DE10004648C2 - Integrierter Halbleiterspeicher - Google Patents

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft einen integrierten Halb­ leiterspeicher mit Speicherzellen zur Speicherung von Daten­ signalen, mit einem Leseverstärker, einer Signalleitung und einer Speicherschaltung.

Neuere Generationen von integrierten Halbleiterspeichern wei­ sen eine wachsende Integrationsdichte und eine zunehmende An­ zahl integrierter Funktionen auf. Ein Halbleiterspeicher ist dabei meist mit weiteren Komponenten verbunden, die zusammen beispielsweise ein Computersystem bilden. Für Halbleiterspei­ cher, die relativ große Ausmaße und relative lange Leiterbah­ nen aufweisen, ist es zunehmend schwierig, die Datenzugriffs­ zeiten zu erzielen, die von schnell schaltenden Komponenten beispielsweise des Computersystems gefordert werden.

Ein Datenzugriff läßt sich üblicherweise in mehrere Funkti­ onsblöcke unterteilen. In einem ersten Funktionsblock werden Zugriffs-Kommandos decodiert und die betreffende Speicherzel­ lenadresse generiert. In einem Halbleiterspeicher, der bei­ spielsweise ein matrixförmiges Speicherzellenfeld aufweist, werden in einem zweiten Funktionsblock die Spaltenadressen decodiert, eine betreffende Spaltenleitung mittels eines Spaltenauswahlsignals ausgewählt, die auszulesenden Daten in einem Leseverstärker verstärkt und nach außerhalb des Spei­ cherzellenfeldes gegeben. Dort werden sie üblicherweise einem weiteren Leseverstärker zugeführt. In einem dritten Funkti­ onsblock wird ein auszulesendes Datensignal von diesem Lese­ verstärker beispielsweise zu einer internen Speicherschaltung oder zu einem Ausgangspuffer des integrierten Speichers über­ tragen.

Zur Übertragung eines auszulesenden Datensignals an eine in­ terne Speicherschaltung oder ein Ausgangspuffer kann beispielsweise ein Datenleitungspaar mit zueinander differenzi­ ellen Zuständen verwendet werden. In jedem Lesezyklus weist dabei eine der beiden Leitungen einen Signalübergang auf. So­ bald dieser in einer Speicherschaltung gesichert ist, erfolgt in bekannter Weise eine entsprechende Aufladung der jeweils anderen Leitung. Diese Anordnung weist einen vergleichsweise hohen Platzbedarf auf dem Halbleiterspeicher auf.

Das auszulesende Datensignal kann alternativ auf einer ein­ zelnen statischen Datenleitung übertragen werden. Diese Si­ gnalleitung, die den Leseverstärker und die interne Speicher­ schaltung beziehungsweise das Ausgangspuffer verbindet, weist für jeden Lesezyklus höchstens einen Signalübergang auf. Im Interesse möglichst kurzer Zugriffszeiten müssen beide Arten von Signalübergängen (z. B. "log. 0" = L nach "log. 1" = H, "log. 1" = H nach "log. 0" = L) hinsichtlich deren Schaltzei­ ten optimiert werden. Die minimale Zugriffszeit ist dabei li­ mitiert auf den langsameren Signalübergang der beiden Si­ gnalübergänge.

Aus US 5 703 830 A ist ein dynamischer Halbleiterspeicher be­ kannt, der Leseverstärker zum Auslesen von Datensignalen von Speicherzellen aufweist, deren Ausgänge mit jeweiligen Trei­ berschaltungen verbunden sind zur Aktivierung der jeweiligen Treiberschaltung. Eine Signalleitung ist mit einem Ausgang der jeweiligen Treiberschaltung verbunden. Mit der Signallei­ tung sind außerdem ein Eingang einer Speicherschaltung und ein Transistor zum Anheben der Spannung auf der Signalleitung verbunden. Die Speicherschaltung ist durch ein Steuersignal ansteuerbar.

Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, einen inte­ grierten Halbleiterspeicher anzugeben, der eine Schaltungsan­ ordnung zum Auslesen von Datensignalen aufweist, bei dem die Schaltungsanordnung einen möglichst geringen Platzbedarf auf­ weist, und der vergleichsweise hohe Schaltgeschwindigkeiten von Signalübergängen der auszulesenden Datensignale aufweist.

Die Aufgabe wird gelöst durch einen integrierten Halbleiter­ speicher mit Speicherzellen zur Speicherung von Datensigna­ len; mit einem Leseverstärker mit einem Eingang für ein Da­ tensignal einer der Speicherzellen und einem Ausgang für we­ nigstens ein Ausgangssignal; mit einer Treiberschaltung mit einem Ausgang und einem Eingang, der mit dem Ausgang des Le­ severstärkers verbunden ist, wobei die Treiberschaltung nur von dem Ausgangssignal des Leseverstärkers aktivierbar oder deaktivierbar ist; mit einer Signalleitung, die mit dem Aus­ gang der Treiberschaltung verbunden ist; mit einer Vorladeschaltung, die mit der Signalleitung verbunden ist; mit einer Speicherschaltung mit einem Eingang, der mit der Signallei­ tung verbunden ist, und einem Ausgang; mit einem Anschluß für ein Steuersignal, der mit dem Leseverstärker, der Vorlade­ schaltung und der Speicherschaltung verbunden ist.

Vorteilhafte Aus- und Weiterbildungen sind Gegenstand abhän­ giger Ansprüche.

Zum Auslesen eines Datensignals einer der Speicherzellen wird beispielsweise ein entsprechendes Steuersignal angelegt. Nach einem Signalübergang des Steuersignals wird die Vorladeschal­ tung deaktiviert. Der Leseverstärker liest daraufhin an dem Eingang ein Datensignal einer auszulesenden Speicherzelle ein. An dem Ausgang des Leseverstärkers wird ein entsprechen­ des Ausgangssignal erzeugt. Dieses Ausgangssignal dient als Eingangssignal einer Treiberschaltung, die von dem Ausgangs­ signal des Leseverstärkers beispielsweise aktiviert wird. Entsprechend wird am Ausgang der Treiberschaltung ein Si­ gnalübergang auf der angeschlossenen Signalleitung erzeugt. Als Folge davon verändert sich der Zustand der Signalleitung zu einem zu dem Vorladesignal komplementären Zustand. Die Si­ gnalleitung wird beispielsweise entladen. Die ebenfalls an der Signalleitung angeschlossene Speicherschaltung speichert diesen Zustandswechsel, der an dem Ausgang der Speicherschal­ tung entnehmbar ist. Die Speicherschaltung wird dabei eben­ falls von dem Steuersignal gesteuert und ist zum Auslesen des Datensignals entsprechend freigeschaltet.

Nachdem der Lesezugriff beendet ist, wird der Eingang der Speicherschaltung für weitere Vorgänge gesperrt. Das vorher aus dem Speicherzellenfeld ausgelesene Datensignal ist am Ausgang der Speicherschaltung auslesbar. Der Leseverstärker wird deaktiviert, wodurch das Ausgangssignal des Leseverstär­ kers entsprechend rückgesetzt wird. Schließlich wird die Vor­ ladeschaltung entsprechend aktiviert, wodurch die Signallei­ tung wieder auf den ursprünglichen Zustand aufgeladen wird.

Zum Auslesen beispielsweise eines Datensignals, das einen Zu­ stand aufweist, der zu dem Zustand des vorher ausgelesenen Datensignals komplementär ist, wird ein erneuter Lesezyklus eingeleitet. Durch ein entsprechendes Steuersignal wird wie­ derum der Eingang der Speicherschaltung freigeschaltet. Diese speichert den Zustand der Signalleitung in dem Zeitpunkt, in dem der Eingang der Speicherschaltung freigeschaltet wird. Da das auszulesende Datensignal komplementär zu dem vorher aus­ gelesenen Datensignal ist, wird das vorher aktivierte Aus­ gangssignal des Leseverstärkers in diesem Lesezyklus nicht aktiviert. Somit wird auch die Treiberschaltung nicht akti­ viert. Die durch die Vorladeschaltung aufgeladene Signallei­ tung wird folglich durch die Treiberschaltung nicht entladen. Die Speicherschaltung speichert somit den Zustand der Signal­ leitung nach dem Vorladen durch die Vorladeschaltung. Zum Be­ enden des Lesezyklus wird die Speicherschaltung wiederum ge­ sperrt und der Leseverstärker deaktiviert.

Da bei dem zweiten beschriebenen Lesevorgang das Vorladepo­ tential der Signalleitung in der Speichereinheit gespeichert wird, wird eine hohe Schaltgeschwindigkeit am Ausgang der Speicherschaltung erreicht. Die Treiberschaltung wird nur von dem Ausgangssignal des Leseverstärkers aktiviert beziehungs­ weise deaktiviert. Das Ausgangssignal des Leseverstärkers zeigt hier das Auslesen eines Datums mit einem bestimmten lo­ gischen Zustand beziehungsweise das Nicht-Auslesen eines Da­ tums mit dem bestimmten logischen Zustand durch den Lesever­ stärker an. Da am Eingang der Treiberschaltung nur dieses Ausgangssignal des Leseverstärkers anliegt, kann diese mit verhältnismäßig geringem Aufwand ausgeführt werden.

Die Erfindung ist in verschiedenen Anwendungen einsetzbar. Beispielsweise ist der Halbleiterspeicher als dynamischer Halbleiterspeicher oder als synchroner dynamischer Halblei­ terspeicher ausgebildet.

Der erfindungsgemäße integrierte Halbleiterspeicher, dessen Funktionsweise und dessen vorteilhafte Aus- und Weiterbildun­ gen werden im folgenden anhand der in der Zeichnung darge­ stellten Figuren näher erläutert. Es zeigen:

Fig. 1 eine Ausführungsform des erfindungsgemäßen Halblei­ terspeichers,

Fig. 2 eine Ausführungsform des Halbleiterspeichers mit modifizierter Vorladeschaltung,

Fig. 3 eine Ausführungsform des Halbleiterspeichers mit einer Halteschaltung,

Fig. 4 ein Ablaufdiagramm zu der Schaltung nach der Fig. 1,

Fig. 5 eine Ausführungsform des Halbleiterspeichers mit mehreren Leseverstärkern.

Fig. 1 zeigt eine einfache Ausführungsform des erfindungsge­ mäßen Halbleiterspeichers mit Speicherzellen MC, die bei­ spielsweise zu Einheiten von Zeilenleitungen WL und Spalten­ leitungen BL zusammengefaßt sind. Die Speicherzellen MC die­ nen zur Speicherung eines Datensignals DQ beziehungsweise DQ, das jeweils einen ersten logischen Zustand L oder einen zweiten logischen Zustand H aufweist.

Ein erstes Ausgangssignal RD0 des Leseverstärkers 2 zeigt mit einem ersten Zustand H das Auslesen eines Datums mit dem er­ sten logischen Zustand L durch den Leseverstärker 2 an. Das erste Ausgangssignal RD0 zeigt mit einem zweiten Zustand L das Nicht-Auslesen eines Datums mit dem ersten logischen Zu­ stand L durch den Leseverstärker 2 an. Ein zweites Ausgangs­ signal RD1 des Leseverstärkers 2 zeigt mit einem ersten Zu­ stand H das Auslesen eines Datums mit dem zweiten logischen Zustand H durch den Leseverstärker 2 an. Das zweite Ausgangssignal RD1 zeigt mit einem zweiten Zustand L das Nicht- Auslesen eines Datums mit dem zweiten logischen Zustand H durch den Leseverstärker 2 an. Die Zustände des ersten Aus­ gangssignals RD0 und des zweiten Ausgangssignals RD1 bedeuten dabei beispielsweise folgendes: RD0 = RD1 = L zeigt an, daß kein Datensignal DQ ausgelesen wird. RD0 = H zeigt beispiels­ weise an, daß ein Datensignal DQ = L durch den Leseverstärker ausgelesen wird. RD1 = H zeigt beispielsweise an, daß ein Da­ tensignal DQ = H aus dem Speicherzellenfeld ausgelesen wird. Dabei sollte sichergestellt sein, daß RD0 = RD1 = H nicht auftreten kann.

Der Leseverstärker 2 ist mit einem Eingang 21 für das Daten­ signal DQ und mit einem Eingang 22 für das Datensignal DQ einer der Speicherzellen MC sowie mit einem Ausgang 23 für das Ausgangssignal RD0 und dem Ausgang 24 für das Ausgangs­ signal RD1 versehen. Über den weiteren Anschluß 25 ist der Leseverstärker 2 mit einem Anschluß 7 für ein Steuersignal C verbunden. Eine Treiberschaltung 3 weist einen Ausgang 32 und einen Eingang 31 auf, der mit dem Ausgang 23 des Leseverstär­ kers 2 verbunden ist. Die Treiberschaltung 3 ist dabei nur von dem Ausgangssignal RD0 des Leseverstärkers 2 aktivierbar beziehungsweise deaktivierbar. Eine Signalleitung 4 zur Über­ tragung eines logischen Signals ist mit dem Ausgang 32 der Treiberschaltung 3 verbunden. Mit der Signalleitung 4 sind weiterhin verbunden eine Vorladeschaltung 5 sowie eine Spei­ cherschaltung 6 mit einem Eingang 61 und einem Ausgang 62. Wie der Leseverstärker 2 sind die Vorladeschaltung 5 und die Speicherschaltung 6 mit dem Anschluß 7 für das Steuersignal C verbunden. Die Speicherschaltung 6 ist beispielsweise als so­ genanntes Latch ausgeführt.

Die Treiberschaltung 3 umfaßt beispielsweise einen Transistor 13, dessen gesteuerte Strecke zwischen die Signalleitung 4 und einem Anschluß für ein erstes Versorgungspotential V1 ge­ schaltet ist. Der Steueranschluß des Transistors 13 ist mit dem Eingang 31 der Treiberschaltung 3 verbunden und damit mit dem Ausgang 23 des Leseverstärkers 2.

Die Vorladeschaltung 5 umfaßt hier ebenfalls einen Transistor 15, dessen gesteuerte Strecke zwischen die Signalleitung 4 und einem Anschluß für ein zweites Versorgungspotential V2 geschaltet ist. Der Steueranschluß des Transistors 15 ist da­ bei mit dem Anschluß 7 für das Steuersignal C verbunden. Das erste Versorgungspotential V1 repräsentiert den ersten logi­ schen Zustand L eines Datensignals einer Speicherzelle. Das zweite Versorgungspotential V2 repräsentiert den dazu komple­ mentären zweiten logischen Zustand H.

Im folgenden wird die Funktionsweise der in Fig. 1 darge­ stellten Schaltungsanordnung anhand des Ablaufdiagramms aus Fig. 4 näher erläutert.

In einem anfänglichen Zustand ist die Signalleitung 4 auf den Zustand H durch die Vorladeschaltung 5 vorgeladen. Dies wird durch einen leitenden Transistor 15 erreicht, an dessen Steu­ ereingang das Steuersignal C = L anliegt.

Ein Lesezyklus wird eingeleitet durch eine steigende Flanke des Steuersignals C. Daraufhin wird ein Speicherzugriff aus­ geführt, wodurch an den Eingängen 21 und 22 des Leseverstär­ kers 2 die Datensignale DQ beziehungsweise DQ anliegen. Das Steuersignal C wirkt weiterhin als Aktivierungssignal für den Leseverstärker 2, der die Datensignale einliest und ver­ stärkt. Entsprechend werden die Ausgänge 23 und 24 des Lese­ verstärkers 2 mit den Signalen RD1 und RD0 belegt. Durch das Steuersignal C wird außerdem die Vorladeschaltung 5 deakti­ viert.

Gemäß dem Ablaufdiagramm nach der Fig. 4 zeigt die erste steigende Flanke des Steuersignals C das Lesen eines Datensi­ gnals DQ = L an. Nach dem der Leseverstärker 2 das Datensi­ gnal DQ beziehungsweise DQ eingelesen hat, liegt an dem Ausgang 23 das Signal RD0 = H an. Dieses Ausgangssignal RD0 des Leseverstärkers 2 aktiviert den Transistor 13 der Treiber­ schaltung 3. Dadurch wird die Signalleitung 4 von dem Zustand H auf den Zustand L entladen. Der Eingang 61 der Speicher­ schaltung 6 wird durch ein entsprechendes Signal am Steuer­ eingang 63 freigeschaltet. Der Eingang 61 der Speicherschal­ tung 6 ist dabei freigeschaltet, wenn das Steuersignal C den Zustand H annimmt. Nimmt das Steuersignal C den Zustand L an, so ist der Eingang 61 deaktiviert. Die Signalleitung 4, die auf den Zustand L entladen ist, zeigt den Zustand des Daten­ signals DQ = L an. Dieses Datensignal erscheint am Ausgang 62 der Speicherschaltung 6 nach einer internen Verzögerungszeit der Speicherschaltung 6.

Mit der nächsten fallenden Flanke des Steuersignals C wird der Eingang der Speicherschaltung 6 deaktiviert, das Aus­ gangssignal am Ausgang 62 der Speicherschaltung 6 bleibt je­ doch erhalten. Der Lesezugriff ist damit beendet, der Lese­ verstärker 2 wird deaktiviert und damit das Ausgangssignal RD0 auf den Zustand L rückgesetzt. Die Vorladeschaltung 5 wird wieder aktiviert, wodurch die Signalleitung 4 den Zu­ stand H annimmt.

Nach dem Ablaufdiagramm der Fig. 4 ist das Steuersignal C ein regelmäßiges Taktsignal, beispielsweise eines synchronen dynamischen Halbleiterspeichers. Prinzipiell ist es jedoch auch möglich, das Aktivieren beziehungsweise Deaktivieren der beschriebenen Schaltungskomponenten jeweils durch eine stei­ gende Flanke des Steuersignals C zu erreichen. Das Steuersi­ gnal C ist dabei beispielsweise ein dafür generiertes Steuer­ signal einer dafür vorgesehenen Steuerschaltung.

In einem weiteren Lesezyklus wird mit der steigenden Flanke des Steuersignals C beispielsweise ein Datensignal DQ = H ausgelesen. Die Vorladeschaltung 5 wird wiederum deaktiviert. Mit dem steigenden Steuersignal C wird der Eingang 61 der Speicherschaltung 6 freigeschaltet, wodurch das Ausgangssignal am Ausgang 62 der Speicherschaltung 6 den Zustand H annimmt. Außerdem nimmt das Ausgangssignal RD1 des Lesever­ stärkers 2 den Zustand H an. Diese Information wird jedoch für das Auslesen auf der Signalleitung 4 nicht benötigt, da die Signalleitung 4 und der Ausgang 62 der Speicherschaltung 6 bereits den Zustand H in Folge der Vorladung durch die Vor­ ladeschaltung 5 annehmen. Das Ausgangssignal RD1 des Lesever­ stärkers 2 ist deshalb nicht an der Treiberschaltung 3 ange­ schlossen.

Da die Treiberschaltung 3 nur von dem Ausgangssignal RD0, wie vorher beschrieben, aktivierbar beziehungsweise deaktivierbar ist, reduziert sich deren Schaltungsaufwand in vorteilhafter Weise. Analog zu dem vorherigen Lesevorgang wird der zweite Lesevorgang durch die folgende fallende Flanke des Steuersi­ gnals C beendet. Das Ausgangssignal RD1 nimmt dabei wieder den Zustand L an.

Da an dem Ausgang 62 der Speicherschaltung 6 der Übergang vom Zustand L nach dem Zustand H unmittelbar nach der steigenden Signalflanke des Steuersignals C folgt, findet dieser Si­ gnalübergang relativ zu dem Signalübergang beim vorherigen Lesezyklus zu einem früheren Zeitpunkt statt. Daher wird die maximale Zeitverzögerung beim Lesevorgang nur durch den Si­ gnalübergang auf der Signalleitung 4 von dem Zustand H nach dem Zustand L bestimmt. Das hat den Vorteil, daß die Transi­ storen der Speicherschaltung 6 vorallem im Hinblick auf die­ sen Signalübergang optimiert werden können. Der Signalüber­ gang an dem Ausgang 62 der Speicherschaltung 6 von dem Zu­ stand L nach dem Zustand H ist, wie beschrieben, zeitlich un­ kritisch und hat daher keinen Einfluß auf die beschriebene Optimierung.

Da die Treiberschaltung 3 aus Fig. 1 wie beschrieben einen relativ geringen schaltungstechnischen Aufwand erfordert, er­ geben sich weitere Vorteile des erfindungsgemäßen Halbleiter­ speichers. Es ist zwischen dem Anschluß für das Versorgungspotential V2 und der Signalleitung 4 nur ein PMOS-Transistor vorzusehen, wobei dessen Plazierung auf der integrierten Schaltung unabhängig von der Plazierung des Leseverstärkers 2 ist. Durch einen reduzierten schaltungstechnischen Aufwand der Treiberschaltung 3 wird im besonderen der Platzbedarf in der Umgebung des Leseverstärkers 2 gering gehalten. Dadurch, daß an der Signalleitung 4 eine minimale Anzahl von PMOS- Transistoren angeschlossen ist, wird das kapazitive Verhalten der Signalleitung 4 positiv beeinflußt. Die kapazitive Aufla­ dung der Signalleitung 4 kann gering gehalten werden.

In Fig. 2 ist eine Weiterbildung der Ausführungsform des Halbleiterspeichers nach der Fig. 1 gezeigt. Danach ist der Steueranschluß des Transistors 15 der Vorladeschaltung 5 an einer logischen Verarbeitungseinheit 55 angeschlossen. Die logische Verarbeitungseinheit 55 ist ihrerseits mit dem An­ schluß 7 für das Steuersignal C und mit dem Ausgang 24 für das Ausgangssignal RD1 des Leseverstärkers 2 verbunden. Diese Schaltung hat den Vorteil, daß während des Lesevorgangs eines Datensignals DQ = H die Signalleitung 4 keinen floatenden Zu­ stand aufweist. Die Signalleitung 4 wird durch das Ausgangs­ signal RD1 = H auf dem Zustand H gehalten. Die Vorladeschal­ tung 5 erhält damit neben der Vorladefunktion eine Haltefunk­ tion zum Halten des Zustands der Signalleitung 4. Der Transi­ stor 15 der Vorladeschaltung 5 kann aufgrund dieser Funktion relativ klein dimensioniert werden. Im Gegensatz dazu sind beispielsweise Schalttransistoren einer Treiberschaltung ver­ hältnismäßig groß dimensioniert, um Signalübergänge möglichst schnell schalten zu können.

In Fig. 3 ist eine weitere Ausführungsform des Halbleiter­ speichers dargestellt. Dieser weist eine Halteschaltung 8 auf, die einen Transistor 18 umfaßt, dessen gesteuerte Strec­ ke zwischen die Signalleitung 4 und einem Anschluß für das zweite Versorgungspotential V2 geschaltet ist. Der Steueran­ schluß des Transistors 18 ist mit dem Ausgang 24 für das Ausgangssignal RD1 des Leseverstärkers 2 verbunden. Im folgenden wird die Funktion der Halteschaltung näher erläutert.

Infolge der feinen Strukturen eines integrierten Halbleiter­ speichers werden die darauf vorgesehenen Schaltungsanordnun­ gen und Leiterbahnen in einer Umgebung betrieben, die relativ intensives elektrisches Rauschen aufweist. Dieses Rauschen ist auf dem betreffenden Leiter oftmals durch kapazitive Kopplung mit dem Substrat beziehungsweise mit anderen Leiter­ bahnen verursacht. Bei integrierten Halbleiterspeichern wer­ den bei einem Lesezyklus typischerweise mehrere Bitleitungen parallel ausgelesen, so daß mehrere nebeneinander angeordnete Signalleitungen 4 gleichzeitig einen aktiven Zustand aufwei­ sen. Während eines Lesevorgangs, in dem ein Datensignal DQ = H gelesen wird, wird die Signalleitung 4 für eine kurze Zeit nicht aktiv, beispielsweise von der Treiberschaltung 3 oder der Vorladeschaltung 5, mit einem festen Versorgungspotential beaufschlagt. Während dieser Zeit ist die Signalleitung 4 empfindlich gegenüber kapazitiven Einkopplungen.

Damit die Signalleitung 4 unempfindlich gegenüber diesen Ein­ kopplungen ist, ist die Halteschaltung 8 vorgesehen, die durch das Signal RD1 für den relevanten Zeitraum aktiv ge­ schaltet ist. Aus den gleichen Gründen, wie im vorherigen Ausführungsbeispiel beschrieben, kann der Transistor 18 im Vergleich zu einem Schalttransistor einer Treiberschaltung relativ klein dimensioniert werden. Es ist daher neben der Vorladeschaltung 5 ein relativ geringer Platzbedarf für die Halteschaltung 8 notwendig.

Fig. 5 zeigt eine Weiterbildung des erfindungsgemäßen Halb­ leiterspeichers mit mehreren gleichartigen Leseverstärkern 200 bis 20n, die parallel an der Signalleitung 4 angeschlos­ sen sind. In diesem Fall muß das Steuersignal C kombiniert werden mit einer Spalten-Adreßdecodierung, um sicherzustel­ len, daß nur einer der Leseverstärker 200 bis 20n aktiviert ist. Dazu weist der Halbleiterspeicher einen Decoder 9 auf zur Auswahl einer der Spaltenleitungen BL. Dem Decoder 9 wird eine Adresse ADR und das Steuersignal C zugeführt. Über den Ausgang 91 des Decoders 9 wird einer der Leseverstärker 200 bis 20n ausgewählt, koordiniert mit dem Signal an dem Ausgang 92 des Decoders 9 zur Auswahl einer der Spaltenleitungen BL.

Den jeweiligen Leseverstärkern 200 bis 20n sind entsprechend deren Anzahl jeweilige Treiberschaltungen 300 bis 30n zuge­ ordnet. Über die Ansteuerung der Leseverstärker 200 bis 20n mittels der Signale an den Ausgängen 91 und 92 des Decoders 9 wird sichergestellt, daß nur ein Datenbit auf die Signallei­ tung 4 ausgegeben wird.

Claims (11)

1. Integrierter Halbleiterspeicher mit
Speicherzellen (MC) zur Speicherung von Datensignalen (DQ),
einem Leseverstärker (2) mit einem Eingang (21) für ein Da­ tensignal (DQ) einer der Speicherzellen (MC) und einem Aus­ gang (23) für wenigstens ein Ausgangssignal (RD0),
einer Treiberschaltung (3) mit einem Ausgang (32) und einem Eingang (31), der mit dem Ausgang (23) des Leseverstärkers (2) verbunden ist, wobei die Treiberschaltung (3) nur von dem Ausgangssignal (RD0) des Leseverstärkers (2) aktivierbar oder deaktivierbar ist,
einer Signalleitung (4), die mit dem Ausgang (32) der Trei­ berschaltung (3) verbunden ist,
einer Vorladeschaltung (5), die mit der Signalleitung (4) verbunden ist,
einer Speicherschaltung (6) mit einem Eingang (61), der mit der Signalleitung (4) verbunden ist, und einem Ausgang (62),
einem Anschluß (7) für ein Steuersignal (C), der mit dem Leseverstärker (2), der Vorladeschaltung (5) und der Spei­ cherschaltung (6) verbunden ist.

2. Integrierter Halbleiterspeicher nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Treiberschaltung (3) einen Transistor (13) umfaßt, dessen gesteuerte Strecke zwischen die Signalleitung (4) und einem Anschluß für ein erstes Versorgungspotential (V1) geschaltet ist, und dessen Steueranschluß mit dem Eingang (31) der Trei­ berschaltung (3) verbunden ist.

3. Integrierter Halbleiterspeicher nach einem der vorherge­ henden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Vorladeschaltung (5) einen Transistor (15) umfaßt, dessen gesteuerte Strecke zwischen die Signalleitung (4) und einem Anschluß für ein zweites Versorgungspotential (V2) geschaltet ist, und dessen Steueranschluß mit dem Anschluß (7) für das Steuersignal (C) verbunden ist.

4. Integrierter Halbleiterspeicher nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Steueranschluß des Transistors (15) der Vorladeschaltung (5) an einer logischen Verarbeitungseinheit (55) anliegt, die mit dem Anschluß (7) für das Steuersignal (C) und mit einem Ausgang (24) für ein weiteres Ausgangssignal (RD1) des Lese­ verstärkers (2) verbunden ist.

5. Integrierter Halbleiterspeicher nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der integrierte Halbleiterspeicher eine Halteschaltung (8) aufweist, die einen Transistor (18) umfaßt, dessen gesteuerte Strecke zwischen die Signalleitung (4) und dem Anschluß für das zweite Versorgungspotential (V2) geschaltet ist, und des­ sen Steueranschluß mit einem Ausgang (24) für ein weiteres Ausgangssignal (RD1) des Leseverstärkers (2) verbunden ist.

6. Integrierter Halbleiterspeicher nach einem der vorherge­ henden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß
das Datensignal (DQ) einer der Speicherzellen (MC) einen ersten logischen Zustand (L) oder einen zweiten logischen Zu­ stand (H) aufweist,
ein erstes Ausgangssignal (RD0) des Leseverstärkers (2) mit einem ersten Zustand (H) das Auslesen eines Datums mit dem ersten logischen Zustand (L) durch den Leseverstärker (2) und mit einem zweiten Zustand (L) das Nicht-Auslesen eines Datums mit dem ersten logischen Zustand (L) durch den Leseverstärker (2) anzeigt,
ein zweites Ausgangssignal (RD1) des Leseverstärkers (2) mit einem ersten Zustand (H) das Auslesen eines Datums mit dem zweiten logischen Zustand (H) durch den Leseverstärker (2) und mit einem zweiten Zustand (L) das Nicht-Auslesen eines Datums mit dem zweiten logischen Zustand (H) durch den Leseverstärker (2) anzeigt.

7. Integrierter Halbleiterspeicher nach einem der vorherge­ henden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß
der integrierte Halbleiterspeicher mehrere gleichartige Le­ severstärker (200; 20n) aufweist, wobei nur einer der Lese­ verstärker (200; 20n) aktiviert ist,
der integrierte Halbleiterspeicher entsprechend der Anzahl der Leseverstärker (200; 20n) jeweilige zugeordnete Treiber­ schaltungen (300; 30n) aufweist,
jede der Treiberschaltungen (300; 30n) mit der Signallei­ tung (4) verbunden ist.

8. Integrierter Halbleiterspeicher nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß
die Speicherzellen (MC) zu Einheiten von Spaltenleitungen (BL) und Zeilenleitungen (WL) zusammengefaßt sind,
der integrierte Halbleiterspeicher einen Decoder (9) zur Auswahl einer der Spaltenleitungen (BL) aufweist,
die Leseverstärker (200; 20n) mit dem Decoder (9) verbunden sind.

9. Integrierter Halbleiterspeicher nach einem der vorherge­ henden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das Steuersignal (C) ein regelmäßiges Taktsignal ist.

10. Integrierter Halbleiterspeicher nach einem der vorherge­ henden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der integrierte Halbleiterspeicher als dynamischer Halblei­ terspeicher ausgebildet ist.

11. Integrierter Halbleiterspeicher nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß der integrierte Halbleiterspeicher als synchroner dynamischer Halbleiterspeicher ausgebildet ist.