JPH0374875A - 固体撮像装置の製造方法 - Google Patents
固体撮像装置の製造方法Info
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- JPH0374875A JPH0374875A JP1210938A JP21093889A JPH0374875A JP H0374875 A JPH0374875 A JP H0374875A JP 1210938 A JP1210938 A JP 1210938A JP 21093889 A JP21093889 A JP 21093889A JP H0374875 A JPH0374875 A JP H0374875A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 11
- 239000007787 solid Substances 0.000 title abstract 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims abstract description 8
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 16
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 claims description 9
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 11
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 4
- 238000012216 screening Methods 0.000 abstract 3
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 abstract 1
- WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N tungsten disilicide Chemical compound [Si]#[W]#[Si] WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 229910021342 tungsten silicide Inorganic materials 0.000 description 17
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 13
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 7
- 239000005360 phosphosilicate glass Substances 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- -1 silicon ions Chemical class 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000000740 bleeding effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
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- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、固体撮像装置の製造方法に関し、更に詳しく
は、ＣＯＤ （Ｃｈａｒｇｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄｅｖ
ｉｃｅ）イメージヤのゲート部の改良に係わる。
は、ＣＯＤ （Ｃｈａｒｇｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄｅｖ
ｉｃｅ）イメージヤのゲート部の改良に係わる。
［発明の概要］
本発明は、センサ部と、ポリシリコン層と金属シリコン
化合物層の積層膜で形成された転送電極からなる電荷転
送部とを含む固体撮像装置の製造方法において、 転送電極形成後、前記金属シリコン化合物層の一部をイ
オン注入によりアモルファス化することにより、 転送ゲート等に遮光効果を具備させ、スミアの低減を図
ったものである。
化合物層の積層膜で形成された転送電極からなる電荷転
送部とを含む固体撮像装置の製造方法において、 転送電極形成後、前記金属シリコン化合物層の一部をイ
オン注入によりアモルファス化することにより、 転送ゲート等に遮光効果を具備させ、スミアの低減を図
ったものである。
［従来の技術］
近年、ＣＯＤイメージヤの高精度化並びに微細化が進め
られており、画素数の増大が要望されている。
られており、画素数の増大が要望されている。
従来、この種の固体撮像装置としては、一般に、マトリ
ックス状に配列した多数のセンサ部と画素と、これら各
センナ部あるいは画素を駆動する複数層の駆動電極を半
導体基板上に形成して構成されている。しかしながら、
このような固体撮像装置にあっては、センサ部や画素が
形成される部分以外の半導体基板に外部からの入射光が
侵入すると装置の正常な作動が妨げられ、例えばスイッ
チトランジスタを＋１を戊する拡散層及びその周辺に光
が入り込むと電子−正孔対か生成してトランジスタに漏
洩電流が流れる原因となっている。
ックス状に配列した多数のセンサ部と画素と、これら各
センナ部あるいは画素を駆動する複数層の駆動電極を半
導体基板上に形成して構成されている。しかしながら、
このような固体撮像装置にあっては、センサ部や画素が
形成される部分以外の半導体基板に外部からの入射光が
侵入すると装置の正常な作動が妨げられ、例えばスイッ
チトランジスタを＋１を戊する拡散層及びその周辺に光
が入り込むと電子−正孔対か生成してトランジスタに漏
洩電流が流れる原因となっている。
８ユで、従来は、外部からの入射光の半導体基板への透
過を防ぐため、第５図に示すように、センサ部Ａ以外の
転送電極部Ｂの上にアルミニウム膜ｌを形成し、光の遮
断を図ってい、る。
過を防ぐため、第５図に示すように、センサ部Ａ以外の
転送電極部Ｂの上にアルミニウム膜ｌを形成し、光の遮
断を図ってい、る。
なお、同図中、２はＮ型のシリコン基板、３はこのシリ
コン基板２に形成したＰウェル、４及び５は、ポリサイ
ド構造の順次第１ｉ！極、第２電極（転送電極）、６は
ＰＳＧ等で形成された層間膜である。
コン基板２に形成したＰウェル、４及び５は、ポリサイ
ド構造の順次第１ｉ！極、第２電極（転送電極）、６は
ＰＳＧ等で形成された層間膜である。
また、この種の従来技術としては、特開昭５９１５９５
６４号公報に係るものが知られている。
６４号公報に係るものが知られている。
［発明が解決しようとする課題］
しかしながら、このような従来の固体撮像装置にあって
は、センサ部Ａと転送電極部Ｂとが共存するため、微細
化により、センサ部Ａの開口が小さくなり、このセンサ
部Ａの開口面積は、スケーリング側にのっとり、微細ル
ール（Ｋ）のＩ／Ｋ”に低下するため、感度の低下が著
しいという問題点があった。
は、センサ部Ａと転送電極部Ｂとが共存するため、微細
化により、センサ部Ａの開口が小さくなり、このセンサ
部Ａの開口面積は、スケーリング側にのっとり、微細ル
ール（Ｋ）のＩ／Ｋ”に低下するため、感度の低下が著
しいという問題点があった。
また、転送電極部Ｂ上に遮光用のアルミニウムＷＡ１を
形成しても、そのレイアウト上あるいはプロセス上の都
合で外部の光が基板に入り込む部分が生じてしまう場合
が多くスミャと称される色にじみが撮像時に生じる問題
がある。特に、第１゜２電極４．５は光を透過し易いポ
リサイドが用いられているため、上記したスミャが生じ
易いものであった。
形成しても、そのレイアウト上あるいはプロセス上の都
合で外部の光が基板に入り込む部分が生じてしまう場合
が多くスミャと称される色にじみが撮像時に生じる問題
がある。特に、第１゜２電極４．５は光を透過し易いポ
リサイドが用いられているため、上記したスミャが生じ
易いものであった。
このため、センサ部Ａ以外の場所は遮光する必要が有り
、遮光部面積は小さくできないという問題点を有してい
た。
、遮光部面積は小さくできないという問題点を有してい
た。
本発明は、このような従来の問題点に着目して創案され
たものであって、遮光膜を不要にし、且つスミャの低減
化が図れ、しかも感度の高い固体撮像装置の製造方法を
得んとするものである。
たものであって、遮光膜を不要にし、且つスミャの低減
化が図れ、しかも感度の高い固体撮像装置の製造方法を
得んとするものである。
［課題を解決するための手段］
そこで、本発明は、センサ部と、ポリシリコン層と金属
シリコン化合物層の積層膜で形成された転送電極からな
る電荷転送部とを含む固体撮像装置の製造方法において
、転送電極形成後、前記金属シリコン化合物層の一部を
イオン注入によりアモルファス化することを、その解決
手段としたものである。
シリコン化合物層の積層膜で形成された転送電極からな
る電荷転送部とを含む固体撮像装置の製造方法において
、転送電極形成後、前記金属シリコン化合物層の一部を
イオン注入によりアモルファス化することを、その解決
手段としたものである。
［作用］
転送電極の金属シリコン化合物層の一部がイオン注入を
受けることにより、アモルファス化して遮光性を備え、
下地基板等への光の入射を防止する。
受けることにより、アモルファス化して遮光性を備え、
下地基板等への光の入射を防止する。
［実施例］
以下、本発明に係る固体撮像装置の製造方法の詳細を図
面に示す実施例に基づいて説明する。
面に示す実施例に基づいて説明する。
本実施例は、先ず、第１図Ａに示すように、Ｎ型のシリ
コン基板１０に不純物を注入してＰウェル１１を形成す
る。そして、Ｐウェルにスイッチトランジスタを構成す
る所定の拡散層を形成した後、第１図Ｂに示すように、
基板表面に５ｉＯｚ絶縁膜１２を形成する。この５ｌｏ
ｔ絶縁膜１２の上に、リン（Ｐ）をドープした多結晶シ
リコン膜１３とタングステンシリサイド（ＷＳｉｘ）＠
１４をＣＶＤ法により順次積層してポリサイド構造とす
る。そして、このタングステンシリサイド膜１４上にＳ
ｉｎ、絶縁膜１５を形成した後、順次多結晶シリコン膜
１６及びタングステンシリサイド膜１７を積層してポリ
サイド構造とする。
コン基板１０に不純物を注入してＰウェル１１を形成す
る。そして、Ｐウェルにスイッチトランジスタを構成す
る所定の拡散層を形成した後、第１図Ｂに示すように、
基板表面に５ｉＯｚ絶縁膜１２を形成する。この５ｌｏ
ｔ絶縁膜１２の上に、リン（Ｐ）をドープした多結晶シ
リコン膜１３とタングステンシリサイド（ＷＳｉｘ）＠
１４をＣＶＤ法により順次積層してポリサイド構造とす
る。そして、このタングステンシリサイド膜１４上にＳ
ｉｎ、絶縁膜１５を形成した後、順次多結晶シリコン膜
１６及びタングステンシリサイド膜１７を積層してポリ
サイド構造とする。
次に、タングステンシリサイド１ｉ１７上にレジスト（
図示省略する）をパターニングし、このレジストをマス
クとしてエツチングして、第１図Ｃに示すように、第１
電極１８と第２電極１９でなる転送電極部Ｂとセンサ部
Ａを形成する。
図示省略する）をパターニングし、このレジストをマス
クとしてエツチングして、第１図Ｃに示すように、第１
電極１８と第２電極１９でなる転送電極部Ｂとセンサ部
Ａを形成する。
次に、第１図りに示すように、センサ部Ａと転送電極部
Ｂにリンシリケートガラス（ＰＳＧ）２０を塗布し、約
１０００℃のりフローを行ない層間膜を形成する。
Ｂにリンシリケートガラス（ＰＳＧ）２０を塗布し、約
１０００℃のりフローを行ない層間膜を形成する。
そして、第１図Ｅに示すように、レジスト２１を塗布し
、遮光したい転送電極部Ｂの上部が露出するようにパタ
ーニングを行なう。そして、このレジスト２１をマスク
としてシリコンイオン（Ｓｉ゛）をイオン注入してタン
グステンシリサイド１７をアモルファス化する。なお、
イオン注入の条件としては、ＰＳＧのリン（Ｐ）含有量
が８ｗｔ％で、その厚さが２０００人の場合、３００Ｋ
ｅＶの電圧でシリコンイオン（Ｓｉ”）をＩＱＩＳ／
ｃ ｍ ’のドーズ量で注入する。この時、タングステ
ンシリサイド１７は、厚さ５００Å以上アモルファス化
させることができる。
、遮光したい転送電極部Ｂの上部が露出するようにパタ
ーニングを行なう。そして、このレジスト２１をマスク
としてシリコンイオン（Ｓｉ゛）をイオン注入してタン
グステンシリサイド１７をアモルファス化する。なお、
イオン注入の条件としては、ＰＳＧのリン（Ｐ）含有量
が８ｗｔ％で、その厚さが２０００人の場合、３００Ｋ
ｅＶの電圧でシリコンイオン（Ｓｉ”）をＩＱＩＳ／
ｃ ｍ ’のドーズ量で注入する。この時、タングステ
ンシリサイド１７は、厚さ５００Å以上アモルファス化
させることができる。
なお、このようにタングステンシリサイドをアモルファ
ス化させた場合、電極の配線抵抗は、〜５００μΩ・ｃ
ｍ以上になるが、タングステンシリサイドの厚さが２０
００人で２０Ω／口程度のシート抵抗を確保することが
できる。
ス化させた場合、電極の配線抵抗は、〜５００μΩ・ｃ
ｍ以上になるが、タングステンシリサイドの厚さが２０
００人で２０Ω／口程度のシート抵抗を確保することが
できる。
また、ＣＶＤ法により形成したタングステンシリサイド
は、その形成条件により、多結晶であったりアモルファ
スであったりするが、層間膜形成プロセスで熱が加わる
と、粒径の大きい多結晶化し、分光特性が劣化し、光を
透過することが知られている。
は、その形成条件により、多結晶であったりアモルファ
スであったりするが、層間膜形成プロセスで熱が加わる
と、粒径の大きい多結晶化し、分光特性が劣化し、光を
透過することが知られている。
なお、第２図に示すグラフは、石英基板の上に、ＣＶＤ
法によりヒ素をドープしたタングステンシリサイド（Ｗ
Ｓｉｘ）膜（アモルファス）を粒径２０００人に形成し
た際に、測定波長と光の透過率（％）との関係を示した
ものであり、その透過率は９００ ｎｍの測定波長にお
いても０．１％以下であった。
法によりヒ素をドープしたタングステンシリサイド（Ｗ
Ｓｉｘ）膜（アモルファス）を粒径２０００人に形成し
た際に、測定波長と光の透過率（％）との関係を示した
ものであり、その透過率は９００ ｎｍの測定波長にお
いても０．１％以下であった。
しかし、第３図に示すように、１０００℃の窒素ガス（
Ｎ、）雰囲気中で３０分のアニールを行なうと、タング
ステンシリサイド膜は、グレインの粒径がｉ ｏｏｏ〜
２０００人程度の多結晶化されたタングステンシリサイ
ド膜となり、同図のグラフが示すように、長波長側で光
透過が起すスミャ発生の原因となってしまう。また、同
図は、タングステンシリサイド膜の粒径を５０００人と
大きくして、やっと透過率がＯ０１％程度に抑えられる
ことを示している。
Ｎ、）雰囲気中で３０分のアニールを行なうと、タング
ステンシリサイド膜は、グレインの粒径がｉ ｏｏｏ〜
２０００人程度の多結晶化されたタングステンシリサイ
ド膜となり、同図のグラフが示すように、長波長側で光
透過が起すスミャ発生の原因となってしまう。また、同
図は、タングステンシリサイド膜の粒径を５０００人と
大きくして、やっと透過率がＯ０１％程度に抑えられる
ことを示している。
本実施例は、第３図のグラフで示す状態のタングステン
シリサイドにＳｉ゛をイオン注入（１５０Ｋ ｅ Ｖ
、 ドーズ量１０ ′５／ ｃ ｍ”） して、〜５
００人程度０厚さ分をアモルファス化することにより、
光の透過率の低下を達成させたものである。
シリサイドにＳｉ゛をイオン注入（１５０Ｋ ｅ Ｖ
、 ドーズ量１０ ′５／ ｃ ｍ”） して、〜５
００人程度０厚さ分をアモルファス化することにより、
光の透過率の低下を達成させたものである。
以上、実施例について説明したが、本発明は、この他に
各種の設計変更が可能であり、例えば、上記実施例にお
いては、金属シリコン化合物層としてタングステンシリ
サイド膜を用いたが、他の金属シリサイドを用いても勿
論よい。
各種の設計変更が可能であり、例えば、上記実施例にお
いては、金属シリコン化合物層としてタングステンシリ
サイド膜を用いたが、他の金属シリサイドを用いても勿
論よい。
また、転送電極としてのポリサイド層の構造も、本実施
例に限るものではない。
例に限るものではない。
さらに、上記実施例においては、転送電極部の真上から
イオン注入するものであるが、センサ部にイオン注入が
行なわれない角度の範囲で斜めイオン注入してもよい。
イオン注入するものであるが、センサ部にイオン注入が
行なわれない角度の範囲で斜めイオン注入してもよい。
［発明の効果］
以上の説明から明らかなように、本発明に係る固体撮像
装置の製造方法によれば、転送電極を構成するポリサイ
ドの金属シリコン化合物層をアモルファス化することに
より、センサ部に近い場所での遮光膜の形成が可能にな
り、これに伴ない電荷転送部の薄膜化を可能し、固体撮
像装置のスミャの低減が出来る効果がある。
装置の製造方法によれば、転送電極を構成するポリサイ
ドの金属シリコン化合物層をアモルファス化することに
より、センサ部に近い場所での遮光膜の形成が可能にな
り、これに伴ない電荷転送部の薄膜化を可能し、固体撮
像装置のスミャの低減が出来る効果がある。
また、従来のプロセスの置き換えが容易で、しかもセン
サの開口率が上げられる効果がある。
サの開口率が上げられる効果がある。
第１図Ａ〜第！図Ｅは本発明に係る固体撮像装置の製造
方法の実施例を示す断面図、第２図はタングステンシリ
サイド形成時の透過率を示すグラフ、第３図はタングス
テンシリサイドのアニール後の透過率を示すグラフ、第
４図はタングステンシリサイドへのイオン注入後の透過
率を示すグラフ、第５図は従来例の断面図である。 Ａ・・・センサ部、Ｂ・・・転送電極部、１３．１６・
・・多結晶シリコン膜、１４．１７・・・タングステン
シリサイド、Ｉ８・・・第１電極、１９・・・第２電極
、２０・・・ＰＳＧ膜。 尖甜ぜすの許面図 第１図Ａ （尖 プｉ玉 イ９１１） 第１図Ｂ Ｓｉ” Ｓｉ” （実 １１ヨ イダリ ） 第１図Ｅ （１に ２＾！ イＰ＋ ）第１図Ｄ イ足 釆 イクＪ 第５ 図
方法の実施例を示す断面図、第２図はタングステンシリ
サイド形成時の透過率を示すグラフ、第３図はタングス
テンシリサイドのアニール後の透過率を示すグラフ、第
４図はタングステンシリサイドへのイオン注入後の透過
率を示すグラフ、第５図は従来例の断面図である。 Ａ・・・センサ部、Ｂ・・・転送電極部、１３．１６・
・・多結晶シリコン膜、１４．１７・・・タングステン
シリサイド、Ｉ８・・・第１電極、１９・・・第２電極
、２０・・・ＰＳＧ膜。 尖甜ぜすの許面図 第１図Ａ （尖 プｉ玉 イ９１１） 第１図Ｂ Ｓｉ” Ｓｉ” （実 １１ヨ イダリ ） 第１図Ｅ （１に ２＾！ イＰ＋ ）第１図Ｄ イ足 釆 イクＪ 第５ 図
Claims (1)
- （１）センサ部と、ポリシリコン層と金属シリコン化合
物層の積層膜で形成された転送電極からなる電荷転送部
とを含む固体撮像装置の製造方法において、 転送電極形成後、前記金属シリコン化合物層の一部をイ
オン注入によりアモルファス化することを特徴とする固
体撮像装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1210938A JPH0374875A (ja) | 1989-08-16 | 1989-08-16 | 固体撮像装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1210938A JPH0374875A (ja) | 1989-08-16 | 1989-08-16 | 固体撮像装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0374875A true JPH0374875A (ja) | 1991-03-29 |
Family
ID=16597573
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1210938A Pending JPH0374875A (ja) | 1989-08-16 | 1989-08-16 | 固体撮像装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0374875A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007178650A (ja) * | 2005-12-27 | 2007-07-12 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器 |
-
1989
- 1989-08-16 JP JP1210938A patent/JPH0374875A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007178650A (ja) * | 2005-12-27 | 2007-07-12 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器 |
| JP4674544B2 (ja) * | 2005-12-27 | 2011-04-20 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置の製造方法 |
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