JP2002072249A - 液晶表示素子 - Google Patents
液晶表示素子Info
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- JP2002072249A JP2002072249A JP2000257263A JP2000257263A JP2002072249A JP 2002072249 A JP2002072249 A JP 2002072249A JP 2000257263 A JP2000257263 A JP 2000257263A JP 2000257263 A JP2000257263 A JP 2000257263A JP 2002072249 A JP2002072249 A JP 2002072249A
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- crystal display
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Abstract
(57)【要約】
【課題】斜め視野角からの光漏れによる表示不良を改善
し、高品位な液晶表素子を実現し、かつコストアップに
もならない液晶表示素子を提供する。 【解決手段】対向電極４、４'と映像信号配線６の間
に、対向電極４、４’よりも長く、かつ対向電極４、
４'の垂直方向で少なくとも一部は重なる位置に第２の
遮光層１４を形成する。これにより、バックライト光源
からの光は観測者側に漏れ出すことがなく、表示不良を
改善できる。
し、高品位な液晶表素子を実現し、かつコストアップに
もならない液晶表示素子を提供する。 【解決手段】対向電極４、４'と映像信号配線６の間
に、対向電極４、４’よりも長く、かつ対向電極４、
４'の垂直方向で少なくとも一部は重なる位置に第２の
遮光層１４を形成する。これにより、バックライト光源
からの光は観測者側に漏れ出すことがなく、表示不良を
改善できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、表示性能が良好か
つ低コストのアクティブマトリックス型液晶表示素子に
関する。
つ低コストのアクティブマトリックス型液晶表示素子に
関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、液晶表示素子はフラットパネルデ
ィスプレイの基幹デバイスとして商品化、研究開発が活
発に行われている。特に画像表示に代表される大容量表
示に向けてのアプローチが活発であり、ＣＲＴ代替とし
て、省電力、軽量、薄型が実現出来るディスプレイとし
て最も注目されている。
ィスプレイの基幹デバイスとして商品化、研究開発が活
発に行われている。特に画像表示に代表される大容量表
示に向けてのアプローチが活発であり、ＣＲＴ代替とし
て、省電力、軽量、薄型が実現出来るディスプレイとし
て最も注目されている。
【０００３】上記のアクティブマトリックス方式の液晶
表示素子において、広く用いられている液晶の表示モー
ドは、ＴＮ（ツイステッドネマティック）モードであ
る。これは、液晶に印加する電界の方向を基板界面にほ
ぼ垂直な方向とすることで動作する。一方、液晶に印加
する電界の方向を基板界面にほぼ平行な方向とする方
式、いわゆる横電界方式が、特開昭５６−９１２７７号
公報や特公昭６３−２１９０７号公報などで提案されて
いる。図３は前記従来の液晶表示素子のアレイ基板平面
図、図４は図３中に示すＡ−Ａ’における部分拡大断面
図である。以下、図３〜４について説明する。
表示素子において、広く用いられている液晶の表示モー
ドは、ＴＮ（ツイステッドネマティック）モードであ
る。これは、液晶に印加する電界の方向を基板界面にほ
ぼ垂直な方向とすることで動作する。一方、液晶に印加
する電界の方向を基板界面にほぼ平行な方向とする方
式、いわゆる横電界方式が、特開昭５６−９１２７７号
公報や特公昭６３−２１９０７号公報などで提案されて
いる。図３は前記従来の液晶表示素子のアレイ基板平面
図、図４は図３中に示すＡ−Ａ’における部分拡大断面
図である。以下、図３〜４について説明する。
【０００４】透明なガラス基板１の一方の表面に、薄膜
トランジスタからなるスイッチング素子（ＴＦＴ）と画
素電極７と映像信号配線６と走査信号配線２と共通信号
配線３と対向電極４からなるマトリックス状の画像表示
領域と外部駆動回路からの信号入力電極群を有し、他方
の表面に偏光板１５を貼り合せたアレイ基板（ＡＲ）を
準備する。また、透明なガラス基板１’の一方の表面
に、第１の遮光層９と色層１０とオーバーコート層１１
を有し、他方の表面に偏光板１５’を貼り合せた対向基
板（ＣＦ）とを準備する。前記ガラス基板１、１’を、
偏光板１５，１５’が外側になるように配置し、間隙に
ガラスファイバー或いは樹脂微粒子からなるスペーサー
１２を入れ、画素電極７と色層１０を対向させて樹脂接
着剤にて貼合わせ、スペーサー１２により形成された間
隙に液晶組成物１３を充填して液晶表示素子を形成す
る。映像信号配線６からスイッチング素子（ＴＦＴ）を
介して画素電極７に電圧を選択的に供給し、共通信号配
線３から対向電極４に供給された電圧によって横方向電
界を得る。この電界によって、液晶分子をスイッチング
する方式である。また、一画素を構成するスイッチング
素子に接続された画素電極７は櫛形状に配置し、画素電
極７と咬合して対向電極４が配置する。
トランジスタからなるスイッチング素子（ＴＦＴ）と画
素電極７と映像信号配線６と走査信号配線２と共通信号
配線３と対向電極４からなるマトリックス状の画像表示
領域と外部駆動回路からの信号入力電極群を有し、他方
の表面に偏光板１５を貼り合せたアレイ基板（ＡＲ）を
準備する。また、透明なガラス基板１’の一方の表面
に、第１の遮光層９と色層１０とオーバーコート層１１
を有し、他方の表面に偏光板１５’を貼り合せた対向基
板（ＣＦ）とを準備する。前記ガラス基板１、１’を、
偏光板１５，１５’が外側になるように配置し、間隙に
ガラスファイバー或いは樹脂微粒子からなるスペーサー
１２を入れ、画素電極７と色層１０を対向させて樹脂接
着剤にて貼合わせ、スペーサー１２により形成された間
隙に液晶組成物１３を充填して液晶表示素子を形成す
る。映像信号配線６からスイッチング素子（ＴＦＴ）を
介して画素電極７に電圧を選択的に供給し、共通信号配
線３から対向電極４に供給された電圧によって横方向電
界を得る。この電界によって、液晶分子をスイッチング
する方式である。また、一画素を構成するスイッチング
素子に接続された画素電極７は櫛形状に配置し、画素電
極７と咬合して対向電極４が配置する。
【０００５】以上のように構成された液晶表示素子は、
原理的には優れた視野角特性を実現することができる。
原理的には優れた視野角特性を実現することができる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
液晶表示素子では以下に示すような問題がある。
液晶表示素子では以下に示すような問題がある。
【０００７】走査信号配線沿いに隣り合う画素間に位置
する映像信号配線とこれを挟む対向電極との間にも横電
界が発生し、液晶分子の配向が乱れ、図４に示す光源と
観測者の関係のように、斜めからの視野角で表示を見た
場合、第１の遮光層９の横から光が透過し、光漏れとし
て表示品位を低下してしまう。また、液晶表示素子の視
野角を低下させる問題がある。
する映像信号配線とこれを挟む対向電極との間にも横電
界が発生し、液晶分子の配向が乱れ、図４に示す光源と
観測者の関係のように、斜めからの視野角で表示を見た
場合、第１の遮光層９の横から光が透過し、光漏れとし
て表示品位を低下してしまう。また、液晶表示素子の視
野角を低下させる問題がある。
【０００８】また、問題となる光漏れを防ぐために、前
記第１の遮光層９の幅を広くすることが考えられるが、
そうすると画素の開口率が低下してしまうという問題が
発生する。すなわち、液晶表示素子の透過率が低下し、
高輝度を要求される液晶モニター用途の製品においては
バックライトの輝度を上げることが必要となる。これ
は、消費電力の増大、もしくはコストアップの原因とな
る。
記第１の遮光層９の幅を広くすることが考えられるが、
そうすると画素の開口率が低下してしまうという問題が
発生する。すなわち、液晶表示素子の透過率が低下し、
高輝度を要求される液晶モニター用途の製品においては
バックライトの輝度を上げることが必要となる。これ
は、消費電力の増大、もしくはコストアップの原因とな
る。
【０００９】そこで本発明は、前記従来の問題を解決す
るため、斜め視野角からの光漏れによる表示不良を改善
し、高品位な液晶表素子を実現することができ、かつコ
ストアップにもならない液晶表示素子を提供することを
目的とする。
るため、斜め視野角からの光漏れによる表示不良を改善
し、高品位な液晶表素子を実現することができ、かつコ
ストアップにもならない液晶表示素子を提供することを
目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明の液晶表示素子は、マトリックス状に配置さ
れた複数の映像信号配線と走査信号配線と、その各交差
点に対応して少なくとも一つ以上のスイッチング素子
と、前記スイッチング素子に接続された画素電極と、前
記画素電極に向かい合う対向電極を有するアレイ基板
と、前記アレイ基板と対向して、所定の間隙を保持して
配置され第１の遮光層を備えた対向基板と、これら両基
板の間隙内に配置された液晶組成物層からなり、前記画
素電極と前記対向電極との間で両基板にほぼ平行な電界
を発生させることにより液晶分子の配列を変化させる液
晶表示素子において、前記映像信号配線を挟む対向電極
と前記映像信号配線の間に、前記対向電極よりも長く、
かつ前記両対向電極の垂直方向で少なくとも一部は重な
る位置に第２の遮光層を備えたこと特徴とする。
め、本発明の液晶表示素子は、マトリックス状に配置さ
れた複数の映像信号配線と走査信号配線と、その各交差
点に対応して少なくとも一つ以上のスイッチング素子
と、前記スイッチング素子に接続された画素電極と、前
記画素電極に向かい合う対向電極を有するアレイ基板
と、前記アレイ基板と対向して、所定の間隙を保持して
配置され第１の遮光層を備えた対向基板と、これら両基
板の間隙内に配置された液晶組成物層からなり、前記画
素電極と前記対向電極との間で両基板にほぼ平行な電界
を発生させることにより液晶分子の配列を変化させる液
晶表示素子において、前記映像信号配線を挟む対向電極
と前記映像信号配線の間に、前記対向電極よりも長く、
かつ前記両対向電極の垂直方向で少なくとも一部は重な
る位置に第２の遮光層を備えたこと特徴とする。
【００１１】前記液晶表示素子においては、第２の遮光
層が、光線透過率５０％以下の層であることが好まし
い。
層が、光線透過率５０％以下の層であることが好まし
い。
【００１２】また、第２の遮光層の材料が、アモルファ
ス珪素と窒化珪素の積層膜、アモルファス珪素単層膜、
カーボンブラック又は酸化チタンを含んだ樹脂材料から
選ばれる少なくとも一つの材料であることが好ましい。
ス珪素と窒化珪素の積層膜、アモルファス珪素単層膜、
カーボンブラック又は酸化チタンを含んだ樹脂材料から
選ばれる少なくとも一つの材料であることが好ましい。
【００１３】また、第２の遮光層の厚みが、５０ｎｍ〜
２μｍの範囲であることが好ましい。
２μｍの範囲であることが好ましい。
【００１４】また、液晶層の裏面に存在する光源からの
光線が、表面側の観測者に光漏れとして観測されないこ
とが好ましい。
光線が、表面側の観測者に光漏れとして観測されないこ
とが好ましい。
【００１５】次に本発明の情報処理装置または画像表示
応用装置は、前記のいずれかに記載の液晶表示装置を備
えたことを特徴とする。
応用装置は、前記のいずれかに記載の液晶表示装置を備
えたことを特徴とする。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下本発明の実施の形態について
図面を参照しながら説明する。図３〜４と同一の符号は
同一の部品を示す。
図面を参照しながら説明する。図３〜４と同一の符号は
同一の部品を示す。
【００１７】図１は本発明が適用される液晶表示素子に
用いた主要構成部材であるアレイ基板の一部を示す部分
拡大平面図である。また、図２は前記本発明のアレイ基
板図１におけるＢ−Ｂ’の断面である。図１〜２におい
て、０．７ｍｍ厚のガラスからなる絶縁基板１上に、ス
パッタにてアルミニウム２００ｎｍを成膜し、図１〜２
に示す形状に、フォトリソグラフィー法を用い、走査信
号配線２と、共通信号配線３と、前記共通信号配線と電
気的に接続した対向電極４、４'を形成した。この対向
電極４、４'の線幅は６μｍであり、上下の走査信号配
線と短絡しないようにそれぞれ１０６μｍの平面的空間
を設けてある。次に、これらの上層に、スパッタにて成
膜した酸化タンタル膜５０ｎｍとプラズマＣＶＤで生成
した膜厚３５０ｎｍの窒化珪素の２層構造からなるゲー
ト絶縁膜５と、半導体層としてアモルファス珪素を膜厚
５０ｎｍと、半導体保護膜として窒化珪素膜を膜厚１０
０ｎｍとを、プラズマＣＶＤで積層した。次に、前記半
導体保護膜をフォトリソグラフィー法にて島状に形成し
た。
用いた主要構成部材であるアレイ基板の一部を示す部分
拡大平面図である。また、図２は前記本発明のアレイ基
板図１におけるＢ−Ｂ’の断面である。図１〜２におい
て、０．７ｍｍ厚のガラスからなる絶縁基板１上に、ス
パッタにてアルミニウム２００ｎｍを成膜し、図１〜２
に示す形状に、フォトリソグラフィー法を用い、走査信
号配線２と、共通信号配線３と、前記共通信号配線と電
気的に接続した対向電極４、４'を形成した。この対向
電極４、４'の線幅は６μｍであり、上下の走査信号配
線と短絡しないようにそれぞれ１０６μｍの平面的空間
を設けてある。次に、これらの上層に、スパッタにて成
膜した酸化タンタル膜５０ｎｍとプラズマＣＶＤで生成
した膜厚３５０ｎｍの窒化珪素の２層構造からなるゲー
ト絶縁膜５と、半導体層としてアモルファス珪素を膜厚
５０ｎｍと、半導体保護膜として窒化珪素膜を膜厚１０
０ｎｍとを、プラズマＣＶＤで積層した。次に、前記半
導体保護膜をフォトリソグラフィー法にて島状に形成し
た。
【００１８】この島状のパターンは、１つは走査信号配
線沿いに隣り合う画素間に位置する映像信号配線を挟む
対向電極に両端部が重なるように配置し、第２の遮光部
１４とした。他方はこの後形成されるＴＦＴのチャネル
部とした。この後、リンを含有したアモルファス珪素を
プラズマＣＶＤにて膜厚５０ｎｍ成膜し、さらに、この
上層に、スパッタにてアルミニウムを膜厚１５０ｎｍと
チタンを膜厚５０ｎｍの２層を連続して成膜し、図に示
す形状に、フォトリソグラフィー法を用い、映像信号配
線６と画素電極７とを形成した。この時点で、スイッチ
ング素子として半導体保護膜付きアモルファスシリコン
薄膜トランジスタ素子（図中ＴＦＴ）が形成された。つ
まり、画素電極へはＴＦＴを介して映像信号配線の電圧
が選択的に印加できる。画素電極の配置は前記対向電極
と向かい合い、すなわち、映像信号配線と平行方向かつ
走査信号配線に垂直方向にレイアウトした。かつ映像信
号配線は前記遮光部１４の上層に形成された。映像信号
配線と画素電極の線幅はそれぞれ６ミクロンとした。最
後に、これの上層に、プラズマＣＶＤを用いて、窒化珪
素で膜厚３６０ｎｍの保護絶縁膜８を成膜し、駆動用Ｌ
ＳＩを接続する電極をフォトリソグラフィー法にて、形
成しアレイ基板（ＡＲ）を作成した。ここで、補助容量
は共通信号配線と画素電極と電気的に接続された電極と
ゲート絶縁膜から形成した。また１６は配向膜である。
線沿いに隣り合う画素間に位置する映像信号配線を挟む
対向電極に両端部が重なるように配置し、第２の遮光部
１４とした。他方はこの後形成されるＴＦＴのチャネル
部とした。この後、リンを含有したアモルファス珪素を
プラズマＣＶＤにて膜厚５０ｎｍ成膜し、さらに、この
上層に、スパッタにてアルミニウムを膜厚１５０ｎｍと
チタンを膜厚５０ｎｍの２層を連続して成膜し、図に示
す形状に、フォトリソグラフィー法を用い、映像信号配
線６と画素電極７とを形成した。この時点で、スイッチ
ング素子として半導体保護膜付きアモルファスシリコン
薄膜トランジスタ素子（図中ＴＦＴ）が形成された。つ
まり、画素電極へはＴＦＴを介して映像信号配線の電圧
が選択的に印加できる。画素電極の配置は前記対向電極
と向かい合い、すなわち、映像信号配線と平行方向かつ
走査信号配線に垂直方向にレイアウトした。かつ映像信
号配線は前記遮光部１４の上層に形成された。映像信号
配線と画素電極の線幅はそれぞれ６ミクロンとした。最
後に、これの上層に、プラズマＣＶＤを用いて、窒化珪
素で膜厚３６０ｎｍの保護絶縁膜８を成膜し、駆動用Ｌ
ＳＩを接続する電極をフォトリソグラフィー法にて、形
成しアレイ基板（ＡＲ）を作成した。ここで、補助容量
は共通信号配線と画素電極と電気的に接続された電極と
ゲート絶縁膜から形成した。また１６は配向膜である。
【００１９】一方、酸化チタンを顔料とし、これを分散
したレジストでブラックマトリックス９（第１の遮光
層）を形成し、赤、緑、青のそれぞれの顔料を分散させ
たレジストからなる色層１０を画素ピッチにあわせ、周
期的に配置し、その上層にこれらを平坦化させるために
アクリル樹脂からなるオーバーコート層１１を塗布して
なる透明なガラス基板１'でカラーフィルターを作成
し、対向基板（ＣＦ）とした。これらＡＲとＣＦの間に
ガラスファイバー或いは樹脂微粒子からなるスペーサー
１２を設け、ＡＲの画素電極面とＣＦの対向基板の色層
面を向かい合わせるように樹脂接着剤にて貼合わせ、ス
ペーサーにより形成された間隙に液晶組成物１３を充填
した。両基板を貼り合わせるときの構成部材、工法は従
来と同じである。この組み合わされた基板の外側に偏光
板を貼り付けて液晶表示素子を形成した。以上のように
構成された液晶表示素子の動作は従来と同様である。
したレジストでブラックマトリックス９（第１の遮光
層）を形成し、赤、緑、青のそれぞれの顔料を分散させ
たレジストからなる色層１０を画素ピッチにあわせ、周
期的に配置し、その上層にこれらを平坦化させるために
アクリル樹脂からなるオーバーコート層１１を塗布して
なる透明なガラス基板１'でカラーフィルターを作成
し、対向基板（ＣＦ）とした。これらＡＲとＣＦの間に
ガラスファイバー或いは樹脂微粒子からなるスペーサー
１２を設け、ＡＲの画素電極面とＣＦの対向基板の色層
面を向かい合わせるように樹脂接着剤にて貼合わせ、ス
ペーサーにより形成された間隙に液晶組成物１３を充填
した。両基板を貼り合わせるときの構成部材、工法は従
来と同じである。この組み合わされた基板の外側に偏光
板を貼り付けて液晶表示素子を形成した。以上のように
構成された液晶表示素子の動作は従来と同様である。
【００２０】以上のように本発明では、前記映像信号配
線を挟む対向電極と前記映像信号配線の間に、前記対向
電極よりも長く、かつ前記映像信号配線を挟む対向電極
の垂直方向で少なくとも一部は重なる位置に第２の遮光
層を備えたことにより、従来の構成に比べ、斜め視野角
からの光漏れによる表示不良を改善し、かつ、第１の遮
光層９の幅を変える必要がなく、開口率を低下がなく輝
度を低下することがなかった。
線を挟む対向電極と前記映像信号配線の間に、前記対向
電極よりも長く、かつ前記映像信号配線を挟む対向電極
の垂直方向で少なくとも一部は重なる位置に第２の遮光
層を備えたことにより、従来の構成に比べ、斜め視野角
からの光漏れによる表示不良を改善し、かつ、第１の遮
光層９の幅を変える必要がなく、開口率を低下がなく輝
度を低下することがなかった。
【００２１】また、走査信号配線沿いに隣り合う画素間
に位置する映像信号配線を挟む対向電極が前記映像信号
配線の幅より広い幅をもち、かつ２つの画素の対向電極
と同一工程で形成することにより、製造のコストアップ
にもならなかった。
に位置する映像信号配線を挟む対向電極が前記映像信号
配線の幅より広い幅をもち、かつ２つの画素の対向電極
と同一工程で形成することにより、製造のコストアップ
にもならなかった。
【００２２】本発明の実施の形態では、補助容量は共通
信号配線との間に形成したが、前段の走査信号配線の電
極配線上に容量を配置してもよい。また、映像信号配線
や画素電極の材料にアルミニウムまたはチタンを用いた
が、特に材料には限定しない。
信号配線との間に形成したが、前段の走査信号配線の電
極配線上に容量を配置してもよい。また、映像信号配線
や画素電極の材料にアルミニウムまたはチタンを用いた
が、特に材料には限定しない。
【００２３】また、本実施の形態では、スイッチング素
子としてアモルファスシリコン薄膜トランジスタ素子を
用いたが、ポリシリコン薄膜トランジスタ素子、シリコ
ンウエハから転写されたＭＯＳトランジスタ素子、反射
型表示装置の場合はシリコンウエハ上のＭＯＳトランジ
スタでもよい。また、絶縁膜を窒化珪素膜としたが、酸
化珪素または樹脂でもよい。また、遮光層を半導体保護
層とアモルファス珪素としたが、アモルファス珪素単層
膜または透過率の低い樹脂材料でもよい。
子としてアモルファスシリコン薄膜トランジスタ素子を
用いたが、ポリシリコン薄膜トランジスタ素子、シリコ
ンウエハから転写されたＭＯＳトランジスタ素子、反射
型表示装置の場合はシリコンウエハ上のＭＯＳトランジ
スタでもよい。また、絶縁膜を窒化珪素膜としたが、酸
化珪素または樹脂でもよい。また、遮光層を半導体保護
層とアモルファス珪素としたが、アモルファス珪素単層
膜または透過率の低い樹脂材料でもよい。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
映像信号配線を挟む対向電極と前記映像信号配線の間
に、前記映像信号配線よりも長く、かつ前記映像信号配
線を挟む対向電極の垂直方向で少なくとも一部は重なる
位置に第２の遮光層を備えたことにより、斜め視野角か
らの光漏れによる表示不良を改善し、高品位な液晶表素
子を実現することができ、かつコストアップにもならな
い液晶表示素子を実現できる。
映像信号配線を挟む対向電極と前記映像信号配線の間
に、前記映像信号配線よりも長く、かつ前記映像信号配
線を挟む対向電極の垂直方向で少なくとも一部は重なる
位置に第２の遮光層を備えたことにより、斜め視野角か
らの光漏れによる表示不良を改善し、高品位な液晶表素
子を実現することができ、かつコストアップにもならな
い液晶表示素子を実現できる。
【００２５】また、光漏れ対策として対向基板の遮光層
の幅を広くする必要がなく、開口率低下によるバックラ
イトの消費電力の増加にもならず、安価な液晶表示素子
を実現できる。
の幅を広くする必要がなく、開口率低下によるバックラ
イトの消費電力の増加にもならず、安価な液晶表示素子
を実現できる。
【図１】本発明の実施の形態におけるアレイ平面図
【図２】図１のＢ−Ｂ’の拡大断面図
【図３】従来の液晶表示素子に用いられる一般的なアレ
イ基板の平面図
イ基板の平面図
【図４】図３のＡ−Ａ’の拡大断面図
１，１' ガラス基板 ２ 走査信号配線 ３ 共通信号配線 ４，４' 対向電極 ５ ゲート絶縁膜 ６ 映像信号配線 ７ 画素電極 ８ 保護絶縁膜 ９ 第１の遮光層 １４ 第２の遮光層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H091 FA02Y FA34Y FA41Z FB09 FD04 GA13 GA16 LA03 LA17 2H092 GA14 JA24 JA35 JA36 JB24 JB33 JB36 JB51 JB52 KB04 KB24 MA05 MA08 NA01 PA08 PA09 PA13 5C094 AA16 AA44 BA03 BA43 CA19 CA24 DA14 DA15 EA04 EA07 EB02 ED15 FB12 FB15
Claims (6)
- 【請求項１】マトリックス状に配置された複数の映像信
号配線と走査信号配線と、その各交差点に対応して少な
くとも一つ以上のスイッチング素子と、前記スイッチン
グ素子に接続された画素電極と、前記画素電極に向かい
合う対向電極を有するアレイ基板と、前記アレイ基板と
対向して、所定の間隙を保持して配置され第１の遮光層
を備えた対向基板と、これら両基板の間隙内に配置され
た液晶組成物層からなり、前記画素電極と前記対向電極
との間で両基板にほぼ平行な電界を発生させることによ
り液晶分子の配列を変化させる液晶表示素子において、 前記映像信号配線を挟む対向電極と前記映像信号配線の
間に、前記対向電極よりも長く、かつ前記両対向電極の
垂直方向で少なくとも一部は重なる位置に第２の遮光層
を備えたこと特徴とする液晶表示素子。 - 【請求項２】第２の遮光層が、光線透過率５０％以下の
層である請求項１に記載の液晶表示素子。 - 【請求項３】第２の遮光層の材料が、アモルファス珪素
と窒化珪素の積層膜、アモルファス珪素単層膜、カーボ
ンブラック又は酸化チタン粒子を含んだ樹脂材料から選
ばれる少なくとも一つの材料である請求項１または２に
記載の液晶表示素子。 - 【請求項４】第２の遮光層の厚みが、５０ｎｍ〜２μｍ
の範囲である請求項１〜３のいずれかに記載の液晶表示
素子。 - 【請求項５】液晶層の裏面に存在する光源からの光線
が、表面側の観測者に光漏れとして観測されない請求項
１〜４のいずれかに記載の液晶表示素子。 - 【請求項６】請求項１〜５のいずれかに記載の液晶表示
装置を備えた情報処理装置または画像表示応用装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000257263A JP2002072249A (ja) | 2000-08-28 | 2000-08-28 | 液晶表示素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000257263A JP2002072249A (ja) | 2000-08-28 | 2000-08-28 | 液晶表示素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002072249A true JP2002072249A (ja) | 2002-03-12 |
Family
ID=18745751
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000257263A Pending JP2002072249A (ja) | 2000-08-28 | 2000-08-28 | 液晶表示素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002072249A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007178650A (ja) * | 2005-12-27 | 2007-07-12 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器 |
-
2000
- 2000-08-28 JP JP2000257263A patent/JP2002072249A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007178650A (ja) * | 2005-12-27 | 2007-07-12 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器 |
| JP4674544B2 (ja) * | 2005-12-27 | 2011-04-20 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置の製造方法 |
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