CN211719589U - 一种防开裂的贴片式二极管 - Google Patents

一种防开裂的贴片式二极管 Download PDF

Info

Publication number
CN211719589U
CN211719589U CN202020599190.4U CN202020599190U CN211719589U CN 211719589 U CN211719589 U CN 211719589U CN 202020599190 U CN202020599190 U CN 202020599190U CN 211719589 U CN211719589 U CN 211719589U
Authority
CN
China
Prior art keywords
conductive
chip
diode
packaging body
board
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202020599190.4U
Other languages
English (en)
Inventor
肖青
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dongguan Taifeng Radio Frequency Identification Co ltd
Original Assignee
Dongguan Zhongzhi Electronic Technology Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dongguan Zhongzhi Electronic Technology Co ltd filed Critical Dongguan Zhongzhi Electronic Technology Co ltd
Priority to CN202020599190.4U priority Critical patent/CN211719589U/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN211719589U publication Critical patent/CN211719589U/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/33—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of a plurality of layer connectors
    • H01L2224/331—Disposition
    • H01L2224/3318—Disposition being disposed on at least two different sides of the body, e.g. dual array
    • H01L2224/33181—On opposite sides of the body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Landscapes

  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

本实用新型系提供一种防开裂的贴片式二极管，包括绝缘封装体，绝缘封装体内设有第一导电引脚和第二导电引脚，第二导电引脚靠近绝缘封装体中心的一端下固定有导电立柱，导电立柱的底部固定有导电卡位块；绝缘封装体内还设有转接导电片和二极管芯片，转接导电片中设有升降通孔，升降通孔的内壁覆盖有导电银胶层，导电立柱滑动连接于升降通孔内，导电立柱与导电银胶层接触相连，二极管芯片的底部电极与第一导电引脚焊接相连，二极管芯片的顶部电极与转接导电片焊接相连。本实用新型在注塑成型过程中，能够有效消耗绝缘封装体内部的应力，避免贴片式二极管的结构发生开裂，能够确保贴片式二极管整体结构可靠牢固。

Description

一种防开裂的贴片式二极管
技术领域
本实用新型涉及二极管，具体公开了一种防开裂的贴片式二极管。
背景技术
二极管是一种具有单向导电性能的常见电子器件，多用于电路中整流。贴片式二极管一般包括导电引脚、二极管芯片以及绝缘封装体。
现有技术中，贴片式二极管生产时，先将二极管芯片焊接在框架上，框架包括导电引脚，再将焊接后的二极管芯片和框架放入注塑模具中进行注塑，获得绝缘封装体，最后裁剪多余的框架便可获得贴片式二极管结构，在注塑获得绝缘封装体的过程中，由于贴片式二极管内会产生较大的热量和机械应力，容易造成贴片式二极管的表面或其内部结构发生开裂等问题，影响产品质量。
实用新型内容
基于此，有必要针对现有技术问题，提供一种防开裂的贴片式二极管，能够有效消耗绝缘封装体内部的应力，确保整体结构可靠牢固。
为解决现有技术问题，本实用新型公开一种防开裂的贴片式二极管，包括绝缘封装体，绝缘封装体内设有第一导电引脚和第二导电引脚，第二导电引脚靠近绝缘封装体中心的一端下固定有导电立柱，导电立柱的底部固定有导电卡位块；
绝缘封装体内还设有转接导电片和二极管芯片，转接导电片中设有升降通孔，升降通孔的内壁覆盖有导电银胶层，导电立柱滑动连接于升降通孔内，导电立柱与导电银胶层接触相连，导电卡位块位于转接导电片的下方，二极管芯片的底部电极通过第一焊锡层与第一导电引脚焊接相连，二极管芯片的顶部电极通过第二焊锡层与转接导电片焊接相连。
进一步的，第一导电引脚为倒L字形的结构，第一导电引脚包括一体成型的第一芯片焊板和第一焊接底板，第一芯片焊板的顶面与第一焊锡层连接，第一焊接底板凸出于绝缘封装体外。
进一步的，第一芯片焊板与第一焊接底板之间设有第一让位缺口。
进一步的，第二导电引脚为Z字形的结构，第二导电引脚包括一体成型的第二芯片焊板、斜支板和第二焊接底板，第二芯片焊板的底部与导电立柱固定连接，第二焊接底板凸出于绝缘封装体外。
进一步的，第二芯片焊板与斜支板之间设有第二让位缺口。
进一步的，导电立柱外套设有弹性限位环，弹性限位环位于第二芯片焊板和转接导电片之间。
进一步的，弹性限位环为散热硅胶环。
进一步的，升降通孔为沙漏状结构。
本实用新型的有益效果为：本实用新型公开一种防开裂的贴片式二极管，设置具有一定活动能力的连接结构，在注塑成型等加工过程中，能够有效消耗绝缘封装体内部的应力，避免贴片式二极管的表面及其内部的结构发生开裂而影响外观甚至影响性能，能够确保贴片式二极管整体结构可靠牢固；第二导电引脚及转接导电片不但具备相对活动的能力，还能够有效确保两者之间的连接导通效果稳定可靠。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图。
附图标记为：绝缘封装体10、第一导电引脚20、第一芯片焊板21、第一焊接底板22、第一让位缺口23、第二导电引脚30、第二芯片焊板31、斜支板32、第二焊接底板33、第二让位缺口34、导电立柱40、导电卡位块41、弹性限位环42、转接导电片50、升降通孔51、导电银胶层52、二极管芯片60、第一焊锡层61、第二焊锡层62。
具体实施方式
为能进一步了解本实用新型的特征、技术手段以及所达到的具体目的、功能，下面结合附图与具体实施方式对本实用新型作进一步详细描述。
参考图1。
本实用新型实施例公开一种防开裂的贴片式二极管，包括绝缘封装体10，绝缘封装体10内设有第一导电引脚20和第二导电引脚30，第一导电引脚20和第二导电引脚30均有一端凸出于绝缘封装体10外，第二导电引脚30靠近绝缘封装体10中心的一端下固定有导电立柱40，导电立柱40的底部固定有导电卡位块41；
绝缘封装体10内还设有转接导电片50和二极管芯片60，转接导电片50中设有升降通孔51，升降通孔51的内壁覆盖有导电银胶层52，导电立柱40滑动连接于升降通孔51内，导电立柱40能够相对于升降通孔51升降滑动，导电立柱40与导电银胶层52接触相连，导电银胶具有良好的导电性能和弹性，可有效确保导电立柱40与转接导电片50之间的连接导通效果可靠，导电卡位块41位于转接导电片50的下方，导电卡位块41能够有效限制导电立柱40与转接导电片50之间的极限位置，确保导电立柱40不会脱离升降通孔51，从而确保导电立柱40始终与转接导电片50接通，二极管芯片60的底部电极通过第一焊锡层61与第一导电引脚20焊接相连，二极管芯片60的顶部电极通过第二焊锡层62与转接导电片50焊接相连，转接导电片50的底面与第二焊锡层62连接。
第二导电引脚30通过转接导电片50间接与二极管芯片60相连，在进行注塑时，绝缘封装体10成型的过程中会形成一定的应力，极容易造成芯片或绝缘封装体10产生裂纹，此时导电立柱40能够相对于升降通孔51滑动，从而可有效消耗掉贴片式二极管内部的应力，避免贴片式二极管的绝缘封装体10或其内部结构形成开裂等缺陷，转接导电片50与二极管芯片60之间的连接结构不会开裂受损，整体结构可靠牢固。
在本实施例中，第一导电引脚20为倒L字形的结构，第一导电引脚20包括一体成型的第一芯片焊板21和第一焊接底板22，第一芯片焊板21的顶面与第一焊锡层61连接，第一焊接底板22凸出于绝缘封装体10外，通过设置倒L字形的第一导电引脚20能够有效提高第一导电引脚20和第二导电引脚30之间的间隔，避免两者发生短路。
基于上述实施例，第一芯片焊板21与第一焊接底板22之间的连接位设有第一让位缺口23，优选地，第一让位缺口23为V槽，能够使第一导电引脚20也具备应力抵消能力，从而进一步提高贴片式二极管结构的可靠性。
在本实施例中，第二导电引脚30为Z字形的结构，第二导电引脚30包括从上至下一体成型的第二芯片焊板31、斜支板32和第二焊接底板33，第二芯片焊板31和第二焊接底板33分别固定于斜支板32的上下两端，第二焊接底板33位于斜支板32远离二极管芯片60的一侧，第二芯片焊板31的底部与导电立柱40固定连接，第二芯片焊板31位于转接导电片50的上方，第二焊接底板33凸出于绝缘封装体10外。
基于上述实施例，第二芯片焊板31与斜支板32之间的连接位设有第二让位缺口34，优选地，第二让位缺口34为V槽，能够使第二导电引脚30也具备应力抵消能力，从而进一步提高贴片式二极管结构的可靠性。
在本实施例中，导电立柱40外套设有弹性限位环42，弹性限位环42位于第二芯片焊板31和转接导电片50之间，通过弹性限位环42能够有效避免第二芯片焊板31与转接导电片50之间发生刚性碰撞，从而有效提高整体贴片式二极管结构的可靠性。
基于上述实施例，弹性限位环42为散热硅胶环，散热硅胶具有良好的弹性和散热性能，不但能够确保贴片式二极管结构稳定，同时能够有效提高贴片式二极管的散热性能，优选地，弹性限位环42还可以为导电银胶环。
在本实施例中，升降通孔51为沙漏状结构，能够供导电立柱40实现倾斜等运动，从而进一步提高抵消应力的效果。
以上所述实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本实用新型专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。因此，本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (8)

1.一种防开裂的贴片式二极管，包括绝缘封装体(10)，所述绝缘封装体(10)内设有第一导电引脚(20)和第二导电引脚(30)，其特征在于，所述第二导电引脚(30)靠近所述绝缘封装体(10)中心的一端下固定有导电立柱(40)，所述导电立柱(40)的底部固定有导电卡位块(41)；
所述绝缘封装体(10)内还设有转接导电片(50)和二极管芯片(60)，所述转接导电片(50)中设有升降通孔(51)，所述升降通孔(51)的内壁覆盖有导电银胶层(52)，所述导电立柱(40)滑动连接于所述升降通孔(51)内，所述导电立柱(40)与所述导电银胶层(52)接触相连，所述导电卡位块(41)位于所述转接导电片(50)的下方，所述二极管芯片(60)的底部电极通过第一焊锡层(61)与所述第一导电引脚(20)焊接相连，所述二极管芯片(60)的顶部电极通过第二焊锡层(62)与所述转接导电片(50)焊接相连。
2.根据权利要求1所述的一种防开裂的贴片式二极管，其特征在于，所述第一导电引脚(20)为倒L字形的结构，所述第一导电引脚(20)包括一体成型的第一芯片焊板(21)和第一焊接底板(22)，所述第一芯片焊板(21)的顶面与所述第一焊锡层(61)连接，所述第一焊接底板(22)凸出于所述绝缘封装体(10)外。
3.根据权利要求2所述的一种防开裂的贴片式二极管，其特征在于，所述第一芯片焊板(21)与所述第一焊接底板(22)之间设有第一让位缺口(23)。
4.根据权利要求1所述的一种防开裂的贴片式二极管，其特征在于，所述第二导电引脚(30)为Z字形的结构，所述第二导电引脚(30)包括一体成型的第二芯片焊板(31)、斜支板(32)和第二焊接底板(33)，所述第二芯片焊板(31)的底部与所述导电立柱(40)固定连接，所述第二焊接底板(33)凸出于所述绝缘封装体(10)外。
5.根据权利要求4所述的一种防开裂的贴片式二极管，其特征在于，所述第二芯片焊板(31)与所述斜支板(32)之间设有第二让位缺口(34)。
6.根据权利要求4所述的一种防开裂的贴片式二极管，其特征在于，所述导电立柱(40)外套设有弹性限位环(42)，所述弹性限位环(42)位于所述第二芯片焊板(31)和所述转接导电片(50)之间。
7.根据权利要求6所述的一种防开裂的贴片式二极管，其特征在于，所述弹性限位环(42)为散热硅胶环。
8.根据权利要求1所述的一种防开裂的贴片式二极管，其特征在于，所述升降通孔(51)为沙漏状结构。
CN202020599190.4U 2020-04-20 2020-04-20 一种防开裂的贴片式二极管 Active CN211719589U (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202020599190.4U CN211719589U (zh) 2020-04-20 2020-04-20 一种防开裂的贴片式二极管

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202020599190.4U CN211719589U (zh) 2020-04-20 2020-04-20 一种防开裂的贴片式二极管

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN211719589U true CN211719589U (zh) 2020-10-20

Family

ID=72835601

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202020599190.4U Active CN211719589U (zh) 2020-04-20 2020-04-20 一种防开裂的贴片式二极管

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN211719589U (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113851447A (zh) * 2021-09-23 2021-12-28 先之科半导体科技(东莞)有限公司 一种免金线的肖特基二极管及其制作方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113851447A (zh) * 2021-09-23 2021-12-28 先之科半导体科技(东莞)有限公司 一种免金线的肖特基二极管及其制作方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5902959A (en) Lead frame with waffled front and rear surfaces
US9673138B2 (en) Semiconductor package structure having a heat sink frame connected to a lead frame
WO2020208741A1 (ja) 半導体装置、及びリードフレーム材
CN211719597U (zh) 一种具有释热防短路结构的贴片式二极管
CN111162070A (zh) 一种深紫外led器件及其制备方法
CN211743142U (zh) 一种双芯片的导热型贴片二极管
CN211719589U (zh) 一种防开裂的贴片式二极管
CN211719598U (zh) 一种线路可靠的散热型贴片式二极管
CN216980249U (zh) 一种贴片型热敏电阻
CN212485342U (zh) 一种结构可靠的贴片式二极管
CN214542202U (zh) 一种防溢流的散热型碳化硅二极管
CN210349844U (zh) 一种防溢稳固型贴片式二极管封装结构
CN210467820U (zh) 一种防断裂的贴片式二极管
CN209822681U (zh) 一种倒装smd led封装结构
CN108735874B (zh) 热固型封装支架与嵌入式通讯ic集成封装的led及其工艺
CN211719599U (zh) 一种结构牢固的超薄二极管
WO2008138182A1 (fr) Diode électroluminescente de type à puce
CN111540724A (zh) 基架、信号传递板以及相关芯片封装方法和半导体封装芯片
CN212485337U (zh) 一种稳定型薄片三极管结构
CN212571030U (zh) 一种新型小体积可固rgb三晶的中高功率led支架
CN110970374A (zh) 一种倒装功率器件封装结构
CN217588917U (zh) 一种贴片式sot223半导体芯片的封装结构
CN213958939U (zh) 一种适于高密度布局的场效应晶体管
CN217035628U (zh) 小型化设计的功率半导体器件
CN213958944U (zh) 一种低损耗的碳化硅二极管

Legal Events

Date Code Title Description
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20230505

Address after: No. 9, Yinpingxu Lane, Liaobu Town, Dongguan City, Guangdong Province, 523000

Patentee after: Dongguan Taifeng Radio Frequency Identification Co.,Ltd.

Address before: 523430 Room 101, building 1, 76 Baiye Road, Liaobu Town, Dongguan City, Guangdong Province

Patentee before: DONGGUAN ZHONGZHI ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD.

TR01 Transfer of patent right