CZ19697A3 - Low-profile typehead with a thin film and process for producing thereof - Google Patents
Low-profile typehead with a thin film and process for producing thereof Download PDFInfo
- Publication number
- CZ19697A3 CZ19697A3 CZ97196A CZ19697A CZ19697A3 CZ 19697 A3 CZ19697 A3 CZ 19697A3 CZ 97196 A CZ97196 A CZ 97196A CZ 19697 A CZ19697 A CZ 19697A CZ 19697 A3 CZ19697 A3 CZ 19697A3
- Authority
- CZ
- Czechia
- Prior art keywords
- insulating layer
- head
- pole
- zero
- layer
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 17
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims abstract description 21
- 210000000746 body region Anatomy 0.000 claims abstract description 11
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 17
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 claims description 6
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 abstract description 5
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 27
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 11
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 5
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 5
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 238000009987 spinning Methods 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000009954 braiding Methods 0.000 description 2
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000004313 glare Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 235000012771 pancakes Nutrition 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000012216 screening Methods 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/313—Disposition of layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/313—Disposition of layers
- G11B5/3133—Disposition of layers including layers not usually being a part of the electromagnetic transducer structure and providing additional features, e.g. for improving heat radiation, reduction of power dissipation, adaptations for measurement or indication of gap depth or other properties of the structure
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/3116—Shaping of layers, poles or gaps for improving the form of the electrical signal transduced, e.g. for shielding, contour effect, equalizing, side flux fringing, cross talk reduction between heads or between heads and information tracks
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/4902—Electromagnet, transformer or inductor
- Y10T29/49021—Magnetic recording reproducing transducer [e.g., tape head, core, etc.]
- Y10T29/49032—Fabricating head structure or component thereof
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Description
Oblast techniky ! cn
-J o<
Vynález se týká nízkoprofilové psací hlavy s tenkým filmem, zejména nízkoprofilové psací hlavy s tenkým filmem, ve které vrchol druhého pólu s malou šířkou stopy může být vzorkován a plátován současně s kusem druhého pólu. Vynález se dále týká způsobu výroby nízkoprofilové psací hlavy s tenkým filmem definované výše.
Dosavadní stav techniky
Psací hlava s tenkým filmem obsahuje kusy prvního pólu a druhého pólu, ktré jsoi magneticky spojeny v oblasti vrcholu pólu a u zadní mezery. V oblasti vrcholu pólu kusy prvního a druhého pólu tvoří vrcholy prvního a druhého pólu. které jsou odděleny tenkou izolační vrstvou mezery. Oblast vrcholu pólu je vymezena povrchem hlavy a nulovou výškou vstupního ústí mezi povrchem hlavy a zadní mezerou. Část těla hlavy leží mezi nulovou výškou vstupního ústí a zadní mezerou. V části těla hlavy je uložena jedna nebo několik vrstev cívek tvaru lívance a množství izolačních vrstev. Cívky tvaru lívance zavádějí tok do kusů pólů a/nebo z nich tok přijímají.
Každá izolační vrstva má vrchol blízko oblasti hrotu pólu, kde izolační vrstva začíná. Každý vrchol je umístěn u nebo mezi nulovou výškou vstupního ústí a zadní mezerou. V dosavadním stavu techniky je vrchol první izolační vrstvy typicky umístěn nad kusem prvního pólu a vymezuje nulovou výšku vstupního ústí. Každá izolační vrstva má šikmý povrch od jejího vrcholu do její nejvyšší úrovně nad kusem prvního pólu. Tato šikmá část je vytvořena krokem způsobu výroby, ve kterém se izolační vrstva ohřívá. Ohřev vypudí rozpouštědla způsobující smrštění izolační vrstvy a šikmé části od vrcholu do nejvyšší úrovně.
Kus druhého pólu má přesvětlený bod, u kterého se zužuje
-2pod šířku vrcholu druhého pólu pro vytvoření velké části hlavního těla. Tento přesvětlený bod je umístěn mezi nulovou výškou vstupního ústí a zadní mezerou. Když je přesvětlený bod umístěn příliš daleko vzadu, může se tok zadní mezery rozptýlit z kusů pólů vlivem zvláštní délky úzkého materiálu, kterým musí být tok veden. Nicméně umístění přesvětleného bodu těsně k nolové výšce vstupnéího ústí může zamezit současnou výrobu kusu druhého pólu a vysoké rozlišení šířky úzké stopy vrcholu druhého pólu, jak bude podrobně vysvětleno dále .
Délka vrstvy mezery mezi hrotem druhého pólu a hrotem prvního pólu a tvarové uspořádání hrotu druhého pólu jsou nejkritičtější prvky psací hlavy s tenkým filmem. Délka vrstvy mezery u povrchu hlavy určuje lineární hustotu hlavy, zejména kolik bitů na lineární palec magnetického prostředí může hlava zapsat. Šířka hrotu druhého pólu určuje šířku stopy hlavy, která určuje kolik stop na šířku magnetického prostředí v palcích může být hlavou zapsáno. Součin těchto dvou činitelů je plošná hustota. V současné době, kdy se požaduje ukládání a zpracování velkých množství dat, jako v televizi s vysokým určením, se naléhavě požadují psací hlavy s tenkým filmem, které zajišťují vyskokou plošnou hustotu cestou vysokého rozlišení a malou šířkou stopy hrotu druhého pólu.
Vysoké rozlišení hrotu druhého pólu může být provedeno procesem přenosu obrazu následovaným leptáním reaktivními ionty. Proces přenosu obrazu typicky maskuje horní povrch odporové vrstvy s kovovým vzorem, který není ovlivněn leptáním reaktivními ionty. Oblast, která není zakryta maskou, je tam, kde má být hrot pólu plátován a tato oblast je tvarována leptáním reaktivními ionty. Kroky ukládání kovového vzoru a leptání jsou velmi nákladné. Hrot druhého pólu může být také vyroben leptáním svazkem iontů, při kterém kus druhého pólu se bombarduje ionty pro vytvoření hrotu druhého pólu se žádanopu šířkou stopy. Tento proces je také velmi nákladný. Při obou těchto postupech je hrot druhého pólu vy-3tvářen individuálně a potom je zbytek druhého pólu připojen ke druhému pólu obvyklou fotolitografií.
Levnější proces výroby hroty druhého pólu spočívá v tom, že se vytvoří stejnými kroky procesu, kterými se vytváří kus druhého pólu. Tyto kroky používají jednu vrstvu fotoodporu, která může být vzorkována pro plátování celého kusu druhého pólu zároveň s hrotem druhého pólu v jedné operaci. Způsoby podle dosavadního stavu techniky k vytváření kusu druhého pólu a hrotu drhého pólu se stejnými kroky však nedávaly vysoké rozlišení hrotu druhého pólu. Když kus druhého pólu a hrot druhého pólu se vytvářejí současně obvyklou fotolitografií, je vrstva fotoodporu povlečená opředením na části těla a oblasti hrotu pólu hlavy. Vrstva fotoodporu je umístěna nad vrstvou mezery v oblasti hrotu pólu a nad složením izolačních vrstev v oblasti těla. Izolační složení je typicky 7 až 8 pm nad vrstvou mezery a má vyznačený svah jak první izolační vrstva přechází do svého vrcholu u nulové výšky vstupního ústí. Když je odpor nanesen opředením na podklad, vyrovná se napříč části těla a oblasti hrotu pólu, což způsobí, že odpor v oblasti hrotu pólu je značně tlustší než odpor v části těla hlavy. Tlouštka odporu v části těla hlavy je dána požadovaanou tlouštkou kusu druhého pólu. Tak například když kus druhého pólu v části těla má tlouštku 4 pm, vrstva fotoodporu by měla tlouštku asi 4,5 pm. S typickým izolačním složením o tlouštce asi 8 pm to má za následek tlouštku vrstvy odporu asi 11 pm v oblasti hrotu pólu Tato tlouštka v oblasti hrotu pólu plus svah první izolační vrstvy blízko oblasti hrotu pólu velmi znasnadňuje vytvoření malé šířky stopy hrotu druhého pólu s následnými kroky fotolitografie. V jednom životaschopném výrobním postupu pro výrobu psacích hlav s tenkým filmem s vysokým rozlišením by poměr tlouštky vrstvy fotoodporu k šířce stopy hrotu pólu měl být řádově od 4 do 1. Tudíž by tlouštka fotoodporu neměla být větší než čtyřnásobek žádané šířky stopy hrotu druhého pólu. Po uložení vrstvy fotoodporu se tento vzorkuje osvětlením v jedné nebo několika oblastech.
-4které se odstraní v následujícím kroku rozpuštění osvětleného fotoodporu. Následkem tlouštky fotoodporu v oblasti hrotu pólu má být intenzita světla pro vzorkování vysoká, aby světlo proniklo celkovou hloubku fotoodporu. Když je intenzita světla vysoká, úzké pásky použité pro vzorkování miniaturních útvarů zavedou ohnuté složky ve světle a okraje pásků, které způsobují třepení světla když proniká fotoodporem. To má za následek špatné rozlišení. Mnohem závažnější problém však je odraz světla do oblasti hrotu pólu od šikmých částí izolačních vrstev za nulovou výškou vstupního ústí. Ve zhoršené situaci předpokládejme, že přesvětlený bod hrotu druhého pólu má být v téže rovině s nulovou výškou vstupního ústí. Vzorkovaná vrstva fotoodporu začíná své přesvětlení u nulové výšky vstupního ústí a rozšiřuje se rychle k zadní mezeře na plnou šířku kusu druhého pólu. To vystaví světlu široký rozsah šikmých částí izolačních vrstev bezprostředně za oblastí hrotu pólu. Když se provádí osvit, je v těchto oblastech silný odraz v incidenčním úhlu od šikmých částí izolačních vrstev do oblasti hrotu pólu, kde není žádoucí. Následek je, že odražené světlo zasahuje vrstvu fotoodporu v oblasti hrotu pólu, přičemž podstatně omezuje rozlišení hrotu druhého pólu. Plátování po tomto typu vzorkování má následek ve hrotu druhého pólu, který má nepravidelný tvar bočních stěn a špatnou šířku čáry.
Řešením problému odrazu spočívá ve přemístění přesvětleného bodu dále od nulové výšky vstupního ústí k zadní mezeře. Když je přesvětlený bod zatlačen dostatečně daleko vzad, odražené světlo nezasáhne oblast hrotu pólu. Světlo bude jednoduše odraženo do úzké části oblasti kusu pólu za nulovou výškou vstupního ústí, kde nastává zúžení bez podstatných škod na hrotu druhého pólu. Přenesením přesvětleného bodu vzad prodlužuje však délku úzké části, kterou musí být tok převeden z velké části kusu druhého pólu do hrotu druhého pólu, což má za následek rozptyl toku z úzké části, což zhoršuje vlastnosti hlavy.
-5Podstata vynálezu
Vynález tudíž vytváří nzkoprofilovou psací hlavu s tenkým filmem, jejíž podstata spočívá v tom, že obsahuje povrch hlavy, zadní mezeru a nulovou výšku vstupního ústí umístěnou mezi povrchem hlavy a zadní mezerou, oblast hrotu pólu umístěnou mezi povrchem hlavy a nulovou výškou vstupního ústí a oblast těla umístěnou mezi nulovou výškou vstupního ústí a zadní mezerou, kus prvního pólu a kus druhého pólu umístěné v oblasti hrotu pólu a oblasti těla, množství izolačních vrstev ležících nad kusem prvního pólu v oblasti těla, přičemž každá izolační vrstva má vrchol, kde začíná, každá izolační vrstva se rozprostírá od vrcholu k zadní mezeře, první z izolačních vrstev je nejblíže ke kusu prvního pólu a má vrchol, který je umístěn alespoň 3 μπι od nulové výšky vstupního ústí k zadní mezeře a vrchol jiné z izolačních vrstev je umístěn u nulové výšky vstupního ústí a tuto vymezuje.
Jedno výhodné provedení používá typický proces vzorkování fotoodporem pro současné vytvoření kusu druhého pólu a hrotu druhého pólu s vysokým rozlišením a s malou šířkou stopy. Toho je dosaženo předně využitím jedné z izolačních vrstev jiné než první izolační vrstvy pro vymezení nulové výšky vstupního ústí. V jednom přednostním provedení vynálezu vrchol druhé izolační vrstvy je umístěn u a vymezuje nulovou výšky vstupního ústí. S tímto uspořádáním přihlašovatel objevil, že správné umístění první izolační vrstvy přispívá významně k jakosti hlavy. První izolační vrstva může být nyní posunuta vzad k zadní mezeře, takže její šikmá část nebude odrážet světlo do oblasti hrotu pólu během fotolitografického procesu. Vzdálením vrcholu první izolační vrstvy asi o 5 μπι z nulové výšky vstupního ústí je tento cíl dosažen. Zadruhé, první izolační vrstva může být vyrobana mnohem tenčí než podle dosavadního stavu techniky. Podle předloženého vynálezu má první izolační vrstva zmenšenou tlouštku z asi 1 μπι asi na 0,5 μπι. Toto zmenšení významně přispívá k nižší topografii
-6těla hlavy. Třetí izolační vrstva může být posunuta dále vzad na hlavě, takže nebude ovlivňovat vzorkování pro hrot druhého pólu.
Během fotolitografie je intenzita osvětlení snížena protože hloubka fotoodporu v oblasti hrotu pólu je asi poloviční vzhledem k dosavadnímu stavu techniky. Protože šikmá část druhé izolační vrstvy je šikmá pouze těsně u oblasti hrotu pólu, velmi málo světla bude odraženo od šikmé části do oblasti hrotu pólu během osvětlení fotoodporu. Dále, všechny jiné izolační vrstvy jiné než druhá izolační vrstva jsou přesunuty vzad k zadní mezeře, takže vytvoření tlusté vrstvy fotoodporu v oblasti hrotu pólu nenastane. To umožňuje, že přesvětlený bod může být mnohem blíže k nulové výšce vstupního ústí než u hlav podle dosavadního stavu techniky. Podle předloženého vynálezu může být přesvětlený bod vzdálen řádově 3 μιιι od nulové výšky vstupního ústí. To snižuje rozptyl toku zkrácením délky materiálu úzkého kusu druhého pólu mezi nulovou výškou vstupního ústí a přesvětleným bodem. Bylo také objeveno, že vrstvy na horním povrchu první izolační vrstvy mohou být vytvořeny značně tenčí. Bylo zjištěno, že vrstva cívky může být zmenšena o 20%, že druhá izolační vrstva může být zmenšena asi o třetinu, a že třetí izolační vrstva může být zmenšena asi o 25%. Podle předloženého vynálezu výška fotoodporu v oblasti hrotu pólu může být asi 6,5 gm, což způsobuje, že poměr pro hrot druhého pólu pro 2 Gb je nyní možný. Podle předloženého vynálezu bylo také umožněno udržet výšku izolačního složení asi 5 gm oproti 8 gm podle dosavadního stavu techniky.
Výhodná provedení zajišťují kus druhého pólu a hrot druhého pólu vysoké hustoty procesem současného fotolitografického vzorkování.
Psací hlava s tenkým filmem a vysokou hustotou může být vytvořena bez iontového leptání dosahujícího přenos obrazu nebo procesů s iontovými svazky. Výhodná provedení vytvářejí pásci hlavu s tenkým filmem, která má hrot druhého pólu s vy-Ί sokým rozlišením, přesvětlený bod těsně u nulové výšky vstupního ústí a výšku hlavy, která je menší než podle dosavadního stavu techniky.
Podle j iné myšlenky předložený vynález vytváří pohon magnetických medií obsahující psací hlavu, kterýžto pohom obsahuje pouzdro, nosič uložený v pouzdru pro nesení hlavy, prostředek s pohyblivým prostředím uložený v pouzdru pro pohyb magnetického prostředí kolem hlavy v měničovém vztahu s ním, polohovací prostředek připojený k nosiči pro pohyb hlavy do množství poloh vzhledem k pohyblivému magnetickému prostředí pro zpracování signálů vzhledem ke množství stop na magnetickém prostředí a řídicí prostředek připojený ke hlavě, pohyblivý prostředek s magnetickým prostředím a polohovací prostředek pro řízení a zpracování signálů vzhledem ke hlavě, řídící pohyb magnetického prostředí a řídící polohu hlavy.
Přehled obrázků na výkresech
Vynález je znázorněn na výkresech, kde obr.l je blokové schéma nízkoprofilové psací hlavy s tenkým filmem použité v zařízení s magnetickým prostředím, jako je pohon magnetického disku, obr.2 je bokorysný řez nízkoprofilovou psací hlavou použitou v kombinaci s MR čtecí hlavou k vytvoření sloučené MR hlavy, obr,3 je bokorysný řez přední částí psací hlavy podle dosavadního stavu techniky, obr.4 je podobný obr.3 až na to, že obsahuje fotoodporovou vrstvu pro vzorkování kusu druhého pólu a hrotu druhého pólu, obr.5 je schematický izometrický pohled na šikmé části izolačních vrstev odrážejících světlo do oblasti hrotu pólu během výroby hlavy podle dosavadního stavu techniky, obr.6 znázorňuje jinou hlavu podle dosavadního stavu techniky, ve které třetí izolační vrstva vymezuje nulovou výšku vstupního ústí, obr.7 je podobný obr.6 až na to, že znázorňuje fotoodporovou vrstvu pro vzorkování kusu druhého pólu a hrotu druhého pólu, obr.8 je bokorysný řez jednoho provedení předloženého vynálezu, kde vrchol
-8druhé izolační vrstvy vymezuje nulovou výšku vstupního ústí, obr.9 je bokorysný řez jiným provedením předloženého vynálezu, ve kterém třetí izolační vrstva vymezuje nulovou výšku vstupního ústí, obr.10 až 14 znázorňují schematicky různé kroky způsobu výroby nízkoprofilové psací hlavy podle obr.8, obr.15 je podobný obr.9 až na to, že znázorňuje fotoodporovou vrstvu pro vzorkování kusu druhého pólu a hrotu druhého pólu a obr.16 je schematické znázornění rozdílu v profilu mezi psací hlavou podle dosavadního stavu techniky a nízkoprofilovou psací hlavou podle vynálezu.
Příklad provedení vynálezu
V obr.l je znázorněn pohon 20 magnetického disku. Pohon 20 obsahuje vřeteno 22. které nese a otáčí magnetickým diskem 24. Vřeteno 22 je poháněno motorem 26., který je řízen řízením
28. Magnetická hlava 30, což může být sloučená MR hlava pro záznam a čtení, je uložena na kluzném členu 32, který je nesen ovládacím ramenem 34. Ovládací rameno 34 umístuje kluzný člen 32 tak, že magnetická hlava 30 je ve měničovém vztahu s povrchem magnetického disku 24. Když je magnetický disk 24 poháněn motorem 26., kluzný člen 32 se vznáší na tenkém vzduchovém polštáři (vzduchovém ložisku) těsně nad povrchem magnetického disku 24, ve výšce asi 0,075 um. Magnetická hlava 30 se používá pro zápis informace na množství stop na povrchu magnetického disku 24 jakož i pro čtení informace z magnetického disku 24. Tyto informační signály jakož i řídicí signály pro pohyb kluzného členu 32 k různým stopám magnetického disku 24 se zpracovávají ovládací elektronikou 36.
Obr.2 je bokorysný řez přední částí sloučené MR hlavy 30. která využívá předložený vynález. Sloučená MR hlava obsahuje psací část, která je navrstvena na horním povrchu MR čtecí hlavy. Čtecí část MR hlavy obsahuje MR pásek, který je sevřen mezi první částí 42 mezery a druhou částí 44 mezery, které jsou sevřeny mezi první stínící vrstvou 46 a druhou stínící vrstvou 48. Ve sloučené MR hlavě je druhá stínící
-9vrstva 48 použita jako kus prvního pólu pro psací hlavu. V rozšířené MR hlavě (není znázorněna) je kus prvního pólu psací části hlavy oddělená vrstva na vrcholu druhé stínící vrstvy 48 čtecí MR hlavy. Vrstva 50 mezery je sevřena mezi kusem 48 prvního pólu a kusem 52 druhého pólu, které jsou magneticky spojeny u zadní mezery 53 . Přední konce těchto kusů 48 a 52 pólů tvoří hrot 54 prvního pólu popřípadě hrot 56 druhého pólu, které jsou magneticky odděleny ve měničovém vztahu vrstvou 50 mezery. Hrot 56 druhého pólu je nejkritičtější prvek psací hlavy, protože je to poslední hrot pólu pro indukci signálů magnetického toku do pohyblivého magnetického prostředí blízkého povrchu hlavy. Jeho šířka je tudíž velmi důležitá pro vytváření hustoty hlavy. Cívková vrstva .58 a druhá izolační vrstva 60 jsou sevřeny mezi první izolační vrstvou 62 a třetí izolační vrstvou 64, které jsou sevřeny mezi kusem 48 prvního pólu a kusem 52 druhého pólu. Přední konec nebo vrchol 65 druhého izolační vrstvy 60 je umístěn u a vytváří nulovou výšku vstupního ústí. Přední konce všech vrstev před nulovou výškou vstupního ústí tvoří povrch 66 hlavy, který je uveden jako povrch vzduchového ložiska v pohonu disku. Tento povrch vzduchového ložiska je vytvořen lapováním čela hlavy.
Oblast hrotu pólu je umístěna mezi povrchem 66 hlavy a nulovou výškou vstupního ústí a hlava má oblast těla, která je umístěna mezi nulovou výškou vstupního ústí a zadní mezerou. První, druhá a třetí izolační vrstva 62, 60 a 64 jsou umístěny nad kusem 48 prvního pólu v oblasti těla a společně se označují jako izolační složení. Každá izolační vrstva 62. 60.,64 má vrchol, kde začíná a každá izolační vrstva 62.60.64 se rozprostírá od vrcholu k zadní mezeře 53.
Obr.3 je přední část magnetické psací hlavy 70 s tenkým filmem podle dosavadního stavu techniky. Tato psací hlava může být pouze indukční hlava nebo psací část sloučené MR hlavy nebo psací část rozšířené MR hlavy. Ve hlavě podle dosavadního stavu techniky vrchol 72 první izolační vrstvy 62 typicky
-10vymezuje nulovou výšku vstupního ústí. První izolační vrstva 62 probíhá šikmo nahoru z jejího vrcholu 72 k ploché části, kde je vytvořena cívková vrstva 58 a druhá izolační vrstva 60. Druhá izolační vrstva 60 probíhá šikmo nahoru z jejího vrcholu 65 k obecně ploché části, kde je vytvořena třetí izolační vrstva 64. Třetí izolační vrstva 64 probíhá šikmo nahoru od vrcholu 74 k obecně ploché části. Třetí izolační vrstva 64 srovnává zvlnění ve druhé izolační vrstvě 60 způsobená cívkovou vrstvou 58.. Když kus 52 druhého pólu je tvarován, má vysoký profil s navazujícími šikmými částmi, které opakují šikmé části první, druhé a třetí izolační vrstvy 62.60,64. Kus 52 druhého pólu má přesvětlený bod 76, který je umístěn asi 10 um za nulovou výškou vstupního ústí. Přesvětlený bod 76 je místo, kde kus 52 druhého pólu začíná přesvětlení z malé šířky, která je rovná šířce hrotu druhého pólu k širokému rozpětí kusu 52 druhého pólu.
Úhly cC vysokého vrcholu a vysokých šikmých částí první, druhé a třetí izolační vrstvy 62.60.64 představují problém v konstrukci malé šířky hrotu 56 druhého pólu. Problém začíná když je fotoodpor povlečen opředením na horním povrchu částečně sestavené hlavy, což způsobuje srovnání fotoodporu přes izolační složení obr.4. Fotoodpor a oblast hrotu pólu, jak je patrno na srovnaný v oblasti hrotu pólu může mít typicky tlouštku 12 gm, zatímco fotoodpor nad izolačním složením může mít typicky tlouštku 4,5 gm. Rozlišení je ztraceno, když je světlo vyzařováno do tlusté vrstvy odporu pro účely světelného vzorkování. Světlo má být intenzivní pro exponování celé hloubky vrstvy fotoodporu. Když působí intenzivní světlo přes úzké svazky pro vzorkování, světlo se u okrajů svazků ohýbá, což způsobuje špatné zobrazování.
Mnohem závažnější problém způsobující špatné rozlišení ve tvarování hrotu druhého pólu je způsoben odrazem světla z horní šikmé části první, druhé a třetí izolační vrstvy 62. 6_0, během kroku osvětlení. Obr.5 je přehnaný příklad, kde přesvětlený bod 82 je umístěn přímo nad nulovou výškou vstup-líního ústí (vrchol 72 první izolační vrstvy 62), pro znázornění velikosti problému. Když světlo pronikne fotoodporem v oblasti za přesvětleným bodem 82, dopadne na šikmé části 84. 86 a 88 izolačních vrstev v incidenčním úhlu. To způsobí odraz světla přímo do oblasti hrotu pólu. Toto odražené světlo pronikne fotoodporem v oblasti hrotu pólu mimo zamýšlené boční stěny hrotu druhého pólu. To se nazývá zúžení a má to za následek špatně tvarované stěny fotoodporu pro vzorkování hrotu pólu. Následek je, že když je hrot pólu plátován, má špatně definovanou šířku čáry a špatné rozlišení. Pro překonání tohoto problému dosavadní stav techniky přenáší přesvětlený bod o významnou vzdálenost vzad z nulové výšky vstupního ústí, asi o 10 pm, jak je znázorněno v obr.3. Tímto uspořádáním pouze velmi úzká oblast (stejné šířky jako hrot druhého pólu) šikmých částí izolačních vrstev je vystavena světlu bezprostředně za oblastí hrotu pólu. Když je tedy krok osvětlení proveden, ve skutečnosti žádné světlo není odraženo od šikmých částí izolačních vrstev pro zúžení oblasti hrotu pólu. Problém s tímto přístupem je v tom, že magnetický tok má přesáhnout tuto velmi úzkou část kusu druhého pólu z vrcholu jha k nulové výšce vstupního ústí, což způsobí významný rozptyl toku. Bylo by žádoucí, kdyby přesvětlený bod mohl být umístěn asi 3 pm mimo nulovou výšku vstupního ústí, takže zmíněný rozptyl toku by mohl být minimalizován.
V obr.6 je znázorněna jiná magnetická hlava 90 podle dosavadního stavu techniky. V této hlavě vrchol 74 třetí izolační vrstvy 64 je umístěn u nulové výšky vstupního ústí pro vytváření nulové výšky vstupního ústí. V tomto provedení je třetí izolační vrstva 64 vytvořena po vytvoření první izolační vrstvy 62, cívkové vrstvy 58 a druhé izolační vrstvy 60. S tímto uspořádáním třetí izolační vrstva 64 kryje zvlnění druhé izolační vrstvy 60. takže zvlnění nebudou zopakována do kusu druhého pólu když je plátován. Nicméně tato konstrukce má vysoký profil podobně jako hlava podle dosavadního stavu techniky znázorněná v obr.3. Když je fotoodporová vrstva pov-12lečena opředením, jak je znázorněno v obr.7, fotoodpor vyrovnává napříč oblasti hrotu pólu a fotoodpor v této oblasti má značnou tlouštku. To způsobuje stejné problémy s vychýlením a odrazem uvedené výše v souvislosti s hlavou znázorněnou v obr.3.
Typické tlouštky různých vrstev hlavy podle dosavadního stavu techniky znázorněné v obr. 3 jsou tyto: Psací mezera 50 je 0,4 μπι, první izolační vrstva 6 2 je 1,8 μπι, druhá izolační vrstva 60 je 4,3 μπι, cívková vrstva 58 je 3,5 μ™, třetí izoLační vrstva 64 je 0,8 μπι a kus 52 druhého poólu je 5 μπι.
nízkoprofilovou psací hlavu 100 podle První izolační
Obr.8 znázorňuje předloženého vynálezu pro vymezení nulové izolační vrstvy 62 je posunut ústí směrem k zadní mezeře 53 kové vrstvy 58 je vytvořen na vrstva 62 není použita výšky vstupního ústí. Vrchol 72 první vzad od nulové výšky vstupního asi o 5 μπι. Lívancový typ cívhorním povrchu první izolační vrstvy 62 s první cívkou začínající z nulové výšky vstupního ústí ve vzdálenosti asi 15 μm. Druhá izolační vrstva 60 je potom vytvořena na horním povrchu cívkové vrstvy 58 s jejím vrcholem 65 umístěným u a vymezujícím nulovou výšku vstupního ústí. Výhoda tohoto uspořádání je v tom, že první izolační vrstva 62 může být poměrně tenká, řádově 0,5 μπι ve srovnání s 1,8 μπι pro první izolační vrstvu hlavy podle dosavadního stavu techniky. To značně zmenšuje tlouštku izolačního složení. Třetí izolační vrstva 64 je vytvořena na horním povrchu druhé izolační vrstvy 60 pro vyrovnání konstrukce pro vytvoření kusu 52 druhého pólu. Vrchol 74 třetí izolační vrstvy 64 může být řádově o 10 μπι vzad od nulové výšky vstupního úastí. Protože izolační složení vysokého profilu bylo minimalizováno za oblastí hrotu pólu, může být přesvětlený bod 7 5 přemístěn kupředu asi 3 μτη za nulovou výškou vstupního ústí. Protože se přesvětlený bod 75 v předloženém vynálezu přemísťuje kupředu, tlouštka cívkové vrstvy 58 může být řádově 2,8 μπι ve srovnání se 3,5 μπι pro cívkovou vrstvu podle dosavadní-13Polohy vrstev od nulové výéky vstupního Ostí
| Vrstva | S výhodou | NejvýhodněJi |
| li | 3,0 μπι do 2 μιη od cívky | 5,0 μπι |
| Cívka | 10 - do | 15,0 μπι |
| I2 | .(8-13) - 0 | 0 |
| Ij | ' 0 - (8-13) | 10,0 μπι |
| Jřesvětlený bod | 3 μιη - do | 3 μπι do |
Tlouštky vrstev ís
| Vrstva | S výhodou | Nejvýhodněji |
| Psací mezera (G3) | 0,3 μπι ± 50% | 0,3 μπι + 10% |
| I, vv | 0,7 μπι ± 50% | 0,5 μπι + 20% |
| Výchozí hodnota | 0,1 μπι ± 20% | 0,1 μπι ± 20% |
| Cívka | 2,5 μπι ± 20% | 2,5 μπι ± 10% |
| r2 | 2,5 μπι ± 20% | 2,5 μπι X 10% TSelo cívky . . 0,5 μπι ± 2 0% vrchol cívky |
| li | 1,0 μπι ± 20% | 0,5 μπι x 20% top o£ coil |
| I2 + I, | 1,0 μπι ± 20% .vrcholycívky | 1,0 μπι ± 10% 'vrchol cívky |
| Celkové složení izolace | 5,0 μπι ± 20% | 5,0 μπι ± 10% |
| Kus druhého .pólu ; (P2) | 3 μπι | 3 μπι |
-14ve srovnání se 4 až 5 stavu technikv. Podle ho stavu techniky, protože rozptyl toku je menší. Následkem toho druhá izolační vrtva 60 může byt řádově 2,5 pm ve srovnání se 4,3 pm u druhé izolační vrstvy podle dosavadního stavu techniky. Vrcholový úhel je také značně menší. Protože magnetický tok nemá přechodnou velkou vzdálenost mezi přesvětleným bodem a nulovou výškou vstupního ústí, může být kus druhého pólu tenčí. Kus 52 druhého pólu může být řádově 3 pm pm kusu druhého pólu dle dosavadního předloženého vynálezu může být výška izolačního složení udržena do 5 pm. Tabulky na str.13 nazvané Polohy vrstev od nulové výšky vstupních ústí a Tlouštky vrstev ukazují výhodné a nejvýhodnější polohy a tlouštky různých vrstev podle předloženého vynálezu.
Vzhledem ke tlouštkám vrstev a zejména umístění izolačních vrstev v předloženém vynálezu může být hrot druhého pólu vytočen s velmi malou šířkou stopy, jak bude dále vysvětleno.
Alternativně vrchol 74 třetí izolační vrstvy 64 může být použit v souhlase s předloženým vynálezem pro vymezení nulové výšky vstupního ústí, jak je znázorněno v magnetické hlavě 110 v obr.9. První izolační vrstva 62 může být umístěna asi 5 pm od nulové výšky vstupního ústí a druhá izolační vrstva 60 může být umístěna asi 12 pm od nulové výšky vstupního ústí. Tlouštky vrstev v cívkové stejné, jaké byly uvedeny v oblasti mohou být v podstatě hlavě 100 znázorněné na obr.8 a jak je uvedeno v tabulkách. Hlava 110 má nízký profil podobný nízkému profilu hlavy 100.
Způsob podle předloženého vynálezu je znázorněn v obr.10 až 14. V obr.10 první izolační vrstva 62 o tlouštce asi 0,5 pm je vytvarována na horním povrchu vrstvy 50 mezery asi 5 pm za nulovou výškou vstupního ústí. V obr.11 cívková vrstva 58 o tlouštce asi od 2,6 pm do 3 pm je vytvarována na horním povrchu první izolační vrstvy 62 asi 15 pm vzad od nulové výšky vstupního ústí. V obr. 12 druhá izolační vrstva 60. o tlouštce asi 2,5 pm je vytvarována.na vrcholu cívkové vrst-15vy 58. s jejím vrcholem 65 umístěným u a tvořícím nulovou výšku vstupního ústí. Z tohoto obrázku je zřejmé, že šikmá oblast 86 druhé izolační vrstvy 60 se rozprostírá od jejího vrcholu 65 v krátké vzdálenosti ve srovnání se složenými šikmými oblastmi 84. 86 a 88 izolačních vrstev psacích hlav podle dosavadního stavu techniky znázorněných v obr.3 a obr.5. Třetí izolační vrstva 64 o tlouštce řádově 1 um je vytvořena na horním povrchu druhé izolační vrstvy 60 s jejím vrcholem 74 přibližně 10 gm za nulovou výškou vstupního ústí. Tyto tři izoLační vrstvy 62 . 60 a 64 tvoří výšku nízkoprofilového izolačního složení, která je asi 5 μπι. V obr.14 je fotoodpor povlečený opředením na horním povrchu všech vrstev, který způsobuje tlouštku fotoodporové vrstvy v tělesu hlavy asi 3, 5 pm a tlouštku fotoodporové vrstvy v oblasti vrcholu pólu asi 6,5 pm. Tato tlouštka 6,5 pm fotoodporu v oblasti hrotu pólu předloženého vynálezu je značně menší než tlouštka 11 pm fotoodporu v oblasti hrotu pólu podle dosavadního stavu techniky. Přesvětlený bod 76 může být nyní umístěn asi 3 pm za nulovou výškou vstupního ústí, takže hlava má minimální rozptyl toku a je mnohem účinnější. Tudíž když je fotoodporová vrstva vystavena světlu pro vzorkování, velmi málo světla bude odraženo od šikmé části 86 druhé izolační vrstvy 60 do oblasti hrotu pólu, protože šířka vystavené šikmé části 80 je stejná jako šířka vystavené oblasti hrotu pólu. Po vzorkování světlem v obr.14 kus druhého pólu a hrot druhého pólu se současně plátují. Po odstranění fotoodporové vzorkované vrstvy kus pólu a hrot pólu jsou tvarovány jak je znázorněno v obr.8. Hrot pólu má dobře tvarované boční stěny a výbornou šířku čáry. Protože tlouštka fotoodporové vrstvy v oblasti hrotu pólu je pouze asi 6,5 pm, může být 2 Gb psací hlava konstruována použitím žádoucího poměru 4 uvedeného výše.
Obr.15 znázorňuje tvarové uspořádání fotoodporové vrstvy pro konstrukci nízkoprofilové hlavy znázorněné v obr.9. V této hlavě vrchol 74 třetí izolační vrstvy 64 vymezuje nulovou výšku vstupního ústí. Tlouštka fotoodporové vrstvy v oblasti
-16hrotu pólu je asi 6,5 pm, což je stejné jako je znázorněno v obr.14. Následkem nízkého profilu hrot druhého pólu může být pro tuto hlavu dobře tvarován.
Jak je znázorněno v obr.16, izolační složení 120 předložené psací hlavy s tenkým filmem bylo významně sníženo oproti izolačnímu složení 130 psací hlavy s tenkým filmem podle dosavadního stavu techniky. Tudíž má předložená ní zkoprofilová psací hlava menší hmotnost a je kompaktnější než psací hlava podle dosavadního stavu techniky. S předloženým vynálezem je možné velmi vysoké rozlišení, vysoká hustota, hrot druhého pólu je konstruován současně s kusem druhého pólu obvyklým fotolitografickým postupem. Předložený vynález umožňuje, že přesvětlený bod může být optimalizován těsně u nulové výšky vstupního ústí, takže rozptyl toku je minimální a činnost hlavy je zlepšena.
Je zřejmé, že odborník školený v oboru může objevit jiná provedení a obměny předloženého vynálezu. Tak v rámci široké koncepce by například izolační složení mohlo sestávat pouze ze dvou izolačních vrstev s jednou izolační vrstvou vymezující nulovou výšku vstupního ústí a se druhou izolační vrstvou mající vrchol alespoň 3 um od nulové výšky vstupního ústí k zadní mezeře.
Claims (17)
1. Nízkoprofilová psací hlava s tenkým filmem, vyznačující se tím, že obsahuje povrch hlavy, zadní mezeru a nulovou výšku vstupního ústí umístěnou mezi povrchem hlavy a zadní mezerou, oblast hrotu pólu umístěnou mezi povrchem hlavy a nulovou výškou vstupního ústí a oblast těla umístěnou mezi nulovou výškou vstupního ústí a zadní mezerou, kus prvního pólu a kus druhého pólu umístěné v oblasti hrotu pólu a oblasti těla, množství izolačních vrstev ležících nad kusem prvního pólu v oblasti těla, přičemž každá izolační vrstva má vrchol, kde začíná, každá izolační vrstva se rozprostírá od vrcholu k zadní mezeře, první z izolačních vrstev je nejblíže ke kusu prvního pólu a má vrchol, který je umístěn alespoň 3 gm od nulové výšky vstupního ústí k zadní mezeře a vrchol jiné z izolačních vrstev je umístěn u nulové výšky vstupního ústí a tuto vymezuje.
2. Nízkoprofilová psací hlava tím, že obsahuje zmíněné obsahuj ící podle nároku 1, vyznačující se množství izolačních vrstev druhou a třetí izolační vrstvu, přičemž vrchol jedné jiné izolační vrstvy ja vrchol druhé izolační vrstvy.
3. Nízkoprofilová psací hlava podle nároku 1 nebo 2, vyznačující se tím, že první izolační vrstva má tlouštku 0,5 + 20% gm.
4. Nízkoprofilová psací hlava podle alespoň jednoho z nároků 1 až 3, vyznačující se tím, že první, druhá a třetí izolační vrstva tvoří izolační složení a celková tlouštka izolačního složení je 5 + 10% gm.
5. Nízkoprofilová psací hlava podle alespoň jednoho z nároků 1 až 4, vyznačující se tím, že vrchol první izolační vrstvy je v podstatě ve vzdálenosti 5 gm od nulové výšky vstupního ústí.
6. Nízkoprofilová psací hlava podle alespoň jednoho z nároků 1 až 5, vyznačující se tím, že druhý pól má přesvětlený bod,
-181 až 8, umístěný který je ve vzdálenosti alespoň 3 μπι od nulové výšky vstupního ústí.
7. Nízkoprofilová psací hlava podle alespoň jednoho z nároků 1 až 6, vyznačující se tím, že začátek cívkové vrstvy je ve vzdáíenosti alespoň 10 μπι od nulové výšky vstupního ústí.
8. Nízkoprofilová psací hlava podle nároku 6 nebo 7, vyznačující se tím, že přesvětlený bod je v podstatě ve vzdálenosti 3 μπι od nulové výšky vstupního ústí a začátek cívkové vrstvy je v podstatě ve vzdálenosti 15 μπι od nulové výšky vstupního hrdla.
9. Νízkoprofilová psací hlava podle alespoň jednoho z nároků vyznačující se tím, že obsahuje přesvětlený bod v oblasti mezi nulovou výškou vstupního ústí a vrcholem první izolační vrstvy.
10. Nízkoprofilová psací hlava podle alespoň jednoho z nároků 1 až 9, vyznačující se tím, že vrchol třetí izolační vrstvy je umístěn v oblasti mezi vrcholem první izolační vrstvy a zadní mezerou.
11. Nízkoprofilová hlava podle alespoň jednoho z nároků 7 až 10, vyznačující se tím, že cívková vrstva je umístěna nad první izolační vrstvou v tělu hlavy a začíná v oblasti mezi vrcholem třetí izolační vrstvy a zadní mezerou.
12. Způsob výroby nízkoprofilové psací hlavy podle nároku 1, vyznačující se tím, že obsahuje kroky tvarování kusu prvního pólu, který má oblast hrotu pólu mezi povrchem hlavy a nulovou výškou vstupního ústí a oblast těla mezi nulovou výškou vstupního ústí a zadní mezerou, tvarování první izolační vrstvy v oblasti těla nad kusem prvního pólu s vrcholem první izolační vrstvy, který je ve vzdálenosti alespoň 4 um od nulové výšky vstupního ústí směrem k zadní mezeře a tvarování jiné izolační vrstvy nad první izolační vrstvou v části těla s vrcholem zmíněné jiné izolační vrstvy vymezující nulovou výšku vstupního ústí a umístěné u ní.
13. Způsob podle nároku 12, vyznačující se tím, že zmíněná jiná izolační vrstva je druhá izolační vrstva, která se tva-19ruje na horním povrchu první izolační vrstvy.
14. Způsob podle alespoň jednoho z nároků 12 a 13, vyznačující se tím, že obsahuje krok tvarování kusu druhého pólu s přesvétleným bodem v oblasti umístěné mezi nulovou výškou vstupního ústí a vrcholem první izolační vrstvy.
15. Způsob podle alespoň jednoho z nároků 12 až 14, vyznačující se tím, že obsahuje krok tvarování třetí izolační vrstvy na horní straně druhé izolační vrstvy, přičemž třetí izolační vrstva má vrchol umístěný v oblasti mezi vrcholem první izolační vrstvy a zadní mezerou.
16. Způsob podle nároku 15, vyznačující se tím, že obsahuje krok tvarováni cívkové vrstvy mezi vrcholem třetí izolační vrstvy a zadní mezerou.
17. Pohon magnetického prostředí obsahující nízkoprofilovou psací hlavu podle nároků 1 až 11, vyznačující se tím, že obsahuje pouzdro, nosič uložený v pouzdru pro nesení hlavy, prostředek s pohyblivým prostředím uložený v pouzdru pro pohyb magnetického prostředí kolem hlavy v měničovém vztahu s ním, polohovací prostředek připojený k nosiči pro pohyb hlavy do množství poloh vzhledem k pohyblivému magnetickému prostředí pro zpracování signálů vzhledem ke množství stop na magnetickém prostředí a řídicí prostředek připojený ke hlavě, pohyblivý prostředek s magnetickým prostředím a polohovací prostředek pro řízení a zpracování signálů vzhledem ke hlavě, řídící pohyb magnetického prostředí a řídící polohu hlavy.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US29630194A | 1994-08-25 | 1994-08-25 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CZ19697A3 true CZ19697A3 (en) | 1997-05-14 |
Family
ID=23141453
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CZ97196A CZ19697A3 (en) | 1994-08-25 | 1995-08-23 | Low-profile typehead with a thin film and process for producing thereof |
Country Status (16)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5621596A (cs) |
| EP (1) | EP0806034B1 (cs) |
| JP (1) | JPH0887717A (cs) |
| KR (1) | KR100217217B1 (cs) |
| CN (1) | CN1063562C (cs) |
| AT (1) | ATE182421T1 (cs) |
| BR (1) | BR9508809A (cs) |
| CA (1) | CA2154916A1 (cs) |
| CZ (1) | CZ19697A3 (cs) |
| DE (1) | DE69510961T2 (cs) |
| HU (1) | HU223166B1 (cs) |
| MY (1) | MY114101A (cs) |
| PL (1) | PL178620B1 (cs) |
| RU (1) | RU2133987C1 (cs) |
| TW (1) | TW273618B (cs) |
| WO (1) | WO1996006428A1 (cs) |
Families Citing this family (41)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0922512A (ja) * | 1995-07-05 | 1997-01-21 | Sony Corp | 複合型薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
| US5936814A (en) * | 1996-06-03 | 1999-08-10 | Seagate Technology, Inc. | Magnetic recording head using a last insulator to obtain an adjustable take off angle |
| US5798897A (en) * | 1996-10-21 | 1998-08-25 | International Business Machines Corporation | Inductive write head with insulation stack configured for eliminating reflective notching |
| US5880915A (en) | 1996-10-21 | 1999-03-09 | International Business Machines Corporation | Crack resistant magnetic write head |
| US6226860B1 (en) | 1997-07-22 | 2001-05-08 | Seagate Technology, Inc. | Method of forming an inductive writer having a high conductor/insulator ratio |
| US6018862A (en) * | 1997-10-07 | 2000-02-01 | Seagate Technology, Inc. | Thin-film magnetic recording head using a plated metal gap layer |
| US6172848B1 (en) | 1998-04-10 | 2001-01-09 | International Business Machines Corporation | Write head with self aligned pedestal shaped pole tips that are separated by a zero throat height defining layer |
| US6104576A (en) * | 1998-04-10 | 2000-08-15 | International Business Machines Corporation | Inductive head with reduced height insulation stack due to partial coverage zero throat height defining insulation layer |
| US6034848A (en) | 1998-04-22 | 2000-03-07 | International Business Machines Corporation | Low profile multi-layer coil merged thin film magnetic head |
| JP2000020919A (ja) | 1998-07-03 | 2000-01-21 | Hitachi Ltd | 磁気ヘッド及びそれを用いた磁気ディスク装置 |
| JP3292148B2 (ja) | 1998-07-15 | 2002-06-17 | 日本電気株式会社 | 薄膜磁気ヘッド、その製造方法及び磁気記憶装置 |
| JP3799168B2 (ja) | 1998-08-20 | 2006-07-19 | 株式会社日立グローバルストレージテクノロジーズ | 磁気記録再生装置 |
| JP2000099913A (ja) | 1998-09-24 | 2000-04-07 | Tdk Corp | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 |
| JP2000149219A (ja) | 1998-11-12 | 2000-05-30 | Tdk Corp | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 |
| US6400527B1 (en) | 1998-11-13 | 2002-06-04 | Alps Electric Co., Ltd. | Thin film magnetic head having upper core layer with narrow track width |
| US6181514B1 (en) * | 1998-12-04 | 2001-01-30 | International Business Machines Corporation | Scaled write head with high recording density and high data rate |
| US6765756B1 (en) | 1999-03-12 | 2004-07-20 | Western Digital (Fremont), Inc. | Ultra-short yoke and ultra-low stack height writer and method of fabrication |
| US6417998B1 (en) | 1999-03-23 | 2002-07-09 | Read-Rite Corporation | Ultra small advanced write transducer and method for making same |
| JP3599235B2 (ja) * | 1999-07-19 | 2004-12-08 | Ｔｄｋ株式会社 | 薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッド装置及び磁気ディスク装置 |
| JP2001076320A (ja) | 1999-09-02 | 2001-03-23 | Tdk Corp | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 |
| US6959483B2 (en) | 2000-01-05 | 2005-11-01 | Seagate Technology Llc | Method of making a recording head |
| US6594112B1 (en) | 2000-01-05 | 2003-07-15 | Seagate Technology Llc | Magnetic recording head with a precision throatheight-defining structure |
| US6594122B1 (en) | 2000-01-11 | 2003-07-15 | Seagate Technology Llc | GMR head with reduced topology for high speed recording with submicron track width |
| US6477007B1 (en) | 2000-01-11 | 2002-11-05 | Seagate Technology Llc | Planar writer for merged GMR recording head |
| US7023658B1 (en) | 2000-02-08 | 2006-04-04 | Western Digital (Fremont), Inc. | Submicron track-width pole-tips for electromagnetic transducers |
| US6591480B1 (en) | 2000-05-12 | 2003-07-15 | Headway Technologies, Inc. | Process for fabricating a flux concentrating stitched head |
| US6700759B1 (en) | 2000-06-02 | 2004-03-02 | Western Digital (Fremont), Inc. | Narrow track width magnetoresistive sensor and method of making |
| US6989962B1 (en) | 2000-09-26 | 2006-01-24 | Western Digital (Fremont), Inc. | Inductive write head having high magnetic moment poles and low magnetic moment thin layer in the back gap, and methods for making |
| US6958885B1 (en) * | 2000-12-21 | 2005-10-25 | Western Digital (Fremont), Inc. | Insulation layer structure for inductive write heads and method of fabrication |
| US6779249B2 (en) * | 2001-03-23 | 2004-08-24 | International Business Machines Corporation | Method and device for determining in-process characteristics of fabricated magnetic heads |
| US6687083B2 (en) * | 2001-08-22 | 2004-02-03 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Enhanced low profile magnet write head |
| JP2004095020A (ja) * | 2002-08-30 | 2004-03-25 | Fujitsu Ltd | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 |
| US6696226B1 (en) | 2002-11-08 | 2004-02-24 | International Business Machines Corporation | Simultaneous definition and direct transfer of a write head pole and coil for a magnetic read/write head |
| US7022248B2 (en) * | 2003-08-29 | 2006-04-04 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Method for patterning a self-aligned coil using a damascene process |
| US7075750B2 (en) * | 2003-08-29 | 2006-07-11 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Apparatus for patterning a self-aligned coil using a damascene process |
| JP2005166176A (ja) * | 2003-12-03 | 2005-06-23 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands Bv | 磁気ディスク用磁気ヘッド |
| US7530159B2 (en) * | 2006-06-29 | 2009-05-12 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Method of distortion correction in shrink processes for fabrication of write poles |
| CN101325122B (zh) * | 2007-06-15 | 2013-06-26 | 库帕技术公司 | 微型屏蔽磁性部件 |
| US8111479B2 (en) * | 2007-10-23 | 2012-02-07 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Perpendicular magnetic recording head having a notched trailing shield |
| US8553361B2 (en) * | 2008-04-25 | 2013-10-08 | HGST Netherlands B.V. | Perpendicular write head having a trailing shield with a short gap, short throat and high apex angle for improved linear density recording |
| CN102982812A (zh) * | 2012-12-04 | 2013-03-20 | 新乡医学院 | 一种硬盘磁头晶片的生产方法 |
Family Cites Families (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US542164A (en) * | 1895-07-02 | Conduit electric railway | ||
| JPS58108019A (ja) * | 1981-12-21 | 1983-06-28 | Trio Kenwood Corp | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
| JPS5998316A (ja) * | 1982-11-26 | 1984-06-06 | Sharp Corp | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
| JPS61117716A (ja) * | 1984-11-13 | 1986-06-05 | Nec Corp | 薄膜磁気ヘツド |
| US4839197A (en) * | 1988-04-13 | 1989-06-13 | Storage Technology Corporation | Process for fabricating thin film magnetic recording heads having precision control of the width tolerance of the upper pole tip |
| US5032944A (en) * | 1989-01-12 | 1991-07-16 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Membrane type magnetic head |
| JPH02216605A (ja) * | 1989-02-17 | 1990-08-29 | Hitachi Ltd | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
| US5241440A (en) * | 1989-08-23 | 1993-08-31 | Hitachi, Ltd. | Thin film magnetic head and manufacturing method therefor |
| US4938841A (en) * | 1989-10-31 | 1990-07-03 | Bell Communications Research, Inc. | Two-level lithographic mask for producing tapered depth |
| JP2874260B2 (ja) * | 1990-03-19 | 1999-03-24 | 富士通株式会社 | 薄膜磁気ヘッド |
| US5184394A (en) * | 1990-04-26 | 1993-02-09 | Seagate Technology, Inc. | Method of making a thin film head on ferrite substrate with inclined top pole |
| JPH0442416A (ja) * | 1990-06-08 | 1992-02-13 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
| US5193037A (en) * | 1990-11-07 | 1993-03-09 | Areal Technology, Inc. | Compact disk drive for use with laptop computer |
| JP2901749B2 (ja) * | 1990-11-19 | 1999-06-07 | 株式会社日立製作所 | 磁気抵抗効果型ヘッド |
| JPH04366406A (ja) * | 1991-06-12 | 1992-12-18 | Tdk Corp | 薄膜磁気ヘッド |
| US5087332A (en) * | 1991-08-05 | 1992-02-11 | Read-Rite Corp. | Process for making a thin film magnetic head with single step lift-off |
| US5256266A (en) * | 1991-10-31 | 1993-10-26 | Read-Rite Corporation | Alumina material useful with thin film heads |
| CN1083959A (zh) * | 1992-09-04 | 1994-03-16 | 里德-莱特公司 | 薄膜磁头 |
| US5435053A (en) * | 1994-03-02 | 1995-07-25 | International Business Machines Corporation | Simplified method of making merged MR head |
-
1995
- 1995-02-07 TW TW084100968A patent/TW273618B/zh not_active IP Right Cessation
- 1995-07-27 CN CN95109641A patent/CN1063562C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1995-07-27 MY MYPI95002158A patent/MY114101A/en unknown
- 1995-07-28 CA CA002154916A patent/CA2154916A1/en not_active Abandoned
- 1995-08-22 KR KR1019950026545A patent/KR100217217B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 1995-08-23 PL PL95318558A patent/PL178620B1/pl unknown
- 1995-08-23 EP EP95929178A patent/EP0806034B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-08-23 AT AT95929178T patent/ATE182421T1/de not_active IP Right Cessation
- 1995-08-23 DE DE69510961T patent/DE69510961T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1995-08-23 RU RU97104653A patent/RU2133987C1/ru not_active IP Right Cessation
- 1995-08-23 HU HU9700403A patent/HU223166B1/hu not_active IP Right Cessation
- 1995-08-23 CZ CZ97196A patent/CZ19697A3/cs unknown
- 1995-08-23 BR BR9508809A patent/BR9508809A/pt unknown
- 1995-08-23 WO PCT/GB1995/001997 patent/WO1996006428A1/en not_active Application Discontinuation
- 1995-08-25 JP JP7216931A patent/JPH0887717A/ja active Pending
- 1995-11-17 US US08/560,062 patent/US5621596A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0806034A1 (en) | 1997-11-12 |
| DE69510961T2 (de) | 2000-02-24 |
| RU2133987C1 (ru) | 1999-07-27 |
| US5621596A (en) | 1997-04-15 |
| DE69510961D1 (de) | 1999-08-26 |
| PL178620B1 (pl) | 2000-05-31 |
| CA2154916A1 (en) | 1996-02-26 |
| EP0806034B1 (en) | 1999-07-21 |
| WO1996006428A1 (en) | 1996-02-29 |
| PL318558A1 (en) | 1997-06-23 |
| KR100217217B1 (ko) | 1999-09-01 |
| CN1063562C (zh) | 2001-03-21 |
| TW273618B (cs) | 1996-04-01 |
| MY114101A (en) | 2002-08-30 |
| CN1118495A (zh) | 1996-03-13 |
| BR9508809A (pt) | 1997-12-30 |
| HU223166B1 (hu) | 2004-03-29 |
| KR960008695A (ko) | 1996-03-22 |
| JPH0887717A (ja) | 1996-04-02 |
| HUT76998A (hu) | 1998-01-28 |
| ATE182421T1 (de) | 1999-08-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CZ19697A3 (en) | Low-profile typehead with a thin film and process for producing thereof | |
| KR100259426B1 (ko) | 제로 스롯 높이를 정하는 절연층의 평탄부 상에서 리세스되고 스티치된 요크를 갖는 기록 헤드 | |
| US10068596B2 (en) | Thermally-assisted magnetic recording head having symmetric optical side shields | |
| US6104576A (en) | Inductive head with reduced height insulation stack due to partial coverage zero throat height defining insulation layer | |
| US7701666B2 (en) | Perpendicular magnetic recording write head with a self aligned stitched write shield | |
| US8964333B1 (en) | Energy assisted magnetic recording transducer having an electronic lapping guide corresponding to a near-field transducer | |
| US8085498B2 (en) | PMR write with flux choking area | |
| US6103073A (en) | Magnetic thin film head zero throat pole tip definition | |
| US8099855B2 (en) | Methods for fabricating perpendicular recording heads with controlled separation regions | |
| JPH07296328A (ja) | 薄膜磁気書込みヘッド及びその製造方法 | |
| US6373657B1 (en) | Thin film magnetic head with magnetic film offsets at forefront surfaces thereof | |
| US10916261B1 (en) | True one turn (T1T) perpendicular magnetic recording (PMR) writer designs | |
| KR100268196B1 (ko) | 반사 노칭을 제거하도록 구성된 절연 적층을 갖는 유도 기록 헤드 및 그 제조방법 | |
| US6525901B1 (en) | Thin film magnetic head and method of manufacturing the same | |
| US6608737B2 (en) | Method to make a stitched writer for a giant magneto-resistive head | |
| US20020060880A1 (en) | Thin film magnetic heads and a method of producing the same | |
| US20010022704A1 (en) | Method and system for providing a bottom arc layer that can act as a write gap or seed layer for a write head | |
| JP2001526820A (ja) | データトランスデューサ、および薄膜磁気テープ書込ヘッドの後端縁として底部極を利用してデータを書込むための方法 | |
| DE112023001449T5 (de) | Wärmeunterstützter magnetaufzeichnungskopf (hamr-kopf) mit hauptpol mit schmaler plasmonischer vertiefung | |
| US6590741B1 (en) | Magnetic head having grooves to enhance contact with magnetic recording media and magnetic recording/reproducing apparatus | |
| US6597534B1 (en) | Thin-film magnetic head suitable for narrower tracks and preventing write fringing and method for making the same | |
| US7969683B2 (en) | Write first design for a perpendicular thin film head | |
| DE112023002215T5 (de) | Wärmeunterstützter Magnetaufzeichnungskopf (HAMR-KOPF) mit Hauptpol mit schmaler Polspitze mit plasmonischer Schicht |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PD00 | Pending as of 2000-06-30 in czech republic |