DE3700912A1 - Verfahren zum herstellen elektrischer schaltkreise auf grundplatten - Google Patents
Verfahren zum herstellen elektrischer schaltkreise auf grundplattenInfo
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Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung
elektrischer Schaltkreise auf einer Grundplatte oder
einem Substrat und bezieht sich insbesondere auf ein Ver
fahren, mit dem auf einer Grundplatte ein Widerstands
schaltkreis geschaffen wird. Für das Verfahren wird eine
neu entwickelte, elektrisch leitfähige Kupferpaste ver
wendet, die besonders geeignet ist zur Metallplattierung
und dazu benutzt wird, an einer Seite der Grundplatte
zweilagige Schaltungen aus ersten, unteren und zweiten,
oberen Schaltkreisen zu schaffen. Darauf wird dann eine
bedruckbare Widerstandspaste aufgetragen, um auf den
zweiten, oberen Schaltkreisen den dünnstmöglichen Wider
standsschaltkreis zu bilden.
Bisher ist es allgemein üblich, einen Widerstandsschalt
kreis auf einer kupferbeschichteten, gedruckten Grund
platte zu bilden. Hierbei wird ein Widerstand in Form
einer Leitung oder eines Plättchens an einem kupferbe
schichteten Schaltkreis angelötet. Das fertige Produkt
ist deshalb voluminös und teuer, da es so viele Verarbei
tungsschritte einschließlich der Kosten für den Wider
stand erfordert. Außerdem ergibt sich bei dem bekannten
Verfahren eine niedrige Ladungsdichte der gedruckten
Grundplatte, und es ist schwierig, das Gewicht des Pro
duktes und die Anzahl der Verfahrensschritte zu seiner
Herstellung zu verringern. Da auch ein Lötvorgang nötig
ist, kommt es häufig zu Fehlausrichtungen von Leitungen
und falschem Einsetzen von Widerständen.
Für die Schaffung ziemlich komplexer Schaltkreise auf
einer kupferbeschichteten Grundplatte ist es außerdem nö
tig, die einzelnen Schaltkreise elektrisch miteinander
zu verbinden. Da es bisher nicht möglich ist, Schaltkreise
aus mehr als zwei Schichten auf einer Seite der gedruckten
Grundplatte auszubilden, mußten derartige Schaltungen
geteilt und an beiden Seiten der Grundplatte geätzt und
anschließend durch Durchgangslöcher durch die Dicke der
Grundplatte hindurch elektrisch miteinander verbunden
werden.
Bei diesem bekannten Verfahren ist es also nötig, auf bei
den Seiten der Grundplatte einen Kupferbelag vorzusehen,
diese Kupferbeläge längs der gewünschten Schaltkreise zu
ätzen und dann durch die Grundplatte hindurch mittels
einer besonderen Vorrichtung, beispielsweise einer nume
risch gesteuerten Vorrichtung Löcher anzubringen. Das er
höht die Herstellungskosten, wobei auch noch die Mate
rialkosten und die einzelnen Verfahrensschritte zu be
rücksichtigen sind, so daß die Leistungsfähigkeit bei der
Herstellung gering ist.
Um das herkömmliche Verfahren zu verbessern und elek
trisch leitfähige Schaltkreise aus mehr als zwei Schich
ten an einer Seite der Grundplatte mit geringeren Kosten
wirksamer vorsehen zu können, muß eine elektrisch leitfä
hige Kupferpaste benutzt werden, die eine ausgezeichnete
elektrische Leitfähigkeit besitzt, zur Metallplattierung,
insbesondere für eine Kupferauflage geeignet ist und au
ßerdem zu geringen Kosten zur Verfügung steht.
Im Gegensatz zu einem Edelmetall, wie Silber oxidiert
die herkömmliche, elektrisch leitfähige Kupferpaste
leicht bei der zum Hartmachen der Paste nötigen Wärme.
Durch das Oxidieren von Kupferpulver in der Paste erhöht
sich der elektrische Widerstand, während das Lötvermögen
abnimmt. Wegen dieser Mängel ist die herkömmliche, elek
trisch leitfähige Kupferpaste praktisch nutzlos. Außer
dem muß die Oberfläche der hart gemachten elektrisch
leitfähigen Kupferpaste mittels eines Katalysators akti
viert werden, um das Kupferpulver aus der Harzpaste bloß
zulegen, damit das dann freiliegende Kupferpulver als
Bindemittel wirken kann, d. h. eine Vielzahl von Kernen
für das anschließende Metallplattieren zur Verfügung
stellt. Bei Verwendung der herkömmlichen, elektrisch
leitfähigen Paste sind also viele Verfahrensschritte
nötig.
Aus der japanischen Gebrauchsmusteranmeldung 55-42460
geht ein Verfahren hervor, bei dem als dielektrischer
Überzug ein ausgesprochen dielektrisches Resistmaterial
aus Polybutadien und eine Klebstoffpaste, beispielsweise
aus 20% Phenolharz, 63% Kupferpulver und 17% eines Lö
sungsmittels für die Bildung gewünschter Schaltkreise
benutzt wird. Die haftende Paste wird durch ein nicht
elektrolytisches Plattierverfahren bis zu einer Dicke
von 20 µm ausgebildet, und dann wird die plattierte Kle
bepaste mit Kupfer überzogen, um elektrisch leitfähige
Schaltkreise in mehr als zwei Schichten auf einer Seite
einer Grundplatte zu erzeugen. Dies spezielle Verfahren
ist allerdings nie in großtechnischem Maßstab benutzt
worden. Die Anmelderin befaßt sich seit Jahren mit der
Entwicklung neuer elektrisch leitfähiger Kupferpasten,
um die vorstehend genannten Nachteile zu vermeiden und
hat bereits neue elektrisch leitfähige Kupferpasten zur
industriellen Verwendung zur Verfügung gestellt. Dazu
gehören die Kupferpasten ACP-020, ACP-030 und ACP-007P
der Asahi Chemical Research Laboratory Co., Ltd. Die
elektrisch leitfähige Kupferpaste ACP-020 besteht im we
sentlichen aus 80 Gew.% Kupferpulver und 20 Gew.% Kunst
harz und hat eine ganz ausgezeichnete elektrische Leit
fahigkeit, jedoch eine etwas weniger günstige Löteigen
schaft. Die elektrisch leitfähige Kupferpaste ACP-030
besteht im wesentlichen aus 85 Gew.% Kupferpulver und
15 Gew.% Kunstharz und hat eine etwas geringere elektri
sche Leitfähigkeit als das Produkt ACP-020, hingegen
eine ausgezeichnete Löteigenschaft. Die elektrisch leit
fähige Kupferpaste ACP-007P hingegen ist eine Verbesse
rung der Paste ACP-030 und kann ohne Verwendung eines
Katalysators zur Metallplattierung, beispielsweise einer
chemischen Kupferplattierung benutzt werden. Diese Kup
ferpaste hat eine ausgezeichnete Metallplattiereigenschaft.
Aufgabe der Erfindung ist es, unter Vermeidung der Nach
teile des Standes der Technik ein Verfahren anzubieten,
bei dem die neu entwickelte, elektrisch leitfähige Kupfer
paste von besonders guter Metallplattiereigenschaft zur
Ausbildung elektrisch leitfähiger Schaltkreise in mehr
als zwei Schichten an einer Seite einer kupferbeschichte
ten Grundplatte benutzt wird.
Auf dem Kupferbelag der Grundplatte wird zunächst ein
Schaltkreis in einer ersten Schicht gebildet, anschlie
ßend wird die genannte elektrisch leitfähige Kupferpaste
mit der ausgezeichneten Metallplattiereigenschaft auf
denjenigen Teilen der Schaltkreise der ersten Schicht
aufgetragen, die mit Schaltkreisen einer zweiten Schicht
verbunden werden sollen, welche auf den Schaltkreisen der
ersten Schicht auszubilden sind. Anschließend wird die
elektrisch leitfähige Paste erwärmt, damit sie hart wird,
und danach wird die elektrisch leitfähige Kupferpaste
mit einer Metallplattierung überzogen, um die elektrische
Leitfähigkeit der Kupferpaste bis auf die des Kupferbe
lages zu erhöhen. So entstehen die Schaltkreise der zwei
ten Schicht auf den Schaltkreisen der ersten Schicht. Da
mit wird eine zweilagige Schaltungsplatte geschaffen,
deren Eigenschaften etwa der herkömmlichen zweiseitigen
Schaltungsplatte mit durchgehenden Löchern gleichwertig
sind, obwohl an Material und Verarbeitungsschritten etwa
nur halb so viel nötig ist wie beim Stand der Technik.
Eine teuere, numerisch gesteuerte Bohrmaschine wird über
haupt nicht benötigt, und das Verarbeitungsverfahren ist
im Vergleich zum Stand der Technik erheblich vereinfacht.
Infolgedessen kann das fertige Erzeugnis etwa mit den
halben Kosten zur Verfügung gestellt werden, die zur Her
stellung des bekannten Erzeugnisses aufgebracht werden
müssen.
Mit der Erfindung soll auch eine Widerstandsschaltung
auf den Schaltkreisen der zweiten Schicht geschaffen wer
den. Hierzu wird auf denjenigen Teilen der Schaltkreise
der zweiten Schicht, die nicht elektrisch miteinander
verbunden sind, eine elektrisch leitfähige Paste mit der
genannten ausgezeichneten elektrischen Leitfähigkeit
aufgetragen und anschließend erwärmt, damit sie hart
wird. Hierdurch entstehen zwei Anschlüsse, die anschlie
ßend mit einer Widerstandspaste von vorherbestimmtem Wi
derstandswert überzogen werden. Danach wird die Wider
standspaste erwärmt, um sie zu härten, so daß auf den
Schaltkreisen der zweiten Schicht ein Widerstandsschalt
kreis entsteht. Auf diese Weise erübrigt sich der her
kömmliche Vorgang der Befestigung des Widerstandes an
der Grundplatte, und es wird ein außerordentlich flacher
Widerstandsschaltkreis geboten. Abgesehen von der Zuver
lässigkeit des Fertigproduktes, welches ein geringes Ge
wicht haben kann, wird auch wegen der geringeren Anzahl
benötigter Verfahrensschritte die leitende Dichte der
Grundplatte erhöht. Das Fertigprodukt kann außerdem mit
geringeren Kosten hergestellt werden, ohne daß eine Fehl
anordnung von Leitungen oder ein falsches Einsetzen des
Widerstands wie beim herkömmlichen Verfahren überhaupt
möglich ist.
Das genannte spezielle Verfahren zum Herstellen des Wi
derstandsschaltkreises auf einer Grundplatte unter Aus
bildung einer Vielzahl erster elektrisch leitfähiger
Schaltkreise eines ersten Schichtbelages auf der Grund
platte und mindestens eines zweiten elektrisch leitfähi
gen Schaltkreises eines zweiten Schichtbelages auf den
ersten elektrisch leitfähigen Schaltkreisen soll so abge
wandelt werden, daß zwischen den ersten und zweiten elek
trisch leitfähigen Schaltkreisen ein Elektrizitätsspei
cherschaltkreis geschaffen wird.
Kurz zusammengefaßt weist die Erfindung folgende Schritte
auf: an einer Seite einer Grundplatte wird ein Kupferbe
lag befestigt; der Kupferbelag wird geätzt, um auf ihm
eine Vielzahl erster, elektrisch leitfähiger Schaltkreise
eines ersten Schichtbelages zu bilden; diese eine Seite
der Grundplatte wird außer in Bereichen, die mit weiteren
Schaltkreisen elektrisch verbunden werden sollen, welche
auf den ersten elektrisch leitfähigen Schaltkreisen des
ersten Schichtbelags zu bilden sind, mit einem gegen
Plattieren beständigen Resistmaterial überzogen; der er
ste elektrisch leitfähige Schaltkreis des ersten Schicht
belages wird mit einer zur Metallplattierung geeigneten,
elektrisch leitfähigen Kupferpaste so überzogen, daß der
erste elektrisch leitfähige Schaltkreis des ersten
Schichtbelages in mindestens zwei Bereiche unterteilt wer
den kann, die elektrisch voneinander zu isolieren sind;
die Grundplatte wird zum Härten erhitzt; die Grundplatte
wird gesäubert; die Grundplatte wird in eine Metallplat
tierlösung eingetaucht, um auf der Oberseite der elek
trisch leitfähigen Kupferpaste eine Metallplattierschicht
zu erzeugen, um dadurch die zweiten elektrisch leitfähi
gen Schaltkreise eines zweiten Schichtbelages zu bilden,
die aus der Metallplattierschicht und der elektrisch
leitfähigen Kupferpaste bestehen; auf einen Teil jedes
der elektrisch isolierten Bereiche der zweiten, elektrisch
leitfähigen Schaltkreise des zweiten Schichtbelages wird
eine elektrisch leitfähige Paste aufgetragen; die Grund
platte wird erhitzt, um die elektrisch leitfähige Paste
zur Schaffung von zwei elektrischen Anschlüssen zu härten;
auf einen Teil, der sich zwischen den beiden elektrischen
Anschlüssen erstreckt, wird eine Paste aufgetragen, die
einen vorherbestimmten elektrischen Widerstandswert hat;
die Grundplatte wird erhitzt, um die elektrische Wider
standspaste zu härten, damit zwischen den beiden elek
trisch gegeneinander isolierten Bereichen der zweiten
elektrisch leitfähigen Schaltkreise des zweiten Schichtbe
lages ein Widerstandsschaltkreis gebildet wird.
Die Erfindung weist gemäß einem anderen Aspekt folgende
Schritte auf: an einer Seite einer Grundplatte wird ein
Kupferbelag befestigt; der Kupferbelag wird geätzt, um
darauf eine Vielzahl erster, elektrisch leitfähiger
Schaltkreise eines ersten Schichtbelages auszubilden;
diese eine Seite der Grundplatte wird mit einem gegen
Plattieren beständigen Resistmaterial außer in denjenigen
Bereichen überzogen, die mit einem weiteren Schaltkreis
elektrisch verbunden werden sollen, der auf den ersten,
elektrisch leitfähigen Schaltkreisen des ersten Schicht
belages auszubilden ist; auf eine Seite der Grundplatte
wird eine elektrisch leitfähige Kupferpaste, die für eine
Metallplattierung geeignet ist, so aufgetragen, daß min
destens zwei der ersten elektrisch leitfähigen Schalt
kreise elektrisch miteinander verbunden werden können;
die Grundplatte wird erhitzt, um sie zu härten; die
Grundplatte wird gesäubert; die Grundplatte wird in eine
Metallplattierlösung eingetaucht, um auf der Oberseite
der elektrisch leitfähigen Paste eine Metallauflageschicht
zu erzeugen, damit mindestens ein zweiter, elektrisch
leitfähiger Schaltkreis eines zweiten Schichtbelages ge
bildet wird, der aus der Metallauflageschicht und der
elektrisch leitfähigen Kupferpaste besteht; derjenige
Teil der ersten elektrisch leitfähigen Schaltkreise, der
ohne Uberzug mit der elektrisch leitfähigen Kupferpaste
blieb, oder ein Teil des zweiten elektrisch leitfähigen
Schaltkreises wird mit einer dielektrischen Paste überzo
gen, die die Eigenschaft hat, Elektrizität zu speichern;
die Grundplatte wird erhitzt, um die dielektrische Paste
hart werden zu lassen; die fragliche Seite der Grundplat
te wird mit einer elektrisch leitfähigen Paste so über
zogen, daß sich die Paste zwischen der dielektrischen Pa
ste und einem der ersten, elektrisch leitfähigen Schalt
kreise oder dem zweiten elektrisch leitfähigen Schalt
kreis erstreckt; die Grundplatte wird erhitzt, um die
elektrisch leitfähige Paste zu härten, damit auf der Grund
platte ein Elektrizitätsspeicherschaltkreis gebildet wird.
Im folgenden ist die Erfindung mit weiteren vorteilhaften
Einzelheiten anhand schematisch dargestellter Ausführungs
beispiele näher erläutert,
ein erstes Ausführungsbeispiel der Erfindung ist in den
Fig. 1 bis 9 dargestellt, und zwar zeigt:
Fig. 1 eine kupferbeschichtete Grundplatte in senkrech
tem Schnitt;
Fig. 2 die Grundplatte gemäß Fig. 1 mit einem Überzug aus
einem ätzbeständigen Resistmaterial;
Fig. 3 die Grundplatte gemäß Fig. 2 mit durch Ätzen ge
bildeten ersten elektrisch leitfähigen Schalt
kreisen;
Fig. 4 die Grundplatte gemäß Fig. 3, die mit einem plat
tierbeständigen Resistmaterial überzogen ist;
Fig. 5 die Grundplatte gemäß Fig. 4, die mit einer elek
trisch leitfähigen Kupferpaste überzogen ist;
Fig. 6 die Grundplatte gemäß Fig. 5, die durch nicht
elektrolytisches Plattieren mit zweiten, elektrisch
leitfähigen Schaltkreisen versehen ist;
Fig. 7 die Grundplatte gemäß Fig. 6, die mit elektri
schen Anschlüssen aus einer elektrisch leitfähigen
Paste versehen ist;
Fig. 8 die Grundplatte gemäß Fig. 7 mit einem Wider
standsschaltkreis aus einer Widerstandspaste;
Fig. 9 die Grundplatte mit einem die ganze Oberseite be
deckenden Überzug als Abschluß der Verfahrens
schritte zum Herstellen der Grundplatte.
Ein zweites Ausführungsbeispiel der Erfindung ist in den
Fig. 10 bis 18 gezeigt, und zwar zeigt:
Fig. 10 eine kupferbeschichtete Grundplatte in senkrech
tem Schnitt;
Fig. 11 die Grundplatte gemäß Fig. 10, die mit einem ätz
beständigen Resistmaterial überzogen ist;
Fig. 12 die Grundplatte gemäß Fig. 11, die durch Ätzen
mit ersten, elektrisch leitfähigen Schaltkreisen
versehen ist;
Fig. 13 die Grundplatte gemäß Fig. 12, die mit einem plat
tierbeständigen Resistmaterial überzogen ist;
Fig. 14 die Grundplatte gemäß Fig. 13, die mit einer elek
trisch leitfähigen Kupferpaste überzogen ist;
Fig. 15 die Grundplatte gemäß Fig. 14, die durch chemi
sches Kupferplattieren mit einem zweiten elektrisch
leitfähigen Schaltkreis versehen ist;
Fig. 16 die Grundplatte gemäß Fig. 15, die mit einer di
elektrischen Paste überzogen ist;
Fig. 17 die Grundplatte gemäß Fig. 16, die mit einer elek
trisch leitfähigen Paste zur Schaffung eines elek
trisch speichernden Schaltkreises überzogen ist;
Fig. 18 die Grundplatte gemäß Fig. 17 mit einem die ganze
Oberseite bedeckenden Überzug zum Abschluß der
Verfahrensschritte zum Herstellen der Grundplatte.
Wie Fig. 1 zeigt, ist an einer Grundplatte 1, beispiels
weise aus einem Polymerisat an einer Seite ein Kupferbelag
8 befestigt, so daß sich ein kupferbeschichtetes Substrat
3 ergibt. Auf den Kupferbelag 8 ist außer in Bereichen 3 a,
in denen keine ersten elektrisch leitfähigen Schaltkreise
C 1 gebildet sind, wie in Fig. 3 gezeigt, ein ätzbeständi
ges Resistmaterial 7 aufgetragen, welches anschließend
zum Härten erwärmt wird. Das Resistmaterial 7 wird geätzt,
damit eine Vielzahl erster elektrisch leitfähiger Schalt
kreise C 1 eines ersten Schichtbelages aus dem Kupferbelag
8 entsteht, der, wie Fig. 3 zeigt, in den Bereichen 3 a
entfernt ist. Anschließend wird, wie Fig. 4 zeigt, die
Grundplatte 1 außer in den Bereichen der ersten, elek
trisch leitfähigen Schaltkreise C 1, die mit weiteren
Schaltkreisen elektrisch verbunden werden müssen, ein
plattierbeständiges Resistmaterial 6, beispielsweise das
Produkt CR-2001 der Asahi Chemical Research Laboratory
Co., Ltd. aufgetragen. Die genannten zweiten elektrisch
leitfähigen Schaltkreise C 2 sind auf den ersten elek
trisch leitfähigen Schaltkreisen auszubilden (wie in
Fig. 6 gezeigt). Um das Resistmaterial 6 zu härten, wird
das Substrat 3 ca. 30 Minuten lang auf eine Temperatur
von ca. 150°C erwärmt.
Anschließend wird durch Siebdruck auf die ersten, elek
trisch leitfähigen Schaltkreise C 1 eine elektrisch leit
fähige Kupferpaste 9 aufgetragen, beispielsweise das Pro
dukt ACP-007P der Asahi Chemical Research Laboratory Co.,
Ltd. Das Bedrucken erfolgt so, daß die Schaltkreise in
mindestens zwei Bereiche unterteilt werden, die elek
trisch voneinander isoliert sind, wie Fig. 5 zeigt. An
schließend erfolgt zum Härten eine Erwärmung auf ca.
150°C während 30 bis 60 Minuten.
Danach wird das kupferbeschichtete Substrat 3 einer Be
handlung zur Vorbereitung des nächsten Plattierverfahrens
unterzogen. Hierzu wird das Substrat 3 etwa einige Minu
ten mit einer Wasserlösung gesäubert, die 4-5 Gew.% Ätz
natron (NaOH) enthält, und danach wird die Oberfläche
wiederum einige Minuten mit einer Wasserlösung behandelt,
die 5-10 Gew.% Salzsäure (HCl) enthält. Dadurch werden
die Kupferteilchen aus dem Bindemittel der elektrisch
leitfähigen Kupferpaste 9 freigelegt, so daß sie Kerne
für die nächste Kupferplattierbehandlung bieten. Es sei
noch darauf hingewiesen, daß kein Katalysator nötig ist,
was unter Umständen bei einem nichtelektrolytischen Plat
tieren der Fall ist.
Das kupferbeschichtete Substrat 3 wird anschließend in
ein chemisches Kupferplattierbad eingetaucht, um die Ober
fläche der elektrisch leitfähigen Kupferpaste 9 chemisch
mit Kupferbelag zu versehen, d. h. die in Fig. 6 gezeigte
Kupferauflage 10 zu bilden. So entstehen zweite elek
trisch leitfähige Schaltkreise C 2 eines zweiten Schicht
belages, die mit den ersten, elektrisch leitfähigen Schalt
kreisen C 1 des ersten Schichtbelages elektrisch verbunden
sind. Das Bad zur chemischen Kupferplattierung hat einen
pH-Wert von 11-13 und eine Temperatur von 65-75°C, die
Dicke der Kupferauflage beträgt mehr als 5 µm, die Ge
schwindigkeit, mit der sich die Plattierung ansammelt,
beträgt ca. 1,5-3 µm/Std.
Damit sind die zweiten elektrisch leitfähigen Schaltkreise
C 2 auf einer Seite des kupferbeschichteten Substrats 3
aus der elektrisch leitfähigen Kupferpaste 9 und der Kup
ferauflage 10 gebildet. Danach werden, wie Fig. 7 zeigt,
die elektrisch isolierten Bereiche der zweiten, elektrisch
leitfähigen Schaltkreise mit einer elektrisch leitfähigen
Paste 19, z. B. einer Silberpaste überzogen, um zwei
elektrische Anschlüsse 20 zu bilden. Danach erfolgt wie
derum eine Wärmebehandlung zum Härten. Wie Fig. 8 zeigt,
wird dann der Bereich zwischen den beiden Anschlüssen 20
der zweiten elektrisch leitfähigen Schaltkreise C 2 mit
einer elektrischen Widerstand aufweisenden Paste 14 mit
vorherbestimmtem Widerstandswert überzogen, und wiederum
erfolgt eine Wärmebehandlung, damit die Paste hart wird.
So entsteht ein Widerstandsschaltkreis 13 zwischen den
elektrisch isolierten Bereichen der zweiten elektrisch
leitfähigen Schaltkreise C 2.
Abschließend wird, wie Fig. 9 zeigt, ein äußerer Überzug
11, beispielsweise ein gegen Plattieren beständiges Pro
dukt CR-2001 der Asahi Chemical Research Laboratory Co.,
Ltd. über die ganze verarbeitete Seite des kupferbeschich
teten Substrats 3 aufgetragen und zum Hartwerden erwärmt.
Damit ist eine gedruckte Schaltungsplatte 12 fertig.
Statt der Kupferauflage kann gemäß der Erfindung auf der
elektrisch leitfähigen Kupferpaste 9 eine Plattierung aus
einem Edelmetall, wie Silber oder Gold vorgesehen werden.
Ferner können die ersten und zweiten elektrisch leitfähi
gen Schaltkreise C 1, C 2 auch auf dem Überzug 11 ausgebil
det werden, der anstelle des Kupferbelages 8 auf einer
Seite der Grundplatte 1 als Überzug vorgesehen ist. In
der hier beschriebenen Weise können auf einer Seite der
Grundplatte gemäß der Erfindung Schaltkreise aus mehr als
drei Schichten gebildet werden.
Die elektrisch leitfähige Kupferpaste soll ebenso wie die
einen elektrischen Widerstand aufweisende Paste und die
gegen Plattieren beständige Paste, die alle erfindungsge
mäß benutzt werden, näher erläutert werden.
Hinsichtlich der Paste ACP-007P der Asahi Chemical Re
search Laboratory Co., Ltd., die als Beispiel einer
insbesondere zur Kupferplattierung geeigneten, elektrisch
leitfähigen Kupferpaste genannt ist, ist allgemein be
kannt, daß Kupfer leicht oxidiert, insbesondere wenn es
in Form von Pulverpartikeln vorliegt, deren bloße, äußere
Oberfläche vergrößert ist. Im Gegensatz zu der nichtoxi
dierbaren Paste aus Edelmetallen ist es deshalb nötig,
eine Paste mit solchen Bestandteilen zu schaffen, daß der
oxidierte Film der Kupferpulverteilchen entfernt und das
erneute Oxidieren der Kupferpartikel vermieden wird. Um
eine leicht zu benutzende und ohne weiteres an einem Ba
sismaterial zu befestigende, elektrisch leitfähige Kupfer
paste zu erhalten, ist es wichtig, bei der Wahl das Basis
material, an dem sie befestigt werden soll, zu berücksich
tigen und die Bestandteile, wie Kupferpulver, Bindemittel,
Sonderzusatz (z. B. Anthrazen, Anthrazenkarbonsäure,
Anthradin, Anthranilsäure), Dispergiermittel und Lösungs
mittel sorgfältig zu wählen und ordnungsgemäß zu
vermischen.
Die Kupferteilchen haben je nach ihrem Herstellungsverfah
ren unterschiedliche Gestalt. Bei dem elektrolytischen
Verfahren werden Kupferteilchen in großer Reinheit nieder
geschlagen und auch in verzweigter Gestalt. Beim Reduk
tionsverfahren, bei dem Oxide durch ein Reduktionsgas re
duziert werden, entstehen die Kupferteilchen in schwamm
artiger und poröser Gestalt.
Die im Zusammenhang mit der vorliegenden Erfindung zu
verwendende elektrisch leitfähige Kupferpaste muß folgen
de Eigenschaften haben:
- 1) Sie muß durch Siebdruck zur Bildung feiner Muster leicht auftragbar sein.
- 2) Sie muß an der Grundplatte fest anbringbar sein.
- 3) Sie muß gegen die hohe Temperatur eines Alkalibades beim chemischen Kupferplattieren beständig sein.
- 4) Sie muß an der Kupferplattierung fest anbringbar sein.
- 5) Ihre Viskosität muß im Verlauf der Zeit unveränder lich sein, damit sie stabil bedruckbar ist.
Um die vorstehend genannten Erfordernisse zu erfüllen,
muß die elektrisch leitfähige Kupferpaste Kupferteilchen
von großer Reinheit in verzweigter Gestalt, wie sie bei
der Elektrolyse niedergeschlagen werden, und/oder von po
röser, schwammiger Gestalt enthalten, wie sie aus Metall
oxiden reduziert werden. Die Kupferteilchen können zu
Flocken weiterverarbeitet werden.
Um den Gehalt an Kupferteilchen in der Paste zu erhöhen,
müssen außerdem Kupferteilchen unterschiedlicher Größen
und Gestalten zu maximaler Dichte geschüttet werden.
Hinsichtlich des Bindemittels der elektrisch leitfähigen
Kupferpaste ist zu sagen, daß es als Träger für sehr viele
Kupferteilchen und gleichzeitig als wirksamer Haftstoff
an der Grundplatte dienen muß. Außerdem muß das Bindemit
tel gegenüber dem Alkalibad bei der chemischen Kupfer
plattierung beständig sein.
Es hat sich gezeigt, daß die beste elektrisch leitfähige
Kupferpaste erhalten wurde, wenn sie Epoxyharz mit einem
großen Gehalt an Kupferteilchen enthielt, wobei die Nie
derschlagsrate bei der Plattierung und außerdem das Haft
vermögen des plattierten Films erhöht wird.
Die auf der elektrisch leitfähigen Kupferpaste ACP-007P
niedergeschlagene Kupferauflage ist rötlich braun und
pastenartig und hat eine Viskosität von 300-500 Pas bei
einer Temperatur von 25°C. Das Haftvermögen an einer
kupferbeschichteten Grundplatte und einer Grundplatte aus
Harz ist durch einen Klebebandversuch bestätigt worden.
Außerdem ist das Haftvermögen an der elektrisch leitfähi
gen Paste durch den Klebebandversuch bestätigt worden.
Die Löteigenschaft beträgt mehr als 96% hinsichtlich der
Ausdehnungsrate und mehr als 3,0 kg hinsichtlich der Zug
kraft (3×3 mm2).
Die einzelnen Bestandteile der elektrisch leitfähigen
Kupferpaste und deren Leitvermögen sind im einzelnen von
der Anmelderin in ihren japanischen Patentanmeldungen
55-6609 (Offenlegungsnummer 56-103260) (entsprechend
US-PS 4 353 816) und 60-216041 (entsprechend US Patentan
meldung 06/895716) offenbart und deshalb hier nicht näher
beschrieben.
Als elektrische Widerstandspaste wird eine Paste benutzt,
die ein gereinigtes Pulver aus Kohlenstoff oder Graphit
oder dgl. von großer Reinheit als elektrisch leitfähiges
Element und ein hitzehärtbares Harz, wie Epoxy-, Phenol-,
Melamin- oder Acrylharz oder dgl. als Bindemittel ent
hält und außerdem ein Lösungsmittel, welches bei hoher
Temperatur langsam verdampft und zum Modifizieren der
Viskosität dient.
Die Bestandteile der elektrischen Widerstandspaste müssen
alle eine bestimmte Eigenschaft haben. Als funktionelles
Pulver müssen die Partikel beispielsweise fein und gleich
förmig sein und eine große Reinheit und hohe Qualität auf
weisen. Ferner dürfen die Teilchen nur einen geringen Un
terschied im elektrischen Widerstandswert haben und müs
sen mit dem Harz verträglich sein, mit dem sie vermischt
werden sollen.
Hinsichtlich der Eigenschaft des Polymerisats sollte die
Paste vorzugsweise ohne weiteres mit den Partikeln lös
lich sein und keinen Film bilden, wenn sie längere Zeit
bei normaler Temperatur aufbewahrt wird. Ferner darf die
Paste bei normaler Temperatur nicht hart werden, hinge
gen rasch härten, wenn sie erhitzt wird. Das Volumen der
hart gewordenen Paste darf sich nicht ändern, und die
Paste muß leicht flexibel sein und sich leicht an der
Grundplatte anheften lassen. Ferner muß die Paste gegen
über Wärme und Feuchtigkeit beständig sein und ohne wei
teres an einem Vor- oder Grundauftrag ebenso wie an einem
Außenauftrag haften.
Hinsichtlich der Eigenschaft des Lösungsmittels ist zu
sagen, daß die Paste bei den aufeinanderfolgenden Be
druckvorgängen stabilisiert sein muß, d. h. daß sie die
Drucke nicht ausfüllen und den Emulsionsfilm nicht ver
schlechtern darf. Außerdem muß die Verdampfungsgeschwin
digkeit der Paste bei normaler Temperatur langsam sein
und die Paste darf nicht leicht Wasser absorbieren und
keine abrupten Änderungen ihrer Viskosität bei Temperatu
ren von ±10°C erfahren. Schließlich darf sie weder bei
normaler Temperatur noch im Dampf bei der Erwärmung Gift
enthalten und/oder einen Reizgeruch verströmen.
Die vorstehend genannten Erfordernisse werden von einer
von der Asahi Chemical Research Laboratory Co., Ltd.
entwickelten, einen elektrischen Widerstand aufweisenden
Paste, beispielsweise der Paste mit der Bezeichnung
TU-1K voll erfüllt. In dieser elektrischen Widerstandspa
ste wird ein sehr stark stabilisierter Widerstand auf
rechterhalten, d. h. die Schwankung des Widerstandes
liegt nur bei ca. 0,5% bei den Löttemperaturen von
240°C und 260°C. Außerdem absorbiert diese Paste nicht
rasch Wärme und spricht nicht auf Wärme an, bis die Löt
temperatur erreicht ist, was tatsächlich eine Kurve einer
Wärmedifferenzanalyse anzeigt. Die Volumenschwankung des
Widerstands ist deshalb extrem gering.
Als Resistmaterial zum Abweisen einer Plattierung wird
gemäß der Erfindung beispielsweise das Resistmaterial
CR-2001 der Asahi Chemical Research Laboratory Co., Ltd.
benutzt. Das Resistmaterial wird auf einen ersten Schalt
kreis aufgetragen, der nicht mit einem zweiten, auf dem
ersten auszubildenden Schaltkreis elektrisch verbunden
ist. Deshalb muß das Resistmaterial nicht nur isolierend
wirken sondern auch gegen Alkali beständig sein. Das Re
sistmaterial ist tatsächlich so entwickelt worden, daß es
den sauren Charakter mehr als 4 Stunden lang in einem
Alkalibad von 70°C und einem pH-Wert von 12 aufrechter
hält, was dem chemischen Kupferplattierbad entspricht.
Ähnlich wie die elektrisch leitfähige Kupferpaste ACP-007P
enthält das Resistmaterial als Hauptbestandteil ein Epoxy
harz und wird durch ein Polyestersieb der Siebfeinheit
180 mesh (0,080 mm) aufgedruckt und dann zum Härten ca.
30 Minuten bei einer Temperatur von 150° erwärmt. Der auf
gedruckte Film hat vorzugsweise eine Dicke von 15-30 µm
und ist gegen Chemikalien und Spannungen beständig. Seine
Haupteigenschaften lassen sich wie folgt beschreiben: das
Resistmaterial haftet ohne weiteres an der Basis, auf die
es aufgetragen wird und an einem Kupferbelag. Ferner ver
schlechtert es sich nicht, wenn es lange Zeit in ein Alka
libad mit einem pH-Wert von 12 eingetaucht wird. Das Re
sistmaterial ist für die praktische Verwendung ziemlich
sicher, weil der verwendete Härter ein wenig giftiges Al
kali ist. Das Resistmaterial wird durch Siebdruck aufge
tragen und enthält einen Härter von 10 g, gemischt mit
dem Hauptbestandteil von 100 g. Hart wird das Material in
einer gegebenen Zeit von 15-30 Minuten bei einer Tempera
tur von 150-200°C.
Das plattierbeständige Resistmaterial ist grün im Zustand
von Tinte und hat ein Haftvermögen (quer geschnitten) von
100/100 auf einem Kupferbelag, eine Oberflächenhärte von
mehr als 8 H bei Messung mit einem Bleistift, eine Lö
sungsbeständigkeit (in Trichloräthylen) von mehr als 15
Sekunden, eine Beständigkeit gegen Löthitze (260°C) von
mehr als 5 Zyklen, einen Widerstandswert der Oberflächen
isolierung von mehr als 5×1013 Ω, einen Volumenwider
standswert von 1×1014 Ωcm, eine Beständigkeit gegen
Spannung (15 µm) von mehr als 3,5 kV sowie eine dielek
trische Tangente (1 MHz) von weniger als 0,03.
Das vorstehend beschriebene Ausführungsbeispiel der Er
findung kann so abgewandelt werden, daß auf der Grund
platte statt des Widerstandsschaltkreises ein Elektrizi
tätsspeicherschaltkreis ausgebildet wird.
Fig. 10 zeigt eine Grundplatte 10 A aus einem Polymerisat,
an deren einer Seite ein Kupferbelag befestigt ist, wo
durch ein kupferbeschichtetes Substrat 30 geschaffen ist.
In den Fig. 11 und 12 ist erkennbar, daß der Kupferbelag
80 außer in Bereichen 30 a, in denen keine ersten, elek
trisch leitfähigen Schaltkreise C 10 ausgebildet werden,
mit einem ätzbeständigen Resistmaterial 70 überzogen ist.
Danach wird das Substrat 30 zum Härten erwärmt. Anschlie
ßend wird das Substrat 30 geätzt, um darauf eine Vielzahl
erster, elektrisch leitfähiger Schaltkreise C 10 in einem
ersten Schichtbelag des Kupferbelags 80 auszubilden, der
in den Bereichen 30 a entfernt ist.
Anschließend wird, wie aus Fig. 13 und 14 hervorgeht, ein
plattierbeständiges Resistmaterial 60, beispielsweise das
Produkt CR-2001 der Asahi Chemical Research Laboratory Co.,
Ltd. auf die Grundplatte 10 außer in Bereichen der ersten
elektrisch leitfähigen Schaltkreise C 10 aufgetragen, die
mit einem weiteren Schaltkreis elektrisch verbunden werden
sollen, beispielsweise einem zweiten elektrisch leitfähi
gen Schaltkreis C 20, wie er in Fig. 15 gezeigt und auf den
ersten elektrisch leitfähigen Schaltkreisen C 10 auszubil
den ist. Danach wird das Substrat 30 ca. 30 Minuten lang
auf eine Temperatur von ca. 150°C erwärmt, damit das ge
gen Plattieren beständige Resistmaterial 60 hart wird. An
schließend wird eine elektrisch leitfähige Kupferpaste 90,
z. B. das Produkt ACP-007P der Asahi Chemical Research
Laboratory Co., Ltd. durch Siebdruck auf das Substrat 30
so aufgetragen, daß mindestens zwei der ersten, elektrisch
leitfähigen Schaltkreise C 10 miteinander elektrisch ver
bunden werden. Anschließend wird das Substrat 30 zum Här
ten der Kupferpaste 90 30-60 Minuten lang auf eine Tempe
ratur von ca. 150°C erwärmt.
In diesem Zustand wird das Substrat 30 einer Behandlung
zur Vorbereitung des nächsten Plattiervorganges unterwor
fen. Hierzu wird das Substrat 30 etwa einige Minuten lang
mit einer Wasserlösung gesäubert, die 4-5 Gew.% Ätznatron
(NaOH) enthält. Anschließend erfolgt eine Oberflächenbe
handlung während einiger Minuten mit einer Wasserlösung,
die 5-10 Gew.% Salzsäure (HCl) enthält. Dadurch werden
die Kupferpulverteilchen aus dem Bindemittel der elek
trisch leitfähigen Kupferpaste 90 bloß gelegt und bieten
die Kerne für den nächsten Kupferplattiervorgang. Es sei
noch darauf hingewiesen, daß hier kein Katalysator nötig
ist, was bei einem nichtelektrolytischen Plattiervorgang
der Fall sein kann.
Anschließend wird das Substrat 30 in ein chemisches Kup
ferplattierbad eingetaucht, um die Oberfläche der elek
trisch leitfähigen Kupferpaste 90 mit einem Kupferbelag
zu versehen und dadurch die Kupferauflage 100 zu bilden,
wie Fig. 15 zeigt. Es wird also ein zweiter elektrisch
leitfähiger Schaltkreis C 20 einer zweiten Beschichtungs
lage auf den beiden ersten elektrisch leitfähigen Schalt
kreisen C 10 so gebildet, daß der zweite Schaltkreis C 20
mit den beiden ersten Schaltkreisen C 10 elektrisch ver
bunden ist. Das chemische Kupferplattierbad hat einen pH-
Wert von 11-13 und eine Temperatur von 65-75°C, die
Dicke der Kupferauflage beträgt mehr als 5 µm und die Ge
schwindigkeit, mit der sich die Plattierung ansammelt,
ca. 1,5-3 µm/Std.
Danach wird, wie Fig. 16 und 17 zeigen, der erste, elek
trisch leitfähige Schaltkreis C 10, der nicht mit elek
trisch leitfähiger Kupferpaste 90 beschichtet wurde, mit
einer dielektrischen Paste 180 überzogen, die die Eigen
schaft hat, Elektrizität zu speichern. Anschließend wird
das Substrat 30 zum Härten der dielektrischen Paste er
wärmt. Danach wird eine elektrisch leitfähige Paste 190,
z. B. eine Silberpaste auf einen Bereich aufgetragen, der
sich zwischen dem zweiten Schaltkreis C 20 und dem ersten
Schaltkreis C 10 erstreckt und auf den die dielektrische
Paste 180 aufgetragen wurde. Auf diese Weise wird die
Paste 180 mit dem zweiten Schaltkreis C 20 und dem ersten
Schaltkreis C 10 verbunden. Danach wird das Substrat 30
zum Härten der elektrisch leitfähigen Paste 190 erwärmt.
Auf diese Weise wird zwischen dem ersten elektrisch leit
fähigen Schaltkreis C 10 des ersten Schichtbelags und dem
zweiten elektrisch leitfähigen Schaltkreis des zweiten
Schichtbelags an einer Seite des kupferplattierten Sub
strats 30 ein Elektrizitätsspeicherschaltkreis 160
gebildet.
Zuletzt wird, wie Fig. 18 zeigt, ein Überzug 110, bei
spielsweise ein plattierbeständiges Resistmaterial
CR-2001 der Asahi Chemical Research Laboratory Co., Ltd.
auf eine Seite des Substrats 30 so aufgetragen, daß es
die ersten elektrisch leitfähigen Schaltkreise C 10, den
zweiten elektrisch leitfähigen Schaltkreis C 20 und den
Elektrizitätsspeicherschaltkreis 160 überdeckt. An
schließend erfolgt eine Erwärmung auf ca. 150°C während
ca. 30 Minuten, um den Überzug 110 hart werden zu lassen.
So können mehrschichtige Schaltkreise aus ersten und
zweiten Schaltkreisen und einem Elektrizität speichern
den Schaltkreis ohne weiteres an einer Seite einer
Grundplatte durch entsprechende Kombination subtraktiver
und additiver Verfahren gemäß der Erfindung geschaffen
werden.
Es liegt auf der Hand, daß auf dem Überzug 110 gemäß
Fig. 18 ein weiterer oder mehrere weitere Schaltkreise
gebildet werden können, um an einer Seite der Grundplatte
noch mehr Schaltungen zu akkumulieren.
Claims (9)
1. Verfahren zum Herstellen elektrischer Schalt
kreise auf einer Grundplatte,
dadurch gekennzeichnet, daß
- a) an einer Seite der Grundplatte ein Kupferbelag befe stigt wird;
- b) der Kupferbelag so geätzt wird, daß auf ihm eine Viel zahl erster, elektrisch leitfähiger Schaltkreise eines ersten Schichtbelags gebildet wird;
- c) die eine Seite der Grundplatte mit einem plattierbe ständigen Resistmaterial außer in Bereichen überzogen wird, die mit weiteren Schaltkreisen elektrisch verbunden werden sollen, welche auf den ersten, elektrisch leitfä higen Schaltkreisen des ersten Schichtbelags zu bilden sind;
- d) eine elektrisch leitfähige Kupferpaste, die für eine Metallplattierung geeignet ist, auf die eine Seite der Grundplatte so aufgetragen wird, daß die ersten, elek trisch leitfähigen Schaltkreise des ersten Schichtbelags in mindestens zwei Bereiche unterteilt werden können, die elektrisch voneinander isolierbar sind;
- e) die Grundplatte zum Härten erwärmt wird;
- f) die Grundplatte gesäubert wird;
- g) die Grundplatte in eine Metallplattierlösung einge taucht wird, wodurch auf der Oberfläche der elektrisch leitfähigen Kupferpaste eine Metallplattierschicht gebil det wird, wodurch zweite elektrisch leitfähige Schalt kreise aus mindestens zwei elektrisch isolierten Berei chen eines zweiten Schichtbelags gebildet werden, die aus der Metallplattierschicht und der elektrisch leitfähi gen Kupferpaste bestehen;
- h) ein Teil jedes der elektrisch isolierten Bereiche der zweiten, elektrisch leitfähigen Schaltkreise des zweiten Schichtbelags mit einer elektrisch leitfähigen Paste über zogen wird;
- i) die Grundplatte zum Härten der elektrisch leitfähigen Paste zur Schaffung eines Paares elektrischer Anschlüsse erwärmt wird;
- j) eine einen elektrischen Widerstand aufweisende Paste mit vorherbestimmtem Widerstandswert auf einen Teil auf getragen wird, der sich zwischen den beiden elektrischen Anschlüssen erstreckt; und
- k) die Grundplatte zum Härten der elektrischen Wider standspaste erwärmt wird, wobei ein Widerstandsschalt kreis zwischen den beiden elektrisch isolierten Bereichen der zweiten, elektrisch leitfähigen Schaltkreise des zwei ten Schichtbelags gebildet wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß die Grundplatte
aus einem Polymerisat hergestellt wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß als Metallplat
tieren ein chemisches Kupferplattieren durchgeführt wird.
4. Verfahren nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß einer der min
destens zwei elektrisch isolierten Bereiche der ersten,
elektrisch leitfähigen Schaltkreise mindestens zwei elek
trisch miteinander verbundene Schaltkreise aufweist, und
daß der andere der mindestens zwei elektrisch isolierten
Bereiche der ersten, elektrisch leitfähigen Schaltkreise
mindestens einen Schaltkreis aufweist.
5. Verfahren nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß einer der min
destens zwei elektrisch isolierten Bereiche der zweiten,
elektrisch leitfähigen Schaltkreise mindestens zwei elek
trisch miteinander verbundene Schaltkreise aufweist, und
daß der andere der mindestens zwei elektrisch isolierten
Bereiche der zweiten, elektrisch leitfähigen Schaltkreise
mindestens einen Schaltkreis aufweist.
6. Verfahren zum Herstellen elektrischer Schalt
kreise auf einer Grundplatte,
dadurch gekennzeichnet, daß
- a) an einer Seite der Grundplatte ein Kupferbelag befe stigt wird;
- b) der Kupferbelag so geätzt wird, daß auf ihm eine Viel zahl erster, elektrisch leitfähiger Schaltkreise eines ersten Schichtbelags gebildet wird;
- c) die eine Seite der Grundplatte mit einem plattierbe ständigen Resistmaterial außer in Bereichen überzogen wird, die mit einem anderen Schaltkreis elektrisch ver bunden werden sollen, welcher auf den ersten, elektrisch leitfähigen Schaltkreisen des ersten Schichtbelags zu bilden ist;
- d) eine elektrisch leitfähige Kupferpaste, die für eine Metallplattierung geeignet ist, auf die eine Seite der Grundplatte so aufgetragen wird, daß mindestens zwei der ersten, elektrisch leitfähigen Schaltkreise elektrisch verbunden werden;
- e) die Grundplatte zum Härten erwärmt wird;
- f) die Grundplatte gesäubert wird;
- g) die Grundplatte in eine Metallplattierlösung einge taucht wird, wobei die Oberseite der elektrisch leitfähi gen Paste mit einer Metallplattierschicht versehen und mindestens ein zweiter elektrisch leitfähiger Schaltkreis eines zweiten Schichtbelags gebildet wird, der aus der Metallplattierschicht und der elektrisch leitfähigen Kup ferpaste besteht;
- h) der Rest der ersten, elektrisch leitfähigen Schalt kreise, der nicht mit der elektrisch leitfähigen Kupfer paste überzogen wurde, oder ein Teil des zweiten, elek trisch leitfähigen Schaltkreises mit einer dielektrischen Paste beschichtet wird, die die Eigenschaft hat, Elektri zität zu speichern;
- i) die Grundplatte zum Härten der dielektrischen Paste erwärmt wird;
- j) die eine Seite der Grundplatte mit einer elektrisch leitfähigen Paste so beschichtet wird, daß die elektrisch leitfähige Paste sich zwischen der dielektrischen Paste und einem der ersten, elektrisch leitfähigen Schaltkreise oder dem zweiten, elektrisch leitfähigen Schaltkreis er streckt; und
- k) die Grundplatte zum Härten der elektrisch leitfähigen Paste erwärmt wird, wodurch auf der Grundplatte ein Elek trizitätsspeicherschaltkreis gebildet wird.
7. Verfahren nach Anspruch 6,
dadurch gekennzeichnet, daß die Grundplat
te aus einem Polymerisat hergestellt wird.
8. Verfahren nach Anspruch 6,
dadurch gekennzeichnet, daß als Metall
plattieren ein chemisches Kupferplattieren durchgeführt
wird.
9. Verfahren nach Anspruch 6,
dadurch gekennzeichnet, daß der andere der
ersten, elektrisch leitfähigen Schaltkreise mindestens
einen Schaltkreis aufweist.
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