DE10012700A1

DE10012700A1 - Halbleitervorrichtung

Info

Publication number: DE10012700A1
Application number: DE10012700A
Authority: DE
Inventors: Itsuo Hideka
Original assignee: NEC Corp
Current assignee: NEC Corp
Priority date: 1999-03-15
Filing date: 2000-03-15
Publication date: 2001-02-01
Also published as: US20010040274A1; JP2000269211A

Abstract

Zwei Nachbarleitungen (2) sind parallel zu einer Signalleitung (1) in einer Verdrahtungsschicht ausgebildet, in der die Signalleitung (1) ausgebildet ist. Überlappungsleitungen (3, 4), die jeweils entlang Flächen, die durch die Nachbarleitungen (2) umgeben sind, in Verdrahtungsschichten über und unter der Verdrahtungsschicht, in der die Signalleitung (1) und die Nachbarleitung (2) ausgebildet sind, ausgebildet ist. "Gesamtleitungsflächen-Kontaktlöcher" (5, 6) sind entlang der gesamten Fläche der Nachbarleitungen (2) zum Verbinden in einer isolierenden Schicht zwischen den Nachbarleitungen (2) und den Überlappungsleitungen (3, 4) jeder Nachbarleitung (2) mit einer entsprechenden Überlappungsleitung (3, 4) ausgebildet. Die Signalleitungen (1) sind durch die Nachbarleitungen (2); die Überlappungsleitungen (3, 4) und die "Gesamtleitungsflächen-Kontaktlöcher" (5, 6 ganz) abgedeckt. Die Nachbarleitungen (2), die Überlappungsleitungen (3, 4), und die "Gesamtleitungsflächen-Kontaktlöcher" (5, 6) werden auf einem konstanten Potential gehalten oder ihre elektrische Potentiale besitzen die gleiche Phase wie die der Signalleitung (1).

Description

Hintergrund der Erfindung Gebiet der Erfindung

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Halbleitervorrichtung und insbesondere die der Vorrichtung angepasste Leitungsstruktur.

Beschreibung des Stands der Technik

Allgemein ist das Auftreten von Rauschen in einer Halbleitervorrichtung auf die Änderung eines elektrischen Potentials einer Signalleitung, typischerweise einer Taktleitung oder dergleichen, zurückzuführen. Falls ein solches Rauschen infolge des vorgenannten vorkommt, treten auch gegenseitige Beeinflussungen zwischen einer Vielzahl von Signalleitungen auf. Jedes Rauschen könnte die Signalleitungen von außerhalb der Halbleitervorrichtung erreichen. Ein solches Rauschen oder eine gegenseitige Beeinflussung (Nebensprechen) könnte dazu führen, dass die Halbleitervorrichtung nicht richtig funktioniert. Somit ist es eines der wichtigsten Anliegen auf dem Gebiet der Halbleitervorrichtungen, jegliches Rauschen, das von einer Signalleitung ausgeht, am Erreichen einer anderen Signalleitung zu hindern, und jegliches Rauschen, das außerhalb der Halbleitervorrichtung auftritt, am Erreichen irgendeiner der Signalleitungen zu hindern.

In der nicht geprüften japanischen Patentanmeldung KOKAI Veröffentlichungsnummer H 8-274167, wird eine Halbleitervorrichtung vorgeschlagen, wobei eine Taktleitung gegen Rauschen abgeschirmt ist. Fig. 8 ist ein Querschnitt der Struktur einer herkömmlichen Halbleitervorrichtung. Wie in Fig. 8 gezeigt, sind in einer solchen Halbleitervorrichtung die Leitungen 82 und 83, die eine gleich große Querschnittsfläche wie die einer Taktleitung 81 aufweisen, auf beiden Seiten der Taktleitung 81 angeordnet. Die GND-Leitungen (Erdungsleitungen) 85 und 86 sind jeweils über und unter der Fläche angeordnet, die die Taktleitung 81 und die Leitungen 82 und 83 beinhaltet. Die Leitungen 82 und 83 werden mit den GND-Leitungen 85 und 86 jeweils über die Kontaktlöcher 84 verbunden.

In dieser Veröffentlichung wird keine besondere Form der Kontaktlöcher 84 vorgeschlagen. In "Glossary of Semiconductor and IC Terms" (herausgegeben durch Takahiko lida et al., Ohmsha, Ltd., 1980) wird ein Kontaktloch definiert als "ein Loch, welches die oberste und unterste Leiterschicht verbindet, wobei es in der mittleren isolierenden Schicht der Halbleitervorrichtung ausgebildet ist, die eine Mehrfach-Schichtstruktur aufweist". In "Comprehensive Glossary of ULSI Terms" (herausgegeben durch Hirotaka Motoyama, Science Forum Ltd., 1988) ist ein Kontaktloch per Definition "ein Kontaktloch, das in einer Position angeordnet ist, wo Leiterschichten elektrisch miteinander verbunden werden müssen".

In Anbetracht der oben beschriebenen Veröffentlichung und der Definitionen aus den Referenzen, ist mit dem in der Veröffentlichung gezeigten Kontaktloch 84 ein einfaches Loch gemeint, um Leiterschichten zu verbinden. Die Halbleitervorrichtung der Veröffentlichung, wie sie in dem perspektivischen Diagramm der Fig. 9 gezeigt ist, kann so angesehen werden, als dass sie eine Leitungsstruktur aufweist, bei der Schlitze 87 zwischen den Kontaktlöcher 84 ausgebildet sind.

In der oben beschriebenen Veröffentlichung wird beschrieben, dass die Leitungen 82 und 83 und die GND-Leitungen 85 und 86 die einzigen Leitungen sind, die eine Abschirmfunktion der Taktleitung 81 gegen jegliches Rauschen aufweist (Abs. 9 der Veröffentlichung). In der Veröffentlichung werden die Kontaktlöcher 84 als die Leitungen 82 und 83 mit den GND-Leitungen 85 und 86 verbindend beschrieben. Jedoch wurde nicht offenbart, dass die Kontaktlöcher 84 selbst, außer dass sie die Leitungen verbinden, eine gewisse Art von Funktionalität aufweisen.

In einer solchen herkömmlichen Halbleitervorrichtung, die eine Leitungsstruktur, wie in den Fig. 8 und 9 gezeigt, aufweist, entsteht ein Problem dadurch, dass Rauschen von jeder anderen Signalleitung die Signalleitung 81 erreicht, oder dass Rauschen von außerhalb die Signalleitung 81 über die Schlitze 87 zwischen den Kontaktlöchern 84 erreicht. Ein anderes Problem ist, dass das in der Signalleitung 81 auftretende Rauschen jede andere Signalleitung über die Schlitze 87, die zwischen den Kontaktlöcher 84 ausgebildet sind, erreicht.

Zusammenfassung der Erfindung

Dementsprechend ist es eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Halbleitervorrichtung vorzusehen, bei der jedes äußerlich erzeugte Rauschen die in der Vorrichtung beinhalteten Signalleitungen nicht erreicht.

Eine andere Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, eine Halbleitervorrichtung vorzusehen, bei der eine in irgendeiner anderen Leitung auftretende gegenseitige Beeinflussung, die als Resultat eines in einer Signalleitung erzeugten Rauschens auftritt, verhindert werden kann.

Um die oben beschriebenen Aufgaben zu lösen, ist gemäß dem ersten Aspekt der vorliegenden Erfindung eine Halbleitervorrichtung vorgesehen, die Mehrfachverdrahtungsebenen aufweist, wobei die Vorrichtung umfasst:
eine Signalleitung, die in einer Verdrahtungsschicht ausgebildet ist, und an die eine Signalspannung angelegt ist;
zwei Nachbarleitungen, die so zu der Signalleitung benachbart sind, dass sie nicht mit dieser verbunden sind, und die in einer Verdrahtungsschicht ausgebildet sind, in der die Signalleitung ausgebildet ist;
zwei Überlappungsleitungen, die jeweils in Verdrahtungsebenen ausgebildet sind, wobei sich jede via einer isolierenden Schicht über oder unter der Verdrahtungsschicht, in der die Signalleitung und die Nachbarleitungen ausgebildet sind, befindet, und die entlang einer Oberfläche ausgebildet sind, die einer Fläche entspricht, die von den zwei Nachbarleitungen umgeben ist; und
eine Vielzahl von "entlang gesamter Leitungsflächen ausgebildeter Kontaktlöcher" (nachfolgend als "Gesamtleitungsflächen-Kontaktlöcher" bezeichnet), die jeweils die isolierenden Schichten entlang einer gesamten Fläche der zwei Nachbarleitungen durchdringen, die zwischen den Nachbarleitungen und den zwei Überlappungsleitungen ausgebildet sind, und die jeweils elektrisch die zwei Nachbarleitungen und die zwei Überlappungsleitungen verbinden.

In der Halbleitervorrichtung gemäß dem ersten Aspekt der vorliegenden Erfindung, ist die Signalleitung, an die eine Signalspannung angelegt ist, von zwei Nachbarleitungen, die dazu benachbart sind, von zwei Überlappungsleitungen und den "Gesamtleitungsflächen-Kontaktlöchern" umgeben. In Anbetracht dessen wird jedes Rauschen, das als Ergebnis einer Änderung der Signalspannung auftritt und durch die Signalleitung erzeugt wird, durch die Nachbarleitungen, die Überlappungsleitungen und die "Gesamtleitungsflächen-Kontaktlöcher" abgeschnitten, so dass eine Übertragung nach aussen verhindert wird. Somit kann in der Halbleitervorrichtung die gegenseitige Beeinflussung verhindert werden, die als Ergebnis des Rauschens der Signalleitung auftritt, das einen unerwünschten Einfluss auf jede andere Signalleitung hat.

Jedes Rauschen, das durch eine andere Signalleitung als durch die Signalleitung, die in der Halbleitervorrichtung gemäß dem ersten Aspekt der vorliegenden Erfindung enthalten ist, ausgestrahlt wird, oder das durch einen außerhalb des Halbleitervorrichtung angeordneten elektronischen Schaltkreises ausgestrahlt wird, kann durch die Nachbarleitungen, die Überlappungsleitungen und die "Gesamtleitungsflächen-Kontaktlöcher" ausgeschaltet werden. Zusätzlich wird die Signalleitung gegen solches Rauschen abgeschirmt. Somit wird die oben beschriebene Halbleitervorrichtung vor jedem Fehler behütet, der durch das äußerlich erzeugte Rauschen verursacht wird.

In der Halbleitervorrichtung gemäß dem ersten Aspekt der vorliegenden Erfindung können die Nachbarleitungen im wesentlichen parallel zu der Signalleitung ausgebildet sein.

In der Halbleitervorrichtung gemäß dem ersten Aspekt der vorliegenden Erfindung können elektrische Potentiale der zwei Nachbarleitungen, der zwei Überlappungsleitungen und der "Gesamtleitungsflächen-Kontaktlöcher" auf einem vorbestimmten Wert gehalten werden oder können eine gleiche Phase wie eine Phase eines elektrischen Potentials der Signalleitung aufweisen.

Um die oben beschriebenen Aufgaben gemäß dem zweiten Aspekt der vorliegenden Erfindung zu lösen, ist eine Halbleitervorrichtung vorgesehen, die Mehrfachverdrahtungsschichten aufweist, wobei die Vorrichtung aufweist:
eine Vielzahl von Signalleitungen, die so ausgebildet sind, dass sie sich in einer identischen Verdrahtungsebene nicht gegenseitig überlappen, und an die Signalspannungen angelegt sind, die eine gleiche Phase besitzen;
zwei Nachbarleitungen, die so benachbart auf beiden Seiten der Vielzahl von Signalleitungen ausgebildet sind, das sie nicht mit diesen verbunden sind, und die in der Verdrahtungsschicht ausgebildet sind, in der die Vielzahl der Signalleitungen ausgebildet ist;
zwei Überlappungsleitungen, die in einer Verdrahtungsschicht ausgebildet sind, wobei sich jede über isolierende Schichten über oder unter der Verdrahtungsschicht befindet, in der die Vielzahl der Signalleitungen und die beiden Nachbarleitungen ausgebildet sind, und die entlang einer Oberfläche ausgebildet sind, die einer Fläche entspricht, die durch die zwei Nachbarleitungen umgeben ist; und
eine Vielzahl von "Gesamtleitungsflächen-Kontaktlöchern", die jeweils isolierende Schichten entlang gesamter Flächen der zwei Nachbarleitungen durchdringen, die zwischen den Nachbarleitungen und den zwei Überlappungsleitungen ausgebildet sind, und die jeweils elektrisch die zwei Nachbarleitungen mit den zwei Überlappungsleitungen verbinden.

In der Halbleitervorrichtung gemäß dem zweiten Aspekt der vorliegenden Erfindung, können elektrische Potentiale der zwei Nachbarleitungen, der zwei Überlappungsleitungen und der "Gesamtleitungsflächen-Kontaktlöcher" auf einem vorbestimmten Wert gehalten werden oder können eine gleiche Phase wie eine Phase eines elektrischen Potentials der Signalleitung besitzen.

Um die oben beschriebenen Aufgaben gemäß dem dritten Aspekt der vorliegenden Erfindung zu lösen, ist eine Halbleitervorrichtung vorgesehen, die Mehrfachverdrahtungsebenen aufweist, wobei die Vorrichtung umfasst:
eine Vielzahl von Signalleitungen, die parallel zueinander in einer identischen Verdrahtungsschicht ausgebildet sind, und an die Signalspannungen mit unterschiedlichen Phasen angelegt sind;
zwei erste Nachbarleitungen, die jeweils so benachbart zu zwei äußeren Signalleitungen der Vielzahl der Signalleitungen ausgebildet sind, dass sie nicht mit diesen verbunden sind, und die in der Verdrahtungsschicht ausgebildet sind, in der die Vielzahl der Signalleitungen ausgebildet ist;
mindestens eine zweite Nachbarleitung, die in der Verdrahtungsschicht, in der die Vielzahl der Signalleitungen ausgebildet ist, zwischen der Vielzahl der Signalleitungen so ausgebildet ist, dass sie nicht mit der Vielzahl der Signalleitungen verbunden ist;
zwei Überlappungsleitungen, wobei jede in einer Verdrahtungsschicht ausgebildet ist, die sich via einer isolierenden Schicht über oder unter der Verdrahtungsschicht befindet, in der die Signalleitungen und die erste Nachbarleitung ausgebildet sind, und wobei jede entlang einer Oberfläche angeordnet ist, die einer Fläche entspricht, die durch die zwei ersten Nachbarleitungen umgeben ist; und
"Gesamtleitungsflächen-Kontaktlöcher", die jeweils isolierende Schichten durchdringen, die zwischen den ersten und zweiten Nachbarleitungen und den zwei Überlappungsleitungen entlang Gesamtflächen der ersten und zweiten Nachbarleitungen ausgebildet sind, und die jeweils die ersten und zweiten Nachbarleitungen elektrisch mit den zwei Überlappungsleitungen verbinden.

Bei der Halbleitervorrichtung gemäß dem dritten Aspekt der vorliegenden Erfindung wird bevorzugt, dass elektrische Potentiale der ersten und zweiten Nachbarleitungen, der zwei Überlappungsleitungen und der "Gesamtleitungsflächen-Kontaktlöcher" auf einem vorbestimmten Wert gehalten werden.

Um die oben beschriebenen Aufgaben gemäß dem vierten Aspekt der vorliegenden Erfindung zu lösen, ist eine Halbleitervorrichtung vorgesehen, die Mehrfachverdrahtungsschichten aufweist, wobei die Vorrichtung umfasst:
eine Vielzahl von Signalleitungen, die sich nicht gegenseitig in unterschiedlichen Verdrahtungsschichten überlappen, und an die Signale mit der gleichen Phase angelegt sind;
eine Vielzahl von Nachbarleitungen, wobei jedes Paar benachbart auf beiden Seiten der Vielzahl von Signalleitungen so ausgebildet ist, dass es mit diesen in den Verdrahtungsschichten, in denen die Vielzahl von Signalleitungen ausgebildet ist, nicht verbunden ist;
zwei Überlappungsleitungen, wobei jede in einer Schicht unter einer tiefsten Verdrahtungsschicht, in der die Vielzahl der Signalleitungen ausgebildet ist, oder in einer Schicht über einer höchsten Verdrahtungsschicht ausgebildet ist, in der die Vielzahl der Signalleitungen ausgebildet ist, und die entlang einer Oberfläche ausgebildet sind, die einer Fläche entspricht, die durch die Vielzahl der Nachbarleitungen umgeben ist, die an den beiden äußersten Seiten der Vielzahl der Signalleitungen ausgebildet sind;
eine Vielzahl von ersten "Gesamtleitungsflächen-Kontaktlöcher", die entlang einer gesamten Fläche der Nachbarleitungen eine isolierende Schicht durchdringen, die zwischen den Nachbarleitungen und den zwei Überlappungsleitungen angeordnet sind, und die die Nachbarleitungen mit den zwei Überlappungsleitungen elektrisch verbinden; und
eine Vielzahl von zweiten "Gesamtleitungsflächen-Kontaktlöcher", die eine isolierende Schicht entlang der gesamten Fläche der Nachbarleitungen durchdringen, die zwischen den Nachbarleitungen angeordnet ist, und die die Nachbarleitungen elektrisch miteinander verbindet.

Bei der Halbleitervorrichtung gemäß dem vierten Aspekt der vorliegenden Erfindung sind elektrische Potentiale der Nachbarleitungen, der zwei Überlappungsleitungen und ein oder mehrere erste und zweite "Gesamtleitungsflächen-Kontaktlöcher" auf einem vorbestimmten Wert gehalten, oder könnten eine gleiche Phase wie eine Phase eines elektrischen Potentials der Signalleitungen besitzen.

Um die oben beschriebenen Aufgaben gemäß dem fünften Aspekt der vorliegenden Erfindung zu lösen, ist eine Halbleitervorrichtung vorgesehen, die Mehrfachverdrahtungsschichten aufweist, wobei die Vorrichtung umfasst:
eine Vielzahl von Signalleitungen, die in unterschiedlichen Verdrahtungsschichten ausgebildet sind, und an die jeweils Signalspannungen angelegt sind;
eine Vielzahl von ersten Nachbarleitungen, wovon jedes Paar jeweils benachbart auf beiden Seiten einer der Vielzahl der Signalleitungen, die in einer identischen Schicht ausgebildet sind, entweder in einer tiefsten oder höchsten Verdrahtungsschicht ausgebildet ist, in der die Vielzahl der Signalleitungen ausgebildet sind, wobei sie nicht mit einer der Vielzahl von Signalleitungen verbunden ist;
zwei erste Überlappungsleitungen, wobei jede entweder in einer Verdrahtungsschicht unter der tiefsten Verdrahtungsschicht der Signalleitungen oder über der höchsten Verdrahtungsschicht der Signalleitungen ausgebildet ist, und jede entlang einer Oberfläche ausgebildet ist, die einer Fläche entspricht, die durch die Paare der Nachbarleitungen auf beiden Seiten einer entsprechenden Signalleitung der Vielzahl der Signalleitungen umfaßt wird, die entweder in der tiefsten oder höchsten Verdrahtungsschicht der Signalleitungen ausgebildet ist;
eine zweite Überlappungsleitung, die in einer Verdrahtungsschicht zwischen den Verdrahtungsschichten der Signalleitungen ausgebildet ist, und die entlang einer Oberfläche ausgebildet ist, die mindestens einer Fläche entspricht, die durch das Paar der Nachbarleitungen umschlossen wird;
eine Vielzahl von ersten "Gesamtleitungsflächen-Kontaktlöchern", die isolierende Schichten entlang gesamter Flächen der Nachbarleitungen durchdringen, die jeweils zwischen den Nachbarleitungen und den ersten Überlappungsleitungen ausgebildet sind, um dadurch die Nachbarleitungen mit den ersten Überlappungsleitungen elektrisch zu verbinden; und
eine Vielzahl von zweiten "Gesamtleitungsflächen-Kontaktlöchern", die isolierende Schichten entlang gesamter Flächen der Nachbarleitungen durchdringen, die jeweils zwischen den Nachbarleitungen und den zweiten Überlappungsleitungen ausgebildet sind, um dadurch die Nachbarleitungen mit den zweiten Überlappungsleitungen elektrisch zu verbinden.

Bei der Halbleitervorrichtung gemäß dem fünften Aspekt der vorliegenden Erfindung können Signalspannungen, die ausser Phase sind, an die Vielzahl der Signalleitungen angelegt sein.

In einem solchen Fall, wird es bevorzugt, dass elektrische Potentiale der ersten und zweiten Nachbarleitungen, der ersten und zweiten Überlappungsleitungen und der ersten und zweiten "Gesamtleitungsflächen- Kontaktlöcher" die gleiche Phase wie ein elektrisches Potential der Signalleitungen besitzen.

In der Halbleitervorrichtung gemäß dem fünften Aspekt der vorliegenden Erfindung können die Signalleitungen, die in unterschiedlichen Verdrahtungsschichten ausgebildet sind, die aneinander grenzen, sich gegenseitig überlappen (kreuzen).

In der Halbleitervorrichtung gemäß dem zweiten bis fünften Aspekt der vorliegenden Erfindung ist (sind) die Signalleitung(en) von den Nachbarleitungen, die daran angrenzen, den Überlappungsleitungen und den "Gesamtleitungsflächen- Kontaktlöchern" umgeben. Somit, ähnlich wie in der Halbleitervorrichtung gemäß dem ersten Aspekt der vorliegenden Erfindung, kann in der Halbleitervorrichtung gemäß dem zweiten bis fünften Aspekt der vorliegenden Erfindung eine gegenseitige Beeinflussung, die sich zwischen den Signalleitungen ereignet, und ein Fehler, der durch das ausgestrahlte und von ausserhalb der Halbleitervorrichtung verursachtes Rauschen auftritt, verhindert werden.

Um die oben beschriebenen Aufgaben gemäß dem sechsten Aspekt der vorliegenden Erfindung zu lösen, ist eine Halbleitervorrichtung vorgesehen, die eine Struktur aufweist, in der eine Signalleitung, an die eine Signalspannung angelegt ist, von einem oder mehreren Leitern oder Halbleitern ganz umgeben ist, an die eine Spannung angelegt ist, deren elektrisches Potential auf einen vorbestimmten Wert eingestellt ist.

Um die oben beschriebenen Aufgaben gemäß dem siebten Aspekt der vorliegenden Erfindung zu lösen, ist eine Halbleitervorrichtung vorgesehen, die eine Struktur aufweist, in der eine Signalleitung, an die eine Signalspannung angelegt ist, von einem oder mehreren Leitern oder Halbleitern ganz umgeben ist, an die eine Spannung angelegt ist, an die eine Spannung angelegt wird, deren elektrisches Potential eine gleiche Phase wie die Phase der Signalleitung besitzt.

Kurze Beschreibung der Zeichnungen

Diese und andere Aufgaben und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden durch das Lesen der folgenden detaillierten Beschreibung und der begleitenden Zeichnungen deutlicher werden, in denen:

Fig. 1 ein perspektivisches Diagramm ist, das die Leitungsstruktur einer Halbleitervorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt;

Fig. 2 ein Querschnitt der beispielhaften Schichtstruktur der Halbleitervorrichtung gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist;

Fig. 3 ein perspektivisches Diagramm ist, das die Leitungsstruktur einer Halbleitervorrichtung gemäß einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt;

Fig. 4 ein perspektivisches Diagramm ist, das die Leitungsstruktur einer Halbleitervorrichtung gemäß einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt;

Fig. 5 ein perspektivisches Diagramm ist, das die Leitungsstruktur einer Halbleitervorrichtung gemäß einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt;

Fig. 6 ein perspektivisches Diagramm ist, das die Leitungsstruktur einer Halbleitervorrichtung gemäß einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt;

Fig. 7 ein perspektivisches Diagramm ist, das die Leitungsstruktur einer Halbleitervorrichtung gemäß einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt;

Fig. 8 ein Querschnitt ist, der die Leitungsstruktur einer herkömmlichen Halbleitervorrichtung zeigt; und

Fig. 9 ein Querschnitt ist, der die Leitungsstruktur einer herkömmlichen Halbleitervorrichtung zeigt.

Detaillierte Beschreibung der bevorzugten Ausführungsformen

Bevorzugte Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung werden nun mit Bezug auf die beigefügten Zeichnungen erklärt werden.

Fig. 1 ist ein perspektivisches Diagramm, das die Leitungsstruktur einer Halbleitervorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt. Fig. 2 ist ein Querschnitt, der exemplarisch die Schichtstruktur der Halbleitervorrichtung gemäß dieser Ausführungsform darstellt.

Die Halbleitervorrichtung weist eine Mehrfachschichtstruktur auf, in der Verdrahtungsschichten, die jeweils aus einem Halbleiter oder Leiter gebildet sind, und isolierende Schichten, die jeweils aus einem Isolator gebildet sind, hierarchisch angeordnet sind. Bei diesem wie in Fig. 1 gezeigten Typ der Halbleitervorrichtung sind zwei Nachbarleitungen 2, die parallel zu und auf beiden Seiten einer Signalleitung 1 ausgebildet sind, in einer identischen Verdrahtungsschicht L1 als Übertragungsweg ausgebildet, der ein Taktsignal oder irgendein anderes Signal durch die Signalleitung 1 befördert. Überlappungsleitungen 3 und 4 sind entlang einer Fläche, in der die Signalleitung 1 und die Nachbarleitungen 2 ausgebildet sind, jeweils in Verdrahtungsschichten L3 und L4 ausgebildet, die sich jeweils, über isolierende Schichten L5 und L6, über oder unter der Signalleitung 1 und den Nachbarleitungen 2 befinden.

"Gesamtleitungsflächen-Kontaktlöcher" 5 und 6, die zur Verbindung der Nachbarleitungen 2 mit den Überlappungsleitungen 3 und 4 benutzt werden, sind zwischen den Nachbarleitungen 2 und den Überlappungsleitungen 3 und 4 in den isolierenden Schichten L5 und L6 ausgebildet. Jedes der "Gesamtleitungsflächen- Kontaktlöcher" 5 und 6 besteht aus einem Leiter oder einem Halbleiter. Die "Gesamtleitungsflächen-Kontaktlöcher" 5 und 6 werden entlang den gesamten Nachbarleitungen 2 angeordnet und verbinden elektrisch die Nachbarleitungen 2 mit den Überlappungsleitungen 3 und 4. Die Nachbarleitungen 2, die Überlappungsleitungen 3 und 4 und die "Gesamtleitungsflächen-Kontaktlöcher" 5 und 6 decken die Signalleitung 1 koaxial ab.

Ein Ende der Signalleitung 1 ist mit einem Schaltkreis, wie beispielsweise einem taktimpluserzeugenden Schaltkreis oder einem ähnlichem verbunden, der eine Signalspannung erzeugt. Das elektrische Potential der Signalleitung 1 variiert in Reaktion auf die Erzeugung der Signalspannung. Die Nachbarleitungen 2, die Überlappungsleitungen 3 und 4 und die "Gesamtleitungsflächen-Kontaktlöcher" 5 und 6 sind so miteinander verbunden, dass sie alle auf dem gleichen elektrischen Potential liegen. Beispielsweise wird das Potential auf dem Niveau der Versorgungsspannung oder dem Erdungsniveaus gehalten (0 V).

Die Nachbarleitungen 2, die Überlappungsleitungen 3 und 4 und die "Gesamtleitungsflächen-Kontaktlöcher" 5 und 6, die alle zusammen die Signalleitungen 1 koaxial abdecken, können jede andere Leitung überlappen, die in einer Schicht ausgebildet ist, die sich neben den Schichten L3 bis L4 befindet.

Die Halbleitervorrichtung gemäß dieser Ausführungsform wird nun in Form solcher Funktionen beschrieben werden, die aufgrund ihrer in Fig. 1 gezeigten Leitungsstruktur als (1) eine Funktion zur Handhabung von Rauschen, das in der Signalleitung 1 auftritt, und (2) eine Funktion zur Handhabung von Rauschen beschrieben werden, das in irgendeiner anderen Signalleitung oder einer externen Leitung auftritt.

(1) Eine Funktion zur Handhabung von Rauschen, das in der Signalleitung 1 auftritt

Falls eine Signalspannung variiert, die ein signalspannungserzeugender Schaltkreis erzeugt, variiert das elektrische Potential der Signalleitung 1. Dies resultiert in einem darin erzeugten Rauschen. Das Rauschen, das in der Signalleitung 1 auftritt, wird in die Peripherie der Signalleitung 1 ausgestrahlt. Jedoch ist die Peripherie der Signalleitung 1 gegen ein solches Rauschen abgeschirmt, da es durch die Nachbarleitungen 2, die Überlappungsleitungen 3 und 4 und die "Gesamtleitungsflächen-Kontaktlöcher" 5 und 6 total abgeschirmt ist. Also strahlt das Rauschen, das sich in der Signalleitung 1 ereignet, nicht nach außerhalb der Nachbarleitungen 2, der Überlappungsleitungen 3 und 4 und den "Gesamtleitungsflächen-Kontaktlöchern" 5 und 6, wodurch das Rauschen am Erreichen irgendeiner anderen Signalleitung gehindert wird.

(2) Eine Funktion zur Handhabung von Rauschen, das in irgendeiner anderen Signalleitung neben der Signalleitung 1 oder in einer externen Leitung auftritt

Ebenso wie in Signalleitung 1 variiert das elektrische Potential irgendeiner anderen Signalleitung, die in der Halbleitervorrichtung beinhaltet ist, was im Erzeugen von Rauschen resultiert. Das Rauschen, das in anderen Signalleitungen entsteht, wird in Richtung der Signalleitung 1 ausgestrahlt. Das Rauschen, das von einem elektronischen Schaltkreis erzeugt wird, der sich außerhalb der Halbleitervorrichtung befindet, wird ebenfalls in Richtung der Signalleitung 1 ausgestrahlt.

Ein solches in Richtung der Signalleitung 1 ausgestrahltes Rauschen wird durch die Nachbarleitungen 2, die Überlappungsleitungen 3 und 4 und die "Gesamtleitungsflächen-Kontaktlöcher" 5 und 6 komplett abgefangen, die die Peripherie der Signalleitung 1 abdecken, so dass es am Erreichen der Signalleitung 1 gehindert wird. Das Rauschen, das in anderen Signalleitungen als der Signalleitung 1 der Halbleitervorrichtung oder durch den elektronischen Schaltkreis, der sich außerhalb der Halbleitervorrichtung befindet, auftritt, erreicht also nicht die Signalleitung 1, was die Einwirkung auf das elektrische Potential ausschließt.

Wie oben erklärt wird in einer Halbleitervorrichtung gemäß dieser Ausführungsform die Signalleitung 1 komplett durch die Nachbarleitungen 2, die Überlappungsleitungen 3 und 4 und die "Gesamtleitungsflächen-Kontaktlöcher" 5 und 6 abgedeckt. So wird verhindert, dass die Signalleitung 1 Rauschen aus irgendeiner anderen Signalleitung oder einem externen Schaltkreis empfängt. Das Rauschen, das in Signalleitung 1 auftritt, wird nicht nach außerhalb der Nachbarleitungen 2, der Überlappungsleitungen 3 und 4 und der "Gesamtleitungsflächen-Kontaktlöcher" 5 und 6 übertragen, was darin resultiert, dass das Ereignis der gegenseitigen Beeinflussung zwischen der Signalleitung 1 und irgendeiner anderen Signalleitung verhindert wird.

In der oben beschriebenen Ausführungsform werden die Nachbarleitungen 2, die Überlappungsleitungen 3 und 4 und die "Gesamtleitungsflächen-Kontaktlöcher" 5 und 6 auf einem konstanten Potential gehalten. Jedoch im Falle, dass die oben beschriebene Leitungsstruktur in einer Halbleitervorrichtung angewandt wird, die die oben beschriebenen Signalleitungen in ihrer Gesamtheit aufweisen, könnte das elektrische Potential der Nachbarleitungen 2, der Überlappungsleitungen 3 und 4 und der "Gesamtleitungsflächen-Kontaktlöcher" 5 und 6, die alle die Signalleitung 1 umgeben, auf einem elektrischen Potential sein, das die gleiche Phase wie das der Signalleitung 1 besitzt.

In der oben beschriebenen Ausführungsform sind die Nachbarleitungen 2 parallel zur Signalleitung 1 ausgebildet, und benachbart zu dieser auf beiden Seiten. Jedoch müssen die Nachbarleitungen 2 nicht parallel zur Signalleitung 1 ausgebildet sein, solange sie sich nicht mit der Signalleitung 1 überlappen, und die Signalleitung 1 zusammen mit den Überlappungsleitungen 3 und 4 und den "Gesamtleitungsflächen-Kontaktlöcher" 5 und 6 komplett abdecken.

In der oben beschriebenen Ausführungsform wurden Erklärungen bezüglich der Halbleitervorrichtung gemacht, die die Leitungsstruktur aufweist, in der die einzelne Signalleitung 1 komplett durch die Nachbarleitungen 2, die Überlappungsleitungen 3 und 4 und die "Gesamtleitungsflächen-Kontaktlöcher" 5 und 6 abgedeckt ist. Jedoch könnte eine Vielzahl von Signalleitungen 1 parallel zueinander in der gleichen Schicht ausgebildet sein. Die Leitungsstruktur, die später erklärt werden wird, könnte in der Halbleitervorrichtung angewandt werden, abhängig davon, ob Signale, die an die Vielzahl der Signalleitungen geliefert werden, die in der gleichen Schicht ausgebildet sind, eine gleiche Phase besitzen.

Fig. 3 ist ein Diagramm, das die Leitungsstruktur der Halbleitervorrichtung veranschaulicht, die in einer identischen Schicht eine Vielzahl von Signalleitungen aufweist, an die Signale mit gleicher Phase geliefert werden. In der in Fig. 3 veranschaulichten Halbleitervorrichtung werden zwei Signalleitungen 11a und 11b, die parallel zueinander ausgebildet sind, durch Nachbarleitungen 2, Überlappungsleitungen 3 und 4 und "Gesamtleitungsflächen-Kontaktlöcher" 5 und 6 abgedeckt. Rauschen, das in den Signalleitungen 11a und 11b auftritt, wird also nicht nach außerhalb solcher Leitungen übertragen, wobei zur gleichen Zeit die Signalleitungen 11a und 11b gegen jedes Rauschen, das von außerhalb übertragen wird, abgeschirmt sind. In einem solchen Fall können sich die Nachbarleitungen 2, die Überlappungsleitungen 3 und 4 und die "Gesamtleitungsflächen-Kontaktlöcher" 5 und 6 auf einem konstanten Potential befinden, beispielsweise auf dem Niveau der Versorgungsspannung oder dem Erdungsniveaus, oder ihre elektrischen Potentiale können dieselbe Phase wie die elektrischen Potentiale der Signalleitungen 31a und 32b besitzen.

Fig. 4 ist ein Diagramm, das die Leitungsstruktur der Halbleitervorrichtung veranschaulicht, die in einer identischen Verdrahtungsschicht eine Vielzahl von Signalleitungen aufweist, an die Signale geliefert werden, die untereinander ausser Phase sind. In der in Fig. 4 veranschaulichten Halbleitervorrichtung werden zwei Signalleitungen 21a und 21b parallel zueinander in einer identischen Schicht ausgebildet.

In diesem Fall wird dazwischen eine Nachbarleitung 25 ausgebildet, die den Signalleitungen 21a und 21b gemeinsam ist, und Nachbarleitungen 2a und 2b werden jeweils aussen neben den Signalleitungen 21a und 21b ausgebildet. Überlappungsleitungen 33 und 34 werden entlang der gesamten Fläche, in der die Signalleitungen 21a und 21b, die Nachbarleitungen 22, 2a und 2b angeordnet sind, bzw. in Verdrahtungsebenen ausgebildet, die sich jeweils über oder unter solchen Signalleitungen und Nachbarleitungen befinden. "Gesamtleitungsflächen- Kontaktlöcher" 22, 26, 5a, 6a, 5b und 6b werden entlang der gesamten Fläche, wo die Nachbarleitungen 25, 2a und 2b angeordnet sind, jeweils zwischen den Nachbarleitungen 25, 2a, 2b und den Überlappungsleitungen 33 und 34 ausgebildet. Die Nachbarleitungen 25, 2a und 2b werden also elektrisch mit den Überlappungsleitungen 33 und 34 verbunden.

Die Signalleitung 21a ist von den Nachbarleitungen 2a und 2b, den Überlappungsleitungen 33 und 34 und den "Gesamtleitungsflächen-Kontaktlöcher" 22, 26, 5a und 6a umgeben. Die Signalleitung 21b ist von den Nachbarleitungen 22 und 2b, den Überlappungsleitungen 33 und 34 und den "Gesamtleitungsflächen- Kontaktlöcher" 25, 26, 5b und 6b umgeben. In einer solchen Leitungsstruktur wird Rauschen, das in den Signalleitungen 21a und 21b auftritt, nicht nach außen übertragen, und zur selben Zeit sind die Signalleitungen 2a und 2b gegen jedes Rauschen, das außerhalb der Leitung erzeugt wird, abgeschirmt. In dieser Halbleitervorrichtung kann das Potential der Nachbarleitung 2a und 2b, der Überlappungsleitung 33 und 34 und der "Gesamtleitungsflächen-Kontaktlöcher" 5a, 5b, 6a, 6b und 25 auf einem konstanten Potential, beispielsweise auf dem Niveau der Spannungsversorgung oder dem Erdungsniveau, gehalten werden.

In der oben beschriebenen Ausführungsform wird jede Signalleitung, die in einer zur Verdrahtungsschicht, wo die Signalleitung 1 ausgebildet ist, unterschiedlichen Verdrahtungsschicht ausgebildet ist, nicht im besonderen erwähnt. In der Halbleitervorrichtung, die eine Vielzahl von Signalleitungen in einer Vielfalt von Verdrahtungsebenen aufweist, kann eine Leitungsstruktur, die später beschrieben werden wird, in Abhängigkeit davon angewandt werden, ob die Signalleitungen parallel zueinander oder sich überlappend ausgebildet sind, oder ob die Signalpotentiale der Signalleitungen die gleiche Phase besitzen.

Fig. 5 ist ein Diagramm, das die Struktur der Halbleitervorrichtung zeigt, in der Signalleitungen in zahlreichen, zueinander parallelen Verdrahtungsebenen ausgebildet sind, und in der die jeweils an die Signalleitungen gelieferten Potentiale die gleiche Phase besitzen. In der in Fig. 5 veranschaulichten Halbleitervorrichtung werden zwei Signalleitungen 31a und 31b parallel zueinander in angrenzenden Verdrahtungsschichten ausgebildet.

In den angrenzenden Verdrahtungsschichten, in denen die zwei Signalleitungen 31a und 31b ausgebildet sind, sind zwei Paare von Nachbarleitungen 32a und 32b jeweils auf beiden Seiten der Signalleitungen 31a und 31b und parallel zu den Signalleitungen 31a und 31b ausgebildet. Die Überlappungsleitungen 43 und 44 sind in Flächen, die jeweils von den zwei Paaren der Nachbarleitungen 32a und 32b umgeben sind, bzw. in Verdrahtungsschichten über und unter den zwei Paaren der Nachbarleitungen 32a und 32b ausgebildet. Die "Gesamtleitungsflächen-Kontaktlöcher" 35 und 36 sind so entlang der gesamten Fläche der Nachbarleitungen 32a und 32b angeordnet, dass sie die isolierenden Schichten durchdringen, die sich jeweils zwischen den Nachbarleitungen 32a und 32b und den Überlappungsleitungen 43 und 44 befinden. Die "Gesamtleitungsflächen-Kontaktlöcher" 37 sind so entlang der gesamten Flächen der Nachbarleitungen 32a und 32b angeordnet, dass sie die isolierenden Schichten durchdringen, die sich jeweils zwischen den Nachbarleitungen 32a und 32b befinden.

Die Signalleitungen 31a und 31b sind von den Nachbarleitungen 32a und 32b, den Überlappungsleitungen 43 und 44 und den "Gesamtleitungsflächen- Kontaktlöchern" 35 bis 37 umgeben. In einer solchen Struktur wird jedes Rauschen, das sich in den Signalleitungen 31a und 31b ereignet, am Aussenden gehindert. Außerdem erreicht kein Rauschen, das sich außerhalb ereignet hat, die Signalleitungen 31a und 31b. Die Nachbarleitungen 32a und 32b, die Überlappungsleitungen 43 und 44 und die "Gesamtleitungsflächen-Kontaktlöcher" 35 bis 37 können auf einem konstanten Potential, beispielsweise auf dem Niveau der Versorgungsspannung oder dem Erdungsniveau, gehalten werden oder ihre elektrischen Potentiale können die selbe Phase wie die Potentiale der Signalleitungen 31a und 31b besitzen.

Fig. 6 ist ein Diagramm, das die Struktur einer Halbleitervorrichtung zeigt, wobei Signalleitungen in unterschiedlichen Verdrahtungsschichten parallel zueinander ausgebildet sind, und an die Signalleitung zu liefernde Signalpotentiale außer Phase sind. In der in Fig. 6 veranschaulichten Halbleitervorrichtung werden zwei Signalleitungen 41a und 41b parallel zueinander in unterschiedlichen Verdrahtungsschichten ausgebildet.

In den Verdrahtungsschichten, in denen die zwei Signalleitungen 41a und 41b ausgebildet sind, werden jeweils auf beiden Seiten der Signalleitungen 41a und 41b zwei Paare von Nachbarleitungen 42a und 42b ausgebildet. Überlappungsleitungen 53 und 54 werden jeweils in Flächen, die jeweils durch die zwei Paare von Nachbarleitungen 42a und 42b umgeben sind, in Verdrahtungsschichten über der Nachbarleitung 42a und unter der Nachbarleitung 42b ausgebildet. In einer Verdrahtungsschicht, die zwischen der Verdrahtungsschicht, in der die Signalleitung 41a ausgebildet ist, und der Verdrahtungsschicht, in der die Signalleitung 41b ausgebildet ist, angeordnet ist, wird eine Überlappungsleitung 55 in einer der Fläche, die umgeben ist von den Nachbarleitungen 42a und 42b, entsprechenden Weise ausgebildet.

"Gesamtleitungsflächen-Kontaktlöcher" 45 und 46 sind so entlang der gesamten Fläche der Nachbarleitungen 42a und 42b angeordnet, dass sie die sich jeweils zwischen den Nachbarleitungen 42a und 42b und den Überlappungsleitungen 53 und 54 befindlichen isolierenden Schichten durchdringen. "Gesamtleitungsflächen-Kontaktlöcher" 47 und 48 werden so entlang der gesamten Fläche der Nachbarleitungen 42a und 42b angeordnet, dass sie die sich jeweils zwischen den Nachbarleitungen 42a und 42b und der Überlappungsleitung 55 befindlichen isolierenden Schichten durchdringen.

Die Signalleitung 41a ist umgeben von der Nachbarleitung 42a, den Überlappungsleitungen 53 und 55 und den "Gesamtleitungsflächen-Kontaktlöchern" 45 und 47. Die Signalleitung 41 ist umgeben von der Nachbarleitung 42b, den Überlappungsleitungen 54 und 55 und den "Gesamtleitungsflächen-Kontaktlöchern" 46 und 48. In einer solchen Struktur wird kein Rauschen, das in den Signalleitungen 41a und 41b erzeugt wird, von dort heraus übertragen. Außerdem sind die Signalleitungen 41a und 41b gegen Rauschen abgeschirmt, das außerhalb der Leitungen erzeugt wird. Die Nachbarleitungen 42a und 42b, die Überlappungsleitung 53 bis 55 und "Gesamtleitungsflächen-Kontaktlöcher" 45 bis 48 können auf einem konstanten Potential, beispielsweise auf dem Niveau der Spannungsversorgung oder dem Grundniveau, gehalten werden.

Fig. 7 ist ein Diagramm, das die Struktur einer Halbleitervorrichtung zeigt, wobei sich in verschiedenen Verdrahtungsschichten ausgebildete Signalleitungen überlappen. In der in Fig. 7 veranschaulichten Halbleitervorrichtung überlappen sich zwei Signalleitungen 51a und 51b und sind in unterschiedlichen Verdrahtungsebenen ausgebildet. Signalspannungen, die an die Signalleitung 51a und 51b angelegt sind, können, müssen aber nicht, die gleiche Phase besitzen.

In den Verdrahtungsebenen, in denen die zwei Signalleitungen 51a und 51b ausgebildet sind, sind zwei Paare von Nachbarleitungen 52a und 52b parallel und jeweils benachbart zu den Signalleitungen 51a und 51b ausgebildet. Die Überlappungsleitungen 63 und 64 sind auf eine der Fläche entsprechenden Weise ausgebildet, die durch die Nachbarleitungen 52a und 52b umgeben ist. Eine Überlappungssleitung 65 ist auf eine Weise, entsprechend der durch die Nachbarleitungen 52a und 52b umschlossenen Fläche, in der Verdrahtungsschicht ausgebildet, die zwischen der Verdrahtungsschicht, in der die Signalleitung 51a und etc. ausgebildet sind, und der Verdrahtungsschicht angeordnet ist, in der die Signalleitung 51b, etc. ausgebildet sind.

"Gesamtleitungsflächen-Kontaktlöcher" 55 und 66 sind so entlang der gesamten Fläche der Nachbarleitungen 52a und 52b angeordnet, dass sie die sich jeweils zwischen den Nachbarleitungen 52a und 52b und den Überlappungsleitungen 63 und 64 befindlichen isolierenden Schichten durchdringen. Die "Gesamtleitungsflächen-Kontaktlöcher" 57 und 58 sind so entlang der gesamten Fläche der Nachbarleitungen 52a und 52b angeordnet, dass sie die sich jeweils zwischen den Nachbarleitungen 52a und 52b und der Überlappungsleitung 65 befindlichen isolierenden Schichten durchdringen.

Die Signalleitung 51a ist von der Nachbarleitung 52a, den Überlappungsleitungen 63 und 65 und den "Gesamtleitungsflächen-Kontaktlöcher" 55 und 57 umgeben. Die Signalleitung 51b ist von der Nachbarleitung 52b, den Überlappungsleitungen 64 und 65 und den "Gesamtleitungsflächen-Kontaktlöcher" 56 und 58 umgeben. In einer solchen Struktur wird kein von den Signalleitungen 51a und 51b ausgestrahltes Rauschen nach außen übertragen. Zusätzlich sind die Signalleitungen 51 und 51b gegen ein solches Rauschen, das außerhalb der Signalleitungen erzeugt wird, abgeschirmt. In einem Fall, in dem die an die Signalleitungen 51a und 51b anzulegenden Signalspannungen, die gleiche Phase besitzen, können die Nachbarleitungen 52a und 52b, die Überlappungsleitungen 63 bis 65 und die "Gesamtleitungsflächen-Kontaktlöcher" 55 bis 58 auf einem konstanten Potential, beispielsweise auf dem Niveau der Versorgungsspannung oder dem Erdungsniveau, gehalten werden. Anderenfalls kann das elektrische Potential solcher Leitungen die gleiche Phase wie das elektrische Potential der Signalleitungen 31a und 31b besitzen. Auf der anderen Seite können in einem Fall, in dem die daran anzulegende Signalspannung nicht die gleiche Phase besitzt, die Leitungen auf einem konstanten Potential, beispielsweise auf dem Niveau der Versorgungsspannung oder des Erdungsniveaus, gehalten werden.

Zahlreiche Ausführungsformen und Veränderungen könnten daraus ausgeführt werden, ohne vom wahren Geist und Umfang der Erfindung abzuweichen. Die oben beschriebene Ausführungsform ist zur Veranschaulichung der vorliegenden Erfindung beabsichtigt, nicht um den Umfang der vorliegenden Erfindung zu begrenzen. Der Umfang der vorliegenden Erfindung zeigt sich eher in den angehängten Ansprüchen als in der Ausführungsform. Zahlreiche Modifikationen, die in den äquivalenten Bereich der Ansprüche der Erfindung und unter die Ansprüche fallen, sind als in den Umfang der vorliegenden Erfindung fallend anzusehen.

Diese Anmeldung basiert auf der japanischen Patentanmeldung Nr. H 11- 067625, eingereicht am 15.3.1999, und beinhaltet eine Beschreibung, Ansprüche, Zeichnungen und eine Zusammenfassung. Die Offenbarung der oben genannten japanischen Patentanmeldung ist hier in ihrer Gesamtheit durch Bezugnahme integriert.

Claims

1. Halbleitervorrichtung mit Mehrfach-Verdrahtungsebenen, welche aufweist:
eine Signalleitung, die in einer Verdrahtungsebene ausgebildet ist und an die eine Signalspannung angelegt ist;
zwei Nachbarleitungen, die zur Signalleitung so benachbart ausgebildet sind, dass sie nicht mit dieser verbunden sind, und die in einer Verdrahtungsschicht ausgebildet sind, in der die Signalleitung ausgebildet ist;
zwei Überlappungsleitungen, wobei jede in einer Verdrahtungsschicht ausgebildet ist, die sich über eine isolierende Schicht über oder unter der Verdrahtungsschicht befindet, in der die Signalleitungen und die erste Nachbarleitung ausgebildet sind, und die entlang einer Oberfläche angeordnet sind, die einer Fläche entspricht, die durch die zwei Nachbarleitungen eingeschlossen ist; und
eine Vielzahl von "Gesamtleitungsflächen-Kontaktlöcher", die jeweils die isolierenden Schichten, die zwischen den Nachbarleitungen und den zwei Überlappungsleitungen ausgebildet sind, entlang von Gesamtflächen der zwei Nachbarleitungen durchdringen, und die jeweils elektrisch die zwei Nachbarleitungen und die zwei Überlappungsleitungen verbinden.

2. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, wobei die zwei Nachbarleitungen im wesentlichen parallel zur Signalleitung ausgebildet sind.

3. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, wobei elektrische Potentiale der zwei Nachbarleitungen, der zwei Überlappungsleitungen und der "Gesamtleitungsflächen-Kontaktlöcher" auf einem vorbestimmten Wert gehalten sind.

4. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, wobei die elektrischen Potentiale der zwei Nachbarleitungen, der zwei Überlappungsleitungen und der "Gesamtleitungsflächen-Kontaktlöcher" eine gleiche Phase wie eine Phase eines elektrischen Potentials der Signalleitung aufweisen.

5. Halbleitervorrichtung mit Mehrfach-Verdrahtungsschichten, welche aufweist:
eine Vielzahl von Signalleitungen, die sich gegenseitig nicht überlappend in einer identischen Verdrahtungsschicht ausgebildet sind und an die Signalspannungen angelegt sind, die eine gleiche Phase aufweisen;
zwei Nachbarleitungen, die so benachbart auf beiden Seiten der Vielzahl von Signalleitungen ausgebildet sind, dass sie nicht mit diesen verbunden sind, und in der Verdrahtungsschicht ausgebildet sind, in der die Vielzahl der Signalleitungen ausgebildet sind;
zwei Überlappungsleitungen, die in einer Verdrahtungsschicht ausgebildet sind und die sich jeweils über isolierende Schichten über oder unter der Verdrahtungsschicht befinden, in der die Vielzahl von Signalleitungen und die zwei Nachbarleitungen ausgebildet sind, und wobei jede entlang einer Oberfläche angeordnet ist, die einer Fläche entspricht, die durch die zwei Nachbarleitungen umgeben ist; und
eine Vielzahl von "Gesamtleitungsflächen-Kontaktlöcher", die so entlang gesamter Flächen der zwei Nachbarleitungen ausgebildet sind, dass sie die sich jeweils zwischen den Nachbarleitungen und den zwei Überlappungsleitungen befindlichen isolierenden Schichten durchdringen, und die jeweils die zwei Nachbarleitungen mit den zwei Überlappungsleitungen elektrisch verbinden.

6. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 5, wobei elektrische Potentiale der zwei Nachbarleitungen, der zwei Überlappungsleitungen und der "Gesamtleitungsflächen-Kontaktlöcher" auf einem vorbestimmten Wert gehalten werden.

7. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 6, wobei die elektrischen Potentiale der zwei Nachbarleitungen, der zwei Überlappungsleitungen und der "Gesamtleitungsflächen-Kontaktlöcher" eine gleiche Phase wie eine Phase eines elektrischen Potentials der Signalleitungen aufweisen.

8. Halbleitervorrichtung mit Mehrfach-Verdrahtungsschichten, wobei die Vorrichtung aufweist:
eine Vielzahl von Signalleitungen, die sich gegenseitig nicht überlappend in einer identischen Verdrahtungsschicht ausgebildet sind und an die Signalspannungen angelegt sind, die unterschiedliche Phasen aufweisen;
zwei erste Nachbarleitungen, die jeweils benachbart zu zwei äußeren Signalleitungen der Vielzahl der Signalleitungen so ausgebildet sind, dass sie nicht mit diesen verbunden sind, und die in der Verdrahtungsschicht ausgebildet sind, in der die Vielzahl der Signalleitungen ausgebildet ist;
mindestens eine zweite Nachbarleitung, die in der Verdrahtungsschicht, in der die Vielzahl der Signalleitungen ausgebildet ist, zwischen der Vielzahl der Signalleitungen so ausgebildet ist, dass sie nicht mit der Vielzahl der Signalleitungen verbunden ist;
zwei Überlappungsleitungen, wobei jede in einer Verdrahtungsschicht ausgebildet ist, die sich über eine isolierende Schicht über oder unter der Verdrahtungsschicht befindet, in der die Signalleitungen und die ersten Nachbarleitungen ausgebildet sind, und wobei jede entlang einer Oberfläche angeordnet ist, die einer Fläche entspricht, die durch die zwei ersten Nachbarleitungen umgeben ist; und
"Gesamtleitungsflächen-Kontaktlöcher", die jeweils isolierende Schichten durchdringen, die zwischen den ersten und zweiten Nachbarleitungen und den zwei Überlappungsleitungen entlang Gesamtflächen der ersten und zweiten Nachbarleitungen ausgebildet sind, und die jeweils die ersten und zweiten Nachbarleitungen elektrisch mit den zwei Überlappungsleitungen verbinden.

9. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 7, wobei elektrische Potentiale der ersten und zweiten Nachbarleitungen, der zwei Überlappungsleitungen und der "Gesamtleitungsflächen-Kontaktlöcher" auf einem vorbestimmten Wert gehalten werden.

10. Halbleitervorrichtung mit Mehrfach-Verdrahtungsschichten, wobei die Vorrichtung aufweist:
eine Vielzahl von Signalleitungen, die im wesentlichen parallel zueinander in unterschiedlichen Verdrahtungsschichten ausgebildet sind und an die Signale angelegt sind, die jeweils eine gleiche Phase besitzen;
eine Vielzahl von Nachbarleitungen, von denen jedes Paar benachbart auf beiden Seiten der Vielzahl von Signalleitungen in den Verdrahtungsschichten, in der die Vielzahl der Signalleitungen ausgebildet ist, so ausgebildet ist, dass es nicht mit diesen verbunden ist;
zwei Überlappungsleitungen, wobei jede in einer Schicht unter einer tiefsten Verdrahtungsschicht ausgebildet ist, in der die Vielzahl der Signalleitungen ausgebildet ist, oder in einer Schicht über einer höchsten Verdrahtungsschicht ausgebildet ist, in der die Vielzahl der Signalleitungen ausgebildet ist, und die entlang einer Oberfläche ausgebildet sind, die einer Fläche entspricht, die durch die Vielzahl der Nachbarleitungen umgeben ist, die an den beiden äußersten Seiten der Vielzahl der Signalleitungen ausgebildet sind;
eine Vielzahl von ersten "Gesamtleitungsflächen-Kontaktlöchern", die entlang einer gesamten Fläche der Nachbarleitungen eine isolierende Schicht durchdringen, die zwischen den Nachbarleitungen und den zwei Überlappungsleitungen angeordnet sind, und die die Nachbarleitungen mit den zwei Überlappungsleitungen elektrisch verbinden; und
eine Vielzahl von zweiten "Gesamtleitungsflächen-Kontaktlöchern", die eine isolierende Schicht entlang der gesamten Fläche der Nachbarleitungen durchdringen, die zwischen den Nachbarleitungen angeordnet ist, und die die Nachbarleitungen elektrisch miteinander verbindet.

11. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 10, wobei elektrische Potentiale der Nachbarleitung, der zwei Überlappungsleitungen und eine oder mehrere "Gesamtleitungsflächen-Kontaktlöcher" auf einem vorbestimmten Wert gehalten werden.

12. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 11, wobei die elektrischen Potentiale der Nachbarleitungen, der zwei Überlappungsleitungen und einer oder mehrerer erster und zweiter "Gesamtleitungsflächen-Kontaktlöcher" eine gleiche Phase wie eine Phase eines elektrischen Potentials der Signalleitungen besitzen.

13. Halbleitervorrichtung mit Mehrfach-Verdrahtungsebenen, wobei die Vorrichtung umfasst:
eine Vielzahl von Signalleitungen, die in unterschiedlichen Verdrahtungsschichten ausgebildet sind und an die jeweils Signalspannungen angelegt sind;
eine Vielzahl von Nachbarleitungen, von denen jedes Paar jeweils benachbart auf beiden Seiten einer Vielzahl der Signalleitungen, die in einer identischen Schicht ausgebildet sind, entweder in einer tiefsten oder höchsten Verdrahtungsschicht, in der die Vielzahl der Signalleitungen ausgebildet sind, ausgebildet ist, wobei sie nicht mit einer der Vielzahl von Signalleitungen verbunden ist;
zwei ersten Überlappungsleitungen, wobei jede entweder in einer Verdrahtungsschicht unter der tiefsten Verdrahtungsschicht der Signalleitungen oder über der höchsten Verdrahtungsschicht der Signalleitungen ausgebildet ist, und jede entlang einer Oberfläche ausgebildet ist, die einer Fläche entspricht, die durch die Paare der Nachbarleitungen auf beiden Seiten einer entsprechenden Signalleitung der Vielzahl der Signalleitungen ausgebildet ist, die entweder in der tiefsten oder höchsten Verdrahtungsschicht der Signalleitungen ausgebildet ist;
eine zweite Überlappungsleitung, die in einer Verdrahtungsschicht zwischen den Verdrahtungsschichten der Signalleitungen ausgebildet ist, und die entlang einer Oberfläche ausgebildet ist, die mindestens einer Fläche entspricht, die durch das Paar der Nachbarleitungen umgeben ist;
eine Vielzahl von ersten "Gesamtleitungsflächen-Kontaktlöcher", die isolierende Schichten entlang gesamter Flächen der Nachbarleitungen durchdringen, die jeweils zwischen den Nachbarleitungen und den ersten Überlappungsleitungen ausgebildet sind, um dadurch die Nachbarleitungen mit den ersten Überlappungsleitungen elektrisch zu verbinden; und
eine Vielzahl von zweiten "Gesamtleitungsflächen-Kontaktlöcher", die isolierende Schichten entlang gesamter Flächen der Nachbarleitungen durchdringen, die jeweils zwischen den Nachbarleitungen und den zweiten Überlappungsleitungen ausgebildet sind, um dadurch die Nachbarleitungen mit den zweiten Überlappungsleitungen elektrisch zu verbinden.

14. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 13, wobei Signalspannungen, die außer Phase sind, jeweils an die Vielzahl der Signalleitungen angelegt sind.

15. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 14, wobei elektrische Potentiale der ersten und zweiten Nachbarleitungen, der ersten und zweiten Überlappungsleitungen und der ersten und zweiten "Gesamtleitungsflächen- Kontaktlöcher" eine gleiche Phase wie ein elektrisches Potential der Signalleitungen besitzen.

16. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 13, wobei die Signalleitungen, die in unterschiedlichen Schichten ausgebildet sind, die gegenseitig aneinander grenzen, sich gegenseitig überlappen.

17. Halbleitervorrichtung, die eine Struktur aufweist, in der eine Signalleitung, an die eine Signalspannung angelegt ist, ganz durch eine oder mehrere Leiter oder Halbleiter umgeben ist, deren elektrische Potentiale auf einen vorbestimmten Wert eingestellt sind.

18. Halbleitervorrichtung, die eine Struktur aufweist, in der eine Signalleitung, an die eine Signalspannung angelegt ist, ganz durch eine oder mehrere Leiter oder Halbleiter umgeben ist, an die eine Spannung, deren elektrisches Potential eine gleiche Phase wie die Phase der Signalleitung besitzt, angelegt ist.