator und mit "U" die Betriebsspannung für den Transistor 15 bezeichnet. Mit dem Spannungsteiler 14 kann der benötigte Konstantstrom in der Steuerleitung 12 eingestellt werden.
  • Die Konstantstromquelle an der Emitterseite des Hochfrequenzleistungstransistors 2 prägt diesem während eines am Eingang 16 vorliegenden Steuerimpulses einen konstanten Strom ein, wobei die Flanken dieser Impulse je nach Anforderung ausgebildet werden können. Die Hochfrequenz-Transistoransteuerung erfolgt durch Hochfrequenz-Impulse 3 mit geeignet gewählter Impulsform. Der von der Konstantstromquelle über die Steuerleitung 12 abgegebene Impuls bestimmt die Hüllkurve des Hochfrequenz-Impulses 5 am Ausgang 19.
  • Während der Impulsansteuerung über die Konstantstromquelle arbeitet die Verstärkerstufe 1 im A-Betrieb und zieht auch bei hochfrequenzmäßiger Uberlastung stets einen konstant bleibenden Strom. Die Impulsform der Ausgangsleistung der Verstärkerstufe 1 folgt ganz allgemein dem über die Steuerleitung 12 kommenden Impuls der Konstantstromquelle, so daß sich die Flanken der Hochfrequenz-Ausgangsleistungsimpulse hierdurch leicht einstellen lassen.
  • Durch eine Verstellung am Spannungsteiler 14 wird die der Basis des Transistors 15 zugeführte Impulsspannung und damit auch die über die Steuerleitung 12 jeweils abgegebene konstante Stromstärke geändert. Mit dieser Maßnahme ist eine kontinuierliche oder stufenweise Änderung der Ausgangsleistung der Verstärkerstufe 1 bei gleichbleibender Impulsform dieser Ausgangsleistung in einem weiten Bereich möglich. Das Spannungsteilerverhältnis des Teilers 14 läßt sich auch im Rahmen einer AGC-Regelung in Abhängigkeit von einer auszuregelnden Größe einstellen, so daß der Verstärkerstufe 1 z.B. stets eine konstante Ausgangsleistung abgenommen wird.
  • Bei der praktischen Realisierung der in Fig.1 dargestellten Schaltung mit diskreten Transistor-Bauelementen treten unvermeidbare Leitungslängen und damit störende Schaltungsinduktivitäten auf, die zu einer Begrenzung der minimal möglichen Impulsflanke des Hf-Transistors 2 führen. Durch den Spannungsabfall an den Zuleitungsinduktivitäten sind höhere Betriebsspannungen erforderlich, was einen schlechteren Wirkungsgrad des gesamten Senders nach Fig. 1 ergibt.
  • Nach der Erfindung werden deswegen die beiden Transistoren 2 und 15 baulich miteinander vereinigt, z.B. monolithisch oder hybrid in einem Gehäuse integriert oder aber auf einem gemeinsamen Träger oder Flansch in zwei eng benachbarten Gehäusen angeordnet.
  • Fig. 2 zeigt in einer perspektivischen Ansicht die eng benachbarte bauliche Zusammenfassung eines Hochfrequenz-Leistungstransistors 2 und eines Konstantstromquellentransistors 15 in zwei Gehäusen auf einem gemeinsamen Flansch 21 als Ausführungsbeispiel der Erfindung.
  • Fig. 3 zeigt das Anschlußschema der in Fig.2 dargestellten Anordnung. Mit E, B und C sind die Emitter-, Basis- bzw.
  • Kollektoranschlüsse dieser Transistoren gekennzeichnet.
  • 3 Figuren 4 Patentansprüche

Claims (3)

  1. Patentansprüche: Hochfrequenzverstärker, bestehend aus einer in Basis-Schaltung ausgeführten Leistungstransistor-Verstärkerstufe oder aus mehreren solchen in Kette geschalteten Verstärkerstufen, zur Verstärkung von jeweils emitterseitig über ein Eingangsanpassungsnetzwerk eingegebenen Hochfrequenzimpulsen, die verstärkt kollektorseitig über ein Ausgangsanpassungsnetzwerk abgenommen werden und eine vorgegebene Hüllkurvenform aufweisen sollen, auf eine hohe Ausgangsleistung, wobei ebenfalls emitterseitig an jede dieser Verstärkerstufen zusätzlich jeweils eine von einem Pulsgeber gesteuerte, mit einem Transistor versehene Konstantstromquelle angeschlossen ist, die der Kollektor-Emitter-Strecke des jeweiligen Leistungstransistors für die Dauer eines jeden vom Pulsgeber abgegebenen Impulses einen dem Impulsverlauf entsprechenden Strom einprägt, wobei der vom Pulsgeber abgegebene Impulsverlauf im wesentlichen identisch mit der Hüllkurvenform des zu verstärkenden Hochfrequenzimpulses ist, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß der für die Verstärkung der Hochfrequenzimpulse vorgesehene Leistungstransistor (2) einer Verstärkerstufe und der Transistor (15) der dieser Verstärkerstufe zugeordneten Konstantstromquelle baulich miteinander vereinigt sind.
  2. 2. Hochfrequenzverstärker nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die beiden Transistoren monolithisch in einem Gehäuse integriert sind.
  3. 3. Hochfrequenzverstärker nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die beiden Transistoren als hybrid integrierte Schaltungselemente in einem Gehäuse aufgebaut sind.
DE19833319943 1983-06-01 1983-06-01 Hochfrequenz-Impulsverstärker Expired DE3319943C2 (de)

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DE2904011C3 (de) * 1979-02-02 1981-11-26 SIEMENS AG AAAAA, 1000 Berlin und 8000 München Hochfrequenzimpulsverstärker

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