CN202058737U - 具有p埋层的横向沟道soi ligbt器件单元 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及一种具有P埋层的横向沟道SOI LIGBT器件单元。现有产品限制了器件结构与电学特性的改善。本实用新型顺序包括p型半导体衬底、隐埋氧化层、p埋层区、n型轻掺杂漂移区;n型轻掺杂漂移区顶部两侧嵌入第一p型阱区和n型缓冲区,第一p型阱区的顶部嵌入n型阴极区和第一p阱欧姆接触区,n型缓冲区的顶部嵌入第二p型阱区和阳极短路点区,第二p型阱区的顶部嵌入第二p阱欧姆接触区;器件单元顶部设置有阴极金属电极和阳极金属电极,n型阴极区的顶部设置有第一场氧化层,n型轻掺杂漂移区的顶部设置有第二场氧化层。本实用新型提高了器件的纵向耐压,改善了器件的纵向击穿特性,使器件能够适应更高压、更大电流的工作条件,并改善器件的热特性。
Description
技术领域
本实用新型属于半导体技术领域,涉及一种具有P埋层的横向沟道SOI(绝缘层上的硅)LIGBT(横向绝缘栅双极晶体管)器件单元。
背景技术
SOI LIGBT器件由于其较小的体积、重量,较高的工作温度和较强的抗辐照能力,较低的成本和较高的可靠性,作为无触点功率电子开关或功率驱动器在智能电力电子、高温环境电力电子、空间电力电子和交通工具电力电子等技术等领域中具有广泛应用。常规SOI LIGBT是在SOI衬底的n-漂移区上形成场氧化层;在近阴极区端采用双离子注入多晶硅自对准掺杂技术形成短沟道nMOSFET及多晶硅栅极与栅场板,附加p+离子注入掺杂实现p-well阱欧姆接触;由多晶硅栅引出栅极金属引线,n+p+区引出阴极金属引线;在近阳极端通过磷离子注入掺杂形成n型缓冲区,在该n型缓冲区内进行两步p型杂质注入形成轻掺杂p阳极区及其p+重掺杂第二P阱欧姆接触区,并引出阳极金属引线与阳极金属场板。该SOI LIGBT器件是在均匀掺杂的顶层硅膜上外延n-漂移区。这种器件结构的纵向耐压不高,很容易优先纵向击穿,严重限制器件横向耐压的改善;采用厚隐埋氧化层提高纵向耐压时会严重加剧自加热效应,导致器件热特性明显恶化。
发明内容
本实用新型的目的在于针对现有技术的不足,提供一种具有很高纵向耐压的SOI LIGBT器件单元,从而在无需厚隐埋氧化层条件下显著改善SOI LIGBT器件的纵向击穿特性,并为进一步改善器件横向耐压创造条件;同时确保器件具有优良的热特性。
本实用新型包括p型半导体衬底、隐埋氧化层、p埋层区、n型轻掺杂漂移区,隐埋氧化层覆盖在p型半导体衬底上,p埋层区覆盖在隐埋氧化层上,n型轻掺杂漂移区覆盖在p埋层区上。
在n型轻掺杂漂移区顶部两侧分别嵌入第一p型阱区和n型缓冲区,第一p型阱区的顶部嵌入n型阴极区和第一P阱欧姆接触区,n型阴极区和第一P阱欧姆接触区相接,n型阴极区设置在第一P阱欧姆接触区与n型缓冲区之间;n型缓冲区的顶部嵌入第二p型阱区和阳极短路点区,第二p型阱区和阳极短路点区相接,第二p型阱区设置在阳极短路点区与第一p型阱区之间;第二p型阱区的顶部嵌入第二P阱欧姆接触区,第二P阱欧姆接触区与阳极短路点区相接。
第一P阱欧姆接触区的顶部设置有阴极金属电极,阳极短路点区的顶部设置有阳极金属电极,n型阴极区的顶部设置有第一场氧化层,n型轻掺杂漂移区的顶部设置有第二场氧化层,第一p型阱区的顶部设置有栅氧化层,栅氧化层的顶部设置有n型多晶硅栅极;阴极金属电极覆盖了相邻的第一P阱欧姆接触区的顶部,以及n型阴极区顶部的一部分;栅氧化层覆盖了相邻的n型阴极区顶部的一部分、第一p型阱区的顶部,以及n型轻掺杂漂移区顶部的一部分;第二场氧化层覆盖了相邻的n型轻掺杂漂移区顶部的一部分、n型缓冲区的顶部、第二p型阱区的顶部,以及第二P阱欧姆接触区顶部的一部分;阳极金属电极覆盖了相邻的阳极短路点区的顶部,第二P阱欧姆接触区顶部的一部分,以及第二场氧化层顶部的一部分;n型多晶硅栅极覆盖了相邻的栅氧化层的顶部,以及第二场氧化层顶部的一部分;第一场氧化层覆盖了相邻的n型阴极区顶部的一部分、n型多晶硅栅极的顶部,以及第二场氧化层顶部的一部分,第一场氧化层分别与阴极金属电极和栅氧化层相接。
本实用新型由于采用隐埋P型层,极大的提高了器件的纵向耐压,改善了器件的纵向击穿特性,从而大大拓展了器件横向耐压的改进空间,使器件能够适应更高压,更大电流的工作条件;同时有利于通过减薄隐埋氧化层进一步减弱器件的自加热效应,改善器件的热特性。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图;
图2为图1的俯视图;
图3为图1的A-A截面示意图;
图4为图1的B-B截面示意图。
具体实施方式
如图1、2、3和4所示,一种具有P埋层的横向沟道SOI LIGBT器件单元,包括p型半导体衬底1、隐埋氧化层2、p埋层区3、n型轻掺杂漂移区4,隐埋氧化层2覆盖在p型半导体衬底1上,p埋层区3覆盖在隐埋氧化层2上,n型轻掺杂漂移区4覆盖在p埋层区3上。
在n型轻掺杂漂移区4顶部两侧分别嵌入第一p型阱区5和n型缓冲区16,其中第一p型阱区5为p型较重掺杂半导体区,n型缓冲区16为n型较重掺杂半导体区;第一p型阱区5的顶部嵌入n型阴极区6和第一P阱欧姆接触区7,n型阴极区6和第一P阱欧姆接触区7相接,n型阴极区6设置在第一P阱欧姆接触区7与n型缓冲区16之间;n型缓冲区16的顶部嵌入第二p型阱区15和阳极短路点区14,第二p型阱区15和阳极短路点区14相接,第二p型阱区15设置在阳极短路点区14与第一p型阱区5之间,其中第二p型阱区15为p型较重掺杂半导体区,阳极短路点区14为n型重掺杂半导体区;第二p型阱区15的顶部嵌入第二P阱欧姆接触区13,第二P阱欧姆接触区13与阳极短路点区14相接。
第一P阱欧姆接触区7的顶部设置有阴极金属电极9,阳极短路点区14的顶部设置有阳极金属电极12,n型阴极区6的顶部设置有第一场氧化层8-1,n型轻掺杂漂移区4的顶部设置有第二场氧化层8-2,第一p型阱区5的顶部设置有栅氧化层10,栅氧化层10的顶部设置有n型多晶硅栅极11;阴极金属电极9覆盖了相邻的第一P阱欧姆接触区7的顶部,以及n型阴极区6顶部的一部分;栅氧化层10覆盖了相邻的n型阴极区6顶部的一部分、第一p型阱区5的顶部,以及n型轻掺杂漂移区4顶部的一部分;第二场氧化层8-2覆盖了相邻的n型轻掺杂漂移区4顶部的一部分、n型缓冲区16的顶部、第二p型阱区15的顶部,以及第二P阱欧姆接触区13顶部的一部分;阳极金属电极12覆盖了相邻的阳极短路点区14的顶部,第二P阱欧姆接触区13顶部的一部分,以及第二场氧化层8-2顶部的一部分;n型多晶硅栅极11覆盖了相邻的栅氧化层10的顶部,以及第二场氧化层8-2顶部的一部分;第一场氧化层8-1覆盖了相邻的n型阴极区6顶部的一部分、n型多晶硅栅极11的顶部,以及第二场氧化层8-2顶部的一部分,第一场氧化层8-1分别与阴极金属电极9和栅氧化层10相接。
Claims (1)
1.具有P埋层的横向沟道SOI LIGBT器件单元,包括p型半导体衬底(1)、隐埋氧化层(2)、p埋层区(3)、n型轻掺杂漂移区(4),其特征在于:
隐埋氧化层(2)覆盖在p型半导体衬底(1)上,p埋层区(3)覆盖在隐埋氧化层(2)上,n型轻掺杂漂移区(4)覆盖在p埋层区(3)上;
在n型轻掺杂漂移区(4)顶部两侧分别嵌入第一p型阱区(5)和n型缓冲区(16);第一p型阱区(5)的顶部嵌入n型阴极区(6)和第一P阱欧姆接触区(7),n型阴极区(6)和第一P阱欧姆接触区(7)相接,n型阴极区(6)设置在第一P阱欧姆接触区(7)与n型缓冲区(16)之间;n型缓冲区(16)的顶部嵌入第二p型阱区(15)和阳极短路点区(14),第二p型阱区(15)和阳极短路点区(14)相接,第二p型阱区(15)设置在阳极短路点区(14)与第一p型阱区(5)之间;第二p型阱区(15)的顶部嵌入第二P阱欧姆接触区(13),第二P阱欧姆接触区(13)与阳极短路点区(14)相接;
第一P阱欧姆接触区(7)的顶部设置有阴极金属电极(9),阳极短路点区(14)的顶部设置有阳极金属电极(12),n型阴极区(6)的顶部设置有第一场氧化层(8-1),n型轻掺杂漂移区(4)的顶部设置有第二场氧化层(8-2),第一p型阱区(5)的顶部设置有栅氧化层(10),栅氧化层(10)的顶部设置有n型多晶硅栅极(11);阴极金属电极(9)覆盖了相邻的第一P阱欧姆接触区(7)的顶部,以及n型阴极区(6)顶部的一部分;栅氧化层(10)覆盖了相邻的n型阴极区(6)顶部的一部分、第一p型阱区(5)的顶部,以及n型轻掺杂漂移区(4)顶部的一部分;第二场氧化层(8-2)覆盖了相邻的n型轻掺杂漂移区(4)顶部的一部分、n型缓冲区(16)的顶部、第二p型阱区(15)的顶部,以及第二P阱欧姆接触区(13)顶部的一部分;阳极金属电极(12)覆盖了相邻的阳极短路点区(14)的顶部,第二P阱欧姆接触区(13)顶部的一部分,以及第二场氧化层(8-2)顶部的一部分;n型多晶硅栅极(11)覆盖了相邻的栅氧化层(10)的顶部,以及第二场氧化层(8-2)顶部的一部分;第一场氧化层(8-1)覆盖了相邻的n型阴极区(6)顶部的一部分、n型多晶硅栅极(11)的顶部,以及第二场氧化层(8-2)顶部的一部分,第一场氧化层(8-1)分别与阴极金属电极(9)和栅氧化层(10)相接。
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CN105789285A (zh) * | 2014-09-23 | 2016-07-20 | 新唐科技股份有限公司 | 半导体元件及其制造方法 |
CN106298901A (zh) * | 2016-10-10 | 2017-01-04 | 东南大学 | 一种高热载流子可靠性的横向绝缘栅双极型晶体管 |
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