CN1991937A - 电光装置及其制造方法以及电子设备 - Google Patents

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Abstract

在液晶等电光装置中，耐光性优异，能够进行高品质的显示。液晶装置在TFT阵列基板10上具备：相互交叉地延伸的数据线6a和扫描线3a；在TFT阵列基板10上平面看配置在与数据线6a和扫描线3a对应地规定的每个像素中的像素电极9a；与像素电极9a电连接的TFT30。进而，具备在TFT阵列基板10上平面看配置在包含与TFT30的沟道区域1a’相对的区域的区域并且配置在与TFT30的半导体膜不同的层、包含无定形WSi膜320而构成的电容线300。

Description

电光装置及其制造方法以及电子设备
技术领域
本发明涉及例如液晶装置等电光装置及其制造方法，以及具备该电光装置的、例如液晶投影机等电子设备的技术领域。
背景技术
这种电光装置在基板上具备像素电极、用于进行该像素电极的选择性驱动的扫描线、数据线以及作为像素开关用元件的TFT(Thin FilmTransistor：薄膜晶体管)，其被构成为能够进行有源矩阵驱动。此外，以高对比度化为目的，有在TFT与像素电极之间设置存储电容的方案。以上的构成要素被以高密度制作在基板上，从而实现像素开口率的提高、装置的小型化等(例如，参照专利文献1)。
这样，对于电光装置来说，要求进一步的显示的高品质化、小型化及高精细化等，从而除了上述以外，还有各种对策被采取。例如，由于在光入射到TFT的半导体层时会产生光泄漏电流，从而使显示品质下降，所以为了提高电光装置的耐光性，要在该半导体层的周围设置遮光层。特别是，近年来为了提高图像的清晰度而使光的强度增大，从而希望遮光性能与此对应地进一步提高。此外，虽然希望存储电容的容量尽可能大，但另一方面，又希望在设计上不牺牲像素开口率。
[专利文献1]特开2002-156652号公报
但是，如果采用上述的技术，则随着高功能化或者高性能化，基板上的叠层结构基本上会高度复杂化。这将进而引起制造方法的高度复杂化、制造成品率的降低等。相反，如果要使基板上的叠层结构、制造工艺等简单化，则存在有可能招致因遮光性能的降低等引起的显示品质的下降这样的技术问题。
发明内容
本发明就是鉴于例如上述的问题而提出的，其目的在于提供一种耐光性优异、能够进行高品质的显示的电光装置及其制造方法以及具备这种电光装置的电子设备。
为了解决上述问题，本发明的电光装置在基板上具备：相互交叉地延伸的数据线和扫描线；在上述基板上平面看配置在与上述数据线和扫描线对应地规定的每个像素中的像素电极；与上述像素电极电连接的薄膜晶体管；以及至少一个无定形布线，其在上述基板上平面看配置在包含与上述薄膜晶体管的沟道区域相对的区域的区域并且配置在与上述薄膜晶体管的半导体膜不同的层，且包含无定形膜而构成。
如果采用本发明的电光装置，则在其动作时，薄膜晶体管通过对被扫描线选择的像素位置的像素电极从数据线施加数据信号，而可以进行有源矩阵驱动。此时，利用与像素电极电连接的例如存储电容，使像素电极的电位保持特性得到提高，从而可以实现显示的高对比度化。
在本发明中，特别地，将包含无定形膜而构成的至少一个无定形布线配置于在基板上平面看包含与薄膜晶体管的沟道区域相对的区域的区域，并且配置在与薄膜晶体管的半导体膜不同的层。作为无定形膜，能够使用例如无定形WSi(钨硅)膜。无定形膜与例如WSi多晶硅化物膜等结晶化或者固体的遮光性导电膜相比，遮光性能要高。因此，相对于入射光或者返回光，可以利用无定形布线可靠地对薄膜晶体管的沟道区域进行遮光。即，通过将无定形布线配置在薄膜晶体管的半导体膜的上层侧，可以相对于来自上层侧的入射光可靠地对薄膜晶体管的沟道区域进行遮光。另一方面，通过将无定形布线配置在薄膜晶体管的半导体膜的下层侧，可以相对于在基板的背面反射、在多板式投影机等中从其他的电光装置发出的通过合成光学系统的光等来自下层侧的返回光，可靠地对薄膜晶体管的沟道区域进行遮光。此外，也可以将无定形布线配置在薄膜晶体管的半导体膜的上层侧以及下层侧这两方上。在这种情况下，相对于来自上层侧的入射光以及来自下层侧的返回光这双方，能够可靠地对薄膜晶体管的沟道区域进行遮光，从而能够进一步提高遮光性。其结果，在上述那样动作时，能够降低薄膜晶体管的光泄漏电流，从而抑制或者防止图像显示中的闪烁、像素不均等的发生，而实现高品质的图像显示。
进而，如果假设形成例如WSi多晶硅化物膜等结晶而成的遮光性导电膜，则在淀积被掺杂了杂质的多晶硅之后(即，DPLY淀积之后)进行WSi溅射，并在形成具有多晶硅和WSi叠层而成的叠层结构的叠层膜(即，DPLY/WSi的叠层膜)之后，就合金化而言，需要进行例如500℃或500℃以上的热处理。由于该热处理，对于WSi多晶硅化物膜会增加因合金化而产生的应力，由此会产生布线的翘曲、裂纹等，从而难以作为布线而发挥作用。然而，如果采用本发明，则由于为了形成无定形膜，而不需要进行加热到例如500℃或500℃以上的高温的热处理(换句话说，为了将无定形膜维持在无定形状态，需要将无定形膜设置在低于500℃的温度)，所以在无定形布线上几乎或者完全不会产生翘曲、裂纹等。由此，无定形布线可以仅用无定形膜形成，可以仅其即单独地作为布配而发挥作用。因而，通过例如使无定形布线作为存储电容的上侧电极或者电容线而发挥作用，不会使叠层结构复杂化，而能够可靠地对薄膜晶体管的沟道区域进行遮光。此外，由于在无定形布线上几乎或者完全不会产生翘曲、裂纹等，所以还可以提高成品率，从而使装置自身的可靠性提高。
此外，由于无定形布线可以单独地作为布线而发挥作用，所以就低电阻化而言，不需要通过例如经由接触孔与以层间绝缘膜介于中间而配置在不同的层的导电膜电连接，来形成双重布线等冗长布线结构。由此，能够使叠层结构简单化，从而能够实现微细化。而且，在需要比无定形布线进一步低电阻化的情况下，可以增大无定形布线的宽度、厚度等，也可以将无定形布线形成为冗长布线结构。或者，也可以将无定形布线形成为具有无定形膜和比无定形膜电阻要低的、例如铝膜等金属膜的叠层结构的双层膜或者多层膜。
如上所述，如果采用本发明的电光装置，则不会招致叠层结构的复杂化，而能够降低薄膜晶体管的光泄漏电流，从而能够实现高品质的图像显示。
在本发明的电光装置的一种方式中，上述无定形膜的OD(OpticalDensity，光密度)值大于4。
如果采用本方式，则无定形膜的OD值大于4，即，无定形膜的光透过率小于0.01％。由此，利用无定形布线，能够可靠地对薄膜晶体管的沟道区域进行遮光。而且，作为结晶化而成的遮光性导电膜的、例如WSi多晶硅化物膜的OD值是约1.2左右(即，光透过率是约6.31％左右)。
在本发明的电光装置的另一方式中，在上述基板上具备：存储电容，其在上述基板上平面看配置在包含与上述沟道区域相对的区域的区域并且配置在上述薄膜晶体管的上层侧，且由下侧电极、电介质膜以及上侧电极从下层侧开始依次叠层而构成；以及电容线，其由上述无定形布线构成，并与上述上侧电极电连接。
如果采用本方式，则由于无定形布线作为电容线而发挥作用，所以不会招致叠层结构的复杂化，而能够降低薄膜晶体管的光泄漏电流。而且，在将电容线与上侧电极形成为一体的情况下，无定形布线构成电容线以及上侧电极。
在本发明的电光装置的另一方式中，上述扫描线由上述无定形布线构成，且其在上述基板上平面看配置在包含与上述沟道区域相对的区域的区域并且配置在上述半导体膜的上层侧，并与上述薄膜晶体管的栅电连接。
如果采用本方式，则由于无定形布线作为扫描线而发挥作用，所以不会招致叠层结构的复杂化，而能够降低薄膜晶体管的光泄漏电流。而且，在扫描线包含薄膜晶体管的栅，即与薄膜晶体管的栅形成为一体的情况下，无定形布线构成扫描线以及薄膜晶体管的栅。
在本发明的电光装置的另一方式中，上述数据线由上述无定形布线构成，且其在上述基板上平面看配置在包含与上述沟道区域相对的区域的区域并且配置在上述薄膜晶体管的上层侧，并与上述薄膜晶体管的源电连接。
如果采用本方式，则由于无定形布线作为数据线而发挥作用，所以不会招致叠层结构的复杂化，而能够降低薄膜晶体管的光泄漏电流。
在本发明的电光装置的另一方式中，在上述基板上具备：下侧遮光膜，其在上述基板上平面看配置在包含与上述沟道区域相对的区域的区域并且配置在上述薄膜晶体管的下层侧，且其由上述无定形布线构成并且规定上述每个像素的开口区域。
如果采用本方式，则无定形布线作为下侧遮光膜而发挥作用，且其规定像素部的开口区域并且能够相对于来自下层侧的返回光可靠地对薄膜晶体管的沟道区域进行遮光。
在本发明的电光装置的另一方式中，上述无定形布线在上述基板上配置在上述薄膜晶体管的上层侧。
如果采用本方式，则通过对薄膜晶体管实施退火处理(アニ一ル，アニ一リング)等热处理，可以使薄膜晶体管的特性提高，并且能够容易地将无定形布线维持在无定形状态。即，不置于热处理中就能够容易地完成无定形布线。
为了解决上述问题，本发明的电光装置的制造方法是制造这样的电光装置的电光装置的制造方法，该电光装置在基板上具备：相互交叉地延伸的数据线和扫描线；在上述基板上平面看配置在与上述数据线和扫描线对应地规定的每个像素中的像素电极；与上述像素电极电连接的薄膜晶体管；以及配置在上述薄膜晶体管的上层侧的无定形布线，该方法包括：在上述基板上形成上述扫描线的工序；在上述基板上的平面看在与上述数据线和扫描线的交叉对应的区域形成上述薄膜晶体管的工序；在上述基板上平面看在包含与上述薄膜晶体管的沟道区域相对的区域的区域并且在上述薄膜晶体管的上层侧、以包含无定形膜而构成的方式形成上述无定形布线的工序；在上述基板上形成上述数据线的工序；以及在上述每个像素中形成上述像素电极的工序。
如果采用本发明的电光装置的制造方法，则能够制造上述的本发明的电光装置。在本发明中，特别地，由于以包含无定形膜而构成的方式形成无定形布线，所以能够降低薄膜晶体管的光泄漏电流，从而能够实现高品质的图像显示。进而，利用退火处理等热处理，可以使薄膜晶体管的特性提高，并且能够容易地在其上形成无定形布线。即，不置于热处理中就能够完成无定形布线，并且可以维持在无定形状态。
在本发明的电光装置的制造方法的一种方式中，包括：将上述数据线和扫描线、上述薄膜晶体管以及上述像素电极中的至少一个加热到500℃或500℃以上的至少一个热处理工序；其中，上述至少一个热处理工序在形成上述无定形布线的工序之前进行。
如果采用本方式，则加热到500℃或500℃以上的热处理在形成无定形布线的工序之前、即形成无定形膜之前结束。换句话说，在形成无定形膜之后，不进行将无定形布线加热到500℃或500℃以上的热处理。由此，能够将无定形布线维持在无定形状态。即，能够抑制或者防止无定形膜结晶化。因而，可以抑制或者防止因结晶化而引起的膜的翘曲、裂纹等的产生，从而产品的成品率也能够提高。
在本发明的电光装置的制造方法的另一方式中，与上述无定形布线相邻而在上层侧利用低温等离子CVD(Chemical Vapor Deposition，化学汽相淀积)法形成层间绝缘膜的工序。
如果采用本方式，则利用例如在500℃以下的低温下进行的等离子CVD(PECVD：Plasma Enhanced CVD)法、  高密度等离子CVD(HDPCVD：High Density Plasma CVD)法等低温等离子CVD法，使用例如TEOS(正硅酸四乙酯)气体等形成层间绝缘膜。由此，在形成层间绝缘膜时，不需要进行例如加热到500℃或500℃以上的处理。因而，可以将无定形布线维持在无定形状态。
为了解决上述问题，本发明的电子设备具备上述的本发明的电光装置而构成。
如果采用本发明的电子设备，则由于具备上述的本发明的电光装置而构成，所以能够实现可以显示高品质的图像的电视机、移动电话、电子记事簿、文字处理机、取景器型·监视器直视型的录像机、工作站、电视电话、POS终端、触摸面板等，进一步能够实现将电光装置作为曝光用头而使用的打印机、复印机、传真机等图像形成装置等各种电子设备。此外，作为本发明的电子设备，例如，还可以实现电子纸张等的电泳装置、电子发射装置(Field Emission Display，场致发射显示器，以及ConductionElectron-Emitter Display，传导电子发射显示器)等。
本发明的作用以及其他的优点可以从以下说明的用于实施的最佳方式来获得。
附图说明
图1是表示第1实施方式的液晶装置的整体结构的平面图；
图2是图1的H-H’线剖面图；
图3是第1实施方式的液晶装置的像素中的各种元件等的等价电路图；
图4是第1实施方式的液晶装置的相邻的多个像素组的平面图；
图5是图4的A-A’线剖面图；
图6是表示制造第1实施方式的液晶装置的一系列制造工序的工序剖面图(其一)；
图7是表示制造第1实施方式的液晶装置的一系列制造工序的工序剖面图(其二)；
图8是表示制造第1实施方式的液晶装置的一系列制造工序的工序剖面图(其三)；
图9是表示制造第1实施方式的液晶装置的一系列制造工序的工序剖面图(其四)；以及
图10是表示作为应用了电光装置的电子设备的一例的投影机的结构的平面图。
符号说明
1a：沟道区域，2：绝缘膜，3a：扫描线，6a：数据线，9a：像素电极，7：采样电路，10：TFT阵列基板，10a：图像显示区域，11：基底遮光膜，12：基底绝缘膜，16：取向膜，20：对置基板，21：对置电极，23：遮光膜，22：取向膜，30：TFT，41：第1层间绝缘膜，42：第2层间绝缘膜，43：第3层间绝缘膜，50：液晶层，52：密封材料，53：边缘遮光膜，70：存储电容，83、85、92：接触孔，101：数据线驱动电路，102：外部电路连接端子，104：扫描线驱动电路，106：上下导通端子，107：上下导通材料，300：电容线，310：铝膜，320：无定形WSi膜。
具体实施方式
以下参照附图说明本发明的实施方式。在以下的实施方式中，以作为本发明的电光装置的一个例子的驱动电路内置型的TFT有源矩阵驱动方式的液晶装置为例。
<第1实施方式>
参照图1至图5说明第1实施方式的液晶装置。
首先，参照图1以及图2说明本实施方式的液晶装置的整体结构。在此，图1是表示本实施方式的液晶装置的结构的平面图，图2是图1的H-H’线处的剖面图。
在图1以及图2中，在本实施方式的液晶装置中，TFT阵列基板10与对置基板20相对配置。液晶层50被封入到TFT阵列基板10与对置基板20之间，TFT阵列基板10和对置基板20利用设置在位于图像显示区域10a的周围的密封区域的密封材料52相互粘接。
在图1中，与配置有密封材料52的密封区域的内侧并行地，在对置基板20侧设置有规定图像显示区域10a的边缘区域的遮光性的边缘遮光膜53。在周边区域之中，在位于配置有密封材料52的密封区域的外侧的区域，沿着TFT阵列基板10的一边设置有数据线驱动电路101以及外部电路连接端子102。在沿着该一边的密封区域的内侧，以被边缘遮光膜53所覆盖的方式设置有采样电路7。此外，扫描线驱动电路104，以被边缘遮光膜53所覆盖的方式设置在沿着与该一边相邻的2边的密封区域的内侧。此外，在TFT阵列基板10上，在与对置基板20的4个角部相对的区域，配置有用于用上下导通材料107连接两基板之间的上下导通端子106。由此，能够在TFT阵列基板10与对置基板20之间形成电导通。
在TFT阵列基板10上，形成有用于将外部电路连接端子102与数据线驱动电路101、扫描线驱动电路104、上下导通端子106等电连接的引绕布线90。
在图2中，在TFT阵列基板10上形成作为驱动元件的像素开关用的TFT、扫描线、数据线等布线等制作而成的叠层结构。在图像显示区域10a，在像素开关用TFT、扫描线、数据线等布线等的上层设置有像素电极9a。另一方面，在对置基板20的与TFT阵列基板10的相对面上形成有遮光膜23。此外，在遮光膜23上，与多个像素电极9a相对地形成有由ITO(IndiumTin Oxide：氧化铟锡)等透明材料构成的对置电极21。此外，液晶层50由例如一种或者多种向列液晶混合而成的液晶构成，并且其在这些成对的取向膜间呈规定的取向状态。
此外，在此虽然未图示，但在TFT阵列基板10上，除了数据线驱动电路101、扫描线驱动电路104之外，还可以形成用来检查制造过程中、出厂时等的该液晶装置的质量、缺陷等的检查电路、检查用图案等。
接着，参照图3说明本实施方式的液晶装置的像素部的电结构。在此，图3是构成液晶装置的图像显示区域的、矩阵状地形成的多个像素的各种元件、布线等的等价电路图。
在图3中，在本实施方式的电光装置的图像显示区域10a(参照图1)内，在矩阵状地形成的多个像素部中，分别形成有像素电极9a和用于对该像素电极9a进行开关控制的TFT30，被供给图像信号S1、S2、...、Sn的数据线6a与TFT30的源电连接。而且，TFT30是本发明的“薄膜晶体管”的一个例子。
此外，扫描线3a与TFT30的栅电连接，且扫描信号G1、G2、...、Gm，以规定的定时、以脉冲方式，按照此顺序线依次地被施加到扫描线3a。像素电极9a与TFT30的漏电连接，且通过使作为开关元件的TFT30仅在一定期间关断其开关，而使从数据线6a供给的图像信号S1、S2、...、Sn以规定的定时写入。
经由像素电极9a写入到液晶层50(参照图2)的液晶的规定电平的图像信号S1、S2、...、Sn，在与形成于对置基板上的对置电极21之间保持一定时间。液晶，通过其分子集合的取向、秩序等因所施加的电压电平而发生变化，来对光进行调制，从而实现灰度等级显示。如果是常白模式，则对于入射光的透过率与以各像素单位施加的电压对应地减少，如果是常黑模式，则对于入射光的透过率与以各像素单位施加的电压对应地增加，从而作为整体，从液晶装置射出具有与图像信号对应的对比度的光。
在此，为了防止所保持的图像信号泄漏，与在像素电极9a和对置电极21(参照图1以及图2)之间形成的液晶电容并列地附加有存储电容70。该存储电容70与扫描线3a并列地没置，其包含有固定电位侧电容电极并且包含有被设置为规定电位的电容线300。通过该存储电容70，各像素电极的电荷保持特性得到了提高。而且，电容线300的电位可以始终固定在一个电压值，也可以以规定周期浮动并固定在多个电压值。
接着，参照图4以及图5说明实现上述动作的像素部的具体结构。在此，图4是本实施方式的液晶装置中数据线、扫描线、像素电极等所形成的TFT阵列基板的相邻的多个像素组的平面图，图5是图4的A-A’线处的剖面图。
在图4中，像素电极9a，在TFT阵列基板10上矩阵状地设置有多个(由虚线部9a’表示其轮廓)，并且分别沿着像素电极9a的纵横边界设置有数据线6a以及扫描线3a。数据线6a由例如铝膜等金属膜或者合金膜构成，扫描线3a由例如导电性的多晶硅膜等构成。此外，扫描线3a，以与半导体层1a中由图中右上斜线区域表示的沟道区域1a’相对的方式配置，该扫描线3a作为栅电极而发挥作用。即，在扫描线3a与数据线6a交叉的位置，分别设置有扫描线3a的主线部作为栅电极与沟道区域1a’相对配置的像素开关用的TFT30。
如图5所示，本实施方式的液晶装置配备有透明的TFT阵列基板10和与之相对配置的透明的对置基板20。TFT阵列基板10由例如石英基板、玻璃基板、硅基板构成，对置基板20由例如玻璃基板、石英基板等构成。在TFT阵列基板10上设置有像素电极9a，在其上侧设置有实施了研磨处理等规定的取向处理的取向膜16。其中，像素电极9a由例如ITO膜等透明导电性膜构成。另一方面，在对置基板20上，遍及其整个面地设置有对置电极21，在其下侧设置有实施了研磨处理等规定的取向处理的取向膜22。其中，对置电极21，与上述像素电极9a同样，由例如ITO膜等透明导电性膜构成，取向膜16以及22由例如聚酰亚胺膜等透明的有机膜构成。液晶层50，在未被施加来自像素电极9a的电场的状态下，利用取向膜16以及22获得规定的取向状态。
如图5所示，TFT30具有LDD(Lightly Doped Drain，轻掺杂漏)结构，作为其构成要素，配备：如上所述作为栅电极发挥作用的扫描线3a；由例如多晶硅膜构成、利用来自扫描线3a的电场形成沟道的半导体层1a的沟道区域1a’；包含使扫描线3a和半导体层1a绝缘的栅绝缘膜的绝缘膜2；在半导体层1a的低浓度源区域1b和低浓度漏区域1c以及高浓度源区域1d以及高浓度漏区域1e。
而且，TFT30虽然优选地如图5所示那样具有LDD结构，但也可以具有在低浓度源区域1b以及低浓度漏区域1c不进行杂质的掺杂的偏移(オフセツト)结构，也可以是将由扫描线3a的一部分构成的栅电极作为掩膜而以高浓度掺杂杂质、从而自我调整地形成高浓度源区域以及高浓度漏区域的自对准(セルフアライン)型的TFT。此外，在本实施方式中，是采用在高浓度源区域1d以及高浓度漏区域1e之间仅配置1个像素开关用TFT30的栅电极的单栅结构，但也可以在它们之间配置2个或者2个以上的栅电极。如果这样用双栅或者三栅或者三栅以上构成TFT，则能够防止沟道与源以及漏区域的接合部的泄漏电流，从而能够降低关断时的电流。进而，构成TFT30的半导体层1a可以是非单结晶层或单结晶层。在单结晶层的形成中，可以使用粘合法等公知的方法。通过将半导体层1a形成为单结晶层，特别能够实现周边电路的高性能化。
另一方面，在图5中，存储电容70是通过使其与TFT30的高浓度漏区域1e以及像素电极9a连接的下侧电极71、作为上侧电极的电容线300的一部分以电介质膜75介于中间而相对配置而形成的。而且，电容线300是本发明的“无定形布线”的一个例子。
下侧电极71由例如导电性的多晶硅膜构成，其经由接触孔83与TFT30的高浓度漏区域1e电连接。即，下侧电极71作为被设置成像素电位的像素电位侧电容电极而发挥作用。下侧电极71，除了作为像素电位侧电容电极的功能之外，还具有经由接触孔83以及85使像素电极9a与TFT30的高浓度漏区域1e进行电气中继连接的功能。而且，下侧电极71可以由包含金属或者合金的单层膜或者多层膜构成。
电介质膜75，如图5所示，由例如膜厚5～300nm左右的比较薄的HTO(High Temperature Oxide，高温氧化物)膜、LTO(Low TemperatureOxide，低温氧化物)膜等氧化硅膜或者氮化硅膜等构成。从使存储电容70增大的观点看，在仅限于充分得到膜的可靠性上，电介质膜75越薄越好。
电容线300作为与下侧电极71相对配置的固定电位侧电容电极而发挥作用。该电容线300，在从平面看时，如图4所示，重叠地形成在扫描线3a的形成区域。更具体地，电容线300具备沿着扫描线3a延伸的主线部；在图中，从与数据线6a交叉的各个位置沿着数据线6a分别向上方突出的突出部；以及与接触孔85对应的位置中间稍微变细的中间变细部。其中，突出部利用扫描线3a上方的区域以及数据线6a下方的区域而有助于存储电容70的形成区域的增大。此外，电容线300，优选地从配置有像素电极9a的图像显示区域10a向其周围延伸设置，并与固定电位电源电连接，从而被设置成固定电位。作为这样的固定电位电源，例如如上所述，可以是供给数据线驱动电路101的正电源VDDX、负电源VSSX等固定电位电源，也可以是供给对置基板20的对置电极21的对置电极电位LCCOM。
在本实施方式中，特别地，电容线300包含作为本发明的“无定形膜”的一个例子的无定形WSi膜320，即由具有铝膜310和无定形WSi膜320依次叠层而成的叠层结构的双层膜构成。进而，如图4以及图5所示，电容线300配置于在TFT阵列基板10上平面看包含与TFT30的沟道区域1a’相对的区域的区域，并且配置在TFT30的上层侧。铝膜310是利用溅射法使铝叠层而成的膜，无定形WSi膜320是利用溅射法使WSi以成为无定形状态的方式叠层而成的膜。而且，作为无定形膜，代替或者除了无定形WSi膜320之外，还可以使用例如包含Ti(钛)、Cr(铬)、Ta(钽)、Mo(钼)等高熔点金属中的至少一种的无定形Si膜等。
无定形WSi膜320与例如WSi多晶硅化物(ポリサイド)膜等结晶化的或者固体的遮光性导电膜相比，遮光性能要高。具体地，无定形WSi膜320的OD值大于4，即，无定形WSi膜320的光透过率小于0.01％。由此，与OD值为约1.2左右的WSi多晶硅化物膜相比，遮光性能要高。因而，能够利用无定形WSi膜320可靠地相对于来自上层侧的入射光对TFT30的沟道区域1a’进行遮光。其结果，在液晶装置动作时，TFT30的光泄漏电流降低，从而能够抑制或者防止图像显示中的闪烁、像素不均等的发生，而实现高品质的图像显示。
进而，如果假设由例如WSi多晶硅化物膜等结晶而成的遮光性导电膜形成电容线300，则在利用溅射法使这样的遮光性导电膜叠层之后，就合金化而言，需要进行例如500℃或500℃以上的热处理。由于该热处理，对于例如WSi多晶硅化物膜等结晶而成的遮光性导电膜会增加因合金化而产生的应力，由此会产生翘曲、裂纹等，从而难以作为布线而发挥作用。然而，由于为了形成本实施方式那样的无定形WSi膜320，而不需要进行加热到例如500℃或500℃以上的高温的热处理(换句话说，为了将无定形WSi膜320维持在无定形状态，需要将无定形WSi膜320设置在低于500℃的温度)，所以在无定形WSi膜320上几乎或者完全不会产生翘曲、裂纹等。由此，在无定形WSi膜320上，几乎或者完全不会有因高电阻或者断线而电流完全中断的危险，而可以充分地使无定形WSi膜320作为电容线300的一部分而发挥作用。因而，不会使TFT阵列基板10上的叠层结构复杂化，而能够可靠地对TFT30的沟道区域1a’进行遮光。此外，由于在电容线300上几乎或者完全不会产生翘曲、裂纹等，所以还可以提高成品率，从而使装置自身的可靠性提高。
电容线300，如上所述，由铝膜310和无定形WSi膜320这双层膜构成，从而利用铝膜310来实现低电阻化。而且，电容线300可以由仅无定形WSi膜320这单层膜构成，也可以进一步采用与金属膜的多层膜。
进而，由于电容线300由铝膜310和无定形WSi膜320这双层膜构成，所以就低电阻化或者对于因翘曲、裂纹等引起的断线的避免来说，不需要通过例如经由接触孔与以层间绝缘膜介于中间配置在不同的层的导电膜电连接来形成双重布线等冗长布线结构。由此，可以使叠层结构简单化，从而能够实现微细化。
在图4以及图5中，在TFT30的下侧，设置有下侧遮光膜11a。下侧遮光膜11a被图案形成为格子状，由此规定各像素的开口区域。进而，下侧遮光膜11a相对于在TFT阵列基板10的背面反射、在多板式的投影机等中从其他的液晶装置发出并通过合成光学系统的光等来自下层侧的返回光，对TFT30的沟道区域1a进行遮光。下侧遮光膜11a由包含金属或者合金的单层膜或者多层膜构成。而且，开口区域的规定由图4中的数据线6a和以与之交叉的方式形成的电容线300确定。此外，对于下侧遮光膜11a，也与上述的电容线300的情况同样，为了避免其电位变化对TFT30产生不良影响，从图像显示区域向其周围延伸设置并与固定电位电源连接。
作为本实施方式的第1变形例，下侧遮光膜11a，与上述的电容线300同样，可以包含无定形WSi膜。如果这样，则能够利用下侧遮光膜11a进一步可靠地相对于来自下层侧的返回光、对TFT30的沟道区域1a’进行遮光。
此外，在TFT30之下，设置有基底绝缘膜12。基底绝缘膜12，除了使下侧遮光膜11a与TFT30层间绝缘的功能之外，还通过形成在TFT阵列基板10的整个面上，而具有防止因TFT阵列基板10的表面研磨时的皲裂、洗净后残存的污物等致使图像开关用的TFT30的特性变化的功能。
此外，在扫描线3a之上，形成有分别开设有通向高浓度源区域1d的接触孔81以及通向高浓度漏区域1e的接触孔83的第1层间绝缘膜41。
在第1层间绝缘膜41之上，形成有下侧电极71、电介质膜75以及电容线300，在它们之上形成有分别开设有通向高浓度源区域1d的接触孔81以及通向下侧电极71的接触孔85的第2层间绝缘膜42。
此外，进而，在第2层间绝缘膜42之上形成有数据线6a，在它们之上形成有第3层间绝缘膜43，该第3层间绝缘膜43形成有通向下侧电极71的接触孔85。
作为本实施方式的第2变形例，数据线6a，与上述的电容线300同样，可以包含无定形WSi膜。如果这样，则能够利用数据线6a相对于来自上层侧的入射光更可靠地对TFT30的沟道区域1a’进行遮光。
作为本实施方式的第3变形例，扫描线3a，与上述的电容线300同样，也可以包含无定形WSi膜。如果这样，则能够利用扫描线3a相对于来自上层侧的入射光更可靠地对TFT30的沟道区域1a’进行遮光。
作为本实施方式的第4变形例，下侧电极71，与上述的电容线300同样，也可以包含无定形WSi膜。如果这样，则能够利用下侧电极71相对于来自上层侧的入射光更可靠地对TFT30的沟道区域1a’进行遮光。
如上所述，如果采用本实施方式的液晶装置，则利用包含无定形WSi膜320的电容线300，不会招致叠层结构的复杂化，而能够降低TFT30的光泄漏电流，从而可以实现高品质的图像显示。
<制造方法>
以下，参照图6至图9说明上述的本实施方式的液晶装置的制造方法。在此，图6至图9是表示制造本实施方式的液晶装置的一系列制造工序的工序剖面图。而且，在图6至图9中，与图5所示的像素部的剖面图对应地进行表示。而且，在此，在本实施方式的液晶装置中，主要说明存储电容、特别是电容线的制造工序。
首先，如图6所示，在图像显示区域10a中，在TFT阵列基板10上形成从基底遮光膜11a开始到第1层间绝缘膜41的各层结构。此时，基底遮光膜11a被图案形成为格子状，且基底绝缘膜12以及第1层间绝缘膜41被形成在TFT阵列基板10的整个面上。基底绝缘膜12，通过例如常压或者减压CVD法等，使用TEOS(正硅酸四乙酯)气体、TEB(硼酸三乙酯)气体、TMOP(正磷酸四甲酯)气体等，由NSG(非硅酸盐玻璃)、PSG(磷硅酸盐玻璃)、BSG(硼磷硅酸盐玻璃)等硅酸盐玻璃膜、氮化膜、氧化硅膜等形成。该基底绝缘膜12的膜厚设置为例如约500nm～2000nm左右，优选地设置为约800nm左右。TFT30被形成在与扫描线3a以及以后形成的数据线6a的交叉对应的区域。在形成TFT30的工序中，实施退火处理等热处理，使TFT30的特性得到提高。此时的退火温度是约900～1300℃，优选地是例如约1000℃左右。第1层间绝缘膜41通过例如常压或者减压CVD法等，使用TEOS气体、TEB气体、TMOP气体等，由NSG、PSG、BSG等硅酸盐玻璃膜、氮化膜、氧化硅膜等形成。该第1层间绝缘膜41的膜厚设置为例如约500nm～2000nm左右，优选地设置为约800nm左右。在此，优选地，在800℃左右的高温下进行退火处理，使第1层间绝缘膜41的膜质提高。而且，在各工序中，能够使用通常的半导体集成化技术。此外，在第1层间绝缘膜41的形成后，利用化学性研磨(Chemical Mechanical Polishing：CMP)处理等使其表面平坦化。
接着，在第1层间绝缘膜41的表面的规定位置实施蚀刻，开设深度达到高浓度漏区域1e的接触孔83。接着，以规定的图案叠层导电性的多晶硅膜，从而形成下侧电极71。下侧电极71通过接触孔83与高浓度漏区域1e连串地连接。接着，以规定的图案叠层膜厚成为例如30nm左右那样的高温氧化硅膜(HTO膜)、或者氮化硅膜等，从而形成电介质膜75。
接着，如图7所示，以规定的图案形成电容线300。即，首先，以规定的图案叠层铝，从而形成铝膜310。
接着，以规定的图案利用溅射法叠层WSi，从而形成无定形WSi膜320。此时，为了在无定形状态下叠层WSi，优选地，在例如2Pa左右等比较高的压力的Ar(氩)气体氛围中进行WSi的溅射，而减小溅射粒子的平均自由行程(mean free path)。或者，优选地，例如在40℃左右或者常温及常温以下比较低的温度环境下进行WSi的溅射。或者，优选地，减小溅射功率。或者，优选地，通过提高Si的摩尔比率，而使成为目标的W和Si的摩尔比率偏离于1比2，即，使其不平衡。进而，作为规定的图案，在TFT阵列基板10上平面看在包含与TFT30的沟道区域1a’相对的区域的区域形成电容线300。由此，通过电容线300(特别是无定形WSi膜320)，能够可靠地相对于来自上层侧的入射光对TFT30的沟道区域1a’进行遮光。其结果，在液晶装置动作时，TFT30的光泄漏电流降低，从而能够抑制或者防止图像显示中的闪烁、像素不均等的发生，而实现高品质的图像显示。
接着，如图8所示，在本实施方式中，特别是在TFT阵列基板10上的整个面上，利用例如在500℃以下进行的等离子CVD法，使用TEOS气体，形成由NSG、PSG、BSG等硅酸盐玻璃膜构成的第2层间绝缘膜42。该第2层间绝缘膜42的膜厚例如设置为约400nm左右。由此，在形成第2层间绝缘膜42时，不需要进行例如加热到500℃或500℃以上的处理。因而，可以将电容线300的无定形WSi膜320维持在无定形状态。而且，可以利用高密度等离子CVD法形成第2层间绝缘膜42。而且，在第2层间绝缘膜42的形成之后，可以利用CMP处理等使其表面平坦化。
接着，如图9所示，在第2层间绝缘膜42的表面的规定位置实施蚀刻，开设深度达高浓度源区域1d的接触孔92。接着，以规定的图案叠层铝膜，从而形成数据线6a。数据线6a通过接触孔92与高浓度源区域1d连串地连接。
接着，在TFT阵列基板10的整个面上叠层BPSG，从而形成第3层间绝缘膜43。该第3层间绝缘膜43的膜厚例如设置成约500nm～1500nm左右，优选地，设置成约800nm左右。此时，对第3层间绝缘膜43进行例如在500℃及500℃以上的高温下的退火处理。而且，在第3层间绝缘膜43上，能够使用例如NSG、PSG、BPSG等硅酸盐玻璃、氮化硅、氧化硅等。此外，在第3层间绝缘膜43的形成之后，利用CMP处理等使其表面平坦化。
接着，在第3层间绝缘膜43的表面的规定位置实施蚀刻，开设深度达下侧电极71的延伸部的接触孔85。接着，以规定的图案叠层ITO等透明导电膜，从而形成像素电极9a。像素电极9a通过接触孔85与下侧电极71的延伸部连串地连接。由此，像素电极9a通过下侧电极71的延伸部与高浓度漏区域1e电气地进行中继连接。
如果采用以上说明的液晶装置的制造方法，则能够制造上述的本实施方式的液晶装置。
在本实施方式中，特别是由于以包含无定形WSi膜320而构成的方式形成电容线300，所以能够降低TFT30的光泄漏电流，从而可以实现高品质的图像显示。
进而，在本实施方式中，特别是由于在TFT30的上层侧形成无定形WSi膜320，所以可以利用退火处理等热处理提高TFT30的特性，并且能够容易地利用无定形WSi膜320提高遮光性能。
此外，在本实施方式中，特别是在形成无定形WSi膜320之后，不进行将无定形WSi膜320加热到500℃或者500℃以上的热处理。由此，可以将无定形WSi膜320维持在无定形状态。因而，能够抑制或者防止因结晶化而引起的膜的翘曲、裂纹等的产生，从而能够提高产品的成品率。
<电子设备>
以下，说明将作为上述的电光装置的液晶装置应用于各种电子设备的情况。
首先，说明将该液晶装置作为光阀使用的投影机。图10是表示投影机的结构例子的平面图。如该图10所示，在投影机1100内部设置有由卤素灯等白色光源构成的灯单元1102。从该灯单元1102射出的投射光被设置于光导向体1104内的4块反射镜1106以及2块分色镜1108分离为RGB这3原色，并被入射到作为与各原色对应的光阀的液晶面板1110R、1110B以及1110G。
液晶面板1110R、1110B以及1110G的结构与上述的液晶装置相同，分别用从图像信号处理电路供给的R、G、B的原色信号驱动。此外，由这些液晶面板调制后的光从3个方向入射到分色棱镜1112。在该分色棱镜1112中，R以及B光以90度折射，另一方面，G光直线前进。因而，各色的图像被合成后的结果，经由投射透镜1114将彩色图像投影到屏幕等上。
在此，如果关注由各液晶面板1110R、1110B以及1110G生成的显示像，则由液晶面板1110G生成的显示像需要相对于由液晶面板1110R、1110B所生成的显示像进行左右反转。
而且，由于利用分色镜1108使与R、G、B各原色对应的光入射到液晶面板1110R、1110B以及1110G，所以不需要设置彩色滤光器。
而且，除了参照图10说明的电子设备之外，还可以列举出移动型的个人计算机、移动电话、液晶电视、取景器型·监视器直视型的录像机、车辆导航装置、寻呼机、电子记事簿、电子计算器、文字处理机、工作站、电视电话、POS终端、具备触摸面板的设备等。此外，对于这各种电子设备，显然也可以应用本发明的电光装置。
本发明并不限于上述的实施方式，在不背离从权利要求以及说明书全体可以获得的本发明的主旨或者思想的范围内可以适宜变化，伴随着这样的变化的电光装置、电光装置的制造方法以及具备该电光装置的电子设备也包括在本发明的技术范围内。

Claims (11)

1.一种电光装置，其特征在于，在基板上具备：
相互交叉地延伸的数据线和扫描线；
在上述基板上平面看配置在与上述数据线和扫描线对应地规定的每个像素中的像素电极；
与上述像素电极电连接的薄膜晶体管；以及
至少一个无定形布线，其在上述基板上平面看配置在包含与上述薄膜晶体管的沟道区域相对的区域的区域并且配置在与上述薄膜晶体管的半导体膜不同的层，且包含无定形膜而构成。
2.如权利要求1所述的电光装置，其特征在于：上述无定形膜的光密度值大于4。
3.如权利要求1或2所述的电光装置，其特征在于，在上述基板上具备：
存储电容，其在上述基板上平面看配置在包含与上述沟道区域相对的区域的区域并且配置在上述薄膜晶体管的上层侧，且由下侧电极、电介质膜以及上侧电极从下层侧开始依次叠层而构成；以及
电容线，其由上述无定形布线构成，并与上述上侧电极电连接。
4.如权利要求1至3的任意一项所述的电光装置，其特征在于：上述扫描线由上述无定形布线构成，且其在上述基板上平面看配置在包含与上述沟道区域相对的区域的区域并且配置在上述半导体膜的上层侧，且与上述薄膜晶体管的栅电连接。
5.如权利要求1至4的任意一项所述的电光装置，其特征在于：上述数据线由上述无定形布线构成，且其在上述基板上平面看配置在包含与上述沟道区域相对的区域的区域并且配置在上述薄膜晶体管的上层侧，且与上述薄膜晶体管的源电连接。
6.如权利要求1至5的任意一项所述的电光装置，其特征在于：在上述基板上具备：
下侧遮光膜，其在上述基板上平面看配置在包含与上述沟道区域相对的区域的区域并且配置在上述薄膜晶体管的下层侧，且由上述无定形布线构成并且规定上述每个像素的开口区域。
7.如权利要求1或2所述的电光装置，其特征在于：上述无定形布线在上述基板上配置在上述薄膜晶体管的上层侧。
8.一种电光装置的制造方法，是制造这样的电光装置的电光装置的制造方法，该电光装置在基板上具备：相互交叉地延伸的数据线和扫描线；在上述基板上平面看配置在与上述数据线和扫描线对应地规定的每个像素中的像素电极；与上述像素电极电连接的薄膜晶体管；以及配置在上述薄膜晶体管的上层侧的无定形布线，其特征在于，该方法包括：
在上述基板上形成上述扫描线的工序；
在上述基板上的平面看在与上述数据线和扫描线的交叉对应的区域形成上述薄膜晶体管的工序；
在上述基板上平面看在包含与上述薄膜晶体管的沟道区域相对的区域的区域并且在上述薄膜晶体管的上层侧、以包含无定形膜而构成的方式形成上述无定形布线的工序；
在上述基板上形成上述数据线的工序；以及
在上述每个像素中形成上述像素电极的工序。
9.如权利要求8所述的电光装置的制造方法，其特征在于，包括：
将上述数据线和扫描线、上述薄膜晶体管以及上述像素电极中的至少一个加热到500℃或500℃以上的至少一个热处理工序；
其中，上述至少一个热处理工序在形成上述无定形布线的工序之前进行。
10.如权利要求8或9所述的电光装置的制造方法，其特征在于，包括：
与上述无定形布线相邻而在上层侧利用低温等离子化学汽相淀积法形成层间绝缘膜的工序。
11.一种电子设备，其特征在于：具备权利要求1至7的任意一项所述的电光装置而构成。
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