DE10005800A1 - Thermistorchips und Verfahren zur Herstellung derselben - Google Patents

Abstract

Thermistorchips werden hergestellt, indem Thermistorkörper vorbereitet werden, auf deren Endabschnitten jeweils Außenelektroden gebildet sind, und indem dieselben in ein Lösungsmittel eingetaucht werden, um freiliegende Oberflächenabschnitte des Thermistorkörpers aufzulösen. Um die Widerstandswerte derselben wirksam einzustellen, um Thermistorchips mit Widerstandswerten herzustellen, die lediglich geringe Schwankungen von einem Zielwert aufweisen, wird der Widerstandswert zwischen den Außenelektroden für jeden Thermistorchip gemessen, wobei dieselben entsprechend den gemessenen Widerstandswerten in Klassen unterteilt werden, wobei der Eintauchprozeß für unterschiedliche Klassen unterschiedlich ausgeführt wird, derart, daß unterschiedliche Mengen des Thermistorkörpermaterials aufgelöst werden.

Description

Diese Erfindung bezieht sich auf Thermistorchips, die bei Temperaturkompensationsschaltungen und Temperaturerfassungs­ elementen Verwendung finden können, als auch auf Herstel­ lungsverfahren solcher Thermistorchips.

Fig. 8 zeigt ein Beispiel eines bekannten Thermistorchips 41 dieses Typs, der in der Japanischen Patentveröffentlichung Tokkai 7-74006 offenbart ist, und der dadurch charakteri­ siert ist, daß derselbe einen Thermistorkörper 42, Außen­ elektroden 43, Innenelektroden 44 und eine Oberflächenelek­ trode 45 aufweist. Der Thermistorkörper 42 weist ein halb­ leitendes Keramikmaterial, das Oxide aus Mn, Ni und Co auf­ weist, als seine Hauptkomponente auf. Die Außenelektroden 43 sind auf einander gegenüberliegenden Endabschnitten des Thermistorkörpers 42 gebildet. Die Innenelektroden 44 sind innerhalb des Thermistorkörpers 44 gebildet und jeweils elektrisch mit einer entsprechenden der Außenelektroden 43 verbunden. Die Oberflächenelektrode 45 ist auf einer der Oberflächen des Thermistorkörper 42 gebildet und von den Außenelektroden 43 getrennt.

Der Widerstandswert des Thermistorchips 41 wird durch Ab­ gleichen bzw. Trimmen der Oberflächenelektrode 45 einge­ stellt, beispielsweise indem die Oberflächenelektrode 45 ei­ nem Laserstrahl ausgesetzt wird, um eine Vertiefung 45c zu bilden, wodurch Abgleichelektroden 45a und 45b erhalten wer­ den. Somit wird ein Thermistorchip mit einem gewünschten Wi­ derstandswert erhalten.

Falls jedoch eine im Stand der Technik bekannte Technologie für diesen Prozeß verwendet wird, wird der Thermistorchip durch die Energie des Lasers erhitzt, wobei in dem Thermis­ torkörper kleine Risse erzeugt werden, die nach dem Ab­ gleichprozeß Änderungen der Widerstandswerte der Thermistor­ chips hervorrufen. Ein weiteres Problem mit dieser bekannten Technologie besteht darin, daß ein Laserstrahl einzeln auf jeden der vielen herzustellenden Thermistorchips zum Abglei­ chen einfallen muß. Dies bedeutet, daß es beschwerlich ist, den Prozeß auszuführen, und daß der Prozeß zu einer Erhöhung der Herstellungskosten beiträgt.

Ausgehend von diesem Stand der Technik besteht die Aufgabe der vorliegenden Erfindung darin, ein Konzept zu schaffen, das eine einfache und kostenkünstige Herstellung von Thermi­ storchips ermöglicht, wobei gleichzeitig ein genauerer Ab­ gleich der Thermistorchips erreicht wird.

Diese Aufgabe wird durch einen Thermistorchip gemäß Anspruch 1 und durch ein Verfahren zum Herstellen von Thermistorchips gemäß Anspruch 4 gelöst.

Ein Vorteil der vorliegenden Erfindung besteht darin, daß Thermistorchips mit einem vereinfachten Prozeß hergestellt werden können, indem ein Thermistorkörper in ein Lösungsmit­ tel eingetaucht wird, um seine außen freiliegenden Oberflä­ chen teilweise aufzulösen bzw. wegzuschmelzen, und um da­ durch den Widerstandswert zwischen den Außenelektroden zu erhöhen, derart, daß Thermistorchips mit Widerstandswerten hergestellt werden können, die sich in einem kleineren Be­ reich um einen spezifizierten Zielwert befinden.

Ein Thermistorchip gemäß dieser Erfindung, mit dem die obige und weitere Aufgaben erfüllt werden können, kann dadurch charakterisiert sein, daß derselbe nicht nur einen Thermi­ storkörper und Außenelektroden aufweist, die auf seinen ein­ ander gegenüberliegenden Endabschnitten gebildet sind, son­ dern daß ferner die freiliegenden Abschnitte der Oberfläche dieses Thermistorkörpers mit einer Vertiefung versehen sind und teilweise durch ein Lösungsmittel aufgelöst sind. Der Thermistorchip kann von einem Typ sein, der sowohl Oberflä­ chenelektroden, die einander auf den Hauptoberflächen des Thermistorkörpers gegenüberliegen, wobei jede der Außenelek­ troden elektrisch mit einer entsprechenden Elektrode der Oberflächenelektroden verbunden ist, als auch Isolations­ schichten aufweist, die zumindest die Oberflächenelektroden bedecken und auch die andere Hauptoberfläche bedecken kön­ nen.

Solche Thermistorchips können hergestellt werden, indem als erstes vorverarbeitete Thermistorchips vorbereitet werden, die jeweils einen Thermistorkörper aufweisen, auf dessen Endabschnitten Außenelektroden gebildet sind, und indem die­ se vorverarbeiteten Thermistorchips in ein Lösungsmittel eingetaucht werden, um freiliegende Oberflächenabschnitte des Thermistorkörpers aufzulösen.

Um Thermistorchips mit Widerstandswerten, die sich innerhalb eines reduzierten Bereichs befinden, wirksam herzustellen, können die Thermistorchips, bevor der Prozeßschritt des Ein­ tauchens in ein Lösungsmittel durchgeführt wird, entspre­ chend ihren Widerstandswerten in Klassen unterteilt werden, wobei der Eintauchprozeß für Thermistorchips, die zu unter­ schiedlichen Klassen gehören, unterschiedlich ausgeführt werden, derart, daß unterschiedliche Mengen des Thermistor­ körpermaterials von den Thermistorchips, die zu unterschied­ lichen Klassen gehören, aufgelöst werden.

Bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung werden nachfolgend unter Bezugnahme auf die beiliegenden Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:

Fig. 1A und 1B, auf die zusammen als Fig. 1 verwiesen wird, einen Thermistorchip gemäß einem Ausführungsbei­ spiel dieser Erfindung, wobei Fig. 1A eine Außenan­ sicht desselben zeigt, und Fig. 1B eine Schnittan­ sicht entlang der Linie 1B-1B von Fig. 1A ist;

Fig. 2A, 2B und 2C, auf die zusammen als Fig. 2 verwiesen wird, die Schritte bei einem Herstellungsverfahren gemäß dieser Erfindung bezüglich der Bildung von Resist-Schichten auf dem Thermistorchip von Fig. 1A und 1B;

Fig. 3A und 3B, auf die zusammen als Fig. 3 verwiesen wird, die Schritte des Herstellungsverfahren gemäß dieser Erfindung bezüglich des Auflösens des Thermistor­ körpers, der in Fig. 1A und 1B gezeigt ist;

Fig. 4A und 4B, auf die zusammen als Fig. 4 verwiesen wird, einen Thermistorchip gemäß einem weiteren Ausfüh­ rungsbeispiel dieser Erfindung, wobei Fig. 4A eine Außenansicht desselben zeigt, und Fig. 4B eine Schnittansicht entlang der Linie 4B-4B von Fig. 4A ist;

Fig. 5A und 5B, auf die zusammen als Fig. 5 verwiesen wird, einen Thermistorchip gemäß noch einem weiteren Aus­ führungsbeispiel dieser Erfindung, wobei Fig. 5A eine Außenansicht desselben zeigt, und Fig. 5B eine Schnittansicht entlang der Linie 5B-5B von Fig. 5A ist;

Fig. 6A und 6B, auf die zusammen als Fig. 6 verwiesen wird, einen Thermistorchip gemäß noch einem weiteren Aus­ führungsbeispiel dieser Erfindung, wobei Fig. 6A eine Außenansicht desselben zeigt, und Fig. 6B eine Schnittansicht entlang der Linie 6B-6B von Fig. 6A ist;

Fig. 7 einen graphischen Verlauf, der die Verteilung der Widerstandswerte von Thermistorchips zeigt, bevor und nachdem dieselben einem Auflösungsprozeß gemäß dieser Erfindung unterzogen wurden; und

Fig. 8A und 8B, auf die zusammen als Fig. 8 verwiesen wird, einen im Stand der Technik bekannten Thermistor­ chip, wobei Fig. 8A eine Außenansicht desselben zeigt, und Fig. 8B eine Schnittansicht desselben entlang der Linie 8B-8B von Fig. 8A zeigt.

Im folgenden wird die Erfindung beispielhaft beschrieben. Fig. 1A und 1B zeigen einen Thermistorchip 1 gemäß dieser Erfindung, der einen Thermistorkörper 2, Außenelektroden 3 und Innenelektroden 4 aufweist, und der dadurch charakteri­ siert ist, daß der Thermistorkörper 2 Abschnitte aufweist, die aufgelöst bzw. weggeschmolzen und mit einer Vertiefung versehen worden sind (die im folgenden als die "aufgelösten Abschnitte 6" bezeichnet werden). Der Thermistorkörper 2 weist ein halbleitendes Keramikmaterial mit Oxiden aus einer Mehrzahl von Übergangsmetallen, wie z. B. Mn, Ni, Co, Fe, Cu und Al, auf. Die Abschnitte der Thermistorkörperoberfläche sind mit Ausnahme dort, wo die Außenelektroden 3 auf einan­ der gegenüberliegenden Endabschnitten des Thermistorkörpers 2 gebildet sind, durch ein Lösungsmittel 10 aufgelöst (ge­ zeigt in Fig. 3A, wobei dies im folgenden erklärt wird), um die mit einer Vertiefung versehenen, aufgelösten Abschnitte 6 zu bilden. Die Innenelektroden 4 sind innerhalb des Ther­ mistorkörpers 2 gebildet, derart, daß die inneren Endab­ schnitte derselben einander gegenüberliegend sind, während der äußere Endabschnitt jeweils elektrisch mit einer ent­ sprechenden der Außenelektroden 3 verbunden ist.

Im folgenden wird bezugnehmend auf Fig. 2 und 3 ein Verfah­ ren zum Herstellen dieses Thermistorchips 1 beschrieben. Als erstes wird ein Thermistorkörper 2a in der Form eines Chips mit Innenelektroden 4, wie er in Fig. 2A gezeigt ist, vorbe­ reitet. Daraufhin werden Außenelektroden 3 gebildet, indem eine elektrisch leitfähige Paste auf die einander gegenüber­ liegenden Endabschnitten desselben aufgebracht und dieselben gebacken werden, um einen Thermistorchip 1a zu erhalten, wo­ bei dies vor dem Auflösungsprozeß durchgeführt wird, der im folgenden beschrieben wird. Als nächstes wird jede Außen­ elektrode 3 auf einem entsprechenden Endabschnitt des Ther­ mistorchips 1a in ein Resist-Material 7 eingetaucht, wie es in Fig. 2B gezeigt ist, woraufhin der eingetauchte Thermi­ storchip 1a 20 Minuten lang bei 80°C getrocknet wird, um ei­ nen Thermistorchip 1b zu erhalten, wie er in Fig. 2C gezeigt ist, wobei jede Außenelektrode 3 durch eine Resist-Schicht 8 bedeckt ist. Photoempfindliche Harze, die nicht durch das Lösungsmittel 10 aufgelöst werden, (auf die oben kurz Bezug genommen wurde und die im folgenden erklärt werden) wie z. B. Photoresist-Materialien aus Zyklokautschuk können geeignet als das Resist-Material 7 verwendet werden.

Als nächstes werden die Thermistorchips 1b, die derart mit den Resist-Schichten 8 bedeckt sind, in einem Korb 9 pla­ ziert und in das oben erwähnte Lösungsmittel 10 eingetaucht, wie es in Fig. 3A gezeigt ist, wobei das Lösungsmittel 10 geeignet umgerührt wird. Eine Säure, wie z. B. Salpetersäure, Schwefelsäure oder Phosphorsäure, oder eine Plattierungs­ flüssigkeit, die jedes Element des Thermistorkörpers 2 zer­ setzen können, um dadurch außen freiliegende Oberflächenab­ schnitte desselben zu entfernen, können als das Lösungsmit­ tel 10 verwendet werden. Als Ergebnis dieses Auflösungspro­ zesses wird ein Thermistorchip 1c, wie er in Fig. 3B gezeigt ist, erhalten, wobei die freiliegenden Oberflächen seines Thermistorkörpers 2 (die nicht durch die Resist-Schichten 8 bedeckt sind) teilweise aufgelöst sind, um die mit einer Vertiefung versehenen, aufgelösten Abschnitte 6 zu bilden. Nach diesem Auflösungsprozeß werden die Resist-Schichten 8 des Thermistorchips 1c entfernt, indem eine Resist-entfer­ nende Flüssigkeit (nicht gezeigt) verwendet wird, um einen fertigen Thermistorchip 1 zu erhalten, der in Fig. 1 gezeigt ist. Es kann auch eine Flüssigkeit als das Lösungsmittel 10 verwendet werden, die lediglich einige der Bestandteile des Thermistorkörpers 2 zersetzen kann. Falls ein Thermistorkör­ per 2, der Mn und NI als seine Hauptkomponenten aufweist, in eine Lösung aus Eisenchlorid eingetaucht wird, die Ni jedoch nicht Mn zersetzt, wird lediglich der Ni-Anteil des Thermi­ storkörpers 2 zersetzt, wobei sich der Widerstandswert des aufgelösten Abschnittes ändert, wodurch der Widerstandswert des Thermistorkörpers 2 als Ganzes beeinflußt wird. Obwohl im vorhergehenden einige spezifische Beispiele für das Lö­ sungsmittel 10 erwähnt wurden, ist es nicht beabsichtigt, daß die Art des zu verwendenden Lösungsmittels den Schutz­ bereich der Erfindung einschränken soll. Jedes Mittel, das in der Lage ist, den Thermistorkörper 2 aufzulösen, kann verwendet werden, wobei das Material für das Resist-Material 7 dann unter denjenigen Materialien ausgewählt werden kann, die nicht durch das Lösungsmittel 10 der ausgewählten Art aufgelöst werden.

Fig. 4A und 4B zeigen einen weiteren Thermistorchip 11 gemäß dieser Erfindung, der einen Thermistorkörper 12, Außenelek­ troden 13, Oberflächenelektroden 15a und Isolationsschichten 15b aufweist, wobei der Thermistorkörper 12 aufgelöste Ab­ schnitte 16 aufweist, die auf demselben gebildet sind. Der Thermistorkörper 12 weist ein halbleitendes Keramikmaterial mit Oxiden aus einer Mehrzahl von Übergangsmetallen, wie z. B. Mn, Ni, Co, Fe, Cu und Al, auf. Die aufgelösten Ab­ schnitte 16 sind auf Abschnitten der Seitenoberflächen des Thermistorkörpers 12 gebildet, die nicht von der Außenelek­ troden 13, die auf einander gegenüberliegenden Endabschnit­ ten gebildet sind, oder von den Isolationsschichten 15b auf beiden Hauptoberflächen des Thermistorkörpers 12 bedeckt sind. Die Oberflächenelektroden 15a sind auf einer der Hauptoberflächen des Thermistorkörpers 12 als ein Paar von interdigital angeordneten Kamm-förmigen Elektroden gebildet, die jeweils eine Mehrzahl von Fingern aufweisen. Jedes Paar der Oberflächenelektroden 15a ist mit einer entsprechenden der Außenelektroden 13 an dem entsprechenden Endabschnitt des Thermistorkörpers 12 elektrisch verbunden. Eine der Iso­ lationsschichten 15b ist gebildet, um die Oberflächenelek­ troden 15a auf einer der Hauptoberflächen des Thermistorkör­ pers 12 abzudecken, wobei die andere der Isolationsschichten 15b die andere Hauptoberfläche des Thermistorkörpers 12 be­ deckt. Die Erfindung unterliegt keiner speziellen Einschrän­ kung bezüglich des Materials, das verwendet werden soll, um die Isolationsschichten 15b zu bilden, wobei jedoch Hitze­ beständige Harzmaterialien, wie z. B. Polyimid, mit einer Wärmeverformungstemperatur von über 150°C (gemäß dem ASTM- D648-Standard), die sich nicht in dem Lösungsmittel 10 auf­ lösen werden, bevorzugt werden.

Um einen Thermistorchip herzustellen, wie er bei 11 in Fig. 4 gezeigt ist, wird ein Thermistorkörper 12 in der Form ei­ nes sechs-flächigen Körpers vorbereitet, wobei die Oberflä­ chenelektroden 15a auf einer der Hauptoberflächen desselben beispielsweise durch Sputtern eines geeigneten Elektrodenma­ terials, das Ag aufweist, gebildet werden. Die Isolations­ schichten 15b werden gebildet, indem ein Isolationsmaterial über diesen Oberflächenelektroden 15a und der anderen Haupt­ oberfläche des Thermistorkörpers 12 aufgebracht wird. Als nächstes wird eine elektrisch leitfähige Paste auf die zwei Endabschnitte des Thermistorkörpers 12 aufgebracht und ge­ backen, um die Außenelektroden 13 zu bilden, derart, daß je­ de derselben mit einer entsprechenden Elektrode der Oberflä­ chenelektroden 15a an dem entsprechenden Endabschnitt des Thermistorkörpers 12 elektrisch verbunden sein wird. Wie es mittels des in Fig. 1-3 gezeigten Ausführungsbeispiels der Erfindung erklärt wurde, werden daraufhin Resist-Schichten auf beiden Endabschnitten des Thermistorchips gebildet, der wie oben beschrieben erhalten wurde, und der Thermistorchip wird in ein Lösungsmittels 10 eingetaucht, um die außen freiliegenden Abschnitte auf den Seitenoberflächen des Ther­ mistorkörpers 12, die nicht mit den Resist-Schichten oder dem Isolationsmaterial bedeckt sind, teilweise aufzulösen. Die Resist-Schichten werden schließlich mittels einer Re­ sist-entfernenden Flüssigkeit entfernt, um den Thermistor­ chip 11 zu erhalten, wie er in Fig. 4 gezeigt ist.

Als Variation kann die Isolationsschicht 15b gebildet wer­ den, um lediglich die Oberflächen 15a zu bedecken, wobei die andere Hauptoberfläche des Thermistorkörpers 12 von demsel­ ben unbedeckt bleibt. In diesem Fall wird die andere Haupt­ oberfläche auch durch das Lösungsmittels 10 aufgelöst, wobei ein mit einer Vertiefung versehener, aufgelöster Abschnitt zusätzlich auf dieser Hauptoberfläche gebildet wird.

Fig. 5A und 5B zeigen noch einen weiteren Thermistorchip 21 gemäß dieser Erfindung, der einen Thermistorkörper 22, Au­ ßenelektroden 23 und Innenelektroden 24 aufweist, wobei der Thermistorkörper 22 einen mit einer Vertiefung versehenen, aufgelösten Abschnitt 26 aufweist, der auf demselben gebil­ det ist. Der Thermistorkörper 22 weist ein halbleitendes Ke­ ramikmaterial mit Oxiden aus einer Mehrzahl von Übergangsme­ tallen, wie z. B. Mn, Ni, Co, Fe, Cu und Al, auf. Der aufge­ löste Abschnitt 26 ist auf einem außen freiliegenden Ober­ flächenabschnitt des Thermistorkörpers 22 gebildet, der nicht von den Außenelektroden 23 bedeckt ist und der von ei­ nem Lösungsmittel aufgelöst wurde (wie es im vorhergehenden bezugnehmend auf Fig. 3A erklärt wurde). Die Innenelektroden 24 sind als einander gegenüberliegend angeordnetes Paar in­ nerhalb des Thermistorkörpers 22 gebildet, von denen sich jede in einer elektrisch verbundenen Beziehung mit einer entsprechenden Elektrode der Außenelektroden 23 befindet.

Um einen Thermistorchip herzustellen, wie er bei 21 in Fig. 5 gezeigt ist, wird als erstes ein Thermistorkörper 22 vor­ bereitet, wobei Außenelektroden 23 auf seinen einander ge­ genüberliegenden Endabschnitten gebildet werden. Als näch­ stes wird mit Ausnahme eines spezifizierten Bereichs, an dem der aufgelöste Abschnitt 26 erhalten werden soll, über dem gesamten Thermistorkörper 22 und den Außenelektroden 23 eine Resist-Schicht (nicht gezeigt) gebildet. Der Thermistorkör­ per 22 wird daraufhin in ein Lösungsmittel 10 eingetaucht, wie es oben beschrieben wurde, um zu bewirken, daß der Ther­ mistorkörper 22 an dem spezifizierten Bereich aufgelöst wird. Daraufhin wird die Resist-Schicht mittels einer Re­ sist-entfernenden Flüssigkeit entfernt, um den Thermistor­ chip 21 zu erhalten, wie er in Fig. 5 gezeigt ist. Durch dieses Verfahren kann der aufgelöste Abschnitt 26 an einer beliebigen Position auf der Oberfläche des Thermistorkörpers 22 gebildet werden, indem die Bereiche, über denen die Re­ sist Schicht gebildet wird, geeignet ausgewählt werden.

Die Fig. 6A und 6B zeigen noch einen weiteren Thermistorchip 31 gemäß dieser Erfindung, der einen Thermistorkärper 32, Außenelektroden 33 und Innenelektroden 34 aufweist, wobei der Thermistorkörper 32 aufgelöste Abschnitte 36 aufweist, die auf denselben gebildet sind. Der Thermistorkörper 32 weist ein halbleitendes Keramikmaterial mit Oxiden aus einer Mehrzahl von Übergangsmetallen, wie z. B. Mn, Ni, Co, Fe, Cu und Al, auf. Die aufgelösten Abschnitte 36 sind auf außen freiliegenden Oberflächenabschnitten des Thermistorkörpers 32 gebildet, die nicht von den Außenelektroden 33 bedeckt sind, und die durch ein Lösungsmittel aufgelöst sind (wie es im vorhergehenden bezugnehmend auf Fig. 3A erklärt wurde). Die Innenelektroden 34 sind als gegenseitig gegenüberliegend angeordnetes Paar innerhalb des Thermistorkörpers gebildet, von denen sich jede in einer elektrisch verbundenen Bezie­ hung mit einer entsprechenden Elektrode der Außenelektroden 33 befindet.

Um einen Thermistorchip herzustellen, wie er bei 31 in Fig. 6 gezeigt ist, wird als erstes ein Thermistorkörper 32 vor­ bereitet, wobei auf seinen gegenseitig gegenüberliegenden Endabschnitten Außenelektroden 33 gebildet werden. Als näch­ stes wird derselbe in ein Lösungsmittel 10 eingetaucht, wie es im vorhergehenden beschrieben wurde, um außen freiliegen­ de Oberflächen des Thermistorkörpers 32 aufzulösen, um da­ durch die aufgelösten Abschnitte 36 zu bilden. Dieses Ver­ fahren ist dadurch charakterisiert, daß der Thermistorkörper 32 in das Lösungsmittel 10 eingetaucht wird, ohne daß zuerst eine Resist-Schicht auf demselben gebildet wird. Aus diesem Grund muß das Lösungsmittel 10 so beschaffen sein, wie z. B. eine Plattierungsflüssigkeit, die den Thermistorkörper 32 jedoch nicht die Außenelektroden 33 auflöst.

Bei allen oben beschriebenen Beispielen wird der Schritt des Eintauchens einer Mehrzahl von Thermistorchips in ein Lö­ sungsmittel, um einen aufgelösten Abschnitt auf jedem der­ selben zu bilden, ausgeführt, indem zuerst der Widerstands­ wert zwischen dem Außenelektrodenpaar jedes Chips gemessen wird und dieselben in Klassen unterteilt werden, und indem dieselben entsprechend ihren gemessenen Widerstandswerten in unterschiedliche Gruppen unterteilt werden. Thermistorchips, die zu der gleichen Gruppe gehören, werden zusammen in ein Lösungsmittel eingetaucht, um schließlich Thermistorchips mit mehr oder weniger dem gleichen Widerstandswert zu erhal­ ten. Dieses Verfahren gemäß dieser Erfindung wird im folgen­ den detaillierter bezugnehmend auf den in Fig. 6 gezeigten Typ der Thermistorchips erklärt.

Als erstes wird angenommen, daß viele Thermistorchips vor­ handen sind, wie sie in Fig. 2A gezeigt sind, die noch in das Lösungsmittel 10 eingetaucht werden sollen, wobei die Verteilung ihrer Widerstandswerte (zwischen ihren Außenelek­ troden 3) erhalten wird, wie es beispielsweise durch die Kurve "a" in Fig. 7 dargestellt ist, wobei die vertikale Achse darin die Anzahl n der Thermistorchips mit Wider­ standswerten innerhalb jedes der Bereiche (Klassen) des Wi­ derstandswertes zeigt. Wie es in Fig. 7 dargestellt ist, wird der Bereich, der denjenigen Thermistorchips entspricht, die die niedrigsten Widerstandswerte aufweisen, hierin als Klasse "b1" bezeichnet, wobei die Bereiche, die höheren Wi­ derstandswerten entsprechen, dementsprechend folglich als Klassen "b2", "b3", usw. bezeichnet werden. Der Bereich, der den Thermistorchips mit den höchsten Widerstandswerten ent­ spricht, ist die Klasse "b7". Das heißt mit anderen Worten, daß die Thermistorchips, bevor der Auflösungsprozeß durchge­ führt wird, entsprechend ihren Widerstandswerten in sieben Klassen unterteilt werden, und daß dieselben entsprechend ihren Klassen einem Auflösungsprozeß ausgesetzt werden, da­ mit die außen freiliegenden Oberflächen durch das Lösungs­ mittel 10 aufgelöst werden, d. h., die Thermistorchips, die zu unterschiedlichen Klassen gehören, werden unterschiedli­ chen Auflösungsprozessen unterzogen.

Der Widerstandswert jedes Thermistorchips 1a wird vor dem Auflösungsprozeß durch viele Faktoren, wie z. B. durch die spezifische Resistivität, die Größe und Form des Thermistor­ körpers 2a, die Größe und Form der Außenelektroden 3 und durch Kombinationen derselben, bestimmt. Wenn ein Thermi­ storchip 1a in das Lösungsmittel 10 eingetaucht wird, weist der Thermistorkörper 2a desselben außen freiliegende Ober­ flächen auf, die aufgelöst und als Ganzes kleiner werden, wodurch bewirkt wird, daß sich der Widerstandswert erhöht. Folglich werden diejenigen Thermistorchips 2a mit im Ver­ hältnis niedrigeren Widerstandswerten, die zu den niedrige­ ren Klassen, wie z. B. den Klassen b1 und b2, gehören, eine längere Zeit in das Lösungsmittel 10 eingetaucht, derart, daß größere Abschnitte ihrer Thermistorkörper aufgelöst wer­ den, um einen spezifizierten Zielwiderstandswert zu erhal­ ten, der für diese Thermistorchips vorgesehen ist. Dement­ sprechend wird die Zeitdauer zum Eintauchen für diejenigen Thermistorchips kürzer ausgelegt, die im Verhältnis höhere Widerstandswerte aufweisen und zu höheren Klassen, wie z. B. den Klassen 5 und 6, gehören, derart, daß lediglich kleine Abschnitte ihrer Thermistorkörper aufgeläst werden, und die Erhöhung ihrer Widerstandswerte dementsprechend niedriger sein wird. Es ist nicht erforderlich, daß die Thermistor­ chips der Klasse b7 in das Lösungsmittel 10 eingetaucht wer­ den, da die Widerstandswerte derselben bereits ausreichend nahe an dem Zielwiderstandswert liegen. Die Kurve "c" in Fig. 7 zeigt die Verteilung der Widerstandswerte der Thermi­ storelemente 31 nach solchen individuellen Eintauchprozessen mit einer Verteilung um den Zielwiderstandswert (in dem Be­ reich der Klasse b7), der viel schmaler als der der Kurve "a" vor dem Eintauchprozeß ist.

Im folgenden wird die Erfindung mittels eines tatsächlichen Testexperiments beschrieben, das ausgeführt wurde, um Ther­ mistorchips 31 herzustellen, die in Fig. 6 gezeigt sind, wo­ bei der Zielwiderstandswert 10,0 kΩ ± 0,1 kΩ beträgt. Für dieses Ausführungsbeispiel wurden Thermistorchips 1a vor al­ lem mit niedrigeren Widerstandswerten in dem Bereich von 8,7 kΩ bis 10,1 kΩ vorbereitet, wobei die Bereiche für alle Klassen b1-b7 gleichmäßig auf 0,2 kΩ eingestellt wurden. Diese Thermistorchips 1a wurden in ein Lösungsmittel einge­ taucht, das eine Plattierungsflüssigkeit aufweist, wobei die Zeitdauer des Eintauchens entsprechend der Klasse differen­ ziert wurde, und wobei die Widerstandswerte derselben nach dem Eintauchen gemessen wurden. Die Ergebnisse sind in der folgenden Tabelle 1 zusammengefaßt dargestellt.

Tabelle 1

Tabelle 1 zeigt, daß der mittlere Widerstandswert der Ther­ mistorchips jeder Klasse innerhalb des Zielbereichs landete, obwohl die Schwankung der mittleren Widerstandswerte unter den Thermistorchips 31 vor dem Eintauchen groß war.

Obwohl die Erfindung im vorhergehenden mittels nur eines Testexperiments beschrieben wurde, soll dies nicht den Schutzbereich der Erfindung einschränken. Falls die Thermi­ storchips in eine größere Anzahl von Klassen unterteilt wer­ den, und die Zeitdauer zum Eintauchen dementsprechend vari­ iert wird, kann die Schwankung der Widerstandswerte weiter reduziert werden. Gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel der Erfindung können Thermistorchips unterschiedlicher Klas­ sen in Lösungsmittel mit unterschiedlichen Konzentrationen eingetaucht werden, während die Zeitdauer für das Eintauchen etwa gleich gehalten wird. Gemäß noch einem weiteren Ausfüh­ rungsbeispiel dieser Erfindung kann der Umfang, mit dem die Resist-Schichten die Oberfläche des Thermistorchips bede­ cken, entsprechend der Klasse variiert werden, derart, daß die Schwankung der Widerstandswerte unter unterschiedlichen Klassen reduziert werden kann, obwohl die Konzentration des Lösungsmittels und die Zeitdauer des Eintauchens konstant gehalten werden.

Es sollte offensichtlich sein, daß viele Modifikationen und Variationen innerhalb des Schutzbereichs dieser Erfindung möglich sind. Die Anzahl und Form der Innenelektroden soll den Schutzbereich dieser Erfindung nicht einschränken, und die Innenelektroden müssen nicht elektrisch mit den Außen­ elektroden verbunden sein. Selbst das Vorsehen von Innen­ elektroden ist gemäß dieser Erfindung nicht erforderlich. Es wird ferner daran erinnert, daß die vorliegende Erfindung nicht auf die Herstellung von Thermistorchips mit einem ne­ gativen Temperaturkoeffizienten begrenzt ist, sondern daß die vorliegende Erfindung auch auf die Herstellung von Ther­ mistorchips mit einem positiven Temperaturkoeffizienten, z. B. mit einem TiO₃-Material als Hauptbestandteil, anwendbar ist.

Claims (8)

1. Thermistorchip (1; 11; 21; 31) mit einem Thermistor­ körper (2; 12; 22; 32) und Außenelektroden (3; 13; 23; 33) auf Endabschnitten des Thermistorkörpers (2; 12; 22; 32), wobei der Thermistorkörper (2; 12; 22; 32) au­ ßen freiliegende Oberflächen aufweist, die nicht durch die Außenelektroden (3; 13; 23; 33) bedeckt sind und die teilweise durch ein Lösungsmittel (10) aufgelöst sind.

2. Thermistorchip (11) gemäß Anspruch 1, bei dem der Ther­ mistorkörper (12) Hauptoberflächen aufweist, wobei der Thermistorchip (11) ferner folgende Merkmale aufweist:
Oberflächenelektroden (15a), die auf einer der Haupt­ oberflächen einander gegenüberliegen, wobei jede der Außenelektroden (13) elektrisch mit einer entsprechen­ den der Oberflächenelektroden (15a) verbunden ist; und
Isolationsschichten (15b), die die Oberflächenelektro­ den (15a) bedecken und die gebildet sind, um die Haupt­ oberflächen über den spezifizierten Bereichen außen freizulegen;
wobei der Thermistorkörper (12) außen freiliegende Oberflächenbereiche aufweist, die nicht durch die Au­ ßenelektroden (12) oder die Isolationsschichten (15b) bedeckt sind und die teilweise durch das Lösungsmittel (10) aufgelöst sind.

3. Thermistorchip (1; 11; 21; 31) gemäß Anspruch 1 oder 2, der ferner Innenelektroden (4; 24; 34) innerhalb des Thermistorkörpers (2; 12; 22; 32) aufweist.

4. Verfahren zum Herstellen von Thermistorchips (1; 11; 21; 31), wobei das Verfahren folgende Schritte auf­ weist:
Vorbereiten von Thermistorkörpern (2; 12; 22; 32), von denen jeder Außenelektroden (3; 13; 23; 33) auf Endab­ schnitten derselben aufweist; und
Eintauchen der Thermistorkörper (2; 12; 22; 32) in ein Lösungsmittel (10), um dadurch einen freiliegenden Oberflächenabschnitt derselben aufzulösen.

5. Verfahren gemäß Anspruch 4, ferner mit folgenden Schritten:
Bilden von Resist-Schichten (8), um die Außenelektroden (3; 13; 23; 33) zu bedecken, wobei jedoch der freilie­ gende Oberflächenabschnitt des Thermistorkörpers (2; 12; 22; 32) frei bleibt; und
Entfernen der Resist-Schichten (8) nach dem Schritt des Eintauchens.

6. Verfahren gemäß Anspruch 4 oder 5, ferner mit dem Schritt des Unterteilens der Thermistorkörper (2; 12; 22; 32), die Außenelektroden (3; 13; 23; 33) aufweisen, entsprechend einem Widerstandswert zwischen den Außen­ elektroden (3; 13; 23; 33) in unterschiedliche Klassen, wobei der Schritt des Eintauchens derart ausgeführt wird, daß unterschiedliche Mengen von den Thermistor­ körpern (2; 12; 22; 32), die zu unterschiedlichen Klas­ sen gehören, aufgelöst werden.

7. Verfahren gemäß Anspruch 6, bei dem der Schritt des Eintauchens für unterschiedliche Klassen unterschied­ lich lang ausgeführt wird.

8. Verfahren gemäß Anspruch 6, bei dem der Schritt des Eintauchens unter Verwendung von Lösungsmitteln (10) mit unterschiedlichen Konzentrationen für unterschied­ liche Klassen ausgeführt wird.