CN1985306A - 纹理加工用组合物 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种高加工速度的组合物，所述组合物能够在减小铝制磁盘的基底层、玻璃制磁盘表面的纹理加工后的平均表面粗糙度(Ra)，并且形成微细的纹理条痕的同时，除去存在于基底层、表面上的起因于基片研磨工序的“研磨痕”或“研磨刮痕”。本发明的组合物是用于对铝制磁盘的基底层或玻璃制磁盘的表面进行纹理加工的、纹理加工用组合物，含有(A)比表面积为150m2/g以上的纳米金刚石粒子、(B)碳数为10－22的脂肪酸或脂肪酸金属盐、(C)有机胺化合物。
Description
技术领域
本发明涉及一种使磁盘带有纹理条痕的纹理加工用组合物，涉及一种可迅速地形成微细的纹理条痕、并且可降低纹理加工后的基底层的平均表面粗糙度(Ra)、而且可获得高加工速度的纹理加工用组合物。
背景技术
为了满足最近日益增大的磁盘记录密度的要求，磁盘表面与磁头的距离变得越来越小。因此磁盘的表面必须尽量地平坦，但随着磁盘的平坦化，引起磁盘静止后变得不能再驱动(业界将此称为“磁头的吸附”、硬盘驱动不能起动的故障。直到数年前为止，为了防止这样的“磁头的吸附”，通常对磁盘的基底层(磁性层的下层)实施所谓的纹理加工。
所谓纹理加工是使附着有规定的粒径的磨粒的研磨带或磨粒的悬浮液与磁盘的基底层表面摩擦接触，在磁盘基底层的表面形成微小的条痕。此时所形成的纹理条痕，直到数年前为止是为了防止所谓的“磁头的吸附”的，因此需要某种程度的大小，但必须满足不能大到与浮起中的磁头碰撞的程度这一条件，此外，纹理条痕必须充分地均匀。
作为用于形成这样的条痕的纹理加工用组合物，一直以来使用在磨削液中混合有金刚石磨粒、氧化铝磨粒的浆液。
然而在近年，通过激光加工在磁盘内周部形成台阶(一般称为“激光凹凸”)，在磁盘静止时通过使磁头落在该台阶上而防止“磁头的吸附”。因此现在为了与防止“磁头的吸附”不同的目的而进行纹理加工。以下举出现在进行纹理加工的目的。
·通过形成微细的纹理条痕，使纹理加工后的磁盘表面上所形成的磁性层中的粒子的结晶方向一致，从而高效地进行磁记录。现在，可以形成例如每1μm为10-30条左右的条痕。因此，不再需要象以前那样的数μm左右的大小的纹理条痕。
·通过纹理加工，除去起因于存在于纹理加工前的铝制磁头基底层、玻璃制磁头表面上的凹凸研磨工序的“研磨痕”、“研磨刮痕”。这些“研磨痕”、“研磨刮痕”成为利用磁性粒子读写记录时的错误原因，成为阻碍磁盘记录密度提高的因素，为了除去“研磨痕”、“研磨刮痕”，需要高加工速度的纹理加工用组合物。
·减小纹理加工后的基底层的平均面粗糙度(Ra)，减小磁头的浮起高度。
特开2003-193041号公报公开了“含多晶金刚石微粉和表面活性剂，多晶金刚石微粉的平均粒径在0.05-5μm的范围，多晶金刚石微粉含量为该浆液的0.01-3重量％，表面活性剂含量为该浆液的0.5-30重量％的浆液。另外，特开平06-33042号公报公开了“以碳数为2-5的二元醇、乙二醇聚合物或丙二醇聚合物为分散介质、使金刚石、碳化硅、氧化铝的磨粒分散而制得的存储硬盘的纹理化用研磨组合物”。此外特开平08-2874566号公报公开了“含有金刚石等的微粒子或粉末和烷撑二醇单烷基醚及脂肪酸或它们的金属盐的磁盘纹理加工用组合物”。然而，这些公报中的浆液、纹理化用研磨组合物、或纹理加工用组合物不能同时实现微细的纹理条痕的形成、和由高加工速度导致的“研磨痕”或“研磨刮痕”的去除、以及纹理加工后的基底层的平均表面粗糙度(Ra)的减小。
为了提高磁盘的记录密度，需要在减小磁盘基底层(磁性层的下层)的纹理加工表面粗糙度、使磁头的浮起高度比以往小的同时，沿磁盘圆周方向形成微细的纹理条痕，高效地进行磁记录，同时除去存在于纹理加工前的铝制磁盘的基底层、玻璃制磁盘表面的起因于基片研磨工序的“研磨痕”或“研磨刮痕”。
为了减小纹理加工表面粗糙度和形成微细的纹理条痕，必须使用微小的粒子或粉末，但通常由于粒子变小而使得加工速度降低，因此通过纹理加工难以除去“研磨痕”或“研磨刮痕”。
本发明的目的在于，提供一种高加工速度的组合物，该组合物能够在减小铝制磁盘的基底层、玻璃制磁盘表面的纹理化后平均表面粗糙度(Ra)、并且形成微细的纹理条痕的同时，除去存在于基底层、表面上的起因于基片研磨工序的“研磨痕”或“研磨刮痕”。
发明内容
本发明为了达到上述目的而提供一种新的纹理加工用组合物。本发明提供下述的方案。
(1)一种含有以下的(A)、(B)和(C)成分的纹理加工用组合物，
(A)比表面积为150m2/g以上的纳米金刚石；
(B)碳数为10-22的脂肪酸或脂肪酸盐；
(C)有机胺化合物。
(2)如上述(1)所述的纹理加工用组合物，其中，纳米金刚石是采用缺氧爆炸法制造的纳米金刚石晶簇。
(3)如上述(2)所述的纹理加工用组合物，其中，纳米金刚石是除去了表面石墨杂质的、采用缺氧爆炸法制造的纳米金刚石晶簇。
(4)如上述(1)-(3)的任一项所述的纹理加工用组合物，其中，纳米金刚石的平均二次粒径是0.01-1μm。
(5)如上述(1)-(4)的任一项所述的纹理加工用组合物，其中，纳米金刚石的含量是0.001-5.0质量％。
(6)如上述(1)-(5)的任一项所述的纹理加工用组合物，其中，脂肪酸或脂肪酸盐是月桂酸、油酸或它们的盐。
(7)如上述(1)-(6)的任一项所述的纹理加工用组合物，其中，脂肪酸和脂肪酸盐的浓度是0.01-20质量％。
(8)如上述(1)-(8)的任一项所述的纹理加工用组合物，其中，有机胺化合物的浓度是0.01-20质量％。
(9)如上述(1)-(8)的任一项所述的纹理加工用组合物，含有水溶性有机溶剂。
(10)如上述(9)所述的纹理加工用组合物，其中，水溶性有机溶剂是通式R1O{(CH2)nO}mH所表示的烷撑二醇单烷基酯[式中，R1表示碳数为1-4的直链或支链的烷基，m表示1-3的整数，n表示2或3的数。]、碳数为2-5的多元醇或其聚合物、碳数为2-5的一元醇、或它们的混合物。
(11)如上述(9)或(10)所述的纹理加工用组合物，其中，水溶性有机溶剂的浓度是1质量％以上。
(12)如上述(1)-(11)的任一项所述的纹理加工用组合物，其中，进一步包含表面活性剂。
(13)如上述(12)所述的纹理加工用组合物，其中，表面活性剂的浓度是0.01-20质量％。
(14)如上述(1)-(13)的任一项所述的纹理加工用组合物，其中，用于对铝制磁盘的基底层或玻璃制磁盘的表面进行纹理加工。
(15)一种纹理加工方法，使用上述(1)-(14)的任一项所述的纹理加工用组合物，对铝制磁盘的基底层或玻璃制磁盘的表面进行纹理加工。
实施发明的最佳方式
上世纪60年代原苏联确立了纳米金刚石的合成方法(缺氧爆炸法)。作为现有的多晶金刚石合成方法的冲击压缩法，是把石墨原料封入金属容器内，通过从金属容器外部施加由火药爆炸所产生的超高温、超高压力，使石墨原料向金刚石转化的方法，据称其一次粒子尺寸一般为数十nm，但一次粒子尺寸存在偏差，各个一次粒子不是完全的金刚石(单晶)。另一方面，缺氧爆炸法，是在惰性介质中使TNT、RDX等炸药爆炸，使炸药本身所含的碳成分转化成金刚石的方法，其一次粒子为5nm左右，富有均匀性，各个一次粒子是完全的单晶金刚石。
采用缺氧爆炸法制造的纳米金刚石晶簇，在纳米金刚石一次粒子数从小于10个到数百个的范围构成。纳米金刚石一次粒子表面被未转化成金刚石的石墨杂质覆盖，纳米金刚石晶簇由于以该石墨杂质为介质，一次粒子之间牢固地结合，因此是难以机械破坏的凝聚体。另外，由于凝聚体表面也被石墨杂质覆盖，因此凝采体之间也进一步凝聚，存在形成更大的3次粒子的倾向。纹理加工用组合物，由于必须在磁盘表面均匀地形成纹理条痕，因此需要使磨粒均匀地分散在水、有机溶剂等液体中。因此，本发明所使用的纳米金刚石晶簇通过高温下的酸处理、大气气氛中的热处理等来分选出其表面石墨杂质。
不限于这样的纳米金刚石晶簇，一般地粉体的一次粒子尺寸用比表面积(每单位重量的粒子表面积)进行评价。将纳米金刚石晶簇用于纹理加工用组合物中的目的是使纳米金刚石一次粒子起一种切削刀刃的作用，形成数量多的、更微细的纹理条痕。因此，越是比表面积大的纳米金刚石晶簇越更有效，150m2/g以上的粒子作为本发明纹理加工用组合物的磨粒很合适。更优选为200m2/g以上，特别优选是250m2/g以上。
另外，在本发明的纹理加工用组合物中，可以含有纳米金刚石以外的磨粒，例如：JIS R6111-1987所规定的人造磨削材料或符合该标准的磨粒，例如JIS R6001-1987所规定的粒度或符合该标准的粒度的研磨材料、作为磨粒的粗粉和微粉的氧化铝或碳化硅、烧结用的氧化铝粉末或碳化硅粉末；以及天然或工业合成的金刚石，例如符合上述的JIS R6001-1987的粒度的磨粒和除此以外最大粒度是10μm以下、并具有特殊的粒度分布的金刚石微粒子或粉末；等等。
本发明的纹理加工用组合物所使用的上述纳米金刚石，作为平均二次粒径优选为0.01-1μm。大于1μm时，通过纹理加工而形成的条痕过粗，小于0.01μm时，切削力降低，难以通过纹理加工除去“研磨痕”或“研磨刮痕”，因而不优选。更优选是0.03-0.3μm。
纳米金刚石的、在纹理加工用组合物内的含量优选为0.001-5质量％、更优选是0.005-0.1质量％。小于0.001质量％时纹理加工效率极端降低，有时难以除去“研磨痕”或“研磨刮痕”。而即使大于5质量％，也不能看到纹理加工效率进一步提高，因此从经济上看不优选大于5质量％。
将纳米金刚石与上述的金刚石以外的微粒子或粉末混合使用的场合也优选为上述的含量范围。
其次，作为在本发明的纹理加工用组合物中使用的脂肪酸，例如可举出碳数为10-22的饱和或一、二和三元不饱和脂肪酸，具体地，可举出癸酸、月桂酸、肉豆蔻酸、棕榈酸、硬脂酸，山萮酸、油酸、亚油酸、亚麻酸等，但并不限于这些酸。
在本发明的纹理加工用组合物中，可以将上述脂肪酸单独或混合地使用。也可以混合碳数10-22以外的脂肪酸来使用，但为了充分地达到本发明的目的，优选实质上只由碳数为10-22的脂肪酸构成。
脂肪酸的在纹理加工用组合物内的含量，优选为0.01-20质量％，小于0.01质量％时，由于加工速度降低，因此在通纹理加工以短时间充分地除去“研磨痕”或“研磨刮痕”方面存在难点，并且有可能难以形成微细的纹理条痕。即使大于20质量％效果也难以进一步提高，另外作为本发明的组合物有时难以形成为均匀分散体系。更优选是0.1-3质量％。
作为本发明的纹理加工用组合物中所含有的有机胺化合物，具体地，可举出：
甲胺(CH3NH2)、
乙胺(CH3CH2NH2)、
丙胺(CH3(CH2)2NH2)、
异丙胺((CH3)2CHNH2)、
丁胺(CH3(CH2)3NH2)、
戊胺(CH3(CH2)4NH2)、
己胺(CH3(CH2)5NH2)、
庚胺(CH3(CH2)6NH2)、
辛胺(CH3(CH2)7NH2)、
壬胺(CH3(CH2)8NH2)、
癸胺(CH3(CH2)9NH2)、
十一烷胺(CH3(CH2)10NH2)、
十二烷胺(CH3(CH2)11NH2)、
十三烷胺(CH3(CH2)12NH2)、
十四烷胺(CH3(CH2)13NH2)、
十五烷胺(CH3(CH2)14NH2)、
十六烷胺(CH3(CH2)15NH2)、
二甲胺((CH3)2NH)、
二乙胺((C2H5)2NH)、
二丙胺((n-C3H7)2NH)、
二异丙胺((i-C3H7)2NH)、
二丁胺((n-C4H9)2NH)、
二戊胺((n-C5H11)2NH)、
三甲胺((CH3)3N)、
三乙胺((C2H5)3N)、
三丙胺((n-C3H7)3N)、
三丁胺((n-C4H9)3N)、
三戊胺((n-C5H11)3N)、
烯丙胺((CH2＝CHCH2NH2)、
二烯丙胺((CH2＝CHCH2)2NH)、
三烯丙胺((CH2＝CHCH2)3N)、
苯胺(C6H5NH2)、
甲基苯胺((C6H5NHCH3)、
二甲基苯胺((C6H5N(CH3)2)、
乙基苯胺(C6H5NHC2H5)、
二乙基苯胺((C6H5N(C2H5)2)、
甲苯胺(C6H4(CH3)(NH2))、
苄胺(C6H5CH2NH2)、
二苄胺((C6H5CH2)2NH)、
三苄胺((C6H5CH2)3N)、
二苯胺((C6H5)2NH)、
三苯胺((C6H5)3N)、
萘胺(C10H7NH2)、
乙醇胺(HOCH2CH2NH2)、
丙醇胺(HOCH2CH2CH2NH2)、
丁醇胺(HOCH2CH2CH2CH2NH2)、
二乙醇胺((HOCH2CH2)2NH)、
二丙醇胺((HOCH2CH2CH2)2NH)、
二丁醇胺((HOCH2CH2CH2)2NH)、
三乙醇胺((HOCH2CH2)3N)、
三丙醇胺((HOCH2CH2CH2)3N)、
三丁醇胺((HOCH2CH2CH2CH2)3N)等，但不限于这些胺。
本发明的纹理加工用组合物中所含有的有机胺化合物的、在纹理加工用组合物内的含量，优选为0.01-20质量％。小于0.01质量％时加工速度降低，有时难以通过纹理加工以短时间充分地除去“研磨痕”或“研磨刮痕”，即使大于5质量％其效果也难以进一步提高。更优选为0.1-3质量％。
本发明的纹理加工用组合物通常使用水作为溶剂，但也可以使用有机溶剂。
在本发明的纹理加工用组合物中，可以以添加到水中或者单一溶剂的形式含有水溶性有机溶剂。水溶性有机溶剂，优选是通式R1O{(CH2)nO}mH所表示的烷撑二醇单烷基醚、碳数为2-5的多元醇或其聚合物、碳数为2-5的一元醇。
作为烷撑二醇单烷基醚，具体地，可举出：
乙二醇单甲醚(CH3OCH2CH2OH)、
乙二醇单乙醚(C2H5OCH2CH2OH)、
乙二醇单丁醚(C4H9OCH2CH2OH)、
二乙二醇单甲醚(CH3(OCH2CH2)2OH)、
二乙二醇单乙醚(C2H5(OCH2CH2)2OH)、
二乙二醇单丁醚(C4H9(OCH2CH2)2OH)、
丙二醇单甲醚(CH3OCH2CH2CH2OH)、
丙二醇单乙醚(C2H5OCH2CH2CH2OH)、
丙二醇单丁醚(C4H9OCH2CH2CH2OH)、
二丙二醇单甲醚(CH3(OCH2CH2CH2)2OH)、
二丙二醇单乙醚(C2H5(OCH2CH2CH2)2OH)、
三乙二醇单甲醚(CH3(OCH2CH2CH2)3OH)、
三乙二醇单乙醚(C2H5(OCH2CH2CH2)3OH)、
三丙二醇单甲醚(CH3(OCH2CH2CH2)3OH)等，但不限于这些醚。
作为本发明中的碳数为2-5的多元醇或其聚合物，具体地，可举出：
乙二醇(HOCH2CH2OH)、
丙二醇(CH3CH(OH)CH2OH)、
1，3-丙二醇(HO(CH2)3OH)、
1，2-丁二醇(HOCH2CH(OH)CH2CH3)、
1，3-丁二醇(HOCH2CH2CH(OH)CH3)、
1，4-丁二醇(HO(CH2)4OH)、
2，3-丁二醇(CH3CH(OH)CH(OH)CH3)、
1，2-戊二醇(HOCH2CH(OH)CH2CH2CH3)、
1，4-戊二醇(HOCH2CH2CH2CH(OH)CH3)、
1，5-戊二醇(HO(CH2)5OH)、
2，3-戊二醇(CH3CH(OH)CH(OH)CH2CH3)、
2，4-戊二醇(CH3CH(OH)CH2CH(OH)CH3)、
2-甲基-1，2-丙二醇(HOCH2C(CH3)(OH)CH3)、
2-甲基-1，3-丙二醇(HOCH2CH(CH3)CH2OH)、
2-甲基-1，2-丁二醇(HOCH2C(CH3)(OH)CH2CH3)、
2-甲基-1，3-丁二醇(HOCH2CH(CH3)CH(OH)CH3)、
2-甲基-1，4-丁二醇(HOCH2CH(CH3)CH2CH2OH)、
2-甲基-2，3-丁二醇(CH3C(CH3)(OH)CH(OH)CH3)、
2-甲基-2，4-丁二醇(CH3C(CH3)(OH)CH3CH2OH)、
2-甲基-3，4-丁二醇(CH3CH(CH3)CH(OH)CH2OH)、
二乙二醇(HOCH2CH2OCH2CH2OH)、
三乙二醇(HOCH2CH2OCH2CH2OCH2CH2OH)、
聚乙二醇(HO(CH2CH2O)qCH2CH2OH)、
二丙二醇(HOCH(CH3)CH2OCH2CH(CH3)OH)、
三丙二醇(HOCH(CH3)CH2OCH2CH(CH3)OCH2CH(CH3)OH)、
聚丙二醇(HOCH(CH3)CH2O(CH2CH(CH3)O)qCH2CH(CH3)OH)、
甘油(HOCH2CH(OH)CH2OH)等，但不限于这些醇。再者，式中的q是4以上的整数。
另外，这些烷撑二醇醚、碳数为2-5的多元醇或其聚合物、碳数为2-5的一元醇的、在纹理加工用组合物内的含量，在使用的场合按总量计优选为1质量％以上。小于1质量％时，由于加工速度降低，因此有时难以通过纹理加工以短时间充分地除去“研磨痕”或“研磨刮痕”。更优选组合物的溶剂全部是这些水溶性有机溶剂。
在本发明的纹理加工用组合物中优选含有表面活性剂。其原因是因为，为了充分地达到本发明的目的，本发明的纹理加工用组合物希望除了纳米金刚石或其以外的磨粒之外的成分成为均匀溶液，希望至少变成乳液状态，因此期望添加表面活性剂进行均匀溶液化或乳液化。
本发明的纹理加工用组合物中所含有的表面活性剂，不论是阴离子性表面活性剂、阳离子性表面活性剂、两性表面活性剂、非离子性表面活性剂之中的哪一种都可发挥充分的性能，但特别优选非离子性表面活性剂。表面活性剂的添加量优选为0.01-20质量％。小于0.01质量％时，有时难以形成微细的纹理条痕，大于20质量％时纳米金刚石的微粒或粉末滑失，加工速度降低，因此有可能难以除去“研磨痕”或“研磨刮痕”。更优选是0.1-2质量％。
本发明的纹理加工用组合物，对在铝制磁盘的基底层、玻璃制磁盘表面形成均质而微细的纹理条痕具有效果，此外由于是高加工速度，因此对除去存在于基底层的、起因于基片研磨工序的“研磨痕”或“研磨刮痕”具有效果。尤其是对于玻璃制磁盘，可获得使用了现有的多晶金刚石或单晶金刚石的纹理加工用组合物的数倍的、高的加工的速度，在该方面特别优异。
实施例
以下详细地说明本发明，但本发明不受下述这些实施例限定。
以下的实施例中，如表1-表2所示，作为金刚石，分别按表所表示的量使用：作为纳米金刚石的、比表面积280m2/g、平均二次粒径D50为0.12μm的纳米金刚石(采用缺氧爆炸法制造，除去了表面石墨杂质的、纳米金刚石晶簇)，作为多晶金刚石的、比表面积60m2/g、平均二次粒径D50为0.12μm的多晶金刚石(采用冲击压缩法制造，除去了表面石墨杂质的、多晶金刚石)，作为单晶金刚石的、比表面积40m2/g、平均二次粒径D50为0.11μm的单晶金刚石(采用静压法制造，除去了表面石墨杂质的、单晶金刚石)，虽然不是必须，但为了改善多分散性而添加10质量％的作为水溶性有机溶剂的乙二醇，其余部分使用了由水构成的分散体。表中的金刚石的平均二次粒径D50是使用Microrolac公司制的激光多普勒式粒度分布测定机UPA测定的累积中位径(中值径)。作为脂肪酸，按表中所表示的浓度使用油酸、油酸盐或月桂酸。作为有机胺化合物，按表中所表示的浓度使用二乙醇胺或三乙醇胺。
对在95mm磁盘用铝基板上镀覆Ni-P而形成了基底层的基板预先实施镜面处理。然后将其安装在EDC-1800A型纹理加工机(Exclusive Design公司制)上。
由浆液供给装置，一边将包含表1-表2所示的组成的各纹理加工用组合物的浆液供给到摩擦接触用带的研磨处理部分，一边以500rpm的速度使盘旋转。其中浆液的供给速度是15ml/分，进行纹理加期间连续地供给。
另外，在与磁盘用基板相同的方向使辊旋转，使得带以行走速度5cm/分进行行走。此外，纹理加工时辊的挤压力是1.0kg，纹理加工时间是15秒。
另外，由于加工15秒钟时重量减少非常少，难以算出加工速度，因此也一并实施了同样的150秒钟的纹理加工。
另外，对65mm磁盘用化学强化过的玻璃基板也进行同样的纹理加工。在玻璃基板上不形成基底层等而直接对玻璃基板进行纹理加工。与采用铝基板时的不同点只是带与基板间的压力，玻璃基板的场合为2.0kg。与铝基板同样地进行15秒钟和150秒钟的纹理加工。
加工后的磁盘的评价采用以下的方法进行评价。
评价方法：
(1)纹理条痕数(条痕数)：
使用原子力显微镜(SEIKO INSTRUMENTS公司制的SPA-500)，观察磁盘表面上的1μm×1μm的视野范围，统计纹理条痕的数。
(2)平均面粗糙度(Ra)：
使用原子力显微镜(SEIKO INSTRUMENTS公司制的SPA-500)，观察磁盘表面上的5μm×5μm的视野范围，测定平均表面粗糙度。
(3)加工速度
测定进行150秒钟纹理加工之前和之后的磁盘的重量，求出加工前后的重量减少值，该重量减少值除以处理时间，换算成每1分钟的重量减少值，作为加工速度。
(4)研磨痕
使用原子力显微镜(SEIKO INSTRUMENTS公司制的SPA-500)，观察磁盘表面上的5μm×5μm的视野范围，判别有无研磨痕。
表1
| 实施例1 | 实施例2 | 实施例3 | 实施例4 | 实施例5 | 实施例6 | 比较例1 | 比较例2 | 比较例3 | 比较例4 | |||
| 基板 | 铝 | 铝 | 铝 | 铝 | 铝 | 铝 | 铝 | 铝 | 铝 | 铝 | ||
| 纹理加工用组合物的组成 | 金刚石 | 种类 | 纳米 | 纳米 | 纳米 | 纳米 | 纳米 | 纳米 | 多晶 | 多晶 | 单晶 | 单晶 |
| 比表面积 | 280 | 280 | 280 | 280 | 280 | 280 | 60 | 60 | 40 | 40 | ||
| D50(μm) | 0.12 | 0.12 | 0.12 | 0.12 | 0.12 | 0.12 | 0.12 | 0.12 | 0.11 | 0.11 | ||
| 浓度 | 0.01质量％ | 0.01质量％ | 0.01质量％ | 0.01质量％ | 0.01质量％ | 0.01质量％ | 0.01质量％ | 0.01质量％ | 0.01质量％ | 0.01质量％ | ||
| 脂肪酸 | 油酸2.5质量％ | 油酸0.5质量％ | 油酸2.5质量％ | 油酸钠2.5质量％ | 油酸钾2.5质量％ | 月桂酸0.5质量％ | 油酸2.5质量％ | 月桂酸0.5质量％ | 油酸2.5质量％ | 月桂酸0.5质量％ | ||
| 有机胺化合物 | 二乙醇胺5.0质量％ | 二乙醇胺1.0质量％ | 三乙醇胺5.0质量％ | 三乙醇胺5.0质量％ | 三乙醇胺5.0质量％ | 三乙醇胺1.0质量％ | 二乙醇胺5.0质量％ | 三乙醇胺1.0质量％ | 二乙醇胺5.0质量％ | 三乙醇胺1.0质量％ | ||
| 评价结果 | 条痕数(条/μm) | 58 | 55 | 53 | 55 | 56 | 53 | 42 | 39 | 38 | 38 | |
| Ra(埃) | 2.0 | 2.4 | 2.1 | 2.0 | 2.1 | 2.2 | 4.4 | 4.5 | 4.0 | 4.2 | ||
| 加工速度(nm/min) | 8.5 | 8.0 | 8.4 | 8.0 | 8.0 | 8.2 | 8.4 | 8.0 | 8.3 | 8.2 | ||
| 研磨痕 | 无 | 无 | 无 | 无 | 无 | 无 | 无 | 无 | 无 | 无 | ||
表2
| 实施例7 | 实施例8 | 实施例9 | 实施例10 | 实施例11 | 实施例12 | 比较例5 | 比较例6 | 比较例7 | 比较例8 | |||
| 基板 | 玻璃 | 玻璃 | 玻璃 | 玻璃 | 玻璃 | 玻璃 | 玻璃 | 玻璃 | 玻璃 | 玻璃 | ||
| 纹理加工用组合物的组成 | 金刚石 | 种类 | 纳米 | 纳米 | 纳米 | 纳米 | 纳米 | 纳米 | 多晶 | 多晶 | 单晶 | 单晶 |
| 比表面积 | 280 | 280 | 280 | 280 | 280 | 280 | 60 | 60 | 40 | 40 | ||
| D50(μm ) | 0.12 | 0.12 | 0.12 | 0.12 | 0.12 | 0.12 | 0.12 | 0.12 | 0.11 | 0.11 | ||
| 浓度 | 0.01质量％ | 0.01质量％ | 0.01质量％ | 0.01质量％ | 0.01质量％ | 0.01质量％ | 0.01质量％ | 0.01质量％ | 0.01质量％ | 0.01质量％ | ||
| 脂肪酸 | 油酸2.5质量％ | 油酸0.5质量％ | 油酸2.5质量％ | 油酸钠2.5质量％ | 油酸钾2.5质量％ | 月桂酸0.5质量％ | 油酸2.5质量％ | 月桂酸0.5质量％ | 油酸2.5质量％ | 月桂酸0.5质量％ | ||
| 有机胺化合物 | 二乙醇胺5.0质量％ | 二乙醇胺1.0质量％ | 三乙醇胺5.0质量％ | 三乙醇胺5.0质量％ | 三乙醇胺5.0质量％ | 三乙醇胺1.0质量％ | 二乙醇胺5.0质量％ | 三乙醇胺1.0质量％ | 二乙醇胺5.0质量％ | 三乙醇胺1.0质量％ | ||
| 评价结果 | 条痕数(条/μm) | 52 | 48 | 48 | 46 | 48 | 49 | 45 | 44 | 40 | 39 | |
| Ra(埃) | 3.8 | 3.5 | 3.8 | 3.8 | 3.6 | 3.6 | 3.2 | 3.4 | 3.6 | 3.9 | ||
| 加工速度(nm/min) | 30.4 | 26.4 | 28.6 | 27.2 | 27.0 | 27.2 | 9.5 | 9.1 | 7.8 | 7.6 | ||
| 研磨痕 | 无 | 无 | 无 | 无 | 无 | 无 | 残存 | 残存 | 残存 | 残存 | ||
根据本发明有如下的效果。
纳米金刚石是由一次粒子为完全的单晶，其尺寸为例如5nm左右的非常小的、纳米金刚石晶簇构成，通过将纳米金刚石用于纹理加工用组合物中，硬度高的单晶金刚石一次粒子成为有效的切削刀刃而作用于纹理加工面上。因此，与使用包含现有的多晶金刚石或单晶金刚石的纹理加工用组合物比，能够提高纹理条痕密度。其结果，可取得在磁性膜面上的各向异性输出，可提高记录密度。
另外，由于通过采用小的一次粒子尺寸，有效的切削刀刃数格外地增多，因此可得到高的加工速度，可高效地进行磁盘的起因于研磨工序的“研磨痕”或“研磨刮痕”的去除。因此，可大幅度降低因“研磨痕”或“研磨刮痕”而发生的磁性粒子所导致的记录读写时的错误，可提高记录密度。
此外，由于高的加工速度，因此可缩短纹理加工时间，可格外地提高磁盘的生产率。
产业上的可利用性
本发明所提供的纹理加工用组合物在磁盘的纹理加工用途中是有用的。
Claims (15)
1.一种含有以下的(A)、(B)和(C)成分的纹理加工用组合物，
(A)比表面积为150m2/g以上的纳米金刚石；
(B)碳数为10-22的脂肪酸或脂肪酸盐；
(C)有机胺化合物。
2.如权利要求1所述的纹理加工用组合物，其中，纳米金刚石是采用缺氧爆炸法制造的纳米金刚石晶簇。
3.如权利要求2所述的纹理加工用组合物，其中，纳米金刚石是除去了表面石墨杂质的、采用缺氧爆炸法制造的纳米金刚石晶簇。
4.如权利要求1～3的任一项所述的纹理加工用组合物，其中，纳米金刚石的平均二次粒径是0.01-1μm。
5.如权利要求1～4的任一项所述的纹理加工用组合物，其中，纳米金刚石的含量是0.001-5.0质量％。
6.如权利要求1～5的任一项所述的纹理加工用组合物，其中，脂肪酸或脂肪酸盐是月桂酸、油酸或它们的盐。
7.如权利要求1～6的任一项所述的纹理加工用组合物，其中，脂肪酸和脂肪酸盐的浓度是0.01-20质量％。
8.如权利要求1～7的任一项所述的纹理加工用组合物，其中，有机胺化合物的浓度是0.01-20质量％。
9.如权利要求1～8的任一项所述的纹理加工用组合物，其中，含有水溶性有机溶剂。
10.如权利要求9所述的纹理加工用组合物，其中，水溶性有机溶剂是通式R1O{(CH2)nO}mH所表示的烷撑二醇单烷基醚、碳数为2-5的多元醇或其聚合物、碳数为2-5的一元醇、或它们的混合物，上述式中，R1表示碳数为1-4的直链或支链的烷基，m表示1-3的整数，n表示2或3的数。
11.如权利要求9或10所述的纹理加工用组合物，其中，水溶性有机溶剂的浓度是1质量％以上。
12.如权利要求1～11的任一项所述的纹理加工用组合物，进一步含有表面活性剂。
13.如权利要求12所述的纹理加工用组合物，其中，表面活性剂的浓度是0.01-20质量％。
14.如权利要求1～13的任一项所述的纹理加工用组合物，是用于对铝制磁盘的基底层或玻璃制磁盘的表面进行纹理加工的。
15.一种纹理加工方法，是使用权利要求1～14的任一项所述的纹理加工用组合物对铝制磁盘的基底层或玻璃制磁盘的表面进行纹理加工。
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Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102341473A (zh) * | 2009-03-13 | 2012-02-01 | 圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司 | 使用了纳米金刚石的化学机械平面化 |
| CN102341473B (zh) * | 2009-03-13 | 2014-06-18 | 圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司 | 使用了纳米金刚石的化学机械平面化 |
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